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ELETRÔNICA ANALÓGICA

Física dos Semicondutores


NÍVEIS DE ENERGIA
LIGAÇÕES COVALENTES
CRISTAIS
Níveis de Energia
- Condutor : corrente de elétrons

- Semicondutor: corrente de lacunas e elétrons

Um elétron que vai para a banda de condução, gera uma lacuna na


banda de valência.

RECOMBINAÇÃO

A recombinação ocorre quando um elétron da banda de condução


retorna para a banda de valência e preenche uma lacuna.

DOPAGEM
- Estrutura formada por um cristal >> semicondutor intrínseco

- Após dopagem >> semicondutor extrínseco – 1 ppm


DOPAGEM
Dopagem tipo P
Adição de átomo TRIVALENTE a uma estrutura cristalina
(aumenta
lacunas na banda de valência). Alumínio, Boro, Gálio.
Portadores majoritários são lacunas

Dopagem tipo N
Adição de átomo PENTAVALENTE a uma estrutura cristalina
aumenta elétrons na banda de condução). Fósforo, Antimônio,
Arsênio.
Portadores majoritários são elétrons
Resistência de corpo – característica intrínseca de um
semicondutor dopado.
Depende do nível de dopagem.
JUNÇÃO PN
Criação da camada ou zona de depleção

Tipo P – falta Tipo N - sobra


JUNÇÃO PN
Criação da camada ou zona de depleção
Polarização
Polarização Direta
Quando a tensão da fonte ultrapassa a barreira de
potencial a região de depleção é reduzida. Repulsão dos
pólos até eliminação da barreira de potencial.
Polarização
Polarização Reversa
Região de depleção aumenta à medida que a tensão
reversa cresce. Elétrons são atraídos pelo pólo positivo da
fonte e lacunas pelo pólo negativo.
Polarização
Tensão de Ruptura

Máxima tensão reversa suportada pelo diodo.

Avalanche

Ocorre quando é atingida a máxima tensão reversa,


desalojando elétrons livres , danificando a junção por
excesso de potência.
Polarização
Gráfico do diodo

Regiões de Operação
do diodo.
DIODOS
Classes de Diodos

Diodos de Sinais – potência até 1/2W – Mais


velocidade
Diodos de Potência – mais potência e menor
velocidade

Ex.: 1N4148 – 0,5W – 250 MHz


1N4007 – 1W – 120Hz

Outros diodos:
Diodo Zener - Foto-diodo - Diodo Schottky - Tunel
Varactor - Shockley
DIODOS
DIODOS

SÍMBOLO
DIODOS
Diodos série 1N4000

PIV - Tensão Inversa de Pico máxima


Vef - Tensão máxima em retificador de ½ onda
APROXIMAÇÕES

Primeira aproximação
O diodo é considerado ideal – Chave

Segunda aproximação
Considera-se a barreira de potencial (0,6V; 0,7V).
Mais utilizada.

Terceira aproximação
Considera-se a barreira de potencial e a resistência de
corpo.
Exercícios
1 – O que são Semicondutores?
Substância com resistividade entre a de um condutor e a de um isolante, e
que pode variar segundo as condições físicas a que está submetida . A
condução ocorre pelo movimento dos portadores de carga: elétrons ou
lacunas.

2 - Como é formado o cristal do tipo N.


Pela adição de materiais pentavalentes (cinco elétrons na última camada) a
um cristal puro, tornando-o um material doador, fazendo com que haja um
aumento de elétrons na banda de condução. Exemplo: Fósforo, Antimônio,
Arsênio.

3 - Como é formado o cristal do tipo P.

Pela adição de materiais trivalentes (três elétrons na última camada) a cristal


puro, tornando-o um material receptor, fazendo com haja um aumento de
lacunas na banda de valência. Exemplo: Alumínio, Boro, Gálio.
Exercícios
4 – Em que tipo de semicondutor as lacunas são portadores
minoritários?
a) Cristal Puro
b) Intrínseco
c) Tipo P
d) Tipo N.

5 - Quantos elétrons livres existem num semicondutor tipo P ?

a) Muitos
b) Nenhum
c) Apenas aqueles produzidos pela energia térmica
d) O mesmo número de lacunas.

6 - Qual dos seguintes itens descreve um semicondutor do tipo N ?

a) Neutro
b) Carregado positivamente
c) Carregado negativamente
d) Possui muitas lacunas.
Exercícios

7 – Qual dos itens seguintes é a causa da camada de depleção ?

a) Dopagem;
b) Recombinação;
c) Barreira de potencial;
d) Íons.

8 - Em um diodo de silício, a corrente reversa é geralmente

a) Muito pequena;
b) Muito alta;
c) Zero;
d) Na região de ruptura
Exercícios
09 – Classifique cada um dos elementos a seguir como C para condutor
eS
para semicondutor
Germânio ( )
Prata ( )
Silício ( )
Ouro. ( )

10 - Classifique cada um dos semicondutores como tipo P ou tipo N


( ) Dopado com átomos receptores
( ) Cristal com impurezas pentavalentes
( ) Os portadores majoritários são as lacunas
( ) Átomos doadores foram adicionados ao cristal
( ) Os portadores majoritários são os elétrons livres

11 – Quando a tensão reversa aumenta de 5 para 10 V, a camada de


depleção Torna-se menor
Torna-se maior
Não é afetada
Atinge a ruptura
Exercícios
12 – Quando a corrente num diodo é alta, sua polarização é:
a) Direta;
b) Inversa;
c) Fraca;
d) Reversa.

13 - Quando o gráfico da corrente versus tensão é uma linha reta, o


dispositivo é chamado de:
a) Ativo b) Linear c) Não linear d) Passivo

14 – O resistor é um dispositivo
a) Unilateral b)Linear c)Não linear d)Bipolar

15 - O diodo é um dispositivo

a) Bilateral b)Linear c)Não linear d)Unipolar


Exercícios
16– À polarização de um diodo em corte (bloqueado), chamamos de
a)Direta b)Inversa c)Fraca d) Forte

17 – A tensão de joelho de um diodo diretamente polarizado é,


aproximadamente, igual à:

Tensão aplicada
Barreira de potencial
Tensão de ruptura
Tensão direta

18 - Na segunda aproximação a tensão existente num diodo de silício,


quando ele está reversamente polarizado, é de aproximadamente
a) 0V b) Vcc c) 0,7V d)1V
Exercícios
19– Quando reversamente polarizado, a corrente em um diodo de
silício,
na a)
segunda
0A aproximação
b) 1mA éc)
de300mA d) nenhum desses

20 - Na aproximação do diodo ideal, a tensão sobre ele, em condução, é


dea) 0,6V b) 0,3V c) 0,7V d) 0V

21 – A corrente na carga da figura 1, com um diodo ideal, é de

a)0A b) 14,3 mA c) 15mA d) 50mA

22 - Se o diodo do circuito da FIGURA 1 estiver aberto, a tensão sobre


carga será: b) 14,3V
a) 0V c) 20Vd) -15V
Exercícios
23– Considerando a 2ª aproximação, a tensão sobre o resistor do
circuito da FIGURA 1 é de
a) 0V b) 14,3V c) 20V; d) -15V
24 - Se no circuito da FIGURA 1, a tensão medida na carga for 0 V, o
problema deve ser
a) Diodo em curto
b) Diodo aberto
c) O resistor de carga aberto
d) Tensão de alimentação muito alta
25 – Um diodo tem um tensão de 0,65 V e uma corrente de 50 mA. A
potência no diodo é de
a) 320 mW b) 32,5 mW c) 65 mW d) 50 mW
26 - Dois diodos estão em série. No primeiro a tensão é de 0,75 V e no
segundo de 0,8 V. Se a corrente no primeiro diodo for de 500 mA, a
corrente no segundo diodo será de
a) 0,8 mA b) 0,75 mA c) 500 mA d) 1 A
Exercícios
27 – No circuito abaixo, considerando a 2ª aproximação, a corrente na
carga, a tensão na carga, a potência na carga, a potência no diodo e a
potência total, são respectivamente de.

IL= 41 mA VL= 19,3V PL= 791 mW PD = 28,7 mW PT= 819 mW

28 - Se o valor do resistor no circuito anterior for dobrado, a corrente


na carga será de...
IL = 20,5 mA

29 - Se a polaridade do diodo, da questão 28, for invertida a corrente


e a tensão no diodo serão respectivamente de
0A e 20V
Exercícios
30 – Calcule a corrente considerando a 2ª aproximação, sendo o diodo
de
silício com barreira de potencial de 0,6V.

I = 0,94 A ewb.retificador1

31 – Calcule a corrente considerando a 2ª aproximação. Diodo de


silício.

I = 0,86A ewb.retificador2
Exercícios
32 – Calcule o valor de R para uma corrente de 25 mA, considerando a
2ª aproximação e diodos de silício.
ewb.retificador3

R = 344Ω ewb.retificador4

33 – O diodo tem uma resistência de corpo de 1,4Ω e barreira de


potencial de 0,61V. Calcule:

a) a tensão sobre R2
b) a corrente total
c) a corrente no diodo
d) a potência no diodo
a) 0,61V b) It = 0,497A c) Id = 0,435A d) 0,2W
Exercícios
34 – Considere a 2ª aproximação e barreira de potencial de 0,6V.
Todas
as lâmpadas são de 22V/10W. Determine:

a) quais lâmpadas estarão acesas


b) a corrente que circula sobre elas

a) L2 e L3

b) 0,458 A ewb.retificador5

eng2017-eletronica-roteiro praticas
Limita tensões abaixo ou acima de um determinado nível
Limitador positivo (+)
Também chamado Ceifador – Limita partes positivas

elet_analogica-ewb-lim_pos
- Limitador negativo (-)
Limita partes negativas

- Em ambos a relação R, RL deve ser maior que 100.


Uma tensão contínua é colocada em série com o diodo.
Uma tensão contínua é somada ao sinal de entrada.
- Invertendo o diodo tem-se um grampeador negativo.

Associação em cascata de grampeador e um retificador de pico


- A constante RLC deve ser muito maior que o período do sinal .

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