Estado Maior General

Instituto Superior Técnico Militar

Departamento de electrotecnia

2º Projecto de curso

TEMA: Detector de simples banda lateral

Autor: Cadete Emanuel F. Chimuando

Tutor: Dr. C. Leonel Perez Escalona.

Departamento de electrotecnia

APROVADO: Cor José João Neto

PROJECTO DE CURSO II

NOME DO ALUNO: Cadete Emanuel F. Chimuando

TEMA: Detector de simples banda lateral (SSB)

PRAZO DE APRESENTAÇÃO: 14/08/15

________________________________

O orientador
 Dedicatória

Quero dedicar este projecto a todos aqueles que sempre acreditaram em mim que ajudaram-
me de forma directa ou indirecta durante este processo de formação, e em memória a meu irmão
Paciência Bento Chimuando. Que Deus vos proteja onde quer que estejais.

Inesquecivelmente, aos meus pais Bento Chimuando e Joana Francisco, aos meus irmãos
Florencia Chimuando, Florentina Chimuando, Mbombo Alves, Eduardo Joaquim, Francisco
Chimuando, Osvaldina Chimuando e Jeovania Chimuando; e a todos meus familiares e amigos.

Agradecimento

Em primeiro lugar agradecer ao altíssimo criador do universo, pela protecção e conforto, por
proporcionar-me saúde, sabedoria e forças para me manter sempre firme durante esse percurso que
muito longo.

Ao meu pai que incansável e incondicionalmente me tem dado apoio moral e psicológico.
Aos meus professores, que mesmo distantes de suas famílias, me têm transmitido conhecimentos
dia após dia, em especial a meu tutor Dr.C Leonel Escalona, pela inspiração, auxilio, paciência e
confiança depositada em mim mesmo com as grandes dificuldades que tinha no princípio da
pesquisa deste trabalho.

Aos meus amigos e colegas de curso e não só que em conjunto passamos por muitas
vicissitudes até a concretização deste projecto.

E a todos que contribuíram para que este projecto se tornasse uma realidade. Os meus
profundos agradecimentos.

1
Índice

Lista de figuras---------------------------------------------------------------------------------------------4

Lista de abreviaturas-------------------------------------------------------------------------------------6

Resumo-----------------------------------------------------------------------------------------------------6

Introdução-------------------------------------------------------------------------------------------------7

Capítulo-1 Generalidades dos detectores de AM---------------------------------------------------9

1.1 Detector por díodo----------------------------------------------------------------------------------9

1.2 Detector por rejilla ---------------------------------------------------------------------------------13
1.3 Detector por placa e detector por colector ------------------------------------------------------15
1.4 Detector regenerativo-----------------------------------------------------------------------------16
1.5 Detector de frequência-----------------------------------------------------------------------------18

1.6 Detector de pendente-----------------------------------------------------------------------------18

1.6.1 Circuito discriminador-------------------------------------------------------------------------18

1.6.2 Discriminador Foster-seely--------------------------------------------------------------------20

1.6.3 Discriminador de razão--------------------------------------------------------------------------21

1.7 Detector para sistemas de portadora suprimida----------------------------------------------22

Conclusão do capitulo I-------------------------------------------------------------------------------25

Capítulo-2 Detector de SSB (Detector de produto) -----------------------------------------------25

2.1 Misturadores-----------------------------------------------------------------------------------------26

2.1.1 Comportamento I/V não linear------------------------------------------------------------------26

2.1.2 Chaveamento do sinal de entrada-------------------------------------------------------------27

2.1.3 Estruturas balanceadas-------------------------------------------------------------------------27

2.2 Circuito integrado Motorola MC1496------------------------------------------------------------30

2.2.1 Discrição geral do MC1496--------------------------------------------------------------------31

2.2.2 Modo de operação do dispositivo MC1496--------------------------------------------------32

2.2.3 Circuito de polarização de CD-----------------------------------------------------------------35

2.2.4 Circuito do detector de SSB---------------------------------------------------------------------37

2
2.2.5 Osciladores a cristal de quartzo com elevada estabilidade---------------------------------38

2.2.5.1 Características do cristal-----------------------------------------------------------------------38

2.2.5.2 Características dos restantes elementos----------------------------------------------------40

2.2.5.3 Características do oscilador a cristal----------------------------------------------------------40

2.2.5.4 Configurações usuais--------------------------------------------------------------------------40

2.2.5.5 Técnica para projectar e analisar o oscilador a cristal-----------------------------------41

2.2.5.5.1 Considerações inicias----------------------------------------------------------------------41

2.2.5.5.2 Dimensionamento--------------------------------------------------------------------------42

2.2.5.6 Osciladores realizados------------------------------------------------------------------------44

Vantagens e desvantagens dos detectores de SSB com o MC1496-----------------------------46

Conclusão do capitulo II-------------------------------------------------------------------------------46

Conclusão geral------------------------------------------------------------------------------------------46

Recomendações------------------------------------------------------------------------------------------46

Referencias bibliográficas------------------------------------------------------------------------------47

Anexo 1: Análise AC e DC-----------------------------------------------------------------------------48

Anexos 2: Data sheet do Mc1496--------------------------------------------------------------------51

3
Lista de figuras

Figura 1-------------------------------------------------------- a) Detector por díodo; b) Corrente do

díodo com respeito ao sinal de entrada

Figura 2---------------------------------------------------: a) Detector por díodo simplificado; b)

Forma do sinal a entrada; c) Forma do sinal de saída

Figura 3------------------------------------------------------- Detector por díodo simplificado com o

acoplamento resistência capacitância

Figura 4----------------------------------------------- Característica funcional do detector por díodo

Figura 5---------------------------------------------------------Detector por resistência de rejilla

Figura 6----------------------------------- Formas de ondas do detector por resistência de rejilla..

Figura 7----------------------------------------------------------------------- Detector por colector

Figura 8-----------------------------------------------------------------------------Detector regenerativo

Figura 9---------------------------------------------- circuito Discriminador e seu diagrama fasorial

Figura 10--------------------------------------------------- Discriminador de FOSTER-SEELY

Figura 11--------------------------------------------------------Distribuição espectral do sinal

Figura 12----------------------------------------------------------- Chaveamento do sinal de RF

Figura 13-------------------------------------------------------- Diagrama em blocos do misturador

de um único elemento (a), com balanço simples (b) e com balanço duplo (c

Figura 14-------------------------------------------------------- Misturador a célula de Gilbert a FET

Figura 15----------------------------------------Diagrama funcional do demodulador de SSB

Figura 16----------------------------------------------------Descrição dos pines do CI MC1496

Figura 17--------------------------------------------------------Diagrama eléctrico do MC1496

Figura 18---------------------------------------------------------Circuito do detector de produto

Figura 19-----------------------------------------Modelo eléctrico de um modo de ressonância do cristal

Figura 20--------------------------------------------------------Modelo eléctrico generalizado do cristal.

Figura 21------------------------------------------------------Reactância do cristal versus frequência.

Figura 22----------------------------------Osciladores do modo paralelo: Colpits, Pierce e Clapp.

4
Figura 23-----------Osciladores do modo série: Impedance Inverting Pierce e Grounded Base.

Figura 24---------------------------------------------Modelo para grande sinal do transístor bipolar

Figura 25----------------------------------------------------- Curva de Gm(x)/gm em função de x.

Figura 26-------------------------------------------------------------------------------Oscilador de 1 MHz.

Figura 27-----------------------------------------------------------------------------------Oscilador de 10 MHz.

Figura 28------------------------------------------------------------------------ Oscilador de 100 MHz.

Lista de abreviaturas

RF---------------------------------------------------------------------------------------Radiofrequência.

C.C------------------------------------------------------------------------------------------Curto Circuito

C.A-----------------------------------------------------------------------------------------Circuito aberto

C.D--------------------------------------------------------------------------------------Corrente directa

AM-----------------------------------------------------------------------------------Amplitude modulado

CMG--------------------------------------------------------------------------Controle manual de ganho

CAG----------------------------------------------------------------------Controle automático de ganho

DSB-FC-------------------------------------------Modulação de dupla banda lateral com portadora

DSB-SC--------------------------------------------Modulação de dupla banda lateral sem portadora

FAA------------------------------------------------------------------------Forças Armadas Angolanas

AM-SSB---------------------------------------Modulação de amplitude em simples banda lateral

m ---------------------------------------------------------------------------------- Índice de modulação

FPF-------------------------------------------------------------------------------------Filtro passa faixa

FPB------------------------------------------------------------------------------------Filtro passa banda

OL-----------------------------------------------------------------------------------------Oscilador local

HF----------------------------------------------------------------------------------------Alta frequência

FM---------------------------------------------------------------------------------Frequência modulada

5
Resumo

Naturalmente, o uso de modulação na emissão de sinal de SSB, obriga a que o receptor, seja
capaz de reconstruir a sinal de informação, a partir do sinal de RF mediante um demodulador.
Por tanto, todo receptor de SSB, necessitará de um sistema de demodulação ou detecção de
SSB.

Este projecto tem como finalidade, fundamentar as características e trabalho de um detector

AM de simples banda lateral (SSB), para contribuir para um emprego mais adequado das
comunicações de ondas curtas nas Forças Armadas Angolanas. Este projecto será dedicado na
análise do processo de demodulação de sinais modulados de amplitude em simples banda
lateral (AM-SSB). O misturador, modulador e demodulador MC1496 possui consideráveis
vantagens e se empregam amplamente em várias bandas de frequências. É a razão deste
projecto basear-se neste dispositivo como detector de SSB.

6
Introdução

Os diferentes sistemas estudados para a transmissão de informação, eles têm por objectivo
facilitar o avanço do sinal levando-as para gamas de RF, mas uma vez chegada o sinal para o
receptor se faz necessário levar a informação à gama original de frequências para poder ser
entendido. Se se trata de uma informação sonora deve ser levada ao intervalo de áudio e
tratamento similares devem receber as diferentes classes de informação.

Este processo acima mencionado se efectua no receptor e recebe o nome de demodulação ou

detecção. O objectivo proposto para este trabelho é estudar os processos de detecção de um
detector de produto para sinais de AM-SSB.

No início da investigação foi determinado a seguinte situação problemática:

 Pouca estabilidade na transmissão de HF nas unidades das FAA.

 Pouco conhecimento das vantagens da transmissão e recepção do senal em
SSB.
 Necessidade de estabilidade de frequência, na recuperação de frequência da
portadora nos receptores de SSB.
 A documentação sobre o objecto de investigação que existe nas FAA é muito
dispersa.
 Pouca documentação sobre possibilidades de desenvolvimento dos detectores
de SSB com emprego de circuitos integrados.

A síntese da situação problemática nos permitiu identificar o seguinte problema

científico:

Como fundamentar o detector de produto a base de circuito integrado para a recepção

de sinais de HF em SSB?

Para dar solução ao problema científico traçamos o seguinte objectivo:

Fundamentar o detector de produto a base de circuito integrado para a recepção do

sinal de HF em SSB.

Como solução antecipada do problema identificado formulamos a seguinte

hipótese:

Se ao realizar um estudo detalhado das particularidades dos sinais de HF em SSB, e se

se realizar uma comparação dos diferentes detectores de SSB, ao avaliar as
possibilidades reais do emprego de circuitos integrados nos mesmo, se poderá
fundamentar de forma adequada os detectores de produto a base de circuitos
integrados.

A investigação se marca no campo: Receptores de AM

7
O objecto: Detectores de produto.

O campo de acção constitui: O fundamento dos detectores de produto com circuitos

integrados.

Limites do trabalho:

 Dos detectores de SSB desenvolvemos o estudo do de produto

 O circuito integrado que se empregou como misturador (multiplicador) é o
MC1496.
 O trabalho concluirá com uma ferramenta metodológica do cálculo para estes
detectores.

Para um melhor cumprimento do objectivo traçado, estruturamos o trabalho em dois

capítulos, o capitulo I relata sobre as generalidades dos detectores de AM e o capítulo
II relata sobre o fundamento e funcionamento dos detectores de SSB.

8
Capitulo I. Generalidades de detectores de AM

1.Generalidades de detectores de AM

O processo de demodulação não em um sistema AM deve tratar de recuperar a envolvente

para com ela excitar o transdutor final.

Existem dois tipos de detectores AM: lineais de lei quadrática. Aos primeiros correspondem
os circuitos cuja a saída guarda una relação lineal com a envolvente da sinal da entrada. Nos
circuitos correspondentes aos detectores de lei quadrática se obtém uma saída que conserva
uma relação quadrática com respeito a entrada, sinal que logo deve ser filtrada.
Iniciaremos o estudo dos detectores lineais, os quais não necessariamente devem ter
elementos lineais como veremos a continuação.

1.1 Detector por díodo

O detector por díodo emprega precisamente a acção rectificadora do díodo para eliminar a
parte negativa do sinal composto e com ela a envolvente inferior. Podemos estudar o circuito
da figura 1.

Figura 1: a) Detector por díodo; b) Corrente do díodo com respeito ao sinal de entrada

O primário do transformador recebe o sinal AM que é seleccionado pelo secundário

sintonizado para então ser rectificada pelo circuito DR. O potencial em R tenderá logicamente
mesma forma da corrente que circula pelo díodo. Nós nos ajudaremos da característica de
transferência do díodo mostrada na figura 2. A gráfica nos mostra o valor médio do sinal de
radio mostrado pela curva tracejada; assim obteríamos uma detecção do valor médio que
continua sendo proporcional a sinal modulante. Da teoria de rectificação se pode calcular el
valor médio pela relação:

9
 𝑅
𝑉𝑚 = . 𝑉𝑝. (1 + 𝑚𝑎. cos 𝑊𝑚. 𝑡 ) (1.1)
(R + rd)

Onde rd é a resistência passante do díodo.

Existem circuitos usados para extrair o sinal de radio e recuperar a envolvente. Este circuito
para detecção da envolvente se mostra na figura 2. no qual representamos o transformador por
uma fonte para simplificar o circuito. Si se aplica a entrada, representada pela fonte, o sinal
mostrada na figura 2.b). se obtém que ao polarizar-se directamente o díodo circula uma
corrente a través dele e da resistência R e V0 tenderá a forma mostrada na figura 2.c) vendo de
a até b em um máximo; quando o sinal de entrada cai, o díodo não pode conduzir em sentido
inverso e o capacitor terá que descarregar-se através de R. De maneira que o potencial V0
cresce a uma recta rdc e decrece a una recta RC.

Figura 2: a) Detector por díodo simplificado; b) Forma do sinal a entrada; c) Forma do sinal de saída

Se rdc é pequena o condensador se carregará a mesma velocidade do sinal, sua resposta será
imediata, mas se RC é muito grande comparada com o período do sinal V0 não pode
responder as caídas do sinal de entrada. Como consequência das cargas rápidas e descargas
lentas, V0 tenderá a forma indicada pelo traço grosso da figura 2.c); não será exactamente a
envolvente, mas é uma boa aproximação.

O comportamento do circuito RC é o de um filtro passa baixos. Se pode tomar por conclusão

que Wp >> Wm e geralmente deve tomar-se Wp˃100 wm.

10
A tensão de saída do circuito da figura 2.a) tem uma componente continua que pode interferir
com a polarização da etapa amplificadora seguinte. Frequentemente se utiliza um
acoplamento resistência capacitância para eliminar esta componente. O circuito em referência
se mostra na figura 3 as impedâncias para corrente alterna para corrente contínua são
diferentes.

Figura 3: Detector por díodo simplificado com o acoplamento resistência capacitância

Para analisar o circuito deve analisar-se a gráfica de detecção do díodo e com este fim
utilizaremos o circuito da figura 2.a) aplicando uma portadora sim modular; se medem os
valores de V0 e I0 para diferentes valores de R e se traça a curva. A gráfica se mostra na figura
4. Logo se troca o valor pico da portadora se repete o processo. Vejamos agora a figura 3 e
supõe-se que c, é um curto circuito para as frequências de interesses. A equação da recta de
carga para corrente contínua é:

𝑉o
𝐼o = − (1.2)
𝑅
E se mostra na figura 4, a carga para corrente alterna esta dada por

Figura 4

R1. R2
𝑅𝑎𝑐 = (1.3)
R1 + R2

11
Se traçou passando pelo ponto de funcionamento estático. Em este caso se obtém o
funcionamento estático quando a portadora está sem a moduladora. Por exemplo se o pico de
tensão é de 3 voltes o ponto de trabalho é Q. A recta de carga em corrente alterna se desenhou
a traços na figura 4. O valor instantâneo se obtém da intersecção da recta de carga com as
curvas. Observa-se que se o pico de tensão da portadora cai por debaixo de 1,4 v, a saída
ficará limitada. Por tanto para que não resulte uma distorção excessiva, se limita o índice
máximo de modulação. Assim pois o máximo índice de modulação que pode utilizar-se sem
que se produza limitações é:

Rac
𝑚 𝑚𝑎𝑥 = (1.4)
Rdc
Si se quer que se aproxima a 100%, Rac=Rdc. Para conseguir isto na figura 2.a) deve ter-se
R1˃> R2.

A impedância de entrada do circuito detector é importante, pois geralmente lhe precede um

circuito sintonizado. Determinemos a impedância de entrada supondo que o díodo é ideal. A
tensão de saída terá então a forma da envolvente da sinal moduladora. quando o sinal da
portadora está sem a moduladora a potencia de saída será:

𝑉𝑝2
𝑃𝑜 = (1.5)
𝑅

Onde Vp é a amplitude da portadora. Se R˃˃ então Vo=Vp. Como os elementos são ideias a
potência de saída será a mesma potência de entrada e se terá

𝑉𝑝2 𝑉𝑝2
= (1.6)
𝑅 2𝑅𝑖

Por tanto

Ri=R/2 (1.7)

Se se aplica a moduladora a portadora, a resistência efectiva de entrada variará, pois a

resistência de carga para c.a e para c.c não são iguais. Se Ri>˃R , taís resistências serão quase
iguais. Em geral a resistência efectiva de entrada pode calcular-se igualando as potências de
entrada e de saída.

1.2 Detector por resistência de rejilla

12
O detector por escape de rejilla atua como um detector a díodo combinado com um tríodo
amplificador. É conveniente considerar a detecção e a amplificação como dois processos
separados. Na figura, a rejilla funciona como o ánodo do díodo. Os valores de Cg e Rg devem
eleger-se de forma tal que Cg se carregue durante os picos positivos do sinal de entrada e se
descarregue nos picos negativos. A constante de tempo Rg Cg deve ser grande com respeito
ao ciclo de RF e pequeno com respeito ao ciclo de AF.

Uma análises das formas de onda que existem no circuito do díodo (rejilla) o que oferece a
figura 5.b) A primeira gráfica ilustra a forma de entrada, que é a mesma que aparece na
entrada do circuito sintonizado. A segunda gráfica mostra a corrente ig devida unicamente a
sinal de RF rectificada nesse circuito. A terceira gráfica mostra a forma de onda que se
desenvolve sobre Cg. É um sinal de áudio formado da mesma maneira que um circuito a
díodo. Porém o sinal de saída é a soma das gráficas primeira e terceira.

Uma análise aproximada das formas de onda que existem no circuito de placa do tríodo é o
mostrado na parte c) da figura 5. A onda mostrada no primeiro destes gráficos é o distintivo
atual e o um mostrado no segundo gráfico é o anódico potencial.

O condensador c se descarrega nos meios ciclos positivos da voltagem de entrada de rejilla

através do circuito de catódio apresentando um valor para a constante de tempo de descarga
igual ao produto da resistência efectiva do tubo electrónico pela capacitância c. Este valor é
pequeno devido a baixa impedância da resistência do tubo electrónico. O aumento da corrente
de placa provem do condensador mais fica a fonte de polarização, evitando, então, todo
posterior aumento de corrente por meio de choque de RF do resistor de carga Ri . Assim fica
limitada toda variação na voltagem de placa e do condensador.

O condensador c se carrega quando aumenta a tensão de placa nos meios ciclos negativos de
voltagem de RF da entrada na rejilla. O caminho de carga é que compreende o condensador, o
choque de RF, o resistor de carga e a fonte, nesse sentido.

O aumento da voltagem de placa está limitado pela corrente de carga do condensador que
circula através do choque RF e de R L.

A diminuição da corrente anódica é aproximadamente igual a corrente de carga do

condensador. De tal forma que a corrente total através do choque de RF e de R L permanece
praticamente constante e as tensões de placa do condensador ficam assim controladas.

13
 Figura 5: a) Detector por resistência de rejilla

Figura 5.b).c): Formas de ondas do detector por resistência de rejilla.

14
1.3 Detector por placa e detector por colector

O detector por placa aproveita a curvatura da característica; corrente de placa,—tensão de

rejilla do tubo electrónico. A rejilla se polariza de modo que o ponto de trabalho esteja
próximo ao ponto de corte, onde a curvatura é mais pronunciada.

Na figura 6.a) se moestra o circuito detector por placa. Nele a polarização de rejilla se da
mediante o conjunto resistor capacitor RC. O circuito de ressonância selecciona o sinal de
interesse e assim haverá polarização unicamente para o dito sinal. Na figura 5.b) se mostra a
função de transferência do tubo electrónico para explicar sua operação. A polarização se
escolheu de maneira que o ponto de trabalho é P, de maneira que ao superpor-se a tensão
continua de rejilla a da onda modulada. Devido a curvatura da característica se obterá uma
corrente de placa deformada com respeito a a onda original, posto que os semiciclos de um
lado do eixo de trabalho serão amplificados e os do outro lado desaparecem pela proximidade
do ponto de corte para a corrente anódica.

A corrente de placa é de forma complexa. Estão presentes, por enquanto, semiciclos de RF

que se eliminam do circuito anódico mediante um filtro, formado por um choque e um
capacitor que se conectam a placa, pode ver-se na gráfica. A outra variação presente no
circuito de placa é o valor médio da semi-onda de alta frequência aparece com linha ponteada
e que tem a forma de onda da envolvente da portadora; quer dizer se trata precisamente da
onda de audiofrequência que se tenta detectar e que se encontrará como uma tensão entre os
extremos da resistência de carga anódica, podendo por tanto transferir-se a etapa seguinte.

Figura 6: Detector de placa

15
A ventagem deste detector com respeito ao detector de rejilla esta em sua maior amplificação
para sinais de certa amplitude, porque para os sinais débeis não se comporta bem devido a que
a válvula trabalha na zona da característica que tem coeficiente de amplificação reduzido.
Além disso não toma corrente do circuito de entrada e assim se dispõe de maior selectividade.

Na figura 7 se mostra o circuito detector por colector que é a versão a semiconductores do

detector por placa sua análises é similar, deve ter-se em conta a nominação dos diferentes
parâmetros e os valores típicos e máximos permissíveis.

Figura 7: Detector por colector

1.4 Detector regenerativo

Se em um oscilador a rejilla sintonizada se reduz o grau de realimentação de modo que não

chegue a oscilar se terá um amplificador de RF. Se além disto é inserido no circuito de rejilla
um conjunto resistor-capacitor se obterá a detecção por rejilla. Na figura 8 se mostra um
detector regenerativo no qual se produz a realimentação através da bobina L3 já que Ll, L2 e
L3 estão acoplados magneticamente.

16
 Figura 8: Detector regenerativo

O sinal realimentado deve aplicar-se em fase com o sinal de entrada para que exista
realimentação positiva. Na figura 8.b) se mostra a versão a semiconductores do detector
regenerativo cujo princípio de funcionamento é similar ao da versão a tubos.

Na figura 8.c) se mostra uma variante de interesse que consiste em fazer funcionar o circuito
realimentado ao borde da oscilação. A condição de oscilação deve produzir-se e anular-se a
um ritmo mais elevado que os sinais de áudio mais altas ou seja de maior frequência. O
detector operando assim se denomina detector super-regenerativo.

É necessário alimentar a válvula com um regenerador não audível. A realimentação é alta e

provoca o começo da oscilação, aproveitando-se a enorme sensibilidade nessa condição; de
imediato, o meio ciclo seguinte do sinal não audível interrompe as oscilações e assim
sucessivamente.

17
O tono desse sinal, logicamente, não se escuta por telefone o parlante. O detector funciona
como o regenerativo mas com maior sensibilidade. Os circuitos LC mostrados na figura estão
acoplados entre si e ressonam a 20 KHZ, por exemplo, como pertencem aos circuitos de placa
e de rejilla respectivamente a mesma válvula faz de osciladora. Para a frequência de oscilação
a indutância L2 do tanque de rejilla tem baixa impedância e não impede a oscilação. O
capacitor Ci é o de sintonia e ao bobinado L2 esta acoplado o primário Li com a sinal de
entrada.

1.5 Detectores de frequência

Para um sistema de transmissão que usa uma modulação angular, é necessário fazer primeiro
uma conversão de FM a AM para logo fazer a detecção AM que geralmente se efectua com
um detector de díodo.

1.6. Detectores de pendente

Como se mencionou acima é necessário converter o sinal FM em um sinal AM para logo

produzir a detecção com um circuito detector por díodo.

Para fazer a conversão de FM se pode tomar como primeiro soluções os circuitos de pendente
mostrados nas figuras 10.a) e 10.c) cujas características de saída como função da frequência
se mostram nas figuras 10.b) 10.d) respectivamente. Se deve seleccionar os circuitos de tal
maneira que a frequência portadora fica localizada em uma parte que apresente uma relação
lineal como se mostra nas gráficas das figuras 10.b) e 10.d) correspondentemente. Da gráfica
d), por exemplo, se pode ver que quando a frequência aumenta e vai a valores maiores que fp
aumenta a amplitude do sinal de saída quando esta frequência decrece também decresce a
amplitude do sinal de saída. De esta maneira, evidentemente fácil, se obtém um sinal AM que
logo é detectada; o circuito completo se mostra na figura 9. A frequência de ressonância deve
então seleccionar-se tomando um valor diferente ao da frequência portadora. Pode ver-se que
o circuito representado a direita dos pontos a e b é um detector de díodo.

Os circuitos aqui indicados estão submetidos a fortes limitações ocasionadas pela não
linearidade da característica; são aproximações que se cumprem para pequenas regiões da
característica, resultando estes circuitos pouco eficientes como detectores. Na actualidade se
trabalha fundamentalmente com circuitos discriminadores de frequências.

1.6.1 Circuito discriminador

O circuito discriminador de frequências mostrado na figura 10.a), está constituído por um

transformador duplamente sintonizado que apresenta uma característica de amplitude contra

18
frequência com uma meseta muito plana como se indica na figura 10.b). No circuito de saída
se toma em duas partes V2a e V2b, A capacitância C deve ter um valor alto com o objectivo
de apresentar uma reactância muito pequena a frequência portadora, de maneira que o
potencial sobre o choque de radiofrequência CRF é o mesmo aplicado a entrada, V1.

Se o acoplamento do transformador é pobre

𝐼 = 𝑉1/𝑗𝑤𝐿1 (1.8)

Para a portadora que é a mesma frequência de ressonância o secundário se comporta como

uma impedância resistiva e igual a R. Assim se obtém

𝑗𝑀𝑉1
𝑉2𝑎 = 𝑒
2𝑤𝐶2𝐿1𝑅
𝑗𝑀𝑉1
𝑉2𝑏 = − (1.9)
2𝑤𝐶2𝐿1𝑅
As equações 1.18 entendem-se melhor se se considera a capacitância C2 composta por duas
capacitâncias 2C2 conectadas em serie. Se pode observar que os ângulos de fase dos
potenciais V2a diferem do ângulo de fase de V1 em 90°; um adiantado e o outro atrasado. As
tensões Vsa e Vsb se obtém com somas fasoriais.

⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ = ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑉3𝑎 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑉1 + 𝑉2𝑎 (1.10)

⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ = 𝑉1
𝑉3𝑏 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
⃗⃗⃗⃗⃗ + 𝑉2𝑏 (1.11)

O diagrama fasorial se indica na figura 10. Se a frequência de trabalho aumenta de maneira

que f > fp as amplitudes V2a e V2b se alteram de maneira apreciável devido a a característica
do transformador pelos ángulos de fase se são sensíveis a frequência e o diagrama fasorial
tomara a forma indicada na figura 10.e) A magnitude de V3a se reduz e a V3b aumenta. De
maneira análoga quando f < fp se terá a situação indicada pelo diagrama fasorial da figura
10.d), na qual a magnitude V3a aumenta e a correspondente a V3b diminui. De maneira que
no circuito analisado a magnitude das tensões V3a e V3b varia com a frequência.

19
 Figura 9: circuito Discriminador e seu diagrama fasorial

1.6.2 Discriminador de FOSTER-SEELY

O discriminador estudado se pode conectar dois circuitos detectores de díodo como se mostra
na figura 11.a) Este é o chamado discriminador de Foster-Seely e já teremos um detector de
modulação angular.

Já vimos que as amplitudes de V3a e V3b variam com a frequência de entrada. Pela acção dos
detectores AM, as tensões V4a e V4b variará obedecendo as variações dos valores picos de
V3a e V3b respectivamente. Os díodos são conectados de maneira que a tensões de saída
corresponde a diferencia entre as duas tensões V4a e V4b assim:

𝑉𝑜 = (𝑉3𝑎𝑚á𝑥 − 𝑉3𝑏𝑚á𝑥) (1.12)

A tensão de saída indicada na equação 1.21 variará com a frequência de uma maneira
aceitavelmente lineal se se trabalha dentro da região plana da característica de saída do
transformador. A característica Vo contra frequência se mostra na figura 10.b) com os valores
correspondentes a gráfica da figura 11.b); com o objectivo de que os detectores não
carreguem o circuito ressonante deve seleccionar-se resistências R de alto valor.

20
Se a amplitude do sinal de entrada de um discriminador vária, a amplitude do sinal de saída
também se alterará a ventagem deste sistema consiste em que são erros que se pode corrigir e
para isto se usa um circuito limitador prévio a etapa de detecção no receptor. O circuito
limitador é um amplificador operado para trabalhar desde a região de saturação até a região de
corte, mantendo assim a amplitude constante.

Figura 10: Discriminador de FOSTER-SEELY

1.6.3 Discriminador de razão

Com ligeiras modificações sobre o discriminador de Foster-Seely se obtém melhorias

apreciáveis em quanto a alcança insensibilidade as variações de amplitude no sinal de entrada.
O circuito, que denominaremos detector de razão, se mostra na figura 12 Observa-se que um
dos díodos D2 aparece com suas conexiones invertidas, permitindo estabelecer

𝑉5 = 𝑉3𝑎𝑚á𝑥 + 𝑉3𝑏𝑚á𝑥 (1.13)

Se tomará como saída Vo sendo as resistências R2 iguais se terá

𝑉5
𝑉𝑜 = 𝑉4𝑎 −
2
𝑉3𝑎𝑚á𝑥 + 𝑉3𝑏𝑚á𝑥
𝑉𝑜 = (𝑉3𝑎𝑚á𝑥) −
2
𝑉3𝑎𝑚á𝑥 + 𝑉3𝑏𝑚á𝑥
𝑉𝑜 = (𝑉3𝑎𝑚á𝑥) − (1.14)
2
Deve tomar-se valores altos de resistências para não afectar o circuito ressonante. A tensão
V5 variará ligeiramente com os câmbios de frequência instantânea, pois os aumentos de
V3amáx são acompanhados de diminuições de V3bmáx e vice-versa. C4 deve seleccionar-se
de valor muito alto com o objectivo de que a constante R2 C4 seja muito maior que o mais
largo período involucrado no sinal modulador. Por tanto V5 tem a tendência a permanecer
constante quando há variações de frequência a causa da modulação. Em consequência a suma
21
de V3amáx e V3bmáx é fixa. No obstante quando a frequência muda a razão das amplitudes
variará. Para evidenciar isto chamemos p a relação V3amáx/V3bmáx. Da equação 1.22 se terá

𝑉5
𝑉3𝑏𝑚á𝑥 = (1.15)
𝑃+1
e da equação 1.23

𝑉3𝑏𝑚á𝑥(𝑃 − 1)
𝑉𝑜 = (1.16)
2
Combinando as equações 1.24 e 1.25 se obterá finalmente

𝑉5 𝑃 − 1
𝑉𝑜 = . (1.17)
2 𝑃+1
Sendo p a única variável da equação 1.26 de maneira tal que ao aumentar P decrece Vo. A
saída vem a converter-se em função unicamente da relação P. Quando se altera a amplitude do
sinal modulado por interferência de sinais de ruido se alteram as duas componentes V3amáx e
V3bmáx permanecendo sua razão quase constante; o sistema se imuniza contra tais
interferências.

1.7 Detector para sistemas de portadora suprimida

Quando se efectua a transmissão pelos sistemas de portadora suprimida, é necessário reinserir

o portador para ser capaz a efectuar a detecção. Os casos possíveis serão DSB/PS e SSB/PS
(DBL/PS e BLU/PS respectivamente). Para lograr este efeito se requer de um elemento de lei
quadrática o qual deve aplicar-se como sinal de entrada a suma do sinal modulada e a
portadora; para o qual se requer de um oscilador local, no receptor, para produzir a portadora.

Considera-se um elemento de lei quadrática, cuja lei de transferência podemos simplificar

pela relação:

𝑖 = 𝑎. 𝑉 2 (1.18)

Onde v representa uma voltagem aplicada como sinal de entrada e i a corrente de saída.

Si se trata de una sinal de dupla banda lateral com portadora suprimida se terá:

V = 𝑉𝑃cos(𝑤𝑝. 𝑡) + 𝑀𝑎𝑉𝑝. cos(wp. t) . cos(wm. t) (1.19)

Para BLU/PS se terá:

𝑚𝑎. 𝑉𝑝
V = 𝑉𝑃cos(𝑤𝑝. 𝑡) + . cos(𝑤𝑝 + 𝑤𝑚). 𝑡 (1.20)
2

Combinadas las equações 1.8 e 1.9 se obterá

22
 𝑉𝑝2 𝑚𝑎2 𝑉𝑝2 𝑎𝑉𝑝2
𝑖=( + ) + cos(2wp. t) + 𝑎𝑚𝑎𝑉𝑝2 cos(wm. t)
2 4 2

𝑎𝑚𝑎𝑉𝑝2 𝑎𝑚𝑎𝑉𝑝2
+ cos(2wp + wm). 𝑡 + cos(2wp − wm). 𝑡
2 2
𝑎𝑚𝑎2 𝑉𝑝2 𝑎𝑚𝑎2 𝑉𝑝2
+ cos(2wp). 𝑡 + cos(2wm). 𝑡
4 4
𝑎𝑚𝑎2 𝑉𝑝2 𝑎𝑚𝑎2 𝑉𝑝2
+ cos 2(wp + wm). 𝑡 + cos2(wp − wm). 𝑡 ( 1.21)
8 8

As componentes do sinal resultante indicados pelos termos da equação 111 se mostra, sem
cuidarmos das amplitudes, na gráfica da figura 9. Nos interessa sua distribuição espectral; dali
podemos ver que as componentes com frequências próximas e as superiores a fp podem ser
eliminadas por uso de filtros. A saída do filtro haverá uma sinal da forma:

𝑎𝑚𝑎2 𝑉𝑝2
𝑖 = 𝑎𝑚𝑎𝑉𝑝2 cos(wm. t) + cos(2wm). 𝑡 (1.22)
4

Figura 11: Distribuição espectral do sinal

Da equação 1.12 se deduz facilmente que com esta detecção se obtém, uma distorção
proporcionada pelo primeiro harmónico.

A amplitude deste primeiro harmónico relativo a fundamental será ma/4, de tal maneira que
para reduzir esta distorção é necessário reduzir o índice de modulação e isto se obtém fazendo
Vm < Vp. Mas também se afectará a amplitude da fundamental.

Si se trata de um sistema BLU/PS deve combinar-se as equações 1.8 e 1.10 para obter
facilmente a expressão 1.13 depois de eliminar outros componentes por meio de filtros.

𝑎𝑚𝑎𝑉𝑝2
𝑖= cos wm𝑡 (1.23)
2

23
Outro método apropriado para obter a detecção de um sinal BLU/PS consiste em introduzir a
portadora o sinal modulada a um modulador balanceado que entregará a sua saída o produto
dos dois sinais de entrada.

Si indicamos a saída por v(t) se terá:

𝑚𝑎𝑉𝑝2
𝑉(𝑡) = cos wp𝑡. cos(wp + wm). 𝑡 (1.24)
2
que pode escrever-se

𝑚𝑎𝑉𝑝2
𝑉(𝑡) = cos(2wp + wm). 𝑡 + cos 𝑤𝑚. 𝑡 (1.25)
4
e mediante um sistema de filtros se pode reduzir a

𝑚𝑎𝑉𝑝2
𝑉(𝑡) = . cos 𝑤𝑚. 𝑡 (1.26)
4
A principal dificuldade da detecção dos sinais indicados consiste em que deve reconstruir-se a
portadora, isto se pode obter com um oscilador cujo sinal deve coincidir em frequência e em
fase com a portadora foi suprimida no transmissor, e um misturador (multiplicador) que
realizará o produto do sinal deste oscilador com o sinal modulado.

Este tipo de detecção se emprega essencialmente para a detecção de SSB-SC, em que o

elemento fundamental é o misturador devido a que se requer maior analise e exigências para
obter a sua saída somente o produto das duas sinais que através de relações trigonométricas
resulta nas componentes de soma e resta das duas frequências. A figura 12 representa o
diagrama funcional de um detector de SSB-SC.

Figura 12: Diagrama funcional do demodulador de SSB

No Capitulo a seguir iremos estudar com mais detalhes o funcionamento destes tipos de
detector,
24
Conclusão do capítulo I

O estudo das generalidades dos detectores de AM e em particular os de sinais de portadora

suprimida como o SSB-SC nos permitiu identificar a grande evolução dos detectores AM,
desde os mais primitivos aos modernos e qualificar suas vantagens em função do regime de
trabalho para o emprego na transmissão e recepção em banda de HF.

Capitulo II. Detector de SSB (detector de produto)

O detector de um sinal de SSB sem a portadora consiste em um misturador (multiplicador)

que realizará o produto dos dois sinais (o modulado em SSB e o do OL) e um oscilador local
(OL) que gera um sinal a frequência da portadora e um filtro passa baixa que deixará passar
somente o sinal de áudio frequência (sinal de informação em baixa frequência).

O misturador (multiplicador) deve ser capaz de obter a sua saída uma constante (ganho) que
multiplica o produto dos dois sinais das entradas. Por este motivo este circuito é comumente
denominado detector de produto agora, passemos a examinar a operação deste tipo de
demodulação. Consideremos:

𝑒(𝑡) = 𝐾. 𝐸𝑚. cos(𝑤𝑐 + 𝑤𝑠 + 𝑤𝑚). 𝑡 o sinal modulado em SSB-SC e

𝑒𝑜𝑙(𝑡) = Eol. cos(wc + ws) . t o sinal do oscilador local (portadora).

O sinal a saída do multiplicador é:

ℯ1(𝑡) = ℯ(𝑡). ℯ𝑜𝑙(𝑡)

ℯ1(𝑡) = [𝐾. 𝐸𝑚. cos(𝑤𝑐 + 𝑤𝑠 + 𝑤𝑚). 𝑡]. [𝐸𝑜𝑙. cos(wc + ws) . t]

ℯ1(𝑡) = 𝐾. 𝐸𝑚. 𝐸𝑜𝑙. cos(𝑤𝑐 + 𝑤𝑠 + 𝑤𝑚). 𝑡. cos(wc + ws) . t] (2.1)

Através de relações trigonométricas tem-se:

𝐾. 𝐸𝑚. 𝐸𝑜𝑙 𝐾. 𝐸𝑚. 𝐸𝑜𝑙

ℯ1(𝑡) =. . cos(2𝑤𝑐 + 2𝑤𝑠 + 𝑤𝑚). 𝑡 + . cos wm. t (2.2)
2 2

Após o filtro obtém-se o sinal recuperado ou sinal modulante (sinal de imformação):

𝐾. 𝐸𝑚. 𝐸𝑜𝑙
ℯ𝑟𝑒𝑐(𝑡) = . cos wm. t (2.3)
2

A saída do misturador terá o sinal modulante inicial e um sinal de frequência muito alta, que
será eliminada através de um filtro passa-baixa. Se portadora reintroduzida na recepção não
tem a mesma frequência e fase da componente portadora suprimida na transmissão, a
frequência do sinal demodulado resultante da translação entre a diferença dos dois sinais será
desta forma falsa ou errada (erro de frequência e erro de fase). Para reduzir esta diferença a
25
uma condição mínima, a portadora na transmissão bem como na recepção são,
frequentemente geradas a partir de osciladores que utilizam cristais de quartzo por terem
grande estabilidade de frequência, e deve se seleccionar um misturador capaz de gerar a sua
saída somente o produto dos dois sinais com o ganho. Neste caso é necessário o
funcionamento dos diferentes misturadores, mais adiante iremos estudar e analisar o
comportamento dos diferentes tipos de misturadores e seleccionar o ideal para este projecto.

2.1 Misturadores

Felizmente, existem várias maneiras de se fazer esta multiplicação. Basicamente, os

misturadores podem fazê-la de duas maneiras:

• Relação não linear do comportamento I/V do dispositivo.

• Chaveamento do sinal de entrada (Sistemas lineares variantes no tempo)

Na verdade, a não-linearidade é o mecanismo que realmente permite a multiplicação.

Contudo, frequentemente, o funcionamento de alguns misturadores pode ser representado
como um sistema linear variante no tempo (ex. sinal chaveado no tempo).

2.1.1 Comportamento I/V não linear

De um modo geral, a relação I/V não linear de um dispositivo pode ser representada por uma
série de potências,

𝐼(𝑉) = 𝑎𝑜 + 𝑎1. 𝑉 + 𝑎2. 𝑉 2 + 𝑎3. 𝑉 3 +. .. (2.4)

Se 𝑉(𝑡) = 𝑉𝑆𝑆𝐵 (𝑡)+. 𝐴 cos 𝑤𝑜𝑙 . 𝑡, tem-se, aplicando o teorema binomial e após alguma
manipulação matemática:

𝑖 𝑘 −𝑘 𝑘
𝐼(𝑡) = ∑∞ 𝑖 𝑘
𝑖=0 ∑𝑘=0 ∑𝑙=0 𝑎𝑖. ( ) ( ) 2 . 𝐴 [𝑉𝑆𝑆𝐵 (𝑡)]
𝑖−𝑘
cos[(𝑘 − 2. 𝑙). 𝑤𝑜𝑙 . 𝑡] (2.5)
𝑘 𝑙
Analisando a equação acima, fica claro que, entre os termos , estão presentes parcelas como
produto 𝑉𝑆𝑆𝐵 . cos 𝑤𝑜𝑙 . 𝑡 que, quando agrupadas, resultam:
∞
2𝑖 2𝑖 − 1 2𝑖 − 1
𝐼 = ∑ 𝑎2𝑖 . . [( )+( )] 𝐴2𝑖−1 𝑉𝑆𝑆𝐵 . cos 𝑤𝑜𝑙 . 𝑡
22𝑖−1 𝑖 𝑖−1
𝑖=0

→ 𝐼1 (𝑡) = 𝐾. 𝑉𝑆𝑆𝐵 . cos 𝑤𝑜𝑙 . 𝑡 (2.6)

Da mesma forma que foi agrupado o produto acima, podem-se agrupar os demais termos de
(2.5). Estes termos adicionais representam as componentes de sinais nas frequências
m.wSSB+n.Wol onde m e n são inteiros, exceptuando-se as combinações (m=-1,n=1), (1,-1),
(1,1) e (-1,-1), por corresponderem ao caso de (2.6). Geralmente, estes sinais não são de
interesse e são eliminados através de um filtro.
26
2.1.2 Chaveamento do sinal de entrada

Uma outra maneira de se obter o produto entre o sinal de SSB e o de OL é através do

chaveamento do sinal de entrada como mostra a Fig. 3.4.

Figura 13: Chaveamento do sinal de RF

O sinal de tensão sobre a resistência R, da Fig. 13 Pode ser expresso como

∞ 𝜏
𝜏 sin (𝑛𝜋 𝑇 )
𝑜
𝑉𝑅 (𝑡) = 𝑉𝑆𝑆𝐵 (𝑡). 𝑆𝑂𝐿 (𝑡) = 𝑉𝑆𝑆𝐵 (𝑡). [𝐴. + 2. 𝐴 ∑ . cos(𝑛𝑤𝑂𝐿 . 𝑡)]
𝑇 𝑛𝜋
𝑛=1

𝐴𝜏
𝑉𝑅 (𝑡) = 𝑉𝑆𝑆𝐵 (𝑡). + 𝒂𝟏 . 𝑽𝑺𝑺𝑩 (𝒕). 𝐜𝐨𝐬(𝒘𝒐𝒍 . 𝒕). +𝑎2 . 𝑉𝑆𝑆𝐵 (𝒕) . cos(2. 𝑤𝑜𝑙 . 𝑡) + ⋯ (2.7)
𝑇
Observando (2.7), pode-se ver, em negrito, o termo que representa o produto. Como no caso
anterior, os demais sinais indesejáveis podem ser eliminados através de um filtro.

Em geral, é utilizado um sinal de chaveamento com um duty-cycle de 50 %. Nestas

𝜏 1
condições, tem-se = 2 e todos os coeficientes de (2.7), onde n é par, são nulos, resultando
𝑇𝑜
na saída somente o produto de VSSB(t) com as harmónicos ímpares da frequência fundamental
de SOL(t), mais uma componente CC. Em alguns casos, o duty-cycle pode não ser de 50%,
resultando, em geral, no produto de VSSB(t) com todas as componentes harmónicas de SOL(t)!

2.1.3 Estruturas Balanceadas

Devido à forma como a multiplicação é obtida nos misturadores, há na saída dos mesmos a
presença de uma grande quantidade de sinais indesejáveis (sinais espúrios) ao desempenho do
misturador. Além destes sinais espúrios, existem também os sinais presentes na saída devido
ao acoplamento finito entre as portas OL-FI e RF-FI. Um sinal particularmente importante é o
do OL, devido aos seus altos níveis de potência. Parte destes sinais pode ser eliminada através
de uma combinação dos elementos multiplicadores criando as estruturas balanceadas. A
forma como os elementos multiplicadores são combinados permite a seguinte classificação
dos misturadores:

• Misturador de um único elemento (desbalanceado)

27
• Misturador com balanço simples

• Misturador com balanço duplo

Na classificação acima, o tipo de balanço está relacionado com o modo como as fases dos
sinais do OL e RF são dispostas nos elementos multiplicadores combinados. Este jogo de fase
na entrada de cada elemento multiplicador resulta em uma mudança nas fases dos sinais de
saída que, quando somados/subtraídos, provoca o cancelamento de determinados sinais
espúrios. Na Fig. 14 é mostrado o diagrama de cada um dos três tipos de misturador,
considerando o multiplicador como um elemento não linear.

Para exemplificar esta relação de fase, será considerado o circuito da Fig. 14(b). Neste
circuito, os sinais do OL resultante sobre os dois elementos não lineares estão em fase
enquanto os de RF estão desfasados de 180°. O sinal sobre o resistor R será resultado da
subtracção entre os sinais de saída, i1 e i2, dos elementos não lineares. Assim, considerando
(2.5)

𝐼𝑇 (𝑡) = 𝑖1 − 𝑖2 =
∞ 𝑖 𝑘
𝑖 𝑘
= ∑ ∑ ∑ 𝑎𝑖. ( ) ( ) 2−𝑘 . 𝐴𝑘 [𝑉𝑆𝑆𝐵 (𝑡)]𝑖−𝑘 cos[(𝑘 − 2. 𝑙). 𝑤𝑜𝑙 . 𝑡][ 1 − (−1)𝑖−𝑘 ] (2.8)
𝑘 𝑙
𝑖=0 𝑘=0 𝑙=0

Em (2.8) todos os termos em que i-k é par desaparecem. Um resultado interessante ocorre
quando l=k que corresponde à presença do sinal do OL e seus harmónicos na saída. Assim,
todos as componentes de OL são eliminadas só pela simetria do circuito, sem necessidade de
filtro. Já no caso do sinal de RF, no qual k=2×l, seus componentes ainda estarão presentes na
saída.

Um desempenho melhor pode ser obtido com o circuito da Fig. 14(c). Neste, o sinal do OL
também sofre inversão de fase resultando no cancelamento do sinal de RF e de outros sinais
espúrios na saída.

28
 Figura 14: Diagrama em blocos do misturador de um único elemento (a), com balanço simples (b) e
com balanço duplo (c

As configurações balanceadas oferecem desempenhos superiores, comparadas às

desbalanceadas, sendo os mais importantes:

• Alta Isolação entre as portas OL-FI, OL-RF e RF-FI.

• Rejeição ao ruído AM da fonte de OL

• Eliminação de alguns sinais espúrios na saída pela simetria do circuito.

• Eliminação dos sinais de OL e/ou RF na saída.

Os principais dispositivos utilizados como elemento não linear são os diodos de barreira
Schottky e os transistores de efeito de campo. Os transistores bipolares são utilizados
ocasionalmente e, principalmente, em circuitos multiplicadores na configuração célula de
Gilbert. Os transístores de efeito de campo são preferidos em relação aos bipolares por terem
maior frequência de operação, conseguirem trabalhar com sinais de grande amplitude e menor
ruído. Deste modo existe uma grande variedade topológica de misturadores dos quais temos a
destacar os misturadores com balanço duplo a transístores bipolares com configuração célula
de Gilbert pela sua óptima característica funcional como multiplicador.

O misturador Célula de Gilbert é basicamente um circuito composto de dois misturadores

diferenciais arranjados. O funcionamento de cada metade também é idêntico ao do misturador

29
diferencial (Anexo 1), excepto a diferença na forma como os terminais de dreno dos
transístores superiores estão conectados. Com este arranjo cruzado, os componentes do sinal
do OL são também eliminados além dos sinais espúrios de ordem ímpar resultantes das
características não lineares das curvas IxV dos dispositivos. Embora apresentada numa
configuração com FET, esta topologia também é empregada com transístores bipolares
(WEGNER et al., 1991).

Figura 15: Misturador a célula de Gilbert a FET

Além de reunir as qualidades inerentes dos misturadores balanceados, o misturador Célula de

Gilbert possui uma outra qualidade: ganho de conversão positivo.
Dentre outras topologias, a Célula de Gilbert é a que vem predominando nas arquitecturas
dos circuitos de recepção integrados. Sendo uma estrutura inerentemente balanceada que
dispensa elementos reactivos na sua concepção, com um bom desempenho de ruído e de
ganho de conversão, sua escolha geralmente é inevitável. Assim, nesta última década, este
tipo de misturador foi alvo de pesquisa objectivando optimizá-lo para os compromissos de
projecto vigente: integrabilidade, melhor desempenho e baixo consumo de potência. Assim,
surgiram diversas propostas de modificações topológicas e de sua implementação com
dispositivos alternativos.
Pelas suas qualidades escolhemos trabalha neste projecto de detector de SSB com um
multiplicador de configuração de célula de Gilbert para efeito foi seleccionado o circuito
integrado MC1496.

2.2 Circuito integrado Motorola MC1496

O MC1496 é um modulador/misturador duplo balanceado activo feito com transístores

bipolares formados em uma celda de transcondutância de Gilbert. O circuito interno se mostra
a continuação.

Os Pines 1 e 4 são entradas balanceadas de baixo nivel. Os pines 8 e 10 são entradas

balanceadas de nivel alto. Os pines 6 e 12 são para a saída. O Pin 5 é para polarização,
usualmente conectado a Vcc através de uma resistência de 10 KΩ.

Os pines 2 e 3 determinam a ganancia ou ganho do misturador. O ganho será máxima quando

os pines 2 e 3 se conectem directamente. O ganho pode ser ajustado conectando valores de
resistência entre os pines 2 e 3. Os pines 7, 9, 11 e 13 não se utilizam. A continuação se dá
30
várias voltagens de cc de vários pines os quais podem ter pequenas variações devido a
exactidão do equipamento.

Figura 16: Descrição dos pines do CI MC1496

O semiconductor MC1496 monolítico modulador equilibrador faz um excelente bloco de

construção em equipamentos de comunicação de alta frequência. O dispositivo funciona como
um modulador equilibrado em banda larga, de dupla faixa lateral portadora suprimida sem
exigência de transformadores ou circuitos sintonizados. Além de sua aplicação básica como
um modulador / demodulador equilibrado, o dispositivo oferece excelente desempenho como
um detector de produto de SSB, modulador de AM / detector, detector FM, batedeira,
duplicador de frequência, detector de fase, e muito mais.

2.2.1 Descrição Geral do MC1496

A figura 14 mostra um diagrama esquemático do MC1496. Para efeitos de análise, a seguinte

convencional foram feitas suposições para a simplificação: (1) Geometria, dispositivos,
semelhantes dentro de um chip monolítico são assumidos idênticos e combinados, sempre que
necessário, e (2) o transístor, correntes de base são ignorados no que se refere à magnitude
correntes de colector; portanto, as correntes dos colectores e emissores são assumidos iguais.
Com referência às Figuras 14 e 15, o MC1496 é composto de um amplificador diferencial Q5-
Q6 dirigindo um diferencial duplo composto por amplificadores de transístores Q1, Q2, Q3 e
Q4. Os transístores Q7 e Q8 formam o circuito de polarização associado a fontes de corrente
constante para o amplificador diferencial menor Q5-Q6

A análise do funcionamento do MC1496 baseia-se na a capacidade do dispositivo para

fornecer uma saída que é proporcional ao produto das voltagens Vx e Vy. Isto se verifica
quando magnitudes Vx e Vy são mantidas dentro dos limites de operação linear dos três
amplificadores diferenciais do dispositivo. A expressão matemática, da tensão de saída

31
(Corrente de saída, na verdade, que é convertido numa tensão saída por uma resistência de
carga externa), Vo é dado por:

𝑉𝑜 = 𝐾. 𝑉𝑥. 𝑉𝑦 (2.9)

Figura 17: Diagrama eléctrico do MC1496

Em que a constante K pode ser ajustada pela escolha do componentes externo.

2.2.2 Modo de operação do dispositivo MC1496

O modo mais comum de operação do MC1496 consiste na aplicação de um sinal de entrada

de nível alto para o duplo amplificadores diferenciais, Q1, Q2, Q3 e Q4, (entrada da
portadora) e um sinal de entrada de nível baixo para o amplificador diferencial mais baixo, Q5
e Q6, (entrada do sinal modulante). Isto resulta na comutação de operação saturada dos duplo
amplificadores diferenciais da portadora e funcionamento linear do amplificador diferencial
da modulante. O sinal de saída resultante contém somente a soma e diferença das
componentes de frequência, e informações da amplitude do sinal de modulante. Esta é a
condição desejada para a maioria das aplicações do MC1496.

A operação saturada do duplo amplificador diferencial de entrada da portadora também gera

harmónicos (que pode ser previsto pela análise de Fourier). A redução da amplitude da
portadora de entrada para o seu intervalo linear reduz grandemente estas harmónicas no sinal
de saída. No entanto, isso tem a desvantagens da redução do ganho do dispositivo e fazendo
com que o sinal de saída conte um sinal da portadora com variações de amplitude.

As entradas da portadora dos amplificadores diferenciais de entrada não têm conexão com os
emissores. Portanto, os níveis de entrada para a operação saturada e linear da portadora são
32
facilmente calculadas. O ponto de cruzamento está nas proximidades de 15-20 mV rms, com
operação linear abaixo deste nível e operação saturada acima dela.

O amplificador diferencial do sinal modulante tem seus emissores conectados aos pinos 2 e 3.
Isso permite que o designer para selecionar seu próprio valor de resistência do emissor e
adaptar assim ao intervalo de resposta linear da entrada do sinal modulante para um
determinado requisito. O resistor também determina o ganho do dispositivo. O nível máximo
aproximado de sinal modulante de entrada para operação linear é dado pela expressão:

𝑉𝑚(𝑝𝑖𝑐𝑜) = 𝐼1. 𝑅𝑒 (2.10)

em que Re= Resistência nos pinos 2 e 3, e I1 se refere a notação no modelo de análise

apresentado na Figura 15. Uma vez correntes de base foram considerados zero e transístores
idênticos,

𝐼1 = 𝐼5

Onde I5 = Corrente que circula para o pino 5. Portanto, a Equação (2.10) torna-se:

𝑉𝑦(𝑝𝑖𝑐𝑜) = 𝐼5. 𝑅𝑒 (2.11)

O ganho de tensão do dispositivo é dado pela expressão:

𝑅𝐿
𝐴𝑣 = . 𝑓(𝑚) (2.12)
𝑅𝑒
Onde

(𝑒 −𝑚 − 𝑒 𝑚 )
𝑓(𝑚) = (2.13)
(1 + 𝑒 𝑚 ). (1 + 𝑒 −𝑚 )

𝑉𝑥
𝑚= 𝐾𝑇 (2.14)
𝑞

f(m) pode ser aproximado para os dois casos gerais de com alto e baixo nível de operação da
portadora, resultando na seguinte expressões do ganho: caso Alto nível (V X > 100 mV pico):

𝑓(𝑚) ≈ 1

Portanto

𝑅𝐿
|𝐴𝑣| ≈ . (2.15)
𝑅𝑒
No caso de baixo nível (V X <50 mV pico) é dada por:
𝑚
𝑓(𝑚) ≈ −
2
Portanto
33
 𝑅𝐿
|𝐴𝑣| ≈ . (2.16)
2𝑅𝑒
As expressões precedentes assumi a condição Re>>re , onde re é a resistência de emissor do
transístor dinâmico Q5 e Q6. Quando I1 = 1 mA, re é de aproximadamente 26 ohms á
temperatura ambiente.

Existem numerosas aplicações onde é desejável definir Re igual a algum valor baixo ou nulo.
Para esta condição, As equações (2.8) e (2.9) pode ser expandida para a mais geral Formato:
de nível alto Vx:

𝑅𝐿
|𝐴𝑣| ≈ . (2.17)
𝑅𝑒 + 2𝑟𝑒
de nível baixo Vx:

𝑅𝐿
|𝐴𝑣| ≈ . (2.18)
2(𝑅𝑒 + 𝑟𝑒)

As equações (2.17) e (2.18) resumem o único termo do ganhos de tensão do conversor

MC1496 com uma potência c.d tensão Vx na entrada da portadora. Com uma Operação
diferencial, a saída os ganhos aumentaria em 6 dB.

Para um sinal de entrada de portadora de nível alto, as expressões para tensão de saída com o
ganho de tensão se tornar:
∞
RL. Vy
𝑉𝑜 = ∑ 𝐴𝑛 [cos(nwx + 𝑤𝑦). 𝑡 + cos(nwx − 𝑤𝑦). 𝑡] (2.19)
Re + 2re
𝑛=1

Onde
nπ
sin( )
2
𝐴𝑛 = nπ
2

Resolvendo a equação (2.19) para as bandas laterais ao redor fx (N = 1) rendimentos:

RL. Vy
𝑉𝑜 = (0.637). [cos(nwx + 𝑤𝑦). 𝑡 + cos(nwx − 𝑤𝑦). 𝑡] (2.20)
Re + 2re
A equação (2.20) pode ser ainda mais simplificada para se obter a tensão, para obter a
amplitude de cada banda lateral fundamental:

𝑉𝑜 RL. (0.637)
= 𝐴𝑣 = (2.21)
𝑉𝑦 Re + 2re

Para o caso baixo nível Vx:

34
 Vx(cos 𝑤𝑥)𝑡
−RL. Vy(cos 𝑤𝑦). 𝑡. [ 𝐾𝑇 ]
𝑞
𝑉𝑜 = (2.22)
2. (Re + 2re)

−RL. Vy. Vx
𝑉𝑜 = KT [cos(nwx + 𝑤𝑦). 𝑡 + cos(nwx − 𝑤𝑦). 𝑡] (2.23)
4( q )(Re + 2re)

E o ganho de tensão para cada faixa lateral torna-se:

𝑉𝑜 RL. Vx(rms)
| | = |𝐴𝑣| = (2.24)
𝑉𝑦 KT
2√2 ( ) . (Re + 2re)
q

As equações (2.21) e (2.24) resumi unicamente os termos do ganhos de tensão do conversor

MC1496 para entrada do nível baixo e alto da portadora c.a. Note-se que estas expressões do
ganho são calculadas para a amplitude de cada uma das duas saídas de bandas laterais
desejadas. O sinal de saída de vídeo composto consiste na soma destas duas bandas laterais
para o caso de baixo nível e no caso alto nível é a soma das bandas laterais da portadora e
todas as harmónicas ímpares da portadora. Medidas de ganho de laboratório têm mostrado
bom correlação com as equações (2.18), (2.19), (2.21) e (2.24).

2.2.3 Circuito de polarização de CD

Uma porção significativa dos circuitos de polarização cd para o MC1496 tem de ser fornecido
externamente. Enquanto isto tem a desvantagem de exigir vários componentes externos, ele
tem a vantagem de versatilidade. O MC1496 pode ser operado quer com fontes de
alimentação simples ou dupla na praticamente qualquer tensão (s) de alimentação de um
sistema de semicondutores tem disponível. Além disso, a carga externa e resistências de
emissor fornecer o designer com total liberdade na definição ganho de dispositivo. O
procedimento de configuração de polarização cd consiste na configuração de ajuste correntes
e 4 níveis de tensão de polarização, que não excedam As potências máximas absolutas de
dissipação, tensão, e corrente. Os níveis actuais, no MC1496 são definidos por meio do
controle I5 (Subscritos referem-se a fixar números). Para o projecto actual a polarização pode
ser feita a seguinte suposição:

𝐼14
𝐼5 = 𝐼12 =
3
Desde correntes de base pode ser desprezada, I5 circula através de um díodo tendencioso e
um resistor de 500 Ω ao pino 14. Quando o pino 14 está aterrado, I5 é ajustado
convenientemente dirigindo pino 5 de uma fonte de corrente. Quando o pino 14 está ligado a
uma alimentação negativa, I5 pode ser definido por uma resistência de ligação do pino 5 para
o solo (R5). O valor de R5 pode ser calculado a partir da seguinte expressão:

|𝑉14| − 𝜙
𝑅5 = − 500𝛺 (2.25)
𝐼5

35
Onde ϕ = tensão do díodo, é cerca de 0,75 V Cd a 𝑇𝐴 = 25𝑜 C

O valor máxima absoluto para I5 é de 10 mA. Para todas as aplicações descritas no artigo,
para polarização I5 foi fixado em 1 mA. O MC1496 foi caracterizado nesta corrente de
polarização e é a actual recomendada a menos que há um conflito com os requisitos de
dissipação de energia. Os 4 níveis de tensão de polarização que devem ser criados
externamente são:

Os pinos 6 e 12 mais positivos;

Pinos 8 e 10 próximos aos mais positivos;

Pinos 1 e 4 os seguintes mais positivo;

Pino 14 mais negativo.

Os níveis de tensão intermédios podem ser fornecidos por um divisor de tensão ou qualquer
outra fonte conveniente, tal como terra em um sistema de fonte de alimentação dupla.
Recomenda-se que o divisor de tensão deve ser concebido para um mínimo de corrente de 1
mA. Então I1, I4 , I7 , e I8 não precisam ser consideradas no dimensionamento do divisor já
que elas são correntes de base do transístor. Directrizes para a criação de níveis da tensão de
polarização incluem manter pelo menos 2 volts colector-base de polarização em todos
transístores enquanto não superior as tensões indicadas na tabela de classificação máximo
absoluto;

30 V cd ≥ [(V6 , V12 ) - (V 8 , V10 )] ≥2 V cd

30 V cd ≥ [(V8, V10 ) - (V1 , V4 )] ≥2,7 V cd

30 V cd ≥ [(V1, V4) - (V5)] ≥ 2,7 V cd

As condições anteriores são baseadas na seguinte premissas:

V6=V12, V8=V10, V1=V4

A outra consideração na configuração da polarização é a dissipação total do dispositivo, não

deve ser superior a 680 mW e 575 mW a TA = 25 ° C, respectivamente, para o metal e duplo
cerâmico em pacotes de linha.

A partir das suposições feitas acima a dissipação total do dispositivo pode ser calculado como
se segue:

𝑃𝑑 = 2𝐼5(𝑉6 − 𝑉14) + 𝐼5(𝑉5 − 𝑉14) (2.26)

36
2.2.4 Circuito do detector de SSB (detector de produto)

Figurada 18: Detector de produto

A Figura 18 mostra o MC1496 configurado num detector de produto SSB. Para esta
aplicação, todas as frequências, excepto a do áudio desmodulado desejada estão no espectro
de RF e podem ser facilmente filtradas na saída. Como, a portadora é nula não é necessário
incluir o ajuste. Os Amplificadores diferencial superior Q1-Q2 e Q3-Q4 são novamente
conduzido com um sinal de nível alto. O nível da portadora a saída não é importante no
presente pedido (a portadora é filtrada na saída) o nível da portadora na entrada não é crítica.
Um nível elevado da portadora na entrada é desejável para maximizar o ganho do detector e
para remover quaisquer variações de amplitude da portadora na saída. O circuito da Figura 19
tem um bom desempenho com uma portadora com um nível de entrada de 100 a 500 mV
(rms). O sinal modulado (simples banda lateral com portadora suprimida) de nível de entrada
para o amplificador diferencial par Q5-Q6 deve ser mantido dentro dos limites de operação
linear. Excelente linearidade e saída de áudio não distorcida podem ser conseguidas com
variações de um nível de sinal de entrada SSB até 100 mV rms. Mais uma vez, não há
transformadores ou circuitos sintonizados são necessários para um excelente desempenho do
detector de produto frequências muito baixas até a 100 MHz. Outra vantagem do detector de
produto MC1496 é a sua alta sensibilidade. A sensibilidade do detector de produto mostrado
na Figura 16 para uma entrada de sinal 9 MHz SSB e a 10 dB da Relação sinal mais ruído ao
ruído [(S +N) / N], a saída é de 3 microvolts. Para uma relação 20 dB (S + N)/N o sinal de
áudio na saída é 9 microvolts.

Para uma relação de 20 dB (S + N) / N, a saída do sinal desmodulada de áudio, um sinal de

entrada de energia SSB 9 MHz -101 dBm é o requerido. Como resultado, quando operado
com um receptor SSB com uma entrada de 50 ohms de impedância, uma entrada de RF de 0,5
microvolt sinal exigiria apenas 12 dB ganho de potência global de terminais de entrada da
antena para o detector de produto MC1496. Note-se também que as duas saídas estão
37
disponíveis a partir do detector de produto, uma no pino 6 e a outro no pino 12. Uma saída
pode conectar-se os amplificadores de áudio do receptor (a saída do filtro RC passa baixo
passivo), enquanto uma saída está separado disponível para o sistema AGC.

Para se fazer a detecção deforma eficiente o oscilador deve possuir grande estabilidade de
frequência, por isso necessariamente o mesmo deve ser construído com cristal de quartzo
pelas suas propriedades piezoeléctricas.

2.2.5 Osciladores a cristal de quartzo com elevada estabilidade

2.2.5.1 Características do cristal

O cristal é um dispositivo electromecânico que utiliza as propriedades piezoeléctricas do

quartzo. A aplicação de uma força no cristal segundo uma certa direcção, origina o
aparecimento de cargas eléctricas. Inversamente, se um campo eléctrico for aplicado, causará
a deflecção mecânica do cristal. Um cristal de quartzo é formado por um pedaço fino de
quartzo colocado entre dois eléctrodos. Uma tensão alternada aplicada a esses eléctrodos
causa a vibração do cristal. Se a frequência dessa tensão for muito próxima da ressonância
mecânica do cristal, a amplitude das vibrações torna-se muito elevada. A força dessas
vibrações faz com que o cristal produza um campo eléctrico sinusoidal que controla a
impedância efectiva entre os dois eléctrodos. Essa impedância depende fortemente da
frequência de excitação e possui um factor de qualidade (Q) muito elevado. Cada cristal tem
várias ressonâncias ao longo do espectro e cada uma pode ser representada pelo circuito
eléctrico equivalente da figura 19.

Figura 19: Modelo eléctrico de um modo de ressonância do cristal.

A figura 20 apresenta o modelo completo. C0 pode ser considerado constante com a

frequência; RSn aumenta com n; CSn≈≈ CS1 /n2 e LSn é aproximadamente igual para todos
os modos. Toma-se n = 1, 3, 5, 7, ...

Figura 20: Modelo eléctrico generalizado do cristal.

38
Além do modo fundamental (n=1) o cristal apresenta modos de ressonância em todos os
harmónicos ímpares (n=3,5,...) chamados de overtones. As frequências de overtone não são
múltiplas perfeitas da frequência fundamental. Os modos não pretendidos não estão
relacionados com o fundamental ou overtones, não são controláveis no processo de fabrico e
como tal são únicos para cada cristal.

O modelo da figura 20 é bastante complexo. Como o cristal só é especificado para funcionar

num desses modos o modelo pode ser simplificado para o modelo da figura 19 que
representará então o modo de ressonância para o qual o cristal foi optimizado. Se esse modo
for o fundamental o cristal especifica-se com um modo de vibração fundamental; caso seja
um modo overtone, especifica-se com um modo de vibração no n-eximo overtone.

O gráfico da reactância em função da frequência para o modelo da figura 21 é apresentado na

figura seguinte:

Figura 21: Reactância do cristal versus frequência.

Como se pode ver o cristal apresenta uma brusca variação da reactância numa zona estreita de
frequência o que justifica o seu uso como elemento estabilizador de frequência em
osciladores. O cristal caracteriza-se por duas frequências distintas:

• a frequência de ressonância série, fs, para a qual a reactância do cristal é nula;

• a frequência de ressonância paralela, fa, para a qual a reactância do cristal é praticamente

infinita.

A razão (fa-fs)/fs define o pull range do cristal e representa o máximo desvio em frequência
relativamente a fs que é possível obter para um dado cristal. A frequência de operação
especificada pelo fabricante representa a frequência de ressonância série se a configuração do
circuito especificada for a série, ou representa uma frequência entre fs e fa se for especificada
uma configuração paralela. Neste último caso a frequência de operação é medida quando se
submete o cristal a uma carga capacitiva que é normalmente de 32 pF. Outros parâmetros
importantes são a estabilidade em frequência à temperatura de referência e a tolerância de
frequência na gama de temperaturas de utilização. A forma como a frequência varia com a
temperatura varia de corte para corte (processo de fabrico do cristal) e em geral o corte AT é o
que apresenta melhores coeficientes de temperatura.
39
 Igualmente deve-se ter em conta o aging rate do cristal que se traduz numa variação da
frequência de operação com o envelhecimento do cristal. Para aplicações de elevada
estabilidade deve-se ter ainda em conta o nível de excitação (drive level) do cristal. Este está
relacionado com a potência máxima que pode ser dissipada pelo dispositivo. Ultrapassar o
valor máximo especificado pelo fabricante pode levar a:

• Envelhecimento acelerado do cristal;

• Pioria da estabilidade em frequência devido ao aquecimento do cristal;

• Em situações extremas à fractura do cristal.

2.2.5.2 Características dos restantes elementos

De modo a não prejudicar a estabilidade em frequência do oscilador os restantes elementos do

circuito devem ter a menor contribuição possível para a frequência de oscilação do circuito.
Embora a função do dispositivo activo seja a de garantir ganho suficiente à frequência de
interesse, devido aos seus elementos parasitas reactivos acaba por ter também influência na
estabilidade da frequência de oscilação. De modo a minimizar esse efeito, a frequência de
transição para o dispositivo activo deve ser especificada como sendo entre dez a vinte vezes a
frequência de operação. Se tal solução contrariar o aspecto económico é também possível
utilizar uma frequência de transição inferior, à custa de perda de estabilidade.

Qualquer circuito sintonizado que seja porventura usado deverá possuir um factor de
qualidade baixo de modo a minimizar os seus efeitos na frequência de oscilação. A adição de
um elemento reactivo em série com o cristal (geralmente um trimmer) para ajustar a
frequência de oscilação é de prática corrente, pois permite compensar pequenos desvios de
frequência da pretendida. Contudo a inclusão desse elemento prejudica a estabilidade do
oscilador com a temperatura uma vez que não se pode garantir um coeficiente de temperatura
nulo para esse elemento. Aliás é esse um dos métodos que se usa para corrigir a variação de
frequência com a temperatura para um oscilador a cristal. Contudo esse assunto ultrapassa o
âmbito deste artigo.

2.2.5.3 Características do oscilador a cristal

Duas figuras de mérito dos osciladores a cristal são a estabilidade em frequência a uma
temperatura fixa e a estabilidade em frequência dentro de uma gama de temperaturas. Outras
características, são a frequência de oscilação, a tensão de alimentação, a potência consumida
pelo circuito, a estabilidade em amplitude do sinal, a distorção harmónica na carga, o valor da
carga aceite e a potência de sinal na carga.

2.2.5.4 Configurações usuais

Apenas se apresenta configurações baseadas num único dispositivo activo que conduzem a
uma maior simplicidade e mais baixo custo do circuito. Os três primeiros circuitos (figura 22)
utilizam cristais na configuração paralela e destinam-se às frequências mais baixas. O cristal é

40
operado indutivamente e tem de ser ressonante com a malha capacitiva para criar uma alta
impedância à frequência de oscilação.

Figura 22: Osciladores do modo paralelo: Colpits, Pierce e Clapp.

Para as frequências mais elevadas as condições de ganho impõem valores para as capacidades
tais que a carga imposta ao cristal é inferior à especificada pelo fabricante (usualmente 32 pF)
e por isso é necessário utilizar outra configuração de circuito oscilador.

As configurações que ultrapassam este problema são as da figura 23. O cristal funciona perto
da ressonância série. A baixa impedância do cristal a essa frequência permite que o sinal
dessa frequência passe com pouca atenuação enquanto as outras frequências são bloqueadas
pelo cristal.

Figura 23: Osciladores do modo série: Impedance Inverting Pierce e Grounded Base.

Mas estas configurações também podem usar um cristal em ressonância paralela se se

adicionar em série com o cristal uma indutância de valor adequado que tem a função de baixar
a frequência de ressonância série do cristal. Contudo esta técnica (usada no Impedance
Inverting Pierce) pode conduzir a oscilações não controladas pelo cristal.

2.2.5.5 Técnica para projectar e analisar o oscilador a cristal

2.2..5.5.1 A. Considerações iniciais.

Em primeiro lugar é necessário definir as especificações para o circuito oscilador a montar.

Essas especificações podem incluir a frequência de oscilação, a estabilidade em frequência, a
distorção harmónica, a carga aceite, a potência na carga, a tensão de alimentação e
eventualmente o consumo máximo. Uma vez que o cristal de quartzo é um componente
relativamente dispendioso há que atender aos requisitos de estabilidade em frequência para
justificar o uso, ou não, de um oscilador a cristal. A escolha do cristal de quartzo obedece aos
critérios de estabilidade pretendidos. Aliás o preço do cristal depende das suas características
de estabilidade em frequência. Caso se pretenda usar um trimmer em série com o cristal para

41
corrigir eventuais desvios de frequência não se deve sobre especificar as suas características
de estabilidade por razões já apontadas. O outro aspecto importante é obter o seu modelo
equivalente da figura 1. Para tal é necessário usar os valores fornecidos pelo fabricante, ou na
ausência de alguns destes, usar um procedimento experimental para os medir.

Tomada a opção pelo oscilador a cristal e caso a frequência de operação seja elevada existem
duas opções a escolher: opta-se por utilizar um cristal que funcione a essa frequência ou opta-
se por utilizar um multiplicador de frequência e usar um cristal de frequência mais baixa. Esta
última opção tem somente como vantagem o factor económico já que um cristal de mais baixa
frequência é mais barato e o multiplicador de frequência pode ser realizado com pouco
aumento de complexidade do circuito original. Para isso, e por exemplo para a configuração
Colpits, é suficiente colocar no colector do transístor um circuito sintonizado para o
harmónico de interesse. Porém é necessário lembrar que esta opção leva a uma pioria da
estabilidade do oscilador por um factor de n (em que n é o factor de multiplicação da
frequência). O transístor a utilizar deverá ser capaz de fornecer ganho suficiente e a potência
necessária na carga à frequência de operação. Para melhor estabilidade a sua frequência de
transição deverá situar-se entre dez a vinte vezes a frequência de operação. Com base na
frequência de operação, tipo de cristal e requisitos de estabilidade deverá escolher-se a
configuração adequada para o circuito. As mais usuais estão esquematizadas nas figuras 22 e
23.

2.2.5.5.2 Dimensionamento

Caso a carga a atacar seja de baixa impedância existe necessidade de utilizar uma malha de
adaptação. Em rádio frequência é usual ter cargas que variam entre os 50 e os 100 ohms. As
malhas de adaptação mais simples são o divisor capacitivo, a malha L e o transformador. Uma
vez conhecida a carga a adaptação com estas malhas é um processo mais ou menos trivial.
Note-se que uma carga mais elevada também implica uma maior tensão de alimentação do
circuito para permitir a excursão de sinal necessária no ponto do circuito oscilador onde é
colocada a malha. Caso a tensão de alimentação esteja definida à partida há que tomar atenção
ao valor máximo da carga que se especifica. Ainda, para o caso do oscilador do modo
paralelo, há que ter em conta a dissipação no cristal. Os valores recomendados param a carga
de colectores situam-se entre os 300 e 2000 ohm. Valores mais elevados levam a um menor
consumo dc. Para as configurações onde o sinal para a malha provém de um ponto de baixa
impedância do circuito pode-se usar valores mais baixos para essa carga. Seguidamente
define-se a amplitude do sinal de tensão na junção BE do transístor pretendida. Os osciladores
são circuitos não lineares e a maioria baseiam-se na não linearidade do dispositivo activo para
controlar a amplitude de oscilação, como sucede com as configurações apresentadas.

Considerando x = VBE / VT pode definir-se, para o transístor bipolar, uma transcondutância

2𝐼 (𝑥)
para grande sinal, 𝐺𝑚 (𝑥) = 𝑔𝑚. 𝑥𝐼1 (𝑥) , onde gm é a transcondutância para pequeno sinal e
𝑜
I1( x)e Io ( x) são funções de Bessel modificadas. Deste modo, a análise para sinal do
oscilador toma-se com base no modelo simplificado do transístor, apresentado na figura
seguinte

42
 Figura 24: Modelo para grande sinal do transístor bipolar.

O modo como a transcondutância varia com o aumento da amplitude do sinal traduz a

diminuição do ganho do dispositivo. Essa variação é representada no gráfico da figura 26.

Figura 25: Gm(x)/gm em função de x.

Este tipo de análise além de garantir que as condições iniciais de oscilação são cumpridas,
permite também projectar a amplitude de oscilação.

A escolha para o grau de não linearidade, x, resulta de um compromisso. Por um lado um

valor mais elevado implica melhor estabilidade em amplitude e por outro implica maior
distorção do sinal, embora seja preciso atender que a distorção harmónica também dependerá
do tipo de malha de adaptação usada e do factor de qualidade da carga colocada no colector.
Definida a amplitude do sinal no ponto do circuito onde se retira a amostra e a amplitude do
sinal na junção Vbe pode-se dimensionar a malha de realimentação; geralmente são os pontos
do circuito antes e depois da malha de realimentação. Para um oscilador do modo paralelo
trata-se de dimensionar os valores de dois condensadores. O valor dessas capacidades deverá
ser o maior possível de modo a minimizar os efeitos das capacidades parasitas do transístor
que aliás podem ser incluídas no dimensionamento; também deverão atender ao valor máximo
para o drive level do cristal. Para osciladores do modo série com a base à massa trata-se de
dimensionar o valor de dois condensadores e de uma indutância. Note-se que neste caso o
cristal também contribui para a atenuação do sinal e esse facto terá de ser levado em conta. O
factor de qualidade do circuito deve manter-se baixo e jogar com valores para as capacidades
e indutância de modo a minimizar os efeitos de parasitas. Pode-se em seguida calcular a
transcondutância para grande sinal necessária e daí, em função de x, retirar o valor de
transcondutância para pequeno sinal (gm). Conhecido gm procede-se à polarização do
transístor. Nos casos em que o colector do transístor não está, para sinal, à massa, revela-se
útil no projecto utilizar uma indutância para fazer a alimentação do colector. O uso desta
permite uma maior excursão de sinal e permite manter fixa a tensão de polarização do
colector (igual à tensão de alimentação) independentemente da corrente de polarização do
transístor. Temos assim o projecto praticamente concluído. O projecto deverá ser feito com
cuidado de modo a ter praticamente a certeza que o circuito funcionará como o previsto.
43
Para confirmar a validade do projecto dever-se-á recorrer em seguida a um programa de
análise não linear, tal como o PSpice. O aspecto crítico na simulação do circuito oscilador
reside no próprio cristal. Uma vez que o factor de qualidade do cristal é muito elevado a
dinâmica do sistema torna-se muito lenta o que exige tempos de simulação muito longos. Por
outro lado os parâmetros da modelização do cristal nem sempre são muito exactos o que
agrava a situação. Daí que o projecto deva ser feito atenciosamente e se necessário usar
componentes de valores ajustáveis de modo a corrigir eventuais desvios.

2.2.5.6 Osciladores realizados

Com propósito demonstrativo apresentam-se três osciladores, a operarem a 1MHz, 10MHz e

100MHz para os quais será dada uma curta explicação de alguns aspectos relacionados com o
projecto e apresentada uma tabela com as suas principais características. O oscilador de 1
MHz (figura 26) utiliza uma configuração Pierce modificada. A configuração Pierce é das
mais simples em termos de análise e é das que apresenta melhor estabilidade em frequência.
Uma vez que com a configuração normal não era possível manter o drive level do cristal
abaixo do valor máximo, optou-se por colocar o cristal no ponto da malha de realimentação
onde a amplitude do sinal é menor e por isso a dissipação no cristal é pequena. Incluiu-se um
trimmer em série com o cristal para ajustar ligeiramente a frequência. O sinal que ataca a
carga é retirado do colector do transístor através de um divisor capacitivo.

Figura 26: Oscilador de 1 MHz.

O oscilador de 10 MHz (figura 27) também usa a configuração Pierce. Escolheu-se o tipo de
malha de adaptação L (com entrada C) para aproveitar as características de filtro passa-baixo
desta malha reduzindo a distorção harmónica na carga. É necessário usar um condensador à
saída da malha para bloquear a corrente contínua para a carga. A capacidade total usada entre
o colector e a massa resulta da combinação da capacidade da malha de adaptação e da
capacidade da malha de realimentação.

44
 Figura 27: Oscilador de 10 MHz.

O oscilador de 100 MHz (figura 27) utiliza a configuração grounded base. A realimentação é
efectuada pelo divisor capacitivo e pelo cristal. O divisor capacitivo é ressonante, à frequência
de oscilação, com uma indutância de modo a que a carga imposta ao colector seja resistiva. A
adaptação da carga é feita por uma malha L (com entrada L). As indutâncias da malha de
realimentação e da malha de adaptação estão combinadas numa única indutância. Também a
alimentação do colector do transístor é feita pela bobina que é comum às duas malhas. O
ajuste da indutância permite maximizar a amplitude do sinal no colector e o ajuste do trimmer
permite variar ligeiramente a frequência.

Figura 28: Oscilador de 100 MHz.

Para o nosso projecto que centraliza em ondas curtas podemos analisar e recalcular o
oscilador de 1 e 10 MHz para trabalhar a frequência da portadora do sinal de SSB, com tudo
prometemos realizar tais cálculos para o próximo projecto.

45
Vantagens e Desvantagens dos detectores de SSB com o MC1496

Vantagens:

Com o emprego do CI MC1496 para o detector de SSB detector de produto se pode obter uma
excelente linearidade e uma saída do sinal de áudio sem distorções, o CI MC1496 elimina os
harmónicos indesejados na saída, bem como as componentes do sinal do OL e os sinais
espúrios de ordem ímpar resultantes das características não lineares das curvas IxV dos
dispositivos, permitindo somente a sua saída o produto dos sinais de entrada, possui um ganho
positivo e se pode maximizar em função de Re, e possui uma alta sensibilidade, aumenta a
isolação entre as portas, maior imunidade ao ruído e linearidade mantida para sinais de maior
amplitude. E usando um oscilador a cristal de quartzo na configuração Pierce proporcionará
maior estabilidade de frequência.

Desvantagens:

A necessidade de reduzir a amplitude da portadora para o seu intervalo linear para reduzir os
harmónicos gerados pela operação saturada do duplo amplificador diferencial, faz com que se
reduz o ganho do dispositivo MC1496, e faz com que o sinal de saída conte um sinal da
portadora com variações de amplitude.

Conclusão do capítulo II

Neste capitulo se realizou e se desenhou um detector de produto a base de circuito integrado,

e se traçou metodologia para a construção do oscilador a cristal de quartzo o que permitiu
além do mas elevar a uma ferramenta metodológica para seus posteriores cálculos e
simulação.

Conclusão geral

Despois da realização deste projecto, podemos afirmar que se cumpriu com o objectivo que se
traçou para o desenvolvimento do mesmo, pois depois de consultar em diferentes bibliografias
foi visto que o conteúdo reunido, estruturado e organizado para esta investigação sobre o
detector de produto usando o circuito integrado MC1496 justifica que o emprego deste
circuito integrado proporciona grandes vantagens na recepção óptima em HF dos sinais de
SSB o que permite que seu emprego seja mais adequado na comunicação em ondas cortas nas
FAA.

Recomendações

Recomendamos para o próximo trabalho realizar os cálculos e simulação do detector de

produto investigado.

46
Referências Bibliográficas

1. CHIRLIAN, PAUL M. Análises e desenho de circuitos electrónicos. Livros McGraw

Hill de México, México. Segunda Edição 1970. É um livro destinado ao estudo de
circuitos electrónicos que dedica seu capítulo 13 a circuitos de modulação e
demodulação.
2. MATIERO, R. Frequência Modulada, estéreo multiplex. Edicões Hache - Efe,
Buenos Aires. 1976. É uma obra simples, descritiva de sistemas e circuitos
empregados para transmissão e recepção de FM.
3. VILLAMIL, E. Banda Lateral Única. Edicões Hache - Efe. Buenos Aires. 1960. Esta é
outra obra descritiva, destinada ao estudo de sistemas e circuitos empregados para
transmissão e recepção de BLV.
4. BUREAU OF NAVAL PERSONNEL DE LA U.S. NAVY. Curso completo de
electrónica. Editorial Glem Buenos Aires. 1970. É um livro que faz a maior parte das
análises sobre circuitos a tubos. Tem interesse pela forma simples na qual explica
sistemas e circuitos.
5. http://onsemi.com (AN531-D)
6. DOUTORADO:PROJETO DE MISTURADOR COM TOPOLOGIA CÉLULA DE
GILBERT UTILIZANDO PHEMT
7. JACK SMITH, "Modern Communication Circuits".
8. MARVIN E. FRERKING, "Crystal Oscillator Design and Temperature
Compensation".
9. SOL LAPATINE, "Electronics in Communication".
10. CLARKE AND HESS, "Communication Circuits: Analysis and Design".
11. JOÃO N. P. MATOS, "Contribuição ao Estudo e Projecto de
12. SINCRONIZADORES DE SINAIS EM RF E MW".
13. MICROSIMS, "NT Evaluation PSpice - version 6.3".

47
ANEXOS

Anexo 1: Análise AC e DC

Figura do modelo de análise

Com referência na Figura acima do texto, a seguinte equações se da por:

𝑉𝑦
𝐼𝑦 = (quando RE ≫ re) (1A)
𝑅𝐸
𝐼1 + 𝐼𝑦 𝐼1 + 𝐼𝑦
𝐼2 = 𝑉𝑥 , 𝐼3 = −𝑉𝑥 ,
1+𝑒 𝑎 1+𝑒 𝑎 𝐾𝑇
(2A) Onde 𝑎= (3𝐴)
𝐼1 − 𝐼𝑦 𝐼1 − 𝐼𝑦 𝑞
𝐼4 = −𝑉𝑥 , 𝐼5 = 𝑉𝑥
{ 1+𝑒 𝑎 1+𝑒𝑎

𝐼1 + 𝐼𝑦 𝐼1 − 𝐼𝑦
𝐼𝐴 = 𝐼2 + 𝐼4 = 𝑚
+ −𝑚
, 𝑉𝑥
{ 1 + 𝑒 1 + 𝑒 (4A) Onde 𝑚= (5𝐴)
𝐼1 + 𝐼𝑦 𝐼1 − 𝐼𝑦 𝑎
𝐼𝐵 = 𝐼3 + 𝐼5 = +
1 + 𝑒 −𝑚 1 + 𝑒 𝑚
1 1 1 1
𝐼𝐴 −𝐼𝐵 = (𝐼1 + 𝐼𝑦) [ 𝑚
− −𝑚
] + (𝐼1 − 𝐼𝑦) [ −𝑚
− ]
1+𝑒 1+𝑒 1+𝑒 1 + 𝑒𝑚
1 + 𝑒 −𝑚 − 1 − 𝑒 𝑚
= (𝐼1 − 𝐼𝑦) [ ]
(1 + 𝑒 −𝑚 )(1 + 𝑒 𝑚 )
(𝐼1 + 𝐼𝑦)(𝑒 −𝑚 − 𝑒 𝑚 ) + (𝐼1 − 𝐼𝑦)(𝑒 𝑚 − 𝑒 −𝑚 )
=
(1 + 𝑒 −𝑚 )(1 + 𝑒 𝑚 )

𝐼1 𝑒 −𝑚 − 𝐼1 𝑒 𝑚 + 𝐼𝑦𝑒 −𝑚 − 𝐼𝑦𝑒 𝑚 + 𝐼1 𝑒 𝑚 − 𝐼1 𝑒 −𝑚 − 𝐼𝑦𝑒 𝑚 + 𝐼𝑦𝑒 −𝑚

=
(1 + 𝑒 −𝑚 )(1 + 𝑒 𝑚 )

48
 2𝐼𝑦(𝑒 −𝑚 − 𝑒 𝑚 ) 2𝐼𝑦. 𝑅𝐿 (𝑒 −𝑚 − 𝑒 𝑚 )
= ; ∆𝑉0 = (𝐼𝐴 −𝐼𝐵 ). 𝑅𝐿 (6𝐴), ∆𝑉0 =
(1 + 𝑒 −𝑚 )(1 + 𝑒 𝑚 ) (1 + 𝑒 −𝑚 )(1 + 𝑒 𝑚 )

𝑉𝑖𝑛 ∆𝑉0 2𝑅𝐿 (𝑒 −𝑚 − 𝑒 𝑚 )

𝑚𝑎𝑠 𝑐𝑜𝑚𝑜, 𝐼𝑦 = (7𝐴), 𝑒𝑛𝑡ã𝑜; = [ ] (8𝐴)
𝑅𝐸 𝑉𝑖𝑛 𝑅𝐸 (1 + 𝑒 −𝑚 )(1 + 𝑒 𝑚 )

𝑉𝑥 𝑉𝑥
𝑟𝑒𝑐𝑜𝑟𝑑𝑎𝑛𝑑𝑜 𝑞𝑢𝑒 𝑚 = = 𝐾𝑇
𝑎
𝑞

Disto pode ser visto que ganho de voltagem é uma função do nível entrada fornecido aos
quatro transístores superiores:

∆𝑉0 2𝑅𝐿 2𝑅𝐿 𝑉𝑦

= 𝐴𝑣 = [𝑓(𝑚)] (9𝐴), 𝑒 ∆𝑉0 = [𝑓(𝑚)] (10𝐴)
𝑉𝑖𝑛 𝑅𝐸 𝑅𝐸

Uma curva de f(m) contra nível entrada fornecido aos quatro transístores diferenciais
superiores se mostra na figura abaixo:

Figura :VX versus [fm]

O MC1496 é, por conseguinte, um multiplicador linear no intervalo de V x para o qual [F

(m)] é uma função linear de V x . Esta gama de X pode ser obtida por inspecção da Figura
acima e é cerca de zero a 50 milivolts. Examinando o caso de um pequeno sinal de V x nível
de entrada rendimentos matematicamente

Assumindo; 𝑉𝑥 ≪ 𝑎, (11A) então 𝑒 𝑚 ≪ 0.1 (12A); 𝑒 𝑚 ≈ 1 + 𝑚; 𝑒 −𝑚 ≈ 1 − 𝑚 (13A),

(1 − 𝑚) − (1 + 𝑚) −2𝑚 −2𝑚 −2𝑚 −𝑚

[𝑓(𝑚)] ≈ [ ]=( ) (14𝐴), ( )≈ ≈ (15𝐴)
(2 + 𝑚)(2 − 𝑚) 4 − 𝑚2 4−𝑚 2 4 2
∆𝑉0 2𝑅𝐿 (−𝑚) −𝑅𝐿 𝑚 −𝑅𝐿 𝑉𝑦𝑚 −𝑅𝐿 𝑉𝑦𝑉𝑥
Então = 𝐴𝑣 = [ ]= (16𝐴), 𝑉0 = = (17A)
𝑉𝑖𝑛 𝑅𝐸 2 𝑅𝐸 𝑅𝐸 𝑅𝐸 𝑎

Equação (17A) mostra que o MC1496 é um multiplicador linear quando Vx 3 2.6 mV. Porém,
como foi observado através da inspecção mais cedo, da Figura acima o dispositivo é capaz de
aproxima a operação de multiplicador linear quando Vx é 3 50 mV. Para o caso de um Vx
notável grande introduza nível:

49
 𝑚 −𝑚
2𝑅𝐿 (−𝑒 𝑚 ) −2𝑅𝐿
𝑉𝑥 ≫ 𝑎, (18𝐴) 𝑒 ≫ 1 , 𝑒 ≪1 (19𝐴) 𝑙𝑜𝑔𝑜; 𝐴𝑣 = [ 𝑚 ]= (20𝐴)
𝑅𝐸 𝑒 𝑅𝐸

−𝑅𝐿 𝑉𝑦
𝑉0 = (21𝐴)
𝑅𝐸

E A equação (20A) indica que neste modo o nível de saída é independente do nível de V x .
Esta característica é útil em muitas aplicações de comunicações do MC1496. Análise
matemática para sinais de entrada de corrente alternada é dado abaixo para dois modos de
operação que cobrem a maioria das aplicações do MC1496. Estes modos são: (1) V x e V y de
baixo ondas senoidais nível, e de onda senoidal (2) baixo nível de V y e um entrada do sinal
grande para V x (Seja uma onda senoidal de alto nível ou um entrada de onda quadrada)
dando origem a uma comutação simétrico operação dos amplificadores diferenciais
superiores, Q1, Q2, Q3 e Q4.

Para sinais de entrada de onda senoidal,

Vx = Excos 𝑤𝑥. 𝑡 (22𝐴) 𝑒 𝑉𝑦 = 𝐸𝑦 cos 𝑤𝑦. 𝑡 (23𝐴)

Onde E x e E y são os valores de pico de X e Y de entrada voltagens, respectivamente.

Portanto; 𝑉0 = 𝐾𝐸𝑥𝐸𝑦 (cos 𝑤𝑥. 𝑡). ( cos 𝑤𝑦. 𝑡) (24𝐴)

Efectuando esta multiplicação temos:

𝑉0 = 𝐾𝐸𝑥𝐸𝑦 [cos( 𝑤𝑥 + 𝑤𝑦)𝑡+. cos(𝑤𝑥 − 𝑤𝑦)𝑡] (25𝐴)

O segundo modo de operação pode ser analisada por assumindo a função de comutação onda
quadrada na parte superior amplificadores diferenciais e aplicando análise de Fourier.

Figura acima: Forma de onda de entrada e Saída para sinais de alta Nível de entrada superior e de
baixo nível de entrada.

O formulário de séries de Fourier para a onda quadrada simétrica de sinal representada na

figura é: 𝑆(𝑡) = 2 ∑∞𝑛=1 𝐴𝑛 cos 𝑛𝑤𝑥. 𝑡 (26A)

𝜋𝑛
sin
onde os coeficientes de Fourier são; 𝐴𝑛 = [ 𝜋𝑛
2
] (27𝐴)
2

A tensão de saída é, por conseguinte:

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Note-se que a equação (25A) prevê que para a entrada de baixo nível de sinais, o sinal de
saída consiste na soma e diferença frequências ( ω x ± ω y) Somente, quanto a equação (28A)
prevê que a operação com uma entrada de alto nível para a V x a entrada, produzirá na saída
as frequências ω x ± ω y, 3 ω x ± ω y, 5 ω x ± ω y, etc.

Anexo 2: Data sheet do MC1496

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