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[ Eletrônica Geral ] – [ Transistor Bipolar de Junção ]

ELETRÔNICA 1

Transistor Bipolar de Junção - TBJ


[ Parte 06 ]

Escola de Engenharia Elétrica, Mecânica e de


Computação

[ Prof. Dr. Marcos Antônio de Sousa ] [1]


[ Eletrônica Geral ] – [ Transistor Bipolar de Junção ]

Transistor Bipolar de Junção - TBJ


[ Parte 06 ]
Tópicos:
- Caracterizando os Amplificadores
- Amplificadores de Estágio Simples – Estrutura Básica
- Configuração Emissor Comum
- Circuito equivalente para pequenos sinais mais apropriado
- Resistência de Entrada – Rin
- Ganho de Tensão – Avo
- Resistência de Saída – Rout
- Ganho de Corrente – Ais
- Ganho de Tensão Global – Gv
- Configuração Emissor Comum com RE
- Circuito equivalente para pequenos sinais mais apropriado
- Resistência de Entrada – Rin
- Resistência de Saída – Rout
- Ganho de Tensão – Avo
- Ganho de Tensão Global – Gv
- Ganho de Corrente – Ais
[ Prof. Dr. Marcos Antônio de Sousa ] [2]
[ Eletrônica Geral ] – [ Transistor Bipolar de Junção ]
Transistor Bipolar de Junção – TBJ
[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ]

Caracterizando os Amplificadores:
𝒊𝒊 𝒊𝒐
Ganho de Tensão:
Com carga: Sem carga:
𝒗𝒊 𝒗𝒐 𝑣𝑜 𝑣𝑜
𝐴𝑣 ≡ 𝐴𝑣𝑜 ≡
𝑣𝑖 𝑣𝑖 𝑅𝐿=∞
𝑹𝒊𝒏
Ganho Total (Global) de Tensão:
Resistência de Entrada: Com carga: Sem carga:
Com carga: Sem carga: 𝑣𝑜 𝑣𝑜
𝑣𝑖 𝐺𝑣 ≡ 𝐺𝑣𝑜 ≡
𝑅𝑖𝑛 ≡
𝑣𝑖
𝑅𝑖 ≡ 𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅𝐿=∞
𝑖𝑖 𝑖𝑖 𝑅𝐿=∞
Ganho de Corrente:
Transcondutância de curto-circuito: Com Carga: De curto-circuito:
𝑖𝑜 𝑖𝑜 𝑖𝑜
𝐺𝑚 ≡ 𝐴𝑖 ≡ 𝐴𝑖𝑠 ≡
𝑣𝑖 𝑅𝐿=0 𝑖𝑖 𝑖𝑖 𝑅𝐿=0
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[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ]

Caracterizando os Amplificadores:
Resistência de Saída do Amplificador característico:

𝑣𝑥
𝑅𝑜 ≡
𝒗𝒊 =0 𝒗𝒙
𝑖𝑥 𝑣 𝑖=0

𝑹𝒐

Resistência de Saída:

𝒗𝒊 𝒗𝒙 𝑣𝑥
𝑅𝑜𝑢𝑡 ≡
𝑖𝑥 𝑣 𝑠𝑖𝑔=0
𝒗𝒔𝒊𝒈 =0 𝑹𝒐𝒖𝒕

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Transistor Bipolar de Junção – TBJ
[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ]

Caracterizando os Amplificadores: Relações:


Circuitos Equivalentes: 𝑣𝑖 𝑅𝑖𝑛
=
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅𝑖𝑛 +𝑅𝑠𝑖𝑔

𝑅𝐿
𝐴𝑣 =𝐴𝑣𝑜
𝑅𝐿 +𝑅𝑜

𝐴𝑣𝑜 = 𝐺𝑚 𝑅𝑜
𝑅𝑖𝑛 𝑅
𝐺𝑣 = 𝐴𝑣𝑜 𝐿
𝑅𝑖𝑛 +𝑅𝑠𝑖𝑔 𝑅𝐿 +𝑅𝑜

𝑅𝑖𝑛
𝐺𝑣𝑜 = 𝐴
𝑅𝑖𝑛 +𝑅𝑠𝑖𝑔 𝑣𝑜

𝑅𝐿
𝐺𝑣 = 𝐺𝑣𝑜
𝑅𝐿 +𝑅𝑜𝑢𝑡

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[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ]

Amplificadores de Estágio Simples:


Estrutura Básica: Correntes e Tensões DC:

Dados:
VCC = VEE = 10 [V]
I = 1 [mA]
RB = 100 [k],
RC = 8 [k]
 = 100

Parâmetros para pequenos sinais


+
do TBJ no Ponto de Polarização:
𝑉𝐵
VA = 100 [V]
- gm = 40 [mA/V]
rπ = 2,5 [k],
ro = 100 [k]
re = 25 []
 = 100
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Transistor Bipolar de Junção – TBJ
[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ] Configuração EMISSOR COMUM:
Amplificadores de Estágio Simples:
- A configuração EC é a mais amplamente empregada de todos os circuitos
amplificadores com TBJ.
- Para determinar as características terminais do
amplificador EC, isto é, sua Resistência de Entrada,
Ganho de Tensão, Ganho de Corrente e Resistência
de Saída, deve-se substituir o TBJ pelo modelo mais
conveniente para pequenos sinais.
- Polarizado com fonte de
corrente e um capacitor de
passagem, CE, conectando o
Emissor à terra.
- Os capacitores de acoplamento
CC1 e CC2 servem de curto-circuito
para os sinais e de circuito aberto
para as componentes de
polarização DC.

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[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ] Configuração EMISSOR COMUM:
Amplificadores de Estágio Simples:
Análise de sinal de um circuito amplificador com TBJ na faixa de frequências médias:
- O transistor é substituído por seu modelo de circuito equivalente mais apropriado (  ou T)
- As fontes de tensão DC ( VCC e VEE ) são substituídas por curtos-circuitos.
- A fonte de corrente DC constante ( I ) é substituída por um circuito aberto.
- Os capacitores são substituídos por curtos-circuitos.

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[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ] Configuração EMISSOR COMUM:
Amplificadores de Estágio Simples:
Circuito equivalente para pequenos sinais mais apropriado:
𝒊𝒊 𝒊𝒃 𝒊𝒄 𝒊𝒐
𝒗𝒐

𝒗𝒊

𝑹𝒊𝒏 𝑹𝒊𝒃 𝑹𝒐𝒖𝒕


𝑣𝑖 =𝑣π vi v
Rin   RB // Rib Rib  b Características da
ii ib configuração EC:
- Elevados ganhos de tensão
Modelo  é o mais e corrente;
apropriado para este - Resistência de entrada é
caso, porque não existe relativamente baixa e a
nenhuma resistência resistência de saída é
ligada em série com o relativamente elevada
terminal de Emissor (desvantagens da
do TBJ.. configuração EC).

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Transistor Bipolar de Junção – TBJ
[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ] Configuração EMISSOR COMUM:
Amplificadores de Estágio Simples: Rsig = 5 [k]
RB = 100 [k]
𝒊𝒊 𝒊𝒃 𝒊𝒄 𝒊𝒐 RC = 8 [k]
𝒗𝒐 RL = 5 [k]

VA = 100 [V]
𝒗𝒊 gm = 40 [mA/V]
rπ = 2,5 [k]
ro = 100 [k]
re = 25 []
𝑹𝒊𝒏 𝑹𝒊𝒃 𝑹𝒐𝒖𝒕
𝑣𝑖  = 100
𝑅𝑖𝑛 ≡
𝑖𝑖
Resistência de Entrada – Rin :
Exemplo:
v v
Rin  i  RB // Rib sendo Rib  b RB  100 [k] r  2,5 [k]
ii ib
Para o emissor aterrado resulta Rib  r Rin  RB // r 
Rin  100 // 2,5 [k]
Logo Rin  RB // r  RB //(   1) re
Rin  2,439 [k]
Geralmente escolhe-se RB  r vi
Assim Rin  r  (   1)re Rin   Rib  r  2,5 [k]
ii
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Transistor Bipolar de Junção – TBJ
[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ] Configuração EMISSOR COMUM:
Rsig = 5 [k]
Amplificadores de Estágio Simples: RB = 100 [k]
𝒊𝒊 𝒊𝒃 𝒊𝒄 𝒊𝒐 RC = 8 [k]
RL = 5 [k]
𝒗𝒐
VA = 100 [V]
gm = 40 [mA/V]
𝒗𝒊 rπ = 2,5 [k]
ro = 100 [k]
re = 25 []
 = 100
𝑹𝒊𝒏 𝑹𝒊𝒃 𝑹𝒐𝒖𝒕
𝑣𝑜 Exemplo:
𝐴𝑣𝑜 ≡
Ganho de Tensão – Avo : 𝑣𝑖 𝑅 𝐿=∞ ro // RC   100 // 8 [k]
v r ro // RC   7,407 [k]
v ( RB // r )
 que para RB  r resulta  Av  40  (7,407 // 5)
vsig ( RB // r )  Rsig vsig r  Rsig Av  119,40 [V/V]
Avo  40  7,407
Av  vo / vi sendo v  vi e na saída Av   gm (ro // RC // RL )
Avo  296,28 [V/V]
Avo é o ganho de tensão em circuito aberto (RL = ) ro∞:
𝑣𝑜 Avo  40  8
𝐴𝑣𝑜 ≡ Avo   g m (ro // RC )
𝑣𝑖 𝑅𝐿=∞ Avo  320 [V/V]
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[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ] Configuração EMISSOR COMUM:
Amplificadores de Estágio Simples: Rsig = 5 [k]
RB = 100 [k]
𝒊𝒊 𝒊𝒃 𝒊𝒄 𝒊𝒐 RC = 8 [k]
RL = 5 [k]
𝒗𝒐
VA = 100 [V]
𝒗𝒊 gm = 40 [mA/V]
rπ = 2,5 [k]
ro = 100 [k]
re = 25 []
𝑹𝒊𝒏 𝑹𝒊𝒃 𝑹𝒐𝒖𝒕  = 100
𝑣𝑥
𝑅𝑜𝑢𝑡 ≡ Exemplo:
Resistência de Saída – Rout : 𝑖𝑥 𝑣𝑠𝑖𝑔=0
Pelo equivalente de Thévenin: Rout  RC // ro Rout  ro // RC 
Rout  100 // 8 [k]
e para ro  RC ro    resulta Rout  RC
Rout  7,407 [k]
Equivalente de Thévenin:
Tira RL ro∞:
Aplica uma fonte de tensão vx no terminal de vo
Faz vsig= 0  ii =0  ib=0  vπ = rπib=0  Fonte de corrente aberta Rout  8 [k]
Determina ix oferecida pela fonte vx
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[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ] Configuração EMISSOR COMUM:
Amplificadores de Estágio Simples: Rsig = 5 [k]
RB = 100 [k]
𝒊𝒊 𝒊𝒃 𝒊𝒄 𝒊𝒐 RC = 8 [k]
RL = 5 [k]
𝒗𝒐
VA = 100 [V]
𝒗𝒊 gm = 40 [mA/V]
rπ = 2,5 [k]
ro = 100 [k]
re = 25 []
𝑹𝒊𝒏 𝑹𝒊𝒃 𝑹𝒐𝒖𝒕  = 100
𝑔𝑚 𝑣𝜋 = 𝛽𝑖𝑏
Exemplo:
Ganho de Corrente – Ais :
𝑖𝑜
𝐴𝑖𝑠 ≡ Ais  40  100 // 2,5
𝑖𝑖 𝑅 𝐿=0
Ais  97,56 [A/A]

RB >> rπ :
Ais  40  2,5
Ais  100 [A/A]

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Transistor Bipolar de Junção – TBJ
[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ] Configuração EMISSOR COMUM:
Rsig = 5 [k]
Amplificadores de Estágio Simples: RB = 100 [k]
𝒊𝒊 𝒊𝒃 𝒊𝒄 𝒊𝒐 RC = 8 [k]
RL = 5 [k]
𝒗𝒐
VA = 100 [V]
gm = 40 [mA/V]
𝒗𝒊 rπ = 2,5 [k]
ro = 100 [k]
re = 25 []
𝑣𝑜  = 100
𝑹𝒊𝒏 𝑹𝒊𝒃 𝑹𝒐𝒖𝒕
𝐺𝑣 ≡
𝑣𝑠𝑖𝑔 Exemplo:
𝑣𝑜
Ganho de Tensão Global – Gv : 𝐺𝑣𝑜 ≡ ro // RC // RL   100 // 8 // 5 [k]
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅 𝐿=∞
vsig ; Rin  ( RB // r ); vo   g m v (ro // RC // RL ) ro // RC   2,985 [k]
Rin
v  vi 
Rin  Rsig
 2,5k  40m  (2,985k )
Gv 
v
Gv  o  
( RB // r )
g m (ro // RC // RL ) 2,5  5k
vsig ( RB // r )  Rsig Gv  39,80 [V/V]
Para RB  r resulta:  2,5k  40m  (7,407 k )
 (ro // RC // RL ) Gvo 
Gv  
r g m (ro // RC // RL ) Gv   2,5  5k
r  Rsig r  Rsig Gvo  98,76 [V/V]
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[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ]
Configuração EMISSOR COMUM com RE:
Amplificadores de Estágio Simples:
- Polarizado com Fonte de Corrente (I), um capacitor de passagem, (CE), conectando
o Emissor à terra através da resistência de emissor (RE).
- Uma característica importante de incluir a resistência RE no emissor é para controlar
sinais de entrada maiores, sem cometer distorção não linear.
- Isso se justifica porque apenas uma fração do sinal de entrada na base (vi) ,
aparece entre a base e o emissor, v (vbe).
- A resistência de efeito Early (ro) está desconsiderada.
- Modelo T é o mais apropriado para este
caso, porque existe uma resistência RE
ligada em série com o terminal Emissor
do TBJ.
𝑅𝐸

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[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ]
Configuração EMISSOR COMUM com RE:
Amplificadores de Estágio Simples: Rsig = 5 [k]
RB = 100 [k]
Resistência de entrada – Rin : RC = 8 [k]
𝑣𝑖 RL = 5 [k]

vi 𝑅𝑖𝑛 ≡
R   R // R 𝑖𝑖 VA = 100 [V]
in B ib gm = 40 [mA/V]
ii rπ = 2,5 [k]
vi ro = 100 [k]
Rib  re = 25 []
ib  = 100
Exemplo:
vi  ie (re  RE ) Determine RE para Rin=4Rsig:
Rin  RB //(   1)(re  RE )  20[k]
i 𝑅𝐸
ib  (1   )ie  e (   1)(re  RE )  25[k]
 1
vi 25[k]
Rib   (   1)(re  RE ) RE   re A inclusão de
ib (   1) RE eleva Rin de
um fator
Rin  vi / ii  RB //(   1)(re  RE ) RE  225[] (1+g R )
m E

Rin (c / RE ) (   1)(re  RE ) Rin (c / RE ) RE


RB  r tem-se: R ( s / R )  ;  1   1  g m RE
Para
in E (   1)re Rin ( s / RE ) re
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[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ]
Configuração EMISSOR COMUM com RE:
Amplificadores de Estágio Simples: Rsig = 5 [k]
RB = 100 [k]
𝑣𝑥
Resistência de saída – Rout : 𝑅𝑜𝑢𝑡 ≡ RC = 8 [k]
𝑖𝑥 𝑣𝑠𝑖𝑔=0 RL = 5 [k]
Utilizando o Equivalente de Thevenin:
Fonte: VA = 100 [V]
Slides Profa. Mara Grace gm = 40 [mA/V]
EMC-UFG rπ = 2,5 [k]
ro = 100 [k]
r = 25 []
RE  225[] e = 100

Exemplo:

vx
Rout   RC
ix
Rout  8,0[k]

Fonte de corrente aberta

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[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ]
Configuração EMISSOR COMUM com RE:
Amplificadores de Estágio Simples: Rsig = 5 [k]
𝑣𝑜 RB = 100 [k]
Ganho de Tensão – Avo : 𝐴𝑣𝑜 ≡ RC = 8 [k]
𝑣𝑖 𝑅 𝐿=∞ RL = 5 [k]

VA = 100 [V]
gm = 40 [mA/V]
vi  ie (re  RE ) rπ = 2,5 [k]
r = 100 [k]
RE  225[] ro = 25 []
e
 = 100

Exemplo:
 RC
Avo  
re 1  RE / re  Av  12,307 [V / V ]
g m RC Avo  31,680 [V / V ]
vo  ie ( RC // RL ) Avo  
𝑅𝐸
1  RE / re 
vo  ( RC // RL )
Av   g R
vi re  RE  Sem carga RL:
Avo   m C
1  g m RE A inclusão de RE
( R // RL ) RC v re 1
reduz o Ganho
Av   C Avo     de Tensão de
re  RE  re  RE  vi re  RE 1  g m RE um fator (1+gmRE)

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[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ]
Configuração EMISSOR COMUM com RE:
Amplificadores de Estágio Simples: Rsig = 5 [k]
𝑣𝑜 RB = 100 [k]
𝑣𝑜
Ganho de Tensão Global – Gv : 𝐺𝑣 ≡ 𝐺 ≡ RC = 8 [k]
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑣𝑜 𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅𝐿=∞ RL = 5 [k]

Rin  vi / ii  (   1)(re  RE ) VA = 100 [V]


gm = 40 [mA/V]
rπ = 2,5 [k]
RE  225[] ro = 100 [k]
re = 25 []
 = 100

Exemplo:

Rin  20 [k]
Rsig  5 [k]
𝑅𝐸
Rin  ( RC // RL ) Av  12,307 [V / V ]
vi

Rin Gv  
vsig Rin  Rsig Rsig  Rin re  RE 20
Gv  12,307
20  5
v v v v  ( RC // RL )
Gv  o  i o  i Av Gv   Gv  9,845 [V / V ]
vsig vsig vi vsig Rsig  (   1)(re  RE )
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[ Capítulo 5, SEDRA e SMITH ]
Configuração EMISSOR COMUM com RE:
Amplificadores de Estágio Simples: Rsig = 5 [k]
𝑖𝑜 RB = 100 [k]
Ganho de Corrente – Ais : 𝐴𝑖𝑠 ≡ RC = 8 [k]
vi 𝑖𝑖 𝑅 𝐿=0 RL = 5 [k]
Rin   RB // Rib
ii VA = 100 [V]
Rin  vi / ii  RB //(   1)(re  RE ) gm = 40 [mA/V]
rπ = 2,5 [k]
vi  ie (re  RE ) RE  225[] ro = 100 [k]
re = 25 []
 = 100

Exemplo:

Rin  20 [k]
0,99  20k
Ais  
𝑅𝐸 25  225
Ais  79,20 [ A / A]
io  ie e ii  vi / Rin
Para RB  r Resulta:
io Rin ie Rin  ( RB // Rib )  (   1)(re  RE )
Ais      Ais    
ii vi re  RE  re  RE  re  RE 
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Transistor Bipolar de Junção – TBJ – Parte 06

Atividades para os alunos:

- Estudar o capítulo 5, seções 5.7.1, 5.7.2, 5.7.3 e 5.7.4.

- Fazer exercícios: páginas: 286 até 296.

- Fazer problemas de final de capítulo: 5.65, 5.66, 5.67 e 5.70.

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