Imperfeições em Sólidos

Introdução

Até agora tratamos as estruturas como um idealizado

empilhamento de átomos perfeitamente ordenados. Entretanto, a
maioria das estruturas reais têm vários defeitos ou imperfeições e
isso ocasiona uma sensível mudança em suas propriedades.
Os defeitos estruturais são classificados segundo seu
tamanho ou geometria.
São eles: Pontuais, em linha ou em plano.

Defeitos pontuais: Constituem o mais simples dos defeitos.

Nesta categoria encontramos as VACÂNCIAS (sítio vacante de
rede) e os átomos INSTERSTICIAIS.
INSTERSTICIAIS

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As VACÂNCIAS são formadas durante a solidificação ou

pela vibração atômica que causam um deslocamento dos
átomos de suas posições originais.

Os defeitos INSTERSTICIAIS são formados quando um

átomo ocupa uma posição intersticial ou seja espaço vazio
presente na rede que normalmente não contem átomo algum.

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Átomo
intersticial Vacância

Sua concentração
Gera alta distorção depende e aumenta
na rede pois os átomos com a temperatura.
são muito grandes
para caberem nas posições
instersticiais  Q 
N v = N exp − v 
 kT 

Pouco provável sua N= no total de Qv= Energia necessária

ocorrência em metais sítios atômicos para formar uma vacância

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Impurezas em Sólidos

Um metal puro, constituído de apenas um tipo de átomo, é, na

prática, inexistente. As impurezas, por menor quantidade que possa
estar presente, sempre existirá. As mais sofisticadas técnicas de
refinamento de metais não obtém purezas maiores que 99,9999 %.
ពNesta ordem, de 1022 a 1023 átomos de impurezas devem
estar presentes em 1 m3 de material.
ព A maioria dos metais conhecidos encontra-se na forma de
liga .

A inserção de impurezas em um material resulta em uma solução sólida

ou resultará na formação de uma segunda fase: Depende da constante
de solubilidade da impureza (soluto) na matriz (solvente).
Solução Sólida: À medida em que a impureza é acrescentada à matriz,
não ocorre a mudança na estrutura original desta.
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 Substitucional Impureza substitui
Existem dois tipos de um átomo da rede
defeitos pontuais:
Intersticial Impureza ocupa
uma posição vazia
da rede.

Substitucional: Regras de ocorrência

•Compatibilidade de tamanho atômico

(Diferença entre raios: 15% máximo).
•Eletronegatividade: A diferença de
eletronegatividade favorece a substituição.

•Valência: Um metal terá maior tendência

em dissolver outro que tiver maior valência
do que um de menor valência.

Ex:
O carbono forma uma solução sólida instersticial quando
adicionado ao ferro.
Limite de solubilidade ??? 2%

A nomenclatura utilizada para definir estes

DEFEITOS LINEARES:
defeitos é DISCORDÂNCIA.
DISCORDÂNCIA

A DISCORDÂNCIA EM
LINHA, ocorre quando um
plano de átomos é inserido na
estrutura da matriz, gerando
uma certa distorção loca da ⊥
rede.

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 A DISCORDÂNCIA EM HÉLICE (discordância
helicoidal), ocorre quando uma tensão de
cisalhamento produz uma distorção do plano de
átomos.

A magnitude e a direção da distorção da rede associada

com esta distorção é expressa em termos de um vetor : o
VETOR DE BURGERS.
BURGERS.

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DEFEITOS EM PLANO (DEFEITOS INTERFACIAIS): São

contornos que têm duas dimensões e normalmente separam regiões dos
materiais que têm diferentes direções ou estruturas cristalinas.

Ex: Contorno de grão, Contorno de fases, Superfícies externas.

Contorno de grão é o mais comum e mais

importante dentre os tipo de defeitos interfaciais.

São regiões de desalinhamento atômico (mismatch) e têm grande

energia. Por essa razão, é comum encontrarmos segregação de fases
ou impurezas nestas regiões.

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 Caracterização Microscópica

A caracterização microscópica permite examinar a estrutura de

defeitos presentes em um material, e conseqüentemente, permite prever
propriedades decorrentes dos defeitos encontrados.

Este tipo de caracterização é realizado utilizando-se um

microscópio óptico ( até 2500 x) ou eletrônico (até 200 000 x).

O microscópio eletrônico pode ser de transmissão (TEM) ou de

varredura (SEM).

Além da forma e do tamanho de grão podem ser observadas a

presença de fases secundárias e sua distribuição no material
policristalino.
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Implicações da Teoria Vista

Os circuito integrados dos componentes microeletrônicos,

encontrados em nossas calculadoras, computadores, têm pequenas ឡ
quantidades de impurezas que conferem a estes materiais
propriedades semicondutoras (serão vistas, posteriormente, em
Prop. Elétricas dos Materiais)
O conhecimento da presença e da localização das discordâncias,
ឡ
permite prever a deformação plástica, resistência a tração e planos
de deformação.
A presença de impurezas em metais pode aumentar sua
ឡ
resistência mecânica como resultado da interação entre os átomos
de impureza e as discordâncias.

A presença de contornos de grãos podem afetar propriedades ឡ

como a transparência.
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A Sinterização de materiais (transporte de massa) é alterado pela ឡ

presença de vacâncias ou impurezas.

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