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Curso de Técnico

Eletrônica Analógica

Aula 1

Aisha Muiños Pedreira Queiroz, Eng. Eletricista


Professor

aishamuinos@gmail.com
Email
Resistor

Resistor
Resistor

Resistor
Resistor

Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor

Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Bandas de Energia

Figura 1 - Modelo atômico de Niels


Bohr
Bandas de Energia

A quantidade de elétrons da última camada define


quantos deles podem se libertar do átomo em função
da absorção de energia externa ou se esse átomo
pode se ligar a outro através de ligações covalentes.

Figura 2 - Elétron Livre e Banda de condução


Bandas de Energia

 Os elétrons da banda de valência são os que têm mais


facilidade de sair do átomo.
 Eles têm uma energia maior
 Por causa da distância ao núcleo ser grande, a força de
atração é menor (menor energia externa)
 A região entre uma órbita e outra do átomo é denominada
banda proibida, onde não é possível existir elétrons.
 O tamanho da banda proibida na última camada de
elétrons define o comportamento elétrico do material.
Bandas de Energia

Figura 3 - Isolantes, Condutores e Semicondutores


Bandas de Energia

 Material isolante: banda proibida grande exigindo do


elétron muita energia para se livrar do átomo.
 Material condutor: um elétron pode passar facilmente da
banda de valência para a banda de condução sem
precisar de muita energia.
 Material semicondutor: um elétron precisa dar um salto
pequeno. Os semicondutores possuem características
intermediárias em relação aos dois anteriores.
Definição – Materiais

 Condutor é qualquer material que sustenta um fluxo de


carga, quando uma fonte de tensão com amplitude
limitada é aplicada através de seus terminais.
 Isolante é o material que oferece um nível muito baixo de
condutividade sob pressão de uma fonte de tensão
aplicada.
 Um semicondutor é, portanto, o material que possui um
nível de condutividade entre os extremos de um isolante e
um condutor.
Definição – Materiais

 A classificação dos materiais em condutor, semicondutor


ou isolante é feita pelo seu valor de resistividade (ρ).
 A Tabela I apresenta os valores de resistividades típicos
dos materiais.

Tabela I – Valores de resistividade típicos


Definição – Materiais

Semicondutores Intrínsecos
 Os semicondutores mais comuns e
mais utilizados são o silício (Si) e o germânio (Ge).
 Eles são elementos tetravalentes, possuindo quatro
elétrons na camada de valência.

Figura 4 - Representação Plana dos Semicondutores


Definição – Materiais

Semicondutores Intrínsecos
 Cada átomo compartilha 4 elétrons com os vizinhos, de
modo a haver 8 elétrons em torno de cada núcleo

Figura 5 – Compartilhamento de elétrons


Semicondutores Tipo N e P

 Material semicondutor tipo N

Figura 7 – Semicondutor tipo N com Arsênio


Semicondutores Tipo N e P

 Assim, o número de elétrons livres é maior que o número


de lacunas. Neste semicondutor os elétrons livres são
portadores majoritários e as lacunas são portadores
minoritários.
Semicondutores Tipo N e P

 Se um cristal de silício for dopado com átomos trivalente


(alumínio, boro ou gálio), também chamados de
impurezas aceitadora, será produzido um semicondutor
do tipo P (positivo) pelo falta de um elétron nessa
estrutura.

Figura 9 – Semicondutor tipo P


Semicondutores Tipo N e P

 Material semicondutor tipo P

Figura 9 – Semicondutor tipo P com Índio


Semicondutores Tipo N e P

 Assim, o número de lacunas é maior que o número de


elétrons livres. Neste semicondutor as lacunas são
portadores majoritário e os elétrons livres são portadores
minoritários.
Diodo Semicondutor

 Junção PN
 Cada lado do diodo recebe um nome: O lado P
chama-se de anodo (A) e o lado N chama-se de
catodo (K).

Figura 10 – Imagem e símbolos do Diodo


Diodo Semicondutor

 Polarização direta da junção PN

Figura 11 – Junção PN polarizada diretamente


Diodo Semicondutor

 Polarização inversa da junção PN

Figura 12 – Junção PN polarizada inversamente


Diodo Semicondutor

 Símbolo e forma física do diodo de junção

+
Diodo Semicondutor

 Podemos representar um diodo polarizado diretamente


atuando como uma chave fechada, que representa uma
resistência quase igual a 0 (zero).
Diodo Semicondutor

 Quando polarizamos o diodo inversamente,


representamo-lo atuando como se fosse sendo sua
resistência de valor muito elevado, não havendo
circulação de corrente.
Diodo Semicondutor

Curva característica do diodo de junção


Diodo Semicondutor

Reta de carga de um diodo


Método para determinar o valor exato da corrente e da
tensão sobre o diodo.
Diodo Semicondutor

Reta de carga de um diodo


Diodo Semicondutor
Exemplo
 Dada a curva característica de um diodo, mostrada na figura
abaixo, determinar o seu ponto quiescente e sua potência de
dissipação, sabendo-se que ele está ligado em série com um
resistor de 50Ω e alimentado por uma fonte de 2,2V.
Diodo Semicondutor

Exemplo
 Dada a curva característica de um diodo, mostrada na
figura abaixo, determinar o seu ponto quiescente e sua
potência de dissipação, sabendo-se que ele está ligado em
série com um resistor de 100Ω e alimentado por uma
fonte de 2V.
Diodo Semicondutor

Atividade
Diodo Semicondutor

Atividade
Diodo Semicondutor

Modelos de Diodo
Aproximações do Diodo
 1ª aproximação (Diodo ideal)
Diodo Semicondutor

Aproximações do Diodo
 2ª aproximação
Diodo Semicondutor

Aproximações do Diodo
 3ª aproximação (real)

Figura 17 – Diodo como chave, fonte e resistência


Diodo Semicondutor
Diodo Semicondutor
Diodo Semicondutor

Atividade: Utilizar a 2ª aproximação para determinar a


corrente do diodo no circuito da Figura:
Diodo Semicondutor

Teste de Diodos com Multímetro Digital

Figura 18 – Diodo como chave, fonte e resistência


Fonte: http://www.burgoseletronica.net
Transistor Bipolar

 Transistor
Para cada junção do transistor, existirá uma barreira de potencial.
Temos 02 (dois) tipos de transistores, NPN e PNP, apresentando
03 (três) terminais: o emissor, a base e o coletor, e duas junções:
junção base-emissor e a junção base-coletor, conforme a figura
abaixo.
Transistor Bipolar

 Polarização do transistor

A junção base-emissor é polarizada diretamente, e a junção base-


coletor é polarizada inversamente, independente do tipo NPN ou
PNP.
Ao polarizar uma junção PN diretamente, teremos uma redução na
barreira de potencial e uma resistência de pequeno valor. Ao
polarizar inversamente a junção PN, teremos um aumento na
barreira de potencial e uma resistência de valor elevado.
Transistor Bipolar

 Polarização do transistor
Transistor Bipolar

 Convenções e simbologia
Transistor Bipolar

 Convenções e simbologia
Transistor Bipolar

 Relações entre correntes no transistor


Configuração dos transistores

a) Configuração emissor comum


Um transistor está na configuração de emissor comum, quando a entrada é
na base e a saída é no coletor, tendo o emissor como elemento comum.
Configuração dos transistores

b) Configuração base comum


Configuração dos transistores

c) Configuração Coletor Comum


Configuração dos transistores
Transistor Bipolar

 Curvas características do transistor

As curvas características do transistor estabelecem relações entre entrada


e saída para cada configuração, sendo a mais utilizada a configuração
emissor comum. As curvas são de grande importância para conseguirmos o
ponto de ótimo funcionamento do transistor, de acordo com o projeto
adotado.
Transistor Bipolar

a) Características VCE x IC
Fornece-nos a característica de saída do transistor na configuração emissor
comum, sendo IB constante para cada variação de VCE e IC
Transistor Bipolar

b)Característica VBE x IB
Fornece-nos a característica de entrada do transmissor na configuração
emissor comum, quando VCE é constante.
Transistor Bipolar

b)Característica VBE x IB
Fornece-nos a característica de entrada do transmissor na configuração
emissor comum, quando VCE é constante.
Transistor Bipolar
Exemplo:
Transistor Bipolar

Ponto de operação de um transistor


Ao polarizarmos o transistor devemos verificar os limites de operação do
mesmo, ou seja, a tensão máxima coletor-emissor (VCE máx), a corrente
máxima de coletor (IC máx), a tensão máxima base emissor (VBE máx ), a
tensão máxima coletor-base (VCB máx), a Potência máxima (PC máx) e a
temperatura máxima. Se ultrapassarmos estes limites, poderemos danificar
o transistor ou fazê-lo trabalhar com distorções.
Transistor Bipolar

Ponto de operação de um transistor

O ponto de operação de um transistor, também denominado ponto de


trabalho ou ponto quiescente, deve ser localizado na região de operação
limitada pelos valores máximos de tensão, corrente e potência.
Ponto de operação de um transistor

Circuito simples do transistor


Ponto de operação de um transistor

Circuito simples do transistor


Transistor Bipolar

Circuito de polarização em emissor comum


Nesta configuração, a junção base-emissor é polarizada diretamente e a
junção base-coletor. Para isso, utilizam-se duas baterias e dois resistores
para limitar as correntes e fixar o ponto quiescente do circuito.
Considerando apenas o transistor NPN, pode-se fazer a análise das malhas
de entrada e saída.

Existem várias formas de simplificar este circuito, eliminando-se uma das


fontes de alimentação, como serão vistas a seguir.
Transistor Bipolar

Circuito de polarização EC com corrente de base


constante
Para eliminar a fonte de alimentação da base VBB , pode-se fazer um
divisor de tensão entre o resistor de base RB e a junção base-emissor,
utilizando apenas a fonte VCC, como mostra a figura. Para garantir a
polarização direta da junção base-emissor, e reversa da junção base-
coletor, RB deve ser maior que RC.
Transistor Bipolar

Atividade:
Dado um transistor com β = 200 e uma fonte de alimentação de 12V ,
determinar os resistores de polarização ( valores comerciais ) para o ponto
quiescente: VCEQ = VCC / 2, ICQ = 15mA e VBEQ = 0,7V .
Transistor Bipolar
Transistor Bipolar

Influência da temperatura no comportamento dos


transistores.

O cristal semicondutor é um material sensível à temperatura, isto é, seu


aumento pode fornecer energia suficiente aos átomos do cristal, gerando
novos portadores. Assim sendo, os diodos e transistores sofrem influência
da temperatura. No caso dos transistores, a variação da temperatura altera
principalmente o parâmetro β , VBE e corrente de fuga.
Transistor Bipolar

Influência da temperatura no comportamento dos


transistores.
Com a determinação do ponto quiescente, o que se deseja é fixar a
corrente e a tensão de saída do circuito. No caso do circuito de polarização
na configuração EC , reproduzido na figura anterior, o ponto quiescente
deve fixar os valores de ICQ e VCEQ.

A solução para isto é colocar em série com o emissor um resistor RE.


Transistor Bipolar

Circuito de polarização EC com corrente de emissor


constante
Transistor Bipolar

Exemplo : Polarização EC com corrente de emissor constante


Dado um transistor com β = 250 e uma fonte de alimentação de 20V,
determinar os resistores de polarização ( valores comerciais ) para o ponto
quiescente: VCE = VCC/2 , ICQ = 100mA e VBEQ = 0,7V .
Transistor Bipolar

Atividade : Dado o circuito a seguir, calcule: , ICEO, IC, IB, RC e RB.


Transistor Bipolar

Circuito de polarização EC com divisor de tensão na


base
Transistor Bipolar

Exemplo: Polarização EC com divisor de tensão na


base
Dado um transistor com β = 250 e uma fonte de alimentação de
9V , determinar os resistores de polarização ( valores comerciais )
para o ponto quiescente: VCEQ = VCC / 2 , ICQ= 20mA e VBEQ =
0,65V.
Transistor Bipolar

DADOS:
 = 100
ICQ = 3mA
VBEQ = 0,7V
FET

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (FET)

O transistor de efeito de campo (FET) tem o princípio de funcionamento


diferente do transistor bipolar. É um dispositivo sensível à tensão, com
impedância de entrada elevada, e impedância de saída relativamente alta.
O FET é utilizado tanto nos circuitos analógicos como nos digitais, como
amplificador ou chave.
Existem dois tipos básicos de FET: o FET de junção e o MOSFET de metal
óxido semicondutor.
FET

Fet de Junção

O FET de junção consiste em uma fina camada de material tipo n ou tipo p


com dois contatos ôhmicos, a fonte (S) e o dreno (D), e dois contatos
retificadores interligados denominados portas (G).
FET

Fet de Junção

Os elétrons livres entram na fonte e saem do dreno (Canal N).


A camada condutora entre a fonte e o dreno é chamada de canal. O FET
pode ser do tipo n, no qual o canal é do tipo n e as portas são do tipo p; ou
do tipo p, sendo o canal tipo p e as portas tipo n.
FET

A corrente no FET tipo junção

A porta (G) de um FET de junção tem sempre polarização reserva para


impedir corrente de porta e também para criar camadas de depleção em
volta das regiões P (canal N), possibilitando o estreitamento do canal
condutor e, consequentemente, a diminuição da corrente entre a fonte e o
dreno
FET

A corrente no FET tipo junção


A corrente de dreno (ID) é controlada pela tensão de VGS. O aumento da
polarização reserva (VGS), diminui a largura do canal N, o que provoca
uma diminuição na corrente do dreno (ID). VGS = 0 Condição da porta em
curto. A corrente de dreno se nivela e torna-se praticamente horizontal; o
FET se comporta como uma fonte de corrente.
FET
A corrente no FET tipo junção
VGS corte - Tensão de constrição. Quando a tensão da porta for
suficientemente negativa, as camadas de depleção tocam-se e o canal
condutor desaparece, ID=0.
IDSS - Corrente de dreno para fonte com a porta em curto. Essa curva é
conhecida como curva de transferência, que é um trecho de uma parábola.
Equações Gerais

IG  0

ID  IS

2
 VGS 
I D  I DSS 1  
 VP 

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FET

Polarização do JFET
Determinação da Reta de Autopolarização
A reta de autopolarização ( ou reta de RS ) é traçada sobre a curva de
transferência, e corresponde à lei de Ohm aplicada ao resistor de fonte RS.
FET

Polarização do JFET
Determinação dos resistores de polarização
FET
Polarização do JFET
Exemplo: Dada a curva de transferência do JFET BF245A ( PDmax
= 300mW ) , determinar os valores de RS e RD do circuito de
autopolarização para IDQ = 1mA e VDSQ = 15V .
FET
Polarização do JFET
Uma outra forma de se polarizar o JFET pela reta de
autopolarização, porém, sem a curva de transferência, é utilizando
os parâmetros máximos e mínimos de IDSS e VP , fornecidos pelos
Manuais. Os dois pontos ( IDSS , -VP ) e a origem definem uma
reta de autopolarização aproximadamente no centro da curva de
transferência.
FET
Polarização do JFET
Assim, como os parâmetros ( IDSSmax , -VPmax ) e (IDSSmin , -
VPmin ) , calculam-se dois valores para o resistor RS , sendo um
para a parábola máxima e outro para a mínima:

Neste caso, um valor de RS intermediário de RSmin e RSmax


garante um ponto quiescente próximo ao da parábola
correspondente à dos parâmetros típicos do JFET .
FET
Polarização do JFET
Para o JFET BF245A , o manual do fabricante fornece os seguintes
parâmetros. Cálculo de RS:
FET
Polarização do JFET
Para o JFET BF245A , o manual do fabricante fornece os seguintes
parâmetros :

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