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1
6.1 Filosofia de projeto de CI
• Área da pastilha – resistores altos ou moderados devem ser
evitados
• Fontes de corrente constante tornam-se disponíveis.
• Grandes capacitores não estão disponíveis, exceto talvez como
um componente externo à pastilha do CI. (mantidos em valores
mínimos).
• Capacitores na faixa de picofarad e frações de pico farad são
fáceis de fabricar na tecnologia de CIs MOS.
• Regra para projeto de circuitos MOS em CI: usar apenas
transistores MOS e, quando preciso, pequenos capacitores
MOS.
• Em 2006 tecnologia de processos CMOS capazes de produzir
dispositivos com 0,05 μm de comprimento mínimo de canal.
• O circuito MOS será projetado quase totalmente usando
MOSFET de ambas as polaridades – NMOS e PMOS.
2
6.2.1 Valores típicos dos parâmetros doMOSFET
5
6.2.2 valores típicos dos parâmetros de um CI do TBJ
6
Valores típicos de parâmetros de dispositivos TBJ
7
Comparação do MOSFET com o TBJ
Símbolo
Modo ativo
Induzir um canal jBE polarizada diretamente
8
Características corrente-tensão na região ativa
1 W vDS
iD = µ nCox (vGS − Vt ) (1 +
2
) vCE
2 L VA iC = I S e v BE / VT
1 +
1 W 2 vDS VA
= µ nCox vov (1 + )
2 L VA iB = iC / β
iG = 0
9
Modelo T BF
10
10
Transcondutância
ID
gm =
VOV / 2 gm = I C / VT
g m = µ n Cox (W / L)VOV
g m = 2( µ n Cox )(W / L) I D
Resistência de entrada
∞ rπ = β / g m
Resistência de saída
V A' L
rO = V A / I D = ro = VA / IC
ID
11
Capacitâncias
2 Cπ = Cde + C je
Cgs = WLCox + WLov Cox
3
C je ≅ 2C je0
Frequência de transição fT
gm gm
fT = fT =
2π (C gs + C gd ) 2π (Cπ + Cµ )
12
Efeito da carga capacitiva na faixa de resposta do amplificador fonte comum
Vo = − g mVgs ( ro // C L )
Vo g m ro
Av = =−
Vgs 1 + sC L ro
13
6.3.1 Fonte de corrente básica com MOSFET
1 ' W
I D1 = k n (VGS − Vtn ) 2
2 L 1
1 ' W
Io = I D2 = k n (VGS − Vtn ) 2
2 L 2
VDD − VGS
Como I D1 = I REF =
R
Io (W / L) 2
Dividindo Io/ID1 vem =
I REF (W / L)1
15
Use o gráfico de Io versus VGS e a expressão de ro = VA/ID para obter uma expressão para
Calcular Io.
Do gráfico
Vo ≥ Vov
∆Vo Vo −VGS (3)
ro2 = =
∆Io Io − Io1
(W / L)2
Io1 = I REF (1)
(W / L)1 Subst 2 em 3
VO − VGS
I o = I o1 1 +
VA2
Da equação
VA2 Subst. Io1 de 1 vem
ro 2 = (2)
I o1
(W / L) 2 VO − VGS
Io = I REF 1 +
(W / L)1 VA 2
16
Circuitos guias de corrente VDS 2 ≥ VGS 2 − Vtn
(W / L)5
I5 = I 4
(W / L)4
(W / L)2
I2 = I REF
(W / L)1 VSD 5 ≥ VSG 5 − Vtp = VOV 5
(W / L)3
I3 = I REF VD 5 ≤ VDD − VOV 5
(W / L)1
17
6.3.3 Circuitos com TBJ
I o = I REF
I C1 Para uma razão de transferência de corrente > 1
Io I S 2 Área da JEB de Q2
= =
I REF I S 1 Área da JEB de Q1
18
Io IC 1
Considerando β finito = =
I REF 2 1+
2
I C 1 +
β β
Se I S 2 = mI S 1
+
VBE
- Io m
=
I REF m +1
1+
β
Para Vo = VBE
19
Efeito da resistência de saída finita para Vo diferente de VBE
Vo − VBE (1)
I o = I o1 1 +
VA2
∆Vo I o1 m
Ro ≡ = ro 2 = (2)
∆I o I REF 1 + m + 1
Do gráfico β
Vo −VGS Subst. (1) em (2) vem
ro2 =
I o − I o1
fórmula I o = I REF
m 1 + Vo − VBE
VA2 m + 1 V A2
+
ro2 =
1
β
I o1 20
Uma fonte de corrente simples
VA V
Ro = ro 2 ≅ ≅ A
I o I REF
VCC − VBE
I REF =
R
I REF Vo − VBE
Io = 1 +
1 + (2 / β ) VA
21
Guia de corrente
I 3 = 2 I REF I 2 = I REF
+
VBE2 vCE 4 > 0,3 ⇒ vC 4 − ( −VEE ) > 0,3
-
vC 4 > −VEE + 0,3
22
Resposta em alta frequência – considerações gerais
O ganho permanece constante no seu valor de ganho em faixas médias AM até a
frequência zero (cc). Os amplificadores em CI diretamente acoplados não sofrem a
redução do ganho em baixas frequências. O ganho, no entanto, decai em altas
frequências em virtude das capacitâncias internas do transistor.
23
6.4 .1 A função de ganho de alta frequência
A( s ) = AM FH ( s )
(1 + s / ωZ 1 )(1 + s / ωZ 2 )...(1 + s / ωZn )
FH ( s ) =
(1 + s / ωP1 )(1 + s / ωP 2 )...(1 + s / ω Pn )
ωP1, ωP2, .. . ωPn são números positivos representando as frequências dos n polos
reais e
ωz1, ωz2, .. . ωzn são números positivos, negativos ou ∞ representando as frequências
dos n zeros de transmissão reais.
24
Determinando fH
Polo dominante
1
FH ( s ) ≅
(1 + s / ωP1 )
ω H ≅ ω P1
25
Fórmula aproximada
Circuito com dois polos e dois
zeros
(1 + s / ωZ 1 )(1 + s / ωZ 2 )
FH ( s ) =
(1 + s / ωP1 )(1 + s / ωP 2 )
(1 + jω / ωZ 1 )(1 + jω / ωZ 2 )
FH ( jω ) =
(1 + jω / ωP1 )(1 + jω / ωP 2 )
26
27
Exemplo 6.5
A resposta em altas frequências de um amplificador é caracterizada pela
função de transferência
1 − s / 10 5
FH ( s ) =
(1 + s / 10 4 )(1 + s /( 4 × 10 4 ))
Determine a frequência a 3 dB aproximada e exatamente.
ω P1 = 10 4 rad / s; ω P 2 = 4 × 10 4 rad / s; ω z1 = 10 5 rad / s;
Valor exato de ωH
1 − jω / 10 5
FH ( jω ) =
(1 + jω / 10 4 )(1 + jω /( 4 × 10 4 ))
2
FH (0) = 1 FH (0)
2
FH ( jωH ) =
2
28
1 + ω H2 / 1010 1
= ωH = 9.537 rad / s
(1 + ω H / 10 )(1 + ω H /(16 × 10 )) 2
2 8 2 8
Aproximada
1 1 2
ωH = 1/ + − = 9800 rad/s
(10 ) (4 ×10 ) (10 )
4 2 4 2 5 2
29
6.4.3 Usando o método das constantes de tempo circuito aberto
para a determinação de fH
(1 + s / ωZ 1 )(1 + s / ωZ 2 )...(1 + s / ωZn )
FH ( s ) =
(1 + s / ω P1 )(1 + s / ω P 2 )...(1 + s / ω Pn )
1 + a1s + a2 s 2 + ⋅ ⋅ ⋅ + an s n b1 =
1
+
1
+ ⋅⋅⋅ +
1
FH ( s ) =
1 + b1s + b2 s 2 + ⋅ ⋅ ⋅ + bn s n ω P1 ωP 2 ωPn
n
b1 = ∑ Ci Rio
i =1
Se os zeros não são dominantes e se ωP1 for dominante, ou
ωp1 << que qualquer outro polo
1 1 1
b1 ≅ ω H ≅ ω P1 ≅ =
ω P1 b1 ∑ Ci Rio
i
30
“O valor de b1 pode ser obtido considerando-se as várias
capacitâncias dos circuitos equivalentes para altas frequências,
uma por vez, enquanto todos os outros capacitores são
reduzidos a zero”
1 1
ω H ≅ ω P1 ≅ =
b1 ∑ Ci Rio
i
31
Exemplo 6.6
32
Exemplo 6.6
33
Resistência vista por Cgd (Cgs=0)
− Vgs
Ix =
R'
Vgs + Vx
R ' = Rin || Rsig
Ix R’
Vgs = − I x R '
I x = − I x R (g m + 1 / R ) + '
' ' Vx
L
RL
ω H = 1 /[2π (τ gs + τ gd )]
34
6.4.4 O teorema de Miller
V2 =KV1
V2 =KV1
V1 − V2 V1 − kV1 Fig. a
I = = Fig. b Fig. a
Fig. b
Z Z
0 − V2 0 − kV1 V − kV1
V1 V1 (1 − k ) I2 = = =I= 1
I1 = =I= Z2 Z2 Z
Z1 Z − k 1− k Z
Z = Z2 =
Z1 = Z2 Z (1 − 1 / k )
(1 − k ) 35
Exemplo 6.7
A Figura 6.16a mostra um amplificador tendo um ganho de –100
V/V com uma impedância Z conectada entre seus terminais de saída e
entrada. Encontre o equivalente de Miller quando Z é (a) uma resistência
de 1 MΩ e (b) uma capacitância de 1 pF. Em cada caso, use o circuito
equivalente para determinar Vo/Vsig.
36
Exemplo 6.7
Circuito equivalente depois da
aplicação do teorema
Vi Vo
V2 V0
K= = = −100
V1 Vi
37
C1 = 101C = 101 pF
Vo Vo Vi 1 / sC1
= = −100
Vsig Vi Vsig 1 / sC1 + Rsig
− 100
= Essa é a função de uma rede passa-
1 + s × 1.01 × 10−6 baixa de primeira ordem com ganho
cc de -100 e f3dB de
1
f 3dB = −6
= 157,6 kHz
2π × 1,01 × 10
38
Pág. 185 Caracterizando amplificadores
vi vo vi=0
Ro
Ro
vi
vi
Rout
vsig=0 Avovi
Rout
vi vi
Gvovsig
39
A carga pode ser
implementada por um
PMOS : Carga ativa
6.5.1 Circuito fonte comum
V0
Rin = ∞ Ro = ro Avo = = − g m Ro
Vi
ganho intrínseco Ao = gm Ro
40
Mosfet polarizado com através de um resistor iD
v
+
v
-
VDD 1
iD = − v DS
RD R D
41
vo = − v + VDD
vo
Av = = − g m1 ( ro1 / / ro 2 )
vi
43
6.5.3 O circuito do emissor comum
Avo = − g m ro
Ri = rπ Ro = ro
ganho intrínseco Ao = gm Ro
44
Implementação da carga ativa com um transistor
pnp : Q2
VCC
VCC
I r
Q3 Q2
vo vo
IREF Q1
Q1 +
+ vi
vi -
-
Considerando β alto podemos dizer que I=Ic2=IREF. Pela figura vemos que Ic1=Ic2
VA 2 VA1
ro 2 =
IC 2
ro1 = Av = − g m ( ro1 ro 2 )
I C1 45
6.6 Resposta em alta frequência dos amplificadores FC e EC
6.6.1 Análise usando o teorema de Miller
FC usando o T. de Miller
Igd
Rsig Cgd
G D vo
IRL’ Icl
+ gmVgs
Vsig Vgs Cgs
R’L CL
-
Vo − g m RLVgs
'
K= = = − g m RL' Z = 1 / sCgd
Vgs Vgs
46
1 / sCgd 1 1
Z1 = = =
1− k sCgd (1 + g m R 'L ) sC1
Cin = Cgs + Cgd (1 + g m R 'L )
1 / sCgd 1
Z2 = = C2 = Cgd (1 + 1 /( g m R' L ))
1 − 1 / k (1 + 1 / gm R' L ) sCgd
47
Temos um polo formado por Cin e outro formado por C2. C1 vê Rsig e C2 vê RL’
(pois com Vsig = 0, Vgs = 0, a fonte de corrente abre).
1
fH ≈
2π Cin Rsig
Na banda média Cgs e Cgd são abertos, o que faz (na figura ) Vgs = Vsig e ou
AM = − g m RL ' Vo AM
Av ≡ ≅
Vsig 1 + s
ωH
48
Análise usando as constantes de tempo de circuito aberto
Rsig
G
R gs = Rsig
Rgs
Vgs = 0 ⇒ gmVgs = 0
Req = R1 + R2 + g m R1R2 Fórmula equivalente RCL = RL '
Rgd = Rsig + R ' L + g m Rsig R ' L 1
fH ≅
τ H = C gs Rgs + C gd Rgd + CL RC L 2πτ H
49
Análise exata sCgd(Vgs-Vo)
+
sCgsVgs
Vgs
-
Figura 6.23
6.6.3 Análise Exata
Equação nodal no dreno +
Vo
sC gd (Vgs − Vo ) = g mVgs + '
+ sC LVo (1)
RL
Isolar Vgs em (1) → (4)
I i = sC gsVgs + sC gd (Vgs − Vo ) (2) Substituir Ii de (3) pela equação (2) → (5)
Substituir Vgs de (4) em (5)
1
( sC gd − g m )Vgs − Vo ( ' + sCL + sC gd ) = 0
RL
51
− Vo 1 + s ( C + C ) R ' (4)
De (1) Vgs = L gd L
= L
s = sz = g m / C gd ω z = g m / Cgd
52
Podemos expressar o denominador polinomial da Eq.
6.60 da seguinte forma
(6.64)
s s Se ωP2 >>ωP1
D ( s ) = 1 + 1 +
ω P 1 ω P1
1 1 s2
= 1 + s + + (6.65)
ωP1 ωP 2 ωP1ωP 2
s s2
D( s) ≅ 1 + +
ω P1 ωP1ωP 2
1
ωP1 ≅
[Cgs + Cgd (1 + g m R' L )]Rsig + (CL + Cgd ) R' L 6.66
53
Exemplo 6.9
54
Exemplo 6.9
55
Rsig Cgd
G D vo Na banda média os
+ Icl capacitores são abertos,
Cgs gmVgs
Vsig Vgs
R’L CL
então
-
Vgs = Vsig
Vo − g m RL' Vgs
AM = = = − g m RL'
Vsig Vgs
Vo − g m RLVgs
'
K= = = − g m RL'
Vgs Vgs
1 / sCgd 1 1
Z1 = = = Cin = Cgs + Cgd (1 + g m R 'L )
1− k sCgd (1 + g m R 'L ) sC1
56
O polo formado por Cin é muito
menor do que o polo formado
por C2+CL, portanto dominante,
portanto
Rgs
Rgd = R1 + R2 + g m R1R2
Vgs = 0 ⇒ gmVgs = 0 RCL = RL '
57
58
A equação 6.60 será usada para determinar o valor exato
da localização do zero e dos polos
Vo − g m RL' [1 − s(C gd / g m )]
= (6.60)
Vsig 1 + s(C A Rsig + C B RL' ) + s 2 (C B C gs + C L C gd ) Rsig RL'
Cálculo do zero
1 − sz (Cgd / g m ) = 0 s = s z = g m / C gd ω z = g m / Cgd
59
Polos
C B = C L + C gd = 25 + 5 = 30 fF
x1 = C A Rsig + CB RL' = (86,4 × 10 + 30 × 9,82)10−15 × 103 = 1,16 × 10−9
x2 = (30 × 20 + 25 × 5)10 × 9,82 × 10−30 × 106 = 0,0712 × 10−18
rπ Figura 6.
Vsig ' = Vsig
Rsig + rx + rπ Rsig ' = rπ //( Rsig + rx )
61
Na banda média Cπ e Cµ são
abertos, então
Vo = − g m RL 'Vπ Vπ = Vsig'
Vo Vo Vπ Vsig ' rπ
AM = = = − g m RL '
Vπ Vπ Vsig ' Vsig Rsig + rx + rπ
62
6.7 O AMPLIFICADOR PORTA COMUM
vb = vg = 0 ⇒ vbs = vgs
G
D
+
gvgs r
Figura 6.27a vgs
- S
g= gm+gmb
63
Modelo T para o porta comum
i 0 i
1/(gm+gmb) G
ro RL
i iro
S 1/(gm+gmb)
Rs ii
+
vsig vi
-
Rin
64
Resistência de entrada g = g m + g mb
io
vo
D
LKC em S e D io = ii
0
iro = ii − i = ii − gvi
i ro
G RL
i iro Malha I
1/(gm+gmb)
Rs ii S − vi + iro ro + ii RL = 0
vsig vi
+ I
− vi + ii ro − gro vi + ii RL = 0
-
vi ro + RL
Rin ≡ =
Rin
ii 1 + ( g m + g mb )ro
Ganho de Tensão Av Ganho de Tensão Gv
i = gvi i = (vo − vi ) / ro
gro vi = vo − vi
Avo = vo / vi
Avo = 1 + ( g m + g mb ) ro
Fig. 6.27d
Como ii=0 (Fig. 6.27d) a queda VRS = 0, então vsig
= vi e Gvo = Avo
vo
Gvo = Avo =
v sig
66
Resistência de saída
RL RL
Av = Avo Gv = Gvo
RL + RO RL + Rout
67
Cálculo de Rout (vsig = 0)
Cálculo de Ro (vi = 0) ix
0 ix
vx
0 i
vx G
ro
0 i ro ix+i
G
1/(gm+gmb) i
ix+i
1/(gm+gmb) i
Rs ix
v
vs = v g = 0
vgs = 0 v = ix RS i = gv
i = ( g m + g mb ) × vgs i = gRsix
− v x + (i x + i )ro + v = 0
i = ( g m + g mb ) × 0 − v x + [ix + gRsix ]ro + Rsix = 0
Ro = ro Rout = ro + [1 + ( g m + g mb )ro ]RS
Rout = ro + Avo RS
68
Ganho de corrente de curto-circuito total Gis
RS
i
Fig. 6.30
69
PC - Resposta em alta frequência
D
Vo Cálculo de fH desprezando ro
Vo
Cgd
CL+Cgd
ro CL RL
I RL
G I
G
I I
Cgs 1/(gm+gmb)
1/(gm+gmb)
Rs Rs
S
+
+ Vi
Vsig
Vsig Cgs
Vi -
-
Redesenhado do circuito
Figura 6.31b
70
Observamos que existem dois polos: um do lado da entrada com uma frequência fp1
1
A resistência vista por Cgs, com Vsig = 0, é Rs
g m + g mb
1
f P1 =
1
2πC gs ( Rs )
g m + g mb
1
fP2 = 6.106
2π (C gd + C L ) RL
71
Em situações onde ro é considerada
1/(gm+gmb) I
Rs Rin
Rgd = RL Rout
1
fH =
2π [Cgs Rgs + (Cgd + CL ) Rgd ]
72
Exemplo 6.11
1/(gm+gmb) i
i
Resistência de entrada Rin
ro + R2
Rs ii
+
Rin = Req =
1 + ( g m + g mb ) ro
vsig vi
-
Ri
D
Como ii=0 vi ro + RL
Gvo=Avo Rin ≡ =
ii 1 + ( g m + g mb )ro
73
Resistência de saída Rout, vsig=0
ix
RS
Circuito equivalente do PC
RL
Gv = Gvo
RL + Rout
74
Transformando a fonte de tensão em corrente temos isig = vsig / Rs
75
Cálculo de fH usando o método das τH de circ. aberto
Vo
Rgs = Rs Rin
I RL
G ro
1/(gm+gmb) I
Rs Rin
Rgd = RL Rout
Rgs
76
77
6.8.1 O “cascode MOS” -Análise de pequenos sinais
i iro
1/(gm2+gmb2)
Fonte Rsig
ii = io
G D ii
comum vo1
+ vi ro 2 + RL
vsig gm1vgs r Rin 2 ≡ =
vgs= vi ii 1 + ( g m 2 + g mb ) ro 2
-
78
Ganho de tensão de circuito aberto (RL = ∞)
Rsig
vo vo1 vo G D ii
io
vo i
G
ro2
Rout
i iro
1/(gm2+gmb2)
i ro2
G RL D ii
vo1
i iro
1/(gm2+gmb2) 0 r
Rsig G D ii
vo1
+
vsig gm1vgs r Fórmula eq. do PC
vgs= vi
-
Req = ro + R1 + ( g m + g mb )ro R1
Com vsig =0 ,vi =0 e gm vgs= 0 Rout = ro 2 + ro1 + ( g m + g mb ) ro 2 ro1
Fórmula do PC adaptada ao circuito:
ro =ro2 e R1 = ro1
80
Circuitos equivalentes do amplificador cascode
Rsig G D2 81
1
vo
+
vsig vi Ro RL
- Gmvi
Gm vi = − Avo vi / Ro Gm = − Avo / Ro
81
Resposta em frequência do cascode Mos
io
vo
RL
i ro2
G
CL+
iro Cgd2
1/(gm2+gmb2) i
Rsig Cgd1 ii
G vo1 D
+
Subst. Os Q1 e Q2 pelos vsig gm1vgs r
Cgs2+
modelos e rearranjando as vgs Cgs1 Cdb1
capacitâncias -
82
io Rout
vo
A capacitância (CL + Cgd2) vê
RL RL // Rout
i ro2
G
CL+
i
iro Cgd2 Para o cálculo de Rgs1, Rgd1 e Rgs2
1/(gm2+gmb2)
o circuito em vermelho é
Cgd1
Rsig G vo1 D ii
Rin2 substituído por Rin2
+
vsig gm1vgs r
Cgs2+ Rd 1 = Rin 2 // ro1
vgs Cgs1 Cdb1
-
Observe o circuito é o mesmo analisado no
fonte comum
83
A capacitância Cgd1 vê
Rgd = R1 + R2 + g m R1R2
1
fH ≅
2πτ H
84
Exemplo 6.12
Esse exemplo ilustra as vantagens do cascateamento pela comparação do desempenho
de um amplificador cadcode com aquele do amplificador fonte comum em dois casos:
(a) A resistência da fonte de sinal é significante, Rsig = 10kΩ.
(b) Rsig é desprezivelmente pequena.
Assuma todos MOSFETs tendo W/L de 7,2 µm/0,36 µm e que estejam operando a ID =
100 µA, gm = 1,25 mA/V, χ =0,2, ro = 20 kΩ, Cgs = 20 fF, Cgd = 5 fF, Cdb = 5 fF e CL
(excluindo Cdb) = 5 fF. Para o caso (a), seja RL = ro = 20 kΩ para ambos amplificadores.
Para o caso (b) faça RL = ro = 20 kΩ para o amplificador FC e RL = Rout para o
amplificador cascode. Para todos casos, determine Av,fH e ft
85
Rsig = 10 kΩ e RL = ro = 20 kΩ
Exemplo 6.12
86
a) Para o amplificador cascode com Rsig = 10kΩ.
io
vo
1- Desenhe o circuito equivalente
2- Com RL = ∞. Use a fórmula equivalente para
calcular Av02. G
i ro2 RL
3- Qual o valor de ii? Calcule Av01 e Av0. i iro
1/(gm2+gmb2)
4- Calcule Rout usando a fórmula equivalente.
Rsig G ii
5- Usando Avo e Rout calcule Av. +
D
vo1
vsig gm1vgs r
vgs= vi
Com RL = ∞ io = ii=0 -
vo1
Avo1 = = − g m1ro1 = −25V / V
vi
Req = ro + R1 + ( g m + g mb )ro R1
87
Cálculo de fH
ro + R2
rO 2 + RL 20 + 20 Req =
Rin 2 = = = 1,29 k Ω 1 + ( g m + g mb ) ro
1 + ( g m + g mb )ro 2 31
rO 2 + RL 20 + 20
Rin 2 = = = 1,29 k Ω
1 + ( g m + g mb )ro 2 31 t
RL // Rout
A capacitância (Cdb1 + Cgs2) vê Rd1
88
A capacitância Cgd1 vê
Rgd = R1 + R2 + g m R1R2
89
6.9 Os amplificadores FC e EC com degeneração de fonte (emissor)
Como Ri = ∞, vi = vsig e Avo = Gvo.
6.9.1 FC com RS
Req = ro + R1 + gro R1
Para calcular Rout usamos a fórmula do PC (mesmo circuito)
Rout = ro + RS + ( g m + g mb ) ro RS
90
Cálculo do ganho de circuito aberto
A corrente em Rs é zero
vi
i v s = Rs × 0 = 0 ⇒ vbs = 0
A corrente gmvgs passa em ro, então
vo = − g m r0 v gs
Como v gs = vi − vs = vi ⇒ Avo = vo / vi = − g m r0
Como ig = 0 Ro = Rout
Circuito equivalente
Ganho de tensão com carga
Ro=Rout vo
vo RL
Avovi RL Av = = Avo
vi RL + Rout
91
Transformando em fonte de corrente
Rsig G D
vo
+
vsig vi Rout RL
- Gmvi
v gs 1 RL Rout
≅
vi 1 + ( g m + g mb ) RS RL Ro
92
Resposta em frequência do FC com RS
Rsig + Rs
Rgs ≅
r
1 + ( g m + g mb ) RS o
ro + RL
Rout
O circuito a esquerda de RL pode ser
substituído por Rout, então
93
Para calcular Rgd usamos o circuito equivalente. Este circuito é
idêntico ao circuito de cálculo de Rgd de um fonte comum, então
Req = R1 + R2 + g m R1 R2
Rgd = Rsig + R' L +Gm Rsig R' L
94
6.10.1 O seguidor de fonte
v gs = vi − vo e vo = g m v gs R' L
95
vo g m R' L
vo = g m R ' L ( vi − vo ) Av ≡ =
vi 1 + g m R' L
O ganho de tensão de circuito aberto pode ser encontrado fazendo RL infinita
na equação de Av
R ' L = ∞ ro 1 / g mb = ro 1 / g mb 1 / R ' L = (1 / ro ) + g mb
gm gm
Avo = =
(1 / R ' L ) + g m (1 / ro ) + g mb + g m
vo g m ro
Avo ≡ =
vi 1 + ( g m + g mb ) ro
96
Resistência de saída Ro
D
1/gm
S vo
ro//(1/gmb)
vg = vd= 0, então vgs = vds g m vgs pode ser substituída por 1/g m
A corrente em uma resistência 1/gm é vds/(1/gm)=vgs/(1/gm)=gmvgsque é a
mesma da fonte de corrente.
1 1
Ro =
1
ro = gm + gmb +
g m + gmb Ro ro
Rout = Ro pois Rout não depende de Rsig (ig = 0).
97
6.10.2 Resposta em frequência do seguidor de fonte
99
Vamos encontrar a resistência vista pelos três capacitores
Rgd = Rsig
RC L = R L // Ro
A resistência vista por Cgs é Vgs/Ix
R’in
R ' sig = Rsig + rx
R ' L = ro // RL
101
Cálculo de Rin , Av e Gv
Req1 = rπ + R2 ( β + 1)
R'in
R2 ( β + 1)ib
102
Resistência de saída Rout
0 + ( rπ + R´ sig )ib + v x = 0 r + R1
Req 2 = π
β +1
v x rπ + R´ sig
ix = − ( β + 1)ib =
ix β +1
rπ + R´ sig
ROUT = ro //
β +1
Rsig
ROUT = ro //[ re + ]
β +1
Resposta em frequência do seguidor de emissor
103
A resistência vista por Cπ pode ser obtida pela R1 + R2
fórmula equivalente Req 3 =
1 + g m R2
1
ωZ =
Cπ re
R2
f H ≅ 1 / 2π (Cµ Rµ + Cπ Rπ )
104
Pareamentos úteis
Figura (a): Cascateamento de Q1 DC com Q2 FC: aumento na faixa de
passagem.
Figura (b): Cascateamento de Q1 CC com Q2 FC: aumento na faixa de
passagem e aumento da resistência de entrada.
IB2
IE2
105
Exemplo 6.13
Considere um amplificador CC-EC tal como o da Figura 6.53(b) com as seguintes
especificações: I1 = I2 = 1 mA e transistores idênticos com β = 100, fT = 400 MHz e Cµ = 2 pF.
Deixe o amplificador ser alimentado por uma fonte Vsig tendo uma resistência Rsig = 4 kΩ e
suponha uma resistência de carga de 4 kΩ. Encontre o ganho de tensão AM e estime a
frequência de 3 dB, fH. Compare os resultados com aqueles obtidos com um amplificador EC
operando sob as mesmas condições. Por simplicidade despreze ro e rx.
I B2 = I / β
I E 2 = I + I B 2 = I + I / β = I ( β + 1) / β
I E2 = I /α
I C 2 = αI E 2 = I
106
g m = I / VT
ib1=ie1 /(β+1) (1-α)ie1
αie1 rπ = ( β + 1)re
ie1
Rin
Req1 = ( β + 1)( re + R2 )
107
ib1=(1-α)ie1
=ie1 /(β+1)
ix /(β+1)
Rsig ib1 ie1
vx Rsig R1
vb1 Rout 1 = = re1 + Req 2 = re +
ie1 re1 ix ix β1 + 1 β +1
E1 vx
Rout1
108
R1 + R2
Req =
1 + g m R2 Rsig + Rin 2
Rπ 1 = rπ
Req = R1 + R2 + g m R1R2 1 + g m Rin 2
109
6.11.13 A configuração Darlington
O par Darlington pode ser usado como um seguidor de emissor de alto desempenho
110
Req1 = ( β + 1)( re + R2 )
Rin2
Rin
112
Fórmulas e modelos
Req1 = rπ + R2 ( β + 1)
Req3
rπ + R1
Req 2 =
β +1
R1 + R2
Req 3 = rπ
1 + g m R2
Req = R1 + R2 + g m R1R2
Req1 = ( β + 1)( re + R2 )
Req1 R1
Req 2 = re +
Req2 β +1
113
ro + R2
Req =
1 + ( g m + g mb ) ro
A = 1 + ( g m + g mb )ro
R1 + R2
Req ≅
ro
1 + ( g m + g mb ) R2
ro + RL
R1 G
+ +
R1 + R2 vsig vi vgs g v
Req =
m gs
- -
-
S
1 + g m R2
+
R 2 vo
-
114
1 ,W 2 v
iD =
2
k n vov .(1 + DS )
L VA
vov = vGS − Vt g m = µ n C ox (W / L )VOV g m = 2( µn Cox )(W / L) I D
ID
gm =
VOV / 2 g mb = χg m rO = V A / I D V A = V A' L ro = V A' L / I D
gm
2 fT =
C gs = WLCox + WLov Cox C gd = WLov Cox Cov = WLov Cox 2π (C gs + C gd )
3
vCE iC = βiB
iC = I S e vBE /VT (1 + ) iC = αiE
iC = I S e vBE / VT VA
β re = VT / I E rπ = β / g m rπ = ( β + 1)re ro = VA / IC
α=
iE = ( β + 1)iB β + 1 VT = 25 mV
gm = IC / VT
Z1 = Z /(1 − K ) Z 2 = Z /(1 − 1 / K )
gm
Cπ = Cde + C je Cde = τ F g m C je ≅ 2C je0 f T =
2π (Cπ + Cµ )
1 C A = Cgs + C gd (1 + g m RL' ) CB = CL + C gd
ωH ≅
∑ Ci Rio
115
;
Modelos de transistores e Amp Op
rπ (B,E);gmvπ↓,ro(C,E);(vbe=vπ).
Rid(v+,v-); ro (vo,1), µ(v+ - v-) (1,0) .
B rx C
B’
C
1/gm (G,S);i↓ (D,G); ro (D,S). ). Para o PC gm r
+
C gmv
v r
→gm+gmb. -
E
rx (B,B'); rπ , Cπ (B',E);
gmvπ↓,ro(C,E);Cμ(B',C);(vb'e=vπ).
Ri(1,0);Avovi (2,0); Ro (2,3).
Resposta em alta
6.4 5 , 6, 7 10, 11 , 12 , 13 26
frequência
Os amplificadores FC e EC
6.5 14, 15 , 16 27 , 28
com carga ativa
Resposta em alta
6.6 frequência dos 9 17, 20 33 , 34 , 35
amplificadores FC e EC
Os amplificadores PC e
6.7 11 23 , 24 40 , 44, 45
BC com carga ativa
Os amplificadores FC e EC
6.9 31
com RS (Re)
Seguidores de fonte e
6.10 33, 34, 35
emissor
FIM
118