UNIVERSIDADE FEDERAL DO ABC

Laboratório 2 – Transistores

Fundamentos de Eletrônica

Rafael Valim Xavier de Souza

Raphael Máximo de Jesus
Thiago Issamu Okazaki

Professor Dr. Amaury Kruel Budri

Santo André, SP
Outrubro – 2010
Introdução

1.1 Transistor
Com o passar dos anos, a indústria dos dispositivos semicondutores foi
crescendo e desenvolvendo componentes e circuitos cada vez mais complexos, a base
de diodos. Em 1948, na Bell Telephone, um grupo de pesquisadores, liderados por
Shockley, apresentou um dispositivo formado por três camadas de material
semicondutor com tipos alternados, ou seja, um dispositivo com duas junções. O
dispositivo recebeu o nome de TRANSÍSTOR.[1]
O impacto do transistor, na eletrônica, foi grande, já que a sua capacidade de
amplificar sinais elétricos permitiu que em pouco tempo este dispositivo, muito menor e
consumindo muito menos energia, substituísse as válvulas na maioria das aplicações
eletrônica. O transistor contribuiu para todas as invenções relacionadas, como os
circuitos integrados, componentes opto-eletrônicos e microprocessadores. Praticamente
todos os equipamentos eletrônicos projetados hoje em dia usam componentes
semicondutores. [1]
As vantagens sobre as difundidas válvulas eram bastante significativas, tais como:
• Menor tamanho
• Muito mais leve
• Não precisava de filamento
• Mais resistente
• Mais eficiente, pois dissipa menos potência
• Não necessita de tempo de aquecimento
• Menores tensões de alimentação.
Hoje em dia as válvulas ainda sobrevivem em alguns nichos de aplicações e devido
ao romantismo de alguns usuários. [1]

1.2. O Transistor Bipolar

O principio do transistor é poder controlar a corrente. Ele é montado numa
estrutura de cristais semicondutores, de modo a formar duas camadas de cristais do
mesmo tipo intercaladas por uma camada de cristal do tipo oposto, que controla a
passagem de corrente entre as outras duas. Cada uma dessas camadas recebe um nome
em relação à sua função na operação do transistor, As extremidades são chamadas de
emissor e colector, e a camada central é chamada de base. Os aspectos construtivos
simplificados e os símbolos elétricos dos transistores são mostrados na figura abaixo.
Observe que há duas possibilidade de implementação. [1]

Figura 1: Transistores NPN e PNP

O transistor da esquerda é chamado de NPN e o outro de PNP.
O transistor é hermeticamente fechado em um encapsulamento plástico ou metálico de
acordo com as suas propriedades elétricas. [1]

1.3 - Características Construtivas

O emissor é fortemente dopado, com grande número de portadores de carga. O
nome emissor vem da propriedade de emitir portadores de carga.
A base tem uma dopagem média e é muito fina, não conseguindo absorver todos
os portadores emitidos pelo emissor
O coletor tem uma dopagem leve e é a maior das camadas, sendo o responsável
pela coleta dos portadores vindos do emissor.
Da mesma forma que nos diodos, são formadas barreiras de potencial nas
junções das camadas P e N.
O comportamento básico dos transistores em circuitos eletrônicos é fazer o
controle da passagem de corrente entre o emissor e o coletor através da base. Para isto é
necessário polarizar corretamente as junções do transistor. [1]

1.4 Identificando o Transistor

A estrutura básica de um transistor npn, esta representada na Figura 2,
juntamente com o respectivo símbolo, e um encapsulamento típico. [2]
Na prática para identificar rapidamente os terminais de um transistor, precisa-se
conhecer um conjunto de regras que variam de acordo com o encapsulamento que o
fabricante usa. A Figura 3 representa alguns dos encapsulamentos mais comuns. [2]
 Figura 2: Estrutura física de um transistor bipolar, simbologia e encapsulamento
típico.

Figura 3:. Alguns dos encapsulamentos mais comuns usados para transistores.

Os transistores bipolares mais freqüentes (BCxxx) estão encapsulados no tipo

TO-92 ou TO-18. Neste caso a identificação dos terminais faz-se de acordo com o
representado na Figura 3. [2]

Figura 4: Identificação dos terminais no encapsulamento do tipo TO-92 e TO-18.

 Um método alternativo de identificar os terminais é medir a resistência entre os
diferentes contactos. Como se pode observar na Figura 1, a área de contacto entre o
emissor e a base é muito menor que área de contacto entre a base e o coletor, a
resistência elétrica (R), de um condutor é dada pela expressão:

Onde:
r é a resistividade do material,
L é comprimento do condutor e
A é a área de secção transversal
O tipo de transistor também pode ser determinado se, simplesmente, for
observada a polaridade dos transistores ao realizar uma medida na junção base emissor.
Se o terminal (+) ligado à base, e o terminal negativo (-) ao emissor, a leitura de uma
baixa resistência indica um transistor do tipo npn. A leitura de uma resistência alta
indica um transistor pnp. Embora um ohmímetro possa ser utilizado para a
determinação dos terminais de um transistor (base, coletor, e emissor), assume-se que
esta determinação possa ser feita simplesmente observando-se a orientação dos
terminais no encapsulamento (ver Figura 3). [2]

Figura 5: Exemplo de como pode determinar o tipo de transistor que esta a usar.

Primeiramente identifica-se a polaridade do transistor e o terminal de base e

depois os terminais de coletor e emissor. A região de emissor do transistor é mais
dopada do que a região de coletor. Essa característica é utilizada para a identificação do
emissor e do coletor, pois a tensão de condução do emissor é levemente superior a
tensão de condução do coletor. Utilizando-se o multímetro analógico, a resistência entre
base e emissor é menor que a resistência base - coletor. [2]
1.5. Funcionamento
Polarizando diretamente a junção base-emissor e inversamente a junção base-
coletor, a corrente de coletor IC passa a ser controlada pela corrente de base IB.

Figura 6: Transistor em operação

• Um aumento na corrente de base IB provoca um aumento na corrente de coletor

IC e vice-versa.
• A corrente de base sendo bem menor que a corrente de coletor, uma pequena
variação de IB provoca uma grande variação de IC, Isto significa que a variação
de corrente de coletor é um reflexo amplificado da variação da corrente na base.
• O fato de o transistor possibilitar a amplificação de um sinal faz com que ele
seja considerado um dispositivo dativo. [3]
Este efeito amplificação, denominado ganho de corrente pode ser expresso
matematicamente pela relação entre a variação de corrente do coletor e a variação da
corrente de base , isto é:

1.6. Tensões e Correntes nos Transistores NPN e PNP

 Figura 7: Tensões nos transistores NPN e PNP

Aplicando as leis de Kirchoff obtém-se:

IE = IC + IB
NPN: VCE = VBE + VCB
PNP: VEC = VEB + VBC

1.7. Configurações Básicas

Os transistores podem ser utilizados em três configurações básicas: Base
Comum (BC), Emissor comum (EC), e Coletor comum (CC). O termo comum
significa que o terminal é comum a entrada e a saída do circuito.

Figura 8: Configurações Básicas

Configuração BC
• Ganho de tensão elevado
• Ganho de corrente menor que 1
• Ganho de potência intermediário
• Impedância de entrada baixa
 • Impedância de saída alta
• Não ocorre inversão de fase

Configuração CC
• Ganho de tensão menor que 1
• Ganho de corrente elevado;
• Ganho de potência intermediário
• Impedância de entrada alta
• Impedância de saída baixa
• Não ocorre a inversão de fase.

Configuração EC
• Ganho de tensão elevado
• Ganho de corrente elevado
• Ganho de potência elevado
• Impedância de entrada baixa
• Impedância de saída alta
• Ocorre a inversão de fase.
Esta configuração é a mais utilizada em circuitos transistorizados. Por isso, os
diversos parâmetros dos transistores fornecidos pelos manuais técnicos têm como
referência a configuração emissor comum.
Podemos trabalhar com a chamada curva característica de entrada. Nesta curva, para
cada valor constante de VCE, variando-se a tensão de entrada VBE, obtém-se uma
corrente de entrada IB, resultando num gráfico com o seguinte aspecto.

Figura 9: Curva característica de entrada

 Observa-se que é possível controlar a corrente de base, variando-se a tensão
entre a base e o emissor.
Para cada constante de corrente de entrada IB, variando-se a tensão de saída VCE,
obtém-se uma corrente de saída IC, cujo gráfico tem o seguinte aspecto.

Figura 14: Curvas da corrente por variação de tensão.

Através desta curva, podemos definir três estados do transístor, o CORTE, a
SATURAÇÃO e a DATIVA
• CORTE: IC = 0
• SATURAÇÃO: VCE = 0
• ACTIVA: Região entre o corte e a saturação.
Para a configuração EC a relação entre a corrente de saída e a corrente de entrada
determina o ganho de corrente denominado de b ou hFE (forward current transfer ratio)

O ganho de corrente b não é constante, valores típicos são de 50 a 900.

1.8. Influência da temperatura

Nos transístores a temperatura afeta basicamente os parâmetros β , VBE e a
corrente de fuga.
A variação de VBE é desprezível, porém a corrente de fuga e o ganho β podem
ter variações acentuadas, ocasionando variações na corrente de coletor, sem que haja
variações na corrente de base, deixando o circuito instável. [1]
1.9. Circuito de Polarização com Divisor de Tensão
Uma forma de solucionar o problema da instabilidade com a temperatura é o
circuito de polarização mostrado na figura abaixo.

Figura 11: Circuito de Polarização com divisor de tensão

Este circuito é projetado de forma a fixar o valor de VRB2. Como VBE é
praticamente constante com a temperatura, VRE também permanece constante. Isto
garante a estabilização de IE e IC, independentemente da variação do ganho. [1]
Equações:

Circuito TTL

A Lógica Transistor-Transistor (Transistor-Transistor Logic ou simplesmente

TTL) é uma classe de circuitos digitais construídos de transistores de junção bipolar
(BJT), e resistores. Isso é chamado lógica transistor-transistor porque ocorrem ambas as
funções porta lógica e de amplificação pelos transistores (em contraste com a RTL e a
DTL). Isso é notável por ser uma família difundida de circuitos integrados (CI) usada
por muitas aplicações como computadores, controle industrial, eletrônica de consumo,
sintetizadores etc. Por causa do grande uso desta família lógica, sinais de entrada e saída
de equipamentos eletrônicos pode ser chamada entrada ou saída "TTL",
significantemente compatível com os níveis de tensão usados.
 Estes circuitos têm como principal característica a utilização de sinais de 5 volts
para níveis lógicos altos. Seus circuitos integrados são constituídos basicamente de
transístores, o que os torna pouco sensíveis à eletricidade estática.

Figura 12: Porta NAND em tecnologia TTL

2. Objetivos

Essa prática de laboratório teve como objetivos verificar o funcionamento básico

de transistores, avaliar a alteração do seu comportamento em função da temperatura e
obter curvas características desses elementos.

3. Metodologia

Materiais e equipamentos

• Fonte de alimentação DC Minipa mod. MPL-3303

• Multímetro Digital Minipa mod. ET-2095
• Cabos: pontas de prova, banana-jacaré e banana-banana
• Transistores TIP31, BC327 2N3055 e BC337 (x3)
• Resistores: 100 kΩ, 100 Ω(x2), 10 kΩ, 15 kΩ, 47Ω, 4,7 kΩ (x2) e 1,8 kΩ
• Resistor de fio 10 Ω
 3.1. Identificando as junções de transistores

Os transistores TIP31, BC327, BC337 e 2N3055 foram testados através de um

multímetro digital na função teste de diodos. O DataSheet foi consultado para verificar
o tipo do transistor (PNP ou NPN) e as posições dos terminais do emissor, base e
coletor.

No teste dos transistores, a junção EB (emissor-base) de cada um deles começou

a ser testada polarizando-a diretamente, e os valores da tensão foram anotados. Em
seguida foi feita a polarização reversa nessa junção. O mesmo procedimento foi feito
para a junção BC. Pelos valores obtidos nas medidas descritas até aqui nesse parágrafo
pode concluir-se se o transistor está operacional ou não. Por último, o transistor foi
polarizado entre EC (emissor e coletor) para verificar fugas entre o emissor e coletor,
para esse teste a polaridade aplicada não é relevante.

3.2. Operações básicas do transistor

O circuito da Figura 13 foi montado e as tensões sobre os resistores foram

medidas, a correntes de base, coletor e emissor foram calculadas, em seguida o
parâmetro β foi calculado. O experimento foi realizado para três transistores BC337 e
um TIP31. Os experimentos descritos foram refeitos invertendo os terminais do emissor
e coletor.
 FIGURA 13 – Circuito para o experimento 3.2.

Após isso, o circuito da Figura 13 foi novamente montado, com o transistor

BC337, só que um resistor de fio de 10 ohms foi conectado na protoboard, ligado a uma
tensão de aproximadamente 5 V, de maneira que o resistor ficasse encostado no
transistor, e então a tensão sobre o resistor 3 foi medida diversas vezes para ver como
ela variava com o aumento da temperatura. As medidas foram realizadas de 20 em 20
segundos.

3.3 Curvas do transistor

(a) Foi montado o circuito da Figura 14:

FIGURA 14 – Circuito para curva característica

(b) Utilizou-se as duas saídas da fonte DC, uma configurada como V1 e outra
como V2. Foi utilizado como transistor em Q1 o BC337.

(c) Ajustando o valor de V1 em 0,5V foram feitas medições da tensão no coletor

Q1 variando a tensão V2 de 0,5V a 5V. A tensão foi variada em passos de 0,5V.

(d) As medidas foram repetidas para valores diferentes de V1 (1V, 2V e 4V)

(e) Repetiu-se o experimento para o transistor TIP31.

 3.4. Polarização

(a) O circuito da figura 15 foi montado utilizando o transistor TIP31

FIGURA 15 – Circuito de polarização por divisor de tensão

(b) Mediu-se as tensões em todos os resistores

(c) Calculou-se as corrente de base, coletor e emissor

(d) O experimento foi repetido substituindo o transistor TIP31 pelo BC337

(f) Utilizando um resistor de fio foi aquecido o transistor BC337, na mesma

configuração da figura 15. Observou-se o efeito da temperatura após 2 minutos.

3.5 Circuitos TTL

(a) O circuito da figura 16 foi montado

FIGURA 16 – Circuito TTL

(b) Foi conectado os emissores de Q2 e Q3 à fonte e depois medido a tensão

coletor-emissor em Q1

(c) Desconectou-se o emissor de Q2 da fonte e o mesmo foi aterrado.

Novamente foi medido a tensão coletor-emissor de Q1
 (d) Repetiu-se a medição da tensão Coletor-emissor de Q1, porém com os
emissores de Q2 e Q3 aterrados.

4. Resultados e discussão

4.1. Identificando as junções de transistores

Através de uma consulta ao DataSheet pôde-se descobrir quais transistores eram

PNP e quais eram NPN, assim como quais terminais eram o emissor, base e coletor.
Apenas o transistor BC327 é PNP, enquanto os TIP31, BC337 e 2N3055 são do tipo
NPN.

O teste descrito na seção 3.1. foi realizado, e os valores obtidos pelo multímetro
são apresentados na Tabela 1, onde é usada a abreviação OL para overload (excesso de
escala).

TABELA 1 – Valores obtidos no teste dos transistores

TIP31 [V] BC327 [V] BC337 [V] 2N3055 [V]

Polarização EB BC EC EB BC EC EB BC EC EB BC EC

Direta 0,57 0,56 OL 0,68 0,69 OL 0,62 0,63 OL 0,51 0,51 OL

Reversa OL OL OL OL OL OL OL OL OL OL OL OL

Para o transistor TIP31 os valores obtidos nos testes estão de acordo ao

esperado, pois quando o transistor tem suas junções EB e BC polarizadas diretamente
obtém-se um valor próximo a 0,6 V, que é o valor esperado por se tratar de um
transistor de silício. Quando as junções EB e BC foram polarizadas reversamente o
multímetro registrou overload, que ocorreu devido as junções não conduzirem quando
polarizadas dessa maneira. Já quando a polarização entre EC foi aplicada, as medições
indicaram overload, tanto para polarização direta como para a reversa, o que significa
que não há fugas entre emissor e coletor. Concluindo assim que o transistor em questão
está operacional, ou seja, trabalhará dentro das especificações pré-estabelecidas.
 Já para o transistor BC327 os valores obtidos na análise estão conforme o
esperado na teoria, pois quando o transistor tem suas junções EB e BC polarizadas
diretamente obtém-se um valor próximo a 0,7 V, que é o valor esperado segundo o
DataSheet. Quando as junções EB e BC foram polarizadas de maneira reversa o
multímetro registrou overload, que ocorreu devido as junções não conduzirem quando
polarizadas dessa maneira. Já quando a polarização entre EC foi aplicada, as medições
indicaram overload, tanto para polarização direta como para a reversa, o que significa
que não há fugas entre emissor e coletor. Ou seja, o transistor está operacional.

Para o caso do transistor BC337, os valores obtidos nos testes apresentaram um

pequeno desvio em relação ao esperado quanto teve suas junções EB e BC polarizadas
diretamente, já que no DataSheet especificava uma tensão de 0,7 V. O desvio foi
bastante pequeno, menor que 0,08 V, apresentando-se assim dentro da tolerância.
Quando as junções EB e BC foram polarizadas reversamente o multímetro registrou
overload, que ocorreu devido as junções não conduzirem quando polarizadas dessa
maneira. Já quando a polarização entre ED foi aplicada, as medições indicaram
overload, tanto para polarização direta como para a reversa, o que significa que não há
fugas entre emissor e coletor. Ou seja, o transistor está operacional.

Para o transistor 2N3055 os valores obtidos nos testes apresentaram cerca de

0,2V baixo do esperado, pois quando o transistor tem suas junções EB e BC polarizadas
diretamente obtém-se um valor próximo a 0,5 V, no entanto o valor esperado era o de
0,7 V, segundo DataSheet. Esse pequeno desvio pode ser desconsiderado caso o circuito
que use o transistor em questão seja alimentado por uma tensão com ordem de grandeza
maior que 0,5 V. Quando as junções EB e BC foram polarizadas reversamente o
multímetro registrou overload, que ocorreu devido as junções não conduzirem quando
polarizadas dessa maneira. Já quando a polarização entre EC foi aplicada, as medições
indicaram overload, tanto para polarização direta como para a reversa, o que significa
que não há fugas entre emissor e coletor. Concluindo assim que o transistor em questão
está operacional, ou seja, trabalhará dentro das especificações pré-estabelecidas.
 4.2. Operações básicas do transistor

O experimento descrito na seção 3.2. foi realizado, e os resultados obtidos são

apresentados na Tabela 2, com o circuito montado com o transistor posicionado como
representado pela Figura 13. Para essa parte do experimento tem-se que a corrente de
base é a corrente sobre R1, a corrente no coletor é a corrente em R2 e a corrente no
emissor é a corrente em R3.

TABELA 2 – Resultados das medições e cálculos do parâmetro β descritos na seção 3.2.

BC337 BC337 BC337 TIP31

Tensão Corrente Tensão Corrente Tensão Corrente Tensão Corrente

[V]
[mA] [V] [mA] [V] [mA] [V] [mA]

R1 3,402 0,034 3,368 0,034 3,369 0,034 3,50 0,035

R2 0,935 9,35 0,874 8,74 0,882 8,82 0,806 8,06

R3 0,935 9,35 0,871 8,71 0,878 8,78 0,804 8,04

β 275,00 257,06 259,41 230,29

Os valores do parâmetro β apresentados na Tabela 2 foram calculados dividindo

a corrente no coletor (corrente em R2) pela corrente da base (corrente em R1),
apresentando-se assim adimensional. Nos valores medidos percebeu-se que a corrente
de base é muito pequena quando comparada com as correntes do emissor, isso porque a
maior parte dos portadores majoritários entraram através da junção polarizada
reversamente no material do tipo p conectado ao terminal do coletor, o motivo da
relativa facilidade com que portadores majoritários podem atravessar a junção
polarizada reversamente pode ser facilmente compreendida se for considerado que para
o diodo polarizado reversamente os portadores majoritários serão como portadores
minoritários no material do tipo n.
 Foi calculado a médio e o desvio padrão para os três transistores iguais, do tipo
BC337, obteve-se: βmédio = 263,82 + 9,75. Tal valor corresponde de um desvio de 3,69%
sobre o valor médio, apresentando-se assim bastante baixo.

O experimento descrito na seção 3.2. foi realizado novamente, e os resultados

obtidos são apresentados na Tabela 3, com o circuito montado com o transistor
posicionado invertido em relação ao representado pela Figura 13. Para essa parte do
experimento tem-se que a corrente de base é a corrente sobre R1, a corrente no emissor
é a corrente em R2 e a corrente no coletor é a corrente em R3. O parâmetro β é
calculado dividindo a corrente no coletor (corrente em R3) pela corrente da base
(corrente em R1).

TABELA 3 – Resultados das medições e cálculos do parâmetro β descritos na seção 3.2. (terminais
emissor e coletor invertidos)

BC337 BC337 BC337 TIP31

Tensão Corrente Tensão Corrente Tensão Corrente Tensão Corrente

[V]
[mA] [V] [mA] [V] [mA] [V] [mA]

R1 4,278 0,043 4,332 0,043 4,318 0,043 4,402 0,044

R2 0,028 0,28 0,025 0,25 0,027 0,27 0,012 0,12

R3 0,031 0,31 0,029 0,29 0,031 0,31 0,016 0,16

β 7,21 6,74 7,21 3,64

Foi constatado que quando o circuito da Figura 13 é montado com os terminais

do coletor e emissor invertido a maior parte da tensão que alimenta o circuito fica sobre
o resistor conectado ao terminal da base. Isso ocorre porque uma das junções está
polarizada reversamente e a outra diretamente, fazendo com que a que está polarizada
reversamente tenha um comportamento semelhante a um aberto, e a polarizada
diretamente semelhante a um curto.

A Tabela 4 apresenta os dados da avaliação da tensão em R3, do circuito da

Figura 13, em função do aumento da temperatura no transistor (aumento esse causado
devido um resistor de fio de 10 Ω fornecendo calor para o componente, a tensão no
resistor foi de 5,107 V).

TABELA 4 – Diferentes tensões em R3 devido ao aquecimento do transistor

t0 t1 t2 t3 t4 t5 t6 t7

VR3 [V] 0,979 0,995 1,023 1,046 1,066 1,089 1,095 1,106

O aumento da tensão no R3 (resistor ligado ao emissor) ocorre com o aumento

da temperatura do transistor. Um aumento da temperatura de junção do transistor
causou um aumento na corrente de coletor o que fez com que o transistor dissipasse
mais potência o que, consequentemente, fez a corrente do coletor aumentar ainda mais.
Ocorreu, dessa maneira, o problema da derivação térmica. O resistor de emissor fez com
que cada vez que a corrente de coletor aumenta a corrente de base diminua, evitando a
derivação, mas consequentemente aumentando a tensão em R3.

4.3. Curvas do transistor

No circuito emissor comum montado foram obtidos os seguintes dados das tabelas 5 e
6.

Tabela 5 – Medições no circuito emissor comum para o transistor BC337

V1 [V]
0,5 1 2 4
0,5 0,005 0,005 0,046 0,016
1 0,410 0,095 0,068 0,044
1,5 0,939 0,157 0,091 0,060
2 1,380 0,504 0,166 0,078
V2 [V] 2,5 1,871 0,921 0,133 0,085
3 2,458 1,963 0,159 0,099
3,5 2,825 2,566 0,204 0,107
4 3,297 2,931 0,478 0,121
4,5 3,795 3,368 0,841 0,131
5 4,228 3,818 1,272 0,141
 Tabela 6 – Medições no circuito emissor comum para o transistor TIP 31

V1 [V]
0,5 1 2 4
0,5 0,234 0,094 0,045 0,035
1 0,704 0,198 0,078 0,048
1,5 1,168 0,549 0,108 0,066
2 1,555 1,154 0,124 0,078
V2 [V] 2,5 2,188 1,506 0,143 0,090
3 2,618 2,187 0,175 0,100
3,5 3,266 2,694 0,208 0,108
4 3,586 3,176 0,344 0,118
4,5 4,327 3,590 0,748 0,127
5 4,771 4,113 1,386 0,137

Na figura 17 é exibido um circuito emissor comum igual ao utilizado no

experimento.

Figura 17 – Circuito com transistor com emissor comum.

Trata-se de um transistor NPN igual ao TIP31, a corrente passará no emissor

somente quando a tensão da base for maior que a barreira de potencial do diodo
emissor. Os elétrons do emissor tendem a passar a barreira de potencial formada na
base, porém a maioria dos elétrons seguirão para o coletor ao invés de cair na base e
entrar no terminal positivo da fonte , tal fato ocorre pois a base é fracamente dopada
e muito estreita, permitindo que os elétrons cheguem no coletor facilmente. Ou seja,
adotando a notação convencional de corrente, existe uma corrente que atravessa o
coletor e outra que atravessa a base, a soma delas será a corrente do emissor.

A corrente na base é muito menor que a corrente do coletor, portanto

Para o diodo PNP, do tipo BC337, o circuito utilizado é o mesmo, porém as

correntes invertem o sentido, mas mantendo a relação de correntes da equação 1. A
figura 18 ilustra os sentidos de corrente em ambos os tipos de transistores NPN e PNP.

Figura 18 – (a) sentido da corrente no transistor NPN (c) sentido da corrente no transistor PNP

Com os dados coletados, apresentados nas tabelas 5 e 6 é possível plotar a

família de curvas do coletor, sãos as curvas características dos transistores, neste caso,
são as curvas características do transistor TIP31 e BC337.

A família de curvas do coletor é um gráfico feito para cada

corrente da base, conforme descrito na seção de metodologia (seção 3.3.) é utilizado um
resistor de 10 kΩ (R1) para limitar a corrente na base e um resistor de 100 Ω (R2)
limitando a corrente no coletor. É possível obter as correntes na base através da fórmula
para uma aproximação ideal do transistor

Da mesma forma para a corrente no coletor

 Os valores práticos utilizados nos resistores são: e .
Obtendo as correntes de base e coletor para os dados das tabelas R.1 e R.2, foi montado
um novo conjunto de dados seguinte, nas tabelas 7 e 8.

As tabelas relacionam para cada coluna de corrente de base um conjunto de

valores de corrente do coletor ( ) e tensão emissor coletor (

Tabela 7 – Relação Corrente de base, corrente do coletor e tensão Emissor-Coletor para o BC337

[µA]
50 100 200 401
5,02 0,005 V 0,005 V 0,046 V 0,016 V
10,03 0,410 V 0,095 V 0,068 V 0,044 V
15,05 0,939 V 0,157 V 0,091 V 0,060 V
20,06 1,380 V 0,504 V 0,166 V 0,078 V
[mA] 25,08 1,871 V 0,921 V 0,133 V 0,085 V
30,09 2,458 V 1,963 V 0,159 V 0,099 V
35,11 2,825 V 2,566 V 0,204 V 0,107 V
40,12 3,297 V 2,931 V 0,478 V 0,121 V
45,14 3,795 V 3,368 V 0,841 V 0,131 V
50,15 4,228 V 3,818 V 1,272 V 0,141 V
 Tabela 8 – Relação corrente de base, corrente do coletor e tensão Emissor-coletor para o TIP31

[µA]
50 100 200 401
5,02 0,234 V 0,094 V 0,045 V 0,035 V
10,03 0,704 V 0,198 V 0,078 V 0,048 V
15,05 1,168 V 0,549 V 0,108 V 0,066 V
20,06 1,555 V 1,154 V 0,124 V 0,078 V
[mA] 25,08 2,188 V 1,506 V 0,143 V 0,090 V
30,09 2,618 V 2,187 V 0,175 V 0,100 V
35,11 3,266 V 2,694 V 0,208 V 0,108 V
40,12 3,586 V 3,176 V 0,344 V 0,118 V
45,14 4,327 V 3,590 V 0,748 V 0,127 V
50,15 4,771 V 4,113 V 1,386 V 0,137 V

A curva característica do transistor é semelhante ao gráfico da figura 19 abaixo.

Figura 19 – Curva característica do transitor

Há três regiões importantes. A região do meio representa a operação normal do

transistor, nessa região o diodo emissor está diretamente polarizado e o diodo coletor
está reversamente polarizado. Além disso, o coletor está capturando quase todos os
elétrons que o emissor está injetando na base. È por isso que a variação na tensão do
coletor não afeta a corrente do coletor, para uma dada corrente de base fixa. Tal região é
denominada região ativa.

A região mais à direita, onde começa a ocorrer um surto na corrente do coletor é

denominada região de ruptura. O transistor nunca deve operar nessa região, pois o
mesmo pode ser danificado.

A terceira região, denominada região de saturação, encontra-se nos instantes

iniciais do gráfico, entre 0V e décimos de um volt onde há uma inclinação. Nessa
região, o diodo coletor tem uma tensão positiva insuficiente para que o coletor possa
capturar todos os elétrons livres injetados na base, sendo assim, neste transitório será
maior que o normal.

Utilizando os dados das tabelas 7 e 8 foi plotado a família de curvas do coletor

dos transistores BC337 e TIP31

Figura 20 – Família de curva do transistor BC337

O transistor BC337 é um transistor de pequeno sinal para amplificadores e

switching. Na figura 20 pode-se perceber a região de saturação onde, para todos os
valores de corrente na base, as inclinações foram as mesmas em valores abaixo de 1 V
da tensão emissor-coletor. A região ativa não esta bem definida, geralmente há mesmo
uma inclinação aparente na região ativa. Tal inclinação é o resultado do ligeiro aumento
que ocorre na região da base à medida que aumenta. Porém neste caso, devido aos
baixos valores da fonte do coletor ( ) a curva da região ativa aparentou-se
como um zoom. Não é possível identificar a região de ruptura, pois, por questão de
segurança dos componentes, não se testou tensões na fonte do coletor acima de 5V.

Figura 21 - Família de curvas do transistor TIP31

No transistor de poder TIP31, a região de saturação apresentou-se mais baixa.

Como é possível verificar na figura 21. A região ativa, de modo similar ao transistor
BC337, não apresentou-se constante igual à figura 16. Porém, devido à fatos já
explicados, o gráfico do TIP31, na região ativa mostra-se ampliado (zoom), pois foram
tomados valores baixos da fonte no coletor. Pelos mesmos motivos não é possível
observar a região de ruptura. Comparando-se a região ativa do TIP31 e do BC337, o
TIP31 apresentou-se mais linear.

Analisando o DataSheet dos componentes é possível verificar que a tensão de

ruptura para o BC337 é de 50 V e para o TIP31 é de 40V [4,5]. Fato que justifica a
ausência da região de ruptura dos gráficos da figura 20 e 21, pois a tensão máxima da
fonte do coletor foi configurada em 5V.
 4.4. Polarização

O circuito apresentado na metodologia (Seção 3.4.) é um circuito de polarização

do transistor por divisor de tensão, pois a base do transistor está num divisor de tensão
entre dois resistores.

Utilizando a figura 22 abaixo será detalhado alguns pontos de uma análise básica
do circuito PDT (polarização por divisor de tensão).

Figura 22 – Circuito PDT

Algumas equações podem ser facilmente extraídas do circuito PDT da figura 22

pelas leis de Ohm e de Kirchhoff.
 Onde é a tensão da base, é a tensão no coletor, é a tensão base-
emissor e é a tensão coletor-emissor.

O circuito utilizado no experimento é exibido na Figura 15, foram medidas as

tensões em todos os resistores para os transistores TIP31 e BC337. O resultado é
exibido na tabela 9.

Tabela 9 – Tensões nos resistores para o circuito PDT

TIP31 BC337
3,413 V 3,376 V
1,915 V 1,864 V
0,904 V 0,878 V
1,515 V 1,538 V

Os valores práticos utilizado são exibidos abaixo.

Através das tensões obtidas é possível obter-se as correntes de base, emissor e

coletor. A corrente de base é obtida da seguinte forma:

Utilizando como referência a figura 22,

A corrente do coletor é calculada simplesmente dividindo-se a tensão em

pelo próprio valor da resistência. O mesmo procedimento é feito para se encontrar a
corrente do emissor. A tabela 10 resume as correntes encontradas para o circuito
prático.

Tabela 10 – Resumo das correntes obtidas no circuito PDT

TIP31 229,52 µA 152,11 µA 77,41 µA 1,98 V 19,19 mA 19,4 mA
BC337 227,03 µA 154,42 µA 72,62 µA 1,98 V 18,68 mA 18,84 mA
A tensão na base é obtida com a seguinte expressão

É possível observar que a corrente do emissor é praticamente o mesmo do

coletor a relação entre as corrente de emissor, coletor e base é a seguinte:

Observando a tabela 10 os valores de aproximam-se da relação acima.

Através dos cálculos das correntes de base e coletor é possível estabelecer o

ganho de corrente, também denominado como .O é a relação entra a corrente do
coletor pela corrente da base. A seguir é exibido o para cada transistor utilizado:

A polarização pelo divisor de tensão é na verdade uma polarização do emissor

(diodo emissor) disfarçada. Ou seja, é possível criar um equivalente conforme ilustrado
na figura 23.

Figura 23 – Circuito equivalente ao PDT

 É por isso que o PDT estabelece um valor fixo na corrente do emissor,
resultando em um ponto Q estável que é independente do ganho de corrente ( ).

Um último procedimento foi feito com o circuito da Figura 16 com o transistor

BC337. Foi utilizado um resistor de fio para aquecer o transistor por aproximadamente
2 minutos, então mediu-se as tensões nos resistores para se observar o efeito da
elevação na temperatura. Os resultados obtidos são apresentados na tabela 11.

Tabela 11 – Resultados após aquecimento do transistor BC337

Tensão com
transistor 3,336 V 2,080 V 0,986 V 1,560 V
aquecido

Comparando-se com a tabela 9 não há grandes diferenças nas medições “frias”

somente nos resistores e foram detectados tensões sensivelmente maiores, isto
significa que as correntes do coletor e do emissor aumentaram. Segundo o Data Sheet a
temperatura máxima na junção pode ser de 150º C, portanto o componente resistiu à
elevação. O fato da maior condução de corrente no coletor e emissor ocorre devido ao
ganho de portadores minoritários, proveniente da maior agitação térmica. O
aquecimento proporcionou um aumento do ganho de corrente.

O resultado obtido, comparado ao do BC337 “frio” representa um aumento

de aproximadamente 28%

4.5. Circuitos TTL

Conforme circuito montado na figura 16 foram obtidos os seguintes dados para

cada condição de entrada dos emissores em Q2 e Q3.
 Tabela 12 – Tensões do coletor Q1 para o circuito TTL

Tensão em Q1 0,01 V 4,987 V 4,994 V

O Transistor-Transistor Logic (TTL) é uma designação para uma família de

circuitos digitais que trabalham em 5 V e utilizam transistores bipolares em sua
construção. Essa série de dispositivos, e seus descendentes, tiveram uma enorme
influência nas características de todos os dispositivos lógicos atuais [6].

Definindo e como entradas do circuito e como saída é possível

observar a funcionalidade desse circuito TTL. Para uma análise em sistemas digitais
considera-se as tensões próximas de 5V igual ao nível lógico 1 e as tensões próximas de
zero equivalem ao nível lógico 0.

Através de um recurso muito utilizado em análise de sistemas digitais, foi

extraída a tabela verdade do circuito TTL, sendo exibida na tabela 13

Tabela 13 – Tabela verdade do circuito TTL

0 0 1
0 1 1
1 0 X
1 1 0

A saída não foi medida experimentalmente, porém através de uma

simulação no circuit Simulator é possível obter-se a resposta. A simulação é exibida na
figura 21.
 Figura 21 – Simulação do circuito TTL no Circuit Simulator

Como é possível observar na forma de onda da saída, a tensão em quando

e é nível lógico ALTO (1 ou 5 V). Com a tabela verdade e esta
simulação é possível inferir que o circuito TTL opera conforme uma porta lógica
NAND. A porta NAND realiza a operação AND (ou e), porém com os resultados
invertidos (barrados).

Quando ambas as portas de entrada (Q2 e Q3) estão ligadas ao terra torna-se um
emissor comum entre os três transistores, os emissores de Q2 e Q3 conduzem a corrente
ao terra, não polarizando a base de Q1, assim a corrente no coletor de Q1 não passa para
o emissor, segurando a tensão de 5 V da alimentação.

Se pelo menos uma das portas estiverem polarizadas, sendo que a outra está com
o terra, então na porta polarizada a fluxo de corrente do emissor para o coletor, porém
como as portas estão em paralelo, o fluxo de corrente é barrado pelo coletor da porta
com entrada (emissor) aterrado que transmite a corrente para o terra, mantendo a base
de Q1 não polarizada, segurando a tensão no coletor.

Por fim, com ambas as portas Q2 e Q3 polarizadas há fluxo de corrente do

emissor para o coletor, chegando corrente à base de Q1, dessa forma Q1 passa a
transmitir a corrente do coletor para o emissor, quase não havendo tensão no coletor-
emissor, que é, então, considerado nível lógico 0.

Pensando em valores lógicos (1 ou 0) a operação AND equivale a um produto e

a inversão equivale a troca de 1 para 0, por isso a saída é somente nível lógico BAIXO
se todas as entradas forem nível ALTO. A figura I mostra a simbologia da porta NAND
e um equivalente em porta OR.

Figura I – Porta lógica NAND e seu equivalente em porta OR

A porta NAND pode ser substituída pelo equivalente exibido na figura I, devido
ao teorema de DeMorgan da álgebra de boole. [6]

5. Conclusões

Os resultados obtidos no experimento, de uma maneira geral, estiveram dentro

do esperado teoricamente, com apenas alguns erros experimentais que comprometeram
algumas medições, mas os resultados obtidos, mesmo os que estavam fora do esperado,
foram importantes para a observação do funcionamento do transistor. Para resultados
que não estavam dentro do esperado teoricamente, foi feita uma analise para encontrar a
fonte de tais erros.

A identificação das junções de transistores foram realizadas sem maiores

problemas experimentais. Todos os transistores testados mostraram-se aptos para uso,
ou seja, operacionais.

O calculo do parâmetro β para o circuito proposto pelo roteiro foi calculado e os

resultados obtidos mostraram-se coerentes, quando o circuito tem o transistor
posicionado como na Figura 13, o valor de β é bem mais alto do que quanto os
terminais do emissor e coletor são invertidos, o que significa que o ganho para a
primeira opção é muito maior. Ficou evidenciado também que com o aumento da
temperatura a tensão sobre o resistor conectado ao emissor aumenta, ou seja, um
aumento da temperatura de junção do transistor causou um aumento na corrente de
coletor o que fez com que o transistor dissipasse mais potência.

As curvas dos transistores estiveram dentro do esperado, mas a região ativa não
ficou bem definida, não sendo possível perceber a inclinação por causa dos baixos
valores de tensão no coletor e também não foi possível observar a região de ruptura,
pois não se utilizou tensões muito altas para preservar a integridade do circuito. Foi
possível perceber que o TIP31 se mostrou mais linear comprado ao BC337.

Os resultados obtidos no experimento da polarização se mostram dentro do

esperado teoricamente, validando assim a metodologia utilizada, observando os
resultados foi possível perceber que a polarização pelo divisor de tensão foi na verdade
uma polarização do emissor. Com a temperatura maior no transistor as medições não se
alteraram muito, apenas um aumento sensível na tensão dos resistores R2 e R3,
evidenciando que a corrente no emissor e no coletor aumentou.

Neste circuito TTL foi possível perceber o funcionamento de uma porta lógica,
com o circuito foi possível obter a tabela verdade para o circuito, utilizando as variações
de nível lógico alto e baixo, com a tabela encontrada o foi feita uma comparação para
identificar qual porta lógica teria este mesmo funcionamento, e a porta que foi
identificada foi a NAND, mostrando assim um funcionamento correto do circuito,
apresentando resultados coerentes com a teoria.

6. Referências bibliográficas

[1] Transistor Bipolar: Conceitos básicos e identificação de terminais.

BARBACENA, I. L. Acessado em 22/10/2010. Disponível em:
<http://www.coinfo.cefetpb.edu.br/professor/ilton/apostilas/discip_yahoo/iltonbarbacen
a/alarme/ident_transistor1.pdf>

[2] Transistores Bipolares. Sem Autor. Acessado em 22/10/2010. Disponível em:

<http://www.arvm.org/exames/trasistor.htm>
[3] Eletrônica analógica. LOPES, R. C. Acessado em 23/10/2010. Disponível em:
<http://www.angelfire.com/ok/raphaelm/eltanal.html>

[4] FARCHILD SEMICONDUCTOR, BC337/338 Switching and Amplifier

Applications. [Data Sheet] Acessado em: 22/10/2010. Disponível em:
< http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BC337.pdf>

[5] MICRO ELETRONICS, TIP31,2 Complementary Silicon Power Transistor

[Data Sheet] Acesado em: 22/10/2010. Disponível em:
< http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/MicroElectronics/mXuwuts.pdf>

[6] TOCCI, R. J.; WIDMER, N. S.; MOSS, G. L.; Sistemas Digitais: princípios e
aplicações 10ª Ed. São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2007.