Dispositivos 6 FET Parte I v1 2

Universidade Federal do Piauí
Centro de Tecnologia
Curso de Engenharia Elétrica
DISPOSITIVOS
ELETRÔNICOS
Transistores de Efeito de Campo
- Parte I - JFETs
Prof. Marcos Zurita

zurita@ufpi.edu.br
www.ufpi.br/zurita
Teresina - 2012
Sumário
● 1. Introdução
● 2. O Transistor JFET
● 3. Características do JFET
● 4. Regiões de Operação
● 5. Curva de Transferência
● 6. Polarização do JFET
● Bibliografia
2
Dispositivos Eletrônicos – Prof. Marcos Zurita
1. Introdução
3
Introdução
Transistores de Efeito de Campo (FET)

● FET – Field Effect Transistor
● São dispositivos cuja corrente entre dois pinos
pode ser controlada através da tensão em um
terceiro pino.
● Os mais populares membros
da família de transistores FET I
são os MOSFETs.
Terminal de
● Outro tipo de FET é o JFET, controle FET
que, por sua simplicidade,
será abordado inicialmente.
V
4
Introdução
Transistores FET em diferentes encapsulamentos
5
2. O Transistor JFET
6
O Transistor JFET
● JFET: Transistor de Efeito de Campo de Junção (do
inglês, Junction Field Effect Transistor);
● Formado pela associação entre SCs tipo p e n, sendo
um deles fortemente dopado.
Dreno / Drain
● Basicamente composto por: (D)
● um canal SC responsável pela Região de

depleção
condução de corrente entre dois
Porta / Gate
terminais (Fonte e Dreno); (G)
p+
p+ n
● um mecanismo de controle do
canal, operado por um terceiro
terminal (Porta). Canal n
● Há dois tipos de JFETs: Fonte / Source

(S)
● JFET canal n; • JFET canal p.

7
O Transistor JFET
● Estrutura básica do JFET canal n e canal p

Dreno / Drain Dreno / Drain
(D) (D)
Região de Região de
depleção depleção
Porta / Gate Porta / Gate

(G) (G)
p+ n p+ n+ p n+
Canal n Canal p
Fonte / Source Fonte / Source

(S) (S)
●
p+ e n+: regiões p e n fortemente dopadas ( 1018/cm3).
8
● ComoO oTransistor JFET
gate é muito mais fortemente dopado que o
canal, a região de depleção estende-se quase que
totalmente no lado do canal (vide Eq. 2.12).
9
O Transistor JFET
● Embora o dispositivo seja simétrico é conveniente haver
uma distinção entre os terminais conectados ao canal:
● Terminal Fonte (S – Source): de onde partem os elétrons
num JFET canal n (“fonte” de elétrons). Conectado ao
● Terminal Dreno (D – Drain): destino dos Dreno (D)
elétrons num JFET canal n. Comumente

conectado ao dissipador térmico em
dispositivos que o possuem;
● Simbologia:
S S S S
G G
G G
D D D D
JFET canal n JFET canal p
1
Dispositivos Eletrônicos – Prof. Marcos Zurita 0
3. Características do JFET
10
Características do JFET
● Admita um JFET canal n, polarizado por uma fonte de
tensão vDS (entre D e S) e outra vGS (entre G e S).
Análise para vGS = 0V e vDS 0V
● Como v
GS = 0V, a junção D
entre o gate e o canal fica Região de
depleção
reversamente polarizada
para qualquer valor positivo VDS
de vDS.
p+ n p+
● Ao aplicar v
DS > 0V, uma
G
corrente de elétrons fluirá VGS

do terminal fonte para o
dreno, através do canal, S
limitada por sua resistência.
11
● Se a tensão vDS for suficientemente pequena, a região de

depleção pode ser desprezada e a largura do canal
assumida como a distância entre as regiões de gate (2a).
● Nessas condições, a resistência do canal pode ser
obtida a partir da Eq. 1.23 como sendo:
L 1 L 1
rO = = = L
A A q 2 a⋅W
n ND
● Logo, a corrente através do 2a

canal (iDS) será dada por: W
I DS = v DS / r 0
ou seja: L z
x
I DS = 2 a W q
n N D v DS (Eq. 6.1) y
L 12
● Enquanto vDS permanecer suficientemente baixo, a

corrente através do canal aumentará linearmente,
conforme previsto pela lei de Ohm através da Eq. 6.1.
● Entretanto, à medida que vDS se aproxima de um dado
valor (VP), o tamanho da região de depleção torna-se
cada vez mais significativa.
● A largura da região de depleção dependerá da ddp entre
o gate (0V, neste caso) e o canal, que, conforme a teoria
de semicondutores (Eq. 2.45), é dada por:
2 N A ND
W deplecao= V 0−V juncao
(Eq. 6.2)
q N A ND
onde,
13
Características
V = v −V dox ,JFET
juncao GS y canal (Eq. 6.3)
14
● Entretanto, essa ddp (Eq. 6.3) não é constante ao longo
do canal, visto que vDS está distribuída entre o terminal
fonte e o dreno.
● Isto provocará uma distorção da
região de depleção, cuja largura
crescerá ao longo do canal com-
forme a distância até o dreno
(onde a ddp é maior) diminui.
● Naturalmente, esse aumento
da região de depleção reduzirá
a área do canal (2aW), aumen-
tando a sua resistência.
15
● A partir vDS = VP a região de depleção aumenta a ponto

de “estrangular” o canal e corrente através dele
praticamente não cresce mais com o aumento de vDS.
● Corrente Máxima de Dreno (IDSS) - ou corrente vDS de
saturação: é a corrente iDS do JFET obtida quando vGS =
0V e vDS = VP.
● A corrente iDS de saturação (IDSS) de um JFET pode ser
calculada a partir da Eq. 6.1, fazendo vDS = VP, ou seja:
W
I DSS = 2 a qND n VP (Eq. 6.4)
L
16
● Tensão de Pinch-off (VP) – ou tensão de estrangula-

mento: mínima tesão entre o dreno e o fonte capaz de
provocar o estrangulamento do canal de um JFET.
● Para vDS > VP a corrente através do canal virtualmente
não cresce mais, pois fluxo de portadores atinge seu
valor máximo (satura) em vDS = VP.
● Para valores de vDS suficientemente elevados acima de
VP, ocorre um aumento abrupto na corrente iDS.
● Tensão de Ruptura (VDSmax ou BVDSS) – tensão vDS a
partir da qual ocorre a ruptura do canal do JFET.
● Na ruptura, iDS é limitada unicamente pelo circuito
externo ao JFET, podendo ocasionar sua queima.
17
Curva iD-vDS do JFET para vGS = 0
pinch-off
Ruptura
Nível de saturação
IDSS
Aumento da resistência devido

ao estreitamento do canal
Resistência do canal n
0 VP VDSmax
17
Análise para vGS < 0V e vDS > 0V

● Ao se aplicar uma tensão negativa em v
GS, a região de
depleção crescerá de maneira semelhante a análise
anterior (com vGS = 0V), porém, D
VGS = -4V
para valores menores de vDS. VGS = -2V
VGS = -1V
● De fato, mesmo se v fosse
DS VGS = 0V
fixado em um valor positivo, G p+ p+ G
seria possível modular a
largura do canal unicamente
através de vGS. n VDS = 10V
● Dessa forma, quanto mais S
negativo for vGS, mais estreito será o canal e menor será

suaCaracterísticas do JFET
capacidade de condução de corrente. 18

● Consequentemente, a saturação será atingida para
valores tanto menores de vDS quanto mais negativa for a
tensão de gate.
● Se vGS tornar-se negativo o bastante o canal será
completamente estrangulado, levando o valor da
corrente de saturação a zero para qualquer valor de vDS.
● Tensão de Corte (VGS(desligado) ou VGS(off)): é o valor de
vGS para o qual o canal torna-se completamente
estrangulado. Corresponde, em módulo, a VP.
● Na condição de corte (|vGS| = VP), o JFET comporta-se
de forma semelhante a uma chave aberta (ou
desligada).
19
Curvas ID-VDS do JFET para VGS 0
VGS = 0 V
IDSS
-VGS1
-VGS2
-VGS3
-VGS4
-VGS5
0 VP
-VGS = VP
20
4. Regiões de Operação
21
Regiões de Operação
● Conforme os valores de vDS e vGS, é possível estabele-

cer em que região de operação o JFET se encontra:
●
I - Região Ôhmica:
Linha de estrangulamento
● -VP vGS 0 e vDS VP - vGS (Lugar geométrico dos
valores de pinch-off)
● II - Região de Saturação:
● -VP vGS 0 e vDS VP - vGS I II
● III - Região de Corte: VGS = 0 V
-VGS1
● vGS -VP -VGS2 IV
● IV - Região de Ruptura: -VGS3
-VGS4
● vDS > VDSmax III
-VGS5
22
Características vDS-iDS de um JFET canal n

● Região Ôhmica (-VP vGS 0 e vDS VP - vGS)
● Também conhecida como “Região de Triodo”.
● A corrente de dreno nesta região pode ser expressa em
função da corrente de saturação (IDSS) como sendo:
[ ]
2
v GS v DS v DS
i D= I DSS 2 1− − (Eq. 6.5)
V −V V
P P P
● Uma aproximação alternativa e mais simplificada pode ser

definida com base na Eq. 6.1, como:
v GS
i D= I DS 1− (Eq. 6.6)
V
P
23
● Na região de triodo o JFET comporta-se como um resistor
controlado por tensão, cuja resistência é tanto maior
quanto maior for vGS.
● Uma aproximação da resistência entre os terminais de
dreno e fonte na região de triodo é dada por:
ro
r d= (Eq. 6.7)
1 −v GS /V P
2
● Onde ro é a resistência do canal para vGS = 0, que,

conforme visto anteriormente pode ser expresso por:
]
−1
W
(Eq. 6.8)
24
● Região de Saturação (-VP vGS 0 e vDS VP - vGS)

● Também conhecida como “Região de Amplificação”.
● A corrente de dreno nesta região pode ser expressa em
função da corrente de saturação (IDSS) através da equação
de Shockley:
2
vGS
i D= I DSS 1− 1 v DS (Eq. 6.9)
V
●
Onde é o parâmetro de inclinação da curva da corrente
de dreno na região de saturação, sendo definida como o
inverso da Tensão Early (VA).
25
● Regiões
Uma de Operação
simplificação da Eq. 6.9 pode ser obtida desprezan-
do-se o termo (1+ vDS), o que corresponde a assumir que
o crescimento de ID após a saturação é desprezível.
26
● Tensão de Early (VA): graficamente, corresponde ao

ponto de interseção com o eixo VDS das projeções das
curvas das correntes de dreno na região de saturação.
-VA = -1/
27
Polarização do JFET
● Alternativamente, a resistência ro definida

anteriormente pode ser calculada na região de
saturação através da tensão de Early:
∣V A∣
r o= (Eq. 6.10)
iD
● É possível deduzir, a partir da simplificação da Eq.

6.9, a equação da tensão de gate em função da
corrente de dreno:
iD
v GS =V P 1− (Eq. 6.11)
I DSS
27
● Região de Corte (vGS -VP)
● Nesta região o JFET comporta-se como uma chave
aberta para qualquer valor de vDS, logo:
i D= 0 (Eq. 6.12)
● Região de Ruptura (vDS > VDSmax):

● Esta não é propriamente uma região de operação
desejável, pois pode causar a queima do componente.
● Nesta região a corrente de dreno é limitada unicamente
pelo circuito externo ao transistor, logo não é possível
estabelecer uma equação geral para ela.
28
5. Curva de Transferência
29
Curva de Transferência
● Curva de transferência: relaciona diretamente a corren-
te de dreno (iDS) à tensão de controle do JFET (vGS).
● Pode ser obtida a partir da eq. de Shockley (Eq. 6.9) ou
das curvas iD-vDS.
30
● A curva de transferência evidencia dois importantes
parâmetros do JFET:
● IDSS: interseção da curva com o eixo vertical (ID).
● V : interseção da curva com o eixo horizontal (v
P GS).
● Além disso, ela também permite a determinação do ponto de
operação do JFET em um circuito, pelo do método gráfico.
Esboço da Curva de Transferência
● Pode ser feito com o auxílio da tabela abaixo obtida a partir
da Eq. 6.9:
ID vGS
IDSS 0
IDSS/2 0,3 VP
IDSS/4 0,5 VP
0 VP
31
Ex: Esboce a curva de transferência para JFET de canal

n, com IDSS = 12mA e VP = -6V.
Sol:
● P/ ID = IDSS → vGS = 0
ID = 12mA → vGS = 0V
● P/ ID = IDSS/2 → vGS = 0,3VP
ID = 6mA → vGS = -1,8V
ID = 3mA → vGS = -3V
● P/ ID = 0 → vGS = VP
ID = 0mA → vGS = -6V
32
32
Ex: Esboce a curva de transferência para JFET de canal

p, com IDSS = 4mA e VP = 3V.
Sol:
● P/ ID = IDSS → vGS = 0
ID = 2mA → vGS = 0,9V
ID = 1mA → vGS = 1,5V
● P/ ID = 0 → vGS = VP
33
6. Polarização do JFET
34
● O projeto e a análise de circuitos envolvendo JFETs
parte da determinação dos parâmetros de operação do
componente.
● Tais parâmetros dependem do circuito a sua volta e da
polarização por ele imposta.
● Podemos definir 5 tipos básicos de polarização do JFET:
● Polarização Fixa;
● Autopolarização;
● Polarização por Divisor de Tensão;
● Polarização por Fonte de Corrente;
● Polarização por Duas Fontes.
● Os três primeiros tipos (mais elementares) serão
abordados neste capítulo.
35
Algorítimo de Determinação da Polarização

● De maneira geral, a solução de qualquer uma das
configurações de polarização parte da determinação da
equação da tensão de controle do JFET, isto é, vGS.
● Conhecida a equação de vGS, o passo seguinte é a
escolha de um dos dois métodos básicos de resolução:
● Método matemático: consiste em aplicar a equação de vGS
na equação de Shockley e soluciona-la. Para algumas
configurações pode não haver resolução analítica.
● Método gráfico: consiste em traçar a curva característica
do circuito de polarização diretamente sobre a curva de
transferência do JFET. O ponto de operação é então
determinado pela interseção entre as curvas.
36
Polarização Fixa
● Caracteriza-se pela presença de uma fonte DC fixa
dedicada a polarização do gate.
● É tipo mais simples de
polarização do JFET.
● Pode ser solucionada
tanto pelo método ma-
temático quanto pelo
método gráfico (curva
de transferência).
36
37
● Uma vez que os capacitores são 'circuitos abertos' em
análise DC, podemos eliminá-los do circuito para deter-
minar a polarização.
● A determinação da eq.
de vGS, pode ser feita
através da análise de
malha:
−V GG RG i G −v GS =0
mas iG = 0, logo:
−V GG −v GS =0
ou seja:
v GS =−V GG (Eq. 6.13)
38
● A Eq. 6.13 sugere que, para a análise da polarização, o
circuito dado equivale a um onde a fonte VGG é direta-
mente conectada ao gate.
● A solução matemática pode
ser encontrada simplesmente

aplicando a Eq. 6.13 à Eq. de
Shockley, que, desprezando
torna-se:
2
vG G
(Eq. 6.14)
VP
39
● A solução gráfica parte da determinação da curva de
transferência do JFET em questão, que pode ser
esboçada através do método exposto na página 31.
● Com a curva de transferência
traçada basta traçar sobre ela
a curva de vGS (Eq. 6.13), que, Reta
VGS = -VGG
neste caso é simplesmente
uma reta vertical em vGS = -VGG.
● A interseção entre as curvas Ponto Q
iDQ
determina o ponto de operação
do JFET, também chamado de
ponto quiescente (Q).
● A partir do ponto Q encontra
-VGG
-se o valor de iDQ. 40
● Ex.: Determine iDQ, vGSQ e vD para o circuito abaixo.
41
● Sol.:
v GSQ=−V GG =−2V
Ponto Q
42
Autopolarização
● Elimina a necessidade de uma fonte dedicada à polari-
zação do gate.
● Polarização através da tensão
sobre o resistor RS.
● vGS torna-se uma função da
corrente de saída iD, e da
resistência RS.
42
43
● Assim como na análise anterior, podemos eliminar os
capacitores do circuito para determinar a polarização.
● A determinação da eq.
de vGS, pode ser feita
através da análise de
malha:
RG i G − vGS − R S i S =0
mas iG=0 e iS =iD, logo:
v GS =− RS i D (Eq. 6.15)
44
● Conforme a Eq. 6.15, a análise da polarização nesta
configuração pode ser feita assumindo um circuito
equivalente cujo gate é diretamente ligado ao terra.
● A solução matemática pode ser
encontrada substituindo a Eq. 6.15 na

equação de Shockley, resultando em:
2
RS i D
(Eq. 6.16)
V
P
● A manipulação algébrica desta equa-

ção resulta em:
i D K 1 i D K 2=0
2
(Eq. 6.17)
45
onde os termos K1 e K2 são dados por:

2 I DSS RS −V
K 1 =V
P
P 2 (Eq. 6.18)
I DSS R S
2
VP
K 2= (Eq. 6.19)
R
S
● Naturalmente, a resolução da Eq. 4.17 resulta em duas

raízes possíveis para iD. A solução válida (iDQ) é sempre
a raiz de menor magnitude.

● UmaPolarização
vez determinada do JFET de dreno quiescente
a corrente
(iDQ) basta inseri-la na Eq. 6.15 para determinar a tensão
de gate quiescente (vGSQ).
46

● A resolução pelo método gráfico, consiste simplesmente
em traçar a curva de vGS sobre a curva de transferência
do JFET, previamente esboçada.
● A eq. de vGS neste caso é uma
reta (Eq. 6.15), cuja incli-
nação é dada por RS.
Reta
● Para traça-la basta a VGS = -RSiD
determinação de 2
pontos: iDQ
Ponto Q
● iD = 0 → vGS = 0
● iD = iarbitrário
→ vGS = RS.iarbitrário
vGSQ
47
47
● Ex.: Determine iDQ, vGSQ e vD para o circuito abaixo.
48
● Sol.: Arbitrando iD = 8 mA e aplicando-se o valor de RS =

1 k na Eq. 6.15 encontra-se vGS = -8 V e a reta de
autopolarização pode então ser traçada:
Reta vGS = 1 103iD
49
● A determinação do ponto quiescente pode então ser
feita pela interseção da reta de autopolarização com a
reta de carga do JFET:
v GSQ=−2,6 V
i DQ= 2,6 mA
v D=V DD − R D i DQ
−3
v D= 20V−3,3 ×10 ⋅2,6×10
3
v D=11,42 V
50
Polarização por Divisor de Tensão

● Caracteriza-se por fixar a polarização do gate sem a
necessidade de uma fonte dedicada e de forma mais
independente dos parâmetros de saída do JFET.
● Através dessa configuração
é possível ajustar o ponto
de operação do JFET
sem variar a resistência
RS, como ocorre na
autopolarização.
51
● Eliminando os capacitores para a análise de polarização,
pode-se determinar vG diretamente através do divisor de
tensão formado por R1 e R2, ou seja:
R2
v G =V DD (Eq. 6.20)
R1 R2
● Por outro lado, vGS é

dado por:
v GS = vG − v S
logo:
v GS = vG − R S i D (Eq. 6.21)
52
● O procedimento para determinar o ponto de operação
deste tipo de circuito de polarização é muito semelhante
ao da autopolarização, com a diferença que neste caso
a reta de polarização (Eq. 6.21) não parte mais da
origem dos eixos e sim do ponto iD = 0, vGS = vG.
● Outro ponto notável da
reta descrita pela Eq.
6.21 pode ser obtido
fazendo-se vGS = 0, o
que resulta em
iD = vG /RS.
53
● A corrente de dreno pode ser reduzida ou aumentada
conforme se aumenta ou diminui os valores de RS.
Aumentando os
valores de RS
54
Polarização do FET
● Ex.: Determine ID, VGSQ e VD para o circuito abaixo.

..--------- ...... ---0- +16 V
2Ak0
2.IMO
lOµF
---------~(-------ol'o
~o~~---11)...-----1~~~-~ .wi IDss:::: 8 mA
Vp =-4 V
SµF
270kll
l.S kO 20µF
- 55
● Sol.: Resolução pelo método gráfico.
56
Tipo de Polarização Configuração Principais Equações Solução Gráfica
Fixa
v GS =−V GG
Autopolarização
v GS = R S i D
Divisor de Tensão
v GS = vG − R S i D
R2
v G =V DD
R 1 R2

Bibliografia
● Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith,
“Microeletrônica”, 5ª Edição, Pearson, 2007.
● Behzad Razavi, “Fundamentos de
Microeletrônica”, 1º Edição, LTC, 2010.
● Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky,
“Dispositivos Eletrônicos e Teoria de
Circuitos”, 8º Edição, Prentice Hall, 2004.
● David Comer, Donald Comer, “Fundamentos de
Projeto de Circuitos Eletrônicos”, LTC, 2005.
● Jimmie J. Cathey, “Dispositivos e Circuitos
Eletrônicos”, 2ª Ed., Coleção Schaum,
Bookman, 2003.
58

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Transistores de Efeito de Campo (FET)

Transistores FET em diferentes encapsulamentos

● um canal SC responsável pela Região de

● Há dois tipos de JFETs: Fonte / Source

● JFET canal n; • JFET canal p.

● Estrutura básica do JFET canal n e canal p

Porta / Gate Porta / Gate

Fonte / Source Fonte / Source

elétrons num JFET canal n. Comumente

corrente de elétrons fluirá VGS

● Se a tensão vDS for suficientemente pequena, a região de

● Logo, a corrente através do 2a

● Enquanto vDS permanecer suficientemente baixo, a

● A partir vDS = VP a região de depleção aumenta a ponto

● Tensão de Pinch-off (VP) – ou tensão de estrangula-

Curva iD-vDS do JFET para vGS = 0

Aumento da resistência devido

Análise para vGS < 0V e vDS > 0V

negativo for vGS, mais estreito será o canal e menor será

Dispositivos Eletrônicos – Prof. Marcos Zurita

Curvas ID-VDS do JFET para VGS 0

● Conforme os valores de vDS e vGS, é possível estabele-

Características vDS-iDS de um JFET canal n

● Uma aproximação alternativa e mais simplificada pode ser

● Onde ro é a resistência do canal para vGS = 0, que,

● Região de Saturação (-VP vGS 0 e vDS VP - vGS)

● Tensão de Early (VA): graficamente, corresponde ao

● Alternativamente, a resistência ro definida

● É possível deduzir, a partir da simplificação da Eq.

● Região de Ruptura (vDS > VDSmax):

Ex: Esboce a curva de transferência para JFET de canal

Ex: Esboce a curva de transferência para JFET de canal

Algorítimo de Determinação da Polarização

ser encontrada simplesmente

● Ex.: Determine iDQ, vGSQ e vD para o circuito abaixo.

encontrada substituindo a Eq. 6.15 na

● A manipulação algébrica desta equa-

onde os termos K1 e K2 são dados por:

● Naturalmente, a resolução da Eq. 4.17 resulta em duas

Dispositivos Eletrônicos – Prof. Marcos Zurita

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● Ex.: Determine iDQ, vGSQ e vD para o circuito abaixo.

● Sol.: Arbitrando iD = 8 mA e aplicando-se o valor de RS =

Reta vGS = 1 103iD

Polarização por Divisor de Tensão

● Por outro lado, vGS é

● Ex.: Determine ID, VGSQ e VD para o circuito abaixo.

● Sol.: Resolução pelo método gráfico.

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