Universidad Nacional Mayor de

San Marcos
(Universidad del Perú, Decana de América)

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y

ELECTRICA

Informe N°5_ Polarización del transistor BJT

CURSO: LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS 1

PROFESOR: MEDINA CALDERON ALFREDO

ALUMNO: LUDEÑA TALLA ARNALDO ANDRÉ 16190205

Lima, Perú 2019

1. Objetivos

- Encontrar una resistencia que haga que el circuito funcione como amplificador.
- Observar el comportamiento del transistor a diferentes resistencias.

2. Marco Teórico

- Polarización del transistor BJT: Polarizar un transistor bipolar implica conseguir

que las corrientes y tensiones continuas que aparecen en el mismo queden fijadas a
unos valores previamente decididos. Es posible polarizar el transistor en zona
activa, en saturación o en corte, cambiando las tensiones y componentes del circuito
en el que se engloba.
Este primer circuito tiene como inconveniente por un lado que el transistor nunca se
podría polarizar en saturación, pues no se puede conseguir que VCE = 0,2V siendo
VBE =0,7V; y por otro lado la excesiva disipación. Un circuito un poco más
complejo, y con el que se puede conseguir polarizar al transistor en las tres regiones
de funcionamiento es el de la figura. Vemos que en este caso la tensión colector-
emisor depende directamente de la corriente de base (VCE=VCC-βIBRC), y dicha
corriente se fija actuando sobre la resistencia de base (IB=(VCC-VBE) /RB). Para
polarizar el transistor en cada una de las regiones se pueden emplear las dos
ecuaciones mencionadas y aplicar las restricciones de cada región.

Cuando se pretende que la polarización sea estable (es decir, que no varíe con
factores externos1), se usan redes de polarización más complejas, que fijan la
tensión en base, como por ejemplo la que aparece en la figura. En apartados
posteriores se resuelve un ejercicio con un transistor polarizado tal y como aparece
en la figura.
3. Materiales

- Protoboard
- Multímetro digital
- 1 transistor 2n2222
- 1 resistencia de (1k, 2k, 470, 10k, 47k, 100k) ohm
- Fuente de corriente DC de 12.6 V de la experiencia anterior.

4. Procedimiento

- Primero armamos el siguiente circuito en el protoboard.

- Luego lo conectamos a nuestra fuente de 12.6 V que tenemos armada de la
experiencia anterior.

- Finalmente realizamos las mediciones correspondientes.

5. Cuadro comparativo

- Las intensidades están en mA y las tensiones están en V.

- Rc= 1k ohm

Rb Ic Ib Ie Vce Vbe Vcb

10k 12.6 1.1 13.2 0.06 0.69 -0.63
47k 12.5 0.025 12.6 0.12 0.68 -0.6
100k 11.6 0.12 11.6 1 0.69 0.3

- Rc= 2k ohm

Rb Ic Ib Ie Vce Vbe Vcb

10k 6.3 1.2 7.3 0.04 0.68 -0.6
47k 6.2 0.025 6.3 0.08 0.68 -0.5
100k 6.2 0.12 6.3 0.12 0.69 -0.5

- Rc= 470 ohm

Rb Ic Ib Ie Vce Vbe Vcb

10k 26.6 1.2 27.9 0.09 0.7 -0.6
47k 24.2 0.025 24.2 1.2 0.71 0.5
100k 17.4 0.119 17.5 4.46 0.7 3.7

6. Conclusiones

- Vemos que se cumple la ley de Kirchhoff en el transistor.

- Para Rc con valor de 1k ohm el voltaje Vce aumenta de manera proporcional a Rb,
mientras mayor sea la resistencia mayor será Vce.
- Para Rc con valor de 2k ohm el voltaje Vce aumenta, pero de manera mínima.
- Para Rc con valor de 470 ohm el voltaje Vce aumenta de más rápida.
- Por lo tanto, se concluye que con Rc con valor de 470 ohm y Rb con valor de 100k
ohm el transistor se comporta como un amplificador de señal, puesto que alcanza un
35% de 12.6 V.

7. Bibliografía

- https://electronicavm.files.wordpress.com/2011/02/polarizacic3b3n-del-
transistor.pdf
ANEXO