Deposição Química de Vapores Chemical Vapour Deposition (CVD)

CONTRA CAPA
Sumário
Introdução ......................................................................................................... 4
Processo CVD .................................................................................................... 5
Aplicação de Processos-Obtenção de Materiais por CVD ................................. 6
Conclusão ........................................................................................................ 15
Referencias ...................................................................................................... 16
 Introdução

Deposição Química de Vapores Chemical Vapour Deposition (CVD).

Nome genérico para um conjunto de processos que envolve a deposição de um

material sólido a partir de uma fase gasosa através de uma reação química.

CVD é uma família de Técnicas- CVD, PVD, PE-CVD, MO-CVD; Química em

fase de vapor, reações na superfície do substrato, o plasma pode "melhorar" as
condições de reação é usado principalmente na indústria de semicondutores
A seguir abordaremos sobre os tipos de CVD e suas funcionalidades.
 Processo CVD

No processo gera-se camadas tipicamente de poucos μm de espessura. Apesar

de relativamente finas, estas camadas quando combinadas corretamente com o
substrato, propiciam um grande ganho de desempenho das peças revestidas.

Em princípio estes processos reproduzem o acabamento superficial do

substrato, portanto a sua aplicação pressupõe que a peça a ser revestida esteja
com dimensões e acabamento finais, sendo o revestimento a última operação
no processo de fabricação.

As camadas CVD podem ter três tipos básicos de estrutura: monolítica, com
gradiente de composição ao longo da espessura, ou na forma de camadas
sobrepostas (multicamadas). Estes três tipos também podem ser combinados.

O processo é frequentemente utilizado na indústria de semicondutores para

produzir filmes finos.

Num processo típico de CVD, a pastilha (substrato) é exposta a um ou mais

precursores de voláteis, que reagem e / ou decompõem-se na superfície do
substrato para produzir o depósito pretendido.
 Aplicações de Processos

Obtenção de Materiais por CVD

Na técnica de deposição física de vapor, o material é aquecido para produzir um

vapor, que é então introduzido através dos poros do molde e arrefecida até
solidificar.

A deposição de vapor é normalmente capaz de preparar os nanofios de menor

diâmetro (• 20 nm), o filamento quente de deposição de vapor químico. Utiliza o
metano e o gás hidrogênio como fonte e filamentos de tungstênio.

Crescimento como diamante nanocristalino de carbono amorfo e nanotubos de

carbono. Pirometro Cyclop 100 é utilizado para medir tanto o filamento e a
temperatura da amostra, a fase de aquecimento opcional programável permite
controlar temperaturas de substrato até 800 C com termopar.

A aplicação do CVD, minimiza os impactos dos processos em alta temperatura

anteriormente utilizados.

Na deposição de diamante-CVD sobre substratos tridimensionalmente porosos

de titânio ou de liga de titânio, que garantem o total recobrimento dos substratos
em suas superfícies externas e internas, por uma camada contínua de filme
diamante. O diferencial desta tecnologia está na obtenção de um dispositivo
contendo um filme de diamante-CVD também tridimensional, dotado de alta área
superficial e com controle de porosidade para incorporação de catalisadores nos
processos de modificação superficial e funcionamento dos eletrodos. Deposição
de Filmes de Diamante - CVD Uso e Aplicação Dentre as aplicações de mercado
a tecnologia propicia o desenvolvimento de experimentos eletroquímicos de
eletrossíntese, eletroanálise, capacitores eletroquímicos, baterias, células
combustíveis e sensores. Aplicação também no setor ambiental e energético
associado as tecnologias para tratamento de águas industriais, efluentes
industriais e domésticos.

Vantagens . Eletrodo de elevada durabilidade, e que pode trabalhar em

ambientes hostis ácidos e de alta temperatura; . Eletrodos candidatos para
aplicação como materiais anódicos em eletro-oxidação de orgânicos (tratamento
de água poluída, promovendo a combustão de poluentes orgânicos com alta
eficiência corrente. O principal atrativo da técnica CVD é a versatilidade. Com
ela é possível obter, de forma controlada , filmes cristalinos, policristalinos e
amorfos ,filmes de alta pureza a temperaturas relativamente baixas (~800 oC) ¤
filmes de estequiometria e estrutura variável

Mecanismo de crescimento dos filmes

Difusão gasosa vs. Reação Química : A temperatura e a pressão podem

determinar qual desses processos será o dominante (limitante) no crescimento
de filmes por CVD. Ou seja, qual dos processos será o mais lento.
Revisão de processos básicos de Microeletrônica Mecanismo de crescimento
dos filmes Efeito da pressão :

A pressão influencia o livre caminho médio das moléculas do gás no interior da

câmara de deposição

Uma partícula gasosa percorrerá um caminho médio reto, entre duas colisões
sucessiva, cerca de 1000 vezes maior nos processos LPCVD (baixa pressão)
que nos processos APECVD (alta pressão).

Efeito da temperatura

Com o aumento da temperatura aumenta a taxa de reação química. Essa

dependência é descrita pela equação de Arrehnius : r = ro . e-Ea/R.T onde : r :
Taxa de resação química ro : Constante de velocidade Ea : Energia de
Ativação R : Constante dos Gases T : Temperatura (emK)

Se a temperatura alcançar um valor tal que a taxa de reação química seja

maior do que a taxa de chegada dos gases à superfície do substrato (difusão
gasosa ou “transporte de massa”), o processo é limitado pelo transporte de
massa. • Portanto, para que ocorra o regime limitado por transporte de massa
são necessárias altas temperaturas, da ordem de 1000 oC . Na maioria dos
processos CVD essas temperaturas não são utilizadas. • Se a taxa de chegada
dos gases à superfície do substrato (difusão gasosa ou “transporte de massa”)
for maior do que taxa de reação química, o processo é limitado pela taxa de
reação química. Isto acontece para baixas pressões, portanto apenas os
reatores a pressão reduzida sofrerão efeitos da temperatura.

Atmospheric Pressure CVD (APCVD)

Em função do exposto, vemos que o crescimento de filmes em reatores

APCVD é limitado por difusão gasosa. • Assim, o fluxo dos reagentes para
todas as regiões da câmara de deposição (ou seja, para todos os substratos)
deve ser precisamente controlado. Isso torna importante a geometria do reator,
já que esta afeta o fluxo de gases no seu interior.
Crescimento Epitaxial de Si

A Epitaxia utiliza ativação térmica para promover, a partir de uma atmosfera

gasosa, o crescimento de películas finas cristalinas sobre substratos também
cristalinos. Assim, nesta técnica o substrato de Si funciona como “semente”
para o crescimento do filme cristalino. No caso do Si, são utilizados gases
como SiH4, que permitem obter películas de Si cristalino (dopado ou não) com
a mesma orientação cristalográfica da lamina de Si utilizada como substrato.
Por outro lado, os filmes de Si dopado podem ser de diferente tipo e com
diferente concentração de dopantes em relação ao substrato. As espessuras
típicas estão na faixa entre 1 um e 20 um. As películas cristalinas também
podem ser de um material diferente do substrato. Neste caso falamos em
Heteroepitaxia, na qual um fator crítico e limitante é o descasamento entre as
redes cristalinas do substrato e do filme. Por exemplo, películas cristalinas
heteroepitaxiais de Si podem ser obtidas sobre Safira (Al2O3) para produzir
substratos SOS (“silicon-on-saphira”), importantes quando se quer um
substrato isolante ou transparente. Películas epitaxias de Si também podem ser
obtidas sobre substratos amorfos, como lâminas de Si oxidadas. Neste o caso
o substrato é amorfo e a película de Si obtida é poli-cristalina.

Embora existas diferente configurações de reatores, o reator horizontal é um

dos mais utilizados:

As fontes gasosas mais utilizadas são o Silano (SiH4), dicloro silano (SiH2Cl2),
tricloro silano (SiHCl3) e principalmente o tetracloreto de Si (SiCl4).
Temperaturas típicas de deposição estão na faixa entre 1000 e 1200 oC mas é
possível trabalhar em temperaturas < 800 oC. Estas “baixas temperaturas”
estão bem abaixo do ponto de fusão do Si (1420 oC) e são um dos principais
atrativos do crescimento epitaxial. A substituição de cada átomo de H por um
de Cl na molécula de SiH4 permite reduzir a temperatura de trabalho em 50
oC.

A reação química que rege o crescimento dos filmes de Si a partir de SiCl4 é :

SiCl4 (gás) + 2H2 Si (sólido) + 4HCl (gás) (I) mas também ocorre a reação :
SiCl4 (gás) + Si (sólido) 2SiCl2 (gás) (II) que corresponde induz a corrosão do
substratode Si. Por isso o crescimento epitaxial do Si não pode ser realizado
com altas concentrações de SiCl4. Note que, a equação (I) é reversivel, e
portanto gases contendo HCl podem ser utilizados para uma limpeza inicial da
superfície do substrato de Si. Taxa típicas de crescimento estão ao redor de
0,2 e 4 um/min, dependendo dos gases e temperatura utilizados. Filmes
dopados podem ser obtidos introduzindo no reator, junto com o SiCl4, gases
contendo os elementos dopantes : ¤ Fosfina (PH3) e Arsina (AsH3) para Si
tipo-N ¤ Diborano (B2H6) para Si tipo-P tipicamente, os gases dopantes são
diluidos em H2 para melhorar o controle sobre os fluxos e a dopagem.

Mecanismo de crescimento dos filmes

O processo de crescimento dos filmes epitaxiais de Si (e em geral, de qualquer

material obtido por CVD) envolve : (1) a introdução dos gases (reagentes, de
arraste ou de diluição) na câmara de deposição (2) Difusão gasosa dos gases
na direção dos substratos (lâminas de Si) onde o material irá a ser depositado
(3) os reagentes gasosos são adsorvidos na superfície do substrato (4) os
reagentes adsorvidos se movem na superfície do substrato até sítios ativos
(note que isto depende da temperatura do substrato) (5) nos sítios ativos ocorre
a Reação Química que origina o filme e os subprodutos da reação (6) os
subprodutos da reação são desorvidos e removidos do reator

Low Pressure CVD (LPCVD)

Em reatores LPCVD o crescimento dos filmes é limitado por reação química.

Por esse motivo, a temperatura de deposição é um fator critico e deve ser
muito bem controlada. A técnica de LPCVD teve rápida aceitação devido às
seguintes vantagens :

¤ maior número de lâminas por processo ¤ menor contaminação por particulas

¤ melhor uniformidade na espessura ¤ melhor conformação dos filmes

¤ facilidade no controle da composição dos filmes depositados. Alguns dos
metariais depositados por LPCVD são Si poli.

MOCVD

Metal organic CVD

• ALUMÍNIO OBTIDO A PARTIR DA PIRÓLISE DE COMPOSTOS ORGANO-

METÁLICOS :

• TRIMETIL ALUMÍNIO (TMA), (CH3)3Al

• TRIETIL ALUMÍNIO (TEA), (C2H5)3Al

• TRI-ISOBUTIL ALUMÍNIO (TIBA), (C4H9)3Al

• HIDRETO DE DIMETIL ALUMÍNIO (DMAH), (CH3)2AlH

Filmes metálicos e condutores obtidos por CVD

A técnica CVD permite depositar filmes metálicos de : W, Be, Cu, Cd, Cr, Au,
Al, Fe, Mo, Ni, Pt, Ti.

Silicetos WF6 + 2 SiH4 → WSi2 + 6HF + H2 H2, SiH4, WF6

Alumínio 2 AlCl3 + 3H2 → 2 Al + 6HCl Ar, He, H2, N2

Tungstênio WF6 + 3H2 → W + 6 HF H2, WF6 WCl6 + 3H2 → W + 6 HCl H2,

WCl6

Cobre CuCl2 + H2 → Cu + 6 HCl H2, CuCl2

PECVD

Plasma Enhanced CVD ou CVD assistido por plasma A principal vantagem de

se acrescentar um plasma ao um processo de CVD, é a possibilidade de criar
espécies químicamente ativas, independentemente da temperatura. Isto
permite depositar filmes a temperaturas bastante baixas (inclusive próximo à
temperatura ambiente) e utilizar substrato sensíveis a altas temperaturas e/ou
incompativeis com as técnicas convencionais de CVD. Num sistema PECVD o
plasma é gerado pela aplicação de um sinal de DC, radio frequencia (RF) ou
microondas, a um gás (ou mistura de gases) em baixa pressão. Os elétrons
presentes nesse meio são acelerados pelo campo elétrico existente e
chocamse com as espécies gasosas. Dessas colisões podem resultar :
excitação das espécies : e- + A A* + e- dissociação (geração de radicais livres)
: e- + A2 → A + A + e- ionização : e- + A2 → A2 + + 2e- ionização dissociativa
: e- + A2 → A+ + A + 2e- ruptura de ligações : e- + A2 → A+ + A- + e-

PECVD : Mecanismo de crescimento

O crescimento do filme PECVD a partir do plasma reativo compreende as

seguintes etapas: Formação dos radicais no plasma. Recombinação dos
radicais (criação dos precursores). Difusão dos precursores até a superfície da
lâmina. Adsorsão e condensação das moléculas na superfície da lâmina.
Formação de ligações das moléculas adsorvidas com seus vizinhos na
superfície da lâmina. Retirada das espécies não reagidas pelo sistema de
vácuo.

Sistemas PECVD

A denominação PECVD é dada a qualquer técnica de deposição assistida por

plasma. Existem porém, diferentes variantes que se diferenciam pelo modo de
acoplamento (capacitivo ou indutivo), pressão de trabalho, frequência de
operação e densidade de íons no processo.

• Tipos de reatores PECVD :

• DC ou RF de acoplamento capacitivo

• RF acoplado Indutivamente (ICP)

• Helicon Plasma

• ECR (Electron Cyclotron Resonance)

• Very High Frequency capacitive plasma

Plasma DC ou RF acoplado capacitivamente

• Este é o sistema de deposição por plasma mais comum (é empregado desde

a década de 70). O plasma é resultado de uma descarga acoplada
capacitivamente, operando em DC ou em frequências de alguns MHz
(tipicamente 13,56 Mhz)
• Apresenta baixas taxas de ionização (109 a 1010 íons/cm3). Em pressões de
1 a 300 mTorr, apenas 3 a 10 % da potência é absorvida pelos elétrons e é
utilizada na ionização.

Temperatura típicas : < 400 oC • Pressões típicas : entre 1 mTorr e 1 Torr

PECVD

Vantagens

• Baixas temperaturas → independência do substrato

• Grandes áreas,

• Variedade de materiais que podem ser obtidos

• Excelente controle dos parâmetros de processo

Desvantagens

• Alto custo

Desvantagens

• Alto custo dos equipamentos, manutenção, dos gases

A física do plasma é complexa

PECVD

Plasma de acoplamento Indutivo (ICP)

Nestes sistemas, o plasma é gerado por um campo magnético e os íons são

acelerados na direção da amostra por campo elétrico. Maiores taxas de
ionização.Os sistemas de acoplado indutivo foram os primeiros sistema
desenvolvido e empregado em estudos de plasma. Os sistemas de ICP atuais
são um híbrido, entre um sistema acoplado indutivamente e capacitivamente.
Existem basicamente duas configurações de ICP :

Electron Cyclotron Resonance (ECR)

O sistema ECR utiliza uma fonte de microondas para geração do plasma com
frequências entre 916 MHz e 3,5 GHz, além disso, emprega também um
campo magnético estático (imãs permanentes), o que possibilita densidades de
plasma da ordem de 1011 a 1013 íons/cm3 e dirige os íons na direção da
amostra. Este sistema trabalha com pressões baixas

Helicon Plasma

Neste sistema o acoplamento é feito por uma antena de RF acoplada de modo

transverso à parede da câmara, que deve ser de material isolante. O potencial
de plasma dessas descargas é tipicamente baixo, da ordem de 15 a 20 volts,
semelhante ao ECR. Entretanto, o campo magnético é muito menor (50 a 200
G) do que os utilizados no ECR. Esses sistemas, trabalham com pressões
entre 1 e 10 mTorr e se obtêm altas taxas de ionização (1011 íons/cm3).
Conclusão
Referencias

http://www.mecanicaindustrial.com.br/756-deposicao-de-vapor-quimico/

http://revistaih.com.br/revestimentos-pvd-e-cvd/

http://www.mecanicaindustrial.com.br/756-deposicao-de-vapor-quimico/