ELETRÔNICA

PROF.: ESP. DANIEL GONÇALVES ARAUJO

SIMULADORES

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SIMULADOR

Um simulador é um aparelho/software capaz de reproduzir e simular o comportamento de algum sistema. Os simuladores

reproduzem fenómenos e sensações que na realidade não estão ocorrendo.

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SOFTWARE DE SIMULAÇÃO

• Multisim (http://www.ni.com/multisim/pt/)
• Proteus 8.1
• Psim (https://powersimtech.com/products/psim/)
• Pspice (http://www.pspice.com/)
• OrCAD (https://www.orcad.com/pt)
Sites:

https://www.embarcados.com.br/ferramentas-para-design-de-circuitos-eletronicos/

https://www.te1.com.br/2016/04/os-10-melhores-simuladores-de-circuito-online/

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PLATAFORMA TINKERCAD

Plataforma da Autodesk derivada da Autodesk 123D (https://circuits.io/) que permite a criação de modelos 3D e a
simulação de circuitos.

• https://www.tinkercad.com/

Nós iremos utilizar esta plataforma pelos recursos que ela apresenta e a facilidade para visualizar componentes.

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AMBIENTE DE
DESENVOLVIM
ENTO DE
CIRCUITOS
O ambiente de desenvolvimento
do Tinkercard é intuitivo sendo
separados Desenhos para
modelos 3D e Circuits para
circuitos eletrônicos.

Vamos em “Create new Circuit”

para começar.

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 A interface principal tem os seguintes botões no canto
esquerdo:

• Rotate: Responsável por girar o componente 45° no

sentido horário;

• Delete: Exclui o componente selecionado;

• Zoom To Fit: Da um zoom no projeto sobre todo espaço
de trabalho;

• Undo: Retorna uma ação.

• Redo: Refaz a ultima ação;

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 Na lateral esquerda você tem acesso ao:

• Code Editor: Quando na presença de um

microcontrolador ele permite editar o código e fazer
upload;

• Components: Contém os principais componentes

utilizados por Makers para fazer seus projetos;

• Start Simulation: Inicia e encerra a simulação”.

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EDITOR DE CÓDIGO

Lado direito:

• Seleciona o microcontrolador ou board;

• Upload & Run: Faz upload do código em tempo real e
executa.

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Lado direito:

• Libraries: Da acesso as bibliotecas padrões do

microcontrolador que podem ser adicionadas ao código;

• Download Code: Permite baixar o código para sua

máquina afim de usar os componentes reais;

• Debugger: Inicia a depuração do programa;

• Serial Monitor: Permite ver a porta serial via protocolo
UART afim de enviar e receber informações.

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COMPONENTES

Lado esquerdo:

• Basic Components: Listas os principais componentes

utilizados em projetos;

• All Components: Disponibiliza todos os componentes

disponíveis na plataforma;

• Starters: Projetos prontos disponível na plataforma.

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Lado direito:

• Search: Barra de pesquisa.

• Modo: Muda o modo como os componentes são
listados dando mais informações sobre o mesmo.

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FONTE DE
CORRENTE OU
TENSÃO
• Fonte de Corrente: um dispositivo
elétrico ou eletrônico que mantém uma
corrente elétrica constante entre seus
terminais independente da tensão elétrica
que tenha que impor entre os mesmos
para estabelecer o valor nominal de sua
corrente.
• Fonte de Tensão: um dispositivo elétrico
ou eletrônico que mantém uma diferença
de potencial constante entre seus
terminais independente da corrente
elétrica que tenha que impor entre os
mesmos para estabelecer o valor nominal
de sua corrente.

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FONTE DE BANCADA (POWER SUPPLY)

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PRATICA (FONTE DE BANCADA)

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VOLTÍMETRO

Dispositivo eletrônico analógico ou digital responsável por

aferir a diferença de potencial em determinado circuito.

Possui a como característica uma alta resistência interna.

OBS: Deve ser usado em paralelo ao dispositivo ou

circuito, ao qual, deseja obter o valor de tensão.

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AMPERÍMETRO

Dispositivo eletrônico analógico ou digital responsável por

aferir a corrente em determinado circuito.

Possui a como característica uma baixa resistência

resistência interna.

OBS: Deve ser utilizado em série com o circuito ou

dispositivo, ao qual, deseja obter a corrente.

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OHMÍMETRO

Um Ohmímetro é um instrumento de medida elétrica que

mede a resistência elétrica.

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PRATICA (UTILIZAÇÃO DO MULTÍMETRO)

Essa pratica tem como finalidade aprender a utilizar o

multímetro como instrumento de medição.

Função:

• Amperímetro: Utilizado para medir a corrente.

• Voltímetro: Utilizado para medir a tensão.
• Ohmímetro: Utilizado para medir a tensão.

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MEDINDO AS RESISTÊNCIA

OBS: Antes de qualquer pratica todas as resistências

devem ser aferidas.

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 Passos:

1. Calcule a tensão e a corrente em cada um dos

resistores.

2. Utilizando o multímetro mensure cada uma das

tensões do circuito.

3. Compare essas grandezas com as calculadas.

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RESOLUÇÃO POR MALHA

MALHA 1 MALHA 2
𝐼1 𝑅1 + 𝐼1 − I2 R 2 − VCC = 0 − 𝐼1 − I2 R 2 + 𝐼2 𝑅3 + 𝐼2 𝑅4 = 0
𝐼1 𝑅1 + 𝐼1 − I2 R 2 = VCC −𝐼1 𝑅2 + 𝐼2 𝑅2 + 𝐼2 𝑅3 + 𝐼2 𝑅4 = 0
𝐼1 𝑅1 + 𝐼1 𝑅2 − 𝐼2 𝑅2 = 𝑉𝐶𝐶 −𝐼1 𝑅2 + 𝐼2 𝑅2 + 𝑅3 + 𝑅4 = 0
−100kΩ𝐼1 + 100kΩ + 200kΩ + 200kΩ 𝐼2 = 0
𝑅1 + 𝑅2 𝐼1 − 𝐼2 𝑅2 = 𝑉𝐶𝐶
−100kΩ𝐼1 + 500kΩ𝐼2 = 0
100kΩ + 100kΩ I1 − 100kΩI2 = 9V
200kΩI1 − 100kΩI2 = 9V

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 200kΩI1 − 100kΩI2 = 9V
ቈ
−100kΩ𝐼1 + 500kΩ𝐼2 = 0

Multiplicando a equação 2 e somando com 1:

900𝑘ΩI2 = 9V
9𝑉
𝐼2 =
900𝑘Ω
𝐼2 = 10𝜇𝐴

Utilizando a equação 1 temos:

200kΩI1 − 100kΩ ∗ 10𝜇𝐴 = 9V
200𝑘Ω𝐼1 − 1𝑉 = 9𝑉
200𝑘Ω𝐼2 = 10𝑉
10𝑉
𝐼2 = = 50𝜇𝐴
200𝑘Ω

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GERADOR DE FUNÇÃO

Um gerador de funções é um aparelho eletrônico utilizado

para gerar sinais elétricos de formas de onda, frequências
(de alguns Hz a dezenas de MHz) e amplitude (tensão).
Eles em sua maioria são utilizados para gerar os seguintes
tipos de ondas:

• Senoidal
• Quadrada
• Triangular

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OSCILOSCÓPIO

É um dispositivo que permite visualizar a variação da

tensão em uma tela.

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PRATICA (GERADOR E OSCILOSCÓPIO)

• Monte o circuito ao lado;

• Configure o gerador de função para cada uma das
configurações apresentadas no slide 27;

• Configure o range do osciloscópio para enxergar cada

uma das ondas;

• Descreva o que aconteceu;

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Frequência Amplitude Offset Função
60 Hz 9V 0V Sine
60 Hz 5V 0V Sine
60 Hz 9V 2V Sine
60 Hz 9V 0V Square
1 kHz 9V 0V Triangle

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SEMICONDUTORES

Semicondutores são sólidos geralmente cristalinos de condutividade elétrica intermediária entre condutores e isolantes. Os
semicondutores são em muitos pontos semelhantes aos materiais cerâmicos, podendo ser considerados como uma
subclasse da cerâmica.

Exemplos:

• Silício (Si)
• Germânio (Ge)
• Carbono (C)

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TABELA PERIÓDICA

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DOPAGEM

Dopagem eletrônica consiste num procedimento de adição de impurezas químicas a um elemento semicondutor para
transformá-lo num elemento mais condutor, porém, de forma controlada.

O conceito de semicondutor intrínseco está relacionado ao cristal que, não-intencionalmente, possui não mais de um
átomo de elemento químico estranho para cada um bilhão de átomos do material escolhido. O teor de impureza, neste
caso, é chamado 1 ppb, ou uma parte por bilhão. A interferência da impureza não é suficiente par interferir na estabilidade
do material, sendo o cristal, portanto, estável.

Por outro lado, o semicondutor dopado possui, intencionalmente, cerca de um átomo de elemento químico desejado (ao
contrário do estranho) para cada um milhão de átomos do material escolhido. O teor da impureza é, no semicondutor
dopado, 1 ppm, ou uma parte por milhão.

Os semicondutores dopados possuem, aproximadamente, mil vezes mais impurezas do que os semicondutores
intrínsecos.

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Três elementos comuns na dopagem eletrônica são o carbono, o silício e o germânio. Todos possuem quatro elétrons na
camada de valência, o que possibilita que formem cristais já que compartilham seus elétrons com os átomos vizinhos,
formando estruturas reticuladas ou cristalinas.

Existem dois tipos de impurezas usadas:

• N: ocorre com a adição de fósforo ou arsênico ao silício. Tanto o arsênico quanto o fósforo possuem cinco elétrons na
camada de valência. Ocorrem ligações covalentes entre quatro elétrons e um deles fica livre, ou seja, é o chamado
elétron livre, que ganha movimento e gera corrente elétrica. O nome N provém da negatividade gerada da carga
negativa existente.

• P: nesta dopagem, há adição de boro ou gálio ao silício. Ambos possuem três elétrons na camada de valência. Quando
são adicionados ao silício criam lacunas, que conduzem corrente e a ausência de um elétron cria uma carga positiva
(por isso o nome P).

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ELETRÔNICA 7/14/2017 32
DIODO

Diodo é um componente
semicondutor capaz de deixar a
corrente elétrica circular por um
sentido e bloquear no sentido
inverso. São formados,
basicamente, por dois cristais,
um do tipo P e outro do tipo N
formando a junção PN.

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O cristal do tipo P é composto por lacunas (átomos com falta de elétrons) e o cristal do tipo N é composto por elétrons
livres. Na junção dos cristais temos a região de depleção, a qual, consiste em uma barreira que impede dos elétrons livres
combinarem-se com as lacunas, o que só deverá ocorrer caso essa região absorva um determinado nível de tensão
elétrica, e esta depende do tipo de cristal usado.

Os tipos de cristais mais comuns usados na fabricação de diodos é o de silício e o de germânio. Sob temperatura ambiente
de aproximadamente 25ºC, a tensão elétrica capaz de superar a barreira no diodo de silício é de 0,7V. Enquanto que nos
diodos de germânio, sob a mesma condição de temperatura, esta tensão é da ordem de 0,3V. Em nossas explicações
vamos considerar o diodo como sendo de silício, uma vez que este é o mais usado atualmente.

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POLARIZAÇÃO
DIRETA

Quando o cristal tipo P é ligado

ao polo positivo de uma bateria e
o tipo N no polo negativo,
dizemos que o diodo está
polarizado diretamente.

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Quando o diodo encontra-se ligado desta forma, ele permitirá a passagem da corrente elétrica do polo positivo para o polo
negativo passando pela junção dos cristais, mas, isso ocorrerá se a fonte de energia fornecer a tensão necessária para a
superação da barreira de depleção.

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As lacunas presentes no material tipo P, possuem cargas
elétricas positivas e quando ligamos o polo positivo da
bateria a este material, as lacunas são repelidas e entram
na região de depleção. Do mesmo modo ocorrem com os
elétrons livres presentes no material tipo N que ao ser
ligado no polo negativo da bateria, são repelidos e entram
também na região de depleção. Uma vez que as cargas
positivas das lacunas se encontram com as cargas
negativas dos elétrons na junção dos cristais, ocorre então
a atração mútua entre as cargas, onde os elétrons se
combinam com as lacunas permitindo, assim, a circulação
da corrente elétrica.

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POLARIZAÇÃO REVERSA

Quando ligamos o polo negativo da fonte de energia no

material do tipo P, as lacunas são fortemente atraídas por
esta polaridade afastando-as da região de depleção. O
mesmo ocorre com os elétrons que são fortemente
atraídos pelo polo positivo da fonte de alimentação e
também afastam-se da região de depleção. Como os
elétrons estarão bem afastados das lacunas e a região de
depleção estará vazia, não existirá circulação de carga
entre a junção dos cristais e consequentemente não
haverá corrente elétrica e, portanto, podemos dizer que o
diodo bloqueou a corrente elétrica neste sentido.

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SIMBOLOGIA E DIODO REAL

Onde:

A é o terminal do ânodo (Material P);

K é o terminal do cátodo (Material N).

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TENSÃO REVERSA

Quando o diodo é polarizado inversamente sabemos que ele bloqueia a passagem da corrente elétrica, no entanto, existe
um limite de tensão elétrica para a qual o diodo polarizado dessa forma, continue bloqueando a corrente elétrica. Essa
tensão recebe o nome de Tensão Reversa, ou simplesmente 𝑉𝑅𝑅𝑀 . Vamos aos exemplos para esclarecer melhor:

Suponha um diodo polarizado inversamente e que possui a capacidade de suportar até 50V entre seus terminais. Até esse
nível de tensão ele consegue manter a corrente elétrica bloqueada, agindo como se não existisse no circuito, porém, se
essa tensão ultrapassar os 50V a corrente começa a circular pelo circuito atravessando o diodo, mesmo que esteja
polarizado inversamente.

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CORRENTE DE OPERAÇÃO DO DIODO

A corrente de operação do diodo, ou como são escritos nos manuais 𝐼𝐹𝑆𝑀 – Maximum Peak Forward Current – Corrente
Direta de Pico Máxima, é o valor máximo de corrente elétrica que um diodo poderá suportar sem ser danificado e está
ligada diretamente com a capacidade térmica de dissipação deste componente. O valor dessa corrente vai depender do
tipo de diodo a ser usado.

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CURVA DE OPERAÇÃO DO DIODO

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PRATICA
(RETIFICADO
RES)
Um circuito retificador converte
corrente alternada em corrente
continua.

Podendo ser de dois tipos:

• Meia onda
• Onda completa

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Construa o circuito ao lado e
analise sua saída no
osciloscópio:

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Construa o circuito ao lado e
análise a resposta de saída no
osciloscópio.

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PRATICA (ESTABILIZAÇÃO)

O que correrá quando colocado os seguintes capacitores em paralelo com o circuito. Capacitor
1 pF
1 nF
1 μF
1 mF
1F

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VALOR EFICAZ

Quando estamos lidando com corrente alternada temos 𝑉𝑚á𝑥

que entender o conceito de valor eficaz ou RMS. 𝑉𝑒𝑓 =
2
Simplificadamente o processo consiste na transformação
de uma fonte de corrente alternada para uma fonte de 𝐼𝑚á𝑥
corrente continua, ao qual, vai entregar a mesma potência 𝐼𝑒𝑓 =
2
eficaz ao sistema.

Sendo assim, a onda que passar pelo retificador e for

estabilizada vai assumir seu valor eficaz.

Para uma onda senoidal o valor eficaz pode ser calculado

com as equações ao lado.

ELETRÔNICA 7/14/2017 47
DIODO EMISSOR DE LUZ

Diodo emissor de luz ou também conhecido como LED

(Light Emitting Diode) é um dispositivo eletrônico que
transforma a energia elétrica em energia luminosa.

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PRATICA (LED)

ELETRÔNICA 7/14/2017 49
DIODO ZENER

Diodo Zener (também conhecido como diodo regulador de

tensão , diodo de tensão constante, diodo de ruptura ou
diodo de condução reversa) é um dispositivo ou
componente eletrônico semelhante a um diodo
semicondutor, especialmente projetado para trabalhar sob
o regime de condução inversa, ou seja, acima da tensão de
ruptura da junção PN, neste caso há dois fenômenos
envolvidos o efeito Zener e o efeito avalanche.

ELETRÔNICA 7/14/2017 50
SIMBOLOGIA

ELETRÔNICA 7/14/2017 51
OUTROS DIODOS

• Diodo Schottky
• Diodo túnel
• Fotodiodo
• Varicap

ELETRÔNICA 7/14/2017 52
TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO

O transistor de junção bipolar é um dispositivo

semicondutor de três terminais, formado por três camadas
consistindo de: duas camadas de material tipo "n" e uma
de tipo "p" ou de duas de material tipo "p" e uma de tipo
"n".

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SIMBOLOGIA

ELETRÔNICA 7/14/2017 54
FLUXOS DE CORRENTE EM UM TRANSISTOR
NPN
O transistor é construído de tal forma que praticamente
toda a corrente é constituída pelo fluxo de electrões do
emissor para a base. A região do emissor é muito mais
fortemente dopada do que a região da base.

A região da base é muito fina comparada com a espessura

das regiões do emissor e do colector. Os electrões que
fluem do emissor para a base, atravessam esta região e
são atraídos para o colector, antes de haver tempo para a
recombinação com os buracos na base. A corrente no
colector é da mesma ordem de grandeza da corrente no
emissor.

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CURVAS CARACTERÍSTICAS DO BJT (NPN)

ELETRÔNICA 7/14/2017 56
RELAÇÕES BÁSICAS

Da lei das nós temos:

𝑖𝐸 = 𝑖𝐵 + 𝑖𝐶
Da lei das malhas:
𝑣𝐶𝐵 = 𝑣𝐶𝐸 − 𝑣𝐵𝐸
Outras relações:
𝑖𝐶 = 𝛽𝑖𝐵
𝑖𝑒 = 𝛽𝑖𝐵
𝛽
𝑖𝑐 = 𝑖
𝛽+1 𝑒
ELETRÔNICA 7/14/2017 57
• Corte
𝑣𝐵𝐸 < 0 𝑒 𝑣𝐶𝐵 < 0
𝑖𝐵 = 𝑖𝐶 = 0

• Saturação
𝑣𝐵𝐸 > 0 𝑒 𝑣𝐶𝐵 > 0

• Zona ativa direta

𝑣𝐵𝐸 > 0 𝑒 𝑣𝐶𝐵 < 0

ELETRÔNICA 7/14/2017 58