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Introdução
Vem de longa data o interesse do homem em ampliar imagens, a fim de poder observar o
comportamento do mundo microscópico e relacioná-lo com os acontecimentos nas dimensões
sensíveis diretamente às percepções humanas. A resolução dos olhos humanos, que é a menor
distância distinguível entre dois pontos, está entre 0,1 e 0,2 mm. A utilização de um microscópio
aumenta esta resolução para distâncias muito menores, podendo chegar a níveis atômicos.
A imaginação humana busca também na microscopia um amparo para a confirmação de suas
hipóteses, sendo ela mesma um primeiro microscópio racional através da criação de modelos. Estes
modelos servem para a compreensão das estruturas que comportam os fenômenos. É um tanto
comum ouvir a frase: “ Lá dentro do material deve estar acontecendo tal coisa, o que deve explicar
porque ele está se comportando assim”.
Logo, a possibilidade de observar fenômenos ou estruturas, diretamente com auxílio de um
equipamento, é de vital importância para a geração de ciência.
A idéia intuitiva aceita é de que para “ver” é necessário que alguma coisa interaja com o que
deve ser visto e alcance uma fonte sensora, portando a informação. Uma visão direta seria algo
interpretável através dos olhos.
Os nossos olhos são sensíveis a uma faixa do espectro electromagnético (de 450 a 650 nm),
cuja percepção é capaz de processar uma imagem em nosso cérebro. Porém, a própria luz visível
carrega um limite de resolução, dependendo das dimensões que se deseja observar.
A menor distância de resolução é dada pelo critério clássico de Rayleigh:
0,61 λ
δ= (1)
µ senβ
1
1.2 O elétron como luz
A descrição das propriedades básicas do elétron, através da Mecânica Quântica, afirma que
seu comportamento pode ser tanto de partícula como de onda. Portanto, ao momentum (p) do
elétron está associado um comprimento de onda ( λ ) através da constante de Plack (h). Esta relação
é calculada pela equação de De Broglie :
h
λ= (2)
p
O momentum final, em termos clássicos, de um elétron com carga “e” e massa m0, acelerado
dentro de um potencial V, é dado por
p = m 0 v = (2 m 0 eV)1/2 (3)
h
λ= (4)
(2 m 0 eV)1/2
h
λ= 1/ 2
(5)
eV
2m 0 eV1 + 2
2 m0c
2
1.3 Microscópio Eletrônico de Transmissão (TEM)
Dentre as técnicas atuais, a mais poderosa para a observação direta de estruturas, formando
imagens a níveis atômicos, é o TEM (Transmission Electron Microscope). Uma ilustração de
imagem está na figura 1. Ele também gera padrões de difração que contêm informações da estrutura
cristalina, como a repetibilidade das distâncias na rede e sua forma.
Os primeiros pesquisadores a desenvolverem a idéia de um microscópio utilizando um feixe de
elétrons foram Knoll e Ruska, em 1932. O primeiro TEM comercial foi construído em 1936, no
Reino Unido, e o início de uma produção regular começou com a Siemens e Halske, na Alemanha,
em 1939.
Devido a sua maneira de operação, que consiste em um feixe eletrônico incidindo sobre a
amostra, aparecem sinais secundários, como, por exemplo, elétrons Auger e raios-X. Geralmente,
os TEMs possuem paralelamente equipamentos para detectar tais elétrons ou raios-X, que ajudam
na sondagem da composição química, cristalografia e imagens da superfície da espécimem em
análise.
Apesar de ser uma técnica microscópica poderosa, ela também apresenta algumas limitações:
1. Amostragem. Paga-se um alto preço por uma imagem de alta resolução, onde se vê somente
uma parte muito pequena da amostra. Em geral, quanto maior a resolução, menor a amostragem.
2. Imagens 2D. A imagem é uma média através da espessura da amostra. Portanto, é necessário
tomar cuidado na interpretação da imagem, pois ela é bidimensional enquanto a amostra está
em três dimensões.
3. Danos causados pelo feixe de elétrons. O feixe de elétrons funciona como uma radiação
ionizante, danificando a amostra, especialmente se ela for cerâmica ou polímeros.
4. Preparação de amostras. Esta é a maior limitação do TEM. As amostras devem ser
suficientemente finas, na ordem de micrometros ou menos, para que a intensidade de feixe que a
atravessa consiga gerar uma imagem interpretável. O processo para preparar tais amostras pode
afetar sua estrutura e composição.
3
Figura 1. Imagem feita no Microscópio Eletrônico do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron. O
contraste observado corresponde ao nível atômico.
4
2. O Instrumento
5
Figura 3 . Desenho da parte interna do microscópio eletrônico JEM-3010.
6
2.1 Breve descrição do funcionamento
7
2.2 Canhão de elétrons
Dois são os processos empregados usualmente para a geração de elétrons: fonte termo iônica e
fonte de emissão por efeito de campo.
Φ
-
J = AT e2 k BT
(6)
Pela equação, observa-se que para produzir maiores densidades de corrente os materiais devem
possuir alto ponto de fusão e/ou baixo valor para Φ . Dentro destas características,os mais utilizados
para a fabricação de filamentos são o tungstênio (fusão em 3660 K) e o LaB6 ( Φ = 2,4 eV).
O desenho esquemático de uma fonte termo iônica está na figura 5. Uma alta tensão é aplicada
entre o filamento e o anodo, tendo suas linhas equipotenciais desenhadas pelo cilindro de Wehnelt,
de forma a agir como lente focalizadora. A Wehnelt é uma simples lente eletrostática, a primeira
lente do microscópio. O foco dos elétrons ocorre no “ crossover” , com um diâmetro d0 e ângulo de
divergência/convergência α 0 . Esta diferença de potencial entre o filamento e o anodo é o que
define a energia do feixe de elétrons que incidirá sobre a amostra.
Por serem de menor custo e de maior estabilidade, as fontes termo iônicas são as mais
utilizadas em TEM.
8
Figura 5. Diagrama esquemático de uma fonte termo iônica. Uma alta tensão é aplicada entre
o filamento e o anodo, e trabalhada pelo Wehnelt. Este atua focalizando elétrons em um
“crossover” com diâmetro d0 e um ângulo de convergência/divergência α 0 .
As fontes de emissão por efeito de campo (FEGs – field emission guns) são em muitos
aspectos bem mais simples do que as termo iônicas. Seu princípio básico de funcionamento é a
criação de campos elétricos intensos em formas pontiagudas. Por exemplo, uma ponta de
tungstênio, com raio menor do que 0,1 microm, pode gerar sob um potencial de 1keV um
campo elétrico de 1010V/m, baixando significativamente a barreira de potencial (função
trabalho) e permitindo assim o tunelamento dos elétrons para fora do tungstênio.
Sua utilização é requisitada quando deseja-se altos brilhos (densidade de corrente por
unidade de ângulo sólido), coerência (mesma fase entre os elétrons) e monocromaticidade
(mesma energia).
9
2.3. Lentes magnéticas e aberturas
1 1 1
+ = (7)
u v f
v
M= (8)
u
10
Figura 6. Diagrama de raios completo para um objeto finito, simetricamente posicionado em torno
do eixo ótico.
Na formação da imagem, todos os raios que saem de um ponto do objeto convergem para
um ponto no plano imagem (podendo ter um fator de ampliação, conforme a lente), sendo
obviamente este o plano ideal para a sua projeção (figura 7).
Figura 7. Formação de uma imagem real. (As lentes magnéticas são sempre convexas).
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Caso se deseje obter informações sobre a estrutura cristalina, o plano focal é o apropriado
para coletar os padrões de interferência provenientes das difrações ocorridas na rede do cristal
(figura 8 ). Neste plano, todos os raios que chegam paralelos à lente (que saem com o mesmo
ângulo da amostra) convergem para um ponto, sendo que para cada ângulo corresponde um ponto
distinto. Se λ for o comprimento de onda incidente, d a distância entre as fendas (centros
espalhadores), os máximos de interferência ocorrerão em
Figura 8 . Projeção dos raios paralelos provenientes de uma rede de difração sobre o plano focal.
Para magnificar a imagem (ou o padrão de difração) é necessário colocar o objeto muito
perto da lente, fazendo “u” pequeno e consequentemente M grande, conforme a equação 8. Faz-se
isto repetidamente com diversas lentes para se conseguir uma boa magnificação (20.000 a 100.000
vezes).
Logo, um dos grandes desafios tecnológicos é conseguir fazer lentes magnéticas que estejam
muito próximas do objeto que se quer magnificar.
12
2.3.2 Lentes magnéticas
F=-e(E + v × B) (10)
Como, tecnologicamente, é mais fácil produzir altos campos magnéticos, devido aos
materiais ferromagnéticos e supercondutores, do que campos elétricos intensos, que exigem
altíssimas tensões; as lentes são geralmente magnéticas.
A figura 9 mostra um diagrama esquemático de uma lente magnética. Esta consiste em um
núcleo ferromagnético macio, com simetria cilíndrica e um furo central. O campo magnético B
possui simetria rotacional em torno do eixo z (eixo ótico), e a componente Bz é descrita
aproximadamente pela equação ( campo em forma de sino):
B0
Bz = (11)
1 + (z / a) 2
onde B0 denota o campo máximo no centro da lente e 2a é a largura entre os campos com a metade
do valor máximo.
O conhecimento de Bz sobre o eixo é suficiente para o cálculo da componente Br, que está
fora do eixo. Utilizando a lei de Gauss, div B = 0, tem-se que:
r ∂B z rz B0
Br = - = 2 (12)
2 ∂z a z2
(1+ 2 )2
a
Quando um elétron entra neste campo B, ele espirala em trajetórias helicoidais em direção
ao eixo z (figura 10)
13
Figura 9. Desenho esquemático de uma lente magnética projetando uma imagem. ϕ é o ângulo de
rotação da imagem.
Z
0.0
-0.0015
-0.0010
-0.0005
0.0000
X
0.0005
0.0010
0.0005
0.0010 0.0000
-0.0005
-0.0010
Y
Figura 10. Trajetória de um elétron em um campo magnético descrito pela equação 11, entrando
na lente paralelo ao eixo ótico ( x, y = 0 ) e com uma dada energia U.
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Se a energia do feixe aumenta, deve-se utilizar lentes mais fortes, ou seja, maiores B, para
focalizar os elétrons dentro da lente. Ou seja, as posições das lentes magnéticas são fixas dentro do
microscópio, e o controle do seu foco é feito através da intensidade de seu campo magnético.
A figura 11 exemplifica um conjunto de lentes magnéticas.
Figura 11. Localização das lentes magnéticas do microscópio JEM 3010 . Rever as figuras 2 e 3 .
15
2.3.3 Aberturas e diafragmas
As aberturas são buracos circulares em um disco metálico. Este disco chama-se diafragma
(figura 12).
As lentes magnéticas são muito imperfeitas. Estas imperfeições limitam a resolução, mas
melhoram as profundidades de campo e de foco.
Seus principais defeitos são a criação de aberração esférica, aberração cromática e
astigmatismo.
1
Assegura que toda a espessura de uma amostra que está sendo vista está em foco.
2
Mostra o quão distante uma tela ou filme fotográfico pode ser deslocado sobre o eixo do microscópio, mantendo
satisfatória a focalização da imagem.
16
a) Aberração esférica: este defeito é causado pelo campo da lente agir de forma inomogênea
sobre os raios fora do eixo central. Isto é, quanto mais longe do eixo o elétron está, mais
fortemente é curvado em direção a ele. Como resultado, um ponto do objeto é projetado
como um disco de tamanho finito na imagem, limitando as possibilidades de magnificação.
b) Aberração cromática: aparece devido a não monocromaticidade do feixe. Este problema não
vem do sistema de iluminação, mas dos elétrons com várias energias que emergem da
amostra após sua interação com o feixe. A lente objetiva curva os elétrons de menor energia
mais fortemente contra o eixo, fazendo novamente um ponto do objeto corresponder a um
disco na imagem. Esta aberração pode ser diminuída fazendo as amostras mais finas.
c) Astigmatismo: surge porque os elétrons sentem um campo magnético não uniforme quando
eles helicoidam em redor do eixo ótico. Isto ocorre porque as peças polares não são
perfeitamente cilíndricas ou por inomogeneidades microestruturais do núcleo ferro-
magnético que causam variações locais de campo. Felizmente, este tipo de distorção de
imagem pode ser compensada com a introdução de octupolos magnéticos.
3. A amostra iluminada
Quando o feixe de elétrons ilumina a amostra, vários processos físicos ocorrem que portam
informações desta interação. A figura abaixo esquematiza os sinais gerados.
Figura 13. Sinais gerados quando um feixe de elétrons de alta energia interage com a amostra.
17
Em microscopia eletrônica de transmissão o interesse está em capturar os elétrons que
atravessam a amostra quase sem se desviar da direção do feixe incidente. Estes elétrons são
provenientes especialmente de espalhamentos elásticos, isto é, sem perda de energia, com os
centros espalhadores.
As primeiras amostras analisadas eram amorfas em sua estrutura, isto porque os processos
para a sua preparação estavam limitados. A explicação das imagens formadas baseava-se na
teoria de espalhamento clássico (Rutherford):
Considerando-se que uma amostra é composta por partículas (centros de espalhamento)
mais densas que o feixe de elétrons, na posição destas partículas ocorrem os maiores
espalhamentos. Portanto, se após a amostra iluminada houver um anteparo no qual seja
projetado o feixe que a atravessa, a imagem formada será um “contraste” de regiões claras e
escuras, onde a parte escura corresponde ao centro espalhador. Se a amostra é composta por
elementos de grande número atômico, estes apresentam alto grau de espalhamento elástico,
resultando em imagens de ótimo contraste. Porém, se os elementos forem de baixo número
atômico, haverá grande proporção de choques inelásticos, que reduzem o contraste e a
resolução.
A probabilidade de que um dado espalhamento ocorra está relacionado com a secção de
choque σ . No caso de um espalhamento elástico, a secção de choque ( σ = π re2 ) depende
especialmente da energia dos elétrons ( V é o potencial do feixe), do número atômico do átomo
espalhador (Z) e θ do ângulo de espalhamento (figura 14).
Ze
re = (13)
Vθ
18
Figura 14. Elétrons espalhados por um átomo isolado. Os elétrons são espalhados através de
um semi ângulo θ e o ângulo sólido total do espalhamento é Ω .
Quando foi possível começar a analisar cristais, por volta de 1940, a explanação do
parágrafo anterior não satisfazia, em especial pela visualização dos padrões de difração. O
tratamento então baseou-se em Mecânica Quântica, onde os comportamentos corpusculares e
ondulatórios estão presentes. Em outras palavras, o tratamento Rutherford clássico para definir a
secção de choque nos espalhamentos não pode ser utilizado para um cálculo correto, porque
ignora a natureza ondulatória do feixe de elétrons.
Considera-se, nesta visão, que os espalhamentos elásticos ocorrem quando uma frente de
ondas, associada aos elétrons do feixe incidente, interage com a amostra como um todo.
Seguindo o modelo de Huygens para a difração da luz visível, pode-se imaginar que cada átomo
na amostra, após receber a frente de ondas, age como uma fonte secundária de ondas esféricas,
conforme ilustradado na figura 15 .
19
Figura 15. Uma onda plana coerente associada ao elétron interangindo com uma linha de
centros espalhadores (átomos da amostra).
Olhando agora para a figura 16, considera-se que ao feixe de elétrons incidentes esteja
associado uma onda de amplitude Ψ0 e uma fase 2 π kr:
Ψ = Ψ0 e 2π i kr (14)
e 2π i kr
Ψ1 = Ψ0 f (θ ) (15)
r
20
Figura 16. Geração de uma onda espalhada devido à interação de uma onda plana com um
centro espalhador.
dσ (θ )
f (θ )
2
= (16)
dΩ
átomo isolado e f (θ )
2
é proporcional à intensidade do espalhamento.
E
2
1 +
λ
f (θ ) = 2
E0
(Z - f x ) (17)
8 π a 0 sen θ
2
21
onde a0 é o raio de Bohr, E0 é a energia dos elétrons incidentes e fx é um fator bem conhecido de
espalhamento para raio-X.
Da fórmula (17) pode-se ver que f( θ ) diminui com o aumento de θ , diminui com o
aumento do potencial acelerador ( λ diminui) e aumenta com Z.
22
A figura 18 apresenta qualitativamente como o fator de espalhamento varia, em um arranjo
de átomos, em função do ângulo de espalhamento para um material amorfo (A) e um cristalino
(B).
Na espécie cristalina, a intensidade do feixe difratado é máxima em alguns ângulos
específicos devido ao espaçamento interplanar ser fixo.
Figura 18. Variação de f(θ ) para uma amostra amorfa (A) e para uma amostra cristalina (B).
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Tornando a olhar para a figura 15, observam-se várias ondas difratadas nos centros
espalhadores. Dependendo da posição, estas ondas podem reforçar umas as outras (interferência
construtiva), quando elas estão em fase (coerentes), ou cancelar umas as outras (interferência
destrutiva, se estiverem fora de fase.
Usualmente é utilizada a lei de Bragg para descrever a difração, que supõe que as ondas
comportam-se como se fossem refletidas nos planos atômicos (figura 19). As ondas que são
refletidas em centros espalhadores adjacentes devem ter uma diferença de trajetória igual a um
número inteiro de comprimentos de onda, para elas permanecerem em fase. Assim, se os planos
atômicos de reflexão estão espaçados de uma distância “d”, e uma onda de comprimento λ
incide e reflete com um ângulo θB, a condição para haver coerência é satisfeita se
n λ = 2 d sen θ B (18)
Figura 19. Descrição de Bragg da difração, em termos da reflexão de ondas planas por planos
da rede cristalina, com espaçamentos de dhkl .
24
“TEM é uma técnica apropriada para tirar vantagem do espalhamento dos elétrons, porque ela
pode formar uma imagem e um padrão de difração das distribuição dos elétrons espalhados. A
combinação do padrão de difração e da imagem é a mais poderosa ferramenta para a caracterização
de cristais e seus defeitos”.
Esta é a maneira mais direta para a observação. A tela é revestida de um material fosfo ou
fluorescente, geralmente ZnS dopado com impurezas, para emitir luz verde perto dos 550nm. A
quantidade de luz emitida é proporcional à intensidade de elétrons que chegam em cada ponto
da tela. A resolução está associada ao tamanho de grão, que geralmente é menor do que 100µm.
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4.2 Emulsões fotográficas
Apesar do filme fotográfico ser o mais antigo processo de gravação de imagem, ele ainda
possui várias vantagens para continuar em uso nos TEMs, dentre as quais o preço e a resolução.
As emulsões fotográficas são suspensões granuladas em gel de haleto de prata que, quando
recebe um elétron, ioniza-se e transforma-se em prata.
Embora o tamanho de grão dos filmes seja de 4-5 µm, a resolução da imagem é de 20 –50
µm, devido à dispersão dos elétrons na emulsão. Mesmo com esta degradação, um filme como o
Kodachrome de 10 x 10 cm possui 1,8 x 107 pixels.
As melhores câmeras de TVs para a observação de imagens são as com sensores CCDs
(Charge Coupled Devices). CCDs são dispositivos MOS que armazenam a carga gerada pela
luz ou pelo feixe de elétrons, sendo que este acúmulo de cargas é proporcional à intensidade do
feixe incidente. Os arranjos CCDs consistem em milhares ou milhões de “pixels”, dependendo
da resolução desejada, os quais são eletricamente isolados um dos outros pela criação de poços
de potenciais em cada célula. Usualmente, as células possuem dimensões menores do que 6µm.
Os arranjos CCDs têm a vantagem de, quando resfriados, terem um ruído muito baixo, um
bom DQE (eficiência de detecção quântica), menor do que 0,5, mesmo para sinais fracos e um
alto alcance dinâmico (leitura de intensidades). Porém, sua velocidade de leitura é pequena
(cerca de 0,01s por amostragem).
Os CCDs irão eventualmente tomar o lugar dos filmes fotográficos, pois o tamanho de cada
célula é quase comparável ao dos grãos de haleto de prata, e o manuseio da imagem (impressão,
armazenagem e inserção em textos através dos computadores) é muito mais prático. Outra
vantagem é a não degradação da imagem através dos anos, pois está armazenada em sinais
binários.
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5. Preparação de amostras
Existem diversas maneiras de preparar as amostras a serem analisadas, sendo este o aspecto
mais tedioso em TEM. O método escolhido depende do tipo de material e da informação que se
deseja obter. Deve-se ter sempre em mente que a preparação da amostra não deve afetar as suas
características. A qualidade dos dados é diretamente proporcional a qualidade da amostra. A única
regra geral que existe entre os processos, com algumas exceções, é que, quanto mais fina a amostra,
melhor.
Há dois tipos de amostras de acordo com o seu manuseio: auto-sustentáveis ou dispostas em
grades. Se a amostra for auto sustentável, então toda a estrutura é de um mesmo material,
suficientemente resistente. Porém, caso não o seja, é necessário dispô-la em um porta amostra,
sendo este um disco com cerca de 3mm de diâmetro, geralmente com grades entrelaçadas.
A estabilidade mecânica é crucial, pois, por serem extremamente finas, qualquer vibração
durante o manuseio de preparação ou instalação no microscópio, pode quebrar as amostras.
Alguns dos métodos mais utilizados estão sucintamente descritos a seguir.
5.1.1 Pré-afinamento
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quebradiços, como as cerâmicas, eles podem ser clivados com uma lâmina, cortados com
ultramicrotomia, ou com serra de diamante.
A próxima etapa é afinar o centro do disco, minimizando as irregularidades da superfície
através de processos mecânicos ou químicos.
O processo mecânico mais usual consiste em uma ferramenta de pequeno raio, que desbasta
e pole o disco (amostra) no seu centro, com um raio fixo de curvatura, alcançando menos do que 10
µm. Também se utiliza um polidor de tripé, que é um dispositivo que segura a amostra enquanto
esta está sendo trabalhada pela politriz. Com ele, conseguem-se espessuras menores do que 1 µm.
Geralmente, em semicondutores como Si ou GaAs, o desbaste da amostra é feito
quimicamente. Incide-se sobre um disco de Si um jato de HF e HNO3. O HNO3 oxida o Si e o HF
remove o SiO2. No caso de GaAs, utiliza-se Br e metanol.
5.1.2.1 Eletropolimento
28
Figura 21. Jato polidor clássico ejetado com pressão constante. A voltagem é aplicada entre a
ponta da pipeta e a amostra. Um feixe de laser e um sensor ótico detectam quando a amostra fica
transparente e cortam o fluxo eletrolítico imediatamente.
Figura 22. Desbaste iônico.O Ar é drenado para uma câmara de ionização, onde um potencial de
6kV cria um fluxo de íons de Ar sobre a amostra que está girando.
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5.2 Preparação das amostras em grades
Esta opção consiste em dispor pequenas porções de uma amostra, que geralmente está em
forma de partículas, sobre filmes estendidos sobre as grades do porta-amostra (figura 20). Estes
filmes podem ser amorfos ou cristalinos.
Uma fina lâmina metálica é imersa em um eletrólito, circundado por um catodo e uma
voltagem é aplicada. A voltagem correta pode assegurar que uma camada viscosa do eletrólito
forme-se na superfície da amostra, garantindo um afinamento uniforme e controlado. Após várias
rotações, a lâmina ficará mais fina no centro, ocorrendo a perfuração. Ela é então retirada e as suas
farpas na região da perfuração são removidas em um solvente inerte. Estas farpas ficam flutuando
no solvente e são coletadas pelo porta amostra gradeado. Após a secagem, estão prontas para
serem observadas.
5.2.2 Ultramicrotomia
5.2.3 Trituração
Materiais quebradiços, como cerâmicas e minerais, são mais facilmente preparados quando
triturados em um cadinho com líquido inerte. O líquido é mexido com ultrasom. Uma gota deste
líquido é pingada sobre um filme de carbono que está estendido sobre a grade do porta amostra.
Após a evaporação do líquido, as partículas ficam distribuídas sobre este filme.
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Figura 23. Amostra cunhada a 900, preparada pelo setor de Microscopia Eletrônica do
Laboratório Nacional de Luz Síncrotron.
5.2.5 Litografia
Figura 24. Desbaste de uma amostra de várias camadas. Desbastando a maior parte da amostra,
consegue-se um pequeno platô, com dimensão menor que 50 nm. Se esta região é girada 900 e
montada em um suporte, a interface fica paralela ao feixe de elétrons.
31
6. Comentários Finais
Este trabalho foi montado sob uma estrutura pessoal, tentando abordar de uma maneira
simples a maior parte dos tópicos básicos de TEM.
A bibliografia básica foi o livro de Williams e Carter, porém, as entrelinhas foram preenchidas
com todas as bibliografias abaixo citadas, além das conversas com o pessoal do setor de
Microscopia Eletrônica do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron.
- David B. Williams and C. Barry Carter, Transmission Electron Microscopy – A Textbook for
Materials Science, Plenum Press, New York and London, 1996.
- T.G. Rochow and P.A.Tucker, Introduction to Microscopy by Means of Light, Electrons, X-
Rays or Acoustics, Plenum Press, New York and London, 1994.
- Ludwig Reimer, Transmission Electron Microscopy – Physics of Image Formation and
Microanalysis, 4.ed., Springer, 1997.
- The Encyclopedia of Advanced Materials / Editors, D. Bloor et al, England, Pergamon, 1994.
- Eisberg, R.M. Fundamentos de Física Moderna, Guanabara Dois S A, 1979.
- D. Halliday and R. Resnick, Física 4 , 4. Ed., Livros Técnicos e Científicos Editora S A, 1984.
32
Microscopia
Eletrônica
de
Transmissão
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