Engenharia Elétrica – Eletrônica

Sistemas Digitais

Prof. Dr. Marlim P. Menezes - 2016

 Sistemas Digitais – Aula 7
Memórias – Parte 3

AGENDA

7.0. Tipos de Memória não-volátil – Imagens.

7.1. Memórias Apenas de Leitura – ROMs.
7.2. Exercícios Resolvidos de Fixação.
7.3. Exercícios de Revisão.
7.4. Memórias FLASH.
7.5. Exercícios Resolvidos de Fixação.
7.6. Exercícios de Revisão.
7.7. Memórias de Armazenamento em Massa.
7.8. Exercícios Resolvidos de Fixação.
7.9. Exercícios de Revisão.
7.10. Aplicações.
7.0. Tipos de Memória não-volátil – Imagens.
7.1. Memórias Apenas de Leitura – ROMs
 São divididas em semicondutoras e ópticas. Este curso dá ênfase à memórias semicondutoras.
 São projetadas para manter os dados permanentemente.
 Não voláteis.
 Geralmente são de acesso aleatório.
 São de alta velocidade.
 Tipos:
 ROM:
 Os dados a serem armazenados são determinados no momento da fabricação, através de uma
máscara com especificações do usuário.
 Não pode ser programada pelo usuário.
 Alto custo.
 PROM – ROM Programável (Programmable ROM):
 Pode ser gravada diretamente pelo usuário usando um gravador especial (gravador de PROM)
fornecido pelo fabricante da memória.
 Programável pelo usuário uma única vez.
 Custo médio.
 EPROM – PROM Apagável (Erasable PROM):
 Pode ser apagada e reprogramada pelo usuário, “quantas vezes” ele quiser.
 Processo de apagamento muito lento (feito por exposição a luz ultravioleta)
 Baixo custo.
 EEPROM (E2PROM) – PROM Apagável Eletricamente (Electrically-Erasable PROM):
 Pode ser apagada e reprogramada pelo usuário em apenas alguns milissegundos.
 Processo de apagamento feito eletricamente.
 Menor densidade em relação à EPROM (cerca de 50% na mesma área de silício).
 Alto custo.
 Versátil!!!
7.1. Memórias Apenas de Leitura – ROMs
 Famílias das ROMs

 Tal como as RAMs, as ROMs são classificadas por categorias. Vide Figura 10-22.

 As ROMs e PROMs podem ser de tecnologia bipolar ou MOS.

 A EPROM é estritamente um dispositivo MOS.

7.1. Memórias Apenas de Leitura – ROMs
 Diagrama em bloco de uma ROM

 Contém três conjuntos de sinais (barramentos): entradas de endereço, de controle e saídas de dados.
 A maioria dos CIs de ROM tem saídas tristate, para permitir a expansão da memória usando vários chips.
 Geralmente são construídas com 4, 8 e 16 bits de saída. As mais comuns são as de 8 bits (um byte).
 Observe que não existe a entrada de controle para habilitação de escrita, WE.
 Vide Figura 12.6(a).

 Operação de leitura
 Supondo uma ROM programada conforme tabela
mostrada na Figura 12.6(b):
 Há 16 palavras de 8 bits programadas.
 Cada endereço contém um byte.
 O conteúdo do endereço A3A2A1A0 = 0011 é
 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 =
 101011112.
 O mesmo dado é mostrado em hexa
 na tabela da Figura 12.6(c).
 Exercício: Determine o valor binário do
endereço 710 a ser colocado na via de
endereços; os sinais de controle que devem
ser ativados; e o valor binário que deve
aparecer na via de dados da ROM ao lado.
7.1. Memórias Apenas de Leitura – ROMs
 Arquitetura da ROM

 Quatros partes básicas:

1. Matriz de registradores.
2. Decodificador de linhas.
3. Decodificador de colunas.
4. Buffers de saída.

 Resolva:
Qual valor binário deve ser
colocado no barramento de
endereços para endereçar o
registrador 1010?

 Resolva:
Qual registrador é endereçado
quando a via de endereços tiver
o valor binário 11012?
7.1. Memórias Apenas de Leitura – ROMs
 Temporização da ROM

 Existe atraso de propagação entre a aplicação das entradas da ROM e o aparecimento dos dados na saída
durante uma operação de leitura.
 tACC – tempo de acesso: usado na medida da velocidade de operação da ROM.
 tOE – tempo de habilitação de saída:

 Tempo de acesso de acordo com a tecnologia de transistor da ROM:

 Bipolar: 30 a 90 ns.
 NMOS: 35 a 500 ns.
 CMOS: 20 a 60 ns.
7.1. Memórias Apenas de Leitura – ROMs
 Exercícios Resolvidos sobre ROMs para Fixação:

1. Qual a capacidade de armazenamento de bits de uma ROM com uma organização de 512 x 8?
Solução:
Capacidade = 512 * 8 = 4096 bits.
2. Verdadeiro ou Falso: todas as ROMs são não voláteis.
Solução:
Verdadeiro.
3. Descreva os procedimentos para a leitura de uma ROM.
Solução:
Aplicação das entradas de endereço desejadas; ativação da(s) entrada(s) de controle; os dados
aparecem nas saídas de dados.
4. O que programação ou “queima” de uma ROM.
Solução:
Procedimento de colocação de dados na ROM.
5. Qual código de endereço de entrada é necessário para ler o dado do registrador 9 na Figura
12.7?.
Solução:
A3A2A1A0 = 1001.
7.1. Memórias Apenas de Leitura – ROMs
 MROM – ROM programada por máscara

 Uma vez gravada, não pode mais ser alterada.

 Utiliza a presença ou ausência de uma conexão a transistor numa junção linha/coluna para representar
um nível 1 ou 0.

 Na Figura 10-23 temos as células básicas de MROM MOS.

 Funcionamento:
 A presença de uma conexão de uma linha para uma porta de um transistor representa um nível 1
naquela posição porque quando a linha é colocada em nível ALTO , todos os transistores com uma
conexão de porta para a linha ligam e conectam o nível ALTO (1) à coluna associada.
 Na junção linha/coluna onde não existe conexão de porta, a coluna permanece em nível BAIXO (0)
quando a linha é endereçada.
7.1. Memórias Apenas de Leitura – ROMs
 Arranjo simplificado de uma MROM simples

 Os quadrados na cor azul representam o nível 1 armazenado.

 Os quadrados na cor cinza representam o nível 0 armazenado.
 Figura 10-24 contém estrutura básica de MROM com palavras de 8 bits.
 Cada byte armazenado é acessado para leitura colocando-se um código na via de endereços de 4 bits.
 O código binário A3A2A1A0 = 11102 colocado no barramento de endereços
permite a leitura do byte armazenado no endereço decodificado 1410.

7.1. Memórias Apenas de Leitura – ROMs
 Estrutura da ROM programada por máscara

 Tem as informações gravadas ao mesmo tempo que o circuito integrado é fabricado.

 Constituídas por uma matriz retangular de transistores.
 O processo de gravação utiliza uma “máscara” para depositar metais sobre o silício, que determina onde
se formam as conexões.
 A máscara é precisa e cara e deve ser feita
de acordo com as especificações do cliente,
com as informações binárias corretas.
 A Figura 12.9 mostra a estrutura de uma
MROM MOS de 16 células de memória
organizadas em quatro linhas de quatro
células.
 Cada célula é um transistor MOSFET.
7.1. Memórias Apenas de Leitura – ROMs
 Exemplo 10-1.
7.1. Memórias Apenas de Leitura – ROMs
 Exemplo 10-1.
7.1. Memórias Apenas de Leitura – ROMs
 Símbolo lógico de uma MROM:

 Obtenha:
a) Capacidade em número de palavras:
b) Tamanho da palavra:
c) Função do sinal de controle CE:
d) Função do sinal de controle OE:
e) As saídas de dados são tristate ou não? Por que?
7.1. Memórias Apenas de Leitura – ROMs
 ROM Programável –(Programmable ROM – PROM):

 A programação é feita através da queima ou não de fusíveis que formam as conexões

programadas pelo usuário.

 Um fusível é uma conexão fina existente no terminal fonte de todos os transistores.

 Uma vez programada será semelhante a uma MROM.

 Também são conhecidas como ROMs programáveis apenas uma vez (One Time
Programmable ROM – OTP ROM).
7.1. Memórias Apenas de Leitura – ROMs
 ROM Programável e Apagável (Erasable Programmable ROM – EPROM)

 Também conhecida com UV PROM (Ultra-Violet PROM). Apagável com luz ultravioleta.
 Pode ser programa e apagada pelo usuário.
 Usa um arranjo de MOSFET canal-N com uma estrutura de porta isolada.
 A porta isolada do transistor não tem conexão elétrica, podendo armazenar uma carga
elétrica por um período de tempo indefinido.
 Os bits são representados pela presença ou ausência de uma carga armazenada na porta.
 O apagamento de um bit de dado é um processo que remove a carga da porta.
 Tempo de apagamento: até 20 minutos de exposição à luz ultravioleta intensa.
7.1. Memórias Apenas de Leitura – ROMs
 PROM Apagável Eletricamente (Electrically Erasable PROM – EEPROM ou E2PROM)

 É um aperfeiçoamento da EPROM, superando suas deficiências.

 Contém uma região muito fina de óxido acima do dreno do MOSFET da célula de memória.
 Produz a principal característica da EEPROM: poder ser apagada eletricamente.
 Outra vantagem sobre a EPROM é a capacidade de apagar e reescrever bytes individual e
eletricamente na matriz de memória.
 Durante uma operação de escrita, os circuitos internos apagam automaticamente as células
de um endereço antes de escrever o novo dado.
 A tensão de programação (VPP) é de 21 V. Nas EEPROMs atuais essa tensão é gerada
internamente ao CI de memória, a partir do pino de alimentação (+5 V).
7.1. Memórias Apenas de Leitura – ROMs
 Temporização da EEPROM

 A Figura 12.13(c) ilustra a temporização para uma operação de escrita em uma EEPROM.

 Com base nas Figuras 12.13(a), (b) e (c) descreva a operação de leitura da EEPROM
correspondente.

 Resposta:

1. Colocar um endereço válido no barramento de

endereços.
2. Aguardar o barramento de endereços ficar
estável em t1.
3. Em t2, ativar o sinal CE (Chip Enable –
habilitação do chip) com nível lógico BAIXO (0).
4. Ainda em t2, manter o sinal WE (Write Enable –
habilitação de escrita) em nível lógico ALTO (1).
5. Ainda em t2, ativar o sinal OE (Output Enable –
habilitação da saída) com nível lógico BAIXO (0).
6. Em t3, ler os dados válidos obtidos do endereço
selecionado na memória.
7. Em t4, desativar o sinal CE.
8. Em t5, desativar o sinal OE.
7.2. Exercícios Resolvidos para Fixação
1. Verdadeiro ou Falso: uma MROM pode ser programada pelo usuário.
Solução:
False. A MROM só pode ser programada durante o processo de fabricação.
2. Em que uma PROM difere de uma MROM? Ela pode ser apagada e reprogramada?
Solução:
Uma PROM pode ser programada uma vez pelo usuário. Ela não pode ser apagada nem
reprogramada.
3. Verdadeiro ou Falso: uma PROM armazena um 1 lógico quando seu fusível está intacto.
Solução:
Verdadeiro.
4. Como se apaga uma EPROM?
Solução:
Pela exposição à luz ultravioleta..
5. Verdadeiro ou Falso: não existe meio de apagar apenas uma parte de uma EPROM.
Solução:
Verdadeiro.
7.2. Exercícios Resolvidos para Fixação
6. Que função é realizada pelos programadores eletrônicos de PROM e EPROM?
Solução:
Programa automaticamente os dados nas células de memória, um endereço de cada vez.
7. Quais são as desvantagens da EPROM que foram superadas pela EEPROM?
Solução:
Uma EEPROM pode ser apagada eletricamente e reprogramada sem ser removida do circuito
(para exposição à luz ultravioleta) e tem apagamento por byte.
8. Quais são as principais desvantagens da EEPROM?
Solução:
Baixa densidade e alto custo.
9. Qual é o tipo de ROM que pode apagar um byte de cada vez?
Solução:
EEPROM.
7.3. Exercícios de Revisão
1. Determinada memória armazena 8k palavras de 16 bits.
a) Quantas linhas de entrada e de saída de dados ela tem?
b) Quantas linha de endereço ela tem?
c) Qual é sua capacidade em bytes?

2. Quais são os três barramentos existentes em um sistema de memória de computador?

3. Qual barramento é usado pela CPU para selecionar uma posição de memória?

4. Qual barramento é usado para transporta dados da memória para a CPU durante uma operação de
leitura?

5. Consulte a Figura 12.6 e determine as saídas de dados para cada uma das seguintes condições de entrada.
a) [A] = 1011; Chip Select = 1 e Output Enable = 0.
b) [A] = 0111; Chip Select = 0 e Output Enable = 0.

6. Dada ROM tem capacidade de 16k x 4 e estrutura interna semelhante à mostrada na Figura 12.7.
a) Quantos registradores há na matriz?
b) Quantos bits há em cada registrador?
c) Qual é a especificação dos decodificadores de que ela necessita?

7. Que transistores na Figura 12.9 estarão em condução quando A1 = A0 = 1 e EN = 0?

7.4. Memórias FLASH.
 Tipo de EEPROM aperfeiçoada.

 Alta densidade e baixo custo por bit.

 Um bit de dado é armazenado com uma carga ou ausência dessa carga na porta flutuante
dependendo se for armazenado um nível 0 ou um nível 1.

 São usadas no lugar de drives de disquetes ou de discos rígidos de média alta capacidade em
computadores portáteis.

 A Figura 12.14 ilustra uma comparação relativa entre as diversas memórias semicondutoras
não voláteis.
7.4. Memórias FLASH.
 Célula de flash:

 O transistor MOS de duas portas consiste de:

 Uma porta de controle.
 Uma porta flutuante: armazena elétrons (carga) como resultado de uma tensão
suficiente aplicada na porta de controle.
 Mais cargas (elétrons) representam nível 0 armazenado.
 Menos cargas (elétrons) representam nível 1 armazenado.
 Dreno e Fonte.

 A quantidade de carga presente na porta flutuante determina se o transistor estará ligado e

conduzindo corrente de dreno para a fonte em uma operação de leitura.
7.4. Memórias FLASH.
 Operação Básica da Memória Flash:

 Três operações principais:

 Programação:
 Inicialmente todas as células no estado 1, pois as cargas foram removidas em uma
operação prévia de apagamento .
 Acrescenta elétrons (carga) na porta flutuante que armazenarão o nível 0.
 Nenhuma carga é acrescentada nas células com nível 1.
 Aplicação de uma tensão positiva na porta de controle em relação à fonte durante
a programação atrai elétrons para a porta flutuante – vide Figura 10-34.
 Uma vez programada, a célula pode reter a carga por até 100 anos sem
alimentação externa.
7.4. Memórias FLASH.
 Leitura:
 Uma tensão positiva na porta de controle.
 A quantidade de carga presente na porta flutuante da célula determina se a tensão
aplicada na porta de controle ligará ou não o transistor.
 Se um nível 1 estiver armazenado , a tensão na porta de controle será suficiente
para ligar o transistor.
 Se nível 0, o transistor não será ligado (não haverá carga suficiente para sobrepor a
carga negativa armazenada).
 A carga na porta flutuante deve ser pensada como uma tensão que se opõe à
tensão aplicada na porta de controle.
 Quando o transistor liga:
 Haverá corrente de dreno para a fonte no transistor da célula.
 A presença dessa corrente indica nível lógico 1 armazenado.
 A ausência indica nível lógico 0 armazenado.
7.4. Memórias FLASH.
 Apagamento:
 A carga é removida de todas as células.
 Uma tensão positiva suficiente é aplicada na fonte do transistor em relação à porta
de controle.
 Tensão com polaridade oposta à usada na programação.
 Atrai elétrons da porta flutuante.
 Uma memória flash é sempre apagada antes de ser reprogramada.
7.4. Memórias FLASH.
 Arranjo básico de Memória Flash:

 Apenas uma linha é acessada de cada vez.

7.4. Memórias FLASH.
 Um CI de memória flash CMOS típico:

 Símbolo lógico de memória flash com capacidade 4M x 8 ou 2M x 16.

 Contém 21 entradas de endereço.
 Contém 16 bits no barramento de dados (bidirecionais).
 Pinos de dados entram em estado de alta impedância quando o chip não está selecionado ou
quando as saídas estão desabilitadas.
7.4. Memórias FLASH.
 Diagrama funcional do chip de memória flash da Figura 12.15.
7.4. Memórias FLASH.
 Tabela de comparações entre tipos de memórias:
7.4. Memórias FLASH.
 Aplicações das ROMs:

 Memória de programa de microcontrolador dedicado

 Transferência de dados e protabilidade.

 Memória bootstrap.

 Tabelas de dados.

 Conversor de dados.

 Gerador de funções (Figura 12.19).

7.5. Exercícios Resolvidos para Fixação
1. Qual é a principal vantagem da memória flash sobre as EPROMs?
Solução:
Eletricamente apagável e reprogramável no circuito.
2. E sobre as EEPROMs?
Solução:
Alta densidade e baixo custo.
3. Qual é função de um registrador de comando de memória flash?
Solução:
Controlar as funções internas do chip.
7.6. Exercícios de Revisão
 .
7.7. Memórias de Armazenamento em Massa
 Armazenamento magnético (Figura 12.33(a)):

 Remonta aos primeiros sistemas de computador.

 Envolviam o uso de rolos de fita magnética para armazenamento e recuperação a longo
prazo de programas e arquivos de dados.
 Acesso sequencial e muito lento.
 Tecnologia adaptada da indústria de gravação de áudio.
 Discos magnéticos:
 Movimento radial de cabeças magnéticas sobre a superfície de uma disco magnético,
para operações de leitura e escrita.
 Acesso aleatório ao dados (muito mais rápido do as fitas magnéticas).
 Atingem capacidade da ordem de terabytes.
 Custo muito baixo por bit.
 Tempo de acesso muito lento, pois depende de partes mecânicas.
7.7. Memórias de Armazenamento em Massa
 Memória ótica (Figura 12.33(b)):

 Tecnologia de armazenamento de memória digital significativa.

 Disponibilizados nos ano 1980 (CDs – Compact Disks)pela indústria de áudio digital.
 Os CDs permitem a gravação de dados na faixa de 700Mbytes em uma face.
 Utiliza um feixe de laser vermelho para leitura e escrita de dados.
 Os DVDs permitem a gravação de dados na faixa de 4.7Gbytes em uma face.
 Também utiliza laser vermelho para leitura e escrita de dados.
 Os Blu-Rays constituem a tecnologia de armazenamento óptico comercial mais recente.
 Utiliza um feixe laser azul para leitura e escrita de dados.
 Permitem o armazenamento de dados da ordem de 25Gbytes por lado.
 Podem ser de simples ou dupla face.
7.8. Exercícios Resolvidos para Fixação
1. Qual é dispositivo de armazenamento magnético mais comum?
Solução:
A unidade de disco rígido na maioria dos computadores.
2. Qual a principal vantagem de se usar CDs e DVDs para armazenar informações digitais?
Solução:
Baixo custo, grande capacidade e portabilidade.
7.9. Exercícios de Revisão
 .
7.10. Aplicações.
 Expansão do tamanho da palavra e da capacidade:

 Em muitas aplicações de memórias, a capacidade ou o tamanho da palavra necessários para

RAM ou ROM não podem ser obtidos com um CI de memória.

 Daí, necessitamos combinar CIs disponíveis para atingir o tamanho da palavra ou a

capacidade desejada.

 Expansão do tamanho da palavra:

 Suponha que precisemos de uma memória para armazenar 16 palavras de oito bits e tudo o
que temos são CIs de memória RAM de 16 x 4 com linhas de I/O comuns.

 Podemos combinar dois desses chips de 16 x 4 para produzir a memória desejada.

 Como cada CI pode armazenar 16 palavras de quatro bits e desejamos armazenar 16 palavras
de oito bits, usaremos cada CI para armazenar metade de cada palavra (byte).

 A Figura 12.34 ilustra um circuito lógico que combina dois chips de 16 x 4 para obter 16 x 8.
7.10. Aplicações.
7.10. Aplicações.
 Exercício resolvido:
O CI 2125ª é uma RAM estática com capacidade de 1k x 1, entrada de seleção do chip ativa em
nível BAIXO e entradas e saídas de dados separadas. Mostre como combinar diversos CIs 2125ª
para formar um módulo de 1k x 8.
Solução:
O arranjo é mostrado na Figura 12.35, na qual oito chips 2125ª são usados para formar um
módulo de 1k x 8. Cada CI armazena um dos bits das 1024 palavras de oito bits. Observe que
todas as entradas WE e CS estão conectadas e as 10 linhas do barramento de endereço estão
nas entradas de endereço de cada CI. Observe também que, já que a 2125ª tem pinos de
entrada e saída de dados separados, esses dois pinos de cada CI estão conectados da mesma
linha do barramento de dados.
7.10. Aplicações.
 Expansão da capacidade:

 Necessitamos de uma memória que possa armazenar 32 palavras de quatro bits e tudo o que
temos são CIs de 16 x 4.

 Combinando dois CIs de 16 x 4, conforme mostra a Figura 12.36, podemos produzir a

memória desejada.

 Cada RAM é usada para armazenar 16 palavras de quatro bits. Os quatro pinos de
entrada/saída (I/O) de dados de cada chip são conectados nas quatro linhas comuns do
barramento de dados.

 Apenas um chip de RAM pode ser selecionado (habilitado) de cada vez, de modo que não
existirá problema de contenção de barramento.

 Isto é garantido pelo acionamento das respectivas entradas CS a partir de sinais diferentes.

 Como a capacidade desse módulo de memória é 32 x 4, tem de haver 32 endereços

diferentes.

 Requerendo um barramento de endereço de cinco linhas.

7.10. Aplicações.
7.10. Aplicações.
 Exercício resolvido:
Deseja-se combinar algumas PROMs de 2k x 8 para produzir capacidade total de 8k x 8. Quantos
chips de PROM são necessários? E quantas linhas no barramento de endereço?
Solução:
São necessário quatro CIs de PROM, cada um armazenando 2k dos 8k de palavras. Visto que 8k
= 8 x 1024 = 8.192 = 213, são necessárias 13 linhas de endereço.
A Figura 12.37(a) ilustra a configuração requerida.
A capacidade da PROM é de 8.192 bytes. Esse sistema possui um barramento de endereço de 16
bits, normal em sistemas pequenos baseados em microcontroladores.
O decodificador desse sistema só pode ser habilitado quando A15 e A14 estão em nível BAIXO e E
está em ALTO.
A Figura 12.37(b) mostra uma tabela de decodificação dos endereços menores, na faixa de
400016.
7.10. Aplicações.
 Referências

[1] Sistemas Digitais – princípios e aplicações – 11ª

Ed. – Tonaldo J. Tocci, Neal S. Widmer, Gregory L.
Moss – Pearson.
[2] Sistemas Digitais: Fundamentos e Aplicações 9ª
Ed. – Thomas Floyd – Bookman.
[3] Elementos de Eletrônica Digital 41ª Ed. – Ivan V.
Idoeta, Francisco G. Capuano – Érica Saraiva.