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Aprendizagem Industrial Eletricista de Manutenção

Eletrônica Analógica
Teoria
Eletrônica analógica - Teoria

Eletricista de Manutenção - Eletrônica Analógica - Teoria

 SENAI-SP, 2000

Trabalho elaborado pela Unidade de Conhecimento Educacional do Departamento Regional de


São Paulo.

Equipe responsável
Coordenação Célio Torrecilha
Elaboração Airton Almeida de Moraes
Regina Célia Roland Novaes
Conteúdo técnico Airton Almeida de Moraes
Júlio César Caetano
Diagramação Cleide Aparecida da Silva
Ilustrações José Joaquim Pecegueiro
José Luciano de Souza Filho
Capa José Joaquim Pecegueiro

Material para validação


Críticas e sugestões: meiosedu@sp.senai.br

SENAI Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial


Departamento Regional de São Paulo
Av. Paulista, 1313 - Cerqueira César
São Paulo - SP
CEP 01311-923

Telefone (0XX11) 3146-7000


Telefax (0XX11) 3146-7230
SENAI on-line 0800-55-1000

E-mail senai@sp.senai.br
Home page http://www.sp.senai.br

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Eletrônica analógica - Teoria

Sumário

Apresentação 5
Diodo semicondutor 7
Diodos especiais 33
Circuitos retificadores 49
Circuito retificador com filtro 71
Circuito retificador trifásico 91
Transistor bipolar 107
Ponto de operação do transistor 133
Polarização do transistor 153
Amplificadores de pequenos sinais 185
Reguladores de tensão 197
Transistor de efeito de campo 213
Transistor de unijunção 233
Disparador Schmit 239
Multivibrador monoestável 245
Tiristores 253
Amplificador operacional 281
Referências bibliográficas 311

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Eletrônica analógica - Teoria

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Apresentação

Caro Aluno

Neste momento você está iniciando seus estudos na área de Eletrônica do Curso de
Aprendizagem Industrial do SENAI. O principal objetivo deste estudo é fazer você
conhecer as leis que comandam o funcionamento dos circuitos analógicos e
características de componentes e instrumentos de medição usados no dia-a-dia do
profissional dessa área.

Para isso, o presente volume, Eletrônica Analógica: Teoria apresenta a você os


conteúdos teóricos necessários para a compreensão dos conceitos e princípios que
envolvem o conhecimento do funcionamento dos componentes e circuitos.

Um outro volume complementa este material: Eletrônica Analógica: Prática


Profissional que tem o objetivo de comprovar experimentalmente os conceitos e
aplicar na prática todos os conteúdos teóricos estudados.

Trata-se de um material de referência preparado com todo o cuidado para ajudá-lo em


sua caminhada rumo ao sucesso profissional.

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Eletrônica Analógica: Teoria

6 Eletroeletrônica
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Diodo semicondutor

A eletrônica se desenvolveu espantosamente nas últimas décadas. A cada dia, novos


componentes são colocados no mercado, simplificando o projeto e a construção de
novos aparelhos, cada vez mais sofisticados. Um dos fatos que contribuiu de forma
marcante para esta evolução foi a descoberta e a aplicação dos materiais
semicondutores.

O primeiro componente fabricado com materiais semicondutores foi o diodo


semicondutor que é utilizado até hoje para o entendimento dos circuitos retificadores,
ou seja, aqueles que transformam CA em CC.

Este capítulo tratará do diodo semicondutor, visando fornecer os conhecimentos


indispensáveis para o entendimento dos circuitos que transformam CA em CC, ou
seja, circuitos retificadores.

Para ter sucesso no desenvolvimento desses conteúdos, você já deverá ter


conhecimentos relativos a corrente elétrica, materiais condutores e isolantes.

Materiais semicondutores

Materiais semicondutores são aqueles que apresentam características de isolante ou


de condutor, dependendo da forma como se apresenta sua estrutura química. O
exemplo típico do material semicondutor é o carbono (C). Dependendo da forma como
os átomos se interligam, o material formado pode se tornar condutor ou isolante.

Dois exemplos bastante conhecidos de materiais formados por átomos de carbono são
o diamante e o grafite.

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O diamante é um material de grande dureza que se forma pelo arranjo de átomos de


carbono em forma de estrutura cristalina. É eletricamente isolante.

O grafite é um material que se forma pelo arranjo de átomos de carbono em forma


triangular. É condutor de eletricidade.

Estrutura química dos materiais semicondutores


Os materiais considerados semicondutores se caracterizam por serem constituídos de
átomos que têm quatro elétrons (tetravalentes) na camada de valência. Veja na figura
a seguir a representação esquemática de dois átomos (silício e germânio) que dão
origem a materiais semicondutores.

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Os átomos que têm quatro elétrons na última camada têm tendência a se agruparem
segundo uma formação cristalina. Nesse tipo de ligação, cada átomo se combina com
quatro outros. Isso faz com que cada elétron pertença simultaneamente a dois
átomos.

Esse tipo de ligação química é denominado de ligação covalente. As ligações


covalentes se caracterizam por manter os elétrons fortemente ligados em dois núcleos
associados. Por isso, as estruturas cristalinas puras, compostas unicamente por
ligações covalentes, adquirem características de isolação elétrica.

O silício e o germânio puros são materiais semicondutores com características


isolantes quando agrupados em forma de cristal.

Dopagem
A dopagem é o processo químico que tem por finalidade introduzir átomos
estranhos (impureza) na estrutura cristalina de uma substância pura como o germânio
e o silício, por exemplo. Esses átomos estranhos a estrutura cristalina são
denominados impurezas.

A dopagem, que é realizada em laboratórios, introduz no interior da estrutura de um


cristal uma quantidade controlada de uma determinada impureza para transformar
essa estrutura num condutor. A forma como o cristal conduzirá a corrente elétrica e a
sua condutibilidade dependem do tipo de impureza utilizado e da quantidade de
impureza aplicada.

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Cristal N
Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina uma quantidade de
átomos com mais de quatro elétrons na última camada, como o fósforo (P), que é
pentavalente, forma-se uma nova estrutura cristalina denominada cristal N.

Dos cinco elétrons externos do fósforo, apenas quatro encontram um par no cristal.
Isso possibilita a formação covalente. O quinto elétron do fósforo não forma ligação
covalente porque não encontra, na estrutura, um elétron que possibilite essa
formação. No cristal semicondutor, cada átomo de impureza fornece um elétron livre
dentro da estrutura.

Esse elétron isolado tem a característica de se libertar facilmente do átomo e de vagar


livremente dentro da estrutura do cristal, constituindo-se um portador livre de carga
elétrica.

É importante notar que, embora o material tenha sido dopado, seu número total de
elétrons e prótons é igual, de forma que o material continua eletricamente neutro.

Nesse cristal, a corrente elétrica é conduzida no seu interior por cargas negativas.
Veja representação esquemática a seguir.

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Observe que o cristal N conduz a corrente elétrica independentemente da polaridade


da bateria.

Cristal P
A utilização de átomos com três elétrons na última camada, ou seja, trivalentes, no
processo de dopagem, dá origem à estrutura chamada de cristal P. O átomo de índio
(In) é um exemplo desse tipo de material.

Quando os átomos de índio são colocados na estrutura do cristal puro, verifica-se a


falta de um elétron para que os elementos tetravalentes se combinem de forma
covalente. Essa ausência de elétron é chamada de lacuna, que, na verdade, é a
ausência de uma carga negativa.

Os cristais dopados com átomos trivalentes são chamados cristais P porque a


condução da corrente elétrica no seu interior acontece pela movimentação das
lacunas. Esse movimento pode ser facilmente observado quando se analisa a
condução de corrente elétrica passo a passo.

Quando se aplica uma diferença de potencial aos extremos de um cristal P, uma


lacuna é ocupada por um elétron que se movimenta, e força a criação de outra lacuna
atrás de si. Veja figura a seguir na qual a lacuna está representada por uma carga
positiva.

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A lacuna é preenchida por outro elétron gerando nova lacuna até que esta seja
preenchida por um elétron proveniente da fonte.

As lacunas se movimentam na banda de valência dos átomos e os elétrons livres que


as preenchem movimentam-se na banda de condução.

Observações:
• A banda de valência é a camada externa da eletrosfera na qual os elétrons estão
fracamente ligados ao núcleo do átomo.
• Banda de condução é a região da eletrosfera na qual se movimentam os elétrons
livres que deixaram a banda de valência quando receberam uma certa quantidade
de energia.

A condução de corrente por lacunas no cristal P independe da polaridade da fonte de


tensão. Assim, os cristais P e N, isoladamente, conduzem a corrente elétrica qualquer
que seja a polaridade de tensão aplicada às suas extremidades.

Os cristais P e N são a matéria prima para a fabricação dos componentes eletrônicos


modernos tais como diodos, transistores e circuitos integrados.

Condutibilidade dos materiais semicondutores

Há dois fatores que influenciam a condutibilidade dos materiais semicondutores. Eles


são:
• A intensidade da dopagem e
• A temperatura.

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Intensidade da dopagem
Os cristais dopados mais intensamente se caracterizam por apresentar maior
condutibilidade porque sua estrutura apresenta um número maior de portadores livres.

Quando a quantidade de impurezas introduzidas na estrutura cristalina é controlada, a


banda proibida pode ser reduzida a uma largura desejada. Essa faixa está localizada
entre as bandas de valência e condução.

Temperatura
Quando a temperatura de um material semicondutor aumenta, a energia térmica
adicional faz com que algumas ligações covalentes da estrutura se desfaçam. Cada
ligação covalente que se desfaz pelo aumento da temperatura permite o aparecimento
de dois portadores livres de energia a mais na estrutura do cristal. A presença de um
maior número de portadores aumenta a condutibilidade do material, permitindo a
circulação de correntes maiores no cristal.

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Assim, o comportamento de qualquer componente eletrônico fabricado com materiais


semicondutores depende diretamente de sua temperatura de trabalho. Essa
dependência é denominada de dependência térmica e constitui-se de fator
importante que deve ser considerado quando se projeta ou monta circuitos com esse
tipo de componente.

Diodo semicondutor

O diodo semicondutor é um componente que se comporta como condutor ou


isolante elétrico, dependendo da forma como a tensão é aplicada aos seus terminais.

Uma das aplicações mais comuns do diodo é na transformação de corrente


alternada em corrente contínua como, por exemplo, nos eliminadores de pilhas ou
fonte CC.

A ilustração a seguir mostra o símbolo do diodo, de acordo com a norma NBR 12526.

O terminal da seta representa um material P e é chamado de anodo e o terminal da


barra representa um material N e é chamado de catodo.

A identificação dos terminais (anodo e catodo) no componente pode aparecer de


diversas formas. A seguir estão representadas duas delas:
• Símbolo do diodo impresso sobre o corpo do componente;
• Barra impressa em torno do corpo do componente, indicando o catodo.

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Junção PN
O diodo se constitui da junção de duas pastilhas de material semicondutor: uma de
material N e outra de material P. Essas pastilhas são unidas através de aquecimento,
formando uma junção entre elas. Por essa razão o diodo semicondutor também é
denominado de diodo de junção PN.

Após a junção das pastilhas que formam o diodo, ocorre um processo de acomodação
química entre os cristais. Na região da junção, alguns elétrons livres saem do material
N e passam para o material P onde se recombinam com as lacunas das proximidades.

O mesmo ocorre com algumas lacunas que passam do material P para a material N e
se recombinam com os elétrons livres.

Assim, forma-se na junção, uma região na qual não existem portadores de carga
porque estão todos recombinados, neutralizando-se. Esta região é denominada de
região de depleção.

Como conseqüência da passagem de cargas de um cristal para o outro, cria-se um


desequilíbrio elétrico na região da junção. Os elétrons que se movimentam do material
N para o material P geram um pequeno potencial elétrico negativo.

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As lacunas que se movimentam para o material N geram um pequeno potencial


elétrico positivo.

Esse desequilíbrio elétrico é denominado de barreira de potencial. No funcionamento


do diodo, esta barreira se comporta como uma pequena bateria dentro do
componente. A tensão proporcionada pela barreira de potencial no interior do diodo
depende do material utilizado na sua fabricação. Nos diodos de germânio (Ge), a
barreira tem aproximadamente 0,3 V e nos de silício (Si), aproximadamente 0,7 V.

Observações:
• Não é possível medir a tensão da barreira de potencial utilizando um voltímetro nos
terminais de um diodo porque essa tensão existe apenas dentro do componente.
• O diodo continua neutro, uma vez que não foram acrescentados nem retirados
portadores dos cristais.

Polarização do diodo
A aplicação de tensão sobre o diodo estabelece a forma como o componente se
comporta eletricamente. A tensão pode ser aplicada ao diodo de duas formas
diferentes, denominadas tecnicamente de polarização direta e polarização inversa.

A polarização é direta quando a tensão positiva é aplicada ao material P (anodo) e a


tensão negativa ao material N (catodo).

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Na polarização direta, o pólo positivo da fonte repele as lacunas do material P em


direção ao pólo negativo, enquanto os elétrons livres são repelidos pelo pólo negativo
em direção ao pólo positivo.

Se a tensão da bateria externa é maior que a tensão da barreira de potencial, as


forças de atração e repulsão provocadas pela bateria externa permitem aos portadores
adquirir velocidade suficiente para atravessar a região com ausência de portadores,
ou seja, a barreira de potencial. Nesta condição, existe na junção um fluxo de
portadores livres dentro do diodo.

A polarização direta faz com que o diodo permita a circulação de corrente elétrica no
circuito através do movimento dos portadores livres.

Assim, quando o diodo está polarizado diretamente, diz-se que o diodo está em
condução.

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A polarização é inversa quando a tensão positiva é aplicada no material N (catodo) e


a negativa no material P (anodo).

Nesta situação, os portadores livres de cada cristal são atraídos pelos potenciais da
bateria para as extremidades do diodo. Isso provoca um alargamento da região de
depleção porque os portadores são afastados da junção.

Como não existe fluxo de portadores através da junção, a polarização inversa faz com
que o diodo impeça a circulação de corrente no circuito elétrico. Nesse caso, diz-se
que o diodo está em bloqueio.

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Características de condução e bloqueio do diodo semicondutor


Nas condições de condução e bloqueio, seria ideal que o diodo apresentasse
características especiais, isto é,
• Quando em condução (polarização direta) conduzisse a corrente elétrica sem
apresentar resistência, comportando-se como um interruptor fechado;
• Quando em bloqueio (polarização inversa), ele se comportasse como um isolante
perfeito, ou um interruptor aberto, impedindo completamente a passagem da
corrente elétrica.

Todavia, devido às imperfeições do processo de purificação dos cristais


semicondutores para a fabricação dos componentes, essas características de
condução e bloqueio ficam distantes das ideais.

Na condução, dois fatores influenciam nessas características: a barreira de potencial e


a resistência interna.

A barreira de potencial, presente na junção dos cristais, faz com que o diodo entre
em condução efetiva apenas a partir do momento em que a tensão da bateria atinge
um valor maior que a tensão interna da barreira de potencial.

A resistência interna faz com que o cristal dopado não seja um condutor perfeito. O
valor dessa resistência interna é geralmente menor que 1 Ω nos diodos em condução.

Um circuito equivalente do diodo real em condução apresenta os elementos que


simbolizam a barreira de potencial e a resistência interna.

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Na maioria dos casos em que o diodo é usado, as tensões e resistências externas do


circuito são muito maiores que os valores internos do diodo (0,7 V; 1 Ω ). Assim, é
possível considerar o diodo real igual ao diodo ideal no que diz respeito à condução,
sem provocar erros significativos.

No circuito a seguir, por exemplo, a tensão e a resistência externa ao diodo são tão
grandes se comparadas com os valores do diodo, que a diferença entre eles se torna
desprezível.

V 49,3 V 50
I= = = 0,0328 A I= = = 0,0333 A
R 1501 R 1500

Erro = 0,0333 - 0,0328 = 0,0005 A, correspondente a 1,53 % (desprezível face à


tolerância do resistor).

Na condição de bloqueio, devido à presença de portadores minoritários (impurezas)


resultantes da purificação imperfeita, o diodo real não é capaz de impedir totalmente a
existência de corrente no sentido inverso. Essa corrente inversa é chamada de
corrente de fuga e é da ordem de alguns microampères.

Como essa corrente é muito pequena se comparada com a corrente de condução, a


resistência inversa do diodo pode ser desprezada na análise da grande maioria dos
circuitos.

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O circuito equivalente do diodo real em bloqueio apresenta esta característica.

Curva característica

O comportamento dos componentes eletrônicos é expresso através de uma curva


característica que permite determinar a condição de funcionamento do componente
em um grande número de situações. A curva característica do diodo mostra seu
comportamento na condução e no bloqueio.

Região de condução
Durante a condução, a corrente do circuito circula no cristal. Devido à existência da
barreira de potencial e da resistência interna, aparece um pequeno valor de tensão
sobre o diodo.

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A curva característica do diodo em condução mostra o comportamento da queda de


tensão em função da corrente que flui no circuito.

A curva característica de condução mostra que a tensão no diodo sofre um pequeno


aumento quando a corrente aumenta. Ela mostra também que enquanto o diodo está
abaixo de 0,7 V (no caso do silício), a corrente circulante é muito pequena (região C da
curva). Isso é conseqüência da oposição ao fluxo de cargas feita pela barreira de
potencial. Por isso, a região típica de funcionamento dos diodos fica acima da tensão
característica de condução.

Região de bloqueio
No bloqueio, o diodo semicondutor não atua como isolante perfeito e permite a
circulação de uma corrente de fuga da ordem de microampères. Essa corrente
aumenta à medida que a tensão inversa sobre o diodo aumenta.

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Regimes máximos do diodo em CC

Os regimes máximos do diodo em CC estabelecem os limites da tensão e corrente


que podem ser aplicados ao componente em circuitos de corrente contínua, sem
provocar danos em sua estrutura.

Analisando o comportamento do diodo em condução e bloqueio, verifica-se que os


fatores que dependem diretamente do circuito ao qual o diodo está conectado são:
• Corrente direta nominal (IF, do inglês "intensity forward");
• Tensão inversa máxima (VR, do inglês "voltage reverse").

A corrente direta nominal (IF) de cada tipo de diodo é dada pelo fabricante em
folhetos técnicos e representa o valor máximo de corrente que o diodo pode suportar,
quando polarizado diretamente. Veja a seguir, as características de corrente máxima
(IF) de dois diodos comerciais.

Tipo IF (A)
1N4001 1,0
MR504 3,0

Quando polarizado inversamente, toda tensão aplicada ao circuito fica sobre o diodo.

Cada diodo tem a estrutura preparada para suportar um determinado valor de tensão
inversa. Quando se aplica a um diodo um valor de tensão inversa máxima (VR) maior
que o especificado, a corrente de fuga aumenta excessivamente e danifica o
componente.

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O valor característico de VR que cada tipo de diodo suporta sem sofrer ruptura é
fornecido pelos fabricantes. Veja a seguir exemplos de valores característicos de
tensão máxima inversa de alguns diodos comerciais.

Tipo VR (V)
1N4001 50
1N4002 100
MR504 400
BY127 800

Reta de carga

A reta de carga é uma traçagem sobre a curva característica do diodo com o objetivo
de determinar previamente qual será a corrente e tensão no diodo em determinadas
condições de trabalho.

Para traçar a reta de carga de um diodo, deve-se determinar a tensão de corte, ou


seja, a que está sobre o diodo quando este estiver na região de bloqueio, e a corrente
de saturação, isto é, a corrente que circula pelo diodo quando ele está na região de
condução em um determinado circuito.

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Quando o diodo está em corte ou bloqueio, a tensão da fonte está totalmente sobre o
componente. Desta forma pode-se afirmar que a tensão de corte é igual a tensão da
fonte de alimentação do circuito.

Logo:
VC = VCC

Onde VC é tensão de corte e VCC a tensão de alimentação.

A corrente de saturação é a corrente do circuito quando o diodo está na região de


condução ou saturado.

Pode-se determinar a corrente de saturação a partir da lei de Ohm. A corrente que


circula no resistor é a corrente de saturação IS e a tensão sobre o resistor é a tensão
de alimentação VCC.

Desta forma:

VCC
IS =
RL

Onde IS é a corrente de saturação, VCC a tensão de alimentação e RL o resistor de


carga ou limitador.

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A partir dos valores de tensão de corte e corrente de saturação, traça-se uma reta na
curva característica do diodo da seguinte forma: a tensão de corte VC é identificada no
eixo de tensão VD do gráfico e a corrente de saturação no eixo de corrente ID. Essa
reta é denominada reta de carga.

O ponto de encontro entre a reta de carga e a curva do diodo é denominada de ponto


de trabalho ou quiescente (Q).

Projetando este ponto quiescente nos eixos de tensão e corrente do gráfico tem-se os
valores de corrente e tensão do diodo no circuito.

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Potência de dissipação
A potência de dissipação de um diodo é o valor de potência que ele dissipa em um
circuito.

A partir dos valores de tensão e corrente no diodo é possível determinar a potência de


dissipação.

PD = VD . ID

No exemplo a seguir, serão determinados os valores de tensão corrente e potência no


diodo.

De acordo com os dados do esquema elétrico os valores da tensão, de corte e


corrente de saturação podem ser calculados.

VC = VCC

VC = 3 V

VCC 3
IS = = = 0,063 A
RL 47

IS = 63 mA

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A partir dos valores da tensão de corte e corrente de saturação, deve-se traçar a reta
de carga.

O cruzamento da reta de carga com a curva característica do diodo determina o ponto


quiescente. Ao projetar o ponto quiescente nos eixos de tensão e corrente do gráfico é
possível determinar a tensão e a corrente no diodo.

ID = 63 mA

VD = 1,6 V

A partir desses valores é possível determinar a potência dissipada no diodo.


PD = ID . VD
PD = 0,063 . 1,6
PD = 0,100 W ou 100 mW

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Exercícios

1. Responda às seguintes perguntas:

a) Qual a principal característica de um material semicondutor?

b) Quantos átomos de valência deve ter um material semicondutor?

c) Que é ligação covalente?

d) Que é dopagem?

e) Qual a finalidade da impureza em uma estrutura cristalina?

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2. Responda:

a) Que é barreira de potencial?

b) É possível medir a tensão da barreira de potencial de um diodo?

c) Quais os valores das barreiras de potencial de um diodo de silício e de


germânio?

d) Cite um exemplo de utilização da curva característica de um diodo.

3. Faça o esquema do circuito solicitado:

a) Circuito com um diodo polarizado diretamente.

b) Circuito com um diodo polarizado inversamente.

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4. Resolva os problemas que seguem:

a) Determine os valores de tensão de corte e corrente de saturação em um


circuito com diodo. Sabe-se que a tensão de alimentação do circuito é de 12
VCC e o resistor de carga de 2k2 Ω.

b) De acordo com o gráfico a seguir, determine a tensão, a corrente e a potência


dissipada no diodo e faça esquema do circuito elétrico. A fonte que alimenta o
circuito é de 2 VCC e o resistor limitador 560 Ω.

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5. Relacione a segunda coluna com a primeira.

a) Silício ou germânio puro ( ) Quatro elétrons na ultima camada.


b) Átomo trivalente ( ) Cinco elétrons na última camada.
c) Átomo pentavalente ( ) Característica isolante .
d) Catódo ( ) Material tipo N.
e) Átomo tetravalente ( ) Três elétrons na camada de valência.
( ) Três prótons na última camada.

6. Preencha as lacunas com V para as afirmações verdadeiras e F para as


afirmações falsas.

a) ( ) O índio é um tipo de material utilizado na dopagem de um cristal P.


b) ( ) O cristal N recebe átomos pentavalentes na sua estrutura cristalina.
c) ( ) A lacuna é a ausência de elétron na estrutura cristalina.
d) ( ) O cristal P conduz somente em um sentido.
e) ( ) A intensidade da dopagem e a temperatura não influenciam na
condutibilidade de um material semicondutor.

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Diodos especiais

Desde o descobrimento da junção semicondutora PN, muitos estudos têm sido


realizados com os materiais semicondutores, em busca de novos componentes.

O diodo emissor de luz (LED) é um dos componentes descobertos através dessas


pesquisas. Atualmente, na grande maioria dos aparelhos eletrônicos, as lâmpadas de
sinalização estão sendo substituídas por esse componente semicondutor capaz de
emitir luz.

O outro componente foi o diodo zener que veio atender à necessidade de utilização de
dispositivos reguladores de tensão surgida com a crescente sofisticação dos
equipamentos eletrônicos.

O presente capítulo tratará do LED e do diodo zener. Para ter sucesso no


desenvolvimento dos conteúdos e atividades aqui apresentados, é necessário ter
conhecimentos relativos a diodo semicondutor, curvas características e à polarização
dos diodos semicondutores.

Diodo emissor de luz

O diodo emissor de luz ou LED, do inglês light emitting diode, é um tipo especial de
diodo semicondutor que emite luz quando é polarizado diretamente. O símbolo gráfico
do LED é definido pela NBR 12526/92, e está apresentado a seguir.

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O LED é fabricado com uma combinação de elementos como o arsênio (AS), o gálio
(Ga), que formam o arseneto de gálio e o fósforo (P). Dependendo da quantidade de
fósforo depositada, eles poderão irradiar luz visível vermelha, amarela ou verde, que
são as mais comuns, embora também possam ser encontrados os LEDs que irradiam
luz laranja ou azul.

Há LEDs que emitem luz invisível ao olho humano, ou seja, a luz infravermelha e a luz
ultravioleta.

Outros emitem duas cores diferentes. São os LEDs bicolores que consistem de dois
LEDs de cores diferentes encapsulados dentro de uma mesma cápsula de três
terminais.

Um dos terminais é comum aos dois LEDs. Para que o componente irradie a cor
desejada, basta polarizar diretamente o LED dessa cor.

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Os LEDs são encontrados nas mais diversas formas e dimensões. Veja alguns
exemplos na ilustração a seguir.

O catodo do LED é identificado por um "corte" (ou chanfro) na base do


encapsulamento, ou pelo terminal menor.

O LED apresenta as seguintes vantagens:


• Pequena tensão de alimentação (2 V) e baixo consumo (20 ma);
• Tamanho reduzido;
• Nenhum aquecimento;
• Alta resistência a vibrações;
• Grande durabilidade.

Funcionamento
Quando o LED é polarizado diretamente, entra em condução. Isso permite a
circulação da corrente que se processa pela liberação dos portadores livres na
estrutura dos cristais.

SENAI-SP - INTRANET 35
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O deslocamento de portadores da banda de condução provoca a liberação de energia,


ou seja, emissão de fótons em forma de luz. Esse efeito ocorre principalmente quando
o tamanho da banda proibida é igual ao comprimento de onda (λ) da luz emitida.

Observação
A banda proibida é a região da ligação covalente entre uma camada de valência e
outra, na qual não há elétrons livres.

Características dos LEDs


Os LEDs apresentam as mesmas características dos diodos semicondutores a saber:
• Corrente direta máxima (IFM);
• Corrente direta nominal (IF);
• Tensão direta nominal (VF);
• Tensão inversa máxima (VR).

A corrente direta máxima expressa pela notação IFM, é o parâmetro que define a
corrente máxima de condução do LED sem prejuízo para sua estrutura.

A corrente direta nominal, IF, é um valor de corrente de condução indicado pelo


fabricante no qual o LED apresenta um rendimento luminoso ótimo e que,
normalmente, corresponde a 20 mA.

36 SENAI-SP - INTRANET
Eletrônica analógica - Teoria

A tensão direta nominal representada por, VF, é a especificação que define a queda
de tensão típica do diodo no sentido da condução. A queda da tensão nominal ocorre
no componente quando a corrente direta tem valor nominal (IF).

Para valores de corrente direta diferentes do valor nominal (IF), a tensão direta de
condução sofre pequenas modificações de valor.

A tensão inversa máxima, representada pela notação VR, é a especificação que


determina o valor de tensão máxima que o LED suporta no sentido inverso sem sofrer
ruptura.

Nos LEDs, ela é pequena, da ordem de 5 V, porque esses componentes não são
usados em retificação e sim para emitir luz. Portanto, na prática, só trabalham com
polarização direta.

A tabela a seguir mostra características de alguns LEDs.

LED Cor VF (V)* IFn (mA)


FLV 110 vermelho 1,7 50
LD 37I verde 2,4 60
LD 35I amarelo 2,4 60

* O valor de VF é obtido com IF = 20 MA.

SENAI-SP - INTRANET 37
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Utilização do LED em CC
A utilização do LED em corrente contínua exige a fixação de sua corrente direta
nominal (IF). A limitação da corrente pode ser feita através de um resistor.

A figura a seguir apresenta um circuito retificador de onda completa com um led para
indicar a existência de tensão na saída.

O valor do resistor limitador é dado por:

VCC − VF
R=
IF

Onde; VCC é a tensão de saída da fonte,


VF é a tensão nominal de condução do LED, e
IF é a corrente nominal de condução do LED

38 SENAI-SP - INTRANET
Eletrônica analógica - Teoria

Tomando-se como exemplo a fonte retificadora do esquema apresentado e os valores


do LED FLV 110 e a tensão da saída da fonte como sendo 10 V, por exemplo, o valor
do resistor seria:

VCC − VF 10 − 1,7
R= = = 415Ω
IF 0,02

Ou seja, R = 390 Ω ou 470 Ω (em valores comerciais padronizados).

A potência do resistor seria aproximadamente:

PR = VR . IR = (10 – 1,7). 0,02 = 166 mW

Para trabalhar a frio: PR = 0,5 W.

Diodo zener

O diodo zener é um tipo especial de diodo utilizado como regulador de tensão. A sua
capacidade de regulação de tensão é empregada principalmente nas fontes de
alimentação de modo a fornecer uma tensão de saída fixa.

A norma NBR 12526/92 define seu símbolo gráfico conforme ilustração a seguir.

Os diodos zener de pequena potência podem ser encontrados em encapsulamento de


vidro ou de plástico enquanto os de maior potência são geralmente metálicos para
facilitar a dissipação de calor. Veja os dois tipos de zener nas ilustrações a seguir.

SENAI-SP - INTRANET 39
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Comportamento do diodo zener


O comportamento do diodo zener depende fundamentalmente da forma como ele é
polarizado.

Com polarização direta, o diodo zener se comporta da mesma forma que um diodo
semicondutor ou retificador, entrando em condução e assumindo uma queda de
tensão típica.

Observação
Normalmente o diodo zener não é usado com polarização direta nos circuitos
eletrônicos.

Na polarização inversa, até um determinado valor de tensão inversa, o diodo zener


se comporta como um diodo comum, ficando em bloqueio. Nesse bloqueio, uma
pequena corrente de fuga circula no diodo zener, tal como no diodo convencional.

40 SENAI-SP - INTRANET
Eletrônica analógica - Teoria

Em um determinado valor de tensão inversa, o diodo zener entra subitamente em


condução, apesar de estar polarizado inversamente.

A corrente inversa aumenta rapidamente e a tensão sobre o zener se mantém


praticamente constante.

O valor de tensão inversa que faz o diodo zener entrar em condução é denominado de
tensão zener (VZ).

Enquanto houver corrente inversa circulando no diodo zener, a tensão sobre seus
terminais se mantém praticamente no valor da tensão zener.

É importante observar que no sentido inverso, o diodo zener difere do diodo


semicondutor retificador convencional, ou seja, um diodo retificador nunca chega a
conduzir intensamente no sentido inverso. Se isso acontecer, o diodo estará em curto
e danificado.

O diodo zener, por sua vez, é levado propositadamente a conduzir no sentido


inverso para que uma tensão zener constante seja obtida em seus terminais, sem que
isso danifique o componente.

Características do diodo zener


As características elétricas importantes do diodo zener são:
• Tensão zener;
• Potência zener;
• Coeficiente de temperatura;
• Tolerância.

SENAI-SP - INTRANET 41
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Tensão zener
A tensão zener ou tensão de ruptura: depende do processo de fabricação e da
resistividade da junção semicondutora. Durante a ruptura, o diodo zener fica com o
valor de tensão zener sobre seus terminais. Esses valores são fornecidos pelos
fabricantes nos catálogos técnicos.

Potência zener
A potência zener é a potência dissipada pelo diodo em condições normais de
funcionamento.

Na curva de ruptura, esse diodo apresenta a tensão zener em seus terminais e é


percorrido por uma corrente inversa. A potência zener é dada pelo produto da tensão
e corrente, ou seja: PZ = VZ . IZ

Os diodos zener são fabricados para determinados valores de potência de dissipação


que determinam a dissipação máxima que o componente pode suportar. Esses valores
são fornecidos pelo fabricante.

Utilizando os valores de tensão zener e potência zener máxima, pode-se determinar a


corrente máxima que o zener pode suportar, ou seja:

PZMÁX
IZMÁX =
VZ

Observação
Esse valor de corrente zener máxima não pode ser excedido sob pena de danificar o
diodo por excesso de aquecimento.

A região de funcionamento do zener é determinada por dois valores de corrente


porque sua tensão inversa é constante. Esses valores são: IZmax e IZmin.

42 SENAI-SP - INTRANET
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O valor de IZmax é definido pela potência zener:

PZ max
IZ max =
VZ

O valor de IZmin corresponde a 10% do valor de IZmax, ou seja:

IZ max PZ max
IZ min = =
10 10 VZ

Coeficiente de temperatura
O desempenho dos componentes fabricados com materiais semicondutores sofre
influência da temperatura (dependência térmica). Por isso, a tensão zener se modifica
com a variação da temperatura do componente.

A influência dessa variação é expressa sob a forma de relação entre tensão e


temperatura e define em quantos milivolts a tensão se modifica para cada grau
centígrado de alteração da temperatura do componente, ou seja, mV/o C.

Devido a uma diferença no princípio de funcionamento interno, os diodos zener são


divididos em dois grupos:
• Até 5 V: a tensão sobre o zener diminui com o aumento da temperatura (-mv/oc).
• Acima de 5 V: a tensão sobre o zener aumenta com o aumento da temperatura
(+mV/oC).

As curvas características a seguir exemplificam a dependência térmica dos dois


grupos de diodos zener.

SENAI-SP - INTRANET 43
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Observação
Os valores de tensão zener fornecidos pelos fabricantes são válidos à temperatura
de 25oC.

Tolerância
A tolerância do diodo zener refere-se à variação que pode existir entre o valor
especificado e o valor real de tensão inversa do diodo zener. Isso significa que um
diodo zener de 10 V ± 5% pode ter uma tensão inversa real, por exemplo, de 9,5 a
10,5 V.

Para especificar a tolerância, os fabricantes utilizam diversos códigos. Por exemplo:


• Para tolerância de 5 %, a designação do diodo vem acompanhada pela letra A:
1N4742 A;
• Para tolerância de 10%, a designação do diodo vem sem letra no final: 1N4733.

Diodo zener ideal x real


A característica fundamental do diodo zener é manter uma tensão constante sobre
seus terminais quando colocado em condução no sentido inverso. O diodo zener ideal
é aquele que, em condução inversa, mantém a tensão absolutamente constante
independentemente da corrente circulante.

44 SENAI-SP - INTRANET
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Entretanto, o diodo zener não é um componente ideal. Assim, a tensão sobre seus
terminais sofre uma pequena variação quando a corrente inversa se modifica.

Porém, quando se considera que a variação em VZ é muito pequena, o diodo zener


pode ser considerado como ideal na maioria das aplicações.

Relação entre corrente e resistência no diodo zener


A lei de Ohm define a relação entre corrente, tensão e resistência em um dispositivo:

V
I=
R

Como no diodo zener a tensão é constante, a relação fica resumida à corrente e


resistência. Assim, temos: VZ = IZ . RZ

Na equação acima, para que a tensão seja constante no zener, o produto “I . R” deve
ser constante. Se a corrente no diodo zener aumenta, sua resistência diminui na
mesma proporção ou vice-versa:

IZ . RZ = VZ

Da mesma forma, se a corrente no diodo , sua resistência aumenta para que o produto
(tensão) se mantenha constante:

IZ ⋅ RZ = VZ

SENAI-SP - INTRANET 45
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Assim, na região de ruptura, a corrente e a resistência zener são inversamente


proporcionais: quando uma aumenta, a outra diminui na mesma proporção.
Exercícios

1. Responda às seguintes perguntas:

a) Qual é a principal função de um LED?

b) Cite três vantagens na utilização do LED.

c) De que forma é possível a emissão de duas cores por um só LED?

2. Responda

a) Qual a principal função do diodo zener?

b) Como o diodo zener se comporta na polarização direta?

46 SENAI-SP - INTRANET
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c) O que difere um diodo semicondutor de um diodo zener?

d) Cite as características elétricas importantes do diodo zener.

3. Resolva os seguintes exercícios:

a) Faça o esquema elétrico do circuito e especifique o resistor necessário para


limitar a corrente de um led de sinalização. Dados:
IF = 20 mA;
VCC = 20 V
VF = 1,7 V

4. Faça os símbolos gráficos dos componentes solicitados.

a) LED

b) Diodo zener

5. Relacione a segunda coluna com a primeira.

a) Corrente direta máxima ( ) Valor de tensão máxima suportada, VR.


( ) Corrente máxima de condução, IFM.
b) Corrente direta nominal
( ) Corrente direta nominal, IF.
c) Tensão direta nominal
( ) Queda de tensão nominal, VF.
d) Tensão inversa máxima ( ) Valor das queda de tensão admissível, VFM.

SENAI-SP - INTRANET 47
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6. Preencha as lacunas com V para as afirmações verdadeiras e F para as


afirmações falsas.
a) ( ) O valor de tensão inversa que faz o diodo zener entrar em condução é
denominado de tensão zener
b) ( ) Um diodo retificador em bom estado conduz intensamente no sentido
inverso, quando a tensão VD é superior a 0,7 V..
c) ( ) Quando a variação da tensão zener é de valor considerável, o diodo
pode ser considerado como ideal.
d) ( ) A característica fundamental do diodo zener é manter uma corrente
constante em seus terminais. quando em condução.
e) ( ) A corrente e a resistência zener são inversamente proporcionais.

48 SENAI-SP - INTRANET
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Circuitos retificadores

Todos os aparelhos eletrônicos necessitam de corrente contínua para funcionar.


Todavia, a rede elétrica que chega às nossas casas, nos fornece energia elétrica em
forma de corrente alternada.

Assim, para que seja possível alimentar os aparelhos eletrônicos, é necessário um


circuito que transforme corrente alternada em corrente contínua. Esse circuito é
chamado de retificador.

Por seu largo emprego e importância, os circuitos retificadores serão o assunto deste
capítulo. Para compreendê-lo com mais facilidade, é necessário conhecer corrente
contínua, corrente alternada, diodo semicondutor e transformadores.

Retificação

Retificação é o processo de transformação de corrente alternada em corrente


contínua, de modo a permitir que equipamentos de corrente contínua sejam
alimentados por corrente alternada.

A retificação ocorre de duas formas:


• Retificação de meia onda;
• Retificação de onda completa.

SENAI-SP - INTRANET 49
Eletrônica analógica - Teoria

Retificação de meia-onda
De todos os circuitos retificadores que existem, o mais simples é o circuito retificador
de meia-onda. Ele permite o aproveitamento de apenas um semiciclo da tensão de
entrada de carga e é usado em equipamentos que não exigem tensão contínua pura,
como os carregadores de bateria.

Esse circuito utiliza um diodo semicondutor pois suas características de condução e


bloqueio são aproveitadas para a obtenção da retificação. Tomemos como exemplo o
circuito retificador da figura a seguir.

Durante o primeiro semiciclo, a tensão é positiva no ponto A e negativa em B. Essa


polaridade da tensão de entrada coloca o diodo em condução e permite a circulação
da corrente.

50 SENAI-SP - INTRANET
Eletrônica analógica - Teoria

A tensão sobre a carga assume a mesma forma da tensão de entrada.

O valor do pico de tensão sobre a carga é menor que o valor do pico da tensão de
entrada. Isso acontece porque o diodo durante a condução apresenta uma pequena
queda de tensão.

Observação
A queda de tensão (VD) é de 0,7 V em circuitos com diodos de silício e 0,2 V em
circuitos com diodos de germânio.

Na maioria dos casos, essa queda de tensão pode ser desprezada porque seu valor é
muito pequeno em relação ao valor total do pico de tensão sobre a carga. Ela só deve
ser considerada quando é aplicado no circuito retificador tensões de baixos valores,
menores que 10 V.

SENAI-SP - INTRANET 51
Eletrônica analógica - Teoria

Durante o segundo semiciclo, a tensão de entrada é negativa no ponto A e positiva no


ponto B. Nessa condição, o diodo está polarizado inversamente, em bloqueio,
impedindo a circulação da corrente.

Com o bloqueio do diodo que está funcionando como um interruptor aberto, a tensão
na carga é nula porque não há circulação de corrente

52 SENAI-SP - INTRANET
Eletrônica analógica - Teoria

Os gráficos a seguir ilustram a evolução de um ciclo completo.

Pelos gráficos, é possível observar que a cada ciclo completo da tensão de entrada,
apenas um semiciclo passa para a carga, enquanto o outro semiciclo fica sobre o
diodo.

Tensão de saída
A tensão de saída de uma retificação de meia-onda é contínua, porém pulsante porque
nela alternam-se períodos de existência e inexistência de tensão sobre a carga.

Assim, ao se conectar um voltímetro de CC na saída de um circuito retificador de


meia-onda, a tensão indicada pelo instrumento será a média entre os períodos de
existência e inexistência de tensão.

SENAI-SP - INTRANET 53
Eletrônica analógica - Teoria

Por isso, o valor da tensão CC aplicada sobre a carga fica muito abaixo do valor
efetivo da CA aplicada à entrada do circuito.

A tensão média na saída é dada pela equação:

VP − VD
VCC =
π

Onde VCC é a tensão contínua média sobre a carga;


VP é a tensão de pico da CA aplicada ao circuito (VP = VCA . 2 );
VD é a queda de tensão típica do diodo (0,2 V ou 0,7 V).

Quando as tensões de entrada (VCAef) forem superiores a 10 V, pode-se eliminar a


queda de tensão do diodo que se torna desprezível, rescrevendo a equação da
seguinte maneira:

VP VCA . 2
VCC = ⇒ VCC =
π π

Simplificando os termos , obtém-se 0,45. Logo,

2
VCC = VCA . 0,45
π

Exemplo

Dados:
VCA = 6 V (menor que 10 V)
D1 = diodo retificador de silício

VCC = P =
)
V − VD (VCA . 2 − VD (6.1,41) − 0,7
= = 2,47 V
π π 3,14
VCC = 2,47 V

54 SENAI-SP - INTRANET
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Corrente de saída
Como na retificação de meia-onda a tensão sobre a carga é pulsante, a corrente de
saída também é pulsante.

Assim, a corrente de saída é a média entre os períodos de existência e inexistência de


corrente.

Esse valor é determinado a partir dos valores de tensão média e da resistência de


carga, ou seja,

VCC
ICC =
RL

Observação
O cálculo da corrente média de saída determina os parâmetros para a escolha do
diodo que será utilizado no circuito.

Inconvenientes
A retificação de meia-onda apresenta os seguintes inconvenientes:
• Tensão de saída pulsante;
• Baixo rendimento em relação à tensão eficaz de entrada;

SENAI-SP - INTRANET 55
Eletrônica analógica - Teoria

• Mau aproveitamento da capacidade de transformação nas retificações com


transformador porque a corrente circula em apenas um semiciclo;

Retificação de onda completa

A retificação de onda completa é o processo de conversão de corrente alternada em


corrente contínua que aproveita os dois semiciclos da tensão de entrada.

Esse tipo de retificação pode ser realizado de dois modos:


• Por meio de um transformador com derivação central (C.T.) e dois diodos;
• Por meio de quatro diodos ligados em ponte.

56 SENAI-SP - INTRANET
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Retificação de onda completa com transformador


A retificação de onda completa com transformador é o processo de retificação
realizado por meio de um circuito com dois diodos e um transformador com derivação
central (ou "center tap").

Funcionamento
Para explicar o funcionamento desse circuito, vamos considerar separadamente cada
semiciclo da tensão de entrada.

Inicialmente, considerando-se o terminal central do secundário do transformador como


referência, observa-se a formação de duas polaridades opostas nas extremidades das
bobinas.

º
Em relação ao ponto neutro, as tensões VCD e VED estão defasadas 180

Durante o semiciclo positivo de VENT, entre os pontos C e E, o ponto C está positivo em


relação ao ponto D. Nessa condição, o diodo D1 está polarizado diretamente e,
portanto, em condução.

SENAI-SP - INTRANET 57
Eletrônica analógica - Teoria

Por outro lado, o ponto D está positivo em relação a E. Nessa condição, o diodo D2
está polarizado inversamente e, portanto, em corte.

No ponto A aparece uma tensão positiva de valor máximo igual a VMÁX.

Observe que no circuito apresentado, a condição de condução de D1 permite a


circulação de corrente através da carga, do terminal positivo para o terminal negativo.

A tensão aplicada à carga é a tensão existente entre o terminal central do secundário


e a extremidade superior do transformador (VS1).

58 SENAI-SP - INTRANET
Eletrônica analógica - Teoria

No segundo semiciclo, há uma inversão da polaridade no secundário do


transformador.

Assim, o ponto D está negativo em relação ao ponto E. Nessa condição, o diodo D2


está polarizado diretamente e, portanto, em condução.

Por outro lado, o ponto D está positivo em relação a C. Nessa condição, o diodo D1
está polarizado inversamente, e, portanto, em corte.

SENAI-SP - INTRANET 59
Eletrônica analógica - Teoria

A corrente que passa por D2 circula pela carga do mesmo sentido que circulou no
primeiro semiciclo.

A tensão aplicada à carga é a tensão da bobina inferior do secundário do


transformador (VS2).

60 SENAI-SP - INTRANET
Eletrônica analógica - Teoria

Durante todo semiciclo analisado, o diodo D2 permanece em condução e a tensão na


carga acompanha a tensão da parte inferior do secundário.

As formas de onda das tensões no circuito são mostradas nos gráficos a seguir.

SENAI-SP - INTRANET 61
Eletrônica analógica - Teoria

As formas de onda das correntes são:

Analisando um ciclo completo da tensão de entrada, verifica-se que o circuito


retificador entrega dois semiciclos de tensão sobre a carga:
• Um semiciclo da extremidade superior do secundário através da condução de D1;
• Um semiciclo da extremidade inferior do secundário através da condução de D2.

62 SENAI-SP - INTRANET
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Retificação de onda completa em ponte

A retificação de onda completa em ponte utiliza quatro diodos e entrega à carga uma
onda completa sem que seja necessário utilizar um transformador de derivação
central.

Funcionamento
Considerando a tensão positiva (primeiro semiciclo) no terminal de entrada superior,
teremos as seguintes condições de polarização dos diodos:
• D1 ⇒ anodo positivo em relação ao catodo (polarização direta) - em condução;
• D2 ⇒ catodo positivo em relação ao anodo (polarização inversa) - em bloqueio;
• D3 ⇒ catodo negativo em relação ao anodo (polarização direta) - em condução;
• D4 ⇒ anodo negativo em relação ao catodo (polarização inversa) - em bloqueio.

Eliminando-se os diodos em bloqueio, que não interferem no funcionamento, verifica-


se que D1 e D3 (em condução) fecham o circuito elétrico, aplicando a tensão do
primeiro semiciclo sobre a carga.

SENAI-SP - INTRANET 63
Eletrônica analógica - Teoria

Observe no circuito a seguir, como a corrente flui no circuito no primeiro ciclo.

No segundo semiciclo, ocorre uma inversão da polaridade nos terminais de entrada do


circuito.

Nessa condição, a polaridade dos diodos apresenta a seguinte configuração:


• D1 - anodo negativo em relação ao catodo (polarização inversa) - em bloqueio;
• D2 - catodo negativo em relação ao anodo (polarização direta) - em condução;
• D3 - catodo positivo em relação ao anodo (polarização inversa) - em bloqueio;
• D4 - anodo positivo em relação ao catodo (polarização direta) - em condução.

64 SENAI-SP - INTRANET
Eletrônica analógica - Teoria

Eliminando-se os diodos em bloqueio e substituindo-se os diodos em condução por


circuitos equivalentes ideais, obtém-se o circuito elétrico fechado por D2 e D4 que
aplica a tensão de entrada sobre a carga. Isso faz a corrente circular na carga no
mesmo sentido que no primeiro semiciclo.

Recolocando-se os diodos no circuito, observa-se a forma como a corrente circula.

SENAI-SP - INTRANET 65
Eletrônica analógica - Teoria

Os gráficos a seguir mostram as formas de onda do circuito.

Fator de ripple

Como já vimos, a tensão contínua fornecida por um circuito retificador é pulsante, ou


seja, não possui um nível constante no tempo. Isso acontece porque a tensão de saída
é resultante da soma de uma componente contínua (VCC) e uma componente alternada
(VCA) responsável pela ondulação do sinal.

66 SENAI-SP - INTRANET
Eletrônica analógica - Teoria

Essa ondulação é denominada de fator de ripple (que significa “ondulação” em inglês).


Ela corresponde a quantas vezes o valor eficaz da componente alternada é maior que
a componente contínua sobre a carga.

Esse valor é dado por:

VCAef
r=
VCC

Onde : r é o fator de ripple;


VCaef é o valor da tensão alternada eficaz; e
VCC é o valor da tensão contínua.

Para a retificação de meia-onda, o fator de ripple é:


r% = 120%

Para a retificação de onda completa, o fator de ripple é:


r% = 48%

Esses dados mostram que a porcentagem de ondulação é muito alta e esse é um dos
grandes inconvenientes desse tipo de circuito.

Exercícios

1. Responda às seguintes perguntas:

a) O que é retificação?

b) Qual é a diferença entre a retificação de meia onda e a retificação de onda


completa?

SENAI-SP - INTRANET 67
Eletrônica analógica - Teoria

c) Qual é a diferença entre a retificação de meia onda e a retificação de onda


completa.?

d) Em um retificador de meia onda o valor da tensão de pico retificada é igual ao


valor da tensão de pico da tensão alternada? Justifique a resposta.

e) O que é fator de ripple?

2. Faça os esquemas dos circuitos:

a) Circuito retificador de meia onda.

b) Circuito retificador de onda completa com transformador.

68 SENAI-SP - INTRANET
Eletrônica analógica - Teoria

c) Circuito retificador de onda completa em ponte.

3. Resolva os seguintes exercícios:

a) Faça o esquema e calcule a tensão VCC na carga, alimentada por um


retificador de meia onda. Sabe-se que a tensão alternada VCA é de 9 V.

b) Qual o valor da tensão VCC retificada por um retificador de meia onda. A


tensão alternada tem um valor de pico de 4V.

SENAI-SP - INTRANET 69
Eletrônica analógica - Teoria

70 SENAI-SP - INTRANET
Eletrônica analógica - Teoria

Circuito retificador
com filtro

Como já foi visto no capítulo anterior, os circuitos retificadores têm aplicação limitada
porque fornecem uma corrente alternada pulsante na saída. Para alimentar
equipamentos eletrônicos com tensões contínuas tão puras quanto possível, utilizam-
se filtros que são acrescentados aos circuitos retificadores. Isso torna a forma de onda
na saída da fonte, mais próxima da corrente contínua.

A retificação com filtro é o assunto deste capítulo. Nele, serão estudadas as


características e funcionamento desse tipo de circuito.

Para compreender com facilidade este assunto, é necessário possuir conhecimentos


anteriores sobre armazenamento de cargas em capacitores, retificação de meia onda
e retificação de onda completa.

Função do filtro

As tensões fornecidas pelos circuitos retificadores, tanto de meia onda quanto de onda
completa são pulsantes. Embora tenham a polaridade definida, essas tensões sofrem
constantes variações de valor, pulsando de acordo com a tensão senoidal aplicada ao
diodo.

SENAI-SP - INTRANET 71
Eletrônica analógica - Teoria

Nas fontes de alimentação, os filtros têm a função de permitir a obtenção de uma


CC mais pura. Isso é obtido colocando-se filtros entre a retificação e a carga. Eles
atuam sobre a tensão de saída dos circuitos retificadores aproximando tanto quanto
possível a sua forma de onda a uma tensão contínua pura.

A presença de tensão sobre a carga durante todo o tempo, embora com valor variável,
proporciona a elevação do valor médio de tensão fornecido.

Capacitor como filtro

A capacidade de armazenamento de energia elétrica dos capacitores é utilizada para


realizar o processo de filtragem da tensão de saída de circuitos retificadores.

O capacitor é conectado diretamente nos terminais de saída do circuito retificador


como mostra a figura a seguir.

72 SENAI-SP - INTRANET
Eletrônica analógica - Teoria

Nos intervalos de tempo em que o diodo conduz, circula corrente através da carga e
também no capacitor. Neste período, o capacitor armazena energia.

Nos intervalos de bloqueio do diodo, o capacitor tende a descarregar a energia


armazenada nas armaduras.

Como não é possível a descarga através da retificação, porque o diodo está em


bloqueio, a corrente de descarga se processa pela carga.

A corrente absorvida pela carga é fornecida pelo capacitor. Com o passar do tempo, a
tensão do capacitor diminui devido a sua descarga.

SENAI-SP - INTRANET 73
Eletrônica analógica - Teoria

O capacitor permanece descarregado até que o diodo conduza novamente, fazendo


uma recarga nas suas armaduras.

Com a colocação do capacitor, a carga passa a receber tensão durante todo o tempo.
Isso aumenta o valor da tensão média de saída do circuito retificador.

Retificação de meia onda com filtro a capacitor

O circuito a seguir mostra um retificador de meia onda com filtro a capacitor.


Durante o primeiro quarto de ciclo, o capacitor se carrega até o valor máximo da
tensão de entrada.

74 SENAI-SP - INTRANET
Eletrônica analógica - Teoria

Quando a tensão de entrada começa a diminuir, o capacitor deveria se descarregar.


Todavia, o diodo não permite a passagem da corrente em sentido contrário. Assim, a
carga no capacitor é mantida. Veja gráficos a seguir.

Deve ser observado que o diodo conduz apenas durante o quarto de ciclo inicial.
Depois disso, a tensão sobre ele será igual a zero, enquanto que a tensão reversa
será o dobro da tensão máxima de entrada.

SENAI-SP - INTRANET 75
Eletrônica analógica - Teoria

Quando o diodo pára de conduzir, o capacitor se descarrega em R1 de acordo com a


constante de tempo R1C. Veja gráfico a seguir.

td - tempo de descarga do capacitor na carga


tc - tempo de carga do capacitor
θc - tempo de condução do diodo

Observe que td (tempo de carga do capacitor) vai de t2 a t1 quando a tensão no catodo


do diodo tende a se tornar menor do que a tensão no anodo. A partir desse instante, o
diodo volta a ser diretamente polarizado e, portanto, volta a conduzir, repetindo o
processo.

76 SENAI-SP - INTRANET
Eletrônica analógica - Teoria

Retificação de onda completa com filtro a capacitor

Os circuitos a seguir exemplificam retificadores de onda completa com derivação


central e em ponte com filtro a capacitor.

O funcionamento do circuito retificador de onda completa com filtro a capacitor é


semelhante ao do retificador de meia onda. A forma de onda obtida é a mostrada no
gráfico a seguir.

SENAI-SP - INTRANET 77
Eletrônica analógica - Teoria

Compare nos gráficos a seguir a diferença dos níveis de tensão contínua nos circuitos
retificadores já estudados. Os gráficos pertencem a circuitos com a mesma resistência
de carga e um mesmo capacitor.

O tempo de carga do capacitor influencia na ondulação, pois, quanto mais tempo o


capacitor levar para descarregar, menor será a tensão em suas armaduras. Por
isso, para uma mesma carga e mesmo capacitor de filtro, os circuitos de onda
completa têm menor ondulação.

78 SENAI-SP - INTRANET
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Em onda completa, o capacitor é carregado duas vezes a cada ciclo de entrada.

Tensão de ondulação
O capacitor colocado em um circuito retificador está sofrendo sucessivos processos de
carga e descarga.

Nos períodos de condução do diodo o capacitor sofre carga e sua tensão aumenta,
enquanto que, nos períodos de bloqueio se descarrega e a sua tensão diminui, como
pode ser observado no gráfico a seguir.

SENAI-SP - INTRANET 79
Eletrônica analógica - Teoria

Onde:
t1 = Tempo em que o capacitor sofre carga (sua tensão aumenta);
t2 = Tempo em que o capacitor se descarrega parcialmente sobre a carga (sua tensão
diminui).

A forma de onda da tensão de saída não chega a ser uma contínua pura,
apresentando uma variação entre um valor máximo e um mínimo, essa variação é
denominada ondulação ou ripple.

A diferença de tensão entre o valor máximo e mínimo que a ondulação atinge é


denominada de tensão de ondulação de pico a pico, representada por VONDPP.

Observação
A tensão de ondulação na saída de uma fonte também é denominada de componente
alternada.

Determinação do capacitor de filtro


Devido à grande tolerância de valor dos capacitores eletrolíticos (até 50%), pode-se
formular uma equação simplificada para o cálculo do valor do capacitor. A equação é:

IMÁX
C = T.
VONDPP

80 SENAI-SP - INTRANET
Eletrônica analógica - Teoria

Onde:
• C é o capacitor de filtro em F
• T é o período aproximado de descarga do capacitor, de 16,6 ns para 60 Hz - meia
onda e 8,33ns p/ 60Hz - onda completa;
• IMÁX é a corrente de carga máxima em mA;
• VONDPP é a tensão pico a pico de ondulação em volts.

Observação
Esta equação pode ser usada para cálculo de capacitores de filtros para até 20% de
ondulação de pico a pico (fator de ripple), sem introduzir um erro significativo.

Exemplo
Determinar um capacitor para ser usado em uma fonte retificadora de meia onda para
tensão de saída de 12 V, corrente de 150 mA com ondulação de 2 VPP (ou 17%).

IMÁX 16,6.150
C = T. = = 1245 F
VONDPP 2

C = 1245 F ou 0,001245 µF

Tensão de isolação
Além da capacitância, deve-se determinar também a tensão de isolação do capacitor.

Essa tensão deve ser sempre superior ao maior valor de tensão sob a qual o capacitor
irá realmente funcionar. Veja exemplo a seguir.

Tensão de saída Tensão de isolação


(sobre o capacitor) (capacitor utilizado)
12 V 16 V
17 V 25 V
28 V 40 V

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Outros filtros para retificadores de onda completa


A ilustração a seguir mostra um circuito retificador no qual a filtragem é realizada por
um capacitor e um indutor.

O indutor L em série com a célula LC garante uma filtragem melhor que a obtida nos
circuitos retificadores que usam somente capacitor.

Isso acontece porque o atraso apresentado pela indutância em relação às variações


de corrente faz com que a corrente de saída não sofra variações bruscas, mesmo que
entre os terminais da indutância apareçam tensões variáveis de grande amplitude.

Se analisar o circuito dado, sem a resistência de carga, a corrente IL só pode passar


no sentido indicado. No circuito, o capacitor se carrega continuamente até que a
tensão sobre ele seja igual ao valor de pico ou VMÁX. Uma vez alcançado esse valor,
a corrente deixa de fluir. Assim, ao ligar resistências de carga muito elevadas ao
circuito, a tensão de saída será aproximadamente VMÁX.

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Ao reduzir a resistência, a corrente que flui pela indutância aumenta. Devido ao atraso
apresentado pela indutância, essa corrente nunca se anula, o que mantém os diodos
sempre em condução. Veja gráficos a seguir.

Observação
A corrente de pico nos diodos dos retificadores com filtro que usam indutor é menor
que nos diodos dos retificadores que usam filtros a capacitor.

Limitação para o valor do indutor


Num circuito retificador com filtro de indutor e capacitor, o fator de ripple é dado por:

0,83
r=
L.C

Nessa fórmula, L é dado em Henry e C em F.

Nesse mesmo tipo de circuito, o valor da tensão contínua na carga é dado por:
VCC = 2 . VMÁX

VCC
ICC =
RL
4.VMÁX 2.VCC
IPICO = =
3 .X L 3.XL

SENAI-SP - INTRANET 83
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Na prática há limitações para o valor do indutor. Assim, para 60 Hz, temos:

RL
L CRÍTICO = L ÓTIMO = 2.L CRÍTICO
1113

Filtro RLC
O retificador com filtro RLC, ou seja, com dois capacitores e um indutor, fornece uma
tensão CC na saída maior do que o retificador com filtro LC.

A tensão de saída fornecida é de aproximadamente VMÁX.

 π 
VCC = VMÁX .1 − 
 Z.2π.f.RC 

Nesse tipo de circuito, o fator de ondulação é bem pequeno:

3,3.10 3
r=
C1.C2 .L.RL

Por economia, pode-se usar em alguns casos um resistor em lugar de um indutor, o


que resultará num filtro CRC ou com resistor.

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Eletrônica analógica - Teoria

Nesse caso, o fator de ondulação é calculado por:

2,5.10 6
r=
C1.C2 .R.RL

Regulação

Regulação é a porcentagem de variação da tensão de saída de uma fonte. A


regulação é representada em um gráfico que relaciona a tensão média (VCC) com os
valores de resistência.

Em termos ideais, a regulação deve ser de 100%, porém na prática isso não acontece.
Ela é calculada por:

VCC em vazio - VCC com carga


% de regulação =
VCC com c arg a

SENAI-SP - INTRANET 85
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Quadro comparativo
A seguir está um quadro comparativo entre os vários circuitos retificadores com filtro
estudados neste capítulo.

Tipo VCC Riplle IPICO Circuito

RC ≅ VMÁX grande grande

L ≅ 2.VMÁX/π pequeno baixa

muito
π ≅ VMÁX grande
pequeno

π com R < VMÁX pequeno grande

Exercícios

1. Responda às seguintes perguntas:

a) Qual a função de um filtro em um circuito retificador?

b) Qual é a forma mais comum de filtragem de uma tensão de saída em um


circuito retificador?

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c) Como ocorre a filtragem de uma tensão em um circuito retificador?

d) Qual o valor da tensão reversa na diodo quando está em bloqueio, em um


circuito retificador de meia onda com filtro ?

e) O que é tensão de ondulação ou ripple?

2. Faça os esquemas dos circuitos:

a) Retificador monofásico de meia onda.

b) Retificador monofásico de onda completa.

SENAI-SP - INTRANET 87
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c) Retificador monofásico de meia onda com filtro.

d) Retificador monofásico de onda completa com filtro.

e) Retificador monofásico de onda completa com filtro LC.

3. Resolva os seguintes exercícios:

a) Determine o capacitor necessário em um circuito retificador de meia onda,


para uma tensão de saída de 24 V, corrente 200 mA, e uma ondulação de 4
VPP.

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b) Qual o valor do ripple em um circuito retificador de onda completa com filtro


LC, onde a indutância utilizada é de 10 mH e o capacitor 2000 µF.

4. Preencha as lacunas com V para as afirmações verdadeiras e F para as


afirmações falsas.

a) ( ) O tempo de carga do capacitor influencia na ondulação da tensão de


saída.
b) ( ) Em um circuito retificador de onda completa com filtro, o capacitor é
carregado duas vezes a cada ciclo de entrada.
c) ( ) A tensão de isolação do capacitor deve ser igual a tensão sob a qual
irá trabalhar.
d) ( ) A regulação é o valor da capacitância de um capacitor utilizado como
filtro.
e) ( ) Em um circuito retificador com filtro LC, a tensão VCC tem valor
próximo a VMÁX, corrente de pico e ripple de valor alto.

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90 SENAI-SP - INTRANET
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Circuito retificador
trifásico

Embora a energia elétrica seja fornecida pelas concessionárias sob a forma de


corrente alternada trifásica, a indústria necessita de energia em corrente contínua.
Para suprir a demanda de grandes potências de CC, empregam-se sistemas
retificadores polifásicos eletrônicos.

Os retificadores polifásicos produzem menos ondulação (ou "ripple") com o mesmo


sistema de filtragem que um retificador monofásico.

Além disso, se a carga não exigir corrente contínua filtrada, os retificadores polifásicos
são muito mais eficientes pois sua saída é bem mais plana. Isso resulta em menor
perda de potência.

Enquanto o retificador trifásico de meia onda aproveita apenas a alternância e tem um


retificador em cada fase, o retificador trifásico de onda completa, ou em ponte, utiliza
ambas as metades - positiva e negativa - da tensão de entrada. Esses dois tópicos
serão o assunto deste capítulo.

Para melhor compreender o funcionamento desses dois tipos de circuito, é necessário


ter conhecimentos anteriores sobre CC e CA, retificação e transformadores.

SENAI-SP - INTRANET 91
Eletrônica analógica - Teoria

Circuito retificador trifásico de meia-onda

O retificador trifásico de meia-onda aproveita apenas um ciclo da tensão alternada e


tem apenas um elemento retificador em cada fase. Esse elemento retificador permite
passagem de corrente, quando o diodo fica polarizado no sentido de condução.
Os circuitos retificadores trifásicos de meia-onda podem ser ligados com ou sem
transformadores.

Circuito retificador trifásico de meia-onda com transformador


No circuito retificador trifásico de meia-onda com transformador, o primário do
transformador pode ser ligado tanto em estrela quanto em triângulo. Todavia, o
secundário deve necessariamente ser ligado em estrela a quatro fios.

Veja na figura a seguir a representação esquemática dessas ligações.

O transformador permite uma isolação a partir da rede elétrica. Além disso, faz com
que a tensão a ser retificada seja maior ou menor que a da rede elétrica, possibilitando
uma larga faixa de fornecimento de tensão contínua.

92 SENAI-SP - INTRANET
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Nesse tipo de circuito, quando as chaves S1, S2 e S3 estão fechadas, as linhas R, S e


T alimentam os anodos dos diodos V1, V2 e V3, respectivamente. Os catodos dos
retificadores são conectados juntos. A carga RL está ligada entre os catodos e o neutro
da alimentação trifásica a quatro fios. Veja na figura a seguir a representação
esquemática do circuito que alimenta uma carga resistiva RL.

Funcionamento

Para observar o funcionamento do circuito, vamos analisá-lo supondo que


somente a chave S 1 esteja fechada. Nesse caso, teremos sobre R L apenas
meio ciclo de tensão como acontece na retificação monofásica de meia-
onda, pois apenas V 1 estará conduzindo. Veja circuito e formas de onda a
seguir.

Se fecharmos também S2, os diodos V1 e V2 passarão a conduzir. Nessa condição, o


circuito funciona como um retificador monofásico de onda completa.

SENAI-SP - INTRANET 93
Eletrônica analógica - Teoria

o
A diferença entre os dois circuitos está na defasagem que é de 120 no sistema
o
trifásico e de 180 no monofásico. Veja abaixo o circuito e o gráfico com as formas de
onda das tensões aplicadas aos anodos de V1 e V2.

o
No intervalo de 0 a 150 , a rede R é mais positiva que a rede S. Por causa disso,
nesse intervalo, o anodo do diodo está mais positivo que o anodo de V2 e somente V1
irá conduzir. Sobre RL a condição é a mostrada na figura a seguir.

94 SENAI-SP - INTRANET
Eletrônica analógica - Teoria

o
Em 150 , as duas tensões têm valores iguais, conforme pode ser observado no gráfico
a seguir.

o
A partir de 150 , a tensão na fase S é mais positiva que na fase R. Nessa condição,
o
V2 estará conduzindo até 300 . Nesse ponto, a tensão sobre o anodo de V2 passa a
ser negativa. A forma de onda RL terá a configuração mostrada na figura a seguir.

o
É possível notar, também, que a corrente cessa durante 60 , quando os dois anodos
estão negativos em relação aos catodos.

SENAI-SP - INTRANET 95
Eletrônica analógica - Teoria

Quando a chave S3 também é fechada, a tensão aplicada ao anodo do diodo V3 fará o


circuito funcionar como retificador trifásico de meia-onda no qual as tensões estão
o
defasadas em 120 , como mostram o circuito e o gráfico a seguir.

Ao agir no circuito, a tensão da fase T fará com que o diodo V2 não conduza mais até
o o
300 , mas apenas até 210 . Nesse ponto, a fase T passa a ser mais positiva que a
fase S. Nessa condição, a forma de onda sobre RL apresentará a seguinte condição:

96 SENAI-SP - INTRANET
Eletrônica analógica - Teoria

Observação
Na tela do osciloscópio, você nunca verá a forma de onda partindo de zero, que marca
o início do ciclo (fechamento das três chaves). Após esse momento, as três fases (R,
S e T) continuam se alternando.

o
Em 30 , há um equilíbrio de valores entre as tensões da fase T com a fase R, uma vez
que a fase R passa a ser mais positiva que a fase T, e o diodo V1 volta a conduzir.
Isso é mostrado no gráfico a seguir.

Tensão média
Num circuito retificador trifásico de meia-onda, a corrente que flui pela carga nunca
desce ao nível zero. Por isso, a ondulação na saída do circuito é menor que a
apresentada por um circuito retificador monofásico de onda completa.

O gráfico a seguir mostra as formas de onda representativas do nível de tensão


durante o qual os diodos V1, V2 e V3 estão conduzindo. Mostra também a forma de
onda que representa a corrente através da carga RL.

SENAI-SP - INTRANET 97
Eletrônica analógica - Teoria

Uma vez que a ondulação de saída é menor, a tensão média (Vmed) sobre a carga
num circuito retificador trifásico de meia-onda é maior que num circuito monofásico de
onda completa.

Assim, no circuito monofásico de onda completa, temos:


Vmed = 0,636 Vmáx

No circuito trifásico de meia-onda temos:


Vmed = 0,831 Vmáx.

Circuito retificador trifásico de meia-onda sem transformador

O retificador trifásico de meia-onda sem transformador apresenta a desvantagem de


não ser isolado da rede. Entretanto, pode ser usado quando a rede fornece entrada de
corrente por meio de quatro fios, pois de outra forma o circuito não pode ser ligado.

O funcionamento desse circuito é exatamente igual ao funcionamento do circuito


retificador trifásico de meia-onda com transformador que acabamos de descrever.
Veja a seguir representação esquemática do circuito.

98 SENAI-SP - INTRANET
Eletrônica analógica - Teoria

Circuito retificador trifásico de onda completa em ponte

O retificador trifásico de onda completa em ponte tem muitas aplicações industriais,


porque libera maior quantidade de energia que o retificador trifásico de meia-onda.
Além disso, opera ligado diretamente à rede trifásica sem transformador, a menos que
haja necessidade de diferentes valores de tensões.

Veja circuito na figura a seguir.

Funcionamento
O funcionamento do circuito será explicado a partir de dois circuitos retificadores de
meia-onda.

SENAI-SP - INTRANET 99
Eletrônica analógica - Teoria

Como pode ser observado na figura a seguir, os circuitos são semelhantes; a


diferença está em que em um deles, os diodos estão invertidos.

As formas de onda a seguir são as geradas sobre os resistores de carga (RL) da


retificação trifásica de meia-onda desses circuitos. Note que os pulsos sobre RL2 são
negativos devido à inversão dos diodos.

100 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Em momento algum haverá corrente no neutro, pois toda corrente do retificador


positivo será absorvida pelo negativo. O fluxo da corrente é mostrado a seguir.

O fio neutro pode, então, ser desligado do circuito. Desse modo, as duas cargas ficam
ligadas em série, e suas respectivas tensões associadas, como ocorre com duas
baterias em série aditiva. O sentido das tensões sobre as cargas RL1 e RL2 é mostrado
a seguir.

SENAI-SP - INTRANET 101


Eletrônica analógica - Teoria

A tensão total instantânea sobre as cargas associadas em série é igual à soma das
tensões em cada um dos momentos. Isso ocorre porque essas tensões não são
contínuas puras, mas pulsantes. Os gráficos abaixo mostram as formas de ondas
dessas tensões.

Observação
A forma de onda da corrente em uma carga resistiva do retificador trifásico em ponte
será a mesma da tensão.

Acionamento dos diodos


É interessante notar que, no circuito retificador trifásico de onda completa, a corrente
circula sempre através de dois diodos em série.

102 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

O circuito a seguir funciona de forma que, em cada instante de tempos, a tensão do


anodo de um dos diodos é mais positiva do que a dos demais diodos. Ao mesmo
tempo, a tensão do catodo em um dos diodos é mais negativa. Assim, no circuito
dado, V1 com o anodo mais positivo e V5 com o catodo mais negativo são os dois
diodos que estão conduzindo neste instante de tempo.

SENAI-SP - INTRANET 103


Eletrônica analógica - Teoria

A análise das formas de onda esquematizadas demonstra que a corrente pode entrar
ou sair de cada fase. Quando a corrente sai (ou entra) por uma fase, o retorno se dará
por uma das outras duas fases. Os gráficos a seguir também mostram os intervalos de
condução de cada diodo em relação à tensão aplicada ao circuito.

104 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

A tabela a seguir mostra que há seis possibilidades de funcionamento.

Fases
Entrada Retorno
R T V3 - V4
S T V2 - V3
S R V2 - V6
T R V1 - V6
T S V1 - V5
R S V3 - V5

Cada intervalo de funcionamento dura 1/6 do período. Visto que, em cada intervalo,
dois diodos estão conduzindo e, como cada diodo conduz por dois intervalos
sucessivos, conclui-se que cada diodo conduz por 1/3 do período.

A ondulação (“ripple“) é, portanto, bastante reduzida, já que a tensão retificada fica


próxima da contínua ideal com valor médio de 0,95 do valor de pico, ou seja:
VCC = 0,95 ⋅ VP
Por outro lado, a freqüência de ondulação é igual a seis vezes a freqüência da rede.

SENAI-SP - INTRANET 105


Eletrônica analógica - Teoria

106 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Transistor bipolar

A descoberta do transistor revolucionou o campo da eletrônica. A partir dessa


descoberta, o desenvolvimento da eletrônica se tornou cada vez mais rápido. Mesmo
com o aparecimento dos circuitos integrados e dos microprocessadores, o transistor
ainda tem um lugar de destaque. Suas aplicações se estendem a milhares de circuitos
com as mais diversas finalidades e utilizações.

Neste capítulo, serão estudadas as características do transistor bipolar e seu


funcionamento. Para adquirir esses conhecimentos com mais facilidade, é necessário
ter conhecimentos anteriores sobre materiais semicondutores, junções
semicondutoras, movimento de portadores dentro de cristais semicondutores, lei de
Ohm e leis de Kirchhoff.

Transistor

O termo transistor vem da expressão em inglês "transfer resistor" que significa


resistor de transferência. É um componente que apresenta resistência (impedância)
variável entre dois terminais. Essa resistência é controlada por um terceiro terminal.

Por sua característica controladora de corrente, o transistor pode ser usado como
amplificador de sinais ou como "interruptor eletrônico" em aplicações como
equipamentos de som, imagem, controles industriais, máquinas, calculadoras,
computadores.

Para realizar esse trabalho, existem alguns tipos de transistores:


• Transistor bipolar (NPN ou PNP);
• Transistor de unijunção (UJT);
• Transistor de efeito de campo (FET e MOS-FET);

SENAI-SP - INTRANET 107


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Transistor bipolar

O transistor bipolar é o mais comum e também o mais usado. Sua estrutura básica se
compõe de duas pastilhas de material semicondutor do mesmo tipo. Entre essas
pastilhas é colocada uma terceira, bastante fina, de material diferente, formando uma
configuração semelhante a um sanduíche.

A configuração da estrutura do transistor bipolar permite que se obtenham dois tipos


distintos de transistores bipolares: NPN e PNP.

Os dois tipos de transistores podem cumprir as mesmas funções diferindo apenas na


forma como as fontes de alimentação são ligadas ao circuito eletrônico.

Terminais do transistor bipolar


Cada uma das pastilhas que formam o conjunto, recebe terminal para que o
componente possa ser conectado ao circuito eletrônico. Cada terminal recebe uma
designação para que se possa distinguir cada uma das pastilhas.

Assim, a pastilha central é denominada base e representada pela letra B. Uma das
pastilhas externas é denominada de coletor e é representada pela letra C. A outra
pastilha externa é denominada emissor e é representada pela letra E.

108 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

A figura a seguir apresenta os dois tipos de transistores com a identificação dos


terminais.

Embora as pastilhas do coletor e do emissor sejam do mesmo tipo de material


semicondutor, existe diferença de volume de material semicondutor e de intensidade
de dopagem entre as pastilhas.

O emissor é densamente dopado, enquanto que a base é levemente dopada. O


coletor possui maior volume e, por isso, dissipa mais potência; a intensidade de sua
dopagem é intermediária em relação à dopagem das outras duas pastilhas.

Por esse motivo, as ligações do coletor e do emissor no circuito eletrônico não são
intercambiáveis.

Símbolos
A norma NBR 12526/92 define o símbolo gráfico do transistor. A figura a seguir
apresenta os símbolos dos transistores NPN e PNP, indicando a designação dos
terminais. A diferença entre os símbolos dos dois transistores esta apenas no sentido
da seta do terminal emissor.

Alguns transistores, fabricados para aplicações específicas, são dotados de blindagem.


Essa blindagem consiste em um invólucro metálico ao redor das pastilhas
semicondutoras, cuja função é evitar que o funcionamento do transistor seja afetado
por campos elétricos ou magnéticos do ambiente.

SENAI-SP - INTRANET 109


Eletrônica analógica - Teoria

Esses transistores apresentam um quarto terminal ligado à blindagem para que possa
ser conectada ao terra do circuito eletrônico. O símbolo gráfico desse tipo de transistor
é apresentado a seguir.

Tensões nos terminais do transistor

O funcionamento do transistor baseia-se no movimento dos elétrons livres e das


lacunas em seu interior e que são provocados pela aplicação de tensões externas ao
coletor, à base e ao emissor. Esse movimento está ligado a polaridade da tensão
aplicada a cada um desses terminais e é diferente para transistores NPN e PNP.

A estrutura física do transistor propicia a formação de duas junções entre cristais P e N:


• Uma junção PN entre o cristal da base e o cristal do emissor, é chamada de junção
base-emissor (BE).

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Eletrônica analógica - Teoria

• Uma junção PN entre o cristal da base e o cristal do coletor, é chamada de junção


base-coletor.

Quando as três pastilhas semicondutoras são unidas, ocorre um processo de difusão


dos portadores. Como no diodo, esse processo de difusão dá origem a uma barreira de
potencial em cada junção. Portanto, no transistor, existem duas barreiras de potencial
que se formam com a junção do cristal: a barreira de potencial na junção base-emissor
e a barreira de potencial na junção base-coletor.

Observação
As três regiões do transistor possuem diferentes níveis de dopagem. Por isso, as
camadas de depleção não possuem a mesma largura. Quanto mais densamente
dopada for a região, maior será a concentração de íons próximo da junção. Isso
significa que a camada de depleção penetra levemente na região do emissor
(dopagem densa), porém profundamente na base (dopagem leve). O mesmo acontece
entre base e coletor. A camada de depleção do emissor é pequena e a do coletor,
grande.

SENAI-SP - INTRANET 111


Eletrônica analógica - Teoria

Polarização na junção base-emissor


Na condição normal de funcionamento, denominada de funcionamento na região
ativa, a junção base-emissor é polarizada diretamente.

A condução da junção base-emissor é provocada pela aplicação de tensão entre base


e emissor com polaridade correta, ou seja, polaridade positiva no material P e negativa
no material N, para um transistor do tipo NPN.

Polarização na junção base-coletor


Na região ativa de funcionamento, a junção base-coletor é polarizada inversamente.

O bloqueio da junção base-coletor é provocado pela aplicação de tensão externa entre


base e coletor, com polaridade adequada, ou seja, polaridade positiva no material N e
negativa no material P, para um transistor NPN.

112 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Polarização simultânea das duas junções


Para que o transistor funcione corretamente, as duas junções devem ser polarizadas
ao mesmo tempo.

Isso é feito aplicando-se duas tensões externas entre os terminais do transistor.

Observações:
• As baterias representam as tensões de polarização.
• Para que um transistor PNP funcione na região ativa, basta inverter as polaridades
das fontes entre as junções

Outra configuração de baterias para a polarização correta das junções também pode
ser usada:

No diagrama:
• A bateria B1 polariza diretamente a junção base-emissor.
• A bateria B2 aplica uma tensão positiva ao coletor. Essa tensão é maior que a
tensão positiva da base, de forma que a junção base-coletor fica polarizada
inversamente.

SENAI-SP - INTRANET 113


Eletrônica analógica - Teoria

A alimentação simultânea das duas junções, através das baterias externas, dá origem
a três tensões entre os terminais do transistor:
• Tensão de base a emissor (VBE)
• Tensão de coletor à base (VCB)
• Tensão de coletor a emissor (VCE)

Observação
Para o transistor PNP, a regra também é válida com a diferença que a polaridade das
baterias de polarização é invertida.

Princípio de funcionamento
O movimento dos portadores livres dá origem a três correntes que circulam nos três
terminais do transistor:
• Corrente do terminal emissor, denominada de corrente de emissor (IE);
• Corrente do terminal base, chamada de corrente de base (IB);
• Corrente do terminal do coletor, chamada de corrente de coletor (IC).

114 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Observação
O princípio básico de funcionamento que explica a origem das correntes no transistor é
o mesmo para os transistores NPN e PNP. Por isso, estudaremos o princípio de
funcionamento de apenas um dos tipos. O comportamento do outro difere apenas na
polaridade das baterias e no sentido das correntes.

Corrente de base
A corrente de base é provocada pela tensão aplicada entre a base e o emissor do
transistor (VBE).

Em um transistor PNP, por exemplo, o potencial positivo aplicado ao emissor repele as


lacunas do material P em direção à base. Se a tensão tiver um valor adequado, ou
seja, 0,7 V para o silício e 0,3 V para o germânio, as lacunas adquirem velocidade
suficiente para atravessar a barreira de potencial formada na junção base-emissor,
recombinando-se com os elétrons livres da base.

Essa recombinação dá origem à corrente de base.

Devido à pequena espessura da base e também ao seu pequeno grau de dopagem, a


combinação acontece em pequena escala, ou seja, poucos portadores que provêm do
emissor podem se combinar. Isso faz com que a corrente de base seja pequena, com
valores que se situam na faixa de microampères ou miliampères.

Como o emissor é fortemente dopado, um grande número de lacunas se desloca em


direção à base, repelidas pela tensão positiva do emissor e atraídas pela tensão
negativa da base.

SENAI-SP - INTRANET 115


Eletrônica analógica - Teoria

A base, porém, tem potencial negativo pequeno, não tendo assim elétrons livres
suficientes para recombinar com a maior parte das lacunas que provêm do emissor.
Assim, um grande número de lacunas atinge a base em grande velocidade e não se
recombina por falta de elétrons livres disponíveis.

Corrente de coletor
As lacunas provenientes do emissor que não se recombinam, atingem a junção base-
coletor e passam ao coletor onde existe um alto potencial positivo.

As lacunas que atingem o coletor dão origem a corrente de coletor.

Em geral, do total de lacunas que entra no emissor de um transistor, a grande maioria


corresponde à corrente de coletor.

Tanto a corrente de base como a corrente de coletor provêm do emissor, de forma que
se pode afirmar que:
IC + IB = IE

Controle da corrente de base sobre a corrente do coletor


A principal característica do transistor reside no fato de que a corrente de base
(pequena) exerce um controle eficiente sobre a corrente de coletor. Esse controle é
devido à influência da corrente de base sobre a largura da barreira de potencial da
junção base-emissor, ou seja, quando VBE aumenta, a barreira de potencial torna-se
mais estreita.

116 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Esse estreitamento permite que um maior número de portadores do emissor atinja a


base. Esses portadores são absorvidos pelo coletor, uma vez que a base não tem
capacidade para recombiná-los. Verifica-se então um aumento na corrente de coletor.
Assim, se IB aumenta, IC aumenta e se IB diminui, IC diminui.

Ganho de corrente do transistor

Através de um transistor, é possível utilizar uma pequena corrente IB para controlar a


circulação de uma corrente de valor muito maior (IC).

A corrente controlada (IC) e a corrente de controle (IB) podem ser relacionadas entre si
para determinar quantas vezes uma é maior que a outra, ou seja,

IC

IB
O resultado dessa relação é denominado tecnicamente de ganho de corrente de base
para coletor, representado pela letra grega β (beta) para corrente contínua ou hfe para
corrente alternada. O ganho indica quantas vezes a corrente de coletor é maior que a
corrente de base.

Conhecendo-se o ganho de corrente entre base e coletor (β), é possível determinar a


corrente de coletor a partir da corrente de base, ou seja: IC = β . IB.

Observação
O fato do transistor permitir um ganho de corrente entre base e coletor não significa
que correntes sejam geradas em seu interior. As correntes que circulam no interior do
componente são provenientes das fontes de alimentação e o transistor apenas controla
sua quantidade.

α, lê-se alfa):
O outro ganho a ser considerado é o de emissor para coletor (α

IC
α=
IE

Como a corrente IE é maior que IC, conclui-se que α é sempre menor que 1.

SENAI-SP - INTRANET 117


Eletrônica analógica - Teoria

Os ganhos β e α estão relacionados entre si através das fórmulas:


α β
β= e α=
1− α β +1

Circuito do coletor
Na grande maioria dos circuitos transistorizados, o coletor do transistor é conectado à
fonte de alimentação através de um resistor denominado de resistor de coletor (RC). O
resistor de coletor completa o circuito ou malha de coletor, composto pelos
componentes por onde circula a corrente do coletor conforme circuito que segue.

A malha de coletor se compõe de resistor de coletor RC em série com o transistor


(coletor-emissor) aos quais é aplicada a tensão VCC.

Sendo um circuito série, a malha de coletor obedece à segunda Lei de Kirchhoff, que
estabelece: a soma das quedas de tensão em um circuito é igual à tensão aplicada aos
seus extremos.

118 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Na malha de coletor, a tensão VCC fornecida pela bateria se distribui em duas parcelas:
• Tensão sobre o resistor de coletor, denominada de queda de tensão no resistor de
coletor (VRC); e
• Tensão entre coletor e emissor (VCE).

Aplicando a Lei de Kirchhoff, a soma das quedas de tensão nos componentes da


malha de coletor será igual à tensão aplicada à malha. A partir disso, pode-se
determinar a equação da malha de coletor, ou seja: VCC = VCE + VRC

Nessa igualdade, VCC é a tensão fornecida pela bateria ao circuito, desconsiderando-se


a influência da resistência interna, pode-se admitir que VCC tem um valor constante,
independente da corrente que o circuito solicitar.

VRC é a queda de tensão no resistor de coletor. O valor desta queda de tensão,


segundo a Lei de Ohm, depende de dois fatores: do valor do resistor RC e da corrente
que está circulando (IC), ou seja, VRC = RC . IC.

A queda de tensão no resistor de coletor (VRC) tem como principal característica o fato
de ser proporcional à corrente de coletor do transistor.

Se a corrente de coletor se torna maior (IC), a queda de tensão sobre o resistor de


coletor aumenta, pois RC . IC = VRC.

VCE é a tensão coletor-emissor e depende da tensão de alimentação e da queda de


tensão em RC, ou seja, como VCC = VCE + VRC,
VCE = VCC - VRC.

SENAI-SP - INTRANET 119


Eletrônica analógica - Teoria

Exemplo
Um transistor com resistor de coletor de 680 Ω tem uma corrente de coletor de 6 mA. A
bateria fornece uma tensão de 12 V à malha do coletor. Qual é a queda de tensão no
resistor de coletor e a tensão coletor-emissor no transistor?

Queda de tensão no resistor de coletor: VRC = RC . IC


VRC = 680 . 0,006 = 4,08V

Tensão de coletor-emissor do transistor: VCE = VCC - VRC


VCE = 12 - 4,08 = 7,92 V

A figura a seguir mostra a malha de coletor com os valores de tensão em cada


elemento.

Relação entre parâmetros


Ao considerar que a queda de tensão VRC depende de IC, afirma-se que VRC também
depende de IB. Desenvolvendo a equação da queda de tensão no resistor de coletor,
tem-se:
VRC = RC . IC

Como IC = IB. β, temos:


VRC = RC . (IB. β)

Nessa equação, os valores de RC e β são constantes. Logo, pode-se dizer que o valor
da queda de tensão no resistor depende diretamente da corrente de base.

120 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Tomando-se um circuito a transistor com duas correntes de base diferentes, é possível


verificar a relação entre os valores de IR, IC, VRC e VCE.

Veja exemplo no circuito a seguir.

Observação
O resistor RB na base do transistor serve para limitar a corrente de base do transistor.
Admitindo-se como primeiro valor de corrente de base 40 µA, os valores do circuito
são:
IC = IB . β = 40 . 100 = 4000 mA ou 0,004 A
VRC = IC . RC = 0,004 . 820 = 3,28 V
VCE = VCC - VRC = 10 - 3,28 = 6,72 V

Admitindo-se um valor de corrente de base de 70 µA, os valores do circuito são:


IC = 70 . 100 = 7000 mA ou 0,007 A
VRC = 0,007 . 820 = 5,74 V
VCE = 10 - 5,74 = 4,26 V

Colocando os dados do circuito das duas situações em uma tabela, é possível


observar o comportamento dos valores de IC, VRC e VCE quando a corrente de base é
modificada.

Queda de tensão Tensão coletor


Corrente de
Corrente de base (IB) no resistor de emissor do
coletor (IC)
coletor (VRC) transistor (VCE)
40 µA 4 mA 3,28 V 6,72 V
70 µA 7 mA 5,74 V 4,26 V

SENAI-SP - INTRANET 121


Eletrônica analógica - Teoria

Relacionando apenas os dados relativos ao transistor, o comportamento do circuito


pode ser assim resumido:
⇑ IB ⇑ IC ⇓ VCE
⇓ IB ⇓ IC ⇑ VCE

Considerando que a corrente de base IB depende da tensão VBE, pode-se incluir mais
esse parâmetro no comportamento do transistor:
⇑ VBE ⇑ IB
⇓ VBE ⇓ IB
A relação entre os parâmetros do transistor é então:
⇑ VBE ⇑ IB ⇑ IC ⇓ VCE
⇓ VBE ⇓ IB ⇓ IC ⇑ VCE

Dissipação de potência no transistor

Todo o componente sujeito a uma diferença de potencial e percorrido por uma corrente
elétrica dissipa uma determinada potência (P = V . I). Isso acontece também no
transistor. A circulação de corrente elétrica através das junções do transistor,
provocada pela aplicação de tensões aos seus terminais, dá origem a uma dissipação
de potência no interior do componente. Essa dissipação se dá em forma de energia
térmica, o que resulta em um aquecimento do transistor.

Dissipação nas junções


A dissipação de potência ocorre nas duas junções do transistor. Essas potências
dissipadas são denominadas de potência de coletor (PC) e potência de base (PB).
A potência total dissipada no transistor é, então:
Ptot = PC + PB

122 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Entretanto, analisando as tensões e correntes presentes nas duas junções, verifica-se


que a tensão e a corrente presentes na junção base-emissor (VBE e IB) são muito
pequenas, quando comparadas com a tensão e a corrente presentes na junção
coletor-base (VCB e IC).

Por isso, a potência dissipada na junção base-emissor é muito pequena comparada


com a potência dissipada na junção base-coletor.

Assim, a potência dissipada na base do transistor é desprezada e considera-se que a


potência total dissipada no transistor é a própria potência dissipada no coletor, ou seja,
Ptot ≅ PC

A potência dissipada no coletor depende da tensão de coletor à base (VCB) e da


corrente de coletor (IC):
PC = VCB . IC

Por questões de praticidade e com o objetivo de resolver circuitos transistorizados


através das curvas características, essa equação é substituída por outra aproximada,
cujo erro é desprezível:
PC ≅ VCE . IC

Dissipação máxima de potência no transistor


O calor produzido pela dissipação de potência (PC ≅ VCE . IC) provoca a elevação da
temperatura dos cristais semicondutores, o que pode danificar o componente.

Para que isso não aconteça, a potência dissipada é limitada a um valor que permite o
funcionamento normal do transistor. Esse valor é chamado de potência de dissipação
máxima (PCmáx) e é fornecido pelos manuais dos fabricantes (“data books”) ou fichas
técnicas.

SENAI-SP - INTRANET 123


Eletrônica analógica - Teoria

O limite de dissipação de potência é estabelecido em função de dois fatores:


• A resistência térmica do encapsulamento;
• A temperatura externa ao transistor.

Resistência térmica: consiste na oposição apresentada por um material à passagem


do fluxo de calor. Quando se fala em transistor, a resistência térmica do
encapsulamento, representada pela notação (Rthja), diz respeito à oposição (imposta
pelo encapsulamento) à transmissão do calor gerado internamente para o meio
ambiente.

Os transistores fabricados para capacidades de dissipação mais elevadas


(denominados de transistores de potência) são normalmente encapsulados em
invólucros metálicos. Esse tipo de encapsulamento se caracteriza por apresentar uma
baixa resistência térmica, transmitindo com mais eficiência o calor para o meio
ambiente.

Os transistores de baixa dissipação (denominados de transistores de sinal) são


encapsulados normalmente em invólucros de plástico. Esse material é usado porque a
quantidade de calor gerado por esses transistores é pequena.

Temperatura externa ao transistor


Para que haja transmissão de calor entre dois pontos, é necessário que haja diferença
de temperatura entre eles.

A quantidade de calor transmitido é maior quando a diferença de temperatura é grande


entre os dois pontos e menor quando essa diferença é pequena. Assim, a quantidade
de calor transmitido da junção do transistor para o ambiente depende da diferença de
temperatura entre a junção e o ambiente.

124 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Quanto mais baixa a temperatura do ambiente, maior a transmissão de calor do interior


do transistor para fora e menor o seu aquecimento. Assim, dois transistores
trabalhando com as mesmas tensões e correntes e, portanto, com mesma potência
dissipada, sofrerão aquecimentos diferentes se estiverem funcionando em
temperaturas diferentes. O transistor que estiver funcionando em um ambiente mais
quente sofrerá maior aquecimento, porque a quantidade de calor transmitido para o
ambiente é menor.

Por causa disso, a especificação de potência máxima de dissipação do transistor é


dada em função da temperatura. Por exemplo: Transistor BC547 apresenta potência
o
de dissipação máxima de 500mW a 25 C ou menos.

Observação
As potências de dissipação máxima fornecidas pelos fabricantes sempre são
referentes à temperatura de 25o C, a menos que haja outra especificação de
temperatura.

Redução da potência dissipada


Em muitos casos, torna-se necessário usar transistores em circuitos que funcionarão
em temperaturas superiores a 25o C. Nesse caso, é necessário considerar que o valor
máximo de potência de dissipação, fornecido pelo fabricante, não pode ser empregado
o
porque é válido somente até 25 C.

É possível compensar o aumento da temperatura


ambiente, fazendo o transistor dissipar menos
potência. O grau de redução da potência nominal
varia de transistor para transistor e é um dado
fornecido pelo fabricante na forma de um gráfico
(Ptot x Tamb).

SENAI-SP - INTRANET 125


Eletrônica analógica - Teoria

Este gráfico indica a potência máxima no transistor para os diversos valores de


temperatura ambiente. Veja na ilustração a seguir o emprego do gráfico determinando
a potência de dissipação máxima dos transistores BC546, BC547 e BC548 para uma
temperatura ambiente de 50ºC.

Correntes de fuga no transistor

O movimento dos portadores minoritários (elétrons no PNP e lacunas no NPN) na


junção inversamente polarizada do transistor origina uma pequena corrente de fuga
que varia diretamente com a temperatura.

Nas figuras a seguir está ilustrada a representação dessas correntes em um transistor


NPN. O raciocínio análogo se aplica ao transistor PNP, bastando inverter as
polaridades da fonte de tensão CC e o sentido de percurso da corrente elétrica.

1. ICBO ou ICO é a corrente do coletor para a base, com o emissor em aberto:

2. ICEO é a corrente do coletor para o emissor, com a base em aberto:

126 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

3. IEBO é a corrente do emissor para a base, com o coletor em aberto:

Observação
A terceira condição, corrente do emissor para a base, com o coletor em aberto Não é
muito utilizada na prática.

Disparo térmico

O disparo térmico (ou avalanche térmica) é um fenômeno que ocorre no transistor


devido à corrente de fuga ICBO. Isso pode levar o transistor à destruição por
aquecimento excessivo.

A dissipação de potência em um transistor (PC = VCE ⋅ IC) provoca o aquecimento das


junções (BE e BC) que, por sua vez, provoca o aumento de ICBO.

Como essa corrente é uma das parcelas de IC, o aumento de ICBO provoca um aumento
em IC, aumentando a potência dissipada, causando novo aquecimento das junções.
Isso ocorre até que o transistor finalmente seja danificado.

SENAI-SP - INTRANET 127


Eletrônica analógica - Teoria

A corrente de fuga ICBO dobra a cada 10o C, aproximadamente, nos transistores de


silício (Si) e 6o C nos de germânio (Ge). Porém, na mesma temperatura, o transistor de
silício apresenta ICBO até 500 vezes menor que o de germânio. Por essa razão, os
transistores de silício são muito mais usados que os de germânio.

Exercícios

1. Responda às seguintes perguntas:

a) Quais as funções básicas de um transistor?

b) Quais os tipos de transistores existentes?

c) Defina ganho de corrente do transistor, da base para o coletor.

2. Faça o símbolo gráfico dos seguintes componentes:


a) Transistor bipolar NPN.

b) Transistor bipolar PNP

128 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

3. Resolva os seguintes exercícios:

a) Calcule a queda de tensão no resistor de coletor, a tensão VCE e a potência


dissipada no transistor, no circuito que segue.

b) Qual é o ganho de corrente de emissor para coletor de um transistor com os


seguintes valores de corrente:
IB = 10 µA
IC = 6 mA

4. Faça o esquema de um transistor bipolar polarizado (fonte e resistor de coletor),


com as notações das correntes e tensões.

SENAI-SP - INTRANET 129


Eletrônica analógica - Teoria

5. Relacione a segunda coluna com a primeira.

a) Transistores bipolares ( ) Polarização direta


b) Transistores de efeito de campo ( ) Tensão da barreira de potencial 0,3 V
c) Transistores de silício ( ) Tipo NPN ou PNP
d) Junção base-emissor ( ) Tipo FET ou MOS-FET
e) Transistores de germânio ( ) Polarização indireta
( ) Tensão da barreira de potencial 0,7 V

6. Preencha as lacunas com V para as afirmações verdadeiras e F para as


afirmações falsas.

a) ( ) O emissor do transistor bipolar é a pastilha mais dopada.


b) ( ) As camadas de depleção de um transistor possuem a mesma largura.
c) ( ) A corrente da base controla a corrente do coletor
d) ( ) O coletor do transistor bipolar é o de menor volume.
e) ( ) O causa gera o rompimento de ligações covalentes e correntes de fuga

7. Resolva as seguintes questões:


a) Um transistor de silício apresenta ICBO = 2,5 µA em temperatura ambiente
(25o C). que valor terá essa corrente se a temperatura subir para 45o C?

b) Um transistor de silício com α = 0,95 possui ICBO = 5 µA em temperatura de 27o


C. Qual é o valor de ICEO admitindo-se que não haja variação de α, em
temperatura de 35o C?

c) Um transistor de germânio apresenta ICO = 4,2 mA em temperatura de 33o C.


Qual é o valor de ICBO se a temperatura cair para 14o C?

130 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

d) Um transistor de silício apresenta em um circuito os seguintes valores de


corrente: IE = 16,32 mA, IB = 200 µA e ICBO = 4 µA. Calcule o ganho de corrente
da base para o coletor desse transistor.

e) Ao medirmos VCb de um transistor de silício polarizado na região ativa,


encontramos -12 V. Qual é o tipo de transistor medido? Justifique.

f) Calcule VCE do transistor da questão anterior.

SENAI-SP - INTRANET 131


Eletrônica analógica - Teoria

132 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Ponto de operação do
transistor

Os componentes eletrônicos se caracterizam por terem a capacidade de operar com


os mais diversos valores de tensão e corrente nos seus terminais. Essa versatilidade
resulta em uma dificuldade, como prever as condições de funcionamento de um
componente quando forem aplicados determinados valores elétricos em um circuito.

Essa é a razão pela qual o comportamento dos componentes eletrônicos, na sua


grande maioria, é expresso através de suas curvas características. Através dessas
curvas, normalmente fornecidas pelos fabricantes, pode-se determinar com certa
exatidão os valores de tensão e corrente que se estabelecerão em um circuito
transistorizado no momento em que for alimentado.

O presente capítulo apresentará as curvas características do transistor, a reta de


carga e o ponto de operação para que você utilize corretamente os transistores.

Para ter sucesso no desenvolvimento dos conteúdos e atividades deste capítulo, você
já deverá ter conhecimentos anteriores sobre o princípio de funcionamento do
transistor bipolar e a relação entre os parâmetros.

Configurações de ligação do transistor

No transistor, a corrente de base atua como corrente de controle, determinando a


corrente de coletor que poderia ser denominada de corrente controlada.

SENAI-SP - INTRANET 133


Eletrônica analógica - Teoria

Em princípio, a circulação de duas correntes de valores diferentes em um componente


pressupõe a existência de quatro terminais, dois terminais para cada corrente.

Como o transistor não dispõe de quatro terminais, sua ligação aos circuitos eletrônicos
é feita de forma que um dos terminais seja comum ao circuito de entrada e ao de
saída, simultaneamente. Desta forma pode-se ligar o transistor em três configurações
distintas:
• Configuração emissor comum;
• Configuração base comum;
• Configuração coletor comum.

Configuração de emissor comum


Quando o terminal emissor é comum à entrada e à saída, a forma de ligação do
transistor é denominada tecnicamente de configuração de emissor comum.

Configuração de base comum


Quando a base é utilizada como terminal
comum, a forma de ligação do transistor é
denominada de configuração de base
comum.

134 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Configuração de coletor comum


Configuração de coletor comum é a denominação dada à forma de ligação na qual o
coletor do transistor é comum à entrada e à saída do circuito.

Curvas características de um transistor

Quando se analisa o comportamento de um componente eletrônico, procura-se


colocar esse componente sob as mais diversas situações em termos de correntes e
tensões.

O comportamento do transistor é expresso através de curvas características que são


gráficos obtidos a partir de medidas elétricas no transistor em vários circuitos, sob
condições de tensão e corrente controladas.

As curvas características do transistor têm grande importância nos projetos de


circuitos, porque expressam o comportamento do componente em uma ampla faixa de
condições de funcionamento, levando em consideração a forma como o transistor está
ligado.

Parâmetros elétricos nas curvas características

Nos componentes semicondutores com apenas dois terminais como por exemplo; o
diodo semicondutor e o diodo zener, são necessários apenas dois parâmetros elétricos
para expressar o comportamento em gráfico: a tensão entre os dois terminais e a
corrente no dispositivo.

SENAI-SP - INTRANET 135


Eletrônica analógica - Teoria

No transistor, pelo fato de obter três terminais, existem 6 valores a considerar:


• IC: corrente de coletor;
• IB: corrente de base;
• IE: corrente de emissor;
• VBE: tensão de base a emissor;
• VCE: tensão de coletor a emissor;
• VCB: tensão de coletor a base.

Veja esses parâmetros na figura a seguir.

Com base nesses valores e em outros , tais como a temperatura, podem ser
levantadas uma série de curvas características que expressam o comportamento do
transistor nas mais diversas condições.

Curvas características na configuração de emissor comum

A configuração de ligação do transistor mais utilizada é a de emissor comum.


Por essa razão, as curvas características dos transistores, fornecidas pelos
fabricantes, são relativas a essa forma de ligação.

A figura que segue ilustra a representação esquemática de um transistor ligado em


emissor comum.

136 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Nessa configuração, quatro parâmetros são fundamentais: VBE, IB, VCE e IC.

Os valores de VBE e IB são denominados parâmetros de entrada e os valores VCE e IC,


parâmetros de saída da configuração emissor comum.

Portanto, para representar o comportamento do transistor na configuração de emissor


comum através de gráficos, são necessárias duas curvas características:
• Uma que expressa o comportamento dos parâmetros de entrada do transistor,
denominada de curva característica de entrada;
• Outra que expressa o comportamento dos parâmetros de saída, denominada de
curva característica de saída.

A curva característica de saída é a curva de maior importância, pois expressa os


parâmetros de saída do transistor; IC e VCE. Entretanto, sabe-se que os valores de VCE
e IC dependem do valor de IB.

A curva característica de saída permite que se


relacionem as grandezas IC, VCE e IB em um único
gráfico. O gráfico que segue mostra a característica de
saída do transistor BC547.

As curvas mostram a dependência da corrente de coletor (IC) em função da tensão


coletor-emissor, mantendo a corrente de base em um valor constante. Nos manuais,
essa curva é indicada como IC = f (VCE e IB). É lida da seguinte maneira: corrente de
coletor em função da tensão coletor-emissor para valores fixos de corrente de base.

SENAI-SP - INTRANET 137


Eletrônica analógica - Teoria

Observação
Nos transistores PNP, os parâmetros nas curvas são negativos: - IB e -IC, ou seja, as
correntes IB e IC saem do transistor, e o coletor é negativo em relação ao emissor.

- IC

As curvas características fornecidas pelo fabricante representam o comportamento


médio de um grande número de transistores usados. Na prática, isso significa que o
comportamento pode apresentar alguma diferença em relação à curva.

Aplicação da curva característica


A curva característica é aplicada na determinação das condições de funcionamento de
um transistor em um circuito. Dispondo dos valores da tensão de alimentação (VCC) e
da corrente de coletor (IC), traça-se uma reta que permitirá determinar graficamente o
comportamento do transistor em um circuito. Essa reta é denominada reta de carga.

A reta de carga é traçada sobre a curva característica de saída do transistor. Ela


permite que se determine graficamente a tensão entre coletor e emissor (VCE) e a
corrente de coletor (IC), presente no transistor naquele momento, em função da
corrente de base atual. A intersecção da reta de carga com o valor de IB no circuito é
denominado ponto quiescente (Q).

138 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

No plano horizontal, o ponto quiescente fornece o valor de IC no circuito e no plano


vertical, o valor de VCE.

Traçado da reta de carga


O traçado da reta de carga leva em conta dois fatores:
• A tensão de alimentação do circuito;
• Valor do resistor de coletor.

Isso significa que, para cada transistor e em cada circuito, existe uma reta de carga
específica.

Para traçar a reta de carga utilizam-se dois pontos que ocorrem em duas situações do
transistor:
• Ponto de corte;
• Ponto de saturação.

O ponto de corte é a situação em que o transistor está sem corrente de base. Usando
as equações do transistor, verifica-se seu comportamento nessa situação:

IC = IB . β. Como IB = 0, IC = 0

Então, VRC = IC . RC. Como IC = 0, VRC = 0.

VCE = VCC - VRC e VRC = 0

SENAI-SP - INTRANET 139


Eletrônica analógica - Teoria

Desta forma temos VCE = VCC.

Esses dois valores, VCE = VCC e IC = 0, são representados por um ponto na curva
característica de saída. Tomando como exemplo o circuito a seguir, o ponto de corte
fica na posição mostrada no gráfico que segue.

Esse é o primeiro ponto da reta de carga.

Observação
O ponto de corte depende fundamentalmente da tensão de alimentação. Se o valor da
tensão for alterado, o ponto de corte também será alterado.

O ponto de saturação é a situação em que se aplica ao transistor uma corrente de


base suficiente para fazer com que a tensão de coletor/emissor caia praticamente a
zero.

Considerando a tensão de coletor/emissor como zero, temos:


VCE = VCC - VRC. Como VCE = 0, VRC = VCC

VRC V
Como IC = e VRC = VCC , IC = CC
RC RC

140 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Na situação de saturação, a corrente de coletor assume o seu valor máximo como se


o resistor de coletor estivesse ligado diretamente à fonte de alimentação. Esse valor
de corrente de coletor é denominado de corrente de saturação.

O ponto de saturação, por sua vez, é aquele no qual

VCC
IC = e VCE = 0
RC

No circuito tomado como exemplo, a tensão de alimentação é de 30V, e o resistor de


coletor é de 470 Ω. Portanto, a corrente de saturação é:

30 V
IC = = 0,0638 A
470Ω

IC = 63,8 mA

Esses valores dão origem ao segundo ponto sobre a curva característica do transistor.

SENAI-SP - INTRANET 141


Eletrônica analógica - Teoria

O ponto de saturação depende fundamentalmente da tensão de alimentação e do


valor do resistor de coletor. Caso esses valores sejam mudados, o ponto de saturação
tem sua posição alterada na curva característica. Unindo os dois pontos encontrados
no gráfico, tem-se a reta de carga do circuito conforme gráfico que segue.

Esta reta de carga serve apenas para o circuito apresentado (transistor BC547,
VCC = 30V e RC = 470 Ω). Caso o transistor, a alimentação (VCC) ou o valor do resistor
de coletor (RC) sejam modificados, deve-se traçar outra reta de carga de acordo com
os novos dados.

Aplicação da reta de carga


Uma vez traçada a reta de carga, pode-se determinar graficamente os valores da
tensão VCE, da tensão sobre o resistor de coletor e da corrente de coletor do transistor
para cada valor de corrente de base.

Tomando-se o circuito do exemplo, pode-se determinar as tensões e correntes na


malha de coletor quando a corrente de base for, por exemplo, 0,10 mA.

142 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

A resposta é obtida através do ponto quiescente (Q) que é o ponto de encontro entre a
reta de carga e a curva de corrente de base conforme gráfico a seguir.

Projetando o ponto encontrado até o eixo horizontal, encontra-se o valor de VCE (13V).
Encontra-se, também, o valor da tensão sobre o resistor de coletor do circuito
(VRC = 17 V).

SENAI-SP - INTRANET 143


Eletrônica analógica - Teoria

Projetando o ponto encontrado até o eixo vertical, encontra-se o valor da corrente de


coletor (IC = 36 mA).

Veja a seguir dois exemplos de reta de carga e determinação de parâmetros de um


circuito através da curva característica de saída.

Exemplo 1

144 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Ponto de corte: VCE = VCC = 6 V


IC = 0 A

Ponto de saturação: VCE = 0 V


6V
IC = = 50mA
120Ω

Exemplo 2

Ponto de operação
Ponto de operação ou ponto quiescente, representado pela letra Q, é a denominação
dada ao conjunto de valores de tensão e corrente que se estabelecem
automaticamente em um circuito a partir de sua alimentação.

A figura a seguir mostra um circuito com um transistor no ponto de operação (Q):


VCE = 10V, VRC = 14V, IC = 52 mA.

SENAI-SP - INTRANET 145


Eletrônica analógica - Teoria

Uma vez estabelecidos os valores do ponto de operação, se nenhuma modificação for


realizada no circuito, os valores permanecerão constantes.

A escolha correta do ponto de operação é fundamental, na medida em que todo o


funcionamento do circuito será baseado nas condições estabelecidas por este ponto.

Influência do ponto de operação no circuito


O ponto de funcionamento determina a condição normal de funcionamento de um
circuito que se estabelece a partir da alimentação. Se o ponto de operação for mal
posicionado, todo o funcionamento do circuito estará prejudicado.

O ponto de operação (Q) de um circuito com um transistor estará sempre sobre a reta
de carga desse circuito. Logo, pode-se afirmar que o ponto de funcionamento depende
dos fatores que determinam a reta de carga, ou seja:
• Do transistor utilizado;
• Da tensão de alimentação (vcc);
• Do resistor de coletor (rc).

De acordo com a função que o circuito desempenhará, o ponto de operação pode se


situar em qualquer posição sobre a reta de carga do circuito.

Observação
Na maioria dos circuitos eletrônicos, o ponto de operação está localizado na região
central da reta de carga.

A partir do momento em que o ponto de operação é localizado sobre a reta de carga,


ficam automaticamente estabelecidos os valores da malha de coletor (saída).

Veja no exemplo a seguir um circuito no ponto de


operação. Observe que ele se situa na região
central da reta de carga.

146 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

A partir desse ponto de operação obtém-se os seguintes valores:


• Tensão entre coletor e emissor;
• Queda de tensão ao resistor de coletor;
• Corrente de coletor.

Esses valores são denominados


respectivamente:
VCEQ: tensão coletor-emissor no ponto de
operação;
VRCQ: queda de tensão no resistor de coletor no
ponto de operação;
ICQ: corrente de coletor no ponto de operação.

No exemplo usado, esses valores são:


VCEQ = 10,5 V, VRCQ = 13,5 V, ICQ = 50 mA

Observação
Pequenas diferenças devido à imprecisão gráfica e espessura dos traços no desenho
não são significativas.

Para obter os valores quiescente (VCEQ, VRCQ e ICQ), é necessário aplicar ao transistor
uma determinada corrente de base quiescente (IBQ). O valor dessa corrente é obtida
no circuito, pela malha de base.

No gráfico usado como exemplo, o ponto de operação está colocado sobre a curva de
IB = 0,2 mA. Esta é a corrente necessária para obter as condições desejadas.

Curva de dissipação máxima

Utilizando o valor de potência de dissipação máxima do transistor e a expressão


PC = VCE . IC, pode-se traçar sobre a curva de saída do transistor o limite de dissipação
ponto a ponto, denominado curva (ou hipérbole) de dissipação de máxima potência.

SENAI-SP - INTRANET 147


Eletrônica analógica - Teoria

Conhecendo-se o valor de PC, que é dado pelo fabricante e escolhendo diversos


valores para VCE, obtêm-se os valores de ICmáx.

Exemplo
o
Transistor BC547, PC = 300 mW a 25 C

Escolhendo alguns valores para VCE, tais como: 5 V, 10 V, 20 V, 40 V, temos:


PCmáx = ICmáx . VCE
PC = 0,5 W

Ponto 1:
VCE = 5 V;
PC = 0,5 W.
P 0,5
ICmáx = C = = 0,1A ou 100 mA
VCE 5

Ponto 2:
VCE = 10 V;
PC = 0,5 W.
P 0,5
ICmáx = C = = 0,05 A ou 50 mA
VCE 10

Ponto 3:
VCE = 20 V;
PC = 0,5 W
P 0,5
ICmáx = C = = 0,025 A ou 25 mA
VCE 20

Ponto 4:
VCE = 40V;
PC = 0,5 W
P 0,5
ICmáx = C = = 0,0125 A ou 12,5 mA
VCE 40

148 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Colocando-se os pontos em dois eixos IC e VCE, tem-se a curva de dissipação máxima


no transistor a 25 0C (300 mW).

A região da curva característica de saída acima da curva traçada é denominada de


região de dissipação excessiva e a região abaixo da curva traçada é a região de
funcionamento.

Se for necessário determinar a redução da potência de dissipação máxima, para o


funcionamento em temperaturas maiores que 25 0C, usa-se o gráfico Ptot (Tamb). Em
seguida, realiza-se o traçado sobre a característica de saída utilizando o valor
encontrado.

SENAI-SP - INTRANET 149


Eletrônica analógica - Teoria

Relação reta de carga X curva de dissipação máxima

A reta de carga expressa todas as possibilidades de funcionamento de um transistor


para um determinado valor de resistor de coletor e de tensão de alimentação. Como a
curva de dissipação de potência máxima estabelece o limite da região de
funcionamento para um transistor, é necessário que a reta de carga, ou pelo menos o
ponto Q, esteja sempre situada abaixo desta curva.

Os resistores de coletor RC e as tensões de alimentação VCC devem ser selecionados


de modo a darem origem a retas de carga que se situem sempre abaixo da curva de
limite de dissipação.

Quando a reta de carga está abaixo da curva-limite de dissipação, qualquer ponto de


operação escolhido poderá ser utilizado sem o risco de provocar aquecimento
excessivo no transistor.

Exercícios

1. Responda às seguintes perguntas:

a) Quais são as configurações em que o transistor pode ser ligado?

b) Qual é a principal função de uma curva característica de um transistor?

c) Que é ponto quiescente?

150 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

2. Faça esquema de um transistor ligado nas seguintes configurações:

a) Configuração emissor comum.

b) Configuração base comum.

c) configuração coletor comum.

3. Resolva os seguintes exercícios:

a) Determine as tensões VCE, VRC e a corrente IC do circuito apresentado,


utilizando o gráfico do transistor.

0,1 mA

SENAI-SP - INTRANET 151


Eletrônica analógica - Teoria

b) Determine, através do gráfico, se o transistor utilizado no item anterior (a),


está trabalhando abaixo da curva de dissipação excessiva.

152 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Polarização do transistor

Uma das condições mais importantes para que um circuito eletrônico transistorizado
funcione adequadamente é estabelecer corretamente o ponto de operação, por meio
da polarização do transistor.

Este capítulo tratará dos métodos mais simples de obtenção do ponto de operação em
um circuito transistorizado de modo a fornecer, com exatidão em um circuito real, as
condições previstas através das curvas características.

Para ter sucesso no desenvolvimento dos conteúdos e atividades deste capítulo, você
deverá ter conhecimentos anteriores sobre as relações entre parâmetros, curvas
características, reta de carga e ponto de operação do transistor, e divisor de tensão.

Polarização de base por corrente constante

Polarização de base é o processo de obtenção da corrente de base necessária para


levar o transistor ao ponto de operação. O processo de polarização de base mais
simples é o de polarização por corrente constante, ou polarização fixa.

SENAI-SP - INTRANET 153


Eletrônica analógica - Teoria

Por meio do traçado da reta de carga e da determinação da corrente de base (IB) na


malha de base, obtém-se o ponto de funcionamento do transistor ou ponto quiescente
(Q).

No método de polarização por corrente de base constante, a corrente de base


quiescente (IQB) é obtida através de um resistor, denominado de resistor de base (RB),
que é ligado entre a base e a tensão de alimentação (VCC).

Análise do circuito de base

O circuito de base, também denominado malha de base, compõe-se do resistor de


base (RB) e da junção base-emissor ligados em série e aplicados à tensão de
alimentação.

154 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Considerando que a junção base-emissor do transistor se comporta como um diodo,


em um circuito equivalente, verifica-se que o “diodo base-emissor” é polarizado
diretamente e permite a circulação da corrente através do resistor. Essa corrente é a
corrente de base.

Determinação do resistor de base


A corrente quiescente que circula na base do transistor (IB) depende dos seguintes
valores:
• Valor do resistor (elemento de controle);
• Tensão de alimentação (já definida);
• Do tipo de transistor utilizado (já definido).

Do circuito equivalente verifica-se que a corrente circulante na base é dada pela


expressão:

VCC − VBE
IBQ =
RB

Nessa igualdade, VCC é a tensão de alimentação, VBE é a ddp na junção base-emissor


e RB é o resistor de base.

Operando essa expressão, obtém-se a fórmula para determinar o resistor de base:

VCC − VBE
RB =
IBQ

SENAI-SP - INTRANET 155


Eletrônica analógica - Teoria

Um exemplo completo de determinação do resistor de base para a obtenção de um


ponto de operação desejado é apresentado a seguir.

Determinar o valor do resistor de base necessário para obter um VCEQ = -3 V em um


circuito com um transistor de silício BC200 (silício), cuja reta de carga já está traçada
na curva.

Observando o encontro da reta de carga com a curva de IB = 80µA, verifica-se que


esse ponto determina um VCEQ de aproximadamente -3,2 V.

156 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Considerando que a diferença de 0,2 V é admissível, o valor de IBQ necessário


é -80 µA.

Para determinar o valor de RB, aplica-se a equação:

VCC − VBE 7,5 − 0,6


RB = = = 86250 Ω
IBQ 0,00008

Observação
O resistor de base utilizado para a polarização por corrente de base constante
normalmente é de valor elevado (por exemplo, 68k, 220k, 470k) porque as correntes
de base dos transistores são baixas, da ordem de micro ou miliampères.

Estabilidade térmica dos circuitos transistorizados

A corrente de coletor dos transistores está sujeita a variações de valor em função da


temperatura, devido às correntes de fuga ICBO e ICEO. Assim, a equação que determina
IC deve levar em conta essas correntes de fuga:
IC = β ⋅ IB + ICBO ⋅ (β + 1)

Como ICEO = ICBO (β + 1), pode-se fazer também:


IC = βIB + ICEO

A corrente de coletor é responsável pela tensão no resistor de coletor (VRC = RC ⋅ IC) e,


consequentemente, pela tensão VCE pois, VCE = VCC - VRC.

SENAI-SP - INTRANET 157


Eletrônica analógica - Teoria

Assim, as variações da corrente de coletor, ocasionadas pelas variações de


temperatura, modificam a forma como as tensões se dividem entre o transistor e o
resistor de coletor e retiram o transistor de seu ponto de funcionamento.

O aumento da temperatura desloca o ponto de funcionamento (Q) para a parte


superior da reta de carga.

A diminuição da temperatura desloca o ponto de funcionamento para a parte inferior


da reta de carga.

Observação
Todo o circuito eletrônico com transistores apresenta um certo grau de instabilidade
térmica.

Fator de estabilidade (S)


O fator de estabilidade (S) é um coeficiente utilizado para avaliar o grau de
estabilidade térmica de um estágio transistorizado. Esse fator corresponde ao
quociente entre a variação da corrente de coletor (∆IC) e a variação da corrente de
fuga (∆ICBO) responsável pelo fenômeno, ou seja:

∆IC
S=
∆ICBO

Quanto menor for a variação de (∆IC) em função da variação de ICBO (∆ICBO) melhor
será a qualidade do estágio transistorizado. Isso significa que quanto menor for o
resultado da divisão ∆IC/∆ICBO, mais estável é o circuito.

158 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

A estabilidade térmica admissível depende fundamentalmente da aplicação à qual o


circuito se destina.

Circuitos com polarização por corrente de base constante


O método de polarização por corrente de base constante não deve ser empregado em
circuitos que estejam sujeitos a grandes variações térmicas. Esse tipo de polarização
propicia uma estabilidade térmica muito pequena.

O fator de estabilidade térmica dos circuitos polarizados por corrente de base


constante é dado pela expressão: S = β + 1.

Com valor de S elevado, o circuito tem pouca estabilidade térmica. Por outro lado, o
fator S = β + 1 indica que quanto maior for o β do transistor, maior será sua
instabilidade.

Correção do ponto de funcionamento

Devido a diferenças existentes no processo de fabricação, os transistores de um


mesmo tipo podem apresentar ganhos de correntes diferentes, variando em uma
ampla faixa. O transistor BC337, por exemplo, pode apresentar um ganho de corrente
(β) situado entre 60 e 630.

A curva característica de saída, fornecida pelo fabricante, representa a característica


média para um tipo de transistor.

SENAI-SP - INTRANET 159


Eletrônica analógica - Teoria

Como na polarização por corrente de base constante o ponto de funcionamento


depende diretamente do ganho de corrente do transistor, é comum ocorrer uma
diferença entre os valores reais obtidos no circuito e os valores do projeto.

160 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

No exemplo apresentado, o transistor apresenta um ganho de corrente superior à


média resultando em uma modificação do ponto de funcionamento.

Neste caso, é necessário corrigir o circuito de forma que o ponto de funcionamento


seja o desejado. Como o ganho de corrente do transistor não pode ser alterado, a
correção é feita através do resistor de base.

Dependendo de como o ganho de corrente real do componente se situa em relação ao


ganho médio, podem ocorrer três situações:
VCEQ do transistor próximo ao valor desejado;
VCEQ do transistor muito abaixo do valor desejado;
VCEQ do transistor muito acima do valor desejado.

VCEQ próximo ao valor desejado


O funcionamento do circuito se situa próximo ao ponto desejado quando o ganho real
do transistor é aproximadamente igual ao ganho médio, fornecido pela curva
característica.

SENAI-SP - INTRANET 161


Eletrônica analógica - Teoria

Nesse caso, não é necessário realizar uma correção, porque as diferenças entre os
valores desejados e os valores reais são pequenas.

VCEQ muito abaixo do valor desejado


Quando o ganho real do transistor é maior que o valor médio, o ponto de
funcionamento sofre um deslocamento para a parte superior da reta de carga.

Tomando como ponto de partida os dados obtidos a partir da curva característica


(média), vemos que, devido ao maior ganho de corrente do transistor, o mesmo
circuito com os mesmos resistores apresenta um resultado muito diferente do
desejado.

162 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Como o ganho de corrente do transistor não pode ser modificado, o maior ganho de
corrente é compensado reduzindo-se a corrente de base quiescente (IBQ). Com a
redução da corrente de base (IBQ), a corrente de coletor se reduz, retornando ao valor
desejado.

Para reduzir a corrente de base IBQ, aumenta-se o valor do resistor RB.

VCEQ muito acima do valor desejado


Se o transistor apresenta um ganho real menor que o ganho médio, o ponto de
funcionamento sofre um deslocamento para a parte inferior da reta de carga.

SENAI-SP - INTRANET 163


Eletrônica analógica - Teoria

Tomando novamente como ponto de partida os dados obtidos a partir da curva


característica, o ponto de funcionamento do circuito é muito diferente do desejado, e
uma correção é necessária.

O ganho de corrente mais baixo do transistor deve ser compensado através de um


aumento correspondente na corrente de base quiescente (IBQ).

Para aumentar IBQ, o valor de RB deve ser reduzido.

Regiões de operação de um transistor

O ponto de operação de um transistor pode ser localizado em qualquer posição ao


longo da reta de carga. De acordo com a posição em que o ponto de operação se
situa na reta de carga, diz-se que o transistor está operando em uma destas três
regiões:
• Região de corte;
• Região de saturação;
• Região ativa.

164 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Região de corte
Um transistor está na região de corte quando as junções base-emissor e base-coletor
estão polarizadas inversamente. A polarização inversa na junção BE torna a corrente
de base nula.

Com base na expressão para cálculo de IC e na corrente IB = 0, tem-se:


IC = β ⋅ IB + b ⋅ ICBO

Como β ⋅ ICBO = ICEO, temos:


IC = β ⋅ 0 + β ⋅ ICBO, ou seja, IC = β ⋅ ICBO

Nos transistores de silício, a corrente de coletor é apenas de fuga (corrente de


saturação inversa ICEO) e seu valor é da ordem de microampères.

Com corrente de coletor praticamente nula, não há queda no resistor de coletor,


VRC = RC . IC, e o VCE é o próprio valor da tensão de alimentação do circuito, ou seja,
VCE = VCC (na região de corte).

O circuito transistorizado a seguir apresenta as junções BE e BC polarizadas


inversamente (em corte). A reta de carga correspondente apresenta o ponto de corte
sobre o eixo horizontal.

SENAI-SP - INTRANET 165


Eletrônica analógica - Teoria

Observação
Em geral, nos transistores de silício, basta cortar a corrente de base para levar o
transistor ao corte, sendo desnecessário polarizar inversamente a junção BE.

Região de saturação
Um transistor está na região de saturação, quando a tensão VBE é maior que a tensão
VCE. Isso ocorre quando as junções BE e BC estão polarizadas diretamente. Veja
figura a seguir.

O que caracteriza a região de saturação é o fato de que a junção coletor-base também


fica diretamente polarizada em virtude de VBE ser maior que VCE.

166 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Na curva característica de saída, a região de saturação fica próxima ao eixo vertical,


onde os valores de VCE são mínimos e os valores de IC são máximos.

Nas curvas características de saída normais, a região de saturação corresponde a


uma faixa muito estreita. Por isso, alguns manuais trazem uma segunda curva
característica de saída somente para a região de saturação.

SENAI-SP - INTRANET 167


Eletrônica analógica - Teoria

Região ativa
A região ativa corresponde a todo o trecho da reta de carga entre as regiões de corte
e de saturação.

O transistor quando polarizado na região ativa, funciona como amplificador. Nela, a


junção BE é polarizada diretamente e a junção BC é polarizada inversamente.

168 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

O gráfico e o circuito apresentados a seguir mostram a característica de saída e as


tensões elétricas de um transistor polarizado na região ativa.

Em resumo, pode-se dizer que um transistor estará na região ativa sempre que VCE
for maior que VBE e menor que VCC, ou seja, fora das regiões de saturação e corte.

Polarização de base por divisor de tensão


A polarização de base pode ser feita a partir de um divisor de tensão, através do qual
se aplica uma tensão VBE entre base e emissor do transistor. O circuito da figura que
segue mostra o emprego desse tipo de polarização.

SENAI-SP - INTRANET 169


Eletrônica analógica - Teoria

O divisor de tensão aplica uma tensão à base (VB) que polariza diretamente a junção
base-emissor, provocando a circulação da corrente IBQ.

Como o emissor está aterrado, a tensão de base VB é a própria tensão VBE aplicada ao
transistor e também é a própria ddp sobre RB2, pois VRB2 = VB = VBE.

O valor da corrente IBQ é ajustado aumentando ou diminuindo a tensão VBE, que é


fornecida pelo divisor.

Normalmente, os circuitos polarizados por divisor de tensão têm ainda um resistor de


emissor RE cuja função é melhorar a estabilidade térmica do circuito.

Esse tipo de polarização, acrescido do resistor de emissor, é o mais empregado


porque propicia um alto grau de estabilidade térmica ao circuito. Outra característica
importante é a menor variação dos valores de polarização quando o transistor é
substituído.

Análise do circuito de coletor


Nos circuitos polarizados por divisor de tensão, a malha de coletor se compõe de:
• Fonte de alimentação;
• Resistor de coletor;
• Transistor;
• Resistor de emissor.

170 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

A tensão fornecida pela fonte se distribui sobre os componentes do circuito de coletor.


,

Segundo a Lei de Kirchhoff para circuitos série, a soma das tensões eqüivale à tensão
de alimentação, ou seja:
VRC + VCE + VRE = VCC.

As quedas de tensão no resistor de coletor (VRC) e no resistor de emissor (VRE)


dependem da corrente no circuito de coletor:
VRC = RC ⋅ IC e VRE = RE ⋅ IE

A diferença entre IC e IE é muito pequena, pois corresponde ao valor de


IB (IE = IC + IB). Por isso, costuma-se considerar IE = IC.

Assim, a expressão da queda de tensão no resistor de emissor pode ser reescrita da


seguinte maneira: VRE = Re ⋅ IC.

As equações do circuito de coletor são:


VCC = VRC + VCE + VRE
VRC = RC ⋅ IC
VRE = RE ⋅ IC

SENAI-SP - INTRANET 171


Eletrônica analógica - Teoria

Exemplo
Determinar os valores de VRC, VRE e VCE no circuito a seguir.

VRC = RC . IC = 1000 ⋅ 0,004 = 4 V


VRE = RE . IC = 270 ⋅ 0,004 = 1,08 V

Dispondo de VCC, VRC e VRE, pode-se determinar o VCE do transistor:


VCC = VRC + VCE + VRE

Portanto, VCE = VCC - (VRC + VRE)


VCE = 10 - (4,0 + 1,08) = 10 - 5,08 = 4,92 V

O circuito de base

O circuito de base, que corresponde ao divisor de tensão, tem a função de polarizar


diretamente a junção base-emissor do transistor, provocando a circulação da
corrente IBQ.

Quando o circuito de polarização utiliza um resistor de emissor, a tensão aplicada


entre base e emissor (VBE) corresponde à diferença entre a tensão de base e a tensão
de emissor, ou seja, VBE = VB - VRE.

172 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

A tensão VBE aplicada à junção base-emissor, que se comporta como um diodo em


condução, dá origem a uma corrente de base.

A própria curva característica da junção base-emissor é, essencialmente, a curva


característica de um diodo em condução. Através da aplicação do valor correto de VBE,
obtém-se a condição de funcionamento desejada para o circuito.

Determinação analítica dos componentes polarizadores

Embora a inclusão do resistor de emissor torne o circuito mais estável termicamente,


isso se torna um problema quando se faz a análise gráfica através da reta de carga.
Por isso, a determinação dos valores dos resistores de polarização é feita
matematicamente.

Para simplificar a análise matemática podem ser consideradas algumas aproximações


e estimativas que não prejudicam os resultados obtidos, como, por exemplo, a
pequena diferença existente entre IC e IE (corrente de base) que não representa erro,
se comparada com a tolerância dos resistores (5 ou 1%), ou seja, IC ≅ IE.

Na determinação dos valores dos elementos polarizadores, toma-se como pontos de


partida os seguintes valores:
• Tensão alimentação (VCC);
• Corrente de coletor (ICQ);
• Tensão sobre o resistor de coletor (VRCQ).

SENAI-SP - INTRANET 173


Eletrônica analógica - Teoria

A tensão sobre o resistor de coletor (VRC) e a tensão de alimentação estão


relacionadas entre si. Nesse tipo de estágio, adota-se normalmente uma tensão no
resistor de coletor igual ou próxima à metade da tensão de alimentação:

VCC
VRCQ =
2

A corrente de coletor (ICQ) assume, nos estágios transistorizados polarizados por


divisor, valores que variam entre 1 e 10 mA.

Dispondo-se de valores VCC, ICQ e VRCQ, pode-se determinar os valores dos


componentes da malha de coletor.

O resistor de coletor é calculado através da Lei de Ohm, aplicada aos valores do


transistor, ou seja,

VRCQ
RC =
ICQ

Adotando para o resistor de emissor uma queda de tensão de 10% da tensão de


alimentação (VRE = 0,1 . VCC), obtém-se um fator de estabilidade ótimo, entre10 e 15.
Desta forma, o resistor de emissor é determinado pela equação:

VRE
RE =
IE

Como VRE ≅ 0,1 . VCC e IE ≅ ICQ

0,1.VCC
RE =
ICQ

O divisor de tensão formado pelos resistores de base tem a função de fornecer a


tensão VB à base do transistor.

174 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Para que a junção base-emissor conduza, a tensão fornecida à base deve ser a
tensão de condução de junção mais VRE.

A tensão de saída do divisor é a própria queda de tensão no resistor RB2 de forma que:
VRB2 = VBE + VRE

A tensão sobre RB1 é a tensão de alimentação menos a parcela que cabe a RB2.
VRB2 = VCC - VRB1

Dispondo dos dois valores de tensão sobre os resistores, deve-se escolher um valor
para a corrente de funcionamento do divisor.

Para que o circuito tenha um fator de estabilidade ótimo, a corrente do divisor (ID) deve
ser suficientemente alta para que pequenas variações na corrente absorvida pela base
não alterem significativamente a proporção da tensão sobre os resistores.

ID >> IBQ

Em função dessa necessidade, adota-se ID = 10 . IBQ

ICC
Como IBQ = e considerando-se que o transistor tenha β mínimo de 100, podemos
β
dizer:
ICC ICC I
IBQ = ID = 10 ⋅ IBQ = 10 ⇒ ID = CC ⇒ ID = 0,1ICC
β 100 10

SENAI-SP - INTRANET 175


Eletrônica analógica - Teoria

Com os valores de tensão dos resistores, VRB1 e VRB2 e a corrente que circula por eles,
pode-se determinar seus valores pela Lei de 0hm.

Assim, temos:

VRB1
RB1 =
0,1ICC
VRB1 = VCC –VRB2
V V
RB 2 = RB2 = RB2
ID 0,1ICC
V + VBE
RB 2 = RE
0,1ICC

Exemplo
Determinar os valores de RC, RE, RB1 e RB2 para que o circuito fique polarizado na
região ativa.

VRCQ 10
RC = = = 1724Ω
ICQ 0,0058

Cálculo de RE:

VREQ = 0,1 . VCC = 0,1 . 20 = 2 V

VREQ 2
RE = = = 344Ω
ICQ 0,0058

176 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Cálculo de RB2
VRB2 = VBE + VREQ = 0,6 + 2 = 2,6 V

ID = 0,1 IC = 0,1 ⋅ 5,8 mA = 0,58 mA

VRB 2 2,6
RB 2 = = = 4482Ω ou 4,48 kΩ
ID 0,00058

Cálculo de RB1
VRB1 = VCC - VRB2 = 20 - 2,6 = 17,4 V

VRB1 17,4
RB1 = = = 30000Ω ou 30 kΩ
ID 0,00058

Usando os valores de resistores comerciais com 5% de tolerância, o circuito seria


montado conforme mostra a figura que segue.

Modificação do ponto de operação

Os estágios transistorizados polarizados por divisor de tensão, por possuírem ótima


estabilidade térmica, não necessitam de correções em função de variações de
temperatura.

A modificação do ponto de funcionamento nestes estágios acontece apenas quando é


necessário alterar o ponto de funcionamento.

SENAI-SP - INTRANET 177


Eletrônica analógica - Teoria

Vamos supor como condição inicial, por exemplo, um estágio polarizado por divisor de
tensão com os valores indicados no circuito a seguir.

Situação 1
Deseja-se aumentar o VCE do transistor. Para isso, é necessário reduzir a queda de
tensão nos resistores RE e RC.

As tensões VRC e VRE dependem da corrente IC (VRC = RC ⋅ IC e VRE ≅ RE ⋅ IC).

A redução nos valores de VRC e VRE pode ser obtida pela redução de IC.
Como a corrente IC é diretamente proporcional a IB, para reduzir IC se reduz IB.

Nesse tipo de polarização, a corrente IB é determinada pela tensão VBE.

Portanto, para reduzir IB, deve-se reduzir a tensão VBE que corresponde à diferença de
tensão entre a base (VB) e o emissor (VRE), ou seja, VBE = VB - VRE.

178 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

A tensão VB é fornecida pelo divisor de tensão, resistor de base RB1 e resistor


de base RB2.

Para reduzir VBE, reduz-se VB, alterando os valores dos resistores que compõem o
divisor de tensão.

Resumindo o processo de correção, utilizando setas para indicar os valores que


aumentam (↑) ou diminuem (↓), tem-se:

Situação 2
Deseja-se reduzir o VCE do transistor. Para isso, deve-se reduzir RB1 ou aumentar RB2.
A seqüência de blocos a seguir mostra o comportamento do circuito.

SENAI-SP - INTRANET 179


Eletrônica analógica - Teoria

Fator de estabilidade
Os circuitos polarizados por divisor de tensão se caracterizam por apresentar um
ótimo, ou bom, fator de estabilidade S. Este fator é dado pela equação:

RE + RB
S=
 R 
RE +  B 
 β + 1

Nessa igualdade, β é o ganho de corrente de base para o coletor do transistor, RE é o


valor do resistor de emissor e RB é o valor equivalente de Thévenin dos dois resistores
divisores de tensão da base:

RB1.RB 2
RB =
RB1 + RB 2

Princípio de funcionamento da estabilização térmica

As variações de temperatura influenciam a corrente de coletor do circuito (IC).


A equação da corrente de coletor mostra a dependência térmica:
IC = β . IB + ICBO . β

varia com a temperatura

A parcela da corrente de coletor que é provocada pela corrente de fuga ICBO . (β + 1)


não pode ser alterada porque se deve a fenômenos internos do transistor.

A polarização por divisor de tensão atua na parcela de IC que é provocada pela


corrente de base. Isso faz as variações na corrente de fuga serem compensadas por
variações opostas na corrente IB:
IC ≅ β (IB + ICBO)

Ou seja,
ICBO aumenta IB é reduzida na mesma proporção pelo circuito
ICBO diminui IB é aumentada na mesma proporção pelo circuito

180 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Essa correção automática pode ser facilmente compreendida analisando-se o


comportamento de um circuito sujeito a variações térmicas.

A partir do momento em que a temperatura aumenta, a corrente de coletor IC tende a


aumentar como conseqüência do aumento da corrente de fuga.

Condição inicial T⇑ ICBO⇑ I C⇑

A modificação de IC provoca uma mudança indesejável no ponto de operação. A partir


do momento em que IC aumenta, IE aumenta também (IE = IC + IB):
I C⇑ IE⇑

O aumento em IE provoca a existência de uma queda de tensão maior em RE:


VRE = IE . RE

IE ⇑ à VRE ⇓

Como a tensão VBE depende da tensão fornecida pelo divisor de tensão (fixa) e de VRE,
observa-se que o seu valor decresce.
VBE = VB - VRE

VB é fixo
VBE diminui
VRE aumenta

VRE ⇑ VBE ⇓

SENAI-SP - INTRANET 181


Eletrônica analógica - Teoria

Diminuindo o VBE do transistor, a corrente de base IB diminui.


VBE⇓ IB ⇑

A redução em IB ocorre na proporção correta para reduzir a corrente de coletor ao seu


valor original.

Condição Final IB ⇓ à I C⇓ (Volta ao valor original)

Com esse processo de correção, o circuito é praticamente insensível às variações de


temperatura.

Exercícios

1. Responda às seguintes perguntas:

a) O que significa polarizar um transistor?

b) O que expressa o fator de estabilidade em um circuito?

c) O que deve ser feito se a tensão VCEQ estiver muito abaixo do valor desejado ?

d) Qual é a principal vantagem na utilização da polarização por divisor de


tensão?

182 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

2. Faça o esquemas solicitados:

a) Circuito com um transistor com polarização da base por corrente constante.

b) Circuito com um transistor polarizado por divisor de tensão.

3. Resolva os seguintes exercícios:


a) Determinar os valores dos resistores de polarização no circuito a seguir,
sabendo-se que VB = 3 V, VCE = 11,6 V e IE = 10 mA.

b) Faça o esquema e determine os valores de RC, RE, RB1 e RB2 para que o
circuito funcione com um transistor de silício com os seguintes dados
• β= 200
• ICQ = 12 ma
• VRCQ = 20 V
• VCC = 40 V

SENAI-SP - INTRANET 183


Eletrônica analógica - Teoria

4. Relacione a segunda coluna com a primeira.

a) Região de corte ( ) Tensão VBE maior que a tensão VCE.


b) Resistor de emissor ( ) Funcionamento dos estágios amplificadores.
c) Região ativa ( ) Polarização por divisor de tensão.
d) Polarização fixa ( ) Junção base emissor polarizada inversamente.
e) Região de saturação ( ) Região de portadores neutros.
( ) Polarização por corrente de base constante.

184 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Amplificadores de
pequenos sinais

Uma das aplicações mais utilizadas e comuns do transistor bipolar é a de amplificador


de pequenos sinais. Esse tipo de circuito possibilitou o surgimento do rádio e do
gravador portáteis que se popularizaram nos anos 60 e 70.

Neste capítulo, você aprenderá a projetar um pré-amplificador, conhecerá as três


configurações básicas do amplificador a transistor e suas características, bem como a
maneira de interligar vários estágios amplificadores, inclusive o de potência, a fim de
obter um circuito amplificador de alto ganho.

Configurações básicas

São três as configurações básicas segundo as quais um transistor pode ser utilizado
como um amplificador, dependendo do terminal que for ligado ao “ terra ” do circuito
para os sinais alternados:
• Emissor comum (EC);
• Coletor comum (CC);
• Base comum (BC).

SENAI-SP - INTRANET 185


Eletrônica analógica - Teoria

Como cada uma delas apresenta características próprias, seu uso é voltado para
aplicações específicas. A idéia básica dessas configurações é apresentada a seguir.

Configuração emissor comum


O circuito apresentado a seguir é um amplificador na configuração emissor comum
cujo circuito de polarização é o de corrente de emissor constante com divisor de
tensão na base.

Os componentes C1 e C2 são os capacitores de acoplamento. O primeiro impede


que o nível CC da polarização interfira no sinal CA da entrada (Vent). Da mesma forma,
C2 bloqueia o nível CC na saída, permitindo que apenas o sinal CA amplificado
chegue à saída (VS). C3 é o capacitor de desacoplamento cuja função é desacoplar
(curto-circuitar) o resistor de emissor do circuito para os sinais alternados, com o
objetivo de proporcionar um ganho de tensão maior.

Análise do circuito amplificador


A análise de qualquer amplificador é feita em duas etapas:
• Análise CC ou análise de polarização;
• Análise CA ou análise das variações.

186 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Análise CC de amplificadores
A análise CC consiste em determinarmos o ponto quiescente (Q) do circuito. Para isto,
todos os capacitores são retirados do circuito, pois para CC a reatância capacitiva é
elevadíssima. Determinar o ponto Q do circuito significa calcular os valores de Ib, Ic e
Vce do transistor.

Deste modo, o circuito equivalente para CC do amplificador apresentado anteriormente


passa a ser o mostrado a seguir.

Análise CA de amplificadores
A análise CA consiste em determinarmos as impedâncias e os ganhos do amplificador.
Para isto todos os capacitores e fontes de alimentação CC são curto-circuitados pois,
para CA, a reatância capacitiva e a impedância da fonte CC são baixíssimas.

SENAI-SP - INTRANET 187


Eletrônica analógica - Teoria

Redesenhando o circuito, o modelo equivalente para CA do amplificador mostrado


anteriormente passa a ser o mostrado a seguir.

Na análise CA, devemos calcular os valores dos ganhos, de tensão (AV ou GV), de
corrente (AI ou GI) e de potência (AP ou GP) e das impedâncias de entrada (Zent) e de
saída (ZS).

Por definição temos:

VS
GV =
Vent
IS
GI =
Ient
G P = G V ⋅ GI
Vent
Z ent =
Ient
VS
ZS =
IS

188 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Quando se faz a análise CA, é conveniente substituir o transistor pelo modelo CA de


Ebers-Moll visto a seguir:

Observação
Para transistor PNP, devemos inverter a seta da fonte de corrente IC.

A resistência R’E que aparece neste modelo equivalente é a resistência dinâmica da


junção base-emissor.

Para amplificadores de pequenos sinais, a resistência dinâmica é definida por:

25mV
R' E =
IE

Nessa igualdade, IE é a corrente de polarização do transistor, obtida na análise CC.

Substituindo o transistor do circuito equivalente CA pelo modelo de Ebers-Moll


teremos:

SENAI-SP - INTRANET 189


Eletrônica analógica - Teoria

1. Ganho em tensão (GV)


O ganho em tensão indica o quanto o sinal de entrada foi amplificado na saída.

VS
GV = A V =
Vent

Nessa igualdade, VS = - RC ⋅ IC
Vent = (β+1) ⋅ R’E ⋅ Ib
IC = β.Ib

Assim,
Ib
GV = AV = - RC ⋅
(β + 1) ⋅ R' E ⋅Ib

Considerando β = β+1 e cancelando os termos iguais teremos:


- RC
Gv = Av =
R' E

Observação
O sinal negativo indica apenas inversão de fase entre a entrada e a saída do circuito
pois se Vent ↑, IC ↑, VRc ↑, VS ↓ , uma vez que VS = VCC – VRc

O ganho em tensão também pode ser expresso em uma unidade de volume


chamada de decibel (dB), através da relação:
Gv 
Gv(dB) = 20 log

Observação
A função do resistor de emissor RE é aumentar a estabilidade térmica do circuito de
polarização porém, para os sinais alternados ele é curto-circuitado (desacoplado) por
C3 com o objetivo de elevar o ganho em tensão. Sem o capacitor de desacoplamento
(C3), o ganho seria:

− RC
GV =
RE

2. Ganho em corrente (GI)


O ganho em corrente indica o quanto a corrente CA de entrada foi amplificada na
saída.

190 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

IS I I
GI = A I = = C = β⋅ B
Ient Ib Ib
GI = AI = β

3. Ganho em potência (GP)


O ganho em potência indica o quanto a potência do sinal de entrada foi amplificada
na saída.
R 
Gp = Ap = Gv . Gi =  C  ⋅ β
 R' E 
R
Gp = Ap = β ⋅ C
R' E

O ganho em potência também pode ser expresso em decibéis:


Gp(dB) = 10 log Gp

4. Impedância de entrada (Zent)


Podemos dizer que Zent é a impedância vista pelo gerador de sinal, na entrada do
amplificador.

Observe que Zent = Rb // (β+1) ⋅ R’E ⇒ Zent = Rb ⋅ (β


β +1) ⋅ R’E/Rb + (β
β +1) ⋅ R’E

Observação
Se o valor de β for elevado, podemos considerar β+1 = β

SENAI-SP - INTRANET 191


Eletrônica analógica - Teoria

Na prática, o valor de Zent é determinado através de um potenciômetro colocado


em série com o capacitor de acoplamento de entrada.

Varia-se P1 até se obter Vb = Vent/2. Quando isso acontecer, teremos P1 = Zent,


pois formou-se um divisor de tensão com Vent, P1 e Zent. Em seguida, mede-se P1
com o ohmímetro e está determinado Zent.

5. Impedância de saída (ZS)


Podemos dizer que ZS é a impedância vista pela carga, na saída do amplificador.

Neste caso, ZS = RC

192 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Na prática, o valor de ZS é determinado com o auxílio de um potenciômetro conectado


na saída do amplificador.

Inicialmente mede-se o valor da tensão na saída (Vs) com a chave aberta. Em


seguida, fecha-se a chave e ajusta-se P2 até se obter a metade do valor de Vs medido
inicialmente. Retira-se P2 e mede-se sua resistência. O valor encontrado será igual ao
da impedância de saída do amplificador.

Cálculo dos capacitores

As capacitâncias dos capacitores de acoplamento (C1 e C2) e desacoplamento (C3)


dependem da menor freqüência (fmin) do sinal de entrada a ser amplificado e da
impedância (Z) ou resistência (R) ligada a eles.

A reatância desses capacitores deve ser, no mínimo, dez vezes menor que a
impedância prevista para eles.

10
10Xc ≤ Z ⇒ C=
2π ⋅ fmin ⋅ Z

SENAI-SP - INTRANET 193


Eletrônica analógica - Teoria

Desta forma, teremos:

10
C1 =
2π ⋅ fmin ⋅ Z ent

10
C2 =
2π ⋅ fmin ⋅ Z S

10
C3 =
2π ⋅ fmin ⋅ R E

Reta de carga CA
Quando aplicamos um sinal alternado na entrada de um amplificador transistorizado,
este produzirá variações na corrente de base que, por sua vez, provocará alterações
no ponto quiescente (Q).

Estas variações do ponto Q não são as mesmas que ocorrem ao longo da reta de
carga CC pois as resistências de carga CA são diferentes das resistências de carga
CC. O amplificador possui, portanto, duas retas de carga:
• Uma reta de carga CC para o circuito de polarização;
• Uma reta de carga CA para o circuito equivalente CA.

194 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Para traçarmos a reta de carga CA, necessitaremos de, no mínimo, dois pontos:
1. para VCE = 0 V ⇒ IC = ICQ + VCEQ / ZS
2. para IC = 0 A ⇒ VCE = VCEQ + Zs ⋅ ICQ

Para que o sinal de entrada seja amplificado sem distorção na saída, é necessário que
as variações se restrinjam à região ativa. Caso a amplitude do sinal abranja as regiões
de corte e/ou de saturação, na saída teremos o ceifamento (distorção) do semi ciclo
positivo e/ou negativo da senóide amplificada.

Compliance CA de saída (CCA)

A compliance CA de saída é o máximo sinal de pico a pico que um amplificador pode


fornecer, sem distorção. Ela depende da reta de carga CA e consequentemente do
ponto quiescente.

SENAI-SP - INTRANET 195


Eletrônica analógica - Teoria

Os limites de tensão dos semiciclos positivo e negativo sem distorção são obtidos na
reta de carga AC:
• Limite do semiciclo positivo = VCEQ;
• Limite do semiciclo negativo = ZS ⋅ ICQ.

A compliance CA de saída será igual ao dobro do menor limite do semiciclo.

196 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Reguladores de tensão

A partir de sua descoberta, o transistor popularizou-se muito rapidamente como


substituto da válvula e passou a ser empregado na grande maioria dos circuitos
eletrônicos. Paralelamente à substituição das válvulas, novas aplicações foram
descobertas para o transistor. Uma destas aplicações é a construção de fontes de
alimentação reguladas à base de transistores que hoje são utilizadas na maioria dos
circuitos eletrônicos.

Para ter sucesso no desenvolvimento dos conteúdos e atividades deste capítulo, você
deverá ter conhecimentos relativos a fontes de alimentação com filtro, regulação de
tensão com diodo zener e relações entre parâmetros do transistor bipolar.

Este capítulo tratará do princípio de funcionamento das fontes reguladas a transistores


e o uso de transistores em configuração darlington.

Regulação de tensão em fontes de alimentação

A necessidade de projetar e montar fontes reguladas de boa qualidade provém do fato


que as fontes não-reguladas nem sempre atendem aos requisitos necessários para
todos os usos. Existem duas razões para isso:
• Regulação pobre
• Estabilização pobre.

SENAI-SP - INTRANET 197


Eletrônica analógica - Teoria

Como resultado de uma regulação pobre, tem-se uma variação na tensão de saída
quando a carga varia. Veja gráficos comparativos a seguir.

Nas fontes não-reguladas, as variações de tensão de entrada (na rede CA) provocam
variações proporcionais na tensão de saída e o resultado é uma estabilização pobre.

Circuitos reguladores de tensão

Existem circuitos eletrônicos cuja finalidade é melhorar o desempenho das fontes de


alimentação, fornecendo um valor preestabelecido de tensão de saída,
independentemente das variações que ocorrem na corrente de carga na tensão da
linha de alimentação CA.

198 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Normalmente, estes circuitos são denominados de reguladores de tensão, embora


sejam, na realidade, reguladores e estabilizadores de tensão.

Observação
Deve-se sempre considerar que não existe um sistema regulador de tensão perfeito.
As variações na tensão de entrada sempre provocam pequenas alterações na tensão
de saída. Os sistemas reguladores devem funcionar de tal forma que as variações na
tensão de saída sejam as menores possíveis.

Classificação dos circuitos reguladores


Os circuitos reguladores são classificados em dois grupos, segundo a posição do
elemento regulador em relação à carga:
• Regulador paralelo;
• Regulador série.

Um circuito regulador é considerado paralelo quando o elemento regulador é colocado


em paralelo com a carga.

SENAI-SP - INTRANET 199


Eletrônica analógica - Teoria

Um exemplo típico de regulação paralela é aquela que utiliza o diodo zener como
elemento regulador. Na prática, esse tipo de circuito só é utilizado quando a corrente
de carga é bastante reduzida.

Um circuito regulador é classificado como sendo série quando o elemento regulador é


colocado em série com a carga.

Na regulação série, as variações de tensão da entrada são absorvidas pelo elemento


regulador, e uma tensão de saída praticamente constante é entregue à carga. Nesse
tipo de circuito, apenas o elemento regulador dissipa potência.

Regulação série com transistor

Os reguladores de tensão do tipo série com transistor são largamente empregados na


alimentação de circuitos eletrônicos devido a sua boa capacidade de regulação.

200 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

A associação diodo zener-resistor, ligada à tensão de entrada, permite a obtenção de


uma tensão constante (VZ), independentemente das variações da tensão de entrada.

A tensão constante do diodo zener é aplicada à base do transistor, ou seja, a tensão


de base do transistor é estabilizada no valor VZ, sendo VZ = VB

Como a carga está ligada ao emissor do transistor, a tensão sobre ela (VRL) será a
tensão aplicada à base (VZ) menos a queda na junção base-emissor (VBE):
VRL = VB - VBE ou VS = VZ - VBE

A diferença entre a tensão de entrada (VENT) e a tensão de carga (VRL) fica entre
coletor e emissor do transistor (VCE) que atua como elemento regulador.
VS = VENT - VCE

Observe que qualquer variação da tensão de entrada não é transferida para a saída,
pois a tensão de base do transistor está estabilizada pelo zener.

Análise do circuito
No circuito regulador série com transistor pode ser analisado sob dois pontos de vista:
o das tensões e o das correntes.

A tensão aplicada à base pode ser considerada constante (mantida pelo diodo zener)
de forma que a tensão sobre a carga também se mantém constante (0,7 V ou 0,3 V
menor que VZ).

As variações nas tensões de entrada são assimiladas pelo transistor através de uma
modificação na tensão entre o coletor e o emissor (VCE). No exemplo a seguir, é
apresentada a análise do comportamento das tensões no regulador com transistor.

SENAI-SP - INTRANET 201


Eletrônica analógica - Teoria

Nesses circuitos, a tensão de entrada sempre é maior que a tensão de saída. Isto é
necessário para que a tensão coletor-emissor (VCE) varie sem provocar alteração na
saída do circuito.

Em geral, a tensão de entrada deve ser aproximadamente 50% maior do que a tensão
regulada necessária na saída, desde que VCE seja maior do que 3 V.

Outra análise que se pode fazer nesse circuito é a análise do comportamento das
correntes que mostra a forma como o circuito regulador reage às modificações da
corrente de carga.

Tomando como base uma condição inicial, com uma carga estabelecida, as correntes
do circuito são as mostradas na figura a seguir.

Como IB é desprezível, pode-se considerar IRL ≅ IE ≅ IC, ou seja, a corrente de coletor é


praticamente igual à corrente de carga.

A corrente de base, necessária para que o transistor forneça a corrente de carga, é


proveniente do circuito resistor-zener (R – DZ).

Quando a carga varia (exigindo maior ou menor corrente), a corrente de coletor se


modifica. Com a modificação na corrente de coletor, a base passa a absorver outro
valor de corrente.
IRL⇑ → ⇑IC Como IC = β . IB → ⇑IB
IRL⇓ → ⇓IC Como IC = β . IB → ⇓IB

202 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Considerando a corrente do resistor R (IR = IB + IZ) com valor constante, verifica-se


que:
• Se IB aumenta, IZ diminui;
• Se IB diminui, IZ aumenta;

De forma que IB + IZ tenha um valor constante.

Cabe ao diodo zener absorver o excesso de corrente ou fornecer uma corrente extra à
base do transistor, conforme a situação de carga do circuito.

Na figura a seguir é apresentada a análise das correntes do regulador série com


transistor com β = 100, nos casos em que a corrente de carga aumenta e diminui 0,5
A em relação ao valor de referência de 1 A e no qual IZ = 30 mA. Observe que a
tensão de entrada do regulador é constante (16 V)

Nos circuitos reguladores série, a condição fundamental para que a tensão de saída
permaneça constante é a regulação de tensão no diodo zener. A tensão zener não
deve variar com as modificações da carga ou da tensão de entrada.

Compensação da tensão VBE

A tensão de saída dos circuitos reguladores tipo série é dada pela expressão
VS = VZ - VBE.

SENAI-SP - INTRANET 203


Eletrônica analógica - Teoria

Isto significa que a tensão de saída sempre é um pouco menor que a tensão do diodo
zener.

Para compensar esta perda de tensão na junção base-emissor, pode-se acrescentar


um diodo (no sentido da condução) em série com o diodo zener. Essa configuração
com o diodo de compensação é apresentada na figura que segue.

Com a colocação do diodo, a tensão aplicada à base do transistor passa a ser


VB = VZ + VD1.

Utilizando um diodo de mesmo tipo do transistor (germânio ou silício), o acréscimo de


tensão na base compensará a queda de tensão na junção base-emissor:
VS = (VZ + VD1) - VBE

Como VD1 tem o mesmo valor de VBE, obtém-se:


VS = VZ + VD1 - VBE VS - VZ

Dissipação de potência no circuito regulador série

Os circuitos reguladores de tensão sempre apresentam componentes que dissipam


potências elevadas em forma de calor.

204 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Nos circuitos reguladores série, o componente sujeito à dissipação elevada é o


transistor. A potência dissipada no transistor é o produto da corrente de coletor pela
diferença de tensão entre a entrada e a saída:
PT = IC . (VENT - VS)
Como VENT - VS = VCE,
PT = IC . VCE

Em geral, os transistores usados nos circuitos reguladores são de potência,


dimensionados de forma que a dissipação real não provoque o disparo térmico e a
inutilização do componente.

Configuração Darlington

A configuração darlington corresponde a uma forma de ligação entre dois transistores


que adquire características singulares. Veja circuito a seguir.

Nele, o resistor R1 fornece uma corrente de base IB1 ao transistor T1. Essa corrente é
amplificada por T1 e gera uma corrente de coletor (IC1) com valor igual a IB1 ⋅ β 1.
Admitindo-se que IE1 ≅ IC1, conclui-se que IE1 ≅ IB1⋅ β 1.

SENAI-SP - INTRANET 205


Eletrônica analógica - Teoria

A corrente IE1 é aplicada à base de (IE1 = IB2). O transistor T2 amplifica esta corrente de
base gerando uma corrente na carga que corresponde a IC2 = IB2 ⋅ β 2, ou seja:

IC2 = IB2 ⋅ β 2
IC2 = IE1 ⋅ β 2
IC2 = (IB1⋅ β 1) ⋅ β 2

Como a corrente de carga (IRL) é a soma das correntes dos coletores:


IRL = IC1 + IC2
IRL = IB1 ⋅ β 1 + (IB1⋅ β 1) ⋅ β 2
IRL = IB1β1 (1 + β 2)

Considerando 1 + β 2 ≅ β 2, tem-se:
IRL = Iβ1β1 - β 2

Operando a equação de tal forma a obter IB1, tem-se:

IRL
IB1 =
β1.β 2

Isso significa que uma carga de grande corrente pode ser controlada através de uma
corrente centenas ou milhares de vezes menor.

206 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

A seguir são apresentados dois exemplos de acionamento de uma carga de 2 A


através de:
• Um transistor com β = 50;
• Dois transistores de β = 50 em configuração darlington.

Pelos resultados, verifica-se que a corrente de base na entrada do regulador é muito


menor com a configuração darlington.

SENAI-SP - INTRANET 207


Eletrônica analógica - Teoria

A figura a seguir mostra o diagrama de uma fonte regulada simples que usa
transistores ligados na configuração darlington com os diodos de compensação VBE.

Como vantagens fundamentais dessa configuração, temos:


• As variações de corrente no zener em função da carga são menores, o que
aumenta a estabilidade da tensão de saída;
• Menor dissipação no zener.

Deve-se levar em conta que se não houver os diodos de compensação (D1 e D2), a
tensão de saída será:
VS = VZ - (VBE1 + VBE2).

A configuração darlington também está disponível no mercado em um único


encapsulamento de transistor.

208 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Observação
Alguns desses transistores possuem um diodo entre emissor e coletor, e a única forma
de identificar transistores com essa configuração é através da consulta ao manual do
fabricante.

Reguladores em circuitos integrados


Existem circuitos integrados que fazem toda a regulação da tensão de saída de uma
fonte de CC de forma simples e muito eficiente. Esses circuitos integrados reguladores
ou estabilizadores de tensão podem fornecer uma tensão de saída fixa ou variável.

O regulador de tensão com saída fixa mais utilizado é o de três terminais com
encapsulamento TO-220 da família 78XX e 79XX. O prefixo 78 indica regulador de
tensão positiva e o 79 identifica o regulador de tensão negativa.

Ele possui limitação interna de corrente, área de segurança de compensação de


temperatura e proteção contra curto-circuito na saída. Se for usado com dissipador de
calor adequado, pode fornecer à carga corrente superior a 1 A.

O regulador de tensão de saída variável mais popular é o LM 317.

Os dados sobre esses componentes são encontrados nos data books e manuais dos
respectivos fabricantes.

Exercícios

1. Responda às seguintes perguntas:

a) Cite duas razões pelas quais se deve usar regulação em uma fonte de tensão.

b) Qual é a função de um circuito regulador de tensão?

SENAI-SP - INTRANET 209


Eletrônica analógica - Teoria

c) Quais são os dois grupos de reguladores usados, e qual é o mais usado?

d) Qual é a vantagem da utilização de uma configuração darlington em


transistores?

2. Faça os esquemas citados:

a) Circuito regulador série.

b) Configuração darlington.

210 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

3. Resolva os seguintes exercícios:

a) Calcule a corrente de base no circuito apresentado.

4. Escreva nos parênteses V para as afirmações verdadeiras e F para as afirmações


falsas.

a) ( ) Em um circuito regulador a transistor, as variações na tensão de entrada


são assimiladas pelo transistor.
b) ( ) Os circuitos integrados reguladores são fabricados para fornecer
somente tensões fixas.
c) ( ) Um transistor darlington difere de outros transistores, por uma marca no
seu encapsulamento, com os dizeres “dn”.
d) ( ) Em um circuito regulador a transistor, as variações na corrente de
entrada são assimiladas pelo diodo zener.
e) ( ) A potência dissipada no transistor em um circuito regulador série é o
produto da corrente zener pela tensão VCE.

SENAI-SP - INTRANET 211


Eletrônica analógica - Teoria

212 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Transistor de efeito
de campo

O transistor de efeito de campo(FET), constituído de material semicondutor, é contro-


lado por tensão e caracteriza-se pela alta impedância de entrada e baixo ruído interno.
Seu princípio de funcionamento e métodos de polarização se assemelham muito aos
da válvula. O FET é o assunto deste capítulo.

Transistores de efeito de campo

Os transistores de efeito de campo ou FETs (do inglês field effect transistor) são tran-
sistores especiais que têm a capacidade de exercer o controle sobre um fluxo de cor-
rente através de tensão aplicada em um terminal de comando.

Eles são usados principalmente em estágios iniciais de instrumentos de medição (os-


ciloscópios, voltímetros eletrônicos) onde são necessárias altas impedâncias de entra-
da

A designação FET se aplica a toda uma família de componentes que funcionam pelo
mesmo princípio. Assim temos:
• FET de junção (ou JFET);
• IGFET (ou MOS-FET) de porta isolada.

Observação
O JFET e o IGFET podem ser produzidos na forma complementar do mesmo modo
que os transistores. Para caracterizá-los faz-se referência ao canal, que pode ser P ou
N.

SENAI-SP - INTRANET 213


Eletrônica analógica - Teoria

FET de junção (JFET)

O JFET é constituído por um bloco de material tipo P ou N (também chamado de


substrato), fortemente dopado, no qual é fundida uma barra de outro tipo de material
semicondutor levemente dopada, formando um canal.

O canal pode ser do tipo P ou N e o bloco, necessariamente será de um material


oposto.

Eles são fabricados em invólucros semelhantes aos transistores bipolares e seus sím-
bolos são os mostrados a seguir.

214 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Quando os dois materiais são unidos, forma-se uma região de depleção (como nos
diodos). Essa região é maior dentro do canal, pois o material do canal é menos dopado.

A região do bloco é eletricamente ligada entre si e uma película de material isolante


(óxido de silício) é depositada sobre ele. Nessa camada de óxido de silício são deixa-
das três janelas a fim de que sejam formados os contatos ôhmicos nas regiões N e P.

Uma das extremidades do canal é chamada de fonte (em inglês "source"), designada
pela letra S. A outra extremidade do canal é chamada de dreno (em inglês "drain") e é
designada pela letra D.

O substrato em torno do canal é chamado porta (em inglês "gate") e é representado


pela letra G.

Existem alguns FETs que apresentam duas portas, representadas por G1 e G2.

SENAI-SP - INTRANET 215


Eletrônica analógica - Teoria

Funcionamento
Para compreender como o JFET opera, observe a representação esquemática do
componente mostrada a seguir.

As duas portas são, na maioria das vezes, conectadas internamente e, para entender-
mos o funcionamento do FET, vamos supor que essa é sua condição.

A figura a seguir mostra a conexão em curto entre a fonte e o dreno e um potencial


ajustável entre fonte e porta (VSG ajustável).

Quando VSG = 0, aparece a região de depleção. Se a tensão aumenta em sentido posi-


tivo, há um alargamento dessa região e conseqüente estreitamento do canal, que tem
sua condutividade diminuída.

216 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Observação
A corrente da porta será desprezível, uma vez que temos apenas uma junção PN in-
versamente polarizada e, portanto, alta impedância de entrada.

Se VSG continuar a aumentar, a camada de depleção ocupará todo o canal, que é en-
tão anulado. Este ponto é chamado de pinch-off ou pinçamento.

O gráfico a seguir mostra um gráfico da condutância do canal fonte-dreno (GSD) em


função de VSG, quando VSD = 0.

Observe que quando VSG é igual a Vp, GSD é igual a 0. Isso quer dizer que o canal
apresenta resistência infinita.

Quando VSG se torna negativa, a condutância do canal aumenta consideravelmente.


Todavia, a junção PN da porta fica polarizada diretamente e a impedância de entrada
fica relativamente baixa.

SENAI-SP - INTRANET 217


Eletrônica analógica - Teoria

Região ôhmica
Agora deixaremos VSG = 0 e estudaremos o efeito de VSD sobre ID (corrente de dreno).

À medida que VSD aumenta em sentido negativo, a fim de garantir a polarização inver-
sa na junção da porta, ID começa a aumentar.

O aumento de VSD, aumenta a polarização inversa e faz a região de depleção se alar-


gar mais na extremidade do dreno por causa da queda de tensão ao longo do canal.
Para entender isso, vamos comparar o JFET com o circuito equivalente a seguir.

Os diodos D1, D2 e D3 representam a junção PN da porta, e a resistência, o canal.

Se impusermos uma circulação de corrente pela resistência, haverá uma queda de


tensão ao longo dela, de tal forma que D3 terá uma polarização inversa maior que D2 e
esta maior que D1.

Apesar do estreitamento do canal, a corrente de dreno é praticamente proporcional à


tensão VSD. Essa região de operação é chamada de região ôhmica.

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Eletrônica analógica - Teoria

Saturação
Continuando com o aumento de VSD, a corrente do dreno e a queda de tensão interna
também aumentam. A polarização inversa da porta, imposta pela queda de tensão do
canal aumenta a camada de depleção até que a condição de pinçamento (pinch-off)
seja atingida.

No ponto em que as regiões de depleção quase se tocam, a tensão VSD se iguala ao


valor negativo da tensão de pinçamento (VSD = - VP). Nesse ponto, o valor da corrente
de dreno é chamado de IDSS (ou ID-ON).

Nesse ponto, pode-se dizer também que o JFET atingiu a saturação porque, mesmo
se o valor de VSD continuar a ser aumentado, as regiões de depleção continuarão a
crescer juntas, mantendo a corrente de dreno quase constante.

SENAI-SP - INTRANET 219


Eletrônica analógica - Teoria

Essa região de corrente de dreno é chamada de região saturada ou de corrente cons-


tante.

Veja no gráfico a seguir a relação entre corrente de dreno e tensão fonte-dreno.

No gráfico, o ponto BVDSS representa o ponto que é atingido quando há um aumento


muito grande de VSD. Ele é determinado pela tensão inversa máxima que a porta pode
suportar e que não deve ser ultrapassada, pois isso provocaria uma avalancha e a
corrente de dreno aumentaria consideravelmente. Para que isso não ocorra e não haja
dano no componente, a corrente deve ser limitada com o auxílio de um resistor.

O gráfico a seguir mostra as curvas características de um JFET de canal P para a cor-


rente de dreno em função de VSD com diferentes valores de VSG.

No gráfico pode-se observar que à medida que o valor de VSG aumenta, diminui o valor
do pinçamento (pinch-off).

220 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Observação
A tensão de pinçamento (pinch-off) é a tensão que deve ser aplicada entre fonte e
porta para cortar a corrente de dreno.

Transistor de efeito de campo de porta isolada (MOS-FET)

Os transistores de efeito de campo do tipo porta isolada (MOS), assim como os FETs
de junção, são componentes unipolares cuja operação se baseia no controle da cor-
rente por meio de campos eletrostáticos.

Os MOS-FETs, também conhecidos como IG-FET diferem dos J-FETs pelo fato de
apresentarem a porta isolada do canal através de um película de óxido de silício.

Esses componentes são largamente empregados na construção de circuitos integra-


dos devido a sua facilidade de integração.

Como os J-FETs, o MOS-FETs apresentam três terminais: dreno, fonte e porta.

A porta é constituída por um eletrodo metálico separado do canal por uma camada
isolante de óxido metálico, formando a seqüência que deu origem à designação MOS:
Metal - Oxido - Silício.

Observação
O substrato serve como base de montagem para o FET e pode ser usado em algumas
aplicações especiais. Um quarto terminal ligado ao substrato pode ser usado como
outra porta.

SENAI-SP - INTRANET 221


Eletrônica analógica - Teoria

A colocação da camada isolante entre porta e canal mantém a porta totalmente isola-
da. Isso confere aos MOS-FETs sua característica mais importante: a impedância de
entrada extremamente alta (da ordem de 1015 Ω) sem a preocupação com a polaridade
da porta.

Existem dois tipos de MOS-FETs: depleção e enriquecimento.

MOSFET tipo depleção


O MOSFET tipo depleção é um FET de porta isolada no qual o princípio de controle da
corrente é semelhante ao J-FET, ou seja, por meio da depleção no canal.

Esse FET é constituído por um substrato (bloco de sustentação), uma barra de materi-
al semicondutor (canal) e uma camada de depósito metálico isolada do canal, usada
como elemento de controle (porta ou gate).

Os MOS-FETs depleção podem ser de dois tipos: canal P ou canal N.

222 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Seus símbolos diferem apenas no sentido da seta no terminal ligado ao substrato. A


situação de isolamento entre porta e canal também está expressa graficamente no
símbolo.

Funcionamento
O princípio de funcionamento do MOS-FET é o mesmo do J-FET. Quando o terminal
de porta não tem polarização, o movimento de portadores é livre no canal, propiciando
o aparecimento de uma corrente entre fonte-dreno.

O MOS-FET depleção é, portanto, normalmente condutor. Esse aspecto é expresso


graficamente no símbolo pela linha cheia que liga dreno e fonte.

SENAI-SP - INTRANET 223


Eletrônica analógica - Teoria

A aplicação de uma tensão positiva à porta do MOS-FET tipo P (negativa no MOS-FET N)


provoca o aparecimento de uma região de depleção no canal que reduz a sua área útil,
reduzindo a corrente IDS.

A região de depleção tem comportamento igual à do J-FET: produz uma largura maior
na camada de depleção junto ao dreno devido à queda de tensão provocada pela pas-
sagem da corrente.

O contato metálico da porta, o material isolante e o substrato P formam um capacitor


cujo dielétrico é o óxido de silício.

O aumento do potencial positivo da porta provoca um estreitamento na área útil do


canal, reduzindo a corrente IDS.

Desta forma, através do controle do potencial positivo da porta (MOS-FET P), pode-se
controlar a corrente no canal.

Existe, porém, uma diferença singular entre os J-FET e os MOS-FET depleção. Nos
J-FETs, a junção PN formada entre canal e porta não deve ser polarizada direta-
mente porque isso provocaria o aparecimento de uma corrente de porta, bem como
uma queda acentuada na impedância de entrada.

224 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Nos FETs de porta isolada não ocorre este problema porque o terminal porta é isolado
do canal, independentemente da polaridade dos terminais.

Nos MOS-FETs depleção tipo P, a aplicação de um potencial negativo à porta provoca


uma aumento de corrente IDS, pois o efeito da porta se soma ao de potencial negativo
do dreno.

A figura a seguir mostra a curva característica de saída do MOS-FET P na qual se ve-


rifica que a porta pode receber tanto potencial positivo quanto negativo.

MOS-FET tipo enriquecimento


O MOS-FET tipo enriquecimento é composto por duas pastilhas semicondutoras "iso-
ladas" entre si pelo material semicondutor do substrato. Sobre este conjunto estão de-
positadas uma camada de óxido isolante e uma camada metálica formadora da porta
de controle.

SENAI-SP - INTRANET 225


Eletrônica analógica - Teoria

Veja representação esquemática e símbolos a seguir.

Funcionamento
Para facilitar a compreensão do funcionamento desse tipo de FET, vamos comparar
esse componente a um capacitor no qual a porta seria uma das placas, o óxido de silí-
cio o isolante e o canal, a outra placa.

Se a placa/porta for polarizada com tensão negativa, haverá um enriquecimento do


canal e nele será induzida uma carga positiva (como no capacitor). Esta carga positiva
induzida criará lacunas entre o dreno e a fonte, aumentando assim a condução do ca-
nal.

Por outro lado, se a porta for polarizada com tensão negativa, haverá um enfraqueci-
mento de campo, diminuindo a condutividade do canal.

À medida que a tensão positiva é aumentada, diminui o valor da corrente do canal até
que a condutividade se torne zero (ponto de pinçamento ou pinch-off).

O gráfico a seguir mostra a característica do dreno de um MOS-FET tipo P. Observe


que o controle da corrente pode ser efetuado em ambas as polaridades de VSG, fato
que não ocorre com o J-FET

226 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Exercícios

1. Responde às seguintes perguntas:

a) Qual é a característica dos FETs que os torna ideais para a aplicação em está-
gios de entrada de osciloscópio, receptores e voltímetros?

b) Quais são os dois tipos de FET?

c) Desenhe as baterias de polarização nos circuitos com J-FET.

d) Qual é a condição fundamental de polarização da junção porta-fonte dos J-


FETs?

SENAI-SP - INTRANET 227


Eletrônica analógica - Teoria

e) Por que se forma uma região de depleção do canal quando o terminal porta
está ligado ao terminal fonte?

f) Observe o circuito a seguir. Se a queda de tensão no resistor RD é de 6 V, qual


é a tensão entre dreno e fonte (VDS)?

g) Considerando-se o circuito da questão f, se o resistor é de 470 Ω e sua queda


de tensão é de 6 V, qual é a corrente ID?

h) Ainda considerando o circuito da questão f, se a tensão da bateria B2 for ajus-


tada para – 5 V, o que acontecerá com os valores de:
ID __________________
VRD _________________
VDS _________________

228 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

2. Responda:

a) Identifique com as notações adequadas a corrente de dreno e tensão dreno-


fonte do ponto indicado na curva a seguir.

b) Como se comportam a resistência interna do canal e a corrente de dreno do J-


FET quando a polarização inversa porta-fonte é aumentada?

c) Identifique as regiões das curvas características mostradas a seguir. Assinale,


também, a região na qual existe a maior linearidade no comportamento do FET
como resistor controlado por tensão.

SENAI-SP - INTRANET 229


Eletrônica analógica - Teoria

d) O que é tensão de pinçamento?

e) O que é IDSS?

3. Responda às seguintes perguntas:

a) Quais são as abreviaturas usadas normalmente para identificar os FETs de


porta isolada?

b) Em termos de estrutura, qual é a diferença fundamental entre os J-FETs e os


FETs de porta isolada?

c) Por que os FETs de porta isolada recebem a designação MOS?

230 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

d) O que se pode afirmar sobre a impedância de entrada dos MOS-FET?

e) O que acontece com a corrente ID no MOS-FET tipo depleção canal N quando


a tensão de porta é cada vez mais negativa?

f) Considerando a corrente ID no mesmo tipo de MOS-FET da questão anterior, o


que acontece quando a tensão da porta é cada vez mais positiva?

g) Um MOS-FET tipo enriquecimento bloqueia ou permite a passagem de cor-


rente (ID) com tensão de porta VGS = 0 V? Justifique sua resposta.

SENAI-SP - INTRANET 231


Eletrônica analógica - Teoria

232 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Transistor de unijunção

O SCR também pode ser disparado a qualquer instante do ciclo da CA com o auxílio
de um UJT (ou transistor de unijunção), empregado como oscilador de relaxação.

Este é o método mais empregado para circuitos de controle de disparo de SCRs em


equipamentos industriais.

Para estudar esse assunto, apresentaremos inicialmente as características e o


funcionamento do UJT. Em seguida, veremos um circuito básico de controle de SCR
por UJT.

Os conhecimentos anteriores que você deve ter para aprender esse conteúdo com
mais facilidade são: junção PN, constante RC e SCR.

Transistor de unijunção

A sigla UJT vem da expressão em inglês "unijunction transistor", que quer dizer
transistor de unijunção.

Trata-se de um componente fabricado com uma barra de silício do tipo N, fracamente


dopada com uma junção PN. Apresenta três terminais: emissor (E), base 1 (B1) e base
2 (B2). As bases B1 e B2 são ligadas nas extremidades da barra e o terminal do emissor
liga-se ao cristal P.

SENAI-SP - INTRANET 233


Eletrônica analógica - Teoria

Veja a seguir o esquema de construção de um UJT e sua representação simbólica.

O UJT é encapsulado e tem o formato de um transistor comum. Entretanto, suas


características elétricas são completamente diferentes, como veremos mais adiante. É
interessante notar que o UJT é um gerador de pulsos estreitos de alta potência e de
curta duração. Assim sendo, pode ser usado tanto em circuitos de chaveamento
quanto osciladores.

Constituição e características do UJT


Na figura a seguir, mostramos o esquema de um circuito equivalente simplificado do
UJT. Este circuito é usado somente para mostrar as características e o funcionamento
do UJT. Portanto, você não pode usá-lo para substituir um UJT.

234 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Nesse circuito equivalente:


• V é o diodo que representa a junção PN formada entre emissor-base;
• VBB é a tensão de polarização aplicada entre as bases B1 e B2. Os limites dessa
tensão dependem das características de cada UJT, que são indicadas no manual
do fabricante.
• VE é a tensão que se aplica à entrada do componente no qual VBB > VE.
• VV é a queda de tensão no diodo, formado pela junção PN, que é de 0,2 ou 0,6 V.
Esses valores dependem do cristal empregado na fabricação do UJT (germânio ou
silício).
• RBB é a resistência do cristal N entre as bases B1 e B2, representada pela soma de
RB1 e RB2. RBB é determinada pela dopagem e pela geometria da barra de cristal N.
Assim, para VE = 0, RBB terá um valor compreendido entre 4 kΩ e 10 kΩ.

Razão η (eta)
A razão η é uma das características do UJT fornecida pelo fabricante. Ela serve para
determinar a tensão de disparo do transistor. A razão η representa a relação entre RB1
e RBB. Para calculá-la, emprega-se a seguinte fórmula:
R B1 R
η= = B1
R B1 + R B 2 R BB

A razão η é determinada pela geometria do UJT e depende da localização do emissor


em relação às bases B1 e B2. O valor de η varia entre 0,5 e 0,8.

Curva característica do emissor


A curva característica do emissor fornece a relação entre tensão e a corrente do
emissor.

Essa curva se caracteriza pelo ponto de pico (VP) e o ponto de vale (VV). Indica
também as regiões de corte, de saturação e de resistência negativa. Normalmente, a
curva característica do emissor tem o formato mostrado a seguir.

SENAI-SP - INTRANET 235


Eletrônica analógica - Teoria

Região de corte
Observando a figura abaixo, vemos que no ponto de pico (VP), a inclinação da curva
característica do emissor é zero. Em pontos à esquerda de VP, a junção base-emissor
1 está inversamente polarizada e não há corrente de emissor. Essa região é
denominada de região de corte.

Região de resistência negativa


De acordo com o gráfico a seguir, nos pontos à direita de VP, a junção está diretamente
polarizada. Nesse caso, há corrente de emissor.

236 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

No ponto de vale (VV), a inclinação da curva característica também é zero. entre os


pontos VP e VV, um aumento em IE é sempre acompanhado de uma diminuição de VE.
Essa região é denominada de região de resistência negativa.

Região de saturação
No gráfico a seguir, a região de saturação corresponde à região à direita de VV, onde
um aumento em IE é acompanhado de um aumento de VE.

Polarização do UJT
Para que um UJT funcione, é necessário que a junção emissor-base esteja polarizada
diretamente. quando o emissor atinge a tensão de pico (VP), a resistência RB1 cai
bruscamente.

Isso ocorre porque o emissor, nessa condição, injeta portadores na região RB1. É o que
mostra a figura a seguir.

SENAI-SP - INTRANET 237


Eletrônica analógica - Teoria

A resistência RB1 varia inversamente em relação à corrente de emissor. Assim, a


condutividade de RB1 é uma função da corrente de emissor (IE). A esse fenômeno dá-
se o nome de modulação de condutividade.

O disparo do UJT é determinado pela tensão do ponto de pico, a qual pode ser
calculada através da fórmula:
VP = n (VBB + VV)

O esquema a seguir mostra um circuito típico de estabilização e polarização do UJT.

A base B2 do UJT é polarizada com potencial positivo em relação à base B1 com uma
tensão VBB.

A junção do emissor deve ser polarizada inversamente e a tensão emissor-base 1


(VEB1 deve ser menor que VBB).

Observações:
• Em caso de inversão da fonte, o UJT não sofre danos, apenas não dispara.
• Na polarização direta, os valores das resistências RB1D e RB2D são pequenos e
muito variados. Isso ocorre porque a resistência do diodo polarizado depende
diretamente da corrente que circula através dele.
• Na polarização inversa, os valores de resistência encontrados devem ser infinitos,
ou muito altos, se comparados com as outra medidas na polarização direta, pois as
junções de comportam como diodos.

238 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Disparador Schmit

O disparador Schmit (ou Schmit trigger) é um tipo de circuito biestável largamente


empregado em circuitos eletrônicos digitais. Sua função é converter sinais analógicos,
que variam amplamente ao longo do tempo, em sinais digitais.

Neste capítulo estudaremos o funcionamento e as aplicações deste componente. Para


aprender estes conteúdos com mais facilidade, você deve ter conhecimentos
anteriores sobre circuitos biestáveis.

Disparador Schmitt

O disparador Schmit é um tipo de circuito biestável. A diferença entre um e outro é a


condição de disparo.

Assim, um biestável condicional necessita de uma transição rápida aplicada à entrada


de disparo para que ocorra a troca de estado. Veja diagrama a seguir.

O disparador Schmit, por sua vez, troca de estado em um determinado valor de tensão
de entrada, independentemente de uma transição rápida.

SENAI-SP - INTRANET 239


Eletrônica analógica - Teoria

Isso é mostrado no diagrama a seguir.

Observe no diagrama que a saída do disparados Schmit se mantém em um estado


estável até que a tensão de entrada atinja o valor V, quando a saída passa para o
outro estado estável.

O símbolo do disparador e os diagramas de bloco que representam suas funções são


mostrados a seguir.

Funcionamento
Admitindo-se que a saída está com nível igual a zero, para que a saída mude para
nível 1, é preciso que a tensão de entrada atinja um determinado valor (normalmente
2/3 da tensão de alimentação em circuitos digitais).

É necessário também manter esse nível até que a entrada atinja um valor bem abaixo
do que propiciou a primeira mudança (normalmente 1/3 da tensão de alimentação em
circuitos digitais).

240 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Veja gráfico a seguir.

À medida que a tensão de entrada foi aumentada, a tensão de saída só foi alterada
quando atingiu o valor de 2/3 da tensão de alimentação (ponto B).

Quando a tensão de entrada diminuiu, a tensão de saída só se alterou quando a


tensão de entrada atingiu 1/3 da tensão de alimentação do circuito.

É importante observar o ponto C da curva de entrada: como a tensão de entrada está


na descendente, esta nada provoca na tensão de saída.

O ponto E se comporta da mesma maneira, apenas que a tensão de entrada está na


ascendente.

Observação
Esta característica de assumir estado lógico 1 quando o valor do sinal externo
decresce até abaixo do limiar anterior, é denominado de histerese.

Aplicações
O disparador Schmit é muito empregado no controle de iluminação e temperatura, no
qual os sensores propiciam variações lineares, porém o dispositivo de acionamento na
saída só poderá apresentar um entre dois estados: ligado ou desligado.

No controle de iluminação, o disparador comanda uma lâmpada quando da falta de luz


natural.

SENAI-SP - INTRANET 241


Eletrônica analógica - Teoria

Veja circuito a seguir.

Neste circuito, o resistor R1 e o LDR formam um divisor de tensão que varia a tensão
da entrada do Schmit trigger.

Quando não há luz, a resistência do LDR é muito alta. Isto faz com que a saída da
porta assuma nível alto e polarize a base de V2, saturando-o. Isso permite que RL1
feche seus contatos, acendendo a lâmpada.

Na presença de luz, a resist6encia do LDR é baixa o que leva a entrada a nível lógico
zero. Isso se reflete na saída, o transistor V2 é cortado e o circuito desligado.

Neste circuito, a função do disparador é evitar que pequenas variações de luz


provoquem o abrir e fechar desnecessário dos contatos.

Outra aplicação do disparador é a transformação de uma forma de onda senoidal em


uma forma de onda quadrada.

242 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Para cada semi-período positivo da rede, gera-se um impulso retangular. Nos semi-
períodos negativos, o impulso não é gerado. Assim o disparador Schmit fornece uma
seqüência de impulsos com a freqüência da CA da entrada.

SENAI-SP - INTRANET 243


Eletrônica analógica - Teoria

244 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Multivibrador monoestável

O circuito multivibrador monoestável é um circuito temporizador cujo funcionamento se


baseia no corte a na saturação dos transistores e na carga e descarga do capacitor.

Esse circuito fornece sinais retangulares a dispositivos de comando de circuitos ele-


trônicos de potência. Seu princípio de funcionamento é o mesmo da luz de escadaria
que é encontrada nos prédios de apartamentos: quando a chave é acionada, as lâm-
padas se acendem e após algum tempo, voltam a se apagar, permanecendo apagadas
a menos que alguém volte a acionar a chave.

Neste capítulo serão apresentados os princípios básicos de funcionamento do circuito


que executa esse tipo de trabalho.

Para ter sucesso no desenvolvimento dos conteúdos e atividades deste capítulo, você
deverá ter conhecimentos anteriores relativos a saturação e corte dos transistores,
carga de capacitores.

Multivibrador monoestável

O multivibrador monoestável é um circuito que possui um estado estável (permanente)


e outro semi-estável que dura apenas algum tempo.

O circuito monoestável permanece no seu estado estável enquanto não houver um


estímulo externo. Quando ocorre um pulso de disparo, o circuito troca de estado du-
rante algum tempo e depois retorna sozinho ao estado estável.

SENAI-SP - INTRANET 245


Eletrônica analógica - Teoria

Observação
O tempo T de permanência no estado instável depende dos valores dos componentes
do circuito.

A figura a seguir mostra um circuito típico do multivibrador monoestável alimentado


apenas por uma tensão CC.

É importante observar que esse circuito possui apenas um elo de realimentação pura-
mente resistivo entre o coletor de T2 e a base de T1. O outro elo de realimentação vem
através de um capacitor.

Funcionamento
Ao se alimentar um circuito monoestável, é impossível garantir seu estado inicial. Por-
tanto, para analisar o funcionamento do multivibrador monoestável, vamos tomar como
ponto de partida a condição estável (T2 saturado e T1 cortado).

246 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Admitindo-se que a corrente de emissor de T2 provoque uma queda de tensão de 1V,


as tensões do circuito em relação ao terra, seriam as mostradas no circuito a seguir.

Os pontos importantes a observar são:


T2 ⇒ VE = 1 V
⇒ VB = 1,7V
⇒ VC = 1,3V
Logo, VBE = 0,7V e VCE = 0,3V (saturado)

T1 ⇒ VE = 1V
⇒ VB = 1,3V
⇒ VC = 10V
Logo, VBE = 0,3V e VCE = 9V (cortado)

• A corrente de base necessária para a saturação de T2 é fornecida através de RB2.


• A junção VBE de T1 é muito pequena para provocar a condução na junção BE de T1,
o que garante que T1 permaneça cortado.

Esse estado é estável e permanecerá inalterado enquanto não houver um impulso de


disparo externo.

Disparo do monoestável
O disparo do monoestável causa a transição do estado estável para o estado semi-
estável. Isso pode ser feito por meio de:
• Um impulso positivo no emissor dos transistores;
• Um impulso negativo na base do transistor saturado.

SENAI-SP - INTRANET 247


Eletrônica analógica - Teoria

A ilustração a seguir mostra o monoestável com o capacitor acrescentado para a en-


trada do pulso de disparo.

Na transição positiva, o diferenciador provoca um impulso positivo nos emissores dos


transistores. O súbito aumento na tensão do emissor faz com que o VBE de T2 caia
instantaneamente a zero.

O transistor T2 passa instantaneamente da saturação para o corte, de forma que seu


VCE aumenta rapidamente. A tensão alta no coletor de T2 provoca uma corrente de
base em T1 que satura (comportando-se como chave). O circuito troca de estado.

248 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Como o impulso de disparo é de curta duração, o circuito tenderia a voltar imediata-


mente ao seu estado estável. Entretanto, ao saturar, o transistor T1 conecta o lado A do
capacitor aos emissores, enquanto o lado B do capacitor fica 8V negativo em relação
aos emissores dos transistores. Como o lado B está conectado à base de T2, essa
base fica negativa em relação ao emissor.

A tensão negativa na base mantém T2 em corte mesmo após o término do impulso de


disparo. O circuito permanece no estado semi-estável, também denominado de ativa-
do.

SENAI-SP - INTRANET 249


Eletrônica analógica - Teoria

O tempo durante o qual o monoestável permanece ativado depende do capacitor e do


resistor RB2, porque assim que T1 satura, o capacitor começa a carregar positivamente
através de RB2.

A corrente de carga do capacitor começa a reduzir o potencial negativo do lado B do


capacitor e também da base de T2. Após algum tempo, o potencial do lado B do capa-
citor chega a zero e começa a tornar-se positivo novamente

Quando o lado B do capacitor atinge um potencial de aproximadamente 1,5V, a base


de T2 é = 0,5V positiva em relação ao emissor. T2 começa a conduzir novamente cor-
tando T1. O circuito volta instantaneamente ao estado estável. Os gráficos a seguir
mostram as tensões em relação ao terra durante um ciclo completo do monoestável.

O tempo de permanência ativado é independente da largura do pulso de disparo, de-


pendendo apenas do tempo que o capacitor leva para carregar após o disparo.

250 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Como o tempo de carga do capacitor depende do seu valor e da resistência que limita
a carga, a equação que define o tempo de permanência no estado semi-estável é
T = 0,69 ⋅ R ⋅ C.

Observação
Se, na equação, R é usado em MΩ e C em µF, a resposta da equação é dada em se-
gundos.

Outro método de disparo é levar um impulso negativo à base do transistor saturado.

Esta forma de disparo é semelhante à utilizada para o disparo simétrico do biestável,


provocando a transição na borda de descida do impulso de disparo.

É comum aparecer no multivibrador monoestável um capacitor de aceleração (CA) cuja


função é diminuir os tempos de transição do circuito. Veja figura a seguir.

SENAI-SP - INTRANET 251


Eletrônica analógica - Teoria

Exercícios

1. Resolva as seguintes questões:


a) Desenhe o circuito de um multivibrador monoestável com transistor NPN e dis-
paro pela base.

b) Considerando que o multivibrador desenhado na questão anterior, tenha um


tempo semi-estável de 5 segundos, desenhe a forma de onda na saída.

c) Ω e C = 22 µF, qual será


Se os componentes da temporização forem R = 120 kΩ
o tempo do monoestável no estado semi-estável?

252 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Tiristores

Neste capítulo, iniciaremos o estudo dos dispositivos retificadores mais comumente


empregados em eletrônica. Esses dispositivos podem pertencer a dois grupos: o do
DIAC e o dos SCR e TRIAC. Eles recebem o nome genérico de tiristores.

Tiristor é qualquer dispositivo semicondutor PNPN de quatro camadas. A principal


vantagem dos tiristores é o controle de grande quantidade de energia. Essa
característica faz com que esses dispositivos sejam utilizados no controle eletrônico de
potência e na conversão de energia.

Neste capítulo inicial sobre os tiristores, vamos nos deter na constituição, a utilização e
o funcionamento do DIAC. Por isso, é desejável um prévio conhecimento sobre diodos
e transistores.

DIAC

DIAC é um dispositivo semicondutor de dois terminais, conhecido também como diodo


de comutação, ou diodo de corrente alternada. Seu nome é uma sigla extraída da
expressão em inglês "diodo AC".

O DIAC é um diodo bidirecional constituído por


quatro regiões estruturadas como mostra a
figura a seguir. Observe também seu símbolo.

SENAI-SP - INTRANET 253


Eletrônica analógica - Teoria

A região P externa é chamada anodo 2. A região N externa é chamada de anodo 1.

Utilização
O DIAC é utilizado basicamente na eletrônica de potência para disparar SCRs e
TRIACs.

A tensão de disparo para a maioria dos DIACs pode variar entre 28V (mínimo) e 42V
(máximo).

Funcionamento
O DIAC é um componente bidirecional, ou seja, para que ele dispare, não é necessário
saber de que lado a tensão é positiva (em relação ao outro lado).

À medida que a tensão sobre o DIAC aumenta, não há circulação de corrente por ele
até que a tensão de disparo seja atingida.

Nesse instante, o componente, que apresentava altíssima impedância, tem essa


impedância reduzida ao mínimo, o que permite uma intensa circulação de corrente.

Essa corrente é limitada apenas pela resistência do circuito externo. Quando isso
acontece, o DIAC entra em condução.

Esse efeito cessa quando a corrente que circula no componente (ou a tensão sobre
ele) se aproxima de zero.

O circuito a seguir mostra um


DIAC alimentado por uma
corrente alternada onde UE é a
tensão de alimentação, ID é a
corrente do DIAC, URL é a
tensão sobre o resistor de carga,
e UD é a tensão do DIAC.

254 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Observe que no gráfico de UD, enquanto a tensão de alimentação não atinge a tensão
de disparo, ela é crescente (positiva ou negativa). A partir da tensão de disparo, a
tensão sobre o DIAC é zero e toda a tensão fica sobre a carga.

Curva característica do DIAC


A figura a seguir mostra a curva característica de um DIAC.

Retificador controlado de silício

O SCR (do inglês, "silicon controlled


rectifier"), ou retificador controlado de
silício, é o tiristor comumente
empregado no controle de altas
potências. É um tiristor unidirecional,
com quatro camadas e três terminais:
anodo (A), catodo (K) e gatilho ou
"gate" (G). A figura a seguir mostra o
símbolo e a representação
esquemática da estrutura de um SCR.

SENAI-SP - INTRANET 255


Eletrônica analógica - Teoria

O gatilho ou "gate" (portão, em inglês) é o terceiro terminal do SCR. Trata-se de um


eletrodo conectado a uma das regiões semicondutoras para controle de corrente. Com
baixos níveis de corrente de gate, é possível controlar altos níveis de corrente de
anodo.

Há SCRs de várias capacidades: os de baixa corrente que fornecem corrente de anodo


menor que 1 A, e os de alta corrente que permitem corrente de anodo de centenas de
ampères.

O SCR de baixa corrente é parecido com um tiristor


cujos três terminais estão contidos em um invólucro
hermeticamente fechado.

O SCR de alta corrente parece-se com o retificador de potência de silício, pois também
é montado em invólucro metálico para facilitar a dissipação de calor.

Funcionamento
O SCR funciona de modo idêntico ao de um diodo de quatro camadas (DIAC). Porém
enquanto o DIAC dispara quando atinge a tensão de disparo, e este ponto não é
controlado, o SCR permite o disparo no instante em que isso é necessário. Isso
acontece por meio de um pulso de corrente aplicado ao gate.

256 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Uma vez que existe a circulação de corrente anodo-catodo, esta só cessará a partir do
ponto em que a corrente IAK estiver abaixo da corrente mínima de manutenção
(próxima de zero) ou a tensão anodo-catodo VAK estiver próxima de zero.

O funcionamento do SCR é melhor compreendido a partir da análise do circuito


equivalente montado com dois transistores, como mostra a figura a seguir.

Uma tensão positiva no gate polariza


diretamente a junção base-emissor do
transistor NPN e satura-o. Isto permite a
passagem da corrente através do coletor
NPN (base do PNP).

SENAI-SP - INTRANET 257


Eletrônica analógica - Teoria

Se o anodo do SCR for positivo (emissor PNP), a junção emissor-base PNP será
diretamente polarizada e saturará o transistor PNP.

Depois de ligado, o transistor PNP supre o NPN com corrente de base. Removidas a
tensão e a corrente de gate, o SCR estará ainda em condução devido ao ciclo: o NPN
supre o PNP com corrente de base e, por sua vez, o PNP supre o NPN com corrente
de base.

O SCR continua operando até que a corrente anodo-catodo seja interrompida.

Isso ocorre em duas situações:


• Quando a tensão anodo-catodo (VAK) é gerada, ou
• Quando a corrente anodo-catodo (IAK) desce a valores inferiores ao da corrente de
manutenção (IH).

258 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Regime de trabalho
O SCR é um tiristor extremamente sensível e pode ser facilmente danificado se um de
seus limites característicos for ultrapassado. Como é constituído por junções
semicondutoras, ele necessita de pouco tempo para que a temperatura da junção
atinja valores de fusão.

As características dos tiristores são especificadas em catálogos ou manuais fornecidos


pelo fabricante. A maioria dos parâmetros é dada em termos de tensão ou de
correntes.

Como exemplo, citamos alguns índices característicos que comumente aparecem nos
textos e catálogos dos fabricantes.
A, a = anodo
K, k = catodo
G, g = gate (porta)
D, d = estado bloqueado ("off-state", "non-trigger")
T, t = estado de condução ("on-state", "trigger")
H, h = sustentação do estado ("holding")
(BO) = mudança de estado, ruptura ("breakover")
Q, g = bloqueante ("turn-off")
(TO) = limiar ("threshold")

Curvas características
A figura a seguir mostra uma curva característica de um SCR com o gate aberto.

SENAI-SP - INTRANET 259


Eletrônica analógica - Teoria

Quando o circuito anodo-catodo estiver inversamente polarizado, ocorre uma pequena


corrente de fuga denominada corrente inversa de bloqueio (IDR). Essa corrente
permanece assim até que a tensão inversa de pico (VRM) seja ultrapassada. Neste
ponto, inicia-se a região de avalancha inversa e a corrente aumenta rapidamente,
danificando o SCR.

Quando o SCR está diretamente polarizado, uma pequena corrente direta de fuga (ou
corrente direta de bloqueio – ID), permanece com baixo valor até que a tensão de
ruptura direta (VBO) seja alcançada. Inicia-se, então, a avalancha direta.

260 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Nesse ponto, a corrente atinge o nível de alta condução. A resistência anodo-catodo


torna-se pequena e o SCR atua como uma chave interruptora fechada. Isso acontece
mesmo sem a presença de uma corrente de gate.

Na região de condução direta, a tensão no SCR é muito baixa, pois quase toda a
tensão da fonte fica sobre a carga sem série com o retificador controlado de silício.

Observação
É a resistência de carga que limita a corrente através do SCR a valores adequados a
sua especificação.

Os dois estados de operação do SCR correspondem aos estados ligado e desligado


do interruptor.

Quando a tensão aplicada ao SCR fica abaixo do ponto de ruptura (VBO), ele não
conduz.

Se a tensão atingir um valor igual ou maior que o ponto de ruptura, o SCR será
acionado.

O SCR ficará em condução durante o tempo em que a corrente permanecer acima do


valor da corrente de manutenção IH. E deixará de conduzir quando a tensão sobre o
SCR cair para um valor insuficiente para manter esse valor de corrente.

Controle de tensão de ruptura direta

O SCR pode ser disparado mesmo com uma tensão anodo-catodo abaixo da tensão
de ruptura. Para isso, é suficiente aplicar um pulso de gate, polarizando diretamente a
junção gate-catodo.

SENAI-SP - INTRANET 261


Eletrônica analógica - Teoria

No circuito em que é empregado, o SCR deve ser disparado por meio de um pulso de
gate.

Quanto maior o valor da corrente do gate - respeitados os limites máximos


especificados pelo fabricante - menor será o valor da tensão de ruptura direta. Nesta
situação, o SCR se comporta como um retificador simples de silício.

Quando o SCR é levado ao estado de condução, a corrente do gate deixa de ter efeito
sobre a corrente de anodo. O SCR continua em condução até que a tensão de
alimentação de anodo seja removida e se interrompa a corrente de anodo-catodo (IAK).

Se o SCR opera com corrente alternada, ele será levado ao corte durante a alternância
negativa de cada ciclo, quando o circuito anodo-catodo estiver inversamente polarizado.

Para se verificar, na prática, as características de controle do SCR, vamos analisar o


circuito a seguir.

Esse circuito permite controlar as tensões de anodo e do gate através das fontes
variáveis G1 e G2.

É possível determinar também o ponto do SCR referentes às várias correntes de gate.

262 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Uma variação desse circuito pode ser obtida, substituindo-se a fonte G2 por um divisor
resistivo com potenciômetro.

Deve-se também utilizar um resistor para limitar o valor da tensão do gate a um valor
inferior ao especificado pelo fabricante.

Outros métodos de disparo

O SCR pode ser disparado a qualquer instante do ciclo da CA com o auxílio de um


UJT (ou transistor de unijunção), empregado como oscilador de relaxação. Este é o
método mais empregado para circuitos de controle de disparo de SCRs em
equipamentos industriais.

O SCR também pode ser disparado por controle de corrente por deslocamento de
fase.

SENAI-SP - INTRANET 263


Eletrônica analógica - Teoria

Controle do SCR por UJT


O SCR disparado a qualquer instante no ciclo com o auxílio do UJT, empregado como
oscilador de relaxação é o método mais empregado para circuitos de controle de
disparo de SCRs em equipamentos industriais.

A baixa dissipação de potência no gate, constitui-se na vantagem de se disparar um


SCR com um UJT. Isso é possível porque o UJT fornece pulsos de curta duração, mas
suficientes para disparar o SCR cujo gate permanece desenergizado o restante do
ciclo.

A figura a seguir mostra um circuito básico do UJT provocando o disparo de um SCR.


Os pulsos de tensão gerados pela oscilação do UJT atuam no gate.

Esses pulsos são sincronizados com a tensão de entrada e permitem um perfeito


controle do semiciclo positivo variando o ângulo de disparo de zero a 180o.

A freqüência de oscilação do circuito é variável através de R4, que é o potenciômetro


responsável pela alteração da constante de tempo RC (R3 + R4 e C).

Já que é possível controlar os pulsos no tempo, é possível também controlar o instante


de disparo do SCR em diferentes pontos da forma de onda que alimenta o anodo.

264 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

A tensão responsável pelo disparo do gate é gerada pela corrente desenvolvida


sobre o resistor R1, que, por sua vez, é proveniente da descarga do capacitor. Ela é
formada por um pulso de curtíssima duração que, no osciloscópio assemelha-se a
uma agulha.

Para entender o que ocorre no circuito, basta observar as variações das formas de
onda em vários pontos do circuito em função de dois ajustes diferentes do
potenciômetro R4, conforme mostra a figura a seguir.

SENAI-SP - INTRANET 265


Eletrônica analógica - Teoria

SCR em CA
O SCR, quando recebe um pulso no gate, e está funcionando com corrente contínua,
passa a conduzir entre anodo e catodo e só deixará de conduzir se IAK = 0 ou VAK = 0.
Caso contrário, ficará em constante estado de condução.

Na aplicação em corrente alternada, o SCR não poderá receber um pulso e ficar


permanentemente conduzindo. Isto acontece porque a cada ciclo, a corrente elétrica
alternada passa duas vezes pelo ponto zero e o componente é polarizado
inversamente em meio ciclo.

Observe que, caso o SCR esteja conduzindo no meio ciclo positivo, na mudança para
o meio ciclo negativo, a corrente de manutenção IAK fica abaixo do valor mínimo,
levando o SCR ao corte.

Para que o SCR permaneça sempre conduzindo, quando alimentado por CA, é
necessário que a cada meio ciclo positivo, o gate receba um pulso de disparo. Esse
pulso deve ser fornecido por um circuito de disparo sincronizado com a CA de
alimentação.

Em função do sincronismo desse pulso, pode-se exercer um controle da forma de onda


sobre a carga. Isso permite que essa forma de onda possa variar de zero ao máximo
valor.

Nesse caso, onde é necessário exercer uma variação da tensão média sobre a carga,
os métodos de disparo mais usados são o controle por deslocamento de fase e, como
já vimos, o controle por UJT.

Deslocamento de fase
O controle do SCR por deslocamento de fase é um tipo de circuito que emprega uma
malha de defasagem com resistor e capacitor (RC).

266 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Como podemos observar na figura a seguir, no circuito RC série em CA, uma rede
para deslocamento de fase é constituída por um resistor variável (potenciômetro) e por
um capacitor ligados em série.

A tensão de saída (VS) varia em relação à tensão de entrada (VE) de zero até
aproximadamente 90o, dependendo do valor ajustado para o resistor R.

Considerando-se o valor do potenciômetro igual a zero, o circuito apresentará a


configuração mostrada a seguir.

Nesse caso, a tensão de saída (VS) será a mesma tensão de entrada (VE), e a
defasagem entre ambas é de 0o (zero grau).

SENAI-SP - INTRANET 267


Eletrônica analógica - Teoria

A figura a seguir mostra a forma de onda do circuito onde VC está em fase e com o
mesmo valor de VE. Portanto, uma forma de onda está sobreposta em relação à outra.

À medida que a resistência do potenciômetro é aumentada, insere-se mais resistência


em série com o capacitor. Isso provoca uma defasagem na tensão sobre o capacitor.
Quanto maior a resistência do potenciômetro, maior a defasagem.

Quando o valor do potenciômetro for 20 vezes maior que a reatância capacitiva (XC), a
defasagem será próxima de 90o.

Como o valor ôhmico do potenciômetro é maior do que XC, a tensão total também vai
se dividir numa proporção muito maior para o potenciômetro do que para o capacitor.
Na figura a seguir, tem-se o circuito elétrico e as formas de onda por ele geradas.
Pode-se observar que a tensão EC está defasada (em atraso) com relação à tensão de
entrada.

268 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Para concluir, adotamos a tensão do capacitor (VC) como tensão de saída (VS). Então,
variando o valor do potenciômetro de zero ao máximo, teremos uma defasagem da
tensão de saída variando de zero até próximo de 90o.

Controle do SCR por deslocamento de fase


Como vimos anteriormente, há necessidade de uma tensão mínima de anodo-catodo
para que, sob uma determinada tensão de gate, o SCR dispare.

O gráfico a seguir mostra o gate alimentado com a tensão VGK em fase com a tensão
VAK. Mostra também a tensão mínima do gate necessária para dispará-lo.

SENAI-SP - INTRANET 269


Eletrônica analógica - Teoria

No momento "t", a tensão de alimentação do gate ultrapassa o valor mínimo de VG,


provocando com isso o disparo. Sobre a carga obtém-se, então, a seguinte forma de
onda:

Muitas vezes, é necessária uma faixa maior de controle do ponto de disparo do SCR
dentro de todo o semiciclo positivo (0 a 180o). Nesse caso, utiliza-se um circuito
deslocador de fase.

Esse circuito permite um deslocamento da tensão do gate VG em relação à tensão


anodo-catodo (VAK). Além disso, cria condições para alterar o momento de disparo do
SCR.

Através do circuito de deslocamento de fase que supre o gate do SCR, é possível fazer
com que VG se atrase em relação a VAK.

Com isso, a tensão mínima do gate VGmin será ultrapassada em momentos diferentes
dentro dos 180o do semiciclo positivo.

No circuito a seguir, temos um controlador de


disparo do SCR por deslocamento de fase com
um circuito RC. Esse circuito apresenta a
desvantagem de controlar apenas até 90o do
semiciclo positivo.

270 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

A malha RC propicia a tensão de disparo do gate do SCR e permite que, ao se variar o


valor do potenciômetro, haja um atraso da tensão presente no gate com relação à
tensão de entrada.

Porém, por causa dessas características esse controle, só pode ser exercido até 90o.
Para que se controle os 180o do semiciclo positivo, é necessária a introdução de um
DIAC no circuito.

Sua otimização é obtida acrescentando-se ainda mais um resistor e um capacitor que


permitem a estabilização do circuito.

Esse circuito permite controlar cargas alimentadas por CC com tensão variável. É um
circuito retificador de meia onda.

Para uma carga que necessite funcionar com onda completa, utiliza-se o artifício de
retificar a tensão alternada através de uma ponte retificadora e entregar esta corrente
contínua ao circuito do SCR e da carga.

TRIAC

Assim como o DIAC, o TRIAC é um tiristor bidirecional. A diferença entre um e outro é


que o TRIAC, tal qual o SCR, possui um terceiro terminal, através do qual se faz o
controle da corrente.

SENAI-SP - INTRANET 271


Eletrônica analógica - Teoria

A figura ao lado mostra a representação esquemática de um TRIAC e seu respectivo


símbolo.

A potência do TRIAC é menor que 100 A e 1kV. Por isso, ele é usado para substituir o
SCR em situações em que se necessita um aplicação de baixa potência, tais como
controle de velocidade de pequenos motores, controle de iluminação ou de
temperatura.

A figura a seguir mostra o circuito equivalente a um TRIAC, montado a partir de dois


SCRs.

Nesse circuito, quando o terminal T2 é mais positivo que T1, o SCR V1 fica diretamente
polarizado e V2, inversamente.

272 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Nessa condição, o SCR V1 está em condição de conduzir, desde que receba um pulso
em seu gate, enquanto V2 permanece em corte.

Se a polaridade da tensão aplicada for invertida, a situação se inverterá. Nesse caso, o


SCR passará à condição de polarização direta e, portanto, à condução; e V1, por sua
vez, estará inversamente polarizado ou em corte.

Observação
Aos terminais (T) do TRIAC não se aplicam as denominações anodo e catodo, mas
usam-se os coeficientes 1 e 2 (T1 e T2) para designá-los.

SENAI-SP - INTRANET 273


Eletrônica analógica - Teoria

Os terminais não podem ser invertidos porque, apesar de o circuito equivalente


apresentar dois SCRs, a construção do TRIAC difere do modelo.

O terminal T1 serve como referência para aplicações de pulsos de gate.

Curvas características do TRIAC


As curvas características do TRIAC apresentam um aspecto simétrico.

No esquema das curvas características, vemos que a condução do TRIAC ocorre nos
quadrantes I e III, desde que ao seu gate sejam aplicados sinais disparadores.

Estes sinais são positivos ou negativos, o que torna possível as seguintes modalidades
de funcionamento:

+I - T2 positivo e gate positivo (Quadrante I)


-I - T2 positivo e gate negativo (Quadrante I)
+ III - T2 negativo e gate positivo (Quadrante III)
- III - T2 negativo e gate negativo (Quadrante III)

Os dispositivos fabricados atualmente são mais eficientes para as modalidades


+ I e - III. A eficiência é menor para a modalidade - I e muito pequena para a
+ III. Para estas modalidades (- I e + III), o TRIAC não deve ser usado.

Funcionamento
O TRIAC permanece em bloqueio enquanto não houver sinal no gate; e não conduz,
se a tensão entre T1 e T2 não ultrapassa a tensão de ruptura (VBO).

274 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Quando a tensão de ruptura é ultrapassada, o TRIAC entra em estado de condução. A


corrente que flui através dele é limitada apenas pela resistência do circuito externo.
Essa propriedade torna-o imune aos transientes elétricos, dispensando o uso de
dispositivos de proteção.

O disparo do TRIAC ocorre pela aplicação de sinal positivo ou negativo no gate. O


TRIAC pode ser acionado por corrente alternada, por corrente contínua, ou, por fontes
de pulsos, ou seja, transistor de unijunção, lâmpadas néon ou diodos de disparo (DIAC).

No DIAC, ligado a um capacitor carregado, aparece uma resistência negativa que


provoca a descarga repentina do capacitor, o que constitui excelente fonte de pulsos.

Aplicações do TRIAC
O TRIAC é utilizado em circuito com aplicações variadas. Assim, ele pode ser usado
em circuitos:
• Comutadores estáticos para corrente alternada,
• De comando a distância,
• De controle de temperatura,
• Comutador para controle de fase.

Comutador estático para corrente alternada


Nesse circuito, o TRIAC é disparado por um relê reed, que pode ser substituído por
outros elementos de controle, uma vez que a corrente que atravessa os contatos do
interruptor é mínima, com duração de microssegundos.

O controle do circuito pode, então, ser feito por termostato, interruptor a pressão,
microrrelês etc.

SENAI-SP - INTRANET 275


Eletrônica analógica - Teoria

Variações:
a) Circuito disparado por uma
fonte CC em qualquer
polaridade.

b) Circuito disparado por sinal


elétrico alternado de qualquer
freqüência.

O circuito acima pode ser aperfeiçoado, se o transformador T1 for sintonizado para


responder apenas a determinadas freqüências. Assim, o circuito pode ser usado em
sistemas de controle remoto, por exemplo.

276 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Comando a distância
O circuito a seguir pode ser usado em sistemas que necessitem de pouca potência e
de baixa tensão no circuito de controle. Ele permite ligar, à distância, equipamentos ou
conjuntos de lâmpadas como os usados para evitar choques ou prevenir incêndios.

Esse circuito utiliza um pequeno transformador para isolar magneticamente o circuito


de potência do TRIAC do circuito de disparo do gate.

O enrolamento N1, de maior tensão, fica ligado ao gate do TRIAC; e o enrolamento


N2, de menor tensão, ao interruptor S1.

Quando S1 é fechado, uma baixa impedância é refletida no enrolamento N1, o que


provoca um aumento de corrente. O aumento de corrente provoca também aumento
de tensão sobre R1 que, ao atingir o ponto de comutação do TRIAC, dispara-o e
alimenta a carga.

Observação
R1 deve ser ajustável. Para evitar disparos acidentais, deve-se ajustar R1 para o valor
máximo, mantendo o TRIAC em corte S1 aberta.

SENAI-SP - INTRANET 277


Eletrônica analógica - Teoria

Circuito de controle de temperatura


O circuito a seguir serve para controlar temperatura automaticamente. É um circuito de
baixo custo e de alta precisão, empregado para regular a temperatura de fornos,
estufas, aquecedores, depósitos de líquidos.

O termistor R2 é o elemento sensor de temperatura e deverá apresentar resistência de


5 kM na temperatura de operação.

R3 incorpora o circuito como dispositivo de controle de estabilidade, evitando, desse


modo, variações contínuas entre as temperatura máxima e mínima. O ajuste de R3
proporciona satisfatória estabilidade, qualquer que seja a temperatura desse dispositivo.

Comutador por controle de fase


Outro exemplo de aplicação do TRIAC é em um circuito de um comutador de CA por
controle de fase.

Neste circuito, o controle de fase é realizado pelo resistor R1 com o capacitor C1.
Ao ligar o circuito, é necessário elevar gradativamente o valor de R1 até que a corrente
que circula por ele seja suficiente para carregar o capacitor C1 ao ponto de disparo do
DIAC.

278 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Ao disparar, o DIAC leva o TRIAC à condução. A tensão sobre o capacitor C1 cai


rapidamente até zero.

No semiciclo seguinte, o capacitor começa a se carregar no sentido contrário para


disparar o DIAC e o TRIAC.

A partir do segundo ciclo, com a descarga rápida do capacitor e a inversão da


polaridade da fonte, o disparo do DIAC acontece com um ângulo menor. Em
conseqüência, haverá maior queda de tensão sobre a carga. A diminuição dessa
tensão só ocorrerá se o valor do resistor R1 for reduzido.

Esse circuito apresenta o inconveniente de, no momento em que é ligado, não permitir
a obtenção de níveis baixos de tensão. Isso se deve à assimetria dos disparos do
DIAC e do TRIAC, como também pelo efeito de histerese do capacitor.

Variações do circuito por controle de fase


O circuito a seguir é o chamado circuito com duas constantes de tempo, largamente
empregado no controle de iluminação ("dimmer") ou no controle de velocidade de
pequenos motores (furadeiras, ventiladores, liqüidificadores). Observe que foi colocado
um resistor em série com o DIAC para evitar descarga rápida do capacitor. Colocou-se
também um segundo capacitor.

C1, L1, C2 e R1, colocados à entrada do circuito, constituem um filtro que evita as
interferências na rede, devido à rapidez de comutação do TRIAC.

R4 e C4 têm a função de diminuir o efeito da histerese.

SENAI-SP - INTRANET 279


Eletrônica analógica - Teoria

Funcionamento - Com o disparo do DIAC, C4 descarrega-se rapidamente. C3 mantém-


se carregado, pois o resistor R4 dificulta sua descarga instantânea e aumenta a
constante de tempo RC.

Quando o DIAC deixa de conduzir, o capacitor C3 - carregado com tensão maior que C4
- transfere parte de sua carga para C4 e a simetria dos disparos do TRIAC permanece
constante em todos os ciclos.

Com este circuito é possível ligar, por exemplo, uma lâmpada com luminosidade
mínima, ou seja, obtém-se níveis baixos de tensão na carga.

Com uma pequena alteração desse circuito, é possível fazer também um controle
automático de iluminação. Através dele, regula-se a intensidade luminosa de uma
lâmpada conforme a luminosidade do ambiente.

O LDR (do inglês "light dependent resistor", que quer dizer resistor que depende da
luz), por ser um sensor de luz, varia a resistência de acordo com a intensidade da luz
do ambiente.

No escuro, a resistência é elevada. Quando o ambiente fica claro, a resistência diminui


e não permite que o capacitor C se carregue o suficiente para disparar o DIAC. Este,
por sua vez, não aciona o TRIAC. Em conseqüência disso, a lâmpada é desligada ou a
luminosidade por ele emitida é reduzida.

Observação
A presença do LDR quase não altera o funcionamento do circuito.

280 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Amplificador operacional

Os amplificadores operacionais são um exemplo característico de circuito eletrônico


fornecido sob a forma de circuito integrado.

Neste capítulo, você terá informações detalhadas sobre os amplificadores operacio-


nais, suas características e modo de utilização. Serão apresentados, também, circuitos
aplicativos que utilizam amplificadores operacionais e que são muito usados em equi-
pamentos industriais. Com essas informações, você será capaz de utilizar e reparar
equipamentos que os empreguem.

Para ter sucesso no desenvolvimento dos conteúdos e atividades deste capítulo, você
deverá ter conhecimentos anteriores sobre circuito integrado, relação de fase entre
sinais, além das leis de Ohm e de Kirchhoff.

Características do amplificador operacional

O amplificador operacional, também chamado de AO, é um CI com características que


o aproximam à de um amplificador ideal.

SENAI-SP - INTRANET 281


Eletrônica analógica - Teoria

É um circuito versátil, aplicável em muitas áreas específicas da eletrônica tais como:


instrumentação, circuitos industriais, circuitos de áudio, circuitos eletrônicos para cál-
culo e filtros de sinais.

A denominação "amplificador operacional" deve-se ao fato de que estes circuitos foram


utilizados inicialmente para realizar operações matemáticas como adição, subtração e
multiplicação.

Terminais do amplificador operacional

O símbolo utilizado para representar o amplificador operacional é um triângulo que


aponta no sentido do fluxo de sinal. Ao triângulo são acrescentados terminais que
apresentam os pontos de conexão com o circuito externo.

Existem fundamentalmente 5 terminais que fazem parte de todos os tipos de amplifica-


dores operacionais:
• Dois terminais para alimentação;
• Um terminal de saída;
• Um terminal de entrada não-inversora;
• Um terminal de entrada inversora.

Veja a distribuição desses pinos na ilustração a seguir.

Terminais de alimentação
Os amplificadores operacionais apresentam uma característica singular em relação às
tensões de alimentação, ou seja, eles são alimentados por duas tensões simétricas
(por exemplo: +15 e –15 V).

282 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

A figura a seguir ilustra a forma comum de alimentação de um amplificador operacional


a partir de uma fonte simétrica.

Observe que os amplificadores operacionais não são ligados diretamente ao "terra" ou


0 V da fonte simétrica. O próprio circuito interno do componente obtém o terra.

Isso não significa que os outros componentes ou circuitos que estejam ligados ao am-
plificador operacional não necessitem de terra. O terra para o circuito externo é forne-
cido no terminal 0 da fonte simétrica.

Veja na ilustração a seguir um exemplo de um circuito onde existem componentes ex-


ternos ligados ao terra.

SENAI-SP - INTRANET 283


Eletrônica analógica - Teoria

Terminais de entrada
A finalidade de um amplificador operacional é realizar uma amplificação tanto de ten-
sões contínuas quanto alternadas. Isso acontece de tal forma que a relação de fase
depende da maneira como são ligadas as suas entradas.

Assim, os amplificadores operacionais possuem duas entradas de sinal:


• Uma entrada inversora, indicada pelo sinal - no símbolo do componente;
• Uma entrada não-inversora indicada pelo sinal +.

Para os sinais ou tensões aplicadas na entrada inversora ( - ), o amplificador operacio-


nal se comporta como um amplificador com relação de fase de 180o entre saída e en-
trada, ou seja, se o sinal aplicado na entrada não-inversora ( - ) torna-se mais positivo,
o sinal de saída torna-se mais negativo.

Para os sinais aplicados à entrada não-inversora ( + ), o amplificador operacional se


comporta como um amplificador com relação de fase de 0o entre a saída e a entrada,
ou seja, se o sinal aplicado na entrada "+" torna-se mais positivo, o sinal de saída tor-
na-se mais positivo.

284 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Quando o sinal é aplicado entre uma entrada e outra, o amplificador operacional atua
como amplificador diferencial, amplificando a diferença entre as duas tensões de en-
trada.

Parâmetros do amplificador operacional

Os parâmetros de um amplificador operacional são informações fornecidas pelos fabri-


cantes. Elas possibilitam ao usuário determinar entre diversos AOs aquele que se apli-
ca a sua necessidade.

Os parâmetros mais importantes são:


• Impedância de entrada;
• Impedância de saída;
• Ganho de tensão diferencial em malha aberta;
• Tensão offset de saída;
• Rejeição de modo comum;
• Banda de passagem.

Essas características podem ser analisadas segundo dois pontos de vista: considerando
o amplificador operacional como ideal ou considerando-o como real. Por isso, as carac-
terísticas a seguir serão analisadas segundo uma comparação entre o ideal e o real.

Impedância de entrada
A impedância de entrada é aquela que existe entre os terminais de entrada do amplifi-
cador operacional. É denominada ZEnt .

Um amplificador operacional ideal deve apresentar impedância de entrada infinita


(ZEnt = ∞). Nesse caso, as entradas de sinal não absorvem corrente, operando apenas
com tensão.

VEnt
IEnt =
ZEnt

Como ZEnt = ∞, IEnt = VEnt , IEnt = 0

Os amplificadores operacionais reais têm uma impedância de entrada da ordem de


vários megaohms (MΩ).

SENAI-SP - INTRANET 285


Eletrônica analógica - Teoria

Devido a esse alto valor de ZEnt , os amplificadores operacionais reais podem ser con-
siderados como ideais em relação à impedância de entrada. Essa aproximação do
ideal permite que se admita que as entradas de um AO real não absorvem corrente.

Impedância de saída
A impedância de saída é a impedância do estágio de saída do amplificador operacional
(ZS). Em um circuito equivalente, a impedância de saída pode ser representada como
um resistor em série com o terminal de saída (ZO).

Um aplificador operacional ideal deve apresentar impedância de saída nula (zero Ω),
ou seja, comporta-se como uma fonte de tensão ideal para a carga, sem resistência
interna.

286 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Isso permite que a tensão na saída de um AO ideal dependa apenas dos sinais de
entrada e da amplificação, sendo independente da corrente solicitada pela carga.

Em um amplificador operacional real, a impedância de saída existe e pode variar des-


de poucos ohms (5 Ω, por exemplo) até valores como 1000 Ω. Essa impedância atua
como uma resistência interna e provoca uma queda na tensão de saída.

Portanto, a tensão VS na saída de um amplificador operacional real depende:


• Das tensões nas entradas;
• Do ganho do amplificador operacional;
• Da corrente solicitada pela carga.

Observação
Através de recursos externos ao amplificador operacional, e em alguns casos, pode-se
reduzir a impedância de saída para menos de 1 Ω.

Ganho de tensão diferencial


O sinal a ser amplificado por um AO pode ser aplicado de três maneiras:
• Entre entrada inversora (-) e terra;
• Entre entrada não-inversora (+) e terra;
• Entre as duas entradas.

Quando o sinal é aplicado entre uma entrada e a outra, o amplificador atua como am-
plificador diferencial, amplificando a diferença entre as duas tensões de entrada.

Nessa condição, o ganho obtido entre saída e entrada é denominado de ganho de


tensão diferencial e pode ser de dois tipos: em malha aberta ou em malha fechada.

SENAI-SP - INTRANET 287


Eletrônica analógica - Teoria

Nos "databooks" de circuitos lineares, os fabricantes fornecem o ganho de tensão dife-


rencial em malha aberta (Ad), que é a amplificação fornecida pelo amplificador opera-
cional quando não há ligação externa entre o terminal de saída e entrada (sem reali-
mentação). O ganho de tensão diferencial em malha aberta de um AO ideal deve ser
infinito (Ad = ∞).

O ganho de tensão diferencial em malha aberta em um AO real varia entre 103 e 109.
No manuais, este ganho normalmente é expresso em decibéis:

VS
db = 20 ⋅ log
VEnt

O ganho fornecido por um AO pode ser diminuído desde o valor Ad (ganho diferencial
em malha aberta) até o valor 1, se necessário. Essa redução é obtida pela realimentação
fornecida por componentes externos ao AO e que interligam a saída com a entrada.

Veja a seguir o circuito amplificador com AO e com componentes para realimentação


(malha fechada).

Observação
Esta é uma das características mais importantes de um AO: o ganho em malha fecha-
da definido somente pelos componentes externos que fazem a realimentação.

Tensão offset de saída


A tensão offset de saída é qualquer valor de tensão que esteja presente na saída de
um AO que tem as entradas aterradas (a zero volts).

Em um AO ideal, a tensão offset de saída é nula, ou seja, a saída deve estar a "zero
volt" se ambas as entradas forem levadas ao potencial de terra. No AO real, a tensão
offset é da ordem de poucos milivolts.

288 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Alguns amplificadores operacionais têm terminais que possibilitam, através de circuitos


externos, ajustar a tensão de saída para zero quando as entradas forem levadas ao
potencial de terra. Este ajuste normalmente é denominado de “offset null”. Veja a se-
guir símbolo de um AO com dois terminais específicos para esse ajuste.

Rejeição de modo comum


A rejeição de modo comum (CMRR) é a capacidade que um amplificador operacio-
nal tem de não amplificar tensões que sejam comuns às duas entradas porque não há
diferença a ser amplificada.

A rejeição de modo comum também é conhecida como ganho de modo comum


(AVCM).

Um amplificador operacional ideal deve ter uma rejeição de modo comum infinita
(CMRR = ∞ ), amplificando apenas a diferença entre a tensão das duas entradas.

Um amplificador operacional real amplifica também as tensões comuns aos dois termi-
nais de entrada, mas com ganho muito menor (centenas de vezes menor).

Como o ganho diferencial não é constante ao longo de todas as faixas de freqüências


amplificadas, denomina-se banda de passagema faixa de freqüências em que o ga-
nho do circuito se mantém até 70% do ganho máximo (que corresponde a -3db em
relação ao máximo).

SENAI-SP - INTRANET 289


Eletrônica analógica - Teoria

O gráfico a seguir, mostra o ganho de um AO em função da freqüência amplificada.

Por esse gráfico se observa que até 5Hz, o ganho do AO é constante (106dB = 20000).
A partir de 5Hz, o ganho decresce com aumento da freqüência até que em 1Mhz, o
ganho é igual a 1.

Existem configurações de ligação do AO que permitem estender a banda de passagem


para até centenas de quilohertz e até mesmo megahertz no caso de alguns amplifica-
dores operacionais especiais.

Característica de transferência de um AO

O ganho de um AO em malha aberta (sem realimentação) é altíssimo, atingindo valo-


res da ordem de 10 000 ou mais.

Assim, se uma diferença de 10 milivolts for aplicada entre as duas entradas de um AO


com um ganho de 10 000, por exemplo, a tensão de saída será:
VS = (VA - VB ) ⋅ Ad
Como VA - VB = 10m V, VS = 0,01 ⋅ 10 000 = 100 V
Portanto, VS = 100 V

290 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Entretanto, como a maioria dos AOs é alimentada a partir de fontes de baixa tensão
(+15V, por exemplo), a tensão de saída nunca sobe além do valor de alimentação.

Quando a tensão de saída de um AO atinge um valor igual (ou próximo) à tensão de


alimentação, diz-se que ele atingiu a saturação.

Como um AO é alimentado por tensões simétricas, a saturação pode ocorrer tanto


para a tensão de saída positiva quanto para a negativa. Essas situações são chama-
das de saturação positiva e saturação negativa.

Quanto maior for o ganho em malha aberta (Ad) de um AO, menor será a tensão entre
as entradas para levá-lo à saturação.

SENAI-SP - INTRANET 291


Eletrônica analógica - Teoria

Característica de transferência do AO

Colocando-se o comportamento do AO em um gráfico, obtém-se o resultado mostrado


a seguir.

Esse gráfico é denominado gráfico de característica de transferência do AO. Nele,


enquanto a tensão entre as entradas está abaixo de 15mV (positivos ou negativos), a
tensão de saída obedece à equação VS = VEnt ⋅ Ad e corresponde a uma versão ampli-
ficada do sinal VEnt .

Essa equação resulta em um comportamento linear (reta inclinada) na região central


da característica de transferência.

Devido à linearidade da tensão de saída em função da tensão de entrada, essa região


é denominada de região linear.

Um AO funcionando com amplificador deve trabalhar somente na região linear, na qual


a tensão VO é uma réplica amplificada da tensão VEnt .

A figura ao lado mostra


a característica de
transferência de um AO
com as três regiões de
funcionamento.

292 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Ampliação da região de operação linear


Devido ao alto ganho de malha aberta, a região linear do amplificador operacional é
muito estreita, situando-se entre alguns milivolts positivos e negativos.

Isso significa, por exemplo, que se um AO em alimentação fosse usado como amplifi-
cador de sinais, o sinal de entrada teria que estar limitado a poucos milivolts.

Com a utilização da realimentação negativa, a região linear de operação de um AO


pode ser ampliada através da redução do ganho.

A realimentação negativa consiste em fazer retornar uma parte do sinal de saída para
a entrada inversora, através de um circuito externo.

Veja na ilustração a seguir um amplificador operacional com um divisor de tensão ex-


terno (R1 e R2) que faz a realimentação negativa.

SENAI-SP - INTRANET 293


Eletrônica analógica - Teoria

Supondo-se, por exemplo, um circuito com ganho de tensão AV = 100, estabelecido por
R1 e R2 e com alimentação de +15 VCC.

A tensão VO está limitada aos valores +13 V aproximadamente. Para que se obtenha
+13 V na saída com um circuito com ganho 100, é necessário aplicar + 0,13 V à sua
entrada.
0,13 ⋅ 100 = + 13 V
VS = VEnt ⋅ AV
- 0,13 V ⋅ 100 = - 13 V

Comparando-se as características de transferência de um AO em malha aberta e em


malha fechada com ganho 10, verifica-se, no exemplo, a ampliação da região linear de
alguns milivolts até 13 mV.

Os gráficos mostram como a redução do ganho permite um aumento da região linear.

294 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Circuitos lineares

Os circuitos que usam AOs na região linear são chamados de circuitos lineares.
Como exemplo desse tipo de circuito, podemos citar:
• Amplificador inversor;
• Amplificador não-inversor;
• Somador.

Amplificador inversor
O amplificador operacional possui uma entrada inversora de sinal que permite sua utili-
zação como amplificador de sinal com inversão de fase de 180o entre saída e entrada.

Para que o AO opere na região linear, é necessário acrescentar a malha de realimen-


tação negativa ao circuito. A figura a seguir mostra a configuração de um amplificador
inversor com AO.

Observação
Para maior clareza da figura, foram omitidos os terminais de alimentação e offset.

SENAI-SP - INTRANET 295


Eletrônica analógica - Teoria

Ganho do amplificador inversor


O ganho (Ad) do amplificador inversor depende apenas dos componentes da malha de
realimentação. Essa dependência pode ser comprovada com base em uma análise do
circuito. Para isso, vamos considerar a impedância de entrada como ideal (infinita).
Desse modo, a entrada do sinal não absorve corrente do circuito externo.

Uma vez que não há circulação de corrente na entrada do AO, a queda de tensão na
impedância de entrada é nula.

V2 = 0
V1 = IEnt ⋅ ZEnt
Como IEnt = 0, V1 = 0 V

Tanto a entrada não-inversora (aterrada) como a inversora têm potencial de 0 V. Embo-


ra a entrada inversora ( - ) não esteja ligada fisicamente ao terra, seu potencial é nulo.

296 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Esse ponto é denominado de terra virtual.

Quando se aplica uma tensão à entrada do amplificador inversor, uma corrente circula
no resistor R1. Como se considera o terra virtual a 0 V, o valor desta corrente é dado
pela lei de Ohm.

VEnt
I=
R1

VEnt = I ⋅ R1

Uma vez que a entrada do amplificador operacional não absorve corrente, a mesma
corrente que circula no resistor R1 passa através de R2 .

SENAI-SP - INTRANET 297


Eletrônica analógica - Teoria

O resistor R2 está ligado entre a saída do circuito e o terra virtual (0 V) de forma que a
queda de tensão em R2 é igual à tensão de saída VS . Essa tensão pode ser calculada
pela lei de Ohm.
VS = I ⋅ R2

Como dispomos das equações de VS e VEnt, pode-se determinar a equação do ganho


do circuito amplificador inversor:

VS I ⋅ R2
Ad = ⇒ Ad =
VEnt I ⋅ R1

Observação
O sinal negativo (-) na frente da expressão indica a inversão de fase (180o).

Simplificando o termo I, comum ao denominador e ao numerador, tem-se a equação


pronta:

R2
Ad =
R1

A equação mostra que o ganho do circuito depende apenas dos componentes que
compõem a malha de realimentação.

A figura a seguir mostra um amplificador inversor com ganho -10 (10 com inversão de
fase).

298 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

O resistor R3 não influencia no ganho e seu valor deve ser igual ao paralelo R1 e R2.

R1 ⋅ R 2
R3 =
R1 + R 2

Impedância de entrada do amplificador inversor


Admitindo-se que o terminal de entrada inversora é um terra virtual, a impedância de
entrada do circuito (ZEnt) será o próprio valor de resistor sobre o qual se aplica o sinal,
ou seja, ZEnt = R1.

Impedância de saída do amplificador inversor


A impedância de saída (ZS) do amplificador inversor é sempre muito menor que a im-
pedância de saída do próprio AO.

Os valores típicos de ZS são menores que 1Ω.

Amplificador não-inversor
Para a obtenção de um amplificador não-inversor, utiliza-se a entrada não-inversora do
AO, o que resulta em VS em fase com VEnt.

SENAI-SP - INTRANET 299


Eletrônica analógica - Teoria

A malha de realimentação (R2 e R1) é necessária para manter o AO na sua região line-
ar de funcionamento.

Ganho do amplificador não-inversor


O ganho (AV) do amplificador não-inversor normalmente é determinado considerando-
se o AO como ideal, ou seja, apresentando os seguintes valores:
• Impedância de saída (ZS) = 0
• Impedância de entrada (zent) = ∞
• Ganho diferencial (Ad) = ∞

Com essas aproximações, que não prejudicam o resultado prático, a equação do ga-
nho do amplificador não-inversor é:

 R 
A d = 1 + 2 
 R1 

Nessa equação dois aspectos são importantes:


• A ausência do sinal negativo, que indica que o sinal de saída está em fase com o
sinal de entrada;.
• Se r2 for muito maior que r1, a equação pode ser simplificada para

R2
Ad =
R1

Impedância de entrada
No amplificador não-inversor, o sinal de entrada é aplicado diretamente à entrada não-
inversora. Desta forma, a impedância de entrada (ZEnt) é a própria impedância de en-
trada.

Impedância de saída
A impedância de saída ZS do amplificador não-inversor também é sempre menor que a
impedância de saída do próprio AO (ZS).

Os valores típicos são menores que 1 Ω.

300 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Circuitos aritméticos com AO

Circuitos aritméticos com AO são circuitos capazes de realizar operações aritméticas


como soma e subtração.

Circuito somador
O circuito somador é aquele capaz de fornecer na saída uma tensão igual à soma das
tensões aplicadas nas entradas.

Considerando-se que a entrada inversora não absorve corrente e que o ponto A no


circuito é um terra virtual, pode-se analisar o comportamento do somador.

Aplicando-se duas tensões (V1 e V2) nas entradas, circularão as correntes I1 e I2, cujos
valores são:

V1 V
I1 = e I2 = 2
R1 R2

SENAI-SP - INTRANET 301


Eletrônica analógica - Teoria

As correntes I1 e I2 se somam no nó A e circulam através do resistor R3, uma vez que a


entrada do AO não absorve corrente.

A tensão de saída é dada pela lei de Ohm:


VS = (I1 + I2) R3 ou VS = −(I1 ⋅ R3) + (I2 ⋅ R3)

Se os valores de R1, R2 e R3 são iguais, tem-se:


VS = −(I1 ⋅ R) + (I2 ⋅ R)

Como I1 ⋅ R = V1 e I2 ⋅ R = V2, então:


VS = −(V1 + V2)

A tensão de saída é numericamente igual à soma de V1 e V2, porém o sinal é negativo


devido ao uso da entrada inversora.

Se for necessário obter as somas de V1 e V2 com o sinal correto, pode-se usar um am-
plificador inversor com ganho 1 após o somador.

302 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Deve-se tomar cuidado quando uma das tensões a ser somada for negativa, pois a
corrente desta entrada será diminuída das demais.

O circuito somador pode ser constituído com qualquer número de entradas.

Exercícios

1. Resolva as seguintes questões.

a) Desenhe o símbolo do amplificador operacional.

b) Normalmente, como são alimentados os amplificadores operacionais?

SENAI-SP - INTRANET 303


Eletrônica analógica - Teoria

c) Identifique a função dos terminais do amplificador operacional representado a


seguir.

d) Nos amplificadores operacionais representados a seguir, desenhe os sinais de


entrada para que o sinal de saída esteja correto.

e) Defina, em relação ao amplificador operacional:


• Impedância de entrada (ZEnt)

• Impedância de saída (ZS):

304 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

• Ganho de tensão em malha aberta (Ad):

f) Considerando a alta impedância de entrada de um amplificador operacional, o


que se pode afirmar sobre as correntes absorvidas por essas entradas?

g) Qual é a função dos terminais de offset null de um AO?

2. Resolva as questões apresentadas a seguir.

a) Na curva de transferência mostrada a seguir, identifique:


• Região de saturação positiva
• Região de saturação negativa
• Região linear

SENAI-SP - INTRANET 305


Eletrônica analógica - Teoria

b) Na curva acima, qual é o valor máximo de tensão de entrada que pode ser apli-
cado ao amplificador operacional sem que ele atinja a saturação?

c) Como se pode ampliar a região linear de funcionamento de um AO?

d) No circuito representado pelo gráfico mostrado a seguir:


• A máxima tensão de saída possível é _______________________
• Se for aplicada uma tensão de entrada de + 250 mV, a tensão de saída
será ___________________
• Se for aplicada uma tensão de entrada de – 250 mV, a tensão de saída
será . ___________________
• Se for aplicado um sinal de 0,5 VPP (de + 250 mV a – 250 mV) à entrada do
circuito, a tensão de pico a pico será _________________ e o ganho
será ___________________

306 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

3. Responda às seguintes perguntas.

a) Qual é a característica fundamental de um amplificador inversor?

b) Qual é a tensão pico a pico de saída se for aplicado um sinal de 0,5 VPP na en-
trada do circuito mostrado a seguir?

c) No circuito da questão anterior, qual é o sinal (pico a pico) de entrada necessá-


rio para obter 3 VPP de saída?

d) No mesmo circuito, qual deve ser o valor de R3?

e) No circuito da questão b, quais deveriam ser os valores de R2 e R3 para se ob-


ter um ganho de 18?

SENAI-SP - INTRANET 307


Eletrônica analógica - Teoria

f) Qual é a impedância de entrada do circuito mostrado na questão b?

g) Projete um amplificador inversor com amplificador operacional cujo ganho seja


12 e a impedância de entrada seja maior do que 8 kΩ

h) Por que as entradas de um AO são consideradas um “terra virtual”?

4. Responda às seguintes questões.

a) Qual é a característica fundamental de um amplificador não-inversor?

As próximas questões referem-se ao circuito que se segue:

308 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

b) Localize a malha de realimentação do circuito.

c) Qual é o ganho do circuito mostrado?

d) Admitindo-se que o amplificador operacional do circuito esteja alimentado com


±15V e a saturação ocorra em ±13V, qual é o máximo sinal de entrada que
pode ser aplicado ao circuito?

e) Desenhe o sinal de entrada correspondente.

SENAI-SP - INTRANET 309


Eletrônica analógica - Teoria

f) Mantendo R1 = 1 kΩ, Qual deverá ser o valor de R2 para que se obtenha um


ganho de 7,8.

310 SENAI-SP - INTRANET


Eletrônica analógica - Teoria

Referências bibliográficas

SENAI-SP. Eletricista de Manutenção I - Eletricidade básica. São Paulo,1993.

SENAI-SP. Eletricista de Manutenção Il - Eletrotécnica. São Paulo, 1993.

SENAI-DN. Eletrônica básica. Rio de Janeiro, 1984.

SENAI-SP - INTRANET 311


Eletrônica analógica - Teoria

312 SENAI-SP - INTRANET


Aprendizagem Industrial
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