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Benildo Rodrigues

Fabião Ernesto
Mussage Calisto Amade Rea
Nordino Abdul Anifo
Orcídio Aberto Santos
Osvaldo Mário Gilberto
Zaida Lucas Joaquim

Estudo do Transistores de Junção

(licenciatura em Ensino de Física, com Habilidades em Energias Renováveis, 3º Ano, 3


Grupo)

Universidade Rovuma

Nampula

2019
1

Benildo Rodrigues
Fabião Ernesto
Mussage Calisto Amade Rea
Nordino Abdul Anifo
Orcídio Aberto Santos
Osvaldo Mário Gilberto
Zaida Lucas Joaquim

Estudo do Transistores de Junção

(licenciatura em Ensino de Física, com Habilidades em Energias Renováveis, 3º Ano, 3


Grupo)

Universidade Rovuma

Nampula

2019
II 2

Índice
Introdução..................................................................................................................... 3

Transístores de Junção .................................................................................................. 4

A revolução digital começa ........................................................................................... 4

Estrutura do transistor de Junção ................................................................................... 5

Transistor em equilíbrio ................................................................................................ 6

Funcionamento de transístor Bipolar ............................................................................. 7

Ganho do transístor de junção ....................................................................................... 9

Funcionamento de transistor na configuração base comum .......................................... 11

Funcionamento do transístor na configuração emissor comum .................................... 12

Transistores de deriva ................................................................................................. 13

Conclusão ................................................................................................................... 15

Referências bibliográficas ........................................................................................... 16


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Introdução
No presente trabalho vamos abordar sobre o estudo dos transistores de junção, mas
concretamente vamos nos focar sobre a abordagem relacionada com o seu surgimento, a
revolução industrial, a estrutura dos transistores de junção. Ainda responder-se-á ao
longo do trabalho perguntas tais como: quando é que se considera que um transistor está
em equilíbrio? Qual é o princípio de funcionamento de um transistor de junção? Essa e
algumas questões fazem parte das perguntas serão abordadas ao longo do
desenvolvimento do trabalho, assim como na defesa da mesma. São objectivos deste
trabalho, distinguir ou seja diferenciar a junção PN ou seja diodo e junção PNP e NPN
designando transistor; dar a conhecer o princípio de funcionamento.

A metodologia utilizada neste trabalho foi a das pesquisas das referências bibliográficas.
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Transístores de Junção
O transístor é o elemento mais importante de dispositivos semicondutores, é o "tijolo"
com o edifício da tecnologia eletrônica moderna é construída.
A revolução digital começa
A Intel é a empresa que fabricou primeiro um microprocessador, um tablet de circuito
integrado que contém todos os elementos necessários para realizar os cálculos
numéricos e lógicos complexos que são executados em um computador. Nos referimos
ao já lendário 4004, um microprocessador com apenas 2.300 transístores, mas com a
mesma capacidade de computação do ENIAC, o primeiro computador (1947), que
continha cerca de 18 mil válvulas, ocupava uma sala inteira para abrigar suas
proporções gigantescas e Pesava 30 toneladas. Mas os microprocessadores nada mais
são do que um eco ou resultado de outra invenção na qual a revolução digital se baseia:
o transístor.
Mais de 50 anos atrás, em 23 de dezembro de 1947, cientistas do Bell Laboratories
demonstraram que um dispositivo construído em materiais sólidos poderia se comportar
praticamente idêntico às válvulas de vácuo, mas sem seus inconvenientes.
Por sua descoberta, William Shockley, John Bardeen e Walter Brattain receberam o
Prêmio Nobel de Física em 1956.

O transístor deslocou outro grande dispositivo, no qual a incipiente tecnologia


eletrônica repousou por décadas: a válvula tríodo, inventada em 1906 por Lee De
Forest , que por sua vez contava com a válvula diodo, inventada em 1905 por John A.
Fleming, que foi baseado em um fenômeno (o efeito Edison) descoberto por Tomas A.
Edison durante as investigações que o levaram a inventar a lâmpada incandescente.

Lee de Forest descobriu que uma grade de fio eletrificado causava um fluxo de eletrões
quando colocada dentro de um tubo ou válvula de vácuo.

Esse fluxo pode ser controlado de diferentes maneiras: pode ser interrompido, reduzido
ou mesmo parado completamente; Assim, por exemplo, uma corrente muito baixa de
eletrões na entrada do tubo foi amplificada por ele, a fim de produzir uma corrente
intensa na saída , de modo que este dispositivo era usado em televisões, rádios
e qualquer outro equipamento eletrônico em que é necessário aumentar o nível de um
sinal de entrada.
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Com todo esse potencial no controle da eletricidade, o homem foi capaz de lidar com
sinais eletrônicos e, assim, emergiu e desenvolveu novas formas de comunicação, como
rádio e televisão, e novos avanços tecnológicos, como radar e os primeiros
computadores.
O transístor surge
O primeiro transistor foi construído sobre uma base plástica em forma de C, na qual
foram montadas duas peças de um elemento ainda não conhecido, o germânio,
suportadas por uma mola feita no último momento com um clipe de escritório. Fios de
ouro finos saíam dos terminais dessa estrutura, que serviam como conectores para
entrada e saída de sinais.
Com esse dispositivo, os pesquisadores conseguiram amplificar os sinais da mesma
maneira que teriam feito com uma válvula tríodo; e não havia necessidade de invólucro
de vidro a vácuo, filamentos incandescentes ou altas tensões operacionais.

Com efeito, o transistor (nomeado após a transferência do sinal elétrico através de um


resistor) foi capaz de desempenhar as mesmas funções do tubo de vácuo, mas com
vantagens notáveis: ele não apenas substituiu o tubo complexo e delicado por um
conjunto simples composto por basicamente em um conjunto de fios finos de bigodes
de gato, acoplados a um pequeno cristal semicondutor, tornava desnecessária a
condição de vácuo. Além disso, não era necessário aquecimento prévio para começar a
trabalhar, nem um grande volume para encapsulamento; sua estrutura fixa o tornava um
dispositivo mais confiável e durável; e seu consumo de energia era insignificante. A
condução de eletricidade em um sólido depende do grau de liberdade de seus eletrões.

Estrutura do transistor de Junção


O transistor de junção é um bloco de material semicondutor que consiste de três regiões
distintas. A fig. 01 ilustra a estrutura de um transístor de junção. Existe dois tipos de
transístores de junção.

 Transístor tipo PNP, na qual a região central é do tipo N e as regiões externas


são do tipo P. ilustrada na fig. O1 a.
 Transístor tipo NPN, a região central é do tipo P e as regiões externas são do
tipo N. dada pela fig.01. b

Fig. 01. Representação esquemática da estrutura de transístores de junção:


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a) ; b) .

(Mello and Biasi 1975, 107) e (Mello and Intrator 1980, 85)

De acordo com a junção unipolar, a junção P e N, unem-se formando assim um diodo.


O mesmo acontece para os transístores, somente aqui ocorre a combinação de duas
junções PN. Como ilustra a figura 1.2.

Fig. 1.2: Combinação puramente esquemática de duas junções, compondo um


transístor (união de dois díodos)

(Idem n.d.)

Transistor em equilíbrio
Segundo (Mello and Biasi 1975, 107) Quando um transístor não está submetido a uma
tensão alguma, ele se comporta como duas junções PN em equilíbrio. Nesse caso,
aparecem campos elétricos no exterior ou seja nas suas proximidades das junções que
equilibram as correntes de difusão de electrões e buracos.

Fig. 1.2.1: Diagrama de níveis de energia de transístor PNP em equilíbrio

(Idem n.d.)
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Funcionamento de transístor Bipolar


O transístor de junção bipolar (do inglês Bipolar Juntion Transistor, ou sua sigla BJT)
é um dispositivo eletrônico de estado sólido que consiste em duas junções PN muito
próximos um do outro, o que permite controlar a passagem da corrente através seus
terminais

Os transístores bipolares são geralmente usados em eletrônica analógica. Também em


algumas aplicações eletrônicas digitais, como a tecnologia TTL ou BICMOS.

Um transístor de junção bipolar consiste em duas junções PN em um único cristal


semicondutor, separado por uma região muito estreita. Desta forma eles são formados
por três regiões:

 Emissor, que difere dos outros dois por ser fortemente dopado, comportando-se
como um metal.
 Base, o intermediário, muito estreita, que separa o emissor do coletor.
 Coletor, muito maior.
Fig. 1.3: Transistor Fig.1.3.1. Estrutura interna de um
transístor

(Tovar 2009, 27) (El Mundo de la Electrónica: TV,


Audio Video n.d.)

De acordo com (El Mundo de la Electrónica: TV, Audio Video n.d.), Em primeiro
lugar, para que um transístor funcione, ele deve ser polarizado de uma certa
maneira; No caso em questão (transístor NPN), essa polarização implica uma tensão
positiva aplicada entre o coletor e o emissor e um suprimento positivo de
pequena magnitude entre a base e o emissor (Figura 1.3.2.)
Quando isso acontece e a polarização da base é menor que a tensão de ruptura do diodo
formada entre a base e o emissor, a tensão entre o coletor e o emissor forma um
campo elétrico considerável dentro do dispositivo; mas, como enfrenta uma estrutura
semelhante a um diodo invertido, não pode haver fluxo de corrente entre o coletor e
o emissor. No entanto, existe uma condição de excitação dos eletrões e lacunas no
dispositivo, que qualquer impulso externo seria suficiente para a montagem entrar em
condução.
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Esse impulso vem precisamente da corrente aplicada à base, que é acionada no


momento em que a tensão aplicada à base excede o ponto de interrupção mencionado
acima; então, a corrente que flui entre a base e o emissor causa uma avalanche de
eletrões entre o coletor e o emissor. Mas essa avalanche não é confusa, mas
depende muito da quantidade de eletrões que circulam pela base (Figura 1.3.3.); de
fato, uma das principais características de um transístor é um fator de ganho
de corrente , que indica quantas vezes o amplificador será amplificado a corrente
de base no coletor. Para os fins práticos, isto significa que o transístor amplifica por um
fator de entrada de corrente Hfe.
A estrutura NPN não é apenas que se desenvolveu, mas também não são transístores
com a lógica negativa ; isto é, formada por camadas alternadas de material de P, N e P.
O Comportamento de tais dispositivos é praticamente idêntico ao do acima,
apenas varia o sentido da tensão de polarização aplicada para os terminais. A figura
1.3.4. ilustra a simbologia com a qual se identifica os transístores bipolares tipo NPN e
PNP.

Fig. 1.3.2. Polarizando o transístor Fig.1.3.3. Funcionamento de transístor


tipo NPN tipo NPN

(El Mundo de la Electrónica: TV, Audio Video n.d.)

Fig. 1.3.4: funcionamento de transístores tipo NPN e PNP

(Idem n.d.)
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Podemos representar o funcionamento do transístor ou seja a polarização do transístor


em formas de diagramas, qual podemos convencionar o sentido da corrente (sentido
contrario ao deslocamento dos electrões, podemos representar a corrente em transístores
PNP, assim com NPN como na figura 1.3.5.

Fi.1.3.5: Corrente em Transistor PNP e NPN

(Mello and Intrator 1980, 109)


Portanto, a corrente do emissor é dada pela soma corrente que flui no coletor e na base.
Matematicamente podem expressar essa relação da seguinte forma:

E as tensões são dadas por

Ganho do transístor de junção


Quando se trabalha com válvulas ou transistores, deseja-se obter um ganho, isto é uma
obter uma corrente, ou uma tensão de saída maior que a corrente ou tensão de entrada.
No cado de tríodo, esse ganho é chamado de ganho de tensão á razão ente a variação da
tensão de placa (variável de saída) e a variação de tensão de grade (variável de entrada),
na ligação cátodo em terra.

No caso de um transístor polarizado como a figura 1.3.5. acima do transístor PNP, ou


NPN, considerado o terminal da esquerda como o de entrada e o da direita como de
saída, obtém-se como expressão do ganho de corrente a seguinte:

Como a corrente do emissor é dada como , Substituído essa expressão no


lugar de , A expressão do ganho fica:
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O ganho de corrente é representado pelo símbolo grego alfa

Assim temos

Examinando a acima, podemos ver que é sempre menor que 1. Entretanto, se a base
for muito estreita, quase toda a corrente de emissor chegará ao coletor e será muito
próximo de 1. (Mello and Biasi 1975, 109)
De acordo com (Mello and Intrator 1980, 88) Os ganhos geralmente são classificados
em dois tipos de ganhos:
 Ganho contínuo (ou DC): quando este ganho envolve variáveis contínuas;
 Ganho alternado (ou AC) do sistema: quando envolve variáveis alternadas. Este
é dado pela razão a variação da variável de saída, em torno do ponto de
operação, e a variação da variável de entrada que originou a variação na saída.
Assim notamos que o ganho de corrente definido acima é um ganho contínuo, pois este
envolve variáveis continuais.

De acordo com o autor citado acima, diz que quando a diz que quando a correntes saída
for sempre menor que a corrente de entrada, podemos prosseguir em duas formas
diferentes, primeiro, não se é obrigado a se considerar o emissor com entrada e o coletor
como saída: existem outras formas de aplicar o sinal ao transístor. Que permite a
corrente de ganho maior que um (1). A maneira mesmo que seja considerado o emissor
como entrada o coletor como saída, pode-se obter um ganho de tensão e um ganho de
potência maiores que unidade.

Considerando somente o transístor, sem levar em conta as resistências externas


colocadas no circuito-carga, resistência de polarização, resistência de proteção, as
tensões de entrada e de saída do transístor são dadas pelos produtos das correntes de
entrada e de saída, respetivamente, pelas resistências de cada uma das junções.
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Para o ganho de tensões temos:

Para determinar o ganho de potência pode-se usar umas das expressões abaixo:

Notemos que os ganhos foram calculados de maneira muito simplificada, sem levar em
conta o circuito externo do transístor, e servem apenas para dar uma ideia do
funcionamento do mesmo. Verificamos, portanto, que, embora o ganho de cor rente seja
menor que a unidade, obtemos ganhos de tensão e potência elevados, devido à
passagem da corrente de uma região de baixa resistência, a primeira junção, para uma
região de alta resistência, a segunda junção. Desse fato originou-se o nome do
dispositivo, Transistor, que provém da contração das duas palavras inglesas Transfer
Resistor, ou seja, Resistor de Transferência.
Funcionamento de transistor na configuração base comum
De acordo com (Mello and Biasi 1975) afirma que quando o sinal de entrada é aplicada
ao emissor de o transístor e o sinal de entrada é escolhido no coletor está funcionando
com base comum. A figura 1.3.6. ilustra as correntes em um circuito de base comum.
De acordo com a mesma figura, quando o transístor funciona com base comum, a
corrente de sinal ( ) é aplicada ao emissor. A corrente de saída, , atravessa o resistor
de carga, , produzindo uma queda de tensão que é a tensão de saída do amplificador

O ganho de corrente , definido como , é chamado de corrente base comum.


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Fig.1.3.6. Ligação base comum

(Mello and Biasi 1975)

Funcionamento do transístor na configuração emissor comum


Diz que um transistor esta funcionando com emissor comum quando o sinal de entrada
é aplicado à base e o sinal de saída é escolhido com o coletor. Assim quando um
transístor funciona com emissor comum a corrente de se sinal ( ) é aplicada à
base. A corrente de saída, , atravessa o resistor de carga, , produzindo um queda de
tensão que é a tensão de saída do amplificador , fig. 1.3.7.

De acordo com a expressão e , assim teremos

Então
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O ganho de emissor é definido pela letra grega beta , trata-se de uma relação entre a
corrente de coletor e a corrente de base. Dada pela seguinte expressão matemática.

Portanto, o beta de um transistor nos informa quantas vezes ele pode ampliar a corrente
seja forçada a circular pela base na configuração indicada, num circuito continua. Se
bem que num circuito de corrente alternada, à medida que a frequência aumenta a
capacidade de amplificação (e portanto o beta) diminua.

De acordo com (Mello and Biasi 1975, 112) O ganho de tensão e o ganho de potência,
que também são elevados, podem ser calculados do mesmo modo que na configuração
base comum, conhecidas as resistências de entrada e saída do transístor.
Transistores de deriva
Nos transistores de deriva a concentração de impurezas na base é muito maior em umas
das extremidades da base do que na outra.

Fig.1.3.7. Distribuição de impurezas em um transistor de deriva NPN

(Idem n.d.)
Ainda acrescenta que a variação da concentração de impureza produz uma variação
proporcional na concentração de portadores em maioria. Em consequência da variação
na concentração de portadores, existe uma corrente de difusão no interior da base.
Entretanto nas condições de equilíbrio, a corrente total na região da base deve ser zero,
de modo que surge um campo elétrico no interior da base tal que a corrente de deriva
seja igual e oposta à corrente de difusão.

No caso de um transistor NPN, a corrente de difusão na base tende a acumular buracos


nas vizinhanças da junção base-coletor, Assim, o sentido do campo elétrico deve ser tal
que a corrente de deriva dos buracos na base seja do coletor para o emissor. Ora, um
campo elétrico com esse sentido acelera os eletrões injetados pelo emissor em direção
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ao coletor. Em consequência, o tempo que os portadores injetados pelo emissor levam


para atravessar a base é muito menor nos transistores de deriva do que nos transistores
comuns, em que os portadores se movimentam apenas por difusão. Levando menos
tempo para atravessarem a base, os portadores injetados têm menos tempo para se
recombinarem com os portadores da base. O resultado é que o ganho de corrente dos
transistores de deriva é muito elevado (Mello and Biasi 1975, 113).
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Conclusão
Neste trabalho abordamos o assunto estudo do transistor, qual aprofundamos muito
mais a respeito do seu funcionamento, estrutura, polarização, ganhos e funcionamento
de configuração de base comum assim como configuração de emissor comum. Na qual
conclui-se que com a construção do primeiro transistor a tecnologia teve um grande
avanço que respeito, na construção de vários dispositivos elétrico, tais computadores,
que nos serve ate os dias de hoje. No que diz respeito ao funcionamento do transistor,
concluiu-se que o transistor só pode funcionar quando este sofrer uma polarização, seja
ela direta ou inversa.
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Referências bibliográficas
El Mundo de la Electrónica: TV, Audio Video. Espanha: Saber electronica.

Mello, Hilton A., and Edmond Intrator. Dispositivo Semicondutor:diodos, transistores,


fotossansíveis, circuitos integrados. 4ª. Rio de Janeiro: LTC, 1980.

Mello, Hilton Andrade de, and Ronaldo Sérgio Biasi. Introdução à semicondutores. São
Paulo: Edgard Blucher, 1975.

Tovar, Omar Tovar. Modulo Electrónica Análogica. Universade Nacional Abierta y a


Distancia, 2009.