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Toda electrónica moderna se baseia nos materiais semicondutores. São suas propriedades que
permitem a fabricação dos principais componentes modernos, dos mais simples como Díodos e
transístores, até os mais complexos como os circuitos integrados comuns, microprocessadores,
microcontroladores e muito mais.
Neste trabalho escolar vamos estudar estes materiais, suas propriedades eléctricas e como eles
podem ser usados em electrónica.
ESTRUTURA E PROPRIEDADES DE MATERIAIS SEMICONDUTORES
O elétron livre possibilita um grande aumento na condução e, como o elétron é uma carga
negativa, esse material é conhecido como semicondutor tipo N.
Se ao silício for acrescentada uma impureza trivalente, um elemento com três elétrons na
sua última órbita, surge um vazio ou lacuna na estrutura cristalina, que pode receber um elétron.
Esse vazio pode ser considerado uma carga positiva, conhecida como lacuna, e possibilita um
grande aumento na condução; esse material dopado é conhecido como semicondutor tipo P.
DIODO
Figura 1 Figura 2
Devido a repulsão mútua os elétrons livres do lado n espalham-se em todas direções, alguns
atravessam a junção e se combinam com as lacunas. Quando isto ocorre, a lacuna desaparece e o
átomo associado torna-se carregado negativamente. (um íon negativo)
Figura 3
Cada vez que um elétron atravessa a junção ele cria um par de íons. Os ions estão fixo na estrutura
do cristal por causa da ligação covalente. À medida que o número de ions aumenta, a região
próxima à junção fica sem elétrons livres e lacunas. Chamamos esta região de camada de depleção.
Além de certo ponto, a camada de depleção age como uma barreira impedindo a continuação da
difusão dos elétrons livres. A intensidade da camada de depleção aumenta com cada elétron que
atravessa a junção até que se atinja um equilíbrio. A diferença de potencial através da camada de
depleção é chamada de barreira de potencial. A 25º, esta barreira é de 0,7V para o silício e 0,3V
para o germânio.
Figura 4
ELETRÓNICA DE POTÊNCIA
A transferência de potência eléctrica de uma fonte para uma carga pode ser controlada pela
variação da tensão de alimentação (com o uso de um transformador variável) ou pela
inserção de um regulador (como uma chave). Os dispositivos semicondutores utilizados como
chaves têm a vantagem do porte pequeno, do custo baixo, da eficiência e da utilização para o
controle automático da potência.
• Controladores industriais
• Controle de luminosidade
• Fontes de alimentação
1. Díodos;
2. Transistores bipolares de junção (BJTs);
3. Transístores de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFETs);
4. Transístores bipolares de porta isolada (IGBTs);
5. Rectificadores controlados de silício (SCRs);
6. Triacs;
DIODOS DE POTÊNCIA
As altas temperaturas resultantes do fluxo denso de corrente exigem, na maioria dos casos,
que sejam utilizados dissipadores de calor para escoar o calor do elemento.
O Díodo mostrado abaixo é formado pela junção dos materiais dos tipos N e P. Desta forma,
só há passagem de corrente eléctrica quando for imposto um potencial maior no lado P do que no
lado N. Devido a uma barreira de potencial formada nesta junção (VY), é necessária uma d.d.p com
valor acima de 0,6V (em Díodos de sinal) para que haja a condução. Em Díodos de potência, esta
tensão necessária gira em torno de 1 a 2V.
Na figura 06 vemos o aspecto físico de um Díodo de potência caracterizado pelo ânodo rosqueado.
Fig 05 Fig 06
PRINCIPAIS VALORES NOMINAIS PARA OS DIODOS
O valor nominal da tensão de pico inversa (peak inverse voltage – PIV) é a tensão
inversa máxima que pode ser ligada nos terminais do Díodo sem ruptura, são também chamados de
tensão de pico reversa (PRV) ou tensão de ruptura (VBR), isto acontece quando polarizamos e Díodo
reversamente. Se for excedido a PIV nominal, o Díodo começa a conduzir na direcção inversa e
pode ser danificado no mesmo instante. Os valores nominais da PIV são de dezenas a milhares de
volts, dependendo do tipo do Díodo.
A corrente directa média máxima é a corrente máxima que um Díodo pode aguentar com
segurança quando estiver directamente polarizado. Os Díodos de potência estão disponíveis com
valores nominais que vão desde alguns poucos a centenas de amperes.
Os Díodos de recuperação rápida são utilizados em aplicações de alta frequência, tais como
inversores, choppers e nobreaks. A figura abaixo mostra um caso onde o Díodo conduzia a corrente
direta (IF) e que, depois de desligado, existe um tempo em que a corrente flui no sentido inverso
(IRR).
Fig 07
TEMPERATURA MÁXIMA DA JUNÇÃO
Este parâmetro define a temperatura máxima que o Díodo pode suportar, na junção, sem
apresentar defeito. As temperaturas nominais de Díodos de silício estão normalmente na faixa de -
40ºC a +200ºC. A operação em temperaturas mais baixas costuma resultar em um desempenho
melhor. Os Díodos são em geral montados em dispositivos dissipadores de calor para que haja
melhora nas condições nominais de temperatura.
O valor nominal da corrente directa máxima de surto é a corrente máxima que o Díodo pode
suportar durante um transitório fortuito ou diante de um defeito no circuito.
Fig 08 Fig 09
- NPN ou PNP: IE = IC + IB
e) tensão de bloqueio reverso entre colector e emissor em torno de 20V, de modo que o
impede de trabalhar em AC.
O MOSFET é bem mais rápido nas comutações que o TJB, entretanto fornece mais
perdas de condução na saturação. O MOSFET infelizmente sozinho não consegue bloquear
uma tensão reversa entre dreno e fonte. Isto Se deve a um Díodo acoplado internamente a
sua estrutura em antiparalelo. Este Díodo é chamado de Díodo de corpo e serve para permitir um
caminho de retorno para a corrente para a maioria das aplicações de chaveamento. Este Díodo é
visto na figura:
IGBT
DEFINIÇÃO E BREVE HISTÓRIA
O nome IGBT, é uma sigla de origem na Língua Inglesa e significa Insulated Gate Bipolar
Transistor ou, em Português Transístor Bipolar de Porta Isolada. O IGBT é um semicondutor de
potência que alia as características de chaveamento dos transístores bipolares com a alta
impedância dos MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente. O
IGBT destaca-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento.
O IGBT é uma invenção recente. A primeira geração de dispositivos desse tipo na década de
1980 e início dos anos 90 possuíam chaveamento relativamente lento e seu desligamento (corte na
condução) não ocorria enquanto existisse corrente fluindo (característica conhecida na língua
inglesa como latchup). A segunda geração de IGBT apresentava melhoria e atualmente, os
dispositivos de terceira geração são muito melhores com velocidade de chaveamento equiparada à
dos MOSFETs além de excelente tolerância à sobrecarga e durabilidade.[1]
Basicamente, o IGBT pode ser analisado também como um mosfet acionando um transistor
bipolar. Este arranjo apresenta um tiristor parasita, que normalmente é ignorado devido ao avanço
tecnológico realizado na construção do componente, que não apresenta mais este inconveniente.
APLICAÇÃO
O DIAC, ou Díodo for Alternating Current, é um gatilho bidireccional, ou Díodo que conduz
corrente apenas após a tensão de disparo ser atingida, e para de conduzir quando a corrente
eléctrica cai abaixo de um valor característico, chamada de corrente de corte. Este comportamento
é o mesmo nas duas direcções de condução de corrente.
A tensão de disparo é por volta dos 30 volts para a maioria destes dispositivos. Este
comportamento é de certa forma similar, porém mais precisamente controlado e ocorrendo em
menor valor, ao comportamento de uma lâmpada de néon.
FUNCIONAMENTO
Para voltar ao estado de bloqueio, a tensão sobre o componente deve ser reduzida para um valor
menor que a VR. Alternativamente, pode-se interromper a condução de um DIAC, ao se reduzir a
corrente para um valor abaixo do valor da de manutenção, conforme característica de cada
componente.
O DIAC conduz quando a tensão em seus terminais excede o valor da avalanche directa em
qualquer sentido, após o disparo o dispositivo conduz e a tensão passa de um valor de disparo para
um valor inferior (VH), onde se mantém enquanto o DIAC conduz. Uma vez conduzindo a única
forma de abri-lo é por meio de um desligamento por baixa corrente, ou seja, reduzindo a corrente
abaixo de um valor especificado para o dispositivo.
- Curva característica
- Funcionamento
- Os TRIACs assim como os SCRs, não são construídos para operar com tensão de avalanche directa,
são projectados para fechar por meio de disparo e abrir por meio de baixa corrente. Porém, exibe
as mesmas características de corrente e tensão nas duas direcções. O dispositivo é activado quando
submetido a uma corrente de gate suficientemente alta e é desactivado pela simples redução de
sua corrente anódica abaixo do valor de manutenção (IH).
Definição e características
Tiristor que actua com um único sentido de condução da corrente elétrica (unidirecional).
Caracteriza-se pela comutação entre dois estados o estado de condução ou o estado de corte ou
bloqueio. A corrente aplicada nos seus terminais pode se proveniente de uma fonte CC ou CA. A sua
estrutura básica parte de quatro camadas semicondutoras, sendo duas de material semicondutor
tipo "P" e duas de semicondutor tipo "N", conforme mostra a estrutura abaixo.
Figura 15
- Funcionamento –
Os SCR não são construídos para operar com tensão de avalanche directa, são projectados
para fechar por meio de disparo e abrir por meio de baixa corrente. Em outras palavras, Um SCR
permanece aberto até que um disparo accione sua porta (gate). Então o SCR trava e permanece
fechado (conduzindo) mesmo que o disparo desapareça.
A única forma de abrir um SCR é por meio de um destravamento por baixa corrente. Na
prática é feito desligando-se a alimentação entre o ânodo ou fazendo-se com que esta tensão
resulte a um valor menor que o necessário para proporcionar a existência da corrente mínima de
manutenção por exemplo um SCR TIC 106D tem uma corrente de manutenção (IH) de 8mA, abaixo
desse valor ele subitamente deixará de conduzir e irá tornar-se um circuito aberto, mesmo que a
tensão entre o ânodo e catado seja restabelecida. Só irá conduzir novamente se houver um novo
disparo.
A curva característica do SCR exibe no primeiro quadrante alguns valores para a tensão
anodo/catodo (Va-k) e respectivas correntes de gate (Ig) em polarização direta. No terceiro
quadrante exibe a curva de corrente na polarização de tensão reversa máxima (Vr máx).
1. A capacitância da junção por efeito da corrente capacitiva pode provocar disparo indesejado.
2. Tensão elevada entre o ânodo e o cátodo, mesmo com Ig=0 pode provocar disparo indesejado.
3. Métodos para evitar disparos indesejado - Dois métodos se destacam para evitar disparos
indesejado no SCR, são eles o resistor de gate, conectado entre o gate e o cátodo para desviar parte
da corrente capacitiva e o snubber que amortece as variações bruscas de tensão entre ânodo e
cátodo.
INTRODUÇÃO
ELETRÓNICA DE POTÊNCIA
OS DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA
APLICAÇÕES DE ELETRÓNICA DE POTÊNCIA
CHAVES OU INTERRUPTORES SEMICONDUTORAS DE POTÊNCIA
DIODOS DE POTÊNCIA
PRINCIPAIS VALORES NOMINAIS PARA OS DIODOS
TENSÃO DE PICO INVERSA (PIV)
CORRENTE DIRETA MÉDIA MÁXIMA
TEMPO DE RECUPERAÇÃO REVERSO (TRR)
TEMPERATURA MÁXIMA DA JUNÇÃO
CORRENTE MÁXIMA DE SURTO
IGBT
DEFINIÇÃO E BREVE HISTÓRIA
COMPARAÇÃO ENTRE IGBT E MOSFET DE POTÊNCIA