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UNIVERSIDADE FEDERAL DE GOIÁS

ESCOLA DE ENGENHARIA ELÉTRICA,


MECÂNICA E DE COMPUTAÇÃO

APOSTILA DA DISCIPLINA

MATERIAIS ELÉTRICOS
VERSÃO 2017_1

Ementa: estudo dos materiais e dispositivos condutores, semicondutores, isolantes


e magnéticos; propriedades, fenômenos e conceitos básicos de interesse.

Prof. Dr. Gelson Antônio Andrêa Brigatto


BIBLIOGRAFIA
 Básica:
1. SCHIMIDT, Walfredo. Materiais Elétricos, Vols. I e II, Edgard Blücher, São Paulo, 1979.
2. SHACKELFORD, James F. Ciência dos Materiais, 6º Edição, Prentice-Hall, 2008.
3. CALLISTER, William D. Fundamentos da Ciência e Engenharia de Materiais, 2a Ed., Editora LTC, 2006.
4. SEDRA, Adel S., Microeletrônica, 5o Edição, Makron Books, 2007.
 Complementar:
1. SARAIVA, Delcyr B. Materiais Elétricos, Editora Guanabara Dois, Rio de Janeiro, 1983.
2. BOYLESTAD, Robert, NASHELSKY, Louis, Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, 6º Edição,
Prentice-Hall do Brasil Ltda, 1998.
3. HALLIDAY, D., RESNICK, R., Física, 4º Edição, Livros Técnicos e Científicos, .
4. MILLMAN, Jacob; Grabel, Arvin. Microeletrônica, Vol. I, Editora McGraw Hill, 1991.
5. COTRIM, Ademaro, Instalações Elétricas, 4º Edição, Prentice-Hall, 2003

ÍNDICE
CAPÍTULO 1: Tópicos introdutórios ...............................................................................................................................1
1.1) Propriedades de interesse dos materiais ................................................................................................................1
1.1.1) Propriedades elétricas .....................................................................................................................................1
1.1.2) Propriedades magnéticas ................................................................................................................................1
1.1.3) Propriedade físicas ......................................................................................................................................... 1
1.1.3.1) Estado físico ............................................................................................................................................1
1.1.3.2) Massa específica ......................................................................................................................................2
1.1.4) Propriedades mecânicas.................................................................................................................................. 3
1.1.4.1) Resistência mecânica ...............................................................................................................................3
1.1.4.2) Elasticidade ............................................................................................................................................. 3
1.1.4.3)
1.1.5) Outras propriedades
Propriedades mecânicas de interesse ...........................................................................................4
térmicas .....................................................................................................................................
1.1.5.1) Dilatação térmica .....................................................................................................................................4
1.1.5.2) Condutividade térmica.............................................................................................................................5
1.1.5.3) Calor específico .......................................................................................................................................6
1.1.6) Propriedades químicas - Resistência à corrosão .............................................................................................7
1.1.7) Fator custo dos materiais ................................................................................................................................7
1.1.7.1) Exemplo de caso: cobre versus alumínio ................................................................................................ 8
1.2) Modelo da matéria por bandas de energia .............................................................................................................9
1.2.1) Níveis de energia estacionários ......................................................................................................................9
1.2.2) Bandas de energia e classificação elétrica dos materiais .............................................................................. 11
1.3) Tópicos complementares .....................................................................................................................................12
1.3.1) Pilhas e baterias ............................................................................................................................................12
1.3.2) Lâmpadas...................................................................................................................................................... 13
1.3.3) Fibra ótica .....................................................................................................................................................15
1.3.4) Laser .............................................................................................................................................................16
1.3.5) Célula combustível a hidrogênio ..................................................................................................................17
1.4) Exercícios
CAPÍTULO propostos
2: Materiais ............................................................................................................................................
e dispositivos condutores .......................................................................................................19 17
2.1) Fenômeno da condução elétrica ..........................................................................................................................19
2.1.1) Condutividade e resistência elétricas............................................................................................................19
2.1.2) Fatores que influenciam na resistência elétrica ............................................................................................21
2.1.2.1) Grau de impureza e imperfeições no material .......................................................................................21
2.1.2.2) Temperatura ........................................................................................................................................... 21
2.1.2.3) Efeito pelicular ......................................................................................................................................23
2.2) Materiais e dispositivos condutores.....................................................................................................................24
2.2.1) Os metais e suas características ....................................................................................................................24
2.2.2) Ligas metálicas ............................................................................................................................................. 26
2.2.3) Carvão para fins elétricos ............................................................................................................................. 28
2.2.4) Conexões elétricas ........................................................................................................................................ 28

II
2.2.5) Condutores elétricos .....................................................................................................................................29
2.2.6) Resistores e resistências ...............................................................................................................................30
2.2.7) Bimetais ........................................................................................................................................................ 32
2.3) Tópicos complementares .....................................................................................................................................33
2.3.1) Termoeletricidade ......................................................................................................................................... 33
2.3.2) Supercondutividade ......................................................................................................................................34
2.4) Exercícios propostos............................................................................................................................................ 35
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes...........................................................................................................37
3.1) Propriedades e fenômenos ................................................................................................................................... 37
3.1.1) Rigidez dielétrica ..........................................................................................................................................37
3.1.2) Polarização dielétrica ................................................................................................................................... 37
3.1.3) Permissividade dielétrica ..............................................................................................................................38
3.1.4) Capacitância ................................................................................................................................................. 39
3.1.5) Perdas, fator de perdas e efeito Corona ........................................................................................................39
3.2) Materiais e dispositivos isolantes ........................................................................................................................41
3.2.1) Materiais isolantes e dielétricos....................................................................................................................41
3.2.2) Isolamentos e isoladores...............................................................................................................................41
3.2.3) Capacitores ...................................................................................................................................................43
3.2.4) Eletretos e cristais piezoelétricos..................................................................................................................44
3.3) Exercícios propostos............................................................................................................................................ 45
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos ......................................................................................................46
4.1) Propriedades e fenômenos ................................................................................................................................... 46
4.1.1) Polarização magnética .................................................................................................................................. 46
4.1.2) Permeabilidade magnética e classificação dos materiais ............................................................................. 47
4.1.3) Magnetização, retentividade magnética e ciclo de histerese ........................................................................47
4.1.4) Indução eletromagnética, indutância e correntes de Foucault ......................................................................49
4.2) Materiais e dispositivos magnéticos .................................................................................................................... 50
4.2.1) Materiais e ligas ferromagnéticas .................................................................................................................50
4.2.2) Bobinas magnéticas ......................................................................................................................................51
4.2.3) Máquinas elétricas ........................................................................................................................................ 53
4.2.4) Relés eletromecânicos e transdutores ...........................................................................................................55
4.3) Exercícios propostos............................................................................................................................................ 56
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores .................................................................................................57
5.1) Semicondutor intrínseco ......................................................................................................................................57
5.1.1) Fenômenos de transporte em semicondutores ..............................................................................................57
5.1.2) Componentes semicondutores puros ............................................................................................................59
5.2) Semicondutor extrínseco ....................................................................................................................................60
5.2.1) Dopagem e classificação ..............................................................................................................................61
5.2.2) Condutividade e densidade de corrente de condução ...................................................................................61
5.2.3) Efeito Hall ....................................................................................................................................................63
5.3) Junção PN ...........................................................................................................................................................64
5.3.1) Corrente de difusão e densidade de corrente total ........................................................................................64
5.3.2) Junção PN, camada de depleção e barreira de potencial ..............................................................................65
5.3.3) Modos de polarização do cristal PN ............................................................................................................. 67
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN - I: diodos ......................................................................................................69
6.1) Aspectos gerais .................................................................................................................................................... 69
6.1.1) Símbolos, convenções e especificações máximas ........................................................................................69
6.1.2) Característica corrente-tensão e modos de operação ....................................................................................70
6.2) Análise de circuitos com diodos ..........................................................................................................................71
6.2.1) Conceito de reta de carga .............................................................................................................................72
6.2.2) Modelos do diodo para grandes sinais e baixas frequências ........................................................................ 73
6.2.3) Análise CC ...................................................................................................................................................74
6.2.4) Análise CA ...................................................................................................................................................76
6.2.4.1) Retificadores com diodos ......................................................................................................................78
6.2.4.2) Ceifadores com diodos ..........................................................................................................................81
6.3) Comportamentos do diodo em pequenos sinais ..................................................................................................85
6.3.1) Modelo do diodo para pequenos sinais e altas frequências ..........................................................................85
6.3.1.1) Resistência incremental ......................................................................................................................... 85
6.3.1.2) Capacitância de difusão .........................................................................................................................86
6.3.2) Tempo de recuperação reversa .....................................................................................................................87
6.4) Cristais PN de finalidade específica ....................................................................................................................88
III
6.4.1) Diodo zener ..................................................................................................................................................88
6.4.1.1) Regulador de tensão com zener .............................................................................................................90
6.4.2) Componentes optoeletrônicos ...................................................................................................................... 92
6.4.2.1) Diodos emissores de luz ........................................................................................................................ 92
6.4.2.2) Fotodiodo e célula fotovoltaica .............................................................................................................93
6.4.2.3) Optoacopladores .................................................................................................................................... 95
6.4.3) Diodo Schottky .............................................................................................................................................95
6.4.4) Varicap .........................................................................................................................................................95
6.4.5) Varistores...................................................................................................................................................... 96
6.5) Exercícios propostos............................................................................................................................................ 96
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN - II: TBJ ........................................................................................................99
7.1) Aspectos gerais .................................................................................................................................................... 99
7.2) Modos de operação do TBJ ...............................................................................................................................101
7.3) Configurações do TBJ ....................................................................................................................................... 102
7.3.1) Efeito Early................................................................................................................................................. 103
7.3.2) Configuração base-comum .........................................................................................................................103
7.3.3) Configuração emissor-comum....................................................................................................................105
7.3.4) Configuração coletor comum .....................................................................................................................106
7.4) Análise CC de circuitos com TBJ .....................................................................................................................106
7.4.1) Linhas de alimentação ................................................................................................................................106
7.4.2) Reta de carga ..............................................................................................................................................107
7.4.3) Modelos esquemáticos do TBJ ...................................................................................................................108
7.4.4) Metodologia da análise CC ........................................................................................................................110
7.4.5) Aplicações básicas do TBJ .........................................................................................................................113
7.5) Tópico complementar: fototransistor ................................................................................................................116
7.6) Exercícios propostos..........................................................................................................................................117
Apêndice: respostas de alguns exercícios propostos......................................................................................................120

PREFÁCIO
O ramo da Engenharia Elétrica exibe uma permanente seqüência de desenvolvimentos e descobertas
científicas, ostentando uma surpreendente evolução na área de materiais e componentes e no campo dos
métodos, processos produtivos e de automatização que perdura até os dias atuais. A evolução da Física
macroscópica e microscópica, aliada à capacidade técnica do engenheiro-pesquisador, tem possibilitado aos
centros de pesquisa uma avaliação mais precisa das propriedades dos materiais, ao determinar as condições
de variação com os parâmetros do meio e definir para estes um amplo espectro de contornos e aplicações.
Não raro, o Engenheiro do ramo elétrotécnico é solicitado para cooperar com profissionais de outras
especialidades no estabelecimento de especificações ou características desejáveis a um certo material ou
sistema a ser utilizado em novos equipamentos. Para que este objetivo seja satisfatoriamente alcançado,
torna-se imprescindível a habilidade técnica e profissional aliada a um conhecimento mais abrangente sobre
as leis e fenômenos físicos, estruturas físico-químicas da matéria e propriedades, para se obter a adequada
especificação nas diversas aplicabilidades encontradas para os materiais em Eletrotécnica.

Materiais
abordar Elétricospara
teorias básicas é uma das disciplinas
disciplinas do núcleoElétricas,
como Instalações específico do cursoElétricas,
Máquinas de Engenharia Elétrica, por
Transformadores e
Eletrônica, dentre outras. Seu conteúdo visa a análise das propriedades e fenômenos dos materiais de que
são constituídos os equipamentos e componentes eletro-eletrônicos, e deve possibilitar ao aluno “raciocinar”
em termos de matérias primas para proceder sua adaptação às condições de projeto e serviço, conferindo
então ao aluno conhecimentos mais amplos para melhor atuar em sua atividade profissional.
Assim, Materiais Elétricos constitui-se em uma disciplina básica para a adequada compreensão dos
diversos equipamentos e componentes que serão estudados posteriormente no curso de Engenharia Elétrica.

IV
CAPÍTULO 1: TÓPICOS INTRODUTÓRIOS
Este capítulo tem como objetivo realizar um estudo introdutório sobre diversas propriedades de interesse dos
materiais normalmente empregados em Eletrotécnica e apresentar conceitos sobre modelos de estrutura atômica para
melhor entendimento de alguns fenômenos, bem como conhecer algumas aplicações tecnológicas dos materiais.

1.1) PROPRIEDADES DE INTERESSE DOS MATERIAIS


Os materiais raramente atendem a todos os requisitos técnicos necessários ao desenvolvimento de um bom
produto final e sua escolha para uma determinada aplicação é normalmente justificada pelas diversas propriedades de
interesse que apresentam, tais como elétricas, magnéticas, físicas, mecânicas, térmicas e químicas, além do seu custo.
Logo, estas propriedades devem ser consideradas para proceder-se uma análise criteriosa de quais materiais utilizar e
quais substituir e as escolhas devem recair naqueles com características mais vantajosas. Um texto introdutório sobre
diversos fenômenos que definem propriedades dos materiais de interesse em Eletrotécnica é visto a seguir.

1.1.1) PROPRIEDADES ELÉTRICAS

Quando submetidos a campos elétricos, os materiais desempenham determinados comportamentos que definem
suas propriedades elétricas e os classificam dentro das três classes caracterizados por estes desempenhos: condutores,
semicondutores e isolantes. No campo da Eletrotécnica, as propriedades elétricas de maior interesse são:
 Conduti vidade elé tr ica: quantifica a maior ou menor disponibilidade do material em permitir um fluxo ordenado
de cargas livres por seu meio (a chamada corrente elétrica), quando este é submetido a uma diferença de potencial
(a chamada tensão elétrica). Esta quantificação pode ser também descrita pela oposição a este fluxo, denominada
resistividade, ou seja, o inverso da condutividade. Estas propriedades estão diretamente relacionadas com a perda
de energia no material na forma de calor, conhecida como Efeito Joule, que decorre do choque entre elétrons em
movimento com elétrons estacionários no material, sendo sua determinação essencial para aplicações onde exige-
se um transporte de energia com mínimas perdas. Estas propriedades elétricas são de maior interesse no estudo dos

 materiais
Permi ditos condutores,
ssividade tr ica: além
dielé dos ditos semicondutores,
é a propriedade que descreve e equantifica
serão mais detidamente
o quanto estudadas
a estrutura no Capítulo
atômica 2.
de um material
dito isolante elétrico, se polariza em oposição ao adensamento de um campo elétrico externo aplicado, ou seja, a
capacidade de polarização do material. Esta propriedade será mais detidamente estudada no Capítulo 3.
 Rigidez dielé tr ica: é a propriedade que expressa o limite máximo de diferença de potencial elétrico (tensão) por
unidade de espessura, que um material isolante elétrico pode suportar sem ter sua estrutura física rompida, ou seja,
a capacidade de isolação elétrica do material. Esta propriedade será mais detidamente estudada no Capítulo 3.

1.1.2) PROPRIEDADES MAGNÉTICAS


Quando submetidos a fluxos de campo magnético, os materiais desempenham determinados comportamentos
que definem suas propriedades magnéticas. Em Eletrotécnica, as propriedades de maior interesse são definidas por:
 Permeabilidade magné ti ca: descreve o grau de polarização de materiais a fluxos magnéticos aplicados, fenômeno
conhecido como magnetização. Certos materiais exibem ainda um limite para esta polarização, chamado saturação.
 Retentividade : quantifica a capacidade do material em manter um magnetismo residual com a retirada do campo.
Além disso, os materiais podem apresentar certa capacidade de produzir forças eletromotrizes em sua estrutura,
quando submetidos a fluxos magnéticos variantes no tempo, efeito este denominado indução eletromagnética.
Estas propriedades serão mais detidamente vistas no Capítulo 4 com o estudo dos materiais ditos magnéticos.
1.1.3) PROPRIEDADE FÍSICAS

As propriedades físicas estão relacionadas com o grau de agrupamento dos átomos constituintes da estrutura
atômica dos materiais, sendo o estado físico e a massa específica as de maior interesse em aplicações eletrotécnicas.

1.1.3.1) Estado físico


O estado físico é definido pela distância guardada entre si pelos átomos de um material e classificados como:
 Sólidos: são formados por átomos ou moléculas que permanecem muito próximos entre si e não se movimentam,
apenas vibram em torno de uma posição de equilíbrio, adquirindo, desse modo, forma própria e volume constante.
De acordo com a distribuição espacial de seus átomos, moléculas ou íons, os sólidos podem ser classificados em:
1
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

 Arranjos cristalinos: nestes a distribuição ocorre em uma forma


geométrica bem definida, denominada célula, que se repete em
todas as dimensões, constituindo-se na chamada rede cristalina.
As distribuições mais comuns são: sistema cúbico (Figura 1.1),
compreendendo o tipo simples (silício, germânio, etc.), de corpo
centrado (ferro, tungstênio, cromo, etc.) e face centrada (cobre,
alumínio, prata ouro, níquel, etc.); sistema hexagonal (zinco,
magnésio, cádmio, etc.); e tetragonal (estanho, etc.).
 Arranjos amorfos: materiais com distribuição dos átomos sem (a) (b) (c)
uma ordenação definida. Exemplos: grafita, vidros e polímeros.
Em geral, os sólidos são usados em aplicações onde se exige a Figura 1.1: Sistemas cúbicos: (a) simples;
manutenção da integridade física do material para este manter sua (b) corpo centrado, (c) face centrada.
função. São os materiais de maior uso em Eletrotécnica (equipamentos, componentes, estruturas de apoio, etc).
 Líquidos: são constituídos por moléculas mais afastadas que nos sólidos e com liberdade de se movimentarem de
modo a não guardar posição entre si, apresentando então volume constante mas não forma própria. Exemplos de
materiais líquidos empregados em aplicações eletrotécnicas são as soluções eletrolíticas em pilhas e baterias, óleos
isolantes elétricos em transformadores e chaves, pastas condutoras térmicas, tintas, esmaltes, vernizes, etc.
 Gasosos: são materiais formados por átomos, moléculas ou íons (plasma) bastante afastados entre si e que tendem
a se manter em expansão devido ao constante movimento, não apresentando então forma ou volume constante. Em
aplicações eletrotécnicas são principalmente gases e vapores em lâmpadas (argônio, vapores de sódio e mercúrio,
neon etc.) e como meio isolante entre fios e cabos (ar) e em disjuntores de potência e cabos subterrâneos (gás SF6).

Comentário: as ligações químicas são uniões estabelecidas entre átomos de acordo com a teoria do octeto (os átomos
alcançam a estabilidade quando adquirem oito elétrons na última camada, salvo exceções), de forma a constituírem a
estrutura básica dos diversos materiais e substâncias. As ligações químicas ocorrem basicamente de três formas:
 Ligação iônica: este tipo baseia-se na atração eletrostática entre dois íons com cargas opostas, por meio da doação
e recepção de elétrons. A ligação iônica é formada por um metal, que possui grande eletropositividade (tendência a
doar elétrons devido à sua baixa energia de ionização), formando um íon positivo (cátion), e um ametal, que tem
grande eletronegatividade (tendência a ganhar elétrons), formando um íon negativo (ânion). Estes íons de sinais
opostos tendem então a se atrair devido à força eletrostática e formam a ligação iônica. Os compostos iônicos (sais
e bases) são sólidos nas condições ambientes e conduzem corrente elétrica quando dissolvidos ou fundidos.
 Ligação covalente ou molecular: ocorre entre átomos que possuem a tendência de realizar o compartilhamento de
elétrons em sua camada de valência, não havendo a formação de íons, pois as estruturas cristalinas formadas são
eletronicamente neutras. Compostos moleculares podem ser encontrados nos três estados físicos (exemplos: silício,
germânio, diamante, cerâmicas, polímeros, água, oxigênio gasoso, etc.) e não conduzem eletricidade quando puros.
 Ligação metálica: este tipo é característico de átomos constituintes de um metal. Por ter grande tendência a perder
elétrons, os elétrons de um metal podem saltar de seus átomos, criando íons positivos, e passam a se movimentar
livremente por entre estes íons formando uma “nuvem” de elétrons em sua volta.Estes elétrons livres atraem e são
atraídos pelos íons positivos, funcionando então como uma “cola” que srcina uma grande força de atração entre
os átomos do material. A disposição resultante, contudo, se compõe de um retículo cristalino eletricamente neutro.

1.1.3.2) Massa específica


A propriedade que descreve a quantidade de massa m de um material necessária para ocupar um determinado
volume V amostral do material é denominada massa específica  (unidade usual: g/cm3), sendo então definida por:
m
γ (1.1)
V
Como exemplo de aplicação de interesse nesta propriedade tem-se os cabos elétricos de redes aéreas, cujo peso
está diretamente relacionado com as solicitações mecânicas transferidas às estruturas destinadas ao seu apoio (postes,
torres, cruzetas, isoladores, etc.). Desse modo, materiais de baixa massa específica são desejáveis para a construção
destes cabos, pois acarretam em estruturas de suporte menores e menos robustas, representando então economia de
material e, portanto, de custos. A Tabela 1.1 a seguir apresenta a massa específica de alguns materiais de interesse.

Tabela 1.1: Massa específica de alguns materiais à temperatura padrão (20 oC).
Material (g/cm 3) Material (g/cm 3) Material (g/cm 3) Material (g/cm 3)
óleo de transformador 0,86 alumínio 2,70 manganina 8,4 mercúrio 13,6
água 1,00 zinco 7,14 cobre 8,9 tungstênio 19,0
carbono e grafita 2,10 estanho 7,28 prata 10,5 ouro 19,3
porcelana 2,39 ferro e aço 7,86 chumbo 11,9 platina 21,4

2
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

1.1.4) PROPRIEDADES MECÂNICAS


As propriedades mecânicas estão relacionadas à capacidade de um material em resistir ou de ser moldado por
esforços mecânicos a ele aplicados. Algumas destas propriedades de interesse em Eletrotécnica são vistas a seguir.

1.1.4.1) Resistência mecânica


A tensão mecânica () aplicada em um corpo de teste de um material qualquer é a grandeza definida por:
F
  (1.2)
A
2
onde F é a força de tração ou compressão aplicada à área A do corpo transversal à força (unidade usual: N/mm ).
A propriedade resistência mecânica dos materiais é uma medida de capacidade destes de oferecer oposição
quando submetidos a esforços de tração ou compressão, definida como razão entre a força limite aplicada ao material
pela área transversal à força aplicada, correspondendo então à tensão mecânica máxima suportada pelo material.
As resistências à tração e compressão apresentam valores semelhantes na maioria dos materiais, com exceção
daqueles de comportamento mecânico mais quebradiço, onde a resistência à
compressão é normalmente bem inferior. A Tabela 1.2 apresenta a resistência cabo elétrico
mecânica a esforços de tração (t ) para alguns materiais de interesse. poste
Logo, em aplicações onde esforços mecânicos são exigidos, deve-se cruzeta
determinar os limites de tensão aplicada aos materiais empregados, de modo
parafuso
a não ultrapassar seus limites e comprometer sua integridade física. Como
exemplos de aplicação onde a resistência mecânica dos materiais é relevante
barra de isolador
pode-se citar: cabos aéreos (o próprio peso do cabo o submete a esforços de apoio
estai
tração), confinamento de equipamentos e componentes elétricos (gabinetes, braçadeira
carcaças de motores e transformadores, etc.), conexões (buchas, braçadeiras,
parafusos, terminais, etc.), estruturas de suporte (isoladores, cruzetas, postes, Figura 1.2: Exemplo de elementos
torres de transmissão, etc.), estaiamento (ancoragem de estruturas por cabos, submetidos a esforços mecânicos.
tais como postes e torres, para prover equilíbrio e estabilidade), etc.
Tabela 1.2: Resistência mecânica à esforços de tração de alguns materiais.
Material t (N/mm 2) Material t (N/mm 2) Material t (N/mm 2)
concreto 2,07 latão (Cu+Zn) 330 manganina (Cu+Mn) 420
alumínio 91 ferro batido 345 Constantan (Cu+Ni) 460
cobre 220 aço estrutural 413 ferro fundido 620

1.1.4.2) Elasticidade
Todo corpo submetido a tensões mecânicas para esforços de tração sofre um alongamento proporcional à força
aplicada. A propriedade que descreve a capacidade de um material de sofrer alongamentos sob esforços de tração sem
resultar em uma deformação permanente após a retirada da força aplicada é denominada elasticidade.
A Figura 1.3 mostra o comportamento típico da deformação  D
sofrida por um metal de comportamento dúctil quando submetido a uma  (N/mm2)
limite B C E
tensão mecânica de tração  até a ocorrência de seu rompimento. Pode- elástico
se observar então que a deformação apresenta dois estágios distintos:
a) Região de deformação elástica (A-B): neste estágio os átomos do tensão maxima
material mantêm suas posições relativas entre si até o limite elástico ou de ruptura

(ponto B), e retornam à disposição srcinal quando a tensão aplicada A  região 


é removida, ou seja, a deformação é reversível. Esta região define a tg  = E região elástica
plástica
propriedade elasticidade do material, sendo o comportamento regido
pela Lei de Hooke, que estabelece: “para pequenos alongamentos, a Figura 1.3: Curva tensão x deformação.
tensão aplicada é proporcional à deformação sofrida”, tal que:
  E (1.3)
onde  (N/mm2) é a tensão aplicada,  (adimensional) é a deformação definida pela razão entre o alongamento 
do material (diferença entre comprimentos final e inicial o ) e o comprimento inicial o , ou seja:
 
   o
(1.4)
o o

e E (N/mm2), chamado módulo de elasticidade ou módulo de Young, define a propriedade elasticidade do material
ao descrever a proporção entre  e . A Tabela 1.3 apresenta o módulo de elasticidade de alguns materiais.
3
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

Tabela 1.3: Módulo de elasticidade de alguns materiais de interesse.


Material E ( 104 N/mm 2) Material E ( 104 N/mm 2) Material E ( 104 N/mm 2)
chumbo 1,5 bronze 9,7 ferro forjado 18 a 20
alumínio 7,0 ferro fundido 8,5 a 10 aço estrutural 20,6
prata 7,5 latão 10,5 níquel 20,7
ouro 8,1 cobre 11,0 tungstênio 40,7

b) Região de deformação plástica (B-E): se ultrapassado o limite elástico, os átomos do material não mais guardam
suas posições relativas e sofrem deslocamentos irreversíveis, resultando então em deformações permanentes. Entre
os pontos B e C ocorre uma expansão lateral chamada escoamento, caracterizado pelo aumento da deformação
sem aumento de tensão. Entre os pontos C e D ocorre o chamado encruamento, caracterizado por um novo ganho
de resistência do material. Por fim, entre os pontos D e E ocorre a chamada estricção, que consiste na redução da
área da seção do material até sua ruptura (ponto E), sendo o ponto D o limite de tensão antes de ocorrer a ruptura.

Exercício 1: Um fio de comprimento 4 m e 2,5 mm de diâmetro, é submetido a uma força de tração de 1000 N e sofre
deformação elástica até o comprimento de 4,01 m. Determine o módulo de elasticidade do material em N/mm2.
Solução
 dfio = diâmetro do fio = 2,5 mm   Afio = área do fio =  (dfio)2 /4 =  (2,5)2 /4  4,9 mm2
 Da equação (1.2), tem-se então que:   F 
1000
 204,1
N
Afio 4,9 mm2
 o  204,1  4 N
 Pela Lei de Hooke:   E  E   E 

o
8,2
E 10  4

o  o 4,01  4 mm
2

1.1.4.3) Outras propriedades mecânicas de interesse


Dentre as demais propriedades mecânicas de interesse em aplicações Eletrotécnicas, pode-se mencionar:
 Maleabilidade ou plasticidade: é a capacidade de um material em sofrer deformações permanentes em qualquer
direção sem ter comprometdida sua integridade física (tornar-se quebradiço). Descreve então a maior ou menor

 possibilidade doématerial
Ductibilidade: ser moldado
a capacidade em maisde
de um material desofrer
uma dimensão
deformaçõesrelevante (barras,em
permanentes chapas, esferas,
somente uma canos,
direçãoetc.).
sem se
romper. Indica então a maior ou menor possibilidade de um material ser estirado ou reduzido a fios. Exemplos: a
argila tem boa maleabilidade mas pequena ductilidade; o ouro é mais dúctil e maleável que o cobre ou o alumínio.
 Dureza: é a capacidade da estrutura física do material em resistir a penetração ou ser riscado, sendo avaliada por
um teste realizado com base na divisão de uma força aplicada pela área de penetração na superfície do material.
 Tenacidade: é a capacidade de um material de resistir a grandes tensões e deformações sem ruptura, ou ainda, sua
capacidade de resistir a choques mecânicos. Dureza e tenacidade não são sinônimas pois, por exemplo, vidro e
diamante apresentam elevada dureza (difíceis de serem gastos), mas pouca resistência a golpes (pouca tenacidade).

1.1.5) PROPRIEDADES TÉRMICAS


Temperatura é um parâmetro muito importante para o desempenho de qualquer dispositivo ou equipamento,
pois muitas das propriedades que caracterizam os materiais dependem da temperatura, devendo então ser previstas
suas consequências no comportamento dos materiais. Dentre as propriedades de interesse diretamente relacionadas
com a temperatura, serão estudadas a dilatação térmica e as capacidades de condução e absorção de calor.

1.1.5.1) Dilatação térmica


As partículas constituintes de um material estão em constante estado de agitação devido à energia térmica do
material. A elevação da temperatura de um corpo material devido ao aumento da energia térmica causa um aumento
no grau da agitação das moléculas, que aumentam a distância entre si e passam a ocupar um espaço maior, resultando
então em um aumento de volume do corpo. A propriedade que expressa a capacidade de um material em alterar suas
dimensões físicas com a temperatura é chamada dilatação térmica, traduzida pelo seus coeficientes de dilatação.
No estudo da dilatação térmica de um corpo material, o formato do corpo determina quais dimensões físicas são
consideradas relevantes. Assim, para um material isotrópico e com pequenas variações de temperatura, tem-se:
 Dilatação linear: quando apenas uma dimensão é relevante (exemplos: fios, cabos, barras, pilares, etc.), dada por:
    o  o T (1.5)
 Dilatação superficial: quando duas dimensão são relevantes (exemplos: placas, plataformas, etc.), dada por:
S S S  o ST2 o (1.6)

4
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

 Dilatação volumétrica: quando as três dimensões são relevantes (exemplos: esferas, cilindros, etc.), dada por:
V V V o V T3 o (1.7)
onde:  , S e V são as variações linear, superficial e volumétrica do corpo material, respectivamente,  (oC -1) é o
coeficiente de dilatação linear do material do corpo; o (m), So ( m2) e Vo ( m3 ) são o comprimento, a área e o volume
inicial, respectivamente; , S e V são o comprimento, a área e o volume final, respectivamente; T = T – To ( oC) é a
variação de temperatura a que foi submetido o corpo, sendo T e To as temperaturas final e inicial, respectivamente.
A Tabela 1.4 mostra os valores médios do coeficiente de dilatação linear de alguns materiais, onde observa-se
que os líquidos (mercúrio) possuem coeficientes normalmente mais elevados que os sólidos. Observa-se também que
os coeficientes de dilatação térmica são em geral positivos (exceção a água, que apresenta o chamado comportamento
anômalo, devido ao coeficiente negativo abaixo de 4 oC), ou seja, o material se dilata com o aumento da temperatura.
Para o caso de um furo em um corpo sólido, tem-se que o volume do furo aumenta com a temperatura como se
o mesmo fosse um sólido de mesmo material do corpo. No caso de dois metais soldados de diferentes coeficientes de
dilatação, o encurvamento da peça com a variação de temperatura pode ser aproveitado como sensor térmico.
O guiamento
sobre os de cabostérmica.
efeitos da dilatação em torresA econtração
postes dedos
redes elétricas
cabos com aaéreas é um exemplo
diminuição de aplicação
da tempertura com preocupação
pode ocasionar a ruptura
dos mesmos no ponto de ancoragem, sendo necessário que os cabos sejam normalmente suspensos em um formato
curvo, conhecido como flexa, para reduzir o problema. De outro modo, o alongamento com o aumento da tempertura
pode prover um contato elétrico indevido dos cabos com estruturas alheias à rede (edificações, árvores, etc.).

Tabela 1.4: Coeficientes de dilatação térmica linear médio de alguns materiais para o intervalo entre 0 e 100 oC.
Material ( x 10-5 oC –1) Material ( x 10-5 oC –1) Material ( x 10-5 oC –1)
grafita 0,30 cobre 1,70 solda (Pb+Sn) 2,51
porcelana 0,35 latão (Cu+Zn) 1,87 estanho 2,70
ferro 1,25 prata 2,00 zinco 3,50
níquel 1,45 alumínio 2,40 mercúrio 18,0

Exercício 2: A figura ao lado mostra uma plataforma P apoiada horizontalmente sobre um P


pilar de material alumínio e outro de material ferro. Determine os comprimentos dos pilares
para que a plataforma permaneça na horizontal a qualquer temperatura. Al
Al Fe

Solução Fe
Seja oFe e oAl os comprimentos dos pilares a uma temperatura qualquer To na qual eles
serão dimensionados. Com base na figura ao lado nota-se que a plataforma P permanecerá na 0,46 m
horizontal a qualquer variação de temperatura T = T – To se forem satisfeitas as condições:
1) Na temperatura de dimensionamento To deve-se ter: o Fe  o Al  0,46 (1)
2) As variações de dilatação linear dos pilares a qualquer temperatura T devem ser iguais, ou seja:  Fe   Al (2)
 Da Tabela 1.4, sabe-se que: Fe = 1,25 x 10–5 oC -1 e Al = 2,4 x 10–5 oC -1. Logo, do resultado (2), tem-se:
Fe Al Fe o Fe o ) o o (Al TT) Al
(TT  o 
 o 
 o Fe Fe
o Al Al 1,92 (3)
Fe Al

 Com o resultado (3) aplicado em (1): o Fe


o  Al 0,46 o o 1,92  Al  Al0, 46 o Al 0, 5 (4)
m

 Por fim, com o resultado (4) aplicado em (3): o Fe  1,92 o Al 1,92


0,5  o Fe 0,96 m

1.1.5.2) Condutividade térmica


Em um meio material submetido a uma diferença de temperatura, ocorre transferência de energia térmica da
maior para a menor temperatura, até que o corpo atinja o equilíbrio térmico (temperatura uniforme). Este trânsito de
energia térmica, motivado exclusivamente por diferença de temperatura, é chamado calor e ocorre de três formas:
 Por condução térmica, através da agitação das partículas de um meio material (não ocorre, portanto, no vácuo);
 Por convecção, através do deslocamento da própria massa de um meio material (não ocorre, portanto, no vácuo);
 Por irradiação térmica, através da emissão de radiação infra-vermelha (ocorre, portanto, no vácuo).
A quantidade de calor Q ( cal) transmitida perpendicularmente à seção A ( cm2) de uma amostra de material de
comprimento (cm) e submetida a uma diferença de temperatura T = T2 – T1 ( oC) durante um tempo t (s) expressa a
condução térmica do material e é proporcional à propriedade condutividade térmica K (cal/ oC cm s), tal que:
K
T1 A Q , T2 A T2  T1  t K A Q A
K
> T1 K Q  t T   T   (1.8)
t
onde o termo  (cal/s), denominado fluxo de calor ou corrente térmica, expressa a quantidade de calor que atravessa a
amostra do material por unidade de tempo, similar ao conceito de corrente elétrica da eletricidade. Observando-se a

5
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

equação (1.8) pode-se definir a relação: RT = /K A (oC s/cal), chamada resistência térmica da amostra. Logo, o efeito
da condução termica pode ser dada pela relação T = RT  , que é similar à Lei de Ohm da eletricidade ( V = R I) .
Assim, a propriedade condutividade térmica expressa a facilidade com que um material se deixa atravessar por
um fluxo de calor, sendo a resistência térmica uma medida quantitativa da dificuldade imposta ao trânsito da energia
térmica por uma amostra do material. A Tabela 1.5 apresenta a condutividade térmica de alguns materiais a 20 oC.
O processo de condução térmica ocorre quando as partículas da região mais quente de um corpo, que vibram
com mais intensidade por terem maior energia térmica, transmitem parte de sua energia para outras partículas em sua
vizinhança, que passam a vibrar mais intensamente e também transmitem parte de sua energia para a sua vizinhança, e
assim sucessivamente. Como a maior vibração das partículas é um indicador de maior retenção de energia e menor
transferência de calor, então materiais de elevada condutividade térmica apresentam menor grau de vibração de suas
partículas e podem conduzir e dissipar mais rapidamente para o meio exterior o calor presente em seu interior.
Logo, em materiais fortemente coesos em sua estrutura, tais como metais, as forças de coesão impedem grandes
amplitudes de vibração dos átomos, acarretando em menor retenção de energia e menor possibilidade de choque dos
elétrons constituintes de uma corrente elétrica no material. Desse modo, as condutividades elétrica e térmica estão
relacionadas, pois a resistência à passagem de eletricidade e calor depende das vibrações estruturais. Assim, os metais
são bons condutores de eletricidade e calor, sendo amplamente utilizados como condutores elétricos, por propiciarem
uma rápida eliminação do calor interno ou recebido, e ainda como dissipadores para diversos dispositivos de potência.
Tabela 1.5: Condutividade térmica de alguns materiais de interesse a 20 oC.
Material K (cal/ oC cm s) Material K (cal/ oC cm s) Material K (cal/ oC cm s)
prata 0,97 aço 0,115 tijolo refratário 0,000350
cobre 0,92 mercúrio 0,0200 amianto 0,000200
alumínio 0,49 concreto 0,0020 lã de vidro 0,000100
ferro 0,16 vidro 0,0020 ar 0,000057

Exercício 3: Seja duas barras A e B de mesma seção e submetidas a temperaturas TJ


diferentes em suas extremidades, mostradas na figura ao lado. Considere o sistema 75 oC A B 35 oC
isolado termicamente (isto é, o calor flui apenas no interior das barras) e determine
a temperatura TJ na junção. Dados: KA = 0,52 cal/oC cm s ; KB = 0,02 cal/oC cm s. 10 cm 15 cm
Solução
Como a temperatura é maior na extremidade da barra de material A, o fluxo de calor será no sentido A para B.
Adicionalmente, como o sistema está isolado termicamente, o fluxo de calor A no material A deverá ser igual ao
fluxo de calor B no material B. Desse modo, da equação (1.8), tem-se que: TJ
KA A K A 75 oC A B 35 oC
A  
B   (Textr. TA)  J ( TTB) J extr . B
o
A B T ( C)
0,52 0,02 75 T = 75 – 0,1 x
   )TJ
(75  (  
3TJ 5) TJ
o
74 C T = 100 – 2,6 x
10 15 74
O gráfico ao lado mostra a distribuição linear de temperatura ao longo das
barras (pois o fluxo de calor é linearmente proporcional à temperatura). Pode-se 35
x (cm)
observar então que a barra B está submetida à maior variação de temperatura, por
apresentar maior resistência térmica devido à menor condutividade térmica. 10 25

1.1.5.3) Calor específico


Temperatura é a grandeza física associada ao grau de agitação das partículas de um corpo e define o seu estado
térmico (aquecimento). Contudo, temperatura não mede a quantidade de energia térmica de um corpo pois, entre duas
amostras de mesma massa e materiais diferentes, o fato de uma delas apresentar uma temperatura mais elevada não
significa necessariamente que possua maior quantidade de energia térmica que a outra amostra, pois isto dependerá da
capacidade de absorção de calor dos materiais, expressa por uma propriedade denominada calor específico.
A quantidade de calor Q ( cal) que deve ser fornecido a uma amostra de massa m ( g) de um material para que
sua temperatura se eleve de um valor T (oC) é proporcional ao calor específico c (cal/g oC) do material, tal que:
Q  cm T  (1.9)
Calor específico é uma propriedade intrínseca de um material (isto é, não depende de sua massa) e varia com a
temperatura. A Tabela 1.6 apresenta o valor médio do calor específico de alguns materiais entre 0 e 100 oC.
Com base na equação (1.9) pode-se observar então que materiais de maior calor específico necessitam absorver
maior quantidade de calor para aumentar sua temperatura. Por exemplo, a água absorve muito calor sem se aquecer
em demasia porque possui alto calor específico (Tabela 1.6), o que explica a razão para a potência dos chuveiros ser
comparativamente elevada, pois sua resistência necessita converter uma elevada quantidade de energia elétrica na
forma térmica para se obter a quantidade de calor necessária para aquecer a água até uma temperatura desejada.
6
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

Tabela 1.6: Calor específico de alguns materiais.


o
Material c (cal/g C) Material c (cal/g oC) Material c (cal/g oC) Material c (cal/g oC)
água 1,00 ar 0,24 ferro 0,113 mercúrio 0,033
madeira 0,42 alumínio 0,22 cobre 0,094 tungstênio 0,032
lã 0,39 mica 0,21 zinco 0,093 ouro 0,032
porcelana 0,26 vidro 0,16 prata 0,056 chumbo 0,031

1.1.6) PROPRIEDADES QUÍMICAS - RESISTÊNCIA À CORROSÃO


Qualquer material pode estar sujeito a reações químicas ocasionadas pelo meio em que se encontra, que podem
causar danos à estrutura física do material ao resultar em subprodutos com propriedades distintas do material srcinal.
Estas alterações indesejáveis por reação química, chamada corrosão, ocorrem principalmente por dois modos:
1) Corrosão por dissolução
para este material, : ocorre
resultando quando
em danos o material entra
permanentes. em contato
Exemplo: com um meio
ácido sulfúrico capaz com
em contato de atuar como solvente
o zinco.
2) Corrosão por oxidação eletroquímica: consiste na remoção de elétrons (reação de oxidação) dos átomos de um
material imerso em um meio favorável à reação, como por exemplo um eletrólito. Exemplo: oxidação do ferro pela
umidade (ar + água), que leva à formação do hidróxido férrico, popularmente conhecido como ferrugem.
Desse modo, a corrosão constitui-se em um problema de grande preocupação na especificação de materiais para
aplicações elétricas, razão pela qual é conveniente o conhecimento de seus principais métodos de controle:
 Proteção por isolamento : recobre-se o material a ser protegido com outro que não é atacado pelo meio, tal como
revestimentos com tinta, resina ou verniz. Outro exemplo consiste no capeamento com material mais resistente, tal
como o revestimento de componentes de ferro com película de zinco ou capa de alumínio (ferro galvanizado).
 Proteção por passivação: adiciona-se ao material a ser protegido outros que o tornam mais resistente à corrosão,
tal como certas ligas metálicas. Exemplos: aço inoxidável (Fe + C + Cr + Ni), bronze (Cu + Sn) e latão (Cu + Zn).
 Proteção catódica: utiliza-se materiais com maior potencial de oxidação, chamados anodos de sacrifício, para que
seja corroído primeiro que um material de menor potencial a ser protegido. Como exemplos de aplicação, tem-se:
 Em sistemas de aterramento utiliza-se lâminas de zinco para proteger hastes e malhas de cobre;
 Estruturas de aço subterrâneas podem ser protegidas colocando-se pedaços de magnésio nas proximidades.
 Alcalinização: consiste no emprego de substâncias alcalinas para a neutralização de meios materiais acidificados.

1.1.7) FATOR CUSTO DOS MATERIAIS


A escolha dos materiais a serem empregados em uma determinada aplicação (por exemplo, maquinários, peças,
componentes, dispositivos, instalações estruturais, ferramentas, equipamentos, etc.) necessita se basear na finalidade
que cada material irá desempenhar e se justificar pelas propriedades intrínsecas de interesse que estes apresentam.
Porém, nenhum material é superior a outros em todos os sentidos, cabendo então ao projetista analisar a conveniência
de se empregar um ou outro. Assim, na avaliação das opções de matéria prima a disposição, procura-se especificar os
materiais, conforme o caso, com as propriedades elétricas, magnéticas, físicas, mecânicas, térmicas e químicas mais
vantajosas, com o objetivo de se obter um produto final qualitativamente satisfatório em seu funcionamento.
Contudo, em uma economia de mercado, custo e lucro são parâmetros essenciais a uma empresa, que procura
avaliá-los e otimizá-los o máximo possível. Assim, além das propriedades intrínsecas, a escolha de um material para
uma determinada aplicação deve também se basear no parâmetro econômico custo, pois a concorrência exigida pelo
mercado obriga a empresa a considerar este fator como um aspecto decisivo e um menor custo da matéria prima pode
implicar em menor preço para o produto final e acarretar em melhor competitividade e maior possibilidade de lucro.
O fator custo pode inclusive inviabilizar um projeto ou produto independentemente de suas qualidades técnicas.
Logo, o fator custo, apesar de não ser uma propriedade intrínseca dos materiais, constantemente é o parâmetro
decisivo na escolha destes para determinada aplicação. O material deverá apresentar características técnicas que se
adeqüem à sua finalidade, mas é o fator custo que irá ratificar o seu emprego. Assim, os parâmetros técnicos devem
sempre ser avaliados juntamente com o fator custo, pois um produto com menor preço de mercado, mas que atende as
especificações e exigências técnicas mínimas, tem possibilidade de apresentar maior competitividade comercial.
Muitas vezes procura-se obter um produto final com bom desempenho e qualidade, porém a um preço baixo, e
um material de menor custo e inferior em qualidade pode viabilizá-lo como a matéria prima a ser empregada, ou seja,
deficiências do material são compensadas pelo seu custo. Por outro lado, o aspecto qualidade pode ser um quesito
valorizado e um material inferior qualitativamente poderá ser inferior comercialmente se o produto final, apesar de
inicialmente barato, pode se tornar oneroso a longo prazo se não for pelo menos atualizado e durável. O problema
pode então ser resumido em otimizar a avaliação custo-benefício dos materiais, onde muitas vezes a análise de sua
viabilidade econômica deve contemplar, não apenas os dispêncdios imediatos, mas também seus custos futuros.
A análise econômica dos materiais pode então se tornar complexa devido a diversos parâmetros que necessitam
ser avaliados pois, além do seu preço de mercado, pode envolver características como durabilidade (maior tempo de
7
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

vida médio do material implica em menor gasto financeiro com reposição), facilidade de manutenção (menor tempo
de parada implica em maior volume de produção ao longo do tempo), disponibilidade na oferta (volume de extração),
facilidade de fabricação e estocagem, tempo de aquisição e facilidade de transporte (maior agilidade na execução de
projetos ou produtos pode resultar em menores custos finais), mão de obra qualificada disponível, linhas de crédito
financeiro para execução de projetos, etc. Assim, toda a análise econômica de um projeto ou produto (equipamento,
componente, dispositivo, etc.) visa obter a menor necessidade de investimentos e o maior retorno financeiro.
A escolha de materiais condutores para as diversas aplicações em Eletrotécnica constitui-se em um exemplo da
análise técnica aliada ao fator custo. Metais nobres como ouro e prata são ótimos condutores de eletricidade e calor,
mas não são empregados como fios elétricos por terem, por exemplo, preço proibitivo e baixa resistência mecânica.
Contudo, os metais nobres podem ser empregados, juntamente com suas ligas, em aplicações especiais que envolvam
pequenas correntes, onde sua elevada resistência à corrosão e ductilidade são propriedades bastante exigidas.

1.1.7.1) Exemplo de caso: cobre versus alumínio


Um exemplo clássico da avaliação técnica aliada ao fator custo refere-se à comparação entre os dois metais de
emprego mais intenso como condutor elétrico para aplicações em redes e equipamentos em geral: cobre e alumínio.
O cobre apresenta características técnicas mais vantajosas como material condutor para instalações elétricas em
baixa tensão, bem como em equipamentos e dispositivos (fiação, cabeamento, máquinas elétricas, conexões diversas,
etc.), por apresentar maior condutividade térmica (Tabela 1.5) e elétrica (vide Tabela 2.1 - Capítulo 2), propriedades
estas essenciais onde as tensões mais baixas podem envolver correntes elétricas comparativamente mais elevadas.
Além disso, o cobre apresenta boa resistência mecânica (Tabela 1.2), propriedade também desejável devido à
necessidade de se realizar esforços de tração no momento do guiamento de fios e cabos condutores por canalizadores
de fiações elétricas utilizadas em instalações de baixa tensão (eletrodutos, eletrocalhas, caixas de passagem, etc.).
Adicionalmente, instalações elétricas de baixa tensão apresentam uma grande quantidade de contatos elétricos
(emendas, parafusamentos, soldagem de peças, etc.) necessárias a estas aplicações, que ficam sujeitas ao oxigênio
presente no ar, gás de grande atuação com muitos metais ao produzir óxidos e hidróxidos em contato com estes, sendo
o cobre praticamente inerte ao oxigênio. O alumínio, porém, sofre rápida corrosão em contato com o ar, o que resulta
na formação de uma fina camada de óxido de alumínio, que o protege de maior corrosão, mas que constituí-se em um
bom isolante elétrico, causando então na perda de quaisquer contatos elétricos do alumínio com outros elementos da
rede ou equipamento elétrico e tornando a tarefa de reparo dos contatos de custos e logística proibitivos. Além disso, a

oliga
quedefaz
chumbo-estanho, solda
este necessitar de de baixo
técnicas custo e demais
de soldagem uso sofisticadas
mais intenso,e de
adere firmemente
custos ao cobre mas
comparativamente não
mais no alumínio,
elevados.
O alumínio, por sua vez, encontra grande aplicabilidade como cabos condutores e conectores em redes elétricas
aéreas (redes de transmissão e distribuição) por apresentar massa específica menor que a do cobre (Tabela 1.1), o que
reduz os custos de obra devido à economia de material com o emprego de estruturas de suporte menos volumosas.
Além disso, o alumínio consitui-se no metal de maior abundância no planeta, alcançando porisso um preço menor que
o cobre no mercado, o que propicia menores custos devido à grande extensão das redes aéreas, que exigem então uma
elevada quantidade de material para a construção de cabos, além de não sofrer problemas de furto como o cobre.
Como cabos aéreos estão sujeitos a grandes esforços de tração devido ao próprio peso e ao vento, o problema
da pequena resistência mecânica do alumínio é atenuado com o uso de um núcleo (chamado alma) de aço, que confere
aos cabos uma maior resistência mecânica. Quanto à difícil soldagem, pode-se utilizar solda elétrica (fundição das
partes em alumínio) ou um material antioxidante para a limpeza das superfícies a serem emendadas e realizar a solda
com o emprego de pastas especiais (exemplo: óxido de acetileno), bem como braçadeiras para envolver as emendas e
evitar seu contato com o ar, empregada particularmente em linhas de transmissão devido à maior seção dos cabos.

Exercício 4: Seja um fio de cobre e um cabo composto por 3 fios de alumínio de mesmo comprimento e seção do fio
de cobre. Pede-se: compare as resistências à corrente contínua e as massas entre o fio de cobre e o cabo de alumínio.
Adote T = 20 ºC e desconsidere o encordoamento (trançado helicoidal) do cabo de alumínio.
Solução
 A 20 ºC, tem-se da Tabela 2.1 (Capítulo 2) que: Cu = 1,7 x 10-8 m e Al = 2,8 x 10-8 m . Logo:
R fio de Cu 3  Cu 3 1,7 10 8 R fio de Cu
Cu /A
   
 
8
1,8
RcabodeAl Al / 3A Al  2,8 10  Rcabo de Al
Portanto, o fio de cobre apresenta maior resistência elétrica que o cabo de alumínio (80 % maior).
 A 20 º C, tem-se da Tabela 1.1 que: Cu = 8,9 g/cm3 e Al = 2,7 g/cm3. Logo:
m fio de Cu  Cu V fio de Cu 8,9 A m fio de Cu
  
  1,1
mcabo de Al Al V
cabo de Al 2,7  3 A mcabo de Al
Portanto, o fio de cobre apresenta maior massa (é mais pesado) que o cabo de alumínio (10 % mais pesado).
 Conclusão: se a quantidade de fios fosse 4, o cabo de alumínio seria mais pesado. Logo, com 2 ou 3 fios, um cabo
de alumínio é superior a um fio de cobre de mesma seção e comprimento em termos de peso e resistência elétrica.

8
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

1.2) MODELO DA MATÉRIA POR BANDAS DE ENERGIA


O modelo de estrutura atômica da matéria baseada em uma abstração teórica chamada bandas de energia, se
mostra bastante didático para a compreensão de diversos fenômenos e propriedades dos materiais. Para sua definição,
é conveniente ter a noção sobre níveis de energia estacionários, cuja extensão leva ao conceito de bandas de energia.

1.2.1) NÍVEIS DE ENERGIA ESTACIONÁRIOS

A radiação eletromagnética apresenta a chamada natureza dual onda-partícula, no sentido de que a observação
de qual comportamento da radiação, ondulatório ou corpuscular, dependerá da natureza do fenômeno detectado, não
sendo possível provar o comportamento dual da radiação com a mesma medida (Princípio da Complementaridade).
Quando em propagação por um meio qualquer, a radiação apresenta comportamento ondulatório no sentido de
que se observam fenômenos ópticos (reflexão, refração, etc.), pois uma onda tem extensão e não é localizada. Neste
caso, o produto do comprimento de onda  com a freqüência f da radiação resulta em uma constante, tal que:
 f  c (1.10)
em que c é a constante universal referente à velocidade da radiação no vácuo (c  3 x 108 m/s). A Tabela 1.7 apresenta
os comprimentos de onda de várias nomenclaturas dadas às ondas eletromagnéticas, onde: Å = angstron = 1010 m.
No entanto, quando interagindo com a matéria, a radiação atua como partícula no sentido de que observa-se um
“choque de massas”, pelo fato da radiação se comportar como se composta por “pacotes” indivisíveis de energia,
chamados quantum, entendidos com a menor quantidade de energia que pode ser transferida em um processo físico.
Neste caso, o quantum de energia Ef de uma radiação eletromagnética de frequência f, chamado fóton, é definido por:
Ef  h f (1.11)
em que h é uma constante universal chamada constante de Planck (h = 6,6262 x 10-34 J s). O conceito de fóton resume
o comportamento corpuscular da radiação eletromagnética e expressa então uma natureza distinta da ondulatória.
Tabela 1.7: Comprimentos de onda no vácuo de algumas ondas eletromagnéticas.
Nomenclatura (m) Nomenclatura (Å) Nomenclatura (Å)
energia elétrica 5 x 10 infra-vermelho (IV) 10 7000
– faixa do azul 5000 – 4500
4

áudio-freqüência
ondas médias e curtas (300600
–1,5)
6– x10 faixa
faixa do
do vermelho
laranja 7000 ––6000
6500 6500 faixa do violeta
ultra-violeta (UV) 4500
4000 ––4000
40
FM-TV-VHF-UHF 50,5
– faixa do amarelo 6000 5500
– raios X 40 – 0,1
microondas 0,50,001
– faixa do verde 5500 5000
– raios  0,1 – 10-

Em práticas experimentais, observa-se que um átomo isolado absorve e emite radiação apenas de determinados
comprimentos de onda (Figura 1.4-a). Como o fóton é indivisível (entrega toda ou nenhuma energia), esta observação
demonstra que os elétrons do átomo podem absorver ou emitir energia apenas de forma discreta, o que sugere um
modelo simples tipo planetário para a estrutura atômica, em que os elétrons ocupam determinadas órbitas permitidas
(estados quânticos) distribuídas em torno do núcleo, denominadas níveis de energia estacionários ou não irradiantes
(Figura 1.4-b). Desse modo, os elétrons presentes em um átomo podem apenas absorver ou emitir energia tal que esta
quantidade de energia corresponda à exata diferença de energia entre dois níveis permitidos quaisquer do átomo.
A Figura 1.4-c mostra uma representação gráfica mais prática do modelo de níveis do átomo, onde n = 1,2 ... , 
corresponde ao índice dos níveis (1 o número quântico), cada qual com uma energia absoluta En (E1, E2, ... , E).
 n= n energia restante En
n=2 (energia cinética)
4 n=1 fotoionização E
e
núcleo
m Em
fóton fóton
3 fotoexcitação emitido
absorvido
E1 k Ek
2
E2 e níveis de e e
1 energia
E estacionários
1 E1

(a) (b) (c)

Figura 1.4: Estrutura atômica de átomos: (a) esquema de absorção de radiação, (b) modelo por órbitas de energia
estacionárias, (c) representação mais prática e exemplificação dos mecanismos de emissão e absorção de radiação.

9
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

Assim, quando um elétron absorve (emite) energia, este se desloca para um nível permitido de maior (menor)
energia e adquire a energia do nível para o qual se deslocou. Além de radiação, a absorção de energia pelo elétron
pode ser também na forma de calor, campo elétrico e choque de elétrons, porém, a emissão de energia pelo elétron
ocorre sempre na forma de radiação, que pode ser depois emitida ou absorvida pelo material na forma de calor.
A absorção de energia por um elétron para este se deslocar a um nível menor ou igual a E representa o estado
chamado excitado para o elétron. Porém, se a energia absorvida for superior a E , o elétron é ejetado do átomo com a
energia restante, que se converte em energia cinética, resultando na ionização do átomo. No caso da radiação, o estado
excitado do elétron é chamado fotoexcitação e o efeito da ejeção do elétron é chamado fotoionização (Figura 1.4-c).
Em estado excitado, um elétron apresenta sempre a tendência de retornar ao seu nível srcinal (chamado nível
normal ou fundamental) após um certo tempo (tipicamente, 10 – 8 s), emitindo o excesso de energia. Neste caso, ao se
deslocar de um nível m de energia Em para um nível k de energia Ek < Em (Figura 1.4-c), o elétron emite uma radiação
com energia Em  Ek , cujo comprimento de onda do fóton correspondente pode ser determinado de forma prática por:
12400
  (1.12)
Em  Ek
19
onde a energia deve ser fornecida em eV (eV = elétron-volt = 1,6 x 10 J) e o comprimento de onda em Å. Logo, por
dedução, como a energia necessária a um elétron se deslocar para um outro nível permitido de maior energia deve ser
igual à diferença de energia entre os dois níveis, então a equação (1.12) é válida também para a absorção de radiação.
O retorno de um elétron ao seu nível fundamental pode ser diretamente ou mesmo ocupando provisoriamente
níveis intermediários e emitindo o fóton correspondente em cada etapa. Em qualquer caso, a soma das energias dos
fótons emitidos é igual à energia inicialmente absorvida, de modo a respeitar o princípio da conservação de energia.
Como mencionado, a energia térmica consiste em uma outra forma de excitação ou ionização do átomo. Neste
caso, o quantum de energia a uma temperatura qualquer T é dado por KB T (eV), chamado energia térmica associada a
uma partícula à temperatura T, onde KB = constante de Boltzmann = 1,38 x 10-23 J/K = 8,62 x 10-5 eV/K. Para o caso da
matéria, se a energia térmica absorvida for suficiente para suplantar a chamada barreira de potencial de superfície do
material, então elétrons são ejetados para o meio exterior ao material. Este efeito, denominado Emissão Termoiônica,
constitui-se no mecanismo básico do funcioamento dos triodos a vácuo, precursores dos transistores semicondutores.

Exercício 5: A distribuição de energia do átomo de hidrogênio é dada por: En =  13,6/n2 (eV), n = 1,...,. Pede-se:
a) O elétron do átomo de hidrogênio absorve um fóton de comprimento de onda 973 Å e retorna ao seu nível normal
emitindo dois fótons. Sabendo-se que um deles é de 1216 Å, determine o comprimento de onda do outro fóton.
b) Determine o comprimento de onda limite do fóton para ocorrer fotoionização do hidrogênio. Explique o resultado.
c) Explique o que acontece com o elétron se no mesmo é incidido um fóton de comprimento de onda 1000 Å.
Solução
A figura abaixo mostra uma esquematização da distribuição de energia dos níveis de um átomo de hidrogênio
com base na equação fornecida. Como o hidrogênio tem apenas 1 elétron, então seu nível fundamental é n = 1.
a) Energia do fóton absorvido: da equação (1.12), tem-se que: n E n (eV)
12400 12400 0,0
Em  E
k Efótonabsorvido   12,75 eV
absorvido 973 0,54
5
que, somado à energia do 1º nível, resulta: –13,6 + 12,75 = – 0,85 eV. 4 0,85
Logo, o elétron é fotoexcitado do 1º para o 4º nível (vide figura). 3 1,51
A energia do fóton emitido conhecido (1216 Å) será dada por: 4863 Å 2,55 eV
12400 12400 2 3,4
E fóton emitido 1    10,2 eV
 fóton emitido 1 1216 12,75 eV
10,2 eV
o que equivale à energia entre níveis 2 e 1 ( – 3,4 + 13,6 = 10,2 eV). 973 Å 1216 Å
Assim, o comprimento de onda do 2º fóton emitido corresponde à 1 13,6
e
emissão da diferença de energia entre os níveis 4 e 2 (vide figura):
12400 12400 12400
foton emitido 2
 42    4863 Å
E4  E2  0,85
 ( 3,4) 2,55
Da Tabela 1.7 pode-se observar então que o elétron do átomo de hidrogênio absorveu uma radiação ultra-violeta
(973 Å está na faixa do UV) e emitiu dois fótons: um UV (1216 Å) e outro na faixa do espectro azul (4863 Å).
b) A energia mínima para ionizar o átomo de hidrogênio corresponde à diferença entre os níveis 1 e . Logo:
12400 12400 12400 12400
     912 Å
E  E1 0  ( 13,6)
limite
Emínima para ionizaç ão 13,6
Da equação (1.12) observa-se que o comprimento de onda e energia são inversamente proporcionais. Logo, limite é
máximo pois um fóton de comprimento de onda menor tem energia maior que o mínimo para extrair o elétron.
c) Efóton = 12400/1000 = 12,4 eV. Absorvendo este fóton, o elétron se deslocaria para o nível: –13,6 + 12,4 = – 1,2 eV,
que não é um nível permitido. Conclui-se então que o elétron não absorve este fóton, permanecendo no 1º nível.
10
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

1.2.2) BANDAS DE ENERGIA E CLASSIFICAÇÃO ELÉTRICA DOS MATERIAIS


Como visto anteriormente, átomos isolados absorvem e emitem radiação eletromagnética em um espectro bem
definido (Figura 1.4-a) e pode-se então conceber um modelo de átomo com base no conceito de níveis de energia
(Figura 1.4-b). De modo similar, em práticas experimentais observa-se que a matéria também absorve e emite um
espectro de radiação de forma discreta, porém esta apresenta amplas “faixas” de comprimentos de onda bem próximos
entre si (Figura 1.5-a). Desse modo, pode-se inferir que elétrons presentes em um meio material podem se deslocar
por combinações de diferenças de energia entre um grande número de níveis permitidos bem próximos entre si.
Esta observação sugere então que, para respeitar o Princípio da Exclusão de Pauli (apenas dois elétrons de spins
contrários por orbital), a matéria comporta-se como se, ao agrupar seus átomos para estabelecer sua estrutura atômica,
cada nível de energia dos átomos se “expandisse” para formar faixas de energia contendo subníveis permitidos muito
próximos entre si, chamadas bandas de energia (Figura 1.5-b). Entre estas faixas, no entanto, ocorrem ainda regiões
com infinitos níveis de energia não permitidos (Figura 1.5-b), vindo a ser denominadas de bandas proibidas (BP).
Para estudos
permitidas, de fenômenos
e a respectiva e propriedades
banda proibida dos materiais,
entre as mesmas, tem-seaspectos
apresentam que apenas as duas últimas
de interesse (Figurabandas
1.5-b), de energia
a saber:
 Banda de valência (BV): assim chamada por conter os elétrons de valência dos átomos constituintes da matéria,
que são, desse modo, os últimos elétrons dos átomos. Estes elétrons, por terem mais energia que os presentes em
bandas abaixo, podem ser mais facilmente excitados por alguma forma de energia e ocupar a banda acima.
 Banda de condução (BC): assim chamada por conter níveis totalmente desocupados e, caso elétrons excitados da
BV vierem a ocupar esta banda, estes adquirem grande liberdade de movimento e podem ser facilmente acelerados
por campos elétricos aplicados ao material, de modo a constituírem correntes elétricas. Desse modo, estes elétrons
comportam-se como portadores de carga com grande liberdade de movimento, denominados elétrons livres.
 Gap de energia: banda proibida situada entre a BV e BC, denominada particularmente por EG (energia do gap).


 Banda de Condução (BC)
m
gap de energia (EG)
nível de valência
k Banda de Valência (BV)

o
2 2
banda proibida
1 1o banda de energia

(a) (b)
Figura 1.5: Estrutura da matéria: (a) esquema de absorção de radiação, (b) modelo de bandas de energia.
O conceito de bandas de energia é comumente empregado para o entendimento do mecanismo da condução de
corrente elétrica dos materiais. Neste caso, como os elétrons da banda de valência podem absorver energia de modo a
se deslocarem para a banda de condução, se tornando livres, é necessário então fornecer uma energia no mínimo igual
à do gap (EG) e, desse modo, quanto maior o gap, maior será a dificuldade em deslocar elétrons da BV para a BC.
Assim, de acordo com a estrutura de bandas, os materiais podem ser classificados, do ponto de vista elétrico, como:
1) Isolantes: caracterizam-se por apresentar gaps de energia elevados, em torno de 6,0 eV (Figura 1.6-a), o que impõe
grande dificuldade para os elétrons da banda de valência se moverem para a banda de condução, sem que a energia
necessária para estes deslocamentos danifique o material. Logo, estes materiais caracterizam-se por apresentar uma
BV quase preenchida e uma BC praticamente vazia, resultando em uma quantidade de elétrons livres muito baixa
para se constituir uma corrente elétrica utilizável pelo material. Assim, este comportamento qualifica eletricamente
estes materiais como isolantes elétricos, também denominados dielétricos em aplicações capacitivas.
2) Semicondutores: caracterizam-se por apresentar um pequeno gap de energia, em torno de 1 eV (Figura 1.6-b). O
pequeno gap permite a esses materiais apresentar uma BV completamente preenchida e uma BC vazia à baixas
temperaturas, comportando-se nestas condições como isolante elétrico. Porém, com um aumento de temperatura,
elétrons da BV podem absorver energia suficiente e moverem-se para a BC e se tornarem livres, deixando órbitas
vazias na BV, chamadas lacunas, que também se comportam como cargas livres, facultando então ao material
condições para conduzir correntes por meio de dois tipos de portador de carga: elétrons livres e lacunas. Este duplo
comportamento com a temperatura qualifica eletricamente estes materiais como semicondutores elétricos.
3) Condutores: carcterizam-se por apresentar um gap de energia nulo (ou muito pequeno) devido à superposição das
bandas de valência e condução (Figura 1.6-c). Logo, os elétrons da BV podem se encontrar praticamente livres na
BC, ou se deslocarem facilmente para a BC com pouca absorção de energia. Assim, esta abundância de elétrons de
comportamento livre pelos materiais permite a estes conduzir correntes utilizáveis e os qualifica eletricamente
como condutores elétricos, sendo o grau de superposição entre a BV e a BC um indicativo desta capacidade.
11
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

energia energia
energia
BC elétrons livres
BC
EG  6 eV BC
EG  1 eV

BV BV lacunas
BV

(a) (b) (c)

Figura 1.6: Classificação elétrica dos materiais de acordo com a disposição entre bandas
de valência, condução e gap de energia: (a) isolante; (b) semicondutor; (c) condutor.

O montante
então do número dedeelétrons
correntelivres
elétrica gerada em
do material queconseqüência de um campo
podem ser acelerados. elétrico aplicado
As energias possíveisade
umsematerial
obter dedepende
campos
elétricos são pequenas comparadas aos gap de energia, porém outras formas como óticas ou térmicas, são dessa ordem
e por isso conseguem gerar elétrons livres. Assim, apesar de suas respectivas estruturas de bandas, todos os materiais
descritos apresentam elétrons livres, gerados basicamente por energia térmica, mas semicondutores puros e isolantes
possuem, mesmo assim, quantidades muito pequenas de elétrons livres se comparados aos materiais condutores.

1.3) TÓPICOS COMPLEMENTARES


O conhecimento adquirido nos estudos das diversas propriedades e fenômenos apresentados pelos materiais,
tem possibilitado avanços tecnológicos para o desenvolvimento de diversos dispositivos no campo da Eletrotécnica,
de grande uso nas sociedades industriais. Este tópico tem o objetivo de dissertar sobre algumas destas aplicações.

1.3.1) PILHAS E BATERIAS


Eletroquímica é a parte da Química que estuda a relação entre a corrente elétrica e as reações químicas, sendo a
corrosão por oxidação um processo eletroquímico chamado óxido-redução. A oxidação de um material por um meio
favorável à reação, denominado eletrólito (solução iônica), retira elétrons dos átomos do material e cria íons positivos
que fluem para o meio, com os elétrons permanecendo no material. A medida com que um material se oxida, isto é,
sua capacidade de ceder elétrons, é quantificada pelo potencial de oxidação ou eletroquímico, especificado em Volts,
onde um material qualquer será tanto mais corrosível (anódico) quanto maior for seu potencial eletroquímico.
Quando dois materiais de diferentes potenciais eletroquímicos, cha- e_ e_ e_
mados eletrodos, são imersos em um eletrólito e ligados externamente por anodo catodo
um fio condutor, os elétrons e os íons provenientes da oxidação do mate-
rial de maior potencial de oxidação (chamado anodo ou eletrodo negativo)
fluem para o de menor potencial (catodo ou eletrodo positivo) através do eletrólito
fio (elétrons) e do eletrólito (íons), onde são ambos depositados (redução).
Como resultado, tem-se a condução de corrente elétrica externamente ao cátions
sistema devido à diferença de potencial entre os eletrodos (Figura 1.7).
O conjunto de eletrodos e eletrólito resulta então em um dispositivo
Figura 1.7: Pilha galvânica simples.
conversor de energia química em elétrica, chamada pilha eletroquímica ou
galvânica (Figura 1.7), onde a tensão obtida é definida pela diferença entre os potenciais de oxidação dos eletrodos.
Pilhas e baterias (conjunto de pilhas) são fontes de tensão contínua formadas por células constituídas de pares
anodo-catodo ligados em série (para obter maior tensão) e/ou paralelo (para aumentar a capacidade de corrente, o que
é chamado ampacidade), diferenciadas por diversas característica como: formatos e tamanhos, tensão nominal, custo,
ampacidade, densidade de energia (energia armazenada por volume), tempo de carga e auto descarga, vida útil, etc.,
podendo ser basicamente classificadas em dois tipos, descritos a seguir (aparências de alguns tipos na Figura 1.8):
a) Primárias: são aquelas de difícil recarga quando seus reagentes se esgotam. Alguns exemplos mais comuns:
a.1) Pilhas de Leclanché: tipo mais comum, disponível em vários tamanhos (AAA, AA, C e D) com tensão 1,5 V,
possui pequena ampacidade, baixa vida útil e emprego diversos (equipamentos eletrônicos). A pilha tipo B é
uma bateria de 9V, formada pelo conjunto de 6 pilhas de Leclanché em série com tensão 1,5 V cada.
a.2) Pilhas alcalinas: semelhante à pilha de Leclanché, difere desta no uso de um composto alcalino (hidróxido de
potássio) como eletrólito, que diminui a resistência interna da pilha, permitindo então maior ampacidade. São
fabricadas nos mesmos tamanhos, tensão (1,5 V) e possuem os mesmos empregos das pilhas de Leclanché.
a.3) Baterias de lítio: possui alta densidade de energia, pequeno peso e tamanho, descarga constante e longo tempo
de estocagem. São usadas em calculadoras, relógios, etc. Tensão: entre 2 e 3,6 V dependendo do catodo.
12
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

a.4) Baterias de zinco-óxido de mercúrio: pilha de alta capacidade em relação ao seu volume, descarga constante e
boa vida na estocagem. Usada em aparelhos de audição, marca-passos, detectores, etc. Tensão: 1,2 V.
b) Secundárias: são aquelas em que as reações químicas são reversíveis, sendo então capazes de serem recarregadas
forçando-se o processo inverso ao da reação de óxido-redução, chamado eletrólise, para a reparação dos eletrodos.
O processo consiste em conectar uma fonte de tensão CC de valor maior que a nominal da pilha ou bateria, com a
polaridade tal que resulte em uma corrente de sentido contrário ao de descarga destas. As secundárias apresentam
normalmente preço maior que as primárias, mas diluem o custo a longo prazo. Alguns exemplos mais comuns:
b.1) Baterias de chumbo-ácido: possuem diversos tamanhos, elevada auto-descarga e preços comparativamente
baixos. Apresentam problemas de manutenção devido ao eletrólito utilizado (solução de ácido sulfúrico). Tem
amplo emprego em veículos motorizados, instrumentos portáteis, iluminação de reserva, no-breaks, etc.
b.2) Baterias de níquel-cádmio (NiCd): possuem alta densidade de energia, longo ciclo de vida e estocagem, bom
desempenho a baixas temperaturas e pouca manutenção. Necessita ser carregada até sua capacidade total e
descarregada até o mínimo (efeito memória). É utilizada em iluminação de emergência, telefones sem fio, etc.
b.3) Baterias de íon de lítio (Li-ion): possuem elevada ampacidade e densidade de energia, pequeno peso, rápido
carregamento e não apresentam efeito memória. São empregadas em dispositivos que necessitam de elevada
energia para seu funcionamento e pequeno tempo de recarga, tais como equipamentos eletrônicos portáteis
(laptops, celulares, tablets, etc.) e veículos elétricos. Apresentam o dobro da energia que a bateria de hidreto
metálico de níquel (NiMH), esta também de recente desenvolvimento e empregos similares.

(a) (b) (c) (d) (e)


Figura 1.8: Aparências de pilhas e baterias: (a) alcalina; (b) lítio; (c) chumbo-ácido; (d) NiCd; (e) Li-íon.

1.3.2) LÂMPADAS
Lâmpadas são dispositivos transdutores que transformam energia elétrica em energia luminosa. Do ponto de
vista luminotécnico, as lâmpadas apresentam diversas carcterísticas, dentre as quais pode-se mencionar:
 Rendimento luminoso: indica o quanto da potência absorvida é convertida luz, dado em lm/W (lm = lúmens);
 Reprodução de cor: indica a capacidade da lâmpada em refletir fielmente as cores de um objeto ou superfície;
 Vida útil: indica o tempo médio em horas após o qual a lâmpada se queima ou deixa de emitir luz utilizável.
Com exceção das lâmpadas de LED (diodo emissor de luz), de recente desenvolvimento, as lâmpadas de uso
mais comum em Eletrotécnica são classificadas basicamente em duas categorias, descritas brevemente a seguir:
a) Lâmpadas incandescentes: produzem luz a partir da incandescência de um filamento de tungstênio superior a
2000 °C. Constituem-se de um bulbo de vidro contendo gás inerte (argônio, nitrogênio ou criptônio) para evitar a
evaporação do filamento, este conectado a uma base (tipo rosca ou baioneta) por hastes metálicas (Figura 1.9-a).
Apresentam pequena vida útil (1000 horas), boa reprodução de cor e baixo rendimento luminoso (17 lm/W). Além
da iluminação de ambientes, as lâmpadas incandescentes podem também ser empregadas como fonte de calor para
incubação de ovos, secagem, aquecimento e esterilização, sendo produzidas em diversos formatos (Figura 1.9-b).
Um aprimoramento são as chamadas lâmpadas halógenas, em que o filamento é confinado em uma ampola de
quartzo contendo
(exemplos gases
na Figura inertes
1.9-c), e elementos
obtendo-se uma halógenos
vida útil de(bromo e iodo),
até 4.000 horas com
e umarendimento
finalidade de regenerar
de até o .filamento
25 lm/W
filamento
bulbo
haste
base (rosca rosca
tipo Edison) tipo
contatos baioneta
elétricos
(a) (b) (c)
Figura 1.9: Lâmpadas incandescentes: (a) aspectos físicos; (b) formatos diversos; (c) tipo halógena.

13
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

b) Lâmpadas de descarga:constituem-se basicamente de um envoltório transparente selado contendo dois eletrodos


imersos em certos vapores metálicos (sódio, mercúrio, etc.) e gases nobres (argônio, neônio, etc.) em alta ou baixa
pressão (gases e vapores tornam-se relativamente condutores quando rarefeitos). Produzem luminosidade quando
nos eletrodos é aplicado uma tensão suficientemente alta para ionizar o meio e gerar uma subta corrente elétrica
entre os eletrodos (descarga), cujos elétrons constituintes, uma vez estabelecida a corrente, se chocam com elétrons
dos átomos de gás ou vapor e estes útlimos absorvem energia do choque, se deslocam para níveis de maior energia
e produzem a referida luminosidade no retorno aos seus níveis. Alguns tipos são (aspectos na Figura 1.10):
b.1) Fluorescentes: constituem-se em um tubo de vidro contendo uma gota de mercúrio e argônio a baixa pressão.
Quando conectadas a um circuito, os eletrodos se aquecem e emitem elétrons (efeito termoiônico), que inicia
a ionização do argônio. Com a aplicação de um pulso de tensão, inicia-se uma corrente elétrica que vaporiza o
mercúrio e este passa a emitir radiação. Como parte dessa radiação consiste na faixa do ultravioleta, então a
parede interna do tubo contém depositada uma substância denominada fluorescente, que absorve esta radiação
e a converte em luz visível. São construídas em diversos formatos (Figuras 1.10-a e b) e apresentam bom
tempo de vida útil (10.000 horas) e rendimento (40 a 60 lm/W). Encontram diversos empregos em iluminação
de ambientes e decoração, bem como em esterilização (tipo com tubo sem revestimento fluorescente).
b.2) Vapor de mercúrio: possuem um tubo de quartzo contendo eletrodos de tungstênio (principais e auxiliar),
um gás inerte e mercúrio sob alta pressão, sendo ainda o tubo envolto por um bulbo de vidro coberto com uma
camada de pó fluorescente. A partida é feita por uma bobina, que inicia um arco elétrico entre os eletrodos
principais e auxiliar, e produz-se energia luminosa. O tempo de partida é muito elevado (cerca de 8 minutos)
mas, devido ao bom espectro para reprodução de cores (luz branco-azulada), preço relativamente baixo, bom
rendimento (até 60 lm/W) e tempo de vida útil (20.000 horas), são utilizadas em larga escala na iluminação de
ruas, praças, parques, estacionamentos, galpões industriais, pátios, postos de gasolina, espaços esportivos, etc.
b.3) Vapor de sódio: semelhante às lâmpadas de vapor de mercúrio, utilizam o princípio da descarga em um tubo
de óxido de alumínio contendo vapor de sódio, envolto por um bulbo de vidro duro. Fabricadas nas variantes
alta e baixa pressão, apresentam rendimento bastante elevado (120 lm/W na versão alta pressão e 200 lm/W na
versão baixa pressão) e boa vida útil (10.000 h), mas emitem luz quase monocromática (amarela alaranjada),
o que resulta em um baixo índice de reprodução de cores. São recomendadas para iluminação de exteriores e
de segurança em locais onde a acuidade visual seja importante mas sem necessidade de distinção de cores, tal
como estacionamentos, auto-estradas, aeroportos e espaços públicos (praças), bem como em situações na qual
a poluição luminosa seja uma restrição ou se pretenda reduzir a interferência da iluminação na fauna noturna.
b.4) Vapor e multivapor metálico: possuem tubo de descarga em alta pressão preenchido com mercúrio, haletos
metálicos (iodetos de índio, tálio e sódio) e gases (argônio e neônio), envolto por bulbo com pó fluorescente.
Apresentam alto rendimento (120 lm/W), alto custo e mesmos empregos das lâmpadas de vapor de mercúrio.
b.5) Luz mista: possuem este nome por constituirem-se de duas fontes de luz: um tubo de descarga de mercúrio
ligado em série com um filamento de tungstênio com a finalidade adicional de limitar a corrente na lâmpada.
Possuem boa vida útil (10.000 h) às custas de baixa temperatura de funcionamento do filamento, resultando
em baixo rendimento (26 lm/W). Contudo, tem a vantagem de não necessitar de reator, podendo ser ligadas
diretamente à rede elétrica. Apresetam boa reprodução de cores e aplicação semelhante às lâmpadas a vapor.
b.6) Lâmpadas de neon: constituem-se de um tubo de vidro contendo principalmente gás neônio a baixa pressão
que emite uma luz vermelha alaranjada, sendo o termo empregado também para dispositivos semelhantes que
contêm outros gases nobres para produzir outras cores. São largamente empregadas como letreiros luminosos.
b.7) Lâmpadas de indução: seu princípio de funcionamento é semelhante aos das lâmpadas de decarga, diferindo
destas pelo fato da corrente ser induzida por um campo magnético de alta frequência (2,65 MHz) produzido
por um circuito eletrônico integrado, não necessitando de eletrodos. Devido à elevada eficiência (70 lm/W) e
tempo de vida (60.000 h), são aplicadas em iluminação de espaços públicos e grandes galpões industriais.
espiral de indução

(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (h)


Figura 1.10: Aparência de diversas lâmpadas de descarga: (a) fluorescentes; (b) vapor de mercúrio; (c) vapor de
sódio tipo tubular; (d) vapor metálico tubular; (e) multivapor metálico; (f) mista; (g) neon; (h) indução magnética.

14
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

Comentários:
1) Fluorescência: é a propriedade de certos materiais em emitir luz no espectro visível quando expostos a radiações
de menor comprimento de onda, por exemplo ultravioleta ou raios X. A energia da radiação incidente provoca uma
excitação de elétrons no material que, ao retornarem aos seus níveis, emitem esta energia absorvida na forma de
radiação visível. Assim, o fenômeno da fluorescência só perdura enquanto existir uma fonte de radiação incidente.
2) Fosforescência: é um efeito similar à fluorescência, diferindo desta pelo fato dos elétrons excitados por radiação
voltarem lentamente para os níveis fundamentais, ou seja, emitem luz aos poucos, mesmo após o término da fonte
de radiação. Materiais fosforescentes (por exemplo, sulfeto de zinco) podem então ser aplicados para sinalização
de dispositivos na ausência de luz, tais como interruptores, tomadas, ponteiros de relógios e placas de trânsito.
3) Transdutores: são dispositivos de monitoramento por meio de um elemento sensor, que detecta parâmetros físicos
como temperatura, força, pressão, velocidade, etc., e os transformam em um valor de corrente ou tensão elétrica.

1.3.3) FIBRA ÓTICA

As fibras óticas têm sido amplamente utilizadas como meio sólido de propagação de informações e dados em
sistemas telefonia e rede de computadores, por meio do guiamento de ondas eletromagnéticas (luz) em seu interior.
Este efeito de guiamento de onda no interior de fibras óticas é baseado na aplicação de dois fenômenos ópticos:
1) Reflexão: quando um raio de luz, propagando-se em um meio qualquer, incide em uma superfície com um certo
ângulo i com a normal à superfície no ponto de incidência, sofre um desvio de um ângulo r = i também com a
normal e continua a se propagar no mesmo meio incidente, diz-se que o raio sofreu reflexão (Figura 1.11-a).
2) Refração: quando um raio de luz, propagando-se em um meio material 1 com velocidade v1, incide em uma super-
fície limitadora de um meio material 2 com um certo ângulo 1 com a normal à superfície, sofre um desvio em sua
direção e passa a se propagar no meio 2 com um certo ângulo 2 e velocidade v2 , diz-se que o raio sofreu refração
(Figura 1.11-b). Neste caso, a fronteira que delimita os meios de propagação de um raio de luz é chamada dióptro.
A medida qualitativa da refração em um meio é chamada refringência, caracterizada por seu índice de refração
absoluto n dado pela razão entre as velocidades c da luz no vácuo e a de propagação v no meio, tal que: n = c/v.
Logo, quanto menor a velocidade da luz em um meio, maior é o seu índice e diz-se que mais refringente é o meio.
O fenômeno da refração da luz é regido pela chamada Lei de Snell-Descartes, definida por (Figura 1.11-b):
sen θ1 v n
 1  2 (1.13)
sen θ 2 v2 n1
ou seja, a razão entre o seno dos ângulos de incidência e refração e entre as velocidades de propagação dos meios é
uma constante igual ao inverso da razão entre os índices de refração absolutos dos meios que formam o dioptro.
Com base na equação (1.13) nota-se que, se n2 < n1 , então 2 > 1 , ou seja, na propagação de um meio de maior
para um de menor refringência, o raio se afasta da normal. Neste caso, o aumento do ângulo de incidência poderá
atingir um valor limite L a partir do qual o raio não mais se refrata e passa a sofrer reflexão total (Figura 1.11-c).
raio de raio de 1 normal (N)
normal (N)
incidência raio de incidência L reflexão
i r reflexão v1 meio material 1 (n1) > L total
meio material 2 (n2) n1
meio incidente dióptro v2
n2 < n1
meio material 2 raio de
refração
(a) (b) (c)
Figura 1.11: Fenômenos ópticos na propagação de um raio de luz: (a) reflexão; (b) refração; (c) ângulo limite.
A possibilidade de ocorrer reflexão total de um raio de luz se propagando por um material mais refringente para
um menos refringente, permite que se obtenha o efeito do guiamento de um raio de luz ao longo de um meio material.
Fibras óticas, que representam uma aplicação prática deste guiamento de luz, consistem em um cabo formado básica-
mente por um núcleo cilindrico de material altamente transparente, envolvido de forma coaxial por uma fina casca de
material menos refringente que o núcleo, podendo apresentar ainda uma capa plástica de proteção contra choques
mecânicos (Figura 1.12-a). A casca é normalmente de material plástico, com o núcleo podendo ser de plástico ou
sílica altamente purificada. Desse modo, o sinal de luz a ser transmitido é propagado através do núcleo por reflexão
interna total no dióptro núcleo-casca (Figura 1.12-b). Atualmente, os sistemas ópticos utilizam luz infravermelho, por
esta sofrer menor atenuação que a luz visível, produzida por um dispositivo semicondutor denominado LED laser.
Um sistema de transmissão por fibra óticas (Figura 1.12-c) é formado basicamente por um circuito transmissor,
que converte o sinal elétrico em ótico, um cabo de fibra ótica como meio de propagação do sinal ótico, e um circuito
receptor, que converte o sinal ótico novamente em elétrico, além de conectores responsáveis pelas ligações terminais.
O driver, que pode ser um LED laser, fornece o sinal elétrico em condições requerida pelo emissor ótico. O detetor
ótico pode ser um fotodiodo e a interface de saída basicamente amplifica o sinal elétrico e o regenera, se necessário.
15
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

A fibra ótica apresenta diversas vantagens como meio de comunicação, dentre as quais pode-se citar: baixa
atenuação, elevada largura de banda (maior capacidade de transmissão), imunidade a campos magnéticos, baixo peso,
isolação elétrica (não produzem faiscamentos) e segurança (não permitem retirada de sinais sem seu rompimento).
casca
capa

núcleo
(a) (b) (c)
Figura 1.12: Fibra ótica: (a) constituição física básica; (b) guiamento de luz; (c) enlace de comunicação ótico.

Exercício
índice 6: Seja num
de refração cabo de fibra ótica constituído por um núcleo de índice de refração nN = 1,6 e uma casca de
C = 1,5. Supondo um feixe de luz incidindo na fibra proveniente do ar, num ângulo  com o eixo
da fibra (figura), determine o valor limite de  para que o raio passe a se propagar na fibra por reflexão interna total.
Solução
ar (nAR  1,0) casca (nC = 1,5)
P1
 90 –  P2
fibra ótica
M núcleo (nN = 1,6)

Pela figura observa-se que o limite do ângulo  é um valor máximo M , abaixo do qual ocorre reflexão interna
total do raio no dióptro núcleo-casca. Aplicando-se então a Lei de Snell-Descartes no ponto P1 (figura), tem-se:
nAR sen(M) = nN sen()   sen() = sen(M)/ nN
pois nAR  1,0. O ponto P2 (figura) representa o limite para a ocorrência da reflexão total do raio de luz. Logo:
nN sen(90  ) = nC sen(90º)  nN [sen(90) cos()  sen() cos(90)] = nC   cos() = nC / nN
Como sen2 () + cos2() = 1 então: [sen(M)/ nN] 2 + (nC / nN) 2 = 1  sen2 (θM )  nC2  nN2 
 sen2) (θ
M  NC 
22
n n )M(θ22 NCsen  M nθ n22 N C arcsen  n n 
Assim, para nN = 1,6 e nC = 1,5 tem-se que o ângulo limite M é dado por: M 0,59 rad 33,8º

1.3.4) LASER
O laser, sigla para “amplificação de luz por emissão estimulada de radiação ” (Light Amplification by Stimulated
Emission of Radiation), é um feixe emergente de radiação eletromagnética cujo princípio de funcionamento, como seu
próprio significado sugere, é baseado em um fenômeno da matéria conhecido como emissão estimulada.
Como visto, um elétron excitado apresenta a tendência de retornar ao seu nível natural, emitindo a diferença de
energia entre os níveis na forma radiação (fótons). Este retorno é bastante lento nas escalas de tempo atômico, mas o
elétron pode ser “estimulado” a retornar mais rapidamente se no mesmo incidir um fóton, que incentiva o elétron a
emitir um fóton de mesmo comprimento de onda e fase do fóton incidido. Os fótons srcinados da estimulação podem
a seguir estimular outros fótons idênticos, estes últimos estimular outros idênticos, e assim sucessivamente, gerando
um efeito cumulativo que resulta em uma grande quantidade de radiação idêntica emergindo do meio material.
Um mecanismo básico de produção da luz laser consiste de
superfície bombeamento de energia
um recipiente de paredes internas espelhadas, chamado cavidade
óptica, preenchido por um meio ativo composto por uma amostra espelhada (luz, eletricidade, etc.)
de material sólido, líquido ou gasoso, no qual um grande número
cavidade
de átomo são excitados devido a um bobeamento (de luz, campo óptica
elétrico, etc.), que fornece energia a este meio (Figura 1.13). Os feixe laser
meio
elétrons excitados destes átomos produzem inicialmente fótons, ativo
que são refletidos de volta sobre o material devido à superfície
espelhada da cavidade óptica, e estimulam uma nova geração de espelho
fótons que também são re-incididos no material e assim sucessi- semi-
vamente. Após vários passos, uma fração dos fótons, que estão se transparente
movimentando na direção do eixo da cavidade, emergem por uma
abertura ou por um espelho que apresenta reflexão parcial. Essa Figura 1.13: Partes constituintes básicas de um
fração de fótons gerados continuamente emergentes da cavidade dispositivo de produção de feixe de luz laser.
óptica constitui-se então em um feixe de luz laser (Figura 1.13).
16
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

Assim, o laser apresenta diversas propriedades especiais, tais como: monocromático (as ondas eletromagnéticas
que compõem o feixe possuem comprimento onda bem definido), coerente (as ondas oscilam de forma sincronizada,
isto é, estão em fase) e colimado (as ondas propagam-se em uma mesma direção de forma praticamente paralela).
Como meio ativo, que define o comprimento de onda do laser, são empregados diversos materiais, tais como:
Hélio-Neônio (11500 Å), Rubi (6940 Å), Arsenieto de Gálio (6000-11000 Å), Neodímio-YAG (10600 Å), Érbio-YAG
(29400 Å) e Hólmio-YAG (21000 Å), onde o termo YAG é um material sintético dopado semelhante ao diamante.
Comercialmente, o laser pode ser produzido em diversas potências (0,1 - 500 mW) de acordo com a sua vasta
aplicação, tais como: telecomunicações (transmissão de informação via luz acoplada a uma fibra ótica), científicas
(praticamente todas as ciências experimentais tem algum emprego para o laser), indústria e comércio (instrumentos de
corte, soldagem e marcação de peças metálicas, confecções de moldes, impressoras, leitores de código de barras, etc.),
medicina e odontologia (instrumentos de corte cirúrgicos, tratamento de enfermidades, biópsias, pinças ópticas,
remoção de cáries, etc.) e leitura e gravação de dados, informações e conteúdo de entretenimento (CDs e DVDs).

1.3.5) CÉLULA COMBUSTÍVEL A HIDROGÊNIO


Célula combustível (Fuel Cell ), também chamada de célula a combustível (CaC) ou célula de combustível, é
um dispositivo em que um agente redutor (combustível) e um agente oxidante (comburente) são consumidos de forma
a converter a energia química da reação envolvida diretamente em energia elétrica. A estrutura básica de uma célula
combustível constitui-se de um eletrodo negativo (anodo), que é alimentado com um gás combustível, um eletrodo
positivo (catodo) que recebe o comburente, um eletrólito com a função de transportar íons positivos produzidos no
anodo para o cátodo, e catalizadores nestes eletrodos para acelerar as reações eletroquímicas. Como o resultado destas
diversas reações, pode-se obter a produção de corrente elétrica por um fio externo ao sistema (Figura 1.14).
O modelo de célula combustível de maior desenvolvimento atual utiliza o hidrogênio (combustível) e oxigênio
(comburente) como reagentes, uma membrana polimérica condutora
de prótons como eletrólito (denominada PEM) e lâminas de carbono e_ e_ e_
(eletrodos) revestidos de platina (catalizador). O hidrogênio (puro ou
retirado de um outro combustível) introduzido no anodo da célula é H2 eletrólito c O2
a
oxidado (ionizado) no catalisador e dissociado em prótons (íons H+) a
n
e elétrons. Os prótons são então conduzidos através da membrana até t
o H+
o
o catodo e os elétrons são forçados a percorrer um fio externo na d H+ d H2O
forma de ecorrente elétrica devido à uma diferença de concentração de H2 o o +
elétrons diferença de potencial estabelecidas entre os eletrodos H+ calor
(Figura 1.14). Por sua vez, o oxigênio fornecido ao catodo reage com
os prótons provenientes do eletrólito e os elétrons provenientes do fio Figura 1.14: Esquema simplificado de uma
externo, produzindo vapor d’água (Figura 1.14). Na prática, cada par célula combustível a hidrogênio.
eletrodos/eletrólito produz cerca de 1 V de tensão CC e pares podem
ser conectadas em série para a obtenção de maior tensão, e/ou em paralelo para a obtenção de maior corrente.
As tecnologias de maior desenvolvimento na atualidade consistem nas das células de membranas poliméricas
(chamadas PEFC), bem como nas de óxido sólido ou cerâmicos (SOFC) e nas de carbonato fundido (MCFC).
As células combustível têm a vantagem de serem pouco poluentes e altamente eficientes, podendo ser utilizadas
como sistemas de emergência e fonte de energia elétrica em aparelhos portáteis (celulares, notebooks e automóveis) e
em regiões com carência de rede elétrica. No entanto, o emprego do hidrogênio como combustível apresenta ainda
vários problemas práticos a serem superados. O hidrogênio é altamente inflamável, o que exige o desenvolvimento de
tecnologias para o reabastecimento seguro das células. Além disso, este gás não se constitui em uma fonte primária de
energia, pois precisa ser fabricado a partir de outras fontes, tais como gasolina, gás natural, metanol, óleos, biomassa
gaseificada, etc., necessitando-se para isso o consumo de outra forma de energia (por exemplo, térmica ou elétrica).
Embora células combustível e pilhas eletroqúimicas produzam energia elétrica sem a necessidade de combustão
ou dispositivos
ingredientes rotativos para
necessários e tenham componentes
as pilhas e características
funcionarem estão contidassimilares, elas diferem
em seu invólucro, razãonopela
sentido
qual de
sãoque todos os
dispositivos
de armazenamento de energia. As células combustível, por sua vez, empregam dois agentes químicos (combustível e
comburente) fornecidos de fontes externas ao sistema e, desse modo, podem produzir continuamente energia elétrica
enquanto for mantido o provimento destes ingredientes, isto é, funcionam como dispositivos de conversão de energia.

1.4) EXERCÍCIOS PROPOSTOS


Problema 1: Seja dois fios 1 e 2 de mesmo material e peso desprezível. O fio 2 tem 6 cm comprimento. O fio 1 tem o
dobro do comprimento e diâmetro do fio 2. No fio 1 é suspenso um cubo de cobre e, no fio 2, um cubo de material M,
cuja aresta é a metade do cubo de cobre (vide figura). Sabendo-se que o comprimento final do fio 1 é 12,08 cm e do
fio 2 é 6,009 cm, determine a massa específica do material M. Considere temperatura ambiente (20 oC).
17
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

Problema 2: Sejam dois líquidos miscíveis 1 e 2, de massas específicas 1,1 g/cm3 e 0,9 g/cm3, respectivamente. Qual
a massa específica de uma mistura homogênea composta, em volume, por 60 % de líquido 1 e 40 % de líquido 2?

Problema 3: A figura fornecida mostra a variação do comprimento de duas barras de materiais A e B, em função do
incremento de temperatura T. Compare os coeficientes de dilatação linear dos materiais e obtenha conclusões.

Problema 4: Seja uma placa metálica com um furo no centro (figura dada), cujas dimensões à temperatura de 20 oC
são fornecidas na figura. Determine a variação percentual da área do furo quando a placa sofre um aquecimento até à
temperatura de 520 oC. Dado: coeficiente de dilatação linear do material da placa:  = 2 x 10–5 oC –5.

Problema 5: A massa específica de certo material sólido é igual a 5,015 g/cm3 a 25 oC e 5 g/cm3 a 75 oC. Determine
o coeficiente de dilatação térmica linear deste material, supondo este independente da temperatura.

Problema 6: A figura dada mostra dois pilares de materiais A e B à temperatura inicial de 20 oC, que suportam uma
plataforma P inclinada com um ângulo de 1o. Determine a temperatura final dos pilares A e B tal que a inclinação da
plataforma seja de 0o. Dados: coeficientes de dilatação linear dos materiais: A = 10–5 oC -1 ; B = 4 x 10–5 oC –1.

Problema 7: Uma esfera de alumínio tem, a 25 oC , um diâmetro de 5 cm. Determine a temperatura que esta esfera
pode ser aquecida para que a mesma ainda consiga passar por um orifício circular de 5,03 cm de diâmetro.

Problema 8: Seja, a 20 oC, uma barra de cobre de comprimento desconhecido e uma barra de alumínio de 3,4 cm de
comprimento. Submetem-se ambas as barras a mesma variação de temperatura e observa-se que a diferença entre os
comprimentos das barras se mantém constante. Determine o comprimento da barra de cobre a 20 oC.

Problema 9: Sejam 3 barras isoladas termicamente, conectadas e submetidas às temperaturas em suas extremidades
tal como mostrado na figura fornecida. A área da seção de cada barra é 1 cm2. Pede-se: determine a temperatura TJ na
junção das barras, o valor e o sentido da corrente térmica em cada barra, e a resistência térmica das barras. Dados:
condutividade térmica dos materiais: K1 = 0,18 cal/oC cm s , K2 = 0,12 cal/oC cm s e K3 = 0,084 cal/oC cm s.
P
lA, lB (cm)
1o 12 cm
15 A retas 0,5 m A o
g 2 B
aralelas 0,5 cm 10 C 1 2 50 C
o
1 1 cm 3m 15 cm
12 1m TJ
M 10 cm 3 30 cm
Cu 0 5 cm B
T(oC) 80 oC
Problema 1 Problema 3 Problema 4 Problema 6 Problema 9
Problema 10: Sejam dois corpos de materiais A e B de mesmo volume. Sabe-se que o calor específico do material A
é 60% maior que do material B e a massa específica de A é 80% de B. Fornecido a mesma quantidade de calor aos
dois corpos, determine qual corpo é submetido à maior variação de temperatura e a diferença percentual das mesmas.

Problema 11: A afirmação: “o elétron emite continuamente energia ao retornar ao seu nível fundamental, de forma a
obedecer a teoria quântica”, está correta? Explique sua resposta.

Problema 12: Para um elétron situado no 4 o nível de energia de certo átomo, esquematize os caminhos (combinações
de etapas) que este poderá percorrer no retorno ao 1 o nível e identifique quantos tipos de fótons ele poderá emitir.

Problema 13: Seja um átomo hipotético cuja distribuição de energia dos níveis é dada pela equação: En =  36/ n2 ,
onde n = 1,2,..., é o índice dos níveis. Para um elétron situado no 2o nível deste átomo, pede-se:
a) O elétron absorve um fóton e, ao retornar ao seu nível, emite dois fótons de comprimentos de onda 28181,8 Å e
1640,2 Å. Determine o comprimento de onda do fóton absorvido e o caminho percorrido pelo elétron até seu nível.
b) Explique o que acontece com o elétron se no mesmo incidir um fóton de comprimento de onda 1240 Å.
c) Determine o comprimento de onda limite para o elétron sofrer fotoexcitação e explique se é mínimo ou máximo.
7,2 m
Problema 14: A figura dada mostra uma plataforma circular de diâmetro 7,2 m, que flutua
em águas cuja velocidade de propagação da luz é 2,4 x 108 m/s. Determine a profundidade
hlim
limite hlim abaixo do centro da plataforma, que um peixe deve se posicionar para que não seja
visto de nenhuma posição fora d’água. Explique se o limite é mínimo ou máximo.

18
CAPÍTULO 2: MATERIAIS E DISPOSITIVOS CONDUTORES
Materiais ditos condutores elétricos são definidos como todo meio que permite o estabelecimento de um fluxo
utilizável de cargas livres por sua estrutura compatível com a tensão aplicada. A Eletrotécnica faz uso destes materiais
para o transporte de energia na forma de corrente elétrica e transformação desta energia em outras formas, tais como
mecânica, térmica e luminosa, bem como para armazenamento de energia, propagação de sinais e ações de comando.
Este capítulo tem como objetivo realizar um breve estudo sobre os materiais condutores, suas características e
aplicações em componentes elétricos, bem como dissertar sobre alguns tópicos complementares ao assunto.

2.1) FENÔMENO DA CONDUÇÃO ELÉTRICA

OA
elétrica. fenômeno
chamadadaresistência
condução elétrica
elétrica refere-se
em um material é qualificada
à quantificação desta pela propriedade
propriedade denominada
em uma amostra condutividade
do material e
dependente de fatores próprios do material, tais como impurezas, imperfeições e temperatura, bem como parâmetros
externos como frequência da corrente elétrica circulante pela amostra. Estes assuntos são abordados a seguir.

2.1.1) CONDUTIVIDADE E RESISTÊNCIA ELÉTRICAS

O movimento ordenado de portadores de carga livres em um meio material (elétrons e íons) é chamado corrente
elétrica, sendo o montante desta corrente proporcional à quantidade dos portadores livres disponível no material. A
qualidade condutora de um material reside então na sua capacidade de conduzir um fluxo de carga utilizável, o que
em Eletrotécnica se resume a não considerar como efetivas ou válidas correntes de ordem inferior a microampéres.
Como visto no Capítulo 1, os materiais ditos condutores elétricos caracterizam-se por apresentar suas bandas de
valência e condução superpostas, o que resulta em uma elevada disponibilidade de elétrons na banda de condução,
que porisso apresentam grande liberdade de movimento e recebem então a denominação de elétrons livres. Assim, o
surgimento de correntes elétricas em amostras destes materiais podem ser substanciais e, portanto, utilizáveis.
Seja então uma amostra de comprimento e área A de certo material condutor contendo N elétrons livres
disponíveis (Figura 2.1-a). Na ausência da influência de um agente externo, estes elétrons apresentam um movimento
totalmente randômico motivado apenas pela agitação térmica (Figura 2.1-a) e não se constituem em um deslocamento
ordenado de carga elétrica em qualquer direção. Contudo, o estabelecimento de um campo elétrico E no interior da
amostra, em conseqüência de uma tensão V aplicada entre suas extremidades, impõe uma força elétrica F   e E aos
elétrons livres e determina um movimento preferencial a estas cargas, que passam a se deslcoar pela amostra a uma
velocidade média v (devido à maior ou menor probabilidade de colisões com elétrons estacionários da rede), chamada
velocidade de deriva, e de sentido contrário ao campo (Figura 2.1-b). Como resultado, tem-se então o estabelecimento
de uma corrente elétrica no material, neste caso denominada corrente de condução, de deriva ou de campo.
N elétrons livres V V

e v e
e e v e v<0
v e e<0
e e E E,J
A A v e A
 e v e v>0
e v e v e e>0
x x x
(a) (b) (c)

Figura 2.1: Fenômeno da condução elétrica nos materiais: (a) cargas livres em movimento randômico; (b) tensão
aplicada e consequentes campo elétrico e corrente elétrica; (c) densidade de corrente de condução resultante.
Supondo t o tempo médio necessário a um elétron livre percorrer a amostra de comprimento , então pode-se
estimar a velocidade média v dos elétrons livres como: v =  /t, por esta ter sentido contrário ao eixo x. Sendo uma
corrente elétrica definida como a variação de carga com o tempo ( Q/t), então a corrente elétrica I na amostra de
material condutor, resultante do movimento ordenado de seus N elétrons livres disponíveis, pode ser determinada por:
Q Nq  N e  ( ) vN
e
I   
 I
t t (  / v)
ou seja, o montante da corrente de condução indenpende do sinal do portador de carga considerado (Figura 2.1-c).
Logo, este resultado é obtido considerado-se o movimento de cargas positivas, cujo sentido é chamado convencional.
Definindo densidade de corrente de condução, deriva ou de campo J como a corrente que flui através da área A
da seção transversal ao fluxo de portadores (J = I /A), então a densidade de corrente na amostra será dada por:
19
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

I N ev
J  
A A
Seja n a chamada concentração de elétrons livres de um material, definida como o número de elétrons livres por
unidade de volume. Como há N portadores livres disponíveis em um volume A da amostra, então a concentração n
do material da amostra será dada por: n = N / A. Assim, a densidade de corrente J pode ser reescrita como:
N (2.1)
J  e v   J n e v
A
Seja n = v/E ( m2/Vs) a propriedade mobilidade dos elétrons livres de um material, que descreve a velocidade
média destes portadores por unidade de campo aplicado. A densidade de corrente J pode então ser redefinida como:
J  n e v  n e μn E  σ E (2.2)
Na equação (2.2), conhecida como Lei de Ohm na forma vetorial, o termo resultante  definido por:
σ  n e μn (2.3)
é chamado
um condutividade
meio material elétrica
quando este ( S/m, S =a uma
é submetido Siemens) e expressa
tensão, a facilidade
ou seja, sua com
capacidade emque cargascorrentes
conduzir livres podem fluir por
de condução.
Com base na equação (2.2), observa-se que o vetor densidade de corrente tem sempre o sentido do vetor campo
elétrico aplicado pois, como visto, a corrente não depende do sinal do portador de carga considerado (Figura 2.1-c).
A propriedade inversa à condutividade, ou seja, que define a oposição ou dificuldade imposta por um material à
circulação de corrente por seu meio, é chamada resistividade elétrica  (m), definida então por:  = 1/ = 1/n e n .
Como um campo elétrico é definido como o gradiente de potencial elétrico aplicado a um meio material, ou
seja, a variação de potencial ao longo do meio ( V/x), tem-se que o campo E na amostra devido à tensão V aplicada
entre as extermidades distantes pode ser determinada por E = V/ . Logo, manipulando-se a equação (2.2), tem-se:
I I V 1
J   
E     V I  I  V RI (2.4)
A A A  A
onde a equação resultante é chamada Lei de Ohm na forma escalar e o termo R =  /A dependente da geometria da
amostra representa uma avaliação quantitativa da resistividade do material denominada resistência elétrica ().
Para o caso de uma amostra submetida a uma tensão constante em suas extremidades, tem-se como resultado
uma corrente também constante (corrente contínua, dita CC), cuja densidade de corrente ocupa uniformemente toda a
área transversal A da amostra. Neste caso, a chamada resistência elétrica à corrente contínua RCC se resume a:

RCC   A () ou  CC R mm
 A( / ),para
1 (2.5)
onde a segunda equação (por unidade de comprimento) tem emprego prático na indústria de fios e cabos condutores.
Cabos elétricos consistem de um conjunto de fios de mesma seção ou não. Neste caso, normalmente os fios do
cabo são encordoados (trançados helicoidalmente) para conformação mecânica, fazendo-os maior que o próprio cabo.
Logo, o comprimento dos fios deve ser corrigido por um fator de encordoamento fe, que convencionalmente será:
 Para cabos com até 3 fios: comprimento dos fios em média 1% maior que o cabo, ou seja, fe = 1,01.
 Para cabos com mais de 3 fios: comprimento dos fios em média 2% maior que o cabo, ou seja, fe = 1,02.
Assim, a resistência CC de um cabo elétrico com nfios de área Afio cada e comprimento será determinada por:
 fe fe
Afio RCCcabo
,    )( ou  R
CC
cabo ,  )/( m (2.6)
A fio  n fios A fio  n fios
nfios

Comentários: a seguir são feitas algumas obervações sobre a condutividade dos materiais em geral e da resistência.
1) O tipo de portador de carga livre em condutores sólidos são exclusivamente elétrons, nos líquidos (eletrólitos) são
exclusivamente íons e apenas os condutores gasosos (plasmas) apresentam elétrons e íons como portadores livres.
2) A concentração n elétrons livres nos metais é aproximadamente 10 23 cm-3. Como comparação, a concentração de
elétrons livres nos isolantes é da ordem de 106 cm-3, e nos semicondutores ditos puros, em torno de 1010 cm-3.
3) Como a resistência é proporcional ao comprimento, então fios resistivos podem ser empregados como sensores de
deformação elástica de peças em equipamentos de medição, denominados extensômetros por resistência elétrica.

Exercício 1: Seja um fio metálico de 2,5 mm2 conduzindo corrente contínua de 16 A . Supondo uma concentração de
elétrons livres no metal típica da ordem de 10 23 cm-3, determine a velocidade de deriva (v) dos elétrons neste fio.
Solução
 Com base na equação (2.1), tem-se então que: J = I/A = n e v   v = I/(n e A)
onde: I = 16 A ; A = 2,5 mm2 = 2,5 x 10 -6 m2 ; n = 1023 cm-3 = 1029 m -3 ; e = 1,6 x 10-19 C
19   4
 Portanto: v  16/ 10 29 1,6  10 2,5 16 0
   v 4 10 / s
m
A esta velocidade, um elétron necessitaria de 2500 s, ou aproximadamente 42 min, para percorrer 1 m de fio. Assim, a
velocidade de deriva é muito pequena comparada com a velocidade da onda de propagação de um campo elétrico ao
longo do fio (propagação de um sinal de tensão), que é cerca da velocidade das ondas eletromagnéticas (3 x 108 m/s).

20
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

2.1.2) FATORES QUE INFLUENCIAM NA RESISTÊNCIA ELÉTRICA


A resistência elétrica de amostras dos materiais depende de fatores que influenciam no valor da resistividade do
material, tais como grau de pureza, imperfeições e temperatura, bem como da freqüência do sinal de corrente elétrica
aplicado, que influencia diretamente no valor da resistência da amostra. Estes aspectos são discutidos a seguir.

2.1.2.1) Grau de impureza e imperfeições no material


A presença de impurezas em materiais condutores, notadamente
nos metais, provoca alterações na disposição cristalina do material, cuja  (x 10
-8
. m )
irregularidade dificulta a passagem dos elétrons. Logo, a resisitividade sentidos de maior pureza
dos metais diminui com o aumento do seu grau de pureza. Desse modo, 60
ligas metálicas tendem a apresentar resistividade maior que a dos metais 50
componentes. Pordeexemplo,
dade de uma liga cobre e aníquel,
Figuraonde
2.2 mostra a variação
observa-se da resistivi-
que a resistividade 40
20 7,2
do Constantan é maior que a do cobre e do níquel puros (Tabela 2.1). 1,7
0
Similarmente, a presença de imperfeições na rede cristalina de 100 80 60 40 20 0 % Cu
um material, comumente srcinadas no momento de sua cristalização ou 0 20 40 60 80 100 % Ni
pela ação de uma energia aplicada à sua estrutura (por exemplo, atuação Constantan
de forças mecânicas, tais como laminações a frio e trifilação), acarretam
em deformações que causam um aumento da resistividade do material. Figura 2.2: Variação da resistividade de
Estas imperfeições alteram ainda algumas das características mecânicas uma composição de cobre com níquel.
do material (por exemplo, aumento da dureza), sendo estes problemas
amenizados mediante um tratamento térmico denominado recozimento. Por exemplo, o cobre do tipo laminado a frio
é submetido a esforços mecâncios em sua fabricação, o que o faz apresentar resistividade maior que a do tipo fundido.

Comentário: dentre os processos de conformação mecânica e acabamento dos materiais, pode-se citar:
 Recozimento: tratamento térmico que consiste em aquecimento e resfriamento lento para alívio de tensões internas
de um material para diminuição de sua dureza devido, por exemplo, ao chamado encruamento (endurecimento).
 Extrusão: processo de fabricação por compressão a frio ou a quente, que consiste na saída forçada de uma peça em
um molde para a obtenção da forma desejada (exemplos: tubos e encapamento de fios). Provoca encruamento.
 Trifilação: processo de fabricação por deformação a quente, que consiste em forçar a passagem de uma amostra de
material por uma matriz sob esforço de tração, de modo a sofrer deformação plástica. Tem por objetivo reduzir a
seção do material e aumentar seu comprimento para produzir, por exemplo, fios. Este processo aumenta bastante a
resistência à tração e à fadiga do material da peça, mas causa um aumento da dureza do material.
 Usinagem: processo de submissão de um material bruto à ação de uma máquina e/ou ferramenta, de modo a ser
trabalhado, tal como serramento, aplainamento, torneamento, fresamento, furação, eletroerosão, etc.
 Prensagem: aplicação de pressão para a operação de conformação de peças baseada na compactação, com aditivos
ou não, de materiais inseridos no interior de uma forma rígida ou de um molde flexível.
 Esmerilhagem: processo de desgaste e polimento de peças por meio da rotação de uma pedra circular muito dura.

2.1.2.2) Temperatura

Com base na equação (2.3), observa-se que a condutividade elétrica de um material depende da concentração e
mobilidade de seus elétrons livres. No caso dos materiais condutores puros (notadamente os metais), praticamente
todos os elétrons de valência estão livres, o que resulta então em uma concentração de elétrons livres praticamente
constante. Contudo, uma elevação da temperatura acarreta em maior vibração da rede cristalina do material, o que
provoca um aumento das colisões entre elétrons em movimento e elétrons fixos da rede, com consequente perda de
mobilidade dos elétrons livres e maior aquecimento do material por Efeito
Joule. Logo, com a concentração de elétrons livres praticamente constante, a R ( )
diminuição na mobilidade destes elétrons devido à elevação da temperatura RT2
acarreta em um aumento da resistividade do material e, conseqüentemente,
R
resulta no aumento da resistência elétrica de uma amostra deste material. RT1

Para faixas de temperaturas normais de trabalho dos materiais em
geral, o gráfico típico da variação da resistência com a temperatura de uma T
amostra apresenta um comportamento praticamente linear (Figura 2.3). 0
T1 T2 T(oC)
Desse modo, para uma amostra de comprimento e seção transversal A de
certo material submetido a variações de temperatura, pode-se determinar a Figura 2.3: Variação da resistência
declividade do segmento linear do gráfico como uma medida da dependência elétrica com a temperatura.
da resistência da amostra de material com a temperatura, dada então por:
21
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

R R  RT1
tg    T2
T T2  T1
Como visto, esta declividade representa o comportamento da amostra com a temperatura e não do material da
amostra. Neste caso, supondo desprezível as variações nas dimensões e A da amostra quando esta é submetida a
uma variação de temperatura (dilatação volumétrica desprezível) então, dividindo-se ambos os lados da equação da
declividade pela resistência elétrica a uma temperatura de referência qualquer, por exemplo T1 (RT1), obtem-se:
tg  1 RT2 T1R 1  /T1A   /A 1T1   
  T2
  T2
T 1
RT1 T1 2 1 T  TT1
R  /2 A1 T T1T 2 1  T T
o –1
onde observa-se agora que o fator T1 (unidade: C ) independente da geometria da amostra e descreve notadamente
a proporcionalidade entre a variação da resistividade e da temperatura do material da amostra. Logo, o parâmetro T1
descreve o comportamento da resistividade com a temperatura e representa uma propriedade intrínseca do material,
chamada coeficiente de variação da resistividade com a temperatura ou coeficiente de temperatura da resistividade.

Assim,
coeficiente de atemperatura
resistividade
dade um materialdoà material
resistividade uma temperatura
tabeladosqualquer T2 podedeser
na temperatura obtida a Tpartir
referência 1 , talda resistividade e
que:
1  T2  T1
  T1    T2 T1
 T1
1 2 1 T T  (2.7)
 T1 2T 1 T
o
Adotando-se T1 = 20 C como temperatura padrão, a resistividade T a uma temperatura qualquer T será tal que:
T 2 0 [ 1 20 α T 20]  (2.8)
Desse modo, para uma amostra de material de comprimento e seção transversal A submetida a uma variação
de temperatura, a resistência da amostra à temperatura qualquer T (RT) a partir da referência 20 oC será dada por:
 T )/( A)/1( 20  20A  20  T 1 T 20 20R  R
20  T (2.9)
A Tabela 2.1 apresenta a resistividade e o coeficiente de variação da resistência com a temperatura para alguns
materiais a 20 oC. Com base nos dados da tabela, observa-se que, de acordo com o módoulo e sinal do coeficiente de
temperatura, ocorrem basicamente três classificações para o comportamento da resistividade elétrica dos materiais:
 PTC: a resistividade do material aumenta com o aumento da temperatura, ou seja, o coeficiente é positivo ( > 0).
Este comportamento é basicamente encontrado nos metais puros em geral (Tabela 2.1) e na maioria de suas ligas.
 NTC: a resistividade do material diminui com o aumento da temperatura, ou seja o coeficiente é negativo ( < 0).
Este é o caso do grafita (Tabela 2.1), de algumas ligas metálicas resistivas, dos semicondutores e dos isolantes.
 Termoestável: a resistividade do material praticamente não se altera com a variação de temperatura, ou seja, o
coeficiente de temperatura é muito pequeno ou nulo (  0). Na Tabela 2.1 tem-se como exemplo o constantan,
que apresenta um coeficiente de temperatura ( 10– 6) muito inferior comparado a outros materiais ( 10– 3 ), isto é,
o comportamento de sua resistência com a temperatura apresenta uma declividade praticamente desprezível.

Tabela 2.1: Resistividade e coeficiente de temperatura da resistividade de alguns materiais a 20 oC.


Condutor (Ωm ) (oC 1) Condutor (Ωm) (oC 1)
prata 1,6 x 10-8 3,8 x 10-3 níquel 7,8 x 10-8 6,0 x 10-3
cobre 1,7 x 10-8 3,9 x 10-3 ferro 10 x 10-8 5,5 x 10-3
-8 -3 -8
ouro 2,4 x 10 3,4 x 10 platina 10,5 x 10 3,0 x 10-3
alumínio 2,8 x 10-8 4,0 x 10-3 constantan 50 x 10-8 8,0 x 10-6
-8 -3 -6 -4
tungstênio 5,0 x 10 5,2 x 10 grafita 14 x 10 – 5,0 x 10

Exercício 2: Seja um cabo constituído por 19 fios de alumínio de seção circular com 1,6 mm de diâmetro. Pede-se:
a) Determine a resistência à corrente contínua de um fio do cabo por quilômetro a 50 oC ;
o
por quilômetro a 50 C ;
b) Determine a resistência à corrente contínua do cabo Solução
Da Tabela 2.1, tem-se para o material alumínio a 20 oC que: Al, 20C = 2,8 x 10–8  m , Cu, 20C = 4,0 x 10–3 oC -1
a) Cálculo da resistência à corrente contínua de um fio do cabo de alumínio em /km e a 50 oC :
 Raio de um fio do cabo: rfio = 1,6 / 2 mm = 0,8 mm = 8 x 10– 4 m
 Resistividade do alumínio a 50 oC : da equação (2.8) tem-se que:
8 3 8
 o
Al ,50 C
  Al, 20 C [1 , 20Al C (50 20)] 2,8 10
o o  [14  10 30] 3,14 10 m
 Da equação (2.5), tem-se então que a resistência RCC do fio a 50 oC será dada por:
ρAl,50 oC ρAl, o 3,14  108  Ω
15,6  10 3
50 C
RCC, fio , 50 oC    2
  2
15,6
Afio π rfio  8  104  m km

 Este resultado pode ser também calculado aplicando-se diretamente a equação (2.9), ou seja:
22
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

ρ
Al, 20 o C 3  
RCC,fio, 50 Co  RCC,20fio, Co 201 αAl,C (50 20)    
1 30 α 15,6 10  15,6
 o
  π
2 20
rfio
Al,C
o
m km
b) Cálculo da resistência à corrente contínua do cabo de alumínio em /km e a 50 oC :
Como nfios = 19 > 3, então o fator de encordoamento do cabo será: fe = 1,02. Da equação (2.6), tem-se então que:
fe 8 1,02 3  Ω
RCC,cabo,50 C   Al ,50 C  2
o o 3,14 10  2
0,84 10 0,84
 rfio  n fios   8 10
4
 
19 m km

2.1.2.3) Efeito pelicular


Como concepção espacial, a densidade de corrente em uma amostra de material pode ser esquematizada por
infinitas “linhas de corrente”, que se distribuem pela área da amostra transversal ao fluxo da corrente (Figura 2.4-a).
No caso de correntes contínuas no tempo, tem-se que as linhas de corrente se distribuem uniformemente pela seção da
amostra e, desse modo, a densidade de corrente distribui-se por toda a seção (Figura 2.4-a) e no cálculo da resistência
à corrente contínua (RCC), definido na equação (2.5), considera-se a área total A. Contudo, para correntes variantes no
tempo, a equação (2.5) pode apresentar resultados muito imprecisos devido ao chamado efeito pelicular ou skin.
Da teoria do Eletromagnetismo, sabe-se que toda corrente elétrica produz campo magnético e, desse modo, uma
corrente variante no tempo (por exemplo: corrente alternada, dita CA), produz um campo magnético também variante
no tempo. Sabe-se também que as linhas de fluxo de um campo magnético variante no tempo induzem tensão elétrica,
chamada força eletromotriz (fem), em qualquer material imerso no campo (Lei de Faraday: fem = – d/dt), inclusive
no próprio meio por onde circula a corrente. Como resultado, se o meio material prover um caminho, a fem induzida
produz corrente elétrica no material de sentido tal a fazer oposição ao fluxo magnético que a produziu (lei de Lenz).
Seja então uma amostra de material percorrido por corrente alternada, cujas linhas de corrente produzem fluxos
de linhas de campo magnético alternado que envolvem as linhas de corrente (Figura 2.4-b) e estas produzem forças
eletromotrizes inclusive internamente à amostra ( fem auto-induzidas). Como cada seção infinitesimal transversal à
corrente constitui-se em um meio material para a indução de correntes em resposta às fem’s auto-induzidas, então
observa-se que estas correntes induzidas tendem a intensificar as linhas de corrente srcinais mais externas à seção
transversal do condutor, mas a se opor às linhas mais internas (Figura 2.4-b). Como consequência, os elétrons em
movimento são forçados a se deslocarem para a área mais externa da seção da amostra, o que resulta em um efeito de
diminuição gradativa das linhas de corrente da seção externa para a interna (Figura 2.4-c), chamado efeito pelicular.
Assim, pode-se observar que o efeito pelicular provoca uma desuniformidade na densidade de corrente e, desse
modo, a área efetivamente ocupada por uma corrente alternada é menor do que a ocupada por uma corrente contínua.
Como a resistência depende inversamente da área, conclui-se então que a resistência de uma amostra de material à
passagem de corrente alternada (RCA) poderá ser consideravelmente maior que a resistência à corrente contínua (RCC).
corrente 63% 
induzida
linhas de
J linha de J r
corrente
fluxo
magnético
linha de corrente srcinal
película
(a) (b) (c) (d)
Figura 2.4: (a) Densidade de corrente contínua; (b) efeitos de correntes induzidas nas linhas de corrente srcinais;
(c) densidade de corrente CA não uniforme e o efeito pelicular; (d) profundidade de penetração e área efetiva.
Análises teóricas têm demonstrado que, quando a seção transversal de um condutor é muito maior que a área
efetivamente ocupada por uma corrente alternada, a densidade de corrente diminui exponencialmente a partir da
superfície. Neste caso, pode-se obter uma avaliação quantitativa da resistência apresentada pela amostra de material
considerando-se que a densidade das linhas de corrente alternada está concentrada e distribui-se uniformemente por
apenas uma película de espessura  correspondente ao decréscimo de 63% da densidade de corrente na superfície da
amostra (Figura 2.4-d). Esta espessura, denominada profundidade de penetração, é definida analiticamente por:

  (2.10)
 f 
onde  ( m) é o valor da profundidade, f ( Hz) é a freqüência do sinal de corrente alternada que percorre a amostra de
material e  ( m) e  = r o ( H/m) são, respectivamente, a resistividade e a permeabilidade magnética do material
da amostra, sendo o a permeabilidade do vácuo ( o = 4 x 10-7 H/m) e r a permeabilidade relativa do material.
Pela equação (2.10) observa-se então que o efeito pelicular será tanto mais pronunciado (  menor) quanto mais
permeável magneticamente () for o material, pois maior é a concentração de fluxo magnético no interior do material
(), e maior for a freqüência f da corrente que o percorre (f ≡ d./dt), pois maiores são as fem’s auto-induzidas (d/dt).
23
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

Logo, o conceito de profundidade de penetração propicia uma forma de avaliação simplificada da resistência à
corrente alternada, bastando adequar a equação (2.5) para considerar a área da película como a efetivamente ocupada
pela corrente CA. Assim, para um condutor de seção circular de raio r em que se observa um efeito pelicular bastante
pronunciado, tal que r >>  , a área da película (Figura 2.4-d) pode ser aproximada para um retângulo de comprimento
2 r e altura  e, desse modo, a área da película pode ser determinada aproximadamente por: 2  r .
Assim, com base na equação (2.5), a resistência RCA à passagem de corrente alternada que um fio condutor de
seção circular de raio rfio e comprimento efetivamente apresenta pode ser determinada aproximadamente por:

RCA    )( ou  
CA R )(/ m (2.11)
2  rfio  2 rfio
Similarmente, a resistência CA de um cabo com nfios de raio rfio e comprimento cada será determinada por:
 fe fe
RCA    )( ou CA  R  )/( m (2.12)
2  nrfio  fios   nr 2 fio  fios

O efeito
onde este efeitopelicular
pode seré observado
tanto mais mesmo
pronunciado quanto maior
nas freqüências a área do(50
industriais fioou
ou60
cabo.
Hz),Logo, em cabos
costuma-se de maior
utilizar seção,
o chamado
cabo segmentado (múltiplos cabos isolados). Similarmente, quando a parte central de um condutor praticamente não é
ocupada por correntes de freqüência elevada, pode-se construir cabos tipo anulares para a transmissão de sinais de
áudio e ráfio-frequência, denominados coaxiais, formados por dois condutores (interno e externo) isolados entre si.
Exercício 3: Seja um cabo composto por 7 fios de ferro com 0,14 cm de raio cada. A 60 oC, compare a resistência
CC do cabo por metro com a resistência CA do cabo por metro para a frequência de 60 Hz. Considere: r, Fe = 6000.
Solução
 Dados:  Fe, 20C = 10 x 10–8  m , Fe, 20C = 5,5 x 10–3 oC -1 (Tabela 2.1) ; rfio = 0,14 cm = 14 x 10–4 m
Fe = permeabilidade magnética do ferro = r, Fe x o = 6000 x 4 x 10–7  7,5 x 10–3 H/m
8 3 8
  Fe,60 C   Fe, 20 C [1 ,20Fe C (60 20) ] 10 10
o o o  [1 5 ,5
 10 40]
 12, 2 10 m
 Fe ,60 oC  fe 12,2 1 0 8  1,02
 Da equação (2.5), tem-se então que: RCC ,cabo, 60 oC  2
 4 2
 0,003
( rfio)  n fios (14
 10 ) 7  m

 Fe,60 o C 8
12,2  10
 Profundidade de penetração no ferro a 60 Hz e 60 oC :     2,9  10  4 m
Fe  f  Fe   60  7,5 1 0 3
Comparando-se Fe com o raio de um fio do cabo de ferro (14 x 10–4 m), observa-se que uma corrente CA de 60 Hz
está praticamente confinada em cerca de 1/5 do raio do fio, o que evidencia um efeito pelicular pronunciado no fio.
 Fe ,20 o C  fe 12,2 1 0 8 1,02
 Da equação (2.11), tem-se: RCA, cabo, 60 oC   4
 0,007
(2  rfio  Fe )  n fios 2 14
 10
  2,9 10 7 4 m
Observa-se que a resistência CA do cabo de ferro é cerca de 2,3 vezes maior que sua resistência CC e conclui-se
então que a elevada permeabilidade magnética do ferro pode causar um elevado efeito pelicular em fios e cabos
deste material, mesmo a baixas freqüências (60 Hz). Logo, o ferro normalmente não é utilizado na construção de
condutores elétricos, exceto como alma de aço para cabos de alumínio, cercas elétricas e eletrificação rural.

2.2) MATERIAIS E DISPOSITIVOS CONDUTORES


Com exceção do mercúrio e dos eletrólitos, que são líquidos, e de certos gases a baixa pressão e ionizados, os
materiais ditos condutores são geralmente sólidos e resumem-se aos metais, suas ligas e o grafite. Este item consiste
em um breve estudo sobre os condutores sólidos e algumas aplicações em dispositivos de interesse em Eletrotécnica.

2.2.1) OS METAIS E SUAS CARACTERÍSTICAS


Os metais consistem nos materiais de maior emprego como meio condutor e resistivo para as mais diversas
aplicações em Eletrotécnica e, dentre as diversas propriedades e características de interesse, pode-se mencionar:
 Elevadas condutividades elétrica e térmica: a disposição regular, ordenada e repetida em todas as direções de seus
arranjos cristalinos confere aos metais uma elevada capacidade de condução de eletricidade e calor.
 Coeficiente de temperatura da resistividade positivo: os metais puros comportam-se como materiais tipo PTC.
 Facilidade de combinação entre si: apresentam grande capacidade de se combinarem na forma de ligas metálicas.
 Capacidade de deformação: são de fácil moldagem com a aplicação de esforços mecânicos a frio ou a quente.
 Elevada resistência mecânica: apresentam elevada resistência a esforços de tração, compressão e cisalhamento.
 Conversão em derivados metálicos imersos em certos meios: transformam-se em óxidos em contato com oxigênio
e sais sob a ação de ácidos, que geralmente são menos condutores elétricos e térmicos que os metais de srcem.
24
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

A seguir são descritos alguns dos metais mais utilizados em aplicações eletrotécnicas por suas propriedades e
características desejáveis, onde as resistividades, quando fornecidas, são à temperatura de referência (20 oC):
1) Cobre: constitui-se num dos metais mais importantes para aplicações elétricas devido à suas diversas propriedades
desejáveis, dentre as quais destacam-se: baixa resistividade (somente a prata têm valor inferior), fácil deformação a
frio e a quente (por exemplo, facilidade em ser reduzido a fios, ou seja, o cobre é bastante dúctil), facilidade para
emendar e soldar (o cobre aceita bem a solda comum de chumbo-estanho), alta condutividade térmica, facilidade
de capeamento por outros metais, boa maleabilidade e flexibilidade (facilidade para laminar), elevada resistência à
ação dos agentes químicos mais comuns (por exemplo: ar, água, fumaças, sulfatos e carbonatos), baixa dureza,
média resistência à tração, médio ponto de fusão (1083 oC) e baixo preço comparado a outros metais.
Depois do ferro, o cobre é o metal de maior uso na indústria elétrica juntamente com suas ligas, conhecidas
como bronzes e latões, e apresenta diversas aplicações de acordo com sua conformação mecânica.
O cobre encruado é usado nos casos em que se exige elevada dureza, resistência à tração e pequeno desgaste,
tais como peças de contato, barramentos, hastes de aterramento, lâminas e anéis coletores em motores, etc. O cobre

molebaixa
para ou recozido, por sua vez, é de
tensão, enrolamentos usado em aplicações
motores que exigem
e transformadores, fiosboa flexibilidade,
telefônicos, tal de
malhas como fios e cabos
aterramento, etc.elétricos
A condutividade do cobre é muito influenciada pela presença de impurezas, sendo o cobre padrão internacional
definido pelo tipo recozido com 99,7 % de pureza, que apresenta resistividade de 1,72 x 10-8 m.
2) Alumínio: metal inferior ao cobre, tanto elétrica quanto mecanicamente, mas viável economicamente devido ao
baixo custo em decorrência de sua grande abundância, sendo o terceiro metal de maior emprego na eletricidade.
O alumínio é bastante maleável e dúctil, de pequena resistividade (2,8 x 10-8 m), alta condutividade térmica e
baixa massa específica e ponto de fusão (659 oC), sendo porém mais frágil a esforços mecânicos que outros metais.
O alumínio encontra aplicação em larga escala em alta tensão como cabos condutores em linhas de transmissão
e distribuição de energia, que podem apresentar um núcleo de aço para mitigar o problema com a baixa resistência
mecânica a esforços de tração. O alumínio encontra emprego também em instalações elétricas de baixa tensão, mas
apenas nos casos em que as solicitações mecânicas a que estará sujeito são pequenas, tais como: enrolamentos de
transformadores, placas de capacitores, barras condutoras em ranhuras de motores de indução, barramentos, etc.
O alumnínio exposto à umidade sofre rápida oxidação que resulta em uma fina camada de óxido de alumínio,
material de elevada rigidez dielétrica e, portanto, altamente isolante, mas que impede a ampliação da corrosão.
O alumínio é de difícil soldagem (a solda de chumbo-estanho não adere ao alumínio) e para isto deve-se limpar
a superfície a ser soldada com um material antioxidante e empregar pastas especiais (como o óxido de acetileno),
ou
paramesmo
realizarsolda elétricaempregadas
conexões, (fundição do próprio alumínio
particularmente para efetuar
em emendas as emendas),
de cabos ou ainda
de alumínio braçadeiras
em linhas metálicas
de transmissão.
Alumínio e o cobre estão separados eletroquimicamente por 2V. Esta diferença de potencial é responsável pela
predisposição de uma junção cobre-alumínio à corrosão galvânica, o que pode provocar a deterioração do contato
elétrico entre estes metais. Por essa razão, este tipo de junção precisa ser isolado contra a influência do ambiente.
Para finalidades eletrotécnicas gerais, emprega-se o alumínio com teor máximo de 0,5 % de impurezas e, para
aplicações em eletrodos de capacitores, um alumínio mais puro, com teor máximo de 0,05 % de impurezas.
3) Ferro: devido ao fato de apresentar elevado ferromagnetismo (r em torno de 6000 na forma pura) e resistividade
relativamente baixa (10 x 10-8 m), aliadas à elevada dureza, plasticidade, resistência à tração, compressão, fadiga
e cisalhamento, grande tenacidade e alto ponto de fusão (1530 oC), o ferro e suas ligas (aços) encontram extensa
aplicação na construção de diversos equipamentos elétricos tais como: núcleos ferromagnéticos laminados para
motores, transformadores e relés, ferragens de suporte para equipamentos e instalações elétricas, chaves de alta
tensão, trilhos condutores em metrôs e bondes, barramentos em subestações, cabos de alta resistência à tração para
estaiamento de torres e postes, núcleo de aço para cabos de alumínio, etc. As restrições para a utilização do ferro
como condutor elétrico em maior escala é sua rápida e fácil corrosão por oxidação eletroquímica, e por apresentar
elevado efeito pelicular mesmo nas baixas freqüências (50/60 Hz) dos sistemas de energia elétrica convencionais.
4) Prata: é o metal de menor resistividade a temperaturas normais (1,62 x 10-8 m), sendo porém sua aplicação
limitada a casos especiais devido ao alto custo. Por ser o melhor condutor, é o metal nobre de maior uso industrial,
utilizado, por exemplo, como elo fusível de precisão para os casos em que a constante de tempo para a proteção do
aparelho seja importante. Devido à sua grande estabilidade química, é empregada também como camada externa
(obtida por banho eletroquímico, chamado prateação) em peças para contato elétrico, bem como para proteger
peças de metais sujeitas a corrosão e para recobrir fios de bobinas de modo a melhorar seu fator de qualidade. Na
forma de ligas, é também empregada como resistência de aparelhos de precisão. Ponto de fusão: 960 oC.
5) Ouro: apresenta baixa resistividade (2,4 x 10-8 m), médio ponto de fusão (1063 oC), elevado preço e destaca-se
pela sua grande estabilidade química (elevada resistência à corrosão por oxidação e sulfatação). Devido a sua
grande maleabilidade e ductilidade, pode facilmente ser reduzido a fios, placas e lâminas extremamente finos, que
são características bastante desejáveis para muitas aplicações no ramo eletro-eletrônico. Tal como a prata, o ouro é
usado para contatos elétricos que envolvem correntes muito baixas (casos em que qualquer oxidação poderia levar
à interrupção elétrica do circuito), tais como peças de contato em telecomunicações e eletrônica, sendo empregado
na forma pura para melhor aproveitar suas propriedades. É também utilizado em chaves e relés de baixa corrente e
25
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

de alta precisão e confiabilidade, em películas condutoras e em certos instrumentos especiais de medidas tais como
os chamados eletroscópios (aparelhos para verificar a presença de carga elétrica estática).
6) Platina: metal nobre bastante estável quimicamente, de relativa baixa resistividade (10,5 x 10 -8 m) e alto ponto
de fusão (1774 oC). É relativamente mole, o que permite uma fácil deformação mecânica, bem como sua redução a
folhas e fios muito finos. Devido à alta resistência à oxidação, é empregado em peças de contato, eletrodos e fios
para aquecimento. É também empregada na fabricação de termômetros resistivos até 1000 oC (na faixa de -200 a
500 oC, a platina permite a leitura mais precisa da temperatura dentre os metais), pois até essas temperaturas não
sofre deformações estruturais, fazendo com que a resistividade varie na mesma proporção da temperatura.
7) Chumbo: metal mole e plástico, de média resistividade perante a outros metais (21 x 10-8 m) e de fácil soldagem.
Apresenta elevada resistência a corrosão contra a ação de água potável e sais, sendo porém não resistente à ácidos,
água destilada, vinagre, materiais orgânicos em decomposição, cal e ainda é venenoso. É empregado em painéis
protetores contra a ação de raios-X, em baterias (tipo chumbo-ácido), em ligas de solda devido ao baixo ponto de
fusão (327 oC), como camadas ou placas protetoras contra corrosão (blindagem de cabos) e elos fusíveis.
-8 o

à elevada éresistência
8) Estanho: um metal àmole, de média
corrosão resistividadenormais
em temperaturas (11,4 x (o m) e não
10 estanho baixa
se temperatura
oxida com ade fusão
água
C). Devido
(232 diluídos
e ácidos na
mesma o atacam lentamente), é muito empregado como revestimento anticorrosivo em peças e hastes, além de ser
ingrediente de ligas, se fundindo ao cobre para produzir os bronzes e ao chumbo para produzir soldas de uso geral.
9) Zinco: é um metal de baixa resistividade (6 x 10-8 m), baixo ponto de fusão (420 oC) e elevado coeficiente de
dilatação térmica, além de ser um importante ingrediente em muitas ligas, tais como os latões. Devido à sua grande
estabilidade química em contao com o ar (forma-se uma película de óxido ou carbonato de zinco que impede sua
corrosão), é usado em processos de recobrimento de metais por banho eletroquímico (galvanização) para proteção
de tanques de armazenamento contra corrosão. Por ser atacado rapidamente por ácidos e bases, o zinco é também
largamente empregado como eletrodo negativo (anodo) em pilhas e baterias eletroquímicas.
10) Tungstênio: é um metal de baixa resistividade à temperatura ambiente (5 x 10-8 m) e elevada dureza, sendo
porém de comportamento quebradiço. Devido ao elevado ponto de fusão (3422 oC), é empregado como filamento
em lâmpadas incandescentes, que operam a temperaturas em torno de 2000 oC, sendo necessário a introdução de
gás inerte (por exemplo, argônio) para reduzir a vaporização do filamento. É empregado também na forma pura ou
em ligas para peças sujeitas a altas temperaturas, por exemplo, eletrodos para produção de arco elétrico.
11) Níquel: apresenta baixa resistividade (7,8 x 10-8 m) e alta temperatura de fusão (1450 oC), bem como elevada
dureza e resistência à corrosão (resiste bem a sais, gases e materiais orgânicos, sendo, porém, sensível ao enxofre).
É bastante utilizado como ingrediente para a obtenção de aços inoxidáveis e em ligas tipo sensoras termoelétricas,
resistivas e magnéticas. O níquel é ainda empregado em revestimentos anticorrosivos, fios de eletrodos, catodo de
baterias (níquel-cádmio), termômetros resistivos, parafusos, etc. Suas ligas são também empregadas em contatos
elétricos (por exemplo, como suporte de filamento de tungstênio em lâmpadas) devido à sua elevada resistência à
corrosão e bom comportamento térmico. O níquel pode ser soldado ao cobre sem problemas com corrosão.
12) Cromo: metal extremamente duro, de elevada resistividade em comparação a outros metais (80 x 10-8 m), e
elevada temperatura de fusão (1920 oC), sendo porisso amplamente empregado na fabricação de fios resistivos na
forma pura ou como liga. Além disso, o cromo permite bom polimento, possui baixa oxidação em contato com o
ar, sendo mais sensível à ação do enxofre e de sais, e sofre oxidação somente a temperaturas superiores a 500 oC,
sendo porisso empregado como capa protetora para outros metais que se oxidam com maior facilidade (cromação).
13) Mercúrio: é o único metal líquido à temperatura ambiente, apresentando comparativamente elevada resistividade
(95 x 10-8 m). Encontra aplicação em termômetros resistivos, lâmpadas (fluorescentes e vapor de mercúrio) e em
termômetros (devido ao seu elevado coeficiente de dilatação térmica). Os vapores de mercúrio são venenosos.
14) Cádmio: metal mole, venenoso, de elevado preço e que apresenta facilidade de sofrer corrosão galvânica, tendo
maior uso na fabricação de baterias (níquel-cádmio). Resistividade: 7,5 x 10-8 m. Temperatura de fusão: 321 oC.

2.2.2) LIGAS METÁLICAS


Como visto, os metais puros encontram emprego nas mais diversas aplicações eletrotécnicas. Contudo, certos
dispositivos ou equipamentos podem requerer que algumas propriedades destes materais sejam melhoradas para se
adequarem às exigências inerentes à aplicação, sem contudo ter prejudicada, pelo menos sensivelmente, outras de
suas propriedades desejáveis. Estas exigências podem ser atendidas por meio da composição dos metais na forma de
ligas, de modo a deslocar algumas características para condições mais desejáveis. Isso permite então que propriedades
como condutividade térmica, resistências à tração e à corrosão, mableabilidade, dureza, propriedades magnéticas etc.,
possam ser alteradas de forma a atender as necessidades das diversas aplicações. Desse modo, em Eletrotécnica e
Eletrônica são muito freqüentes o emprego de ligas metálicas para a obtenção de condutores elétricos em aplicações
de finalidade específica, bem como na construção de elementos resistivos para aquecimento ou medição.
As ligas metálicas podem ser basicamente classificadas em dois tipos segundo suas condutividades elétricas e
aplicações finais, denominadas ligas condutoras e ligas resistivas, algumas descritas a seguir.
26
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

1) LIGAS CONDUTORAS: são ligas que mantém uma boa qualidade condutora de eletricidade dos metais srcinais
e são, desse modo, utilizadas para o transporte e transformação de energia elétrica com mínimas perdas. Exemplos:
1.1) Ligas de cobre: o cobre pode se misturar a outros metais de modo a melhorar suas propriedades mecânicas,
sem contudo reduzir sensivelmente suas condutividades elétrica e térmica. Exemplos de ligas mais comuns:
1.1.1) Bronzes: o estanho é adicionado ao cobre (2 a 11%) para aumentar sua dureza e resistência à corrosão,
à fadiga e ao desgaste por atrito, mantendo sua ductilidade. São ligas elásticas e de fácil usinagem,
sendo utilizadas como fios e peças de contato em chaves. Com o acréscimo de fósforo, os bronzes se
tornam mais flexíveis e são utilizados como elementos de ligação em terminais telefônicos.
1.1.2) Latão: liga de cobre e zinco (30%), possui boa resistência à corrosão e grande resistência à tração. É
empregada em barramentos de quadros e equipamentos, varas de subestações, bornes e às vezes como
condutor. Não é indicada para trabalhar ao tempo devido a formação de rachaduras, sendo uma solução
para diminuir o problema, submeter o material a um recozimento para alívio das tensões internas.
1.1.3) Outras ligas: níquel e cromo podem ser adicionados ao cobre na necessidade aumentar sua resistência
mecânica. Uma outra solução, que não consiste propriamente em uma liga, constitui-se de um condutor
de cobre com núcleo de aço, chamado Copperweld, para combinar a alta condutividade do cobre com
alta resistência mecânica e tenacidade do aço. Usos: cabos condutores e barras para aterramento.
1.2) Ligas de Alumínio: são ligas que apresentam fácil usinagem, sendo construídas para aproveitar a baixa massa
específica do alumínio, o que possibilita estruturas de sustentação mais leves. Alguns exemplos:
1.2.1) Duralumínio: liga de elevada resistência mecânica, é aplicada em fios, cabos, tubos, barras e chapas
condutoras e na confecção de dissipadores térmicos. Composição: 4% Cu + 0,5% Mg + 0,5% Mn + Al.
1.2.2) Aldrey: apresenta boas propriedades mecânicas, sendo utilizada como fios para enrolamento de motores
e transformadores e na construção de cabos leves. Composição: 0,3% Mg + 0,7% Si + Fe + Al.
1.2.3) Alumoweld: similar ao Copperweld, constitui-se de um fio de alumínio com núcleo de aço para obter
maior resistência à tração, empregado como condutor de pára-raios e fio neutro em circuitos rurais.
1.3) Ligas de chumbo e estanho: são ligas resistentes à corrosão e de baixo ponto de fusão (60 a 200 oC), sendo
utilizadas largamente na produção de fios de solda (60% Pb + 40% Sn), elos fusíveis, revestimento de fios e
malhas de cobre ou latão para melhorar a soldabilidade e proteção à corrosão, e também como condutor em
circuitos impressos, onde seu baixo ponto de fusão protege os componentes de possíveis superaquecimentos.
2) LIGAS RESISTIVAS: são materiais que apresentam resistividades elevadas para um condutor (entre 20 x 10-8 e
150 x 10-8 m), sendo porisso usados em elementos resistivos para aquecimento, medição e controle de corrente.
Estas ligas devem possuir boas características a altas temperaturas para atender certas condições em função de
seu emprego. Por exemplo, ligas usadas para aquecimento devem ter elevada resistência à corrosão na temperatura
de trabalho e baixa capacidade de dilatação. Por outro lado, ligas resistivas para medição (tal como resistores em
instrumentos de precisão), devem apresentar variação praticamennte linear de sua resistividade com a temperatura.
A seguir são descritas algumas ligas metálicas resistivas de grande aplicação em Eletrotécnica:
2.1) Ligas de cromo-níquel (cromel): são ligas que apresentam resistividade pouco variante com a temperatura e
alta resistência mecânica e à oxidação em altas temperaturas. São empregadas em termopares e na fabricação
de fios ou fitas resistivas para resistores, potenciômetros e trimpots de fio, bem como em potenciômetros de
potência chamados reostatos (usados no controle de corrente e de velocidade em motores e geradores) e em
resistências de aquecimento fornos siderúrgicos, estufas, eletrodomésticos (aquecedores de água, chuveiros,
fogões elétricos, etc.), ferros de solda e ferros de passar. Exemplos: Níquel-Cromo 65/15, Nikrothal, Alloy A,
Kromore, Nicromo V (80% Ni + 20% Cr), Cromax (30% Ni + 20% Cr + 50% Fe), etc.
2.2) Ligas de cromo-ferro: constituem-se em ótimas ligas para utilização em aquecimento elétrico em geral, tais
como fornos industriais, ferros de solda, chuveiros, placas de cozinha, etc. Composição: Cr + Fe + Al + Co.
2.3) Ligas de cobre-níquel: Constantan (60% Cu + 40% Ni) - liga termoestável empregada em termopares, bem
como em resistências de precisão e reostatos para máquinas de precisão; prata alemã (18% Ni + 64% Cu +
18% Zn) - liga de boa condutividade e resistência mecânica, utilizada em contato para chaves e contatores;
Cuprothal (44% Ni + 55% Cu + Mn) - utilizada na tecnologia de resistores de fio para altas dissipações com
limites de temperatura de até 600 oC; outras: Constanloy, Cupron, Advance e Copel
2.4) Ligas de cobre-manganês: Manganina (86% Cu + 12% Mn + 2% Ni) - liga termoestável de elevada estabili-
dade térmica, é usada em shunt de medidores e na fabricação de resistores de precisão para instrumentos de
medição; Novo Konstatan (82,5% Cu + 12% Mn + 4% Al + 1,5% Fe): liga de baixa variação da resistividade
com a temperatura, usada em resistores de medição, reostatos e para aquecimentos até 400 oC.
2.5) Ligas de prata: ligas de alta resistividade, apresentam variação inversa da resistividade com a temperatura, o
que justifica o seu emprego em circuitos de compensação dependentes da temperatura, tal como em resistores
para circuitos de regulação. Exemplo: ligas de Mg + Ag + Sn com, às vezes, acréscimo de germânio.
2.6) Ligas de ouro-cromo: o ouro, com pequeno acréscimo de cromo, tem sua resistividade bastante aumentada e
que, através de adequado tratamento térmico, apresenta comportamento inverso com a temperatura. São então
utilizadas em resistores de precisão e em padrões. Exemplo: liga de 2% Cr + Au.
2.7) Outras ligas de Níquel: Invar (36% Ni + 63% Fe + Mn) - liga de baixa dilatação, empregada em guias de
medidas em aparelhos de precisão; Alumel (94% Ni + 3% Mn + 2% Al + Si) - liga dúctil para fios resistivos.
27
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

2.2.3) CARVÃO PARA FINS ELÉTRICOS


Carvão é um material constituído por um arranjo cristalino amorfo (sem forma definida) do elemento químico
carbono. O carvão para fins elétricos, também chamado grafita ou grafite, é obtido do grafite natural ou do antracito,
que são reduzidos a pó e compactados na forma desejada por prensagem ou extrusão, podendo ser adicionado ainda
um aglomerante, e submetidos a um tratamento térmico que consiste em longos ciclos de aquecimento sob elevadas
temperaturas (em torno de 2200 oC), geralmente através da passagem de corrente elétrica através da própria peça.
Esse processo, chamado grafitização, resulta em um material de facil conformação por usinagem e esmerilhagem.
Como observado na Tabela 2.1, a grafita apresenta baixa resistividade para um não-metal (1,4 x 10-5 m) e,
diferentemente dos metais puros, apresenta coeficiente de temperatura da resistividade negativo (-5,0 x 10-4). Estas
propriedades, aliadas ao elevado ponto de fusão (  3500 oC), conferem à grafita condições favoráveis na construção
de resistores e potenciômetros, bem como em aplicações com temperaturas de trabalho mais elevadas, tais como em
eletrodos para a produção de arco elétrico para ignição de fornos elétricos e caldeiras, e fonte de luz para projetores.
Além disso,
como contato as grafitas
elétrico em peças porporcionam umcomo
deslizantes, tal baixoem
coeficiente
escovas dedemotores
atrito, o (Figura
que abilita estesNesta
2.5-a). materiais para emprego
aplicação, a grafita
das escovas (peça fixa), em contato com anéis coletores ou comutadores de cobre fixados ao rotor (peça móvel), reage
com o cobre e forma sobre este um filme de material condutor chamado patina (carbonato de cobre), que o protege
contra corrosão e permite um baixo atrito entre as escovas e o rotor, resultando então em um bom contato elétrico.
A resistência elétrica de um pó depende do grau de compactação de seus grãos. Este efeito é aproveitado na
construção de um transdutor eletro-acustico chamado microfone de carvão ou de carbono (aparência na Figura 2-5-b),
constituída de uma cápsula contendo grãos de carvão e coberta com uma película flexível ligada a um diafragma, na
qual a incidência de uma onda sonora (áudio) no diafragama provoca um processo de pressão/descompressão dos grão
do pó, alterando o grau de compactação dos grãos de acordo com as pulsações da onda e, com isso, sua resistência.
Estas variações de resistência são então utilizadas na modulação de uma corrente contínua que circula pelo cápsula,
(Figura 2.5-c), onde um transformador pode ser usado para aumentar a amplitude do sinal de tensão correspondente.
onda grânulos de carvão
sonora

contatos
contatos
de
metálcos tensão de
carvão diafragma I áudio
capsula de
microfone
V
(a) (b) (c)

Figura 2.5: (a) Contatos de carvão (escovas); microfone de carvão: (b) aparência, (c) esquema de funcionamento.

2.2.4) CONEXÕES ELÉTRICAS


Toda montagem de equipamentos e circuitos elétricos requer o emprego de uma série de conexões entre partes
para estabelecer um contato elétrico. Estas conexões podem ser realizadas por meio de emendas, soldagem, encaixes e
emprego de parafusos e rebites, que caracterizam-se por proporcionarem um contato fixo e, portanto, permanente.
Além disso, em instalações elétricas é também comum a necessidade de se realizar ações de manobra (abertura
e fechamento de contatos elétricos) entre partes do circuitos e equipamentos, no qual a conexão elétrica se caracteriza
por ser apenas momentânea ou persistir ao longo de certo tempo e, porisso, não permanente. Com exceção de ações
de chaveamento estabelecidas com base em dispositivos semicondutores, as conexões elétricas não permanentes são
normalmente realizadas por meio de um sistema mecânico composto por partes fixas e móveis distintas, generica-
mente conhecidas como peças de contato, que estabelecem a conexão através de movimento mecânico. Peças de
contato encontram então largo emprego em dispositivos de comando, controle ou proteção, tais como interruptores,
chaves, relés, disjuntores, contatores, seccionadores, botoneiras, conjunto plug-tomada, escovas, etc.
Dependendo do tipo de contato (fixo ou móvel) e das condições de trabalho e ambientais, as conexões elétricas
estão sujeitas a diversos problemas e, desse modo, os materiais usados na fabricação dos elementos de contato devem
satisfazer as condições de funcionamento o maior tempo possível. Tais condições variam de acordo com a função e
com o ambiente (por exemplo, telefonia ou aplicações industriais) e, em geral, derivam de problemas como:
1) Resistência de contato: na conexão elétrica entre elementos distintos ocorre o problema da resistência de contato
devido ao acoplamento elétrico entre as partes não ser perfeito. Logo, com a passagem de corrente de uma parte à
outra, toda conexão elétrica em si gera calor por efeito Joule. Desse modo, os materiais devem apresentar elevada
condutividade elétrica e térmica para se obter um bom acoplamento elétrico, além de elevada resistência mecânica
de modo a se estabelecer uma pressão de contato adequada (quanto maior a pressão, melhor o contato elétrico).
28
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

2) Solicitações mecânicas: particularmente para peças de contato, estas podem estar sujeitas a um número grande de
manobras de abertura e fechamento, que sujeitam suas partes a demasiadas solicitações mecânicas que podem
danificá-las estruturalmente. Logo, para resistir às deformações e ao desgaste o maior tempo possível, os materiais
usados na fabricação de peças de contato devem apresentar elevadas resistências mecânicas, dureza e tenacidade.
3) Arco elétrico: a interrupção da corrente devido a uma abertura de contato elétrico pode causar o surgimento de um
arco elétrico entre as partes do contato, devido à presença de energia armazenada no circuito na forma de campo
magnético (por exemplo, nos motores), que provoca a tendência dos elétrons em movimento de manter o contato
elétrico no ponto de abertura para anular o campo armazenado. Similarmente, arcos elétricos podem sugir também
durante o fechamento dos contatos devido ao chamado ricochete (repulsão entre as peças) pois, no breve momento
de estabelecimento do contato, são criadas condições para o surgimento de campos magnéticos no circuito.
Um arco elétrico apresenta temperaturas de até 4000 oC e pode fundir as peças do contato se persistir um tempo
suficiente. Logo, os contatos devem contar com algum mecanismo de extinção do arco e os materiais das peças
devem apresentar elevado ponto de fusão e condutividade térmica para evitar a soldagem dos contatos e resistir à

erosão causada
repulsões pelo arco
com cálculos daselétrico.
massas Quanto ao que
das peças, problema
devemdo
serricochete,
as menoresdeve-se reduzir
possíveis, e daavelocidade
um mínimo deofechamento.
número de
4) Corrosão: o aquecimento de conexões elétricas por resistência de contato e arcos elétricos podem reunir condições
à corrosão das partes do contato. Adicionalmente, os materiais podem estar sujeitos a ambientes com presença de
sais, ácidos, poluição e mesmo o próprio ar, que atuam sobre as partes provocando oxidação ou sulfatação. Logo,
estas corrosões podem deteriorar a conexão elétrica e, assim, os materiais a serem empregados devem apresentar
elevada resistência à corrosão nas temperaturas de trabalho para mitigar o máximo possível estes problemas.
Outro problema similar pode surgir no contato entre materiais com diferentes potenciais eletroquímicos, o que
causa uma predisposição à corrosão galvânica. Logo, as partes componentes de um conexão elétrica devem ser
preferencialmente do mesmo material ou, pelo menos, de materiais com pequena diferença de eletronegatividade.
5) Abrasão: para o caso de contatos deslizantes, ocorre o problema de desgaste devido ao atrito entre as partes fixas e
móveis. Neste caso, as peças e seus contornos devem ser de material e aspecto o menos abrasivo possível.
Assim, os materiais empregados para a fabricação de peças de contato devem apresentar qualidades necessárias
para mitigar estes problemas. O cobre é normalmente empregado na forma bronzes e latões devido à maior resistência
mecânica e à corrosão destas ligas, sendo utilizadas em interruptores, plugues, tomadas, chaves, relés, elos fusíveis,
disjuntores, contatores, etc. Os aços, por apresentarem elevada resistência mecânica, são empregados em peças onde
são exigidos pressões de contato elevadas e manobras bruscas, tal como chaves seccionadoras. Para o caso de contatos
elétricos
Emdeslizantes,
conexões queemprega-se,
envolvemcomo visto,depeças
pressões de muito
contato carvãobaixas
por este propiciar reduzidas,
e correntes um baixo coeficiente de atrito.
a deterioração do contato é
um problema de grande preocupação, o que exige materiais de maior resistência a corrosão para se obter contatos de
melhor qualidade. Neste caso, pode-se fazer uso de metais que apresentam maior resistência à corrosão, tais como
metais nobres. Assim, o ouro e a prata na forma pura são utilizados como finas películas em torno da massa de peças
constituídas por outros metais (chamados contatos banhados). Além disso, os metais nobres são também utilizados na
forma de ligas para aumentar sua dureza e resistência ao desgaste e à erosão por arco elétrico, tais como ligas de ouro
e prata, empregadas em peças de contatos para interruptores, chaves, disjuntores, botoneiras e relés especiais, além da
platina, que é utilizada em ligas com irídio e rutênio para emprego em relés especiais e instrumentos de precisão.

2.2.5) CONDUTORES ELÉTRICOS


Fios e cabos elétricos constituem-se no meio condutor destinado ao transporte de energia ou transmissão de
sinais entre dois pontos de uma instalação, rede ou equipamento elétrico. Em eletrotécnica, denomina-se usualmente
fio elétrico para apenas um meio de seção transversal sólido (bitola) ou para um conjunto de fios de pequena seção
(chamado “cabinho”), e cabo elétrico para um conjunto de fios condutores arranjados por encordoamento ou por um
conjunto de cabos condicionados sob a mesma capa protetora, sendo condutor elétrico o termo genérico para ambos.
Os cabos elétricos são empregados nos casos em que se faz necessário um aumento da área de seção transversal
para a obtenção de maior capacidade de condução de corrente de condutores elétricos (chamada ampacidade), obtidos
por meio do agrupamento de fios diversos. Esta conformação adquire uma menor perda de flexibilidade, o que facilita
o guiamento dos cabos em eletrodutos, canaletas e quadros de luz comumente presentes em instalações elétricas.
Os materiais utilizados como condutores são principalmente cobre, alumínio, e as ligas desses materiais. Como
cobertura isolante, emprega-se-se PVC, EPR (etileno-propileno), neoprene, XLPE (polietileno reticulado), polistireno,
borracha butílica e ainda amianto, teflon, cerâmicas, náilon, hexafluoreto de enxofre (gás SF6) e fibras orgânicas.
As características técnicas de fios e cabos elétricos contemplam diversos aspectos como ampacidade, tensão de
isolação, temperatura máxima suportada pela isolação, capacidade de blindagem, condições ambientais limites de
trabalho (poluição, raios solares, umidade, etc.) e resistência a choques mecânicos, sendo que o dimensionamento dos
condutores devem atender diversos critérios de projeto como capacidade de condução e queda de tensão.
Os condutores elétricos são fabricados em uma grande diversidade de tipos, segundo seus detalhes construtivos
e aplicações finais, sendo algumas de suas denominações descritas a seguir (aparências na Figura 2.6):
29
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

 Fio esmaltado: condutor sólido revestido em esmalte isolante, empregados na construção de bobinas elétricas;
 Condutor isolado: fio ou cabo revestido por apenas uma cobertura de material isolante (PVC, EPR, XLPE, etc);
 Fio e cabo nu: condutores sem revestimento isolante (não isolados entre si, no caso do cabo);
 Cabo compactado: condutor isolado com alto grau de compactação para eliminar todos os vazios entre os fios;
 Cordel flexível: condutor isolado ou par trançado de condutores isolados, de pequena seção e bastante flexíveis.
Exemplos: par telefônico e fios de diversas cores usados em placa de circuitos e aparelhos (rádio, TV, etc.);
 Cabo unipolar: condutor isolado com camada extra de revestimento chamada cobertura, para proteção mecânica;
 Cabo multipolar: condutor setorial ou segmentado formado por dois ou mais condutores isolados entre si e sob
uma mesma capa isolante, podendo conter ainda um revestimento interno metálico como forma de blindagem;
 Cabo anular: condutor isolado que apresenta o seu núcleo central oco ou preenchido com material isolante;
 Cabo coaxial: cabo composto de um condutor axial de cobre envolvido por outro condutor de cobre estanhado em
forma de malha (para blindagem e referência), separados por um isolante sólido (polietileno) e cobertos por uma
capa de revestimento isolante (PVC, neoprene ou polietileno). Pode ser do tipo rígido ou flexível.

capa protetora blindagens


isolamento condutor

(b)
(f) isolamento condutor
capa protetora

(c)

(g) blindagem

(d) capa malha metálica condutora


condutor

(a) (e) (h) isolamento

Figura 2.6: Aparências de condutores elétricos: (a) diversidade de tipos; (b) fio isolado; (c) cabo nu; (d) cabo nu
compactado; (e) cabo de pares trançados; (f) cabo unipolar; (g) cabo multipolar; (h) cabo coaxial e constituição.

Observações: como informações adicionais sobre fios e cabos condutores, pode-se mencionar:
1) Os cabos coaxiais tem aplicações especiais (rádio e audiofreqüência, telefonia, etc.) devido ao fato de apresentarem
imunidade à indução de ruídos por campos eletromagnéticos externos, pois as correntes induzidas nos condutores
interno e externo tem mesma direção mas sentidos contrários, de forma que se anulam mutuamente.
2) A blindagem dos cabos consistem de um revestimento em fita metálica e visam atender a necessidade de se manter
o campo elétrico confinado no interior do cabo para este não perturbar eletricamente condutores vizinhos, além de
facilitar o escoamento de correntes de curto-circuito. Desempenham também a função de distribuir uniformemente
o campo elétrico no interior do cabo para evitar que concentrações desuniformes danifiquem o isolamento.
3) Condutores metálicos utilizados em aterramentos requerem proteção contra corrosão galvânica baseada em um
princípio: fornecer elétrons ao condutor para que o mesmo se torne catódico e as reações de corrosão deixem de
existir. Isto pode ser conseguido através do emprego de anodos de sacrifício ou também por meio de uma fonte de
corrente contínua ligada ao condutor e à terra, que fornece os elétrons necessários ao metal evitar sua corrosão.

2.2.6) RESISTORES E RESISTÊNCIAS

Diferentemente da preocupação de se transportar energia elétrica com mínimas perdas (como nos fios e cabos),
ou a construção de dispositivos de chaveamento (como interruptores, contatores, etc.), ou para armazenamento de
energia (como nos capacitores e indutores), ou ainda para a transformação da energia elétrica em outras formas (como
nos motores), existem diversas aplicações eletrotécnicas em que se necessita controlar o montante de corrente elétrica
em um circuito, ou provocar quedas de tensão para adequá-la a níveis desejáveis, ou ainda aproveitar a dissipação de
calor por efeito Joule para aquecimentos. Nestas aplicações empregam-se então os chamados resistores e resistências
elétricas, cujos elementos resistivos são contruídos com materiais condutores de resistividades mais elevadas.
Resistor (símbolos na Figura 2.7-a) é o componente mais simples, comum e barato de um circuito. Diferente de
capacitores e indutores, os resistores não armazenam energia, apenas a dissipa na forma de calor, proporcionando
queda de tensão como conseqüência e, dependendo de como estão conectados, divisão de tensão e desvio de corrente.
30
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

A Figura 2.7-b mostra os aspectos físicos do corpo de um resistor em corte. Os resistores são construídos em
uma base de material cerâmico, que recebe a cobertura resistiva que determinará o valor da resistência, e ainda uma
metalização com os terminais metalicos do resistor para a realização de soldagem de alto ponto de fusão (~300 oC),
para que os ferros de soldar comuns (temperatura  180 oC) não abalem esta ligação. Por fim, o conjunto recebe uma
cobertura de material isolante (esmalte, epoxi, cimento, silicone, etc.) para acabamento e proteção elétrica e mecânica.

R X Y Z T
(a) (b) (c) (d)
Figura 2.7: Resistores: (a) símbolos esquemáticos; (b) constituição física; (c) aparências; (d) código de cores.
Os resistores comerciais (aparências na Figura 2.7-c) apresentam diversas especificações dadas pelo fabricante.
As principais consistem no valor da resistência em Ohms ( ), a potência máxima dissipada e a chamada tolerância
(erro percentual máximo da resistência nominal), que estima o grau de precisão resultante dos cuidados tecnológicos
utilizados no seu processo de fabricação. Estes dados são indicados no corpo dos resistores por dois modos:
1) Por código de cores: este sistema utiliza faixas de diversas cores, pintadas no corpo do resistor a partir de uma de
suas extremidade (Figura 2.7-d), com as equivalências numéricas dadas na Tabela 2.2. As duas primeiras faixas
(denominadas X e Y) formam uma dezena e a terceira (Z) indica a potência de 10, tal que o valor ôhmico seja dado
por: XY x 10Z . A quarta faixa corresponde à tolerância: ouro para 5%, prata para 10% e incolor para 20%, e a
potência está relacionado às dimensões do resistor (maior tamanho, maior potência). Este sistema é utilizado na
fabricação de resistores de menor potência (1/8 a 4 W), cuja cobertura resistiva consiste de uma película de grafite
ou metalfilme (fita metálica resistiva) em um trançado helicoidal sobre uma base de suporte cerâmico.
2) Diretamente impresso: sistema utilizado em resistores de maior potência (> 4W), fabricados com fios de ligas
metálicas resistivas. Consiste na impressão direta do valor ôhmico sobre o corpo do resistor, na forma de dígitos
numéricos combinados com uma letra para indicar o multiplicador: R (ohms), K (quiloohms), e M (megaohms),
sendo a posição da letra o indicador da vírgula no valor ôhmico. Exemplos: 470R equivale a 470 ; 4K7 = 4,7 k;
47K = 47 k. A potência (até 50 W) e a tolerância (até 20%) também vêm impressas no corpo do resistor.
Em relação ao comportamento térmico, os resistores tipo fio e fita metálica tem sua resistência aumentada com
a temperatura de forma praticamente linear, enquanto que nos de película de grafite esta diminui de forma quadrática.
Tabela 2.2: Código de cores para leitura do valor de resistores de grafite.
Cores X,Y Z Cores X,Y Z Cores X,Y Z
preto 0 0 amarelo 4 4 cinza 8 -
marrom 1 1 verde 5 5 branco 9 -
vermelho 2 2 azul 6 6 ouro - -1
laranja 3 3 roxo 7 7 prata - -2

Resistências elétricas são elementos resistivos largamente empregados no aproveitamento do calor gerado por
efeito Joule para aquecimento de substâncias como água, ar, etc. (aparências na Figura 2.8), ou para limitar correntes
em equipamento de potência, e constituídas por ligas metálicas resistivas capazes de dissipar até milhares de Watts.
Outras aplicações consistem em aproveitar a transformação de energia elétrica em luminosa, tal como em filamentos
de lâmpadas incandescentes, e na forma de raios catódicos, tal como em eletrodos de lâmpadas de descarga.

Figura 2.8: Aparência de diversas resistências elétricas para aquecimento encontradas no mercado.
Do ponto de vista ôhmico, os resistores e resistências até aqui descritos são classificados como fixos, pois não
propiciam qualquer mecanismo de ajuste do valor da resistência. A introdução de um elemento cursor que permita
realizar uma varredura da distância entre o cursor e as extremidades do elemento resistivo, possibilita a obtenção de
um efeito ajuste da resistência a qualquer tempo e srcina os chamados resistores e resistências variáveis.
31
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

Potenciômetros (símbolos na Figura 2.9-a) são resistores variáveis formados por dois terminais fixos e um
terceiro conectado a um cursor móvel ajustado por botão (esquema na Figura 2.9-b), que varre uma trilha de grafite ou
fio resistivo enroldado sob uma base de apoio isolante (por exemplo, cerâmico), de modo a propiciar uma variação da
resistência entre o terminal móvel e os fixos. Desse modo, os potenciômetros (aparências na Figura 2.9-c) podem ser
empregados para o controle de determinado parâmetro de um circuito a qualquer tempo, bem como propiciar cargas
variáveis, acoplamentos resistivos, divisão de tensão e corrente em circuitos eletrônicos, etc. São fabricados em
diversos formatos, tamanhos e potência e podem apresentar variação de resistência de forma linear ou logarítmica.
O chamado trimpot (aparências na Figura 2.9-d) é a denominação dada a potenciômetros com a função de fixar
permanentemente um determinado ponto de funcionamento de um circuito (ajuste normalmente feito por parafuso),
sendo classificados como resistores tipo ajustáveis. Por sua vez, os chamados reostatos (aparências na Figura 2.9-e),
são resistores variáveis de maior potência, usados em aplicações que necessitam do controle de altas correntes, tal
como em motores, ou elevadas dissipações, tal como em ajustes de temperatura de aquecedores em estufas e fornos.
potenciômetros
cursor
trilha de grafite
resistiva

terminal terminal
fixo terminal fixo
do cursor potenciômetros
de fio
(a) (b) (c) (d) (e)
Figura 2.9: Resistores de valor ôhmico variável e ajustável: (a) símbolos esquemáticos, (b) aspectos construtivos
gerais e denominações; aparências diversas de componentes: (c) potenciômetro, (d) trimpots, (e) reostatos.

2.2.7) BIMETAIS
O bimetal é um artefato composto de duas lâminas soldadas de metais ou ligas com diferentes coeficientes de
dilatação térmica e que, quando submetido a uma variação de temperatura, sofre um encurvamento devido à dilatação
distinta entre as lâminas, vindo desse modo a realizar uma força mecânica devido à ação de encurvamento. O bimetal
constitui-se então2.10-a
A Figura de umexemplifica
sensor de temperatura ao ter sua
o funcionamento de curvatura empregada
bimetal submetido para elevação
a uma abrir ou fechar contatos elétricos.
de temperatura devido a
uma condução de corrente elétrica na própria peça. A Figura 2.10-b exemplifca o caso da absorção de calor do meio
externo ao bimetal, onde um dos contatos elétricos é conectado a uma placa metálica flexível. O conjunto bimetal e
contatos contatos elétricos pode abarcar ainda um botão, que tem a função de fixar a temperatura de controle por meio
do ajuste da pressão entre os contatos ou a distância entre o bimetal e a placa flexível, tal que, quanto maior a pressão
ou a distância, maior é a deformação do bimetal para abrir os contatos e, portanto, maior é a temperatura ajustada.
As lâminas bimetálicas são fabricadas em diversos formatos, tais como retas, espirais, encurvadas e espiraladas
em hélice (aparências na Figura 2.10-c). No par pode-se empregar diversas combinações de metais e ligas, tais como
cobre e aço, latão e invar, etc. As lâminas são normalmente soldadas por sinterização, que consiste em um processo de
aglutinagem de sólidos por meio do aquecimento a uma temperatura inferior à de fusão dos mesmos, mas suficiente
para permitir uma difusão de átomos entre os sólidos, obtendo-se com isso uma soldagem bastante resistente.
Peças bimetálicas são então largamente empregadas como indicadores de temperatura, tal como termômetros
(Figura 2.10-d), dispositivos de controle e proteção (disjuntores e termorelés) e na construção do chamado termostato
(aparência na Figura 2.10-e), usado para regulação automática de temperatura em ferros de passar, geladeiras, etc.
botão de ajuste espiral
lâmina B (B < A) conexões
I placa metálica I elétricas
lâmina A (A) flexível
calor botão
contatos
elétricos I I
calor

helicoidal contatos
elétricos
peça bimetalica
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 2.10: Peça bimetálica: (a) encurvação por corrente na própria peça; (b) encurvação por calor exterior à
peça; (c) exemplo de formatos; (d) exemplo de termômetro bimetálico; (e) aparência e partes de um termostato.

32
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

2.3) TÓPICOS COMPLEMENTARES


O comportamento dos elétrons livres possibilita o surgimento de alguns efeitos com aplicações muito especiais
em Eletrotécnica, dentre os quais serão vistos os fenômenos chamados termoeletricidade e supercondutividade.

2.3.1) TERMOELETRICIDADE
Termoeletricidade é a ciência da transformação de energia térmica diretamente em elétrica. Ela se manifesta
através dos efeitos Thomson, Peltier e Seebeck, descritos a seguir, que consistem na produção de tensões e correntes
elétricas por meios puramente térmicos, sendo os materiais empregados chamados transdutores termoelétricos:
a) EFEITO THOMSON: seja um material condutor submetido a uma diferença de temperatura, tal que uma de suas
extremidades é mantida a uma temperatura Tr e a outra a uma temperatura Tt > Tr (Figura 2.11-a). Neste caso, a
energia térmica recebida pela extremidade quente (Tt) possibilita aos elétrons desta região ocupar níveis de maior
energia, o que causa um aumento de densidade de elétrons nesta extremidade e uma diferença de concentração de
elétrons em relação à extremidade fria ( Tr). Esta diferença de concentração resulta um processo natural chamado
corrente de difusão, onde elétrons se deslocam da região de maior concentração ( Tt), que se torna gradativamente
positiva devido à falta de elétrons, para a de menor concentração (Tr), que se torna gradativamente negativa devido
ao excesso de elétrons. Este fenômeno da separação de carga motivada unicamente por diferença de temperatura é
chamado efeito Thomson e resulta então em um campo elétrico e, por conseguinte, uma ddp entre as extremidades
do material, chamada fem de Thomson (Figura 2.11-a). Como o campo estabelecido é retardador para os elétrons, a
corrente de difusão só perdura enquanto a tendência ao deslocamento é maior que o campo elétrico formado.
b) EFEITO PELTIER: seja a junção de dois materiais condutores A e B a mesma temperatura, onde uma corrente
elétrica I (sentido das cargas negativas) flui do material A para o material B (Figura 2.11-b). Devido a diferenças
de distribuição de energia entre os materiais, tem-se que o fluxo dos elétrons constituintes da corrente ocorre em
diferentes níveis de energia em cada material. Neste caso, se o material A permite que se tenha uma corrente com
uma energia EA , enquanto no material B é necessária uma energia EB < EA , então ocorrerá na junção uma absorção
de energia do meio na forma de calor e a junção se aquece (Figura 2.11-b), devido ao princípio da conservação de
energia. Por outro lado, se a corrente I for invertida (de B para A), ocorrerá o efeito inverso, isto é, dissipação de
calor para o meio e a junção se esfria (Figura 2.11-b). O fenômeno da liberação ou absorção de calor na passagem
de corrente elétrica entre dois materiais diferente a mesma temperatura é chamado Efeito Peltier. Como em uma
junção de dois condutores diferentes surge uma tensão de contato (devido à momentânea difusão de elétrons livres
entre os materiais motivada por diferença de concentração), chamada fem de Peltier, então a junção comporta-se
como uma fonte de tensão dentro da qual ocorre conversão de energia elétrica em térmica e vice-versa.
c) EFEITO SEEBECK: seja dois materiais condutores A e B conectados em duas junções mantidas a temperaturas
diferentes Tr e Tt > Tr (Figura 2.11-c). Neste caso, o desequilíbrio entre as fem’s de Thomson em cada material e as
fem’s de Peltier em cada junção dos materiais resulta em uma tensão elétrica entre os materiais, chamada fem de
Seebeck ou força termoeletromotriz, e srcina uma corrente elétrica no laço formado pelo par (Figura 2.11-c). Este
fenômeno é chamado Efeito Seebeck e a tensão resultante depende dos materiais constituintes do par, chamados
termoelementos ou par termoelétrico, e da diferença entre as temperaturas das junções e da qualidade do contato,
mas independe do comprimento e da seção dos materiais, bem como da área e da forma dos contatos.
fem de Thomson fem de Peltier
A B corrente
induzida
Tt > Tr Tr EA EB < E A
A
I
e– e– E I fem de
calor Tt > Tr Seebeck Tr
– calor
e
B
fonte de calor junção aquece junção esfria
(a) (b) (c)

Figura 2.11: Esquematização dos três efeitos da termoeletricidade: (a) Thomson; (b) Peltier; (c) Seebeck.
A Figura 2.12-a mostra um esquema de produção do efeito Peltier, onde nota-se o surgimento de uma diferença
de temperatura entre as junções do par termoelétrico quando nestas é conduzido corrente elétrica devido a uma tensão
aplicada. O efeito Peltier é então aproveitado na construção dos chamados coolers de Peltier, empregados como
dissipadores de calor para controle de temperatura em microprocessadores, e em refrigeradores de pequena potência
para uso caseiro. Estas dispositivos são geralmente fabricados com semicondutores, devido o efeito ser mais intenso.
A Figura 2.12-b mostra um esquema de detecção da fem de Seebeck entre materiais diferentes submetidos a
temperaturas distintas em suas junções e conclui-se então que o efeito Seebeck é o inverso do efeito Peltier, sendo que
estes dois efeitos podem ser considerados como um só e chamados de efeito Peltier-Seebeck, ou efeito termelétrico.
33
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

A fem de Seebeck pode ser também obtida nos terminais de uma das junções par termoelétrico em aberto, por
exemplo, a junção à temperatura Tr . Neste caso, com a temperatura Tr da junção em aberto servindo como valor de
referência para a temperatura Tt na junção restante, chamada temperatura de teste, tem-se que a fem de Seebeck nos
terminais em aberto pode ser ajustada para variar em função apenas da temperatura de teste. Assim, o efeito Seebeck
pode ser empregado como um sensor de temperatura, denominado termopar, onde os termoelementos, normalmente
metais e ligas, propiciam um rápido acompanhamento das variações na temperatura de teste devido ao baixo calor
específico dos metais, que faz a junção de teste atingir rápidamente o equilíbrio térmico com o ponto de medição.
Como a fem é do tipo contínua, sua leitura permite também a detecção das chamadas perna + e da perna – do par.
A Figura 2.12-c apresenta um esquema de medição de temperatura com termopar. A temperatura Tt no local de
inspeção é normalmente tomada por imersão, encaixe ou contato e o circuito de medição é mantido distante do ponto
de medição por meio de fios longos para garantir que a temperatura Tr nas extremidades 1 e 2 seja constante. A fem
de Seebeck desenvolvida é então lida por um voltímetro, que converte seu valor em oC ou oF (Figura 2.12-c).
Por meio de medidores (Figura 2.12-d), os termopares encontram amplo emprego como elementos sensores de
temperatura, chamados pirômetros, para a verificação de temperatura em fornos, estufas e sistemas de aquecimento
em geral, bem como diagnóstico de pontos quentes (mal contatos, falhas, etc.) em equipamentos elétricos (motores,
quadros de luz etc.). São fabricados em diversos formatos de acordo com a natureza dos termoelementos e de suas
resistências ao calor e à corrosão (Figura 2.12-e). O par de emprego mais comum consiste de liga de níquel-cromo
(perna +) e de níquel, cobre ou platina (perna –). Outros pares: cobre (+)-constantan (–) e ferro (+)-constantan (–).
Embora as fem’s sejam pequenas (por exemplo, cerca de 60 mV para o par cobre-constantan), o efeito Seebeck
pode ser explorado como gerador elétrico com pares associados em série e paralelo, nas chamadas termopilhas.
Tr < Tt
Tr < Tt fios longos circuito de
B medição
B
perna + 1
A A V
V Tr fem V
B Tt perna – 2
B
Tt Tt
ajuste
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 2.12: Esquemas de efeitos: (a) Peltier, (b) Seebeck; termopar: (c) medição; (d) medidor; (e) formatos.

2.3.2) SUPERCONDUTIVIDADE
Como visto, diversos fatores contribuem para o aumento da resistividade elétrica de um material, tais como
imperfeições e impurezas. Contudo, quando submetidos a diminuiççoes de temperatura, certos materiais exibem uma
variação brusca em sua resistividade para um valor imensuravelmente pequeno (Figura 2.13-a) quando a temperatura
do material atinge certo valor chamado temperatura crítica TC. Este fenômeno em que a condutividade atinge um valor
praticamente infinito é chamado supercondutividade e os materiais que a exibem são chamados de supercondutores.
O estado supercondutor de um material, porém, corresponde a uma mudança de fase drástica, com propriedades
qualitativamente diferentes e que não podem ser explicadas somente com a hipótese da resistividade nula. Em 1933,
Meissner observou que um material supercondutor mantido à temperaturas abaixo do seu valor crítico e na presença
de um campo magnético aplicado antes ou depois de estabelecido o estado supercondutor do material, expulsa o fluxo
magnético de seu interior de forma total (Figura 2.13-b), fenômeno denominado Efeito Meissner. Sendo o efeito de
expulsão do campo chamado diamagnetismo, o supercondutor age então como um material diamagnético perfeito.
Logo, como resultado do Efeito Meissner, se um imã permanente for colocado sobre uma placa supercondutora,
flutuará (Figura 2.13-c). Pode-se dizer, então, que o campo magnético não penetra no interior da placa porque, nesta,
os elétrons de condução apresentam movimentos totalmente desimpedidos e podem ajustar seus deslocamentos de
forma a gerar um campo magnético repulsivo o suficiente para compensar o peso do imã. Para isso, portanto, devem
ser induzidas correntes elétricas na superfície da placa supercondutores de tal forma a expulsar o campo magnético de
seu interior. Além disso, estas correntes, por não haver resistência aos seus deslocamentos, podem persistir no meio
supercondutor sem que se possa detectar seu decaimento, mesmo quando retirado a fonte do campo magnético (no
caso, o imã). Pode-se dizer então que o fluxo magnético externo foi mantido “preso” no material supercondutor.
Assim, as duas características principais dos supercondutores, explicitamente, a exclusão do fluxo magnético e
a ausência de resistência a um fluxo de corrente, estão relacionadas entre si, pois é necessário haver uma corrente
persistente e sem resistência para manter a exclusão do fluxo enquanto houver a presença de um campo magnético
externo. Este fato demonstra a incompatibilidade entre corrente elétrica e campo magnético no estado supercondutor.
No entanto, o estado supercondutor apresenta um limite para o fluxo magnético externo, denominado campo
crítico (HC ), acima do qual o supercondutor retorna para o seu estado normal. Além disso, o valor do campo crítico
depende da temperatura do material, tal como exemplificado no gráfico da Figura 2.13-d. Com base neste gráfico,
34
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

observa-se então que a temperatura necessária para se atingir o estado supercondutor diminui com aumento do campo
magnético externo e, acima de certo valor crítico HC 1 a 0 K, o material não mais atinge o estado supercondutor. Pelo
gráfico observa-se também que HC é nulo para T = TC e, portanto, para se observar o fenômeno da repulsão de um
campo magnético, o supercondutor deve necessariamente estar abaixo de sua temperatura crítica.
Como visto, os metais puros são os melhores condutores elétricos em temperaturas normais de trabalho e, em
geral, aumentam sua condutividade com a diminuição da temperatura. Contudo, nem todos os metais apresentam o
fenômeno da supercondutividade e nem sempre os melhores condutores de eletricidade e calor são supercondutores.
Por exemplo, alumínio ( TC = 1,2 K), estanho (TC = 3,8 K), mercúrio (TC = 4,2 K) e chumbo (TC = 7,2 K) apresentam
supercondutividade, mas em metais como ouro, prata e cobre não se verifica o estado supercondutor.
 ( m ) T  TC imã HC (A/m2)
H
H C1 estado
estado normal
super-
T < TC H placa
supercondutora condutor
0 TC T (K) 0 TC T (K)
(a) (b) (c) (d)
Figura 2.13: Supercondutividade: (a) variação da resistividade de um material com a temperatura e ponto
crítico; (b) Efeito Meissner; (c) flutuação de imã permanente; (d) variação do campo crítico com a temperatura.
Até 1986 havia uma barreira na temperatura crítica, que era TC = 23 K obtida com componentes intermetálicos,
tal como o nióbio-germânio. Naquele ano, Mueller e Bednorz descobriram uma nova classe de óxidos que exibiam
supercondutividade à uma temperatura muito superior às observadas até então e obtiveram a quebra da barreira com o
óxido de cobre (TC = 35 K). Desde então, novas barreiras vêm sendo estabelecidas, sendo as descobertas mais recentes
baseadas no emprego das chamadas terras raras (série dos lantanídeos), tais como compostos de cobre-lantânio-bário
e cobre-lantânio-estrôncio. Logo, parece razoável supor que a meta a ser atingida, a temperatura ambiente, é viável.
Apesar da supercondutividade a uma temperatura prática ser hoje uma realidade, há muitos problemas a serem
superados. Por exemplo, muitos destes materiais são difíceis de serem produzidos consistentemente, pois se mostram
mais resistentes mecanicamente em algumas direções do que em outras, e são em geral bastante quebradiços para
serem construídos como fios flexíveis. Além disso, estes materiais exibem certas anisotropias cristalinas, fazendo um
fluxo de corrente elétrica variar
A supercondutividade por umimensas
encontra fator depossibilidades
30 dependendo deda direção do
aplicação, fluxo.
dentre as quais pode-se citar:
 Transmissão de grandes quantidades de energia com mínimas perdas, por meio de cabos supercondutores;
 Construção de enrolamentos supercondutores para utilização em motores elétricos e geradores;
 Transporte de cargas e passageiros por meio de trens levitados sobre campos magnéticos;
 Blindagem contra interferência eletromagnéticas ou fluxos magnéticos indesejáveis.

2.4) EXERCÍCIOS PROPOSTOS


Problema 1: Sejam dois cabos de materiais A e B. Sabe-se que o cabo de material A tem a fios, condutividade A e
massa específica A , e o cabo de material B tem b fios, condutividade B = 2 A e massa específica B = 5A. Sabe-se
também que os fios dos cabos têm mesma seção e comprimento. Determine a faixa de valores que deve ter a razão
a/b para que o cabo de material A tenha, simultaneamente, menor resistência e menor peso que o cabo de material B.

Problema 2: Sejam dois fios resistivos A e B de mesmo material e mesmo comprimento, onde a seção do fio B é
maior que a do
em paralelo, fio A. Sabe-se
obtém-se que, com
uma resistência os fios conectados
equivalente de 2,1 .em série obtém-se
Determine o valor uma resistência equivalente
das resistências dos fios A ede
B. 10  e,

Problema 3: A figura ao lado mostra duas barras de materiais A e B submetidas aos 2,5 mm2
VJ
potenciais de tensão em suas extremidades mostradas. Determine o potencial VJ na 2,5 V A B 0,7 V
junção das barras, a corrente e o gráfico da distribuição de potencial ao longo das
8 cm 6 cm
barras. Dados: condutividades elétricas: A = 20 x 104 S/m e B = 120 x 103 S/m.
12 m 15 m
Problema 4: Sejam três barras de material resistivo, conectadas tal como mostrado na figura ao
6V 4V
lado. A seção de cada barra é 1,2 cm2 e as mesmas estão submetidas aos potenciais elétricos em
1 2 suas extremidades mostradas na figura. Determine o potencial na junção das barras, o valor e o
3 30 m sentido da corrente elétrica em cada barra e a resistência de cada barra. Dado: condutividades
2V elétricas dos materiais das barras: 1 = 5 x 104 S/m, 2 = 6,25 x 104 S/m e 3 = 12,5 x 104 S/m.

35
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

Problema 5: A figura ao lado mostra um certo fio resistivo no formato de um circuito O 2x 2x


retangular fechado. Deseja-se medir a resistência entre dois pontos quaisquer do fio
com um ohmímetro, onde uma ponta de prova é fixada no ponto O e a outra percorre o  D
fio. Sabendo-se que o ohmímetro mede 15  quando a ponta de prova móvel atinge o
ponto A, determine a leitura quando a ponta de prova móvel passa nos pontos B, C e D. A B C

Problema 6: A figura fornecida mostra a variação da resistência com a temperatura, de dois resistores RA e RB de
materiais A e B, respectivamente. Com base no gráfico, determine os coeficientes de temperatura da resistividade dos
materiais A e B a 20 oC. Explique seu raciocínio e compare os resultados.

Problema 7: O gráfico fornecido mostra o comportamento da resistência com a temperatura de dois resistores RA e
RB . A 20 oC, sabe-se que a resistência equivalente com RA e RB em série é 50  e, para RA e RB em paralelo, 12 .
Determine o valor dos coeficientes de temperatura da resistividade dos materiais A e B a 20 oC .

Problema 8: O gráfico dado mostra a variação da resistência equivalente entre dois resistores RA e RB em série, em
função da diferença de temperatura T em relação à referência 20 oC, onde m é a declividade da reta. A 20 oC, sabe-se
que RA = 10  e o coeficiente de temperatura da resistividade do material deste resistor é 3 x 10-4 oC -1. Pede-se:
a) O coeficiente de variação da resistência com a temperatura a 20 oC do material do resistor RB , para os seguintes
valores de declividade da reta: m = 0,01 /oC , m = 0 /oC e m = – 0,01 /oC.
b) O que se pode concluir sobre a resistência equivalente quando a declividade é nula (m = 0)?
c) Qual a declividade limite, a partir do qual o coeficiente de temperatura do resistor RB é negativo? Comente.

Problema 9: Para o circuito fornecido, sabe-se que, quando o resistor R2 é submetido a um aumento de temperatura,
observa-se que a luminosidade da lâmpada L diminui. Explique qual o tipo de material (PTC ou NTC) do resistor R2.
R ( ) R A , R B ( )
RB Req ()
RA
51
retas 30,6
RA paralelas 40 R1
50 m R2 L
19,5 RB V
49,6
0 20 0 20 o
T ( C) 0 o
T ( C)
T (oC)
Problema 6 Problema 7 Problema 8 Problema 9
Problema 10: Sejam dois fios resistivos A e B de mesma seção e comprimento, onde sabe-se que a condutividade do
material do fio A é maior que a do material do fio B. Apesar disso, ao aplicar-se a mesma tensão alternada a cada fio,
observa-se que a corrente no fio A é menor. Explique um possível motivo.

Problema 11: Sabe-se que a resistividade, o coeficiente de temperatura da resistividade de certo metal a 20 oC são,
respectivamente, 0,08 mm2/m e 0,004 oC –1, e que a permeabilidade relativa do metal é 1000. Pede-se:
a) Calcule a resistência CC por quilômetro a 50 oC, de um cabo constituído por 7 fios de 1 mm de diâmetro do metal.
b) Em um fio do metal a 50 oC, com 2 mm de diâmetro e 10 m de comprimento, aplica-se uma tensão alternada eficaz
de 2 V e nota-se que o mesmo dissipa uma potência de 10 W. Determine a freqüência do sinal de tensão aplicado.

Problema 12: A figura ao lado mostra uma fonte de tensão contínua alimentando dois fios
resistivos RA e RB de mesmo valor a uma certa temperatura inicial, quando observa-se que os fios RA
dissipam uma certa potência total PD. Sabe-se que o coeficiente de temperatura da resistividade do RB
V
fio RA na temperatura inicial é igual ao do fio RB , mas de sinal contrários. Sabe-se também que o
fio RA não possui propriedades magnéticas e que a permeabilidade magnética do fio RB é elevada. Pede-se:

b) Explique
a) Explique ooque
queacontece
ocorre com potência PPDD se aa temperatura
comaa potência dos fios
fonte de tensão aumentar
contínua por igual. por uma fonte de tensão
for substituída
alternada de mesmo valor (valor rms da fonte CA igual ao valor da fonte CC).
contatos elétricos fixos
Problema 13: A figura ao lado mostra um sensor bimetálico empregado para
L2
indicar, por meio de duas lâmpadas L1 e L 2 , se a temperatura se encontra fora bimetal
de certa faixa desejada (no caso da figura, L 1 e L2 estão apagadas, indicando A B L1
temperatura dentro da faixa). No par bimetálico, o metal B é o que apresenta o V
maior coeficiente de dilatação térmica. Pede-se:
mola contato elétrico móvel
a) Explique qual lâmpada indica temperatura abaixo da faixa.
b) Se a distância entre os contatos elétricos fixos e o móvel aumentar, que parâmetro do circuito será ajustado?

36
CAPÍTULO 3: MATERIAIS E DISPOSITIVOS ISOLANTES
Diferentemente dos materiais condutores, empregados em Eletrotécnica para o transporte e transformação de
energia elétrica, os materiais conhecidos como isolantes elétricos apresentam propriedades essenciais quando se faz
necessário separar eletricamente partes de um circuito a potenciais diferentes, ou armazenar energia na forma de
campo elétrico com o aproveitamento de efeitos capacitivos, ou ainda manusear partes energizadas sem riscos.
Este capítulo tem como objetivo introduzir alguns aspectos e aplicações dos materiais isolantes.

3.1) PROPRIEDADES E FENÔMENOS


Como visto no Capítulo 1, os materiais classificados eletricamente como isolantes apresentam um elevado gap
de energia baixas
entre asconcentrações
bandas de valência e condução eV). Consequentemente,
(  6livres,
apresentar de portadores de carga em torno de 106 cmestes
–3
, o materiais caracterizam-se
que resulta por
em resistividades
elétricas bastante elevadas, da ordem de 10 a 10 m (para efeito de comparação, em torno de 10–7 m nos metais).
8 15

Este fato revela então que a condução de eletricidade nos materiais isolantes é praticamente nula quando submetidos a
tensões compatíveis, o que revela uma natureza elétrica essencialmente isolante e implica em aplicações distintas dos
condutores e semicondutores, razão pela qual fenômenos e propriedades mais apropriados devem ser estudados.

3.1.1) RIGIDEZ DIELÉTRICA


A propriedade rigidez dielétrica é descrita como o limite de tensão por unidade de espessura, acima do qual um
material isolante perde bruscamente sua capacidade de isolação elétrica ao permitir a passagem de corrente por sua
estrutura, resultando usualmente em sua inutilização. Esta propriedade expressa, portanto, a qualidade isolante elétrico
do material, descrita como a capacidade deste de se opor à uma descarga elétrica por seu meio sem se danificar.
Para uma amostra de material isolante, que suporta uma tensão máxima Vmax entre faces de espessura d antes de
se romper, a rigidez dielétrica Emax (unidade usual: kV/mm.) do material é então definida experimentalmente por:
Vmax
Emax  (3.1)
d
Esta propriedade reside então um parâmetro essencial para a avaliação dos materais usados com a finalidade de
se manter eletricamente isoladas partes ou superfícies a potenciais diferentes, tais como revestimento isolante para
componentes elétricos, suporte isolante para elementos energizados de instalações elétricas, compartimentação de
dispositivos e equipamentos elétricos, etc. A Tabela 3.1 apresenta a rigidez dielétrica de alguns materiais de interesse.
Tabela 3.1: Rigidez dielétrica de alguns materiais a 20 oC.
Material E máx (kV/mm ) Material E máx (kV/mm ) Material E máx (kV/mm )
ar seco 3 EPR 53 vidros 7,5 a 30
poliestireno 20 mica 60 porcelana 100
polietileno 21 teflon 60 a 173 óleos de silicone 10 a 15
PVC 50 polietileno reticulado 65 óleos minerais 15 a 280

3.1.2) POLARIZAÇÃO DIELÉTRICA


Quando submetidos a campos elétricos, os materiais condutores, notadamente os metais, apresentam a indução
de cargas elétricas de sinais contrários em sua superfície, devido ao deslocamento de seus elétrons livres em resposta
à força exercida sobre os mesmos pelo campo aplicado. Esta separação de carga acarreta então em um campo elétrico
induzido e contrário ao aplicado, o que causa o anulamento do campo aplicado no interior do material (Figura 3.1-a).
Os materiais isolantes, também chamados dielétricos, exibem um comportamento similar mas, como praticamente não
possuem elétrons livres, sua reação a um campo elétrico ocorre por outro mecanismo, chamado polarização dielétrica.
Átomos constituem-se basicamente por um núcleo positivo (prótons) e uma coroa negativa (elétrons). Logo, em
agrupamentos de átomos (moléculas) pode-se definir um “centro de carga” para as cargas positivas e negativas, cuja
posição define os dois tipos de moléculas constituintes da matéria: polar e apolar (não-polar). No caso das moléculas
polares, a não coincidência dos centros de carga configura-se em uma separação de carga, o que resulta em um campo
elétrico natural entre os centros de carga e define o chamado dipolo elétrico permanente ou natural (Figura 3.1-b),
sendo os dielétricos chamados polares. Para o caso das moléculas apolares, a coincidência dos centros de carga não se
configura em um dipolo resultante (Figura 3.1-c), sendo então os dielétricos denominados não-polares.
Contudo, em presença de um campo elétrico externo, a reação de ambos os tipos de dielétricos é essencialmente
a mesma. Em um dielétrico polar, os dipolos naturais se encontram orientados ao acaso e não apresentam orientação
37
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

em uma direção resultante, mas a aplicação de um campo elétrico exerce uma força nos dipolos do material de modo a
orientá-los na mesma direção deste campo (Figura 3.1-b). Similarmente, em um dielétrico não-polar submetido a um
campo elétrico, este exerce forças sobre os centros de carga das moléculas e pode acarretar em uma separação e um
alinhamento dos centros de carga na direção do campo, resultando no chamado dipolo induzido (Figura 3.1-c). Estas
orientações, chamadas polarização dielétrica, não é total devido à agitação térmica e será mais intensa quanto maior o
campo elétrico aplicado, sendo o processo reversível, ou seja, cessado o campo aplicado, os dipolos induzidos são
desfeitos e os naturais voltam às suas posições srcinais, tal que a carga elétrica por volume no meio permanece nula.
Como a orientação dos dipolos decorre do deslocamento dos centros de carga positivos no mesmo sentido do
campo aplicado e dos centros de carga negativos no sentido oposto, observa-se então que o campo elétrico dos dipolos
se orientam no sentido contrário ao do campo externo (Figuras 3.1-b e c). Como consequência, tem-se que o campo
eletrico aplicado a um determinado dielétrico encontra uma oposição ao seu adensamento no interior do material,
(Figura 3.1-d) e, desse modo, o campo elétrico externo sofre um enfraquecimento no interior do dilétrico devido ao
campo elétrico dos dipolos orientados no sentido contrário (Figura 3.1-e). Assim, similar ao metais, em dielétricos
submetidos a campos elétricos, observa-se uma redução do campo externo em seu interior e a indução de camadas
superficiais de cargas positivas e negativas em sua superfície devido à orientação de dipolos elétricos (Figura 3.1-e).
dipolo
elétrico
natural
Eint = 0 Eext Eext Eext
Eext

Eext dipolo
induzido
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 3.1: (a) Condutor (metal) perante campo elétrico; polarização dielétrica: (b) molécula polar, (c) molécula
apolar, (d) dielétrico submetido a um campo elétrico; (e) reação do dielétrico ao adensamento do campo externo.

3.1.3) PERMISSIVIDADE DIELÉTRICA


A propriedade que descreve o grau de polarização de um material dielétrico em presença de um campo elétrico
externo, ou ainda, a capacidade do dielétrico em reagir ao adensamento do fluxo de campo elétrico por sua estrutura, é
chamada permissividade dielétrica (símbolo: , unidade: F/m, F = Farad). Assim, quanto maior a polarização dos
dipolos elétricos (naturais ou induzidos) contrários a um campo externo aplicado, menor é o adensamento do campo
elétrico externo no interior do material dielétrico (enfraquecimento) e maior é a permissividade deste material.
A permissividade dielétrica do vácuo (o = 8,854 x 10-12 F/m), sendo uma constante universal, é empregada para
definir o termo permissividade relativa ( r) de um material isolante, que quantifica o quanto o material se polariza em
relação ao vácuo, sendo então definida como a razão entre a permissividade  do isolante e o do vácuo, ou seja:
 (3.2)
r 
o
sendo r adimensional. A permissividade relativa de um material isolante pode ser expressa pela chamada constante
dielétrica K, obtida experimentalmente pela relação entre a capacitância C ( F) de um capacitor contendo isolante e a
capacitância Co de um capacitor de iguais dimensões e com o material isolante substituído pelo ar ou vácuo, ou seja:
C (3.3)
K 
Co
Além da temperatura, a permissividade dielétrica dos materiais depende da freqüência de utilização, em virtude
da dificuldade
criação dos induzidos,
de dipolos dipolos permanentes acompanharem
o que resulta em uma quedaa variação do constante
no valor da campo elétrico aplicado,
dielétrica. Logo,ocorrendo apenas
dispositivos comoa
capacitores podem sofrer redução em sua capacidade de armazenar carga elétrica quanto maior a freqüência do sinal.
A Tabela 3.2 apresenta a constante dielétrica de alguns isolantes à temperatura de 25 ºC e na faixa de 60 Hz a 1 MHz.

Tabela 3.2: Constantes dielétricas de alguns materiais isolantes de interesse em Eletrotécnica.


Material (adm.)
K Material (adm.)
K Material K (adm.)
ar puro e seco ~ 1,0 óleo de transformador 2,5 vidro 5 a 10
porcelana 5,7 óxido de alumínio 7,0 borracha EPR 2,6
polietileno 2,26 poliestireno 2,56 papel encerado 3,1
mica 5,0 a 7,8 quartzo 4,0 ebonite 2 a 2,8
PVC 2,6 a 6,5 óxido de tântalo 11 araldite 3,6

38
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

3.1.4) CAPACITÂNCIA
Seja um condutor elétrico isolado com certa carga Q armazenada, resultando em um potencial V em relação a
um referencial qualquer devido ao campo elétrico emitido pela carga. Supondo uma variação na carga para um valor
nQ, observa-se que o potencial do condutor se altera para nV, tal que a razão Q/V se matem constante. Esta relação
entre carga e potencial consiste em uma qualidade do condutor chamada efeito capacitivo ou capacitância (C), tal que
Q/V = C, que dependente geometria do condutor e do meio isolante que o envolve. Por extensão, efeitos capacitivos
se estabelecem entre quaisquer superfícies a potenciais diferentes, tal como entre cabos aéreos e entre estes e o solo.
Seja então, por exemplo, um condutor A imerso em um meio dielétrico e carregado com certa carga positiva Q
sob um potencial V em relação à referência terra (Figura 3.2-a), resultando em uma capacitância C. Se um segundo
condutor B aterrado for colocado próximo e isolado de A pelo meio dielétrico, observa-se então que o campo elétrico
criado pelas cargas positivas em A induzirão cargas negativas em B, resultando em uma queda de potencial do próprio
condutor A devido à influência das cargas negativas induzidas em B (Figura 3.2-b). Adicionalmente, se a distância
entreB os
em condutores
e, desse modo,diminuir, ou ano
uma redução área de acoplamento
potencial entre
do condutor A. estes
Logo,aumentar, tem-se Aumatingir
para o condutor aumento na cargao potencial
novamente induzida
V, deve-se acrescentar mais cargas positivas ao mesmo e, desse modo, a presença do condutor B permite ao condutor
A armazenar mais carga sob mesmo potencial, ou seja, a capacitância do condutor A aumenta em conjunto com B.
Conclui-se então que a capacitância do conjunto será tanto maior quanto maior for a indução em B e esta atinge o
valor máximo quando ocorre indução total, isto é, a carga elétrica em ambos condutores são iguais e de sinais opostos.
Seja então o conjunto dado na Figura 3.2-c, constituído por duas placas condutoras separadas pelo dielétrico ar
e carregadas com cargas iguais e opostas + Q e –Q produzidas por indução total, o que estabelece um campo elétrico
Eo devido à ddp Vo entre as placas. A introdução de um dielétrico de permissividade maior que o ar causa um enfra-
quecimento do campo elétrico estabelecido incialmente, devido à maior capacidade de polarização do dielétrico no
sentido contrário ao campo, resultando então em uma diminuição do campo entre as placas para um valor E < Eo e um
decréscimo na ddp para um valor V < Vo (Figura 3.2-d). Logo, este efeito possibilita um aumento da carga elétrica nas
placas de modo a se obter novamente a ddp Vo, ou seja, com a mesma tensão consegue-se armazenar mais carga e
energia na forma de campo elétrico. Assim, conclui-se que a capacitância de um conjunto de superfícies condutoras
será tanto maior quanto maior for a permissividade dielétrica do material isolante empregado entre as superfícies.
Um conjunto constituído por duas superfícies condutoras separadas por um dielétrico e com a função específica
de reter cargas elétricas de modo a armazenar energia na forma de campo elétrico é denominado capacitor, sendo a
capacitância,
que portanto,
têm a vantagem nãoa se
grandeza que descreve
danificarem esta capacidade.
quando rompidos, O meio dielétrico
mas o emprego do capacitor
de um dielétrico sólidopode
comser ar ou vácuo,
permissividade
maior permite obter um capacitor de maior capacitância de mesmas dimensões, bem como outras vantagens como:
1) O emprego de um dielétrico sólido resolve o problema mecânico decorrente da necessidade de se manter duas ou
mais superfícies condutoras separadas por pequenas distâncias sem um contato elétrico efetivo;
2) O emprego de um dielétrico de maior rigidez dielétrica que a do ar permite ao capacitor suportar uma tensão mais
elevada sem se danificar e, portanto, possibilita uma maior quantidade de carga armazenada em seu conjunto.
A (C = Q / V ) A (C = Q/V) meio dielétrico ar meio dielétrico de
(permissividade o) permissividade  > o
B +Q -Q +Q -Q
E meio
dielétrico

Q Q
V Eo E < Eo
V

0V 0V Vo V < Vo

(a) (b) (c) (d)


Figura 3.2: Efeitos capacitivos: (a) condutor isolado; (b) conjunto de condutores com indução parcial;
(c) conjunto de condutores com indução total; (d) introdução de dielétrico de maior permissividade.

3.1.5) PERDAS, FATOR DE PERDAS E EFEITO CORONA


A eficiência da capacidade de isolação dos isolantes e dielétricos depende da finalidade e das condições de sua
aplicação. Em geral, estes materiais estão sujeitos a redução de desempenho devido a condicionantes como:
 Fatores em excesso: luz solar incidente, salinidade gases corrosivos presente no ar, poluição e absorção de água
devido à porosidade do material (a chamada higroscopia), podem acelerar o envelhecimento do dielétrico, o que
pode resultar em perdas devido ao aumento substancial de correntes parasitas no interior do material.
39
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

 Regime de trabalho impróprio: tempos prolongados de aplicação de tensões elevadas e/ou impulsos de tensão
podem acarretar em perdas por dissipação de calor na resistência de corpo do material por correntes parasitas.
 Acúmulo de agentes do ambiente: a deposição de sujeira e umidade sobre o isolante pode ocasionar caminhos
ôhmicos para a circulação de correntes de fuga pela superfície do material, o que resulta em perdas de energia.
 Histerese elétrica: na polarização de um dielétrico, a energia requerida para a orientação de seus dipolos pode não
retornar totalmente ao sistema quando da retirada do campo elétrico aplicado, pelo fato de alguns dos seus dipolos
orientados não retornam completamente às posições srcinais após a retirada do campo. Estes atrasos, conhecido
como histerese, necessitam então de consumo de energia para serem desfeitos e, portanto, representam perdas.
 Absorção dielétrica: os dielétricos podem absorver carga elétrica quando em contato com partes energizadas e
passam a se comportar como um material eletrizado por algum tempo, o que representa uma situação com energia
entregue pelo sistema e não devolvida e, portanto, perdas. Certos dielétricos podem apresentar uma absorção de
carga irreversível, o que pode ser aproveitado na obtenção dos chamados eletretos, vistos mais adiante.
Como o vácuo caracteriza-se pela ausência de matéria, então o mesmo não sofre problemas com perdas por
envelhecimento e polarização. O vácuo é, por conseguinte, o único exemplo de material dielétrico ideal.
Da teoria de Circuitos Elétricos, sabe-se que a corrente e a tensão CA em um capacitor estão defasadas de 90 o.
Como o conjunto de perdas de um dielétrico pode ser modelado por uma resistência então, a rigor, este defasamento é
menor que 90o por um valor  (Figura 3.3) devido às perdas associadas ao dielétrico. O termo  é então denominado
ângulo de perdas e sua tangente (tg ) define o chamado fator de perdas de um dielétrico. Logo, este fator consiste em
uma medida da energia perdida ou dissipada na estrutura de um material isolante e, no caso de capacitores, o ângulo 
caracteriza o melhor ou pior dielétrico para aplicações capacitivas pois, quanto menor o fator de perdas, menor é o
efeito resistivo resultante destas perdas e mais próximo de 90o será o defasamento entre tensão e corrente CA.
A Tabela 3.3 mostra o fator de perdas de alguns materiais na freqüência de 1 kHz a 25 oC.
VC  IC Tabela 3.3: Fator de perdas de alguns materiais.
Isolante tg Isolante tg
PVC 0,06 EPR 0,007
IC VC porcelanas 0,04 polietileno 0,003
papel 0,02 Mica 0,002
Figura 3.3: Ângulo de perdas ().
Um evento de grande preocupação em sistemas elétricos provém de situações em que a densidade de campo
elétrico em um condutor energizado e imerso no ar, excede um determinado valor e ocasiona o surgimento de regiões
de ar ao redor do condutor ligeiramente ionizadas, o que propicia condições para a promoção de pequenas descargas
elétricas do condutor para o ar e resulta na emissão de ondas de rádio-frequências, bem como emissões luminosas de
cor violeta pálida devido à formação de gás ozônio e ruído audível devido à vibração do condutor. Este fenômeno,
denominado efeito Corona (aparência na Figura 3.4-a), representa então perdas de energia elétrica do sistema, sendo
comum em redes de transmissão e subestações devido aos elevados níveis de tensão de trabalho envolvidos.
Além do tipo de tensão aplicada (CA ou CC), o efeito Corona é influenciado pelas condições do ar (umidade,
temperatura, pressão e poluição) e pelo formato do condutor empregado devido ao chamado efeito das pontas, pois o
campo elétrico se intensifica em regiões com formas retas ou pontiagudas de um condutor energizado (Figura 3.4-b).
Assim, as perdas perdas resultantes da ocorrência de efeito Corona em sistemas de alta tensão necessitam ser
reduzidas o máximo possível, obrigando os projetistas a tomar cuidados especiais no dimensionamento de chaves de
alta tensão, bem como na avaliação do adequado raio de curvatura dos cabos na passagem pelas ferragens de apoio
(torres e postes) e no espaçamento entre barramentos e entre cabos. Desse modo, é comum o emprego dos chamados
atenuadores de efeito Corona (aparências na Figura 3.4-c), que consistem de condutores em formato circular para
mitigar o efeito das pontas ao aumentar a uniformidade do campo elétrico em volta de equipamentos presentes em
torres e subestações, tais como barramentos e isoladores (Figura 3.4-d), bem como ancoragens e sustentações.

decarga corona anel


anti-corona

alta
tensão

(a) (b) (c) (d)

Figura 3.4: (a) Visualização de efeito Corona em linha de transmissão; (b) esquematização do efeito das
pontas e produção de descarga corona; (c) atenuadores anti-corona; (d) isolador com anel anti-corona.

40
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

3.2) MATERIAIS E DISPOSITIVOS ISOLANTES


Materiais isolantes encontram amplo emprego em Eletrotécnica para desempenhar funções de revestimento,
suporte e manuseio de partes energizadas de circuitos e equipamentos, bem como na fabricação de capacitores. O
termo isolante geralmente conferido aos materiais para isolamentos em geral e dielétrico para aplicações capacitivas.

3.2.1) MATERIAIS ISOLANTES E DIELÉTRICOS

Materiais isolantes e dielétricos se diferenciam por diversas propriedades e características, tais como rigidez e
permissividade dielétricas, fator de perdas, dureza, etc., e podem ser encontrados nos três estados físicos da matéria. A
seguir são descritos alguns dos materiais isolantes de aplicação mais comum em componentes e sistemas elétricos:
 Isolantes gasosos: por ter custo nulo, o ar é aproveitado como meio isolante em instalações elétricas aéreas (cabos
nus em redes, barramentos em subestações, etc). O SF6 (hexafluoreto de enxofre), gás de elevada rigidez dielétrica,
é empregado como isolamento em cabos subterrâneos, redes e subestações compactas, disjuntores de potência, etc.
 Dielétricos líquidos: são óleos com propriedades isolantes empregados em transformadores para isolamento entre
enrolamentos e carcaça, onde atua também como efeito refrigerante, que consiste em absorver o calor gerado por
efeito Joule dos enrolamentos e transferi-lo a radiadores de calor, mantendo admissíveis os níveis de temperatura.
São usados também em disjuntores a óleo, para possibilitar a extinção de arco elétrico, e na impregnação de fibras
para revestimento de cabos e dielétricos em capacitores. Exemplos: óleos minerais, óleos de silicone e Askarel.
 Tintas e vernizes: são compostos químicos de resinas sintéticas, que tem largo emprego na tecnologia de isolação
de componentes eletrônicos como: esmaltação de fios e cabos condutores, isolação de laminados ferromagnéticos,
proteção de superfícies tais como circuitos impressos, etc. Exemplos: Alkanex, Formex e Permafil.
 Resinas plásticas: são de boa rigidez, baixo fator de perda, não higroscópicos e resistentes ao calor. Empregos:
revestimento de condutores elétricos, encapsulamentos, capacitores, isoladores e núcleos de bobinas. Exemplos:
XLPE (polietileno reticulado), poliéster, polistireno, PVC (cloreto de polivinila), teflon, araldite, baquelite, etc.
 Cerâmicas: materiais de elevada constante e rigidez dielétricas, são usados em isoladores em todas as tensões e
em capacitores de baixa e alta tensão. Exemplos: óxido de alumínio, titanato de bário, porcelana e esteatite.
 Borrachas sintéticas: são materiais elásticos, de boa resistência a agentes químicos e elevada rigidez dielétrica.
São usadas como capa externa protetora de cabos e em isoladores poliméricos. Exemplos: silicone, neoprene, EPR
(etileno-propileno), EPDM (etileno propileno dieno monômero) e borracha butílica.
 Mica: material mineral cristalino de alta rigidez dielétrica e baixo fator de perdas. É empregada como dielétrico
em capacitores e como isolante nas ligações entre transistores de alta potência e dissipadores térmicos.
 Vidros: apresentam elevada rigidez e estabilidade à umidade. Emprego: isoladores para cabos em redes elétricas.
 Fibras naturais: são materiais baratos e de grande flexibilidade, porém de elevada higroscopia, sendo usados em
suportes isolantes, revestimento de cabos e capacitores. Exemplos: papel, algodão e seda impregnados com óleos.
 Outros: óxido de tântalo e mylar (dielétricos em capacitores), madeira (cruzetas em postes de distribuição), etc.

3.2.2) ISOLAMENTOS E ISOLADORES

Elementos energizados de equipamentos e circuitos elétricos em geral (instalações elétricas, subestações, redes
de transmissão e distribuição, etc.), conhecidas como partes “vivas”, representam perigo à segurança de pessoas e
patrimônio e precisam permanecer “suspensos eletricamente” do meio que os cercam, papel este desempenhado por
diversos tipos de revestimento e suporte isolantes presentes nas instalações e dispositivos elétricos.
Isolamento é o termo geral para revestimentos empregados como encapsulamento, compartimentação ou capa
protetora para isolar eletricamente partes energizadas (exemplos na Figura 3.5), bem como dotar estas de condições
para evitar problemas com choques elétricos, corrosão, abrasão, inflamabilidade, umidade, microorganismos, etc.

 Em geral,sólido:
Isolamento o isolamento
usadosdeem
fios e cabos
todos elétricos
os níveis de classificam-se,
tensão, consistesegundo sua composição,
nos materiais orgânicos em:
naturais e polímeros,
além de amianto, cerâmicas, teflon, naylon e ebonite para aplicações especiais. Os polímeros se dividem em:
 Termoplásticos: caracterizam-se por mudança de estado com a temperatura (quando queimados, se derretem).
Máxima temperatura de trabalho: 170 oC. Exemplos: polistireno, polietileno, PVC e naylon.
 Termofixos: são mais resistentes e carbonizam-se quando queimados, mas tornam-se quebradiços com o tempo.
Temperatura máxima de trabalho: 250 oC. Exemplos: borracha butílica, EPR, XLPE e neoprene.
 Isolamento estratificado: composto de camadas isolantes geralmente impregnados, utilizados para isolação acima
de 1000 V. Exemplos: papel impregnado com óleo e com interstícios ocupados com gás sob pressão ( gas filled).
A espessura de isolamento de condutores elétricos é dimensionada obedecendo a condição de que o campo
elétrico na superfície do isolamento seja nulo. Para o caso simples de um fio, a espessura é dada por (figura 3.5-e):
 
Vmax

d  r e r Emax  1 (3.4)

41
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

onde: d ( mm) é a espessura do material isolante e r (mm) é o raio do fio condutor (Figura 3.5-e), Vmax ( V) é a tensão
máxima de trabalho do fio e Emax (V/mm) é a rigidez dielétrica do material isolante a ser empregado.
Alguns cabos para aplicações especiais apresentam uma capa protetora contra a ação de agentes externos (raios
solares, meios corrosivos, microorganismos, etc.), usualmente PVC ou chumbo, e em cabos para altas tensões é usada
uma complementação que visa aumentar a capacidade de isolação devido aos elevados campos elétricos gerados.
caixa de
passagem

eletroduto condutor
d
condutores
isolados r
isolante
(a) (b) (c) (d) (e)
Figura 3.5: Aplicações de isolamento: (a) guiamento de condutores elétricos, (b) conjunto plugue-tomada; (c) par
de luvas isolantes (borracha e couro); (d) fita isolante; (e) dimensionamento da espessura de isolação simples .
Isolador é o termo geral para designar dispositivos empregados como suporte, suspensão ou ancoragem isolante
de peças energizadas (condutores, barramentos, chaves, conexões, etc.) em instalações elétricas em geral.
Os isoladores são especialmente construídos para assegurar um isolamento elétrico adequado e apresentar boas
caracterísiticas mecânicas, devendo ainda ser capazes de fazer o máximo uso do poder isolante do ar que os envolve.
Com estes propósitos, são então projetados de forma a apresentar contornos físicos o mais longo possível, de modo a
assegurar uma distribuição balanceada de potenciais e minimizar a acumulação de linhas campo elétrico, objetivando
impedir o rompimento da isolação por arcos elétricos em sua estrutura (perfuração) ou pelo ar (descarga externa).
Os materiais empregados em isoladores devem apresentar elevada dureza e tenacidade devido às solicitações
mecânicas a que estão sujeitos (forças sobre eixo de fixação e apoio), que lhes são transmitidos devido ao próprio
peso dos cabos e à força dos ventos sobre os cabos, bem como minimizar problemas com atos de vandalismo.
Além disso, como a presença de poros e fissuras facilita o acúmulo de água e sujeira (pó, fuligem, etc.), o que
possibilita o surgimento de correntes de fuga superficial, os isoladores devem apresentar uma superfície altamente
polida ou vitrificada, com a finalidade de diminuir a possibilidade de acúmulo de sujeira sobre o isolador.
Os isoladores (aparências na Figura 3.6) apresentam diversas especificações, dentre as quais pode-se citar:
 Características elétricas: tensões máximas suportadas (disruptivas, corona, de perfuração, RF, etc.).
 Características mecânicas: capacidade de carga máxima de trabalho e resistência a impactos e choques térmicos.
 Material do corpo isolante: porcelanas (argila, quartzo, alumina, etc.), vidro temperado e compósitos poliméricos
(EPDM, EPR, silicone, plásticos, etc.), podendo estes últimos serem construídos sob um bastão isolante rígido.
 Tipo do corpo isolante: podem ser construídos em uma única peça, chamados tipo monocorpo ou de barra longa,
cujo comprimento define o nível de isolamento, bem como em diversas peças em forma de disco, chamados tipo
multicorpo, que permitem a conexão entre si em longas cadeias para se adequar ao nível de isolação desejado.
 Tipo de apoio: diferem pelo tipo de fixação na estrutura de apoio, feito basicamente de 3 maneiras:
 Isoladores tipo pilar: são construídos em uma única peça ou contendo um núcleo de material isolante mais rígido,
com base metálica fixa de alta resistência mecânica, que é acoplada à estrutura por arruela e porca.
 Isoladores de pino: contém em seu interior um furo rosqueado para permitir a introdução de um pino de aço com
cabeça de chumbo filetada, sobre o qual se atarracha o isolador à estrutura por arruela e porca.
 Isoladores de suspensão: são essencialmente do tipo multicorpo, para permitir ao conjunto grande flexibilidade
ao vento. Além do corpo isolante (normalmente vidro ou porcelana), estes isoladores apresentam ferragens em
seu eixo para o engate entre peças, de modo a propciar boa resistência à tração. São o tipo de maior importância
para redes de transmissão de energia elétrica, pois ajustam-se facilmente às condições de serviço impostas.

tipo
pino
tipo
pilar isoladores
de disco
(tipo
supensão)

(a) (b) (c) (d)


Figura 3.6: (a) Isoladores cerâmicos; (b) isoladores de vidro; (c) isoladores poliméricos; (d) cadeia de isoladores.

42
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

3.2.3) CAPACITORES
Como mencionado anteriormente, os capacitores (símbolos esquemáticos na Figura 3.7-a) são componentes
elétricos construídos especificamente para aproveitar a capacidade de um conjunto de superfícies condutoras isolados
entre si por um meio isolante (dielétrico) em armazenar energia na forma de campo elétrico devido à retenção de
cargas elétricas nestas superfícies, sendo a capacitância obtida pelo conjunto a medida desta retenção. Além disso,
observou-se também que a capacitância do conjunto é intensificada quanto maior o acoplamento entre as superfícies
(maior área e menor distância) e maior é a polarização do dielétrico empregado (permissividade dielétrica).
Como exemplo, a capacitância de um conjunto formado por duas placas paralelas (Figura 3.7-b) é definida por:
A
C  (3.5)
d
onde  é a permissividade do meio dielétrico e d e A a distância entre as placas e a áreas destas, respectivamente.
Capacitores são componentes elétricos largamente empregados em Eletrotécnica para desempenhar funções
diversas,
circuitos tais como:
tanque correção de
ressonantes fator de potência,
(sintonizadores), osciladores, divisores
temporizadores, de tensão
acoplamento capacitivos,
de circuitos comdefasadores,
bloqueio defiltragem,
corrente
contínua, filtro capacitivo em circuitos retificadores, supressores de transitórios, partida de motores, etc.
Para melhor especificação, os capacitores apresentam diversas características físicas e técnicas, tais como:
 Capacitância nominal: expresso em Farads (F), pode variar de picofarads (pF) até centenas de milifarads (mF).
 Tensão nominal ou de trabalho: define o valor máximo da tensão eficaz suportada continuamente pelo dielétrico,
acima do qual poderá ocorrer elevada absorção dielétrica e risco de carbonização por centelhamento ou descarga.
 Características de fabricação: são especificações de natureza construtiva do capacitor, sendo as mais comuns:
 Dielétrico empregado: gás (ar, SF6), cerâmicas (óxido de alumínio, porcelana, mica), óxido de tântalo, resinas
plásticas (poliéster, polistireno, mylar), óleos minerais, fibra natural (papel, algodão, etc.), fibra de vidro, etc.
 Natureza: podem ser classificados como fixos, variáveis e ajustáveis. Nos fixos, o valor nominal é definido pelo
fabricante. Nos variáveis e ajustáveis, a capacitância é alterada com a variação do acoplamento entre as placas,
de modo a obter um ponto de operação de um circuito ao fixar algum parâmetro deste. Os variáveis (aparência
na Figura 3.7-c) são usados no ajuste do ponto de operação a qualquer tempo, e os ajustáveis, conhecidos como
trimmers (aparências na Figura 3.7-d), usados para determinar um ponto de operação do circuito fixo no tempo.
 Formato: podem ser constituídos por placas nas formas em paralelo, disco, cilindros concêntricos, espiral, etc.
 Polarização: os não polarizados (mica, cerâmico, poliéster, etc) independem de como são ligados no circuito, e
os polarizados (eletrolíticos) possuem sinais (+/–) para seus terminais, que devem ser respeitados.
 Tolerância: expressa a precisão no processo de fabricação e define o erro (%) máximo da capacitância nominal.
 Classe de perdas: os capacitores são classificados nos tipos de baixa perda e alta estabilidade (mica, polistireno,
cerâmicos, vidro), de média perda (papel, plásticos) e de altas perdas e elevada capacitância (eletrolíticos).

d
C


C
(a) (b) (c) (d)
Figura 3.7: (a) Símbolos esquemáticos do capacitor; (b) esquema de um capacitor de placas paralelas;
(c) aparência de um antigo capacitor variável a dielétrico ar; (d) aparências de trimmers capacitivos.
As especificações são indicadas pelo fabricante em catálogos técnicos e o valor da capacitância, tolerância e
tensão nominal
um código podem
de letras vir impressos
maiúsculas: no corpo
F = 1%, do capacitor.
H = 2,5%, J = 5%, KA =tolerância
10% e Mpode ser expressa
= 20%. diretamente
A capacitância ou através
pode estar de
expressa
diretamente (exemplo: 0.01 nF / 5 % / 600 V), ou com o emprego de algarismos em diversas formas, tais como:
 Especificações em unidades picofarads ( pF):
 Forma explícita. Exemplo: 5,6 J  5,6 pF / 5 %.
 Código formado por três números tipo "XYZ", onde XY forma a dezena e Z a potência de 10, tal que obtém-se:
XY x 10Z pF. Exemplo: 474  47 x 104 pF = 470 x 103 pF = 470 nF.
 Emprego das letras K (simboli zando “vezes 103 ”) e M (106 ), que também indica posição da vírgula na dezena.
Exemplos: 10K : 10 x 103 pF = 10 nF ; 5K6 : 5,6 x 103 pF = 5,6 nF ; 4M7 : 4,7 x 106 pF = 4,7 F
 Especificação em microfarads ( F), com indicação da tensão nominal. Exemplo: .01 250V  0,01 F / 250 V.
O antigo código dos capacitores de poliéster é constituído de cinco faixas de cores X-Y-Z-T-M (do topo para os
terminais), onde lê-se: XY x 10Z pF (código de cores igual ao dos resistores - Tabela 2.2), T = tolerância (código:
preto = 20%, branco = 10%) e M = tensão nominal (vermelho = 250 V, amarelo = 400 V, azul = 630 V).
43
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

Capacitores comerciais são frequentemente denominados de acordo com o material empregado como dielétrico
e apresentam diversos formatos de encapsulamento (Figura 3.8). Os mais comuns são listados a seguir:
a) Capacitores de poliéster metalizado: são construídos por duas lâminas de alumínio isoladas por tiras de poliéster
e enrolados sobre si mesmos. Apresentam baixo fator de perdas, insensibilidade à umidade e grande estabilidade,
sendo usados em circuitos de baixa e alta freqüência. Valores entre 1 nF e 10 F e tensões nominais até 500 V.
b) Capacitores eletrolíticos: consistem basicamente de uma folha metálica de alumínio (placa positiva), coberta por
uma fina camada de óxido de alumínio depositado por eletrólise, que por sua vez está em contato com uma folha
de papel impregnada por um eletrólito líquido ou uma pasta, sendo esta última solidária a outra folha metálica
(placa negativa). Apresentam capacitância entre alguns microfarads a 10 mF com tensões de trabalho até 600 V,
sendo então usados onde uma grande capacitância se faz necessária. Apresentam fator de perda apreciável. Podem
ser polarizados (indicação no corpo) e, neste caso, são utilizados em circuitos nos quais a componente contínua é
bem superior à componente alternada ou em circuitos de corrente contínua pura (por exemplo, em retificadores).
c) Capacitores cerâmicos: são fabricados normalmente na forma de disco ou bastão, possuindo altíssima constante
dielétrica. Possuem valor de 1 pF a 0,5 F e podem atingir tensões de trabalho de até 10 KV. Apresentam fator de
perdas pequeno (< 10-4) em freqüências elevadas. Os trimmers cerâmicos são obtidos nos valores de 1 a 45 pF.
d) Capacitor de mica: constituído por camadas alternadas de mica e metal prensadas. Apresenta capacitância da
ordem de picofaradas, alta tensão de trabalho e indutância parasita reduzida. Apresenta também fator de perdas
baixo em altas freqüências, sendo bastante utilizado em circuitos que processam sinais de freqüência elevada.
e) Capacitor de polipropileno: apresenta baixa perda, alta tensão e resistência a avarias. Fabricado em picofarads.
f) Capacitores de poliestireno: apresentam geralmente capacitância na escala de picofarads.
g) Capacitores a óleo: empregam papel impregnado de óleo mineral ou sintético como dielétrico. Podem atingir até
30 F. Possuem boas características, desempenho e vida útil longa. São usados em circuitos de baixas freqüências.
h) Capacitores de tântalo: são compactos, de baixa tensão e apresentam capacitâncias de até 100 μF.

(f)
(d) (e)
(c)

(a) (b)

(g) (h) (i)


(j)
Figura 3.8: Aparência de alguns capacitores: (a) poliester; (b) eletrolíticos; (c) cerâmicos; (d) mica;
(e) polipropileno; (f) poliestireno; (g) a óleo; (h) policarbonato; (i) tântalo; (j) capacitores de potência.

3.2.4) ELETRETOS E CRISTAIS PIEZOELÉTRICOS


Eletretos são materiais capazes de manter uma carga elétrica estática em sua estrutura por um longo tempo sem
sofrer decaimento, comportando-se então como materiais permanentemente eletrizados. São fabricados por meio da
injeção de elétrons em certos dielétricos que apresentam “armadilhas” para elétrons (exemplos: teflon e mylar).
Como o efeito desta eletrização pode ser interpretado como se o eletreto fosse um material permanentemente
polarizado, a combinação deste com placas metálicas produz então um efeito capacitivo “ao contrário”, onde o campo
elétrico produzido pelo dielétrico entre as placas (eletreto) induz tensão elétrica nas placas. Este comportamento pode
ser aproveitado em diversas aplicações tecnológicas, tais como em microfones, detetores de ultra-som e dosimetria.
Os chamados microfones de eletreto (Figura 3.9) são transdutores eletro-acústicos constituidos por uma placa
metálica fixa a pequena distância de uma folha de eletreto metalizada, cujo conjunto se comporta como um capacitor
permanentemente carregado. Uma onda de áudio (som) incidente no topo da capsula causa uma vibração na folha de
eletreto em relação à placa metálica fixa, o que varia dinamicamente a distância entre as mesmas e altera a tensão do
efeito capacitivo (V = Q/C = Q d/ A), convertendo então a onda de áudio em sinal de tensão, sendo este sinal por sua
vez injetado em um FET (transistor de efeito de campo) para pré-amplificação. Estes microfones caracterizam-se por
serem pequenos, baratos, bastante sensíveis e possuir uma larga faixa de resposta em frequência (30 Hz a 30 kHz),
sendo utilizados em celulares, laptops, gravadores de áudio, etc. Podem apresentar 2 ou 3 terminais, são polarizados
(+/–) e requerem uma fonte de tensão externa de no mínimo 2 V (por exemplo, pilhas) para o funcionamento do FET.
44
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

cobertura cobertura porosa


metálica
folha de placa metálica fixa
eletreto
FET
cápsula terminais
(a) (b) (c)
Figura 3.9: Microfone de eletreto: (a) esquema construtivo; (b) símbolos; (c) aprências.
Certos cristais isolantes polares (quartzo monocristalino, titanato de bário, titanato de chumbo, etc.) exibem a
chamada eletrostricção, que consiste na geração de uma diferença de potencial elétrico entre as duas faces do cristal
quando submetidas a um esforço de tração ou compressão, ocasionada pelo alinhamento dos dipolos elétricos naturais
na direção da força aplicada (Figura 3.10-b). Este fenômeno, denominado efeito piezoelétrico, é reversível (a tensão
desaparece com a retirada dos esforços) e o efeito inverso também ocorre, ou seja, quando o cristal piezoelétrico é
submetido a uma tensão elétrica entre suas faces, o mesmo se comprime ou se expande elasticamente na direção do
campo elétrico aplicado, resultanto então na geração de uma força mecânica na direção deste campo (Figura 3.10-c).
Esta capacidade dos cristais piezoelétricos em converter força mecânica em tensão elétrica, e vice-versa, se
configura então em um transdutor eletromecânico. Este materiais são aproveitados na construção de medidores de
pressão (Figura 3.10-d) e sensores ultrassônicos de transmissão/recepção de vibrações para detecção de imperfeições
em estruturas sólidas, bem como em acelerômetros, isqueiros e acendedores caseiros, fones auriculares, etc.
O chamado oscilador de cristal (Figura 3.10-e) é um circuito eletrônico que utiliza a ressonância de um cristal
piezo (quartzo) para criar um sinal elétrico de frequência bastante precisa, comumente usada para medir com mais
exatidão o tempo em microcontroladores, relógios, bem como estabilizar frequências de transmissores de sinais.
Outra emprego destes materiais reside no chamado microfone de cristal (símbolo na Figura 3.10-f e aparência
na Figura 3.10-g), constituído basicamente de duas placas metálicas separadas por uma placa de material piezoelétrico
(Figura 3.10-h), onde a pressão das ondas sonoras em um diafragma causam vibrações no cristal, que se traduzem em
uma tensão (sinal de áudio) entre as placas metálicas em decorrência do ao efeito capacitivo “ao contrário”.
placa metálica cristal piezo
F F
áudio

V V
diafragma sinal de
dipolo elétrico áudio
(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (h)
Figura 3.10: (a) Cristal piezo não tensionado; (b) efeito piezoelétrico; (c) efeito piezoelétrico reverso; (d) transdutor
de força; (e) oscilador de cristal; microfone de cristal: (f) símbolo, (g) aparência, (h) esquema de funcionamento.

3.3) EXERCÍCIOS PROPOSTOS


Problema 1: Deseja-se isolar para 20 kV um cabo com 1 cm de diâmetro, empregando um material isolante de rigidez
dielétrica 10 V/m. Determine a espessura limite do isolamento. Explique se o limite é mínimo ou máximo.

Problema 2: A figura ao lado mostra um circuito CC em regime permanente, contendo um k R


capacitor inicialmente com certo dielétrico de constante dielétrica maior que do ar. Retirado o
dielétrico do capacitor, explique o que acontecerá com a carga, a capacitância e a tensão no V C
capacitor em regime permanente se: (a) a chave k é mantida fechada durante a retirada do
dielétrico e (b) se a chave k é aberta antes da retirada do dielétrico sólido.
Problema 3: Dispõe-se de dois dielétricos 1 e 2 para construir um capacitor de placas paralelas com 25 cm2 de área,
que deverá apresentar capacitância de 2 nF e suportar pelo menos uma ddp de 500 V em seus terminais. Sabe-se que a
rigidez dielétrica dos materiais 1 e 2 são 16 kV/mm e 10 kV/mm, respectivamente, e as permissividades relativas são
2,5 e 5, respectivamente. Determine se um dos dielétricos pode ser empregado para a construção do capacitor.
Problema 4: A afirmação “o emprego de ummaterial isolante de maior rigidez dielétrica aumenta a capacitância de
um capacitor de iguais dimensões” é correta? Explique.

45
CAPÍTULO 4: M ATERIAIS E DISPOSITIVOS MAGNÉTICOS
Diferentemente dos condutores, semicondutores e isolantes, cujas aplicações Eletrotécnicas estão relacionadas a
propriedades desejáveis na presença de campos elétricos, os empregos dos materiais classificados como magnéticos
são justificados por seu comportamento favorável perante a campos magnéticos, sendo essenciais para o estabeleci-
mento de acoplamentos magnéticos para a geração e transformação da energia elétrica, bem como para a viabilização
de diversos equipamentos eletromecânicos que contam com efeitos magnéticos para o seu adequado funcionamento.
Este capítulo tem como objetivo introduzir alguns aspectos teóricos e aplicações de materiais magnéticos.

4.1) PROPRIEDADES E FENÔMENOS

O comportamento dos materiais submetidos a campos magnéticos e os efeitos destes campos na interação entre
dispositivos por acoplamento magnético resumem os chamados fenômenos magnéticos, vistos a seguir.

4.1.1) POLARIZAÇÃO MAGNÉTICA

Sabe-se que campos magnéticos de orientações contrárias tendem a se repelir mutuamente e que qualquer carga
elétrica em movimento produz campo magnético. Sabe-se também que os átomos e moléculas da matéria estão em
constante estado de agitação térmica e que seus elétrons executam dois tipos de movimento eletrônico: orbital e spin.
A natureza magnética dos materiais corresponde à reação de sua estrutura atômica perante a linhas de um fluxo
de campo magnético aplicado e consiste em três fenômenos que descrevem o comportamento dos materiais:
 Diamagnetismo : o movimento angular dos elétrons em torno do núcleo (orbital) confere um caráter magnético aos
átomos e, quando um material é submetido a um fluxo magnético, a força magnética do campo tende a afetar o
caráter magnético de seus átomos ao perturbar o movimento orbital dos elétrons. Como consequência, os elétrons
dos átomos do material tendem a adequar seu movimento orbital de forma a expulsar o campo magnético aplicado,
resultando em um comportamento natural conhecido como diamagnetismo, comum a todos os materiais. Contudo,
a intensidade desta repulsão diamagnética se mostra bastante fraca devido à constante agitação térmica dos átomos
em direções caóticas, que atenuam acentuadamente as reações dos átomos aos campos magnéticos aplicados.
 Paramagnetismo : o caráter magnético dos átomos depende também do momento angular dos elétrons em torno de
seu eixo (movimento spin), que faz os elétrons atuarem como diminutos imãs conhecidos como spins magnéticos.
Na presença de um fluxo magnético, os elétrons tendem a alinhar seus spins no sentido das linhas do fluxo e, caso
os átomos de um material apresentem desequilíbrios entre os movimentos orbital e spin, tal que o alinhamento dos
spins no sentido do fluxo exceda o efeito da repulsão diamagnética, observa-se que o material exibe uma natureza
magnética no sentido de facilitar o fluxo do campo magnético por seu meio. Este efeito, chamado paramagnetismo,
também se mostra bastante fraco devido à agitação térmica dos átomos, podendo o material vir a exibir um com-
portamento praticamente indiferente ao campo devido à equivalência dos efeitos diamagnético e paramagnético.
 Ferromagnetismo : o caráter magnético dos átomos, como um todo, decorre ainda do equilíbrio entre os seus spins.
Sabe-se que os elétrons ocupam os níveis de energia aos pares girando em sentidos opostos (spins contrários), tal
que os efeitos dos spins se anulam mutuamente. A presença de níveis com spins incompletos em um átomo resulta
então em um desequilíbrio entre os grupos de spins contrários, o que confere ao átomo um forte comportamento
magnético que excede em muito a repulsão diagmagnética. Esta natureza magnética pode ainda não se limitar aos
átomos, mas em toda uma diminuta região do material devido à concatenção dos efeitos magnéticos dos átomos, o
que produz um vetor-campo de orientação magnética, chamado dipolo magnético (Figura 4.1-a), e faz o material
exibir regiões, denominadas domínios magnéticos (Figura 4.1-a), naturalmente disseminadas por seu meio. Este
efeito, chamado ferromagnetismo, se mostra menos sensível à agitação térmica dos átomos devido à concatenação
de efeitos magnéticos, o que confere ao material uma elevada capacidade de interação com campos magnéticos.
Na ausência de um campo magnético, as orientações dos domínios magnéticos normalmente se estabelecem de
forma aleatoria pelo material e seus efeitos tendem a se anular mutamente. Porém, quando expostos à ação de um
campo magnético, os domínios podem ter seus dipolos facilmente rearranjados (polarizados) no sentido das linhas
de fluxo magnético aplicado (Figura 4.1-b). Assim, materiais que exibem o ferromagnetismo constituiem-se em
um caminho bastante permeável a campos magnéticos, ao atrair (ou ser atraído) fortemente as linhas do fluxo.
Contudo, como o número de dipolos magnéticos orientados é proporcional à intensidade do campo magnético
aplicado e a quantidade de dipolos disponíveis é finito, a capacidade de polarização do material pode atingir um
limite, chamado saturação magnética, quando todos os seus dipolos se encontram orientados (Figura 4.1-c).
Além disso, com a retirada do campo magnético, pode ocorrer que alguns dipolos magnéticos não retornam às
suas disposições srcinais (Figura 4.1-d), permanecendo um resíduo de polarização magnética no material. Este
efeito, chamado magnetismo residual ou remanescência magnética e conhecida como imantação, produz atrasos na
reorientação dos dipolos no sentido oposto ao estabelecido inicialmente e resulta na chamada histerese magnética.
46
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

material
ferro-
magnético

 
domínio
magnético
dipolo
magnético
(a) (b) (c) (d)

Figura 4.1: (a) Representação de domínios e dipólos magnéticos; (b) polarização parcial na presença de campo
magnético externo; (c) polarização total dos dipolos (saturação); (d) remanescência magnética (imantação).

4.1.2) PERMEABILIDADE MAGNÉTICA E CLASSIFICAÇÃO DOS MATERIAIS


A propriedade magnética que expressa a maior ou menor capacidade de polarização da estrutura atômica de um
material na direção das linhas de um fluxo de campo magnético aplicado, de modo impor uma oposição ou a se deixar
atravessar por estas linhas de fluxo, é denominada permeabilidade magnética  (unidade: H/m, H = Henry).
O vácuo, sendo ausência de matéria, é considerado o meio material ideal por não interagir a campos magnéticos
aplicados, sendo sua permeabilidade (o) uma constante universal, dada por: o = 4 x 10-7 H/m. A permeabilidade do
vácuo pode ser então empregada como fator de comparação para expressar o comportamento magnético dos materiais
em relação ao vácuo, por meio de um parâmetro denominado permeabilidade relativa r (adimensional), definida por:

r  (4.1)
o
onde  = r x o refere-se então à permeabilidade magnética absoluta do meio material em questão.
O conceito de permeabilidade magnética é similar à condutividade elétrica, sendo relutividade a propriedade
que expressa o comportamento oposto (similar à resistividade). Esta semelhança propicia o conceito de oposicão que
um corpo material exibe a um campo magnético aplicado, chamada relutância (similar à resistência elétrica).
Com base nos efeitos de polarização magnética vistos anteriormente, conclui-se então que os materiais podem
ser classificados basicamente em quatro tipos com base em suas reações a campos magnéticos aplicados:
1) Indiferente: o material praticamente não exerce ação sobre as linhas de um fluxo magnético aplicado. Neste caso,
a permeabilidade relativa é considerada referência e igual ao do vácuo ( r = 1). Exemplos: ar, cobre, baquelite, etc.
2) Diamagnético: o material tende a afastar levemente as linhas de fluxo magnético aplicado devido ao predomínio
do diamagnetismo natural. Logo, a qualidade magnética do material é inferior ao do vácuo e sua permeabilidade
relativa deve ser ligeiramente menor que 1. Exemplos: prata ( r = 1  20 x 106), zinco (r = 1  10 x 106), etc.
3) Paramagnético: o material atrai levemente as linhas de fluxo magnético aplicado, devido ao predomínio de seu
paramagnetismo. Logo, a qualidade magnética do material é superior ao do vácuo e sua permeabilidade relativa
deve ser ligeiramente maior que 1. Exemplos: alumínio (r = 1 + 22 x 106), platina (r = 1 + 33 x 105), etc.
4) Ferromagnético: o material atrai (ou é atraído) fortemente as linhas de fluxo de um campo magnético aplicado
devido à presença de dipolos magnéticos em sua estrutura, que se orientam intensamente no sentido das linhas do
fluxo. Apresenta então permeabilidade relativa muito superior à do vácuo ( r >> 1) e caracteriza-se por exibir
saturação e retenção magnéticas. O termo ferromagnético reside no fato do ferro ser, por excelência, o principal
material para aplicações magnéticas. Exemplos: ferro macio (r = 6000), níquel (r = 50), cobalto ( r = 60), etc.

4.1.3) MAGNETIZAÇÃO, RETENTIVIDADE MAGNÉTICA E CICLO DE HISTERESE

O comportamento
Este efeito é descrito pelados materiais
relação entrecomo meio dedepropagação
a densidade de campos
linhas de fluxo magnéticos
magnético é denominado
B (T, Tesla, ou Wb/m2magnetização.
Wb = Weber)
circulante pela área de uma amostra do material e a intensidade do campo magnético H (A/m) aplicado à amostra,
através da permeabilidade magnética  (H/m) do material. O fenômeno da magnetização é então definido por:
B H (4.2)
Logo, a equação (4.2) expressa que, quanto mais permeável magneticamente for um meio material (), maior
será a quantidade de linhas de fluxo (B) que o material se deixa atravessar em resposta a um campo (H) aplicado.
A magnetização dos materiais pode ser representada por visualização gráfica da variação da densidade de linhas
de fluxo magnético em função da intensidade do campo magnético aplicado ao material, denominadas curvas de
magnetização ou curvas B x H (Figura 4.2). Neste caso, os materiais podem apresentar dois comportamentos distintos:
 Meios não-saturáveis: em meios não-ferromagnéticos (diamagnéticos, paramagnéticos e indiferentes), as curvas de
magnetização mostram que as fracas interações com campos magnéticos aplicados características destes materiais,
resultam em densidades de linhas de fluxo magnético bastante reduzidas e de comportamento praticamente linear
47
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

(Figura 4.2-a), bem como na ausência de um magnetismo residual (densidade de fluxo nula com a retirada do campo
magnético aplicado) e saturação magnética (Figura 4.2-a), vindo estes materiais ser também conhecidos como meios
não-saturáveis. Uma medida da permeabilidade magnética pode então ser obtida da declividade da reta ( B/H) e
conclui-se que a permeabilidade magnética dos meios não-saturáveis mantém-se independente do campo magnético
aplicado. Assim, a equação (4.2) pode ser definida em toda a curva de magnetização para estes materiais.
 Meios ferromagnéticos: no caso dos materiais ferromagnéticos, as curvas mostram que a magnetização do material
exibe inicialmente uma baixa densidade de fluxo (Figura 4.2-a), devido a uma certa inércia na polarização inicial
dos dipolos magnéticos causada pelo fato das dificuldades oferecidas à orientação de cada domínio serem diferentes
em intensidade. No entanto, para níveis de campo magnético mais elevados, a magnetização do material passa a
aumentar de forma exponencial, em decorrência da forte interação entre o campo magnético circulante com os
dipolos magnéticos disseminados no material, que se orientam em grande quantidade no sentido das linhas de fluxo
magnético aplicado (Figura 4.2-a). Como conseqüência, as densidades de linhas de fluxo magnético podem alcançar
níveis bastante elevados nestes materiais quando comparado aos materiais não-ferromagnéticos (Figura 4.2-a).
Além disso, com a retirada do campo magnético aplicado ( H = 0), observa-se que a curva de magnetização dos
materiais ferromagnéticos apresenta um efeito residual (B  0), que ocorre devido ao fato do material tender a se
opor, a cada instante, tanto ao crescimento quanto ao decrescimento do fluxo magnético por sua estrutura, pois sua
reação à retirada do campo é no sentido de manter a orientação dos dipolos. Como conseqüência, o material pode
não se desmagnetizar completamente quando a intensidade do campo magnético é reduzida a zero, restando então,
como mencionado anteriormente, uma remanescência magnética chamada magnetismo residual Br (Figura 4.2-a).
A presença de um resíduo de magnetização Br para H > 0 implica que um campo magnético de intensidade Hc
e sentido oposto ao aplicado ( H < 0), chamada força coercitiva (Figura 4.2-a), é necessário para promover o retorno
dos dipolos magnéticos de polarização remanescente às suas orientações srcinais (desmagnetização do material).
Além disso, como a quantidade de domínios magnéticos que permanecem orientados é proporcional ao número de
domínios previamente orientados, então o montante da força coercitiva Hc aumenta na proporção do magnetismo
residual Br (Figura 4.2-b). Contudo, os montantes de Hc e Br são independentes, pois um material ferromaganético
pode apresentar elevados magnetismos residuais mas forças coercitivas comparativamente pequenas, e vice-versa.
Como o número de dipolos magnéticos é limitado, a intensidade do campo magnético pode atingir níveis nos
quais os domínios se encontram orientados praticamente em sua totalidade e, desse modo, aumentos de intensidade
de campo não mais se refletem na densidade de fluxo, que se mantém constante (Figura 4.2-b), vindo o material a
perder sua capacidade de atrair linhas de fluxo magnético por seu meio. Este efeito, como mencionado, é chamado
saturação (Figura 4.2-b), sendo então os materiais ferromagnéticos também conhecidos como meios saturáveis.
Logo, conclui-se que a permeabilidade magnética dos meios ferromagnéticos varia em função da intensidade de
campo aplicado. Uma medida da permeabilidade destes materiais precisa então ser obtida por meio do levantamento
da relação  = B/H em pontos da curva de magnetização e, desse modo, os fabricantes de materiais disponibilizam
informações sobre o comportamento magnético de seus produtos por meio de gráficos dos ciclos de histerese.
B (Wb/m2)
2
B (Wb/m ) B (Wb/m2)
curva normal de
magnetismo magnetização saturação
residual meios
saturação
ferromagnéticos
Br
força meios não H ( A/ m )
coercitiva saturáveis
laço ou ciclo
- Hc 0 H ( A/ m ) 0 H (A/m) de histerese
magnética
(a) (b) (c)

Figura 4.2: (a) Efeitos da magnetização; (b) intensidades de magnetização e saturação; (c) ciclo de histerese.
Os montantes de magnetismo residual e força coercitiva de um material ferromagnético expressa a propriedade
retentividade magnética, definida como a maior ou menor capacidade de um material em manter uma magnetização
permanente, ou seja, expressa a capacidade do material em permanecer imantado após a retirada do campo aplicado.
Para o caso de um material ferromagnético submetido a um campo magnético alternado de certa intensidade,
seus dipolos são então orientados nos dois sentidos do fluxo aplicado e promovem magnetismos residuais, bem como
correspondentes forças coercitivas, também nos dois sentidos do fluxo. Como consequência, o comportamento da
densidade de fluxo magnético no material perfaz um ciclo fechado ao longo do tempo de sua magnetização alternada.
Como a remanescência magnética representa um atraso na polarização de dipolos magnéticos no sentido contrário,
efeito conhecido como histerese, então a forma gráfica deste comportamento cíclico da magnetização dos materiais
ferromagnéticos é denominada laço ou ciclo de histerese magnética (Figura 4.2-c). Além disso, se a intensidade do
campo aplicado for suficientemente elevada, o correspondente laço de histerese pode exibir também o efeito saturação
48
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

do material (Figura 4.2-c). Adicionalmente, como intensidades de campos distintos exibem comportamentos cíclicos
distintos, então diversos laços de histerese podem ser obtidos, sendo o conjunto de pontos de máxima densidade de
fluxo dos laços chamado curva normal de magnetização do material (Figura 4.2-c). A magnitude das áreas dos laços
de histerese magnética expressa, portanto, uma medida da propriedade retentividade magnética do material.
Uma remanescência magnética pode também ser interpretada como a parcela da energia entregue ao material e
não devolvida ao sistema gerador do campo aplicado, sendo a força coercitiva uma medida do gasto de energia deste
sistema para desmagnetizar o material. Logo, a magnetização residual e sua correspondente força coercitiva em si
representam gastos de energia para o sistema, chamadas perdas por histerese, sendo então a área do ciclo de histerese
uma medida destas perdas (quanto maior a área, maior as perdas). Assim, para aplicações magnéticas como motores e
transformadores, onde a eficiência é um aspecto fundamental, procura-se empregar materiais que apresentam laços de
histerese de menor área possível. Contudo, materiais de elevado magnetismo residual (fáceis de serem magnetizados)
e de elevada força coercitiva (difíceis de serem desmagnetizados), encontram amplo emprego na obtenção de ímãs
permanentes e na construção de dispositivos para armazenamento de informações (fitas e cartões magnéticos).

4.1.4) INDUÇÃO ELETROMAGNÉTICA, INDUTÂNCIA E CORRENTES DE FOUCAULT


Como mencionado no Capítulo 2, a incidência de linhas de fluxo magnético ( ) variante no tempo em qualquer
material induz no mesmo uma tensão elétrica também variante no tempo, denominada força eletromotriz ( fem), sendo
este fenômeno descrito pela Lei de Faraday (fem = – d/dt) e conhecido como indução eletromagnética.
Como toda carga elétrica em movimento gera campo magnético então, além de ímãs naturais ou artificiais em
movimento (giratório, linear, etc.), fluxos magnéticos variantes no tempo podem ser também produzidos por correntes
variantes no tempo, estabelecidas pelos chamados sinais de tensão (por exemplo, tensão alternada e rádio-frequência).
Assim, para um meio material percorrido por corrente variante no tempo, o campo magnético produzido pode
induzir forças eletromotrizes no próprio material (denominada força contra-eletromotriz ou fcem) e em qualquer meio
imerso neste campo tal que ocorra uma concatenação (“abraço”) de fluxo entre eles (Figura 4.3 -a). No entanto, devido
à Lei de Lenz (sinal negativo na lei de Faraday), a fem auto-induzida no material ( fcem) age em oposição à variação
do fluxo magnético que a induziu (e, portanto, em oposição à corrente que produziu o fluxo magnético), ou seja, se o
fluxo aumenta, uma fcem é induzida de modo a se opor ao seu crescimento e, se o fluxo diminui, a fcem induzida
inverte seu sentido para evitar esta queda. Similarmente, se em outro meio material imerso no campo magnético
variante no tempo prover um caminho fechado, então a fem produzida neste meio induz também uma corrente em seu
interior ou
srcinal, (Figura 4.3-b)
seja, se este que,
fluxopor suaavez,
tende produza um
aumentar, fluxoinduzida
corrente magnético
no em oposição
material à variação
imerso no campodoproduz
fluxo magnético
um fluxo
magnético de sentido oposto ao srcinal (caso da Figura 4.3-b) e, se o fluxo magnético srcinal tende a diminuir, a
corrente induzida inverte seu sentido para produzir um fluxo magnético de mesmo sentido do campo srcinal.
A capacidade de um meio material em induzir forças eletromotrizes de modo a se oporem às variações de fluxo
magnético é denominada indutância (unidade: H, Henry), sendo indutância própria a capacidade de induzir uma fem
em si mesmo ( fcem), e indutância mútua a capacidade deste de induzir uma fem em qualquer outro meio imserso em
seu campo. A indutância mútua consiste então na transferência de energia elétrica entre meios por campo magnético.
Como meios ferromagnéticos normalmente são condutores elétricos (com exceção das chamadas ferrites), uma
consequência da indução eletromagnética na magnetização alternada consiste na circulação de correntes elétricas no
interior destes materiais (Figura 4.3-c) em consequência de forças eletromotrizes induzidas em seu meio, o que resulta
em perdas elétricas por efeito Joule, chamadas perdas no ferro ou de Foucault, sendo as correntes induzidas chamadas
parasitas ou de Foucault. Uma técnica para mitigar este problema consiste na laminação longitudinalmente à direção
do fluxo magnético na forma de placas ou chapas, que são isoladas eletricamente por um esmalte isolante e agrupadas
para formar os chamados núcleos magnéticos laminados (Figura 4.3-d). Esta medida acarreta em maior dificuldade
para a indução de correntes parasitas devido à diminuição do livre caminho para a circulação destas correntes no meio
ferromagnético, o que resulta na redução de seu montante e na diminuição do problema de perdas por Foucault.
linha de fluxo núcleo
ferromagnético
magnético
fluxo
alternado
concatenado

fem
induzida
sinal de  
corrente corrente lâminação
dispositivo próximo corrente induzida
parasita
(a) (b) (c) (d)
Figura 4.3: (a) Efeito indução magnética; (b) corrente induzida; (c) perdas de Foucault; (d) núcleo laminado.

49
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

4.2) MATERIAIS E DISPOSITIVOS MAGNÉTICOS


Diversas aplicações Eletrotécnicas, tais como indutores, motores, geradores, transformadores, relés, eletroímãs,
etc., devem seu adequado funcionamento ao uso de materiais com elevada permeabilidade magnética para se obter um
guiamento de linhas de fluxo magnético mais eficiente, de modo a se estabelecer um campo magnético mais intenso
ou produzir efeitos indutivos mais eficientes em condutores ou em acoplamentos magnéticos entre circuitos.

4.2.1) MATERIAIS E LIGAS FERROMAGNÉTICAS


Como visto, os meios ferromagnéticos apresentam elevada capacidade de polarização no sentido de um fluxo
de um campo magnético aplicado (  r >> 1), sendo porisso os materiais de maior emprego para aplicações magnéticas.
Dentre estes meios, o mais antigo exemplo de material ferromagnético conhecido é a chamada magnetita (04Fe3).
Além da promoção de efeitos indutivos, os materiais ferromagnéticos podem ser também aproveitados para
proteger um dispositivo contra influências externas, denominada blindagem magnética, que consiste no princípio da
relutância mínima: quando dois meios materiais de permeabilidades diferentes apresentam-se como caminhos para um
fluxo magnético, este flui para o de menor relutância (maior permeabilidade) para minimizar a perda de energia.
Materiais ferromagnéticos normalmente apresentam comportamento magnético favorável com a temperatura,
com sua permeabilidade aumentando até temperaturas inferiores a um certo valor denominado Ponto Curie, acima do
qual passam a exibir comportamento paramagnético (exemplos: ferro: 770 oC; cobalto: 1127 oC; níquel: 354 oC).
Porém, regimes de trabalho impróprios podem submeter estes materiais a temperaturas acima de suas especificações
de projeto, o que faz os mesmos desenvolverem a chamada fadiga magnética, caracterizada por um envelhecimento
do material ao longo do tempo, que acarreta na redução da permeabilidade e aumento de suas perdas por histerese.
Materiais puros que exibem o ferromagnetismo é raro na natureza, sendo seus exemplos se resumindo ao ferro,
que é o principal componente para a produção de materiais ferromagnéticos usados comercialmente, além do cobalto,
níquel e suas ligas. Alguns exemplos de materiais de comportamento ferromagnético são descritos a seguir:
a) Ferro puro: embora apresente perdas por histerese relativamente baixas, tem seu emprego restrito a circuitos de
corrente contínua devido à condutividade elétrica elevada, que favorece as perdas de Foucault. Contudo, na forma
de ligas e com a laminação, pode-se melhorar algumas de suas propriedades para aplicação em circuitos de sinais.
b) Ligas de ferro-silício: o acréscimo de pequenas quantidades de silício (até 6,5%), além de tratamentos térmicos,
confere ao ferro aumentos de permeabilidade e níveis de saturação, diminuição da fadiga magnética e aumentos da
resistividade (o que reduz as perdas por correntes parasitas), mantendo reduzidas as perdas por histerese.
São materiais baratos e largamente empregados como núcleo magnético em motores, transformadores, relés,
geradores, etc., normalmente fabricados na forma de chapas isoladas entre si para diminuir as correntes parasitas.
O acréscimo de silício torna o ferro mais quebradiço, razão pela qual a porcentagem de silício é limitada. Em
máquinas estáticas (transformadores) empregam-se normalmente núcleos com porcentagens mais altas de silício e
em máquinas rotativas (motores e geradores), porcentagens mais baixas. Uma variação na fabricação destas ligas
refere-se a chapas de ferro-silício de grão orientado, usadas na tecnologia de núcleos de transformadores para uso
em telefonia, eletrônica e comunicação, e para transformadores monofásicos e trifásicos de elevada potência.
c) Ligas de ferro-níquel: caracterizam-se por apresentar alta permeabilidade ( r até 100.000), alto ponto de saturação
porém baixa resistividade. São empregadas principalmente em telecomunicação e na fabricação de núcleos para
relés, bobinas, blindagens magnéticas e transformadores para sinais de pequena amplitude. Nomes comerciais:
Rhometal (até 35 % de níquel), Permalloy-45 (45% de níquel), Permalloy-78, Nicalloy (35 a 50 % de níquel),
Mumetal (76 Ni, 17 Fe, 5 Cu, 2 Cr), Hypernik, Anhyster e outras ligas com composição até 80% de níquel.
d) Ligas de ferro-cobalto: apresentam elevada permeabilidade e alto ponto de saturação, porém elevado custo. São
empregados nas mesmas aplicações que as ligas de ferro-níquel. Nomes comerciais: Hyperco e Permendur.
e) Ferrites: constituem-se de núcleos compactados e sinterizados, contendo uma mistura de pós, basicamente óxido
de ferro (material cerâmico) com acréscimos diversos de níquel, zinco, manganês, magnésio e silício, além de um
aglomerante (polisterol ou goma-laca) que tem a fu nção de “colar” os grãos do pó.Caracterizam-se por apresentar
elevada resistividade elétrica (faixa entre 1 e 10 6 m) e boas características magnéticas, sendo empregadas em
núcleos de transformadores e indutores que operam em circuitos de altas freqüências (por exemplo, filtros de rádio
freqüência), devido ao fato das perdas por Foucault se acentuarem quanto maior é a freqüência do fluxo magnético
(conseqüência da lei de Faraday). Outros exemplos: ferrites à base de níquel-zinco e manganês-zinco.
f) Ligas para ímãs artificiais: caracterizam-se por apresentar ciclos de histerese bastante largos (horizontalmente e
verticalmente), o que os permite exibir um forte magnetismo residual estável devido ao elevado número de dipolos
continuamente orientados, comportando-se então como ímãs permanentes. São ligas poucos sensíveis a variações
de temperatura e ação de forças mecânicas, podendo ser moldadas de modo a apresentar formatos personalizados
para se adequarem à sua finalidade. Como exemplo de ligas para ímãs artificiais tem-se o Alnico (Al + Ni + Co),
materiais cerâmicos (estrôncio e bário), e ligas de materiais mais raros, tais como NdFeB (neodímio-ferro-boro) e
Sm-Co (samário-cobalto), onde estes últimos apresentam força magnética maior que os outros. Usos: motores CC,
microfones e auto-falantes dinâmicos, discos rígidos, indústria automotiva e aeroespacial, chaves de fenda, etc.
50
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

4.2.2) BOBINAS MAGNÉTICAS


Linhas de fluxo de campo magnético produzidas por corrente em um fio esticado se distribuem ao longo do fio
(exemplo da Figura 4.3-a), o que resulta em fraca indução de forças eletromotrizes no fio ou em um condutor próximo
a ele devido ao espalhamento do campo. Contudo, para o mesmo fio pode-se aumentar a densidade das linhas de fluxo
magnético com a diminuição do volume ocupado pelo fluxo no espaço, por meio de um trançado helicoidal do fio em
torno de seu eixo para se obter a chamada bobina magnética (Figura 4.4-a). Com isso, as linhas de fluxo fundem-se
entre si e passam a se concatenar com as voltas do fio, as chamadas espiras, obtendo-se uma maior concentração de
linhas de fluxo e, portando, fem auto-induzidas mais intensas (Figura 4.4-a) e indutâncias mais elevadas.
Assim, bobinas magnéticas constituem-se de um fio condutor (cobre, alumínio ou ligas metálicas) enrolado em
uma única camada ou em várias camadas, e construídos com a finalidade específica de armazenar energia elétrica na
forma de campo magnético ao seu interior. Logo, bobinas magnéticas são os dispositivos que introduzem a grandeza
indutância nos circuitos elétricos, sendo o símbolo L sua designação e Henry (H) sua unidade de medida.

fixa, a Para a intensificação


variação dasL linhas
da indutância de fluxo
da bobina magnético  em
(equacionalmente:  uma
 L bobina tem-sebasicamente
. i ) é obtida que, supondo
deuma
doisdada corrente i
modos:
1) Número de espiras: como cada volta do fio em torno de seu eixo (espira) contribui individualmente para a indução
da fem total em uma bobina então, quanto maior a quantidade espiras, maior é o fluxo magnético concatenado
pelas espiras da bobina, maior é a fcem induzida e, portanto, maior é a indutãncia da bobina (Figura 4.4-b).
2) Tipo e formato do núcleo: o chamado núcleo constitui-se no meio pelo qual circulam as linhas de fluxo magnético
produzido pela bobina, além de prover um suporte às espiras. Para pequenas indutâncias pode-se construir bobinas
sem apoio (núcleo de ar) ou sobre um núcleo sólido não-ferromagnético e, para a obtenção de indutâncias maiores,
emprega-se materiais ferromagnéticos por oferecerem um caminho mais permeável ao fluxo magnético, o que
permite um aumento nas linhas de fluxo para a mesma corrente, que passam a circular mais próximas à bobina
(Figura 4.4-c). Como linhas de fluxo perfazem um caminho fechado no espaço, pode-se ainda empregar núcleos de
formato mais fechado para se elevar a densidade de fluxo magnético e obter maiores indutâncias (Figura 4.4-d).

sinal de corrente  ar



i i
espira  ar
i
i ar

fcem fcem
fcem fcem

núcleo núcleo
em I em U
(a) (b) (c) (d)

Figura 4.4: Aumento do efeito indutivo (indutância) em um fio: (a) formato de bobina; (b) aumento no número
de espiras; (c) acréscimo de núcleo ferromagnético em I; (d) acréscimo de núcleo ferromagnético em O (U+I).
A indutência de uma bobina pode ser ainda intensificada com o aumento da seção do núcleo tranversal ao fluxo
magnético, devido ao aumento da área de circulação do fluxo, porém um aumento no comprimento da bobina reduz
sua indutância pelo fato do fluxo ter que percorrer um maior caminho no espaço. Como exemplo, a indutância de uma
bobina de comprimento , N espiras em camada simples e núcleo de área A e permeabilidade  é determinada por:
 A N2
L (4.3)

Bobinas magnéticas (símbolos esquemáticos na Figura 4.5-a) são geralmente chamadas de indutores e choques
quando empregadas em circuitos eletro-eletrônicos (exemplos de aparências na Figura 4.5-b), e enrolamentos quando
da construção das chamadas máquinas elétricas, sendo algumas das características construtivas descritas como:
a) Bobinamento: tipos tubular e panqueca (de uma ou várias camadas), tipo honeycomb e tipo toroidal.
b) Núcleo: para a obtenção de altas indutâncias utiliza-se material ferromagnético (ferro-silício, ligas ferromagnéticas
em geral e ferrites) e para aplicações que exigem indutâncias menores pode-se utilizar núcleo de ar ou um núcleo
não saturável (cerâmica, baquelite, papelão, plástico, etc.) com a função de prover apoio mecânico aos fios.
c) Circuito magnético: tipos aberto (I, U, E) e fechado (O, B). Indutores de núcleo tipo O são chamados de reatores.
d) Valor fixo, variável e ajustável: nos tipo fixo a indutância é definida pelo fabricante. Os tipo ajustável (trimmers
indutivos) consistem de bobinas construídas com núcleos cilíndricos de ferrite que se deslocam por rosqueamento,
o que causa mudanças no meio pelo qual circulam as linhas de fluxo magnético e, desse modo, na indutância. Nos
tipo variável, a variação da indutância pode ser também obtida através de múltiplos terminais retirados de alguns
pontos da bobina, chamados taps, que propiciam mudanças no número de espiras entre dois terminais quaisquer.
51
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

Reatores saturáveis são outro tipo de indutor variável, que consiste de bobinas com núcleos ferromagnéticos
contendo pequenos intervalos de ar chamados gaps, onde a indutância pode ser ajustada a partir da saturação do
núcleo, resultando em um fluxo magnético  praticamente constante (a permeabilidade do núcleo limita-se à do
ar). Neste caso, a indutância L do conjunto passa a variar inversamente com a corrente i na bobina (L =  / i).
Além de características construtivas, a indutância de uma bobina é definida também pela faixa de freqüência
em que irá atuar. Bobinas com poucas espiras e núcleo de ar ou ferrite são geralmente usadas em circuitos de sinais de
alta freqüência, ou que trabalham com variações muito rápidas de corrente. Para circuitos com sinais de média e baixa
freqüência, são utilizadas bobinas com grande número de espiras e núcleo de ferrite ou liga ferromagnética laminada.

L L

L L
núcleo não- núcleo
ferromagnético ferromagnético 1 2 3 4 5 6 7
(a) (b)

Figura 4.5: (a) Símbolos esquemáticos de bobinas magnéticas; (b) tipos de indutores: 1- núcleo de ar, 2- toroidal,
3- núcleo de ferro laminado, 4- núcleo plástico, 5- núcleo de ferrite, 6- bobina tipo honeycomb, 7- choque de RF.
Como mencionado, uma fem induzida no próprio condutor pelo qual circula uma corrente variante no tempo
(fcem), age em oposição a esta corrente devido à Lei de Lenz. Este efeito, interpretado então como uma “resistência” à
passagem da corrente, é expresso por uma grandeza chamada reatância indutiva XL , dada desse modo em ohms ( ).
Como quanto maiores são a frequência f da corrente (d./dt) e a indutância L da bobina, maior é a fcem induzida, então
maior será a oposição à corrente, ou seja, a reatância indutiva XL depende diretamente da indutância própria da bobina
e da freqüência angular do sinal de corrente (equacionalmente: XL = 2  f L). Como essa oposição atrasa o aumento ou
a diminuição de corrente em ralação à fcem induzida na bobina, então uma consequência da reatância indutiva reside
no atraso da corrente no tempo em relação à tensão aplicada aos terminais da bobina. Porém, se a bobina é conectada
a uma fonte de tensão contínua no tempo, a corrente e o fluxo magnético na bobina também serão constantes e, desse
modo, a reatância indutiva apresentará valor nulo e a oposição à corrente limita-se à resistência do fio da bobina.
Na prática, além da indutância própria e da resistência do fio, uma bobina magnética pode apresentar também
alguns efeitos indesejáveis que necessitam de alguma medida para a sua mitigação. Dentre os efeitos, pode-se citar:
 Acoplamentos magnéticos indevidos: fluxos magnéticos variáveis no tempo gerados pela bobina podem causar
interferências em outros componentes devido a indutâncias mútuas. Este problema pode ser mitigado envolvendo a
bobina com um invólucro metálico (normalmente de alumínio) ligado ao terra do circuito, no qual são induzidas
correntes que geram campos magnéticos em oposição ao fluxo magnético da bobina, o que resulta em um efeito
blindagem devido ao confinamento do campo dentro do invólucro. Porém, estas correntes induzidas na blindagem
representam perdas, que podem ser reduzidas posicionando-se o invólucro suficientemente distante da bobina.
 Efeitos capacitivos: uma bobina pode apresentar diversas capacitâncias, tais como entre espiras, entre camadas de
espiras, entre espiras e o suporte da bobina (chassi), entre bobina e blindagem (quando houver), etc. Esses efeitos
capacitivos configuram-se em uma reatância capacitiva para a bobina, que pode se tornar comparável à reatância
indutiva para sinais de altas freqüências tal que, se forem iguais (na chamada freqüência de ressonância), a bobina
se torna um tanque ressonante (o que é aproveitado em algumas aplicações) e, acima da freqüência de ressonância,
a bobina tende a comportar-se como um curto-circuito. Existem então configurações especiais de bobinamentos
destinadas a reduzir estes efeitos capacitivos, tais como o de dupla camada escalonado e o tipo panqueca.
Bobinas magnéticas possuem um extenso campo de aplicações. Além de motores, geradores, transformadores
e indutores diversos, a geração de campo magnético circulante em bobinas pode ser empregada também em sensores,
transmissores e receptores de rádio, relés, eletroímãs, equipamentos de ressonância magnética, radares de velocidade
de veículos, trancas elétricas e fontes chaveadas, bem como em antigas aplicações tais como reatores magnéticos para
lâmpadas fluorescentes e dispositivos de leitura e gravação de informações em fitas K7, fitas de vídeo e disquetes.
Como a reatância indutiva aumenta com a frequência, os indutores podem ser empregados também como filtro
de sinais para, por exemplo, eliminar ruidos induzidos em um circuito. Este é o caso dos chamados choques de RF,
que são bobinas construídas para trabalhar principalmente como filtro série (filtro de linha) no bloqueio à passagem
de sinais de frequências acima de um valor especificado (circuitos conhecidos como filtros passa-baixa), de modo
que, acima desta freqüência, o indutor apresenta uma alta reatância indutiva, o que dificulta a passagem dos sinais.
Choques de RF são normalmente construídos em núcleos cilíndricos ou toroidais de ferrite de alta permeabilidade,
encapsulados em material epoxi e contendo uma cobertura de esmalte vinílico (aparência na Figura 4.5-b-7).

52
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

4.2.3) MÁQUINAS ELÉTRICAS


As chamadas máquinas elétricas são equipamentos destinados à transferência de energia elétrica entre circuitos
distintos por meio de acoplamento magnético, sendo classificadas basicamente em dois tipos de acordo com as partes
constituintes: máquinas fixas ou estáticas (transformadores) e máquinas girantes ou rotativas (motores e geradores).
Transformadores fazem uso da indutância mútua entre bobinas, chamadas enrolamentos, para a transferência de
potência elétrica entre circuitos, constituindo-se basicamente por dois (ou mais) enrolamentos que compartilham um
mesmo núcleo (normalmente ferromagnético), para possibilitar uma concatenação mais eficiente das linhas de fluxo
magnético produzidas em uma bobina com a outra bobina (Figura 4.6-a). Para seu funcionamento, uma das bobinas,
chamada enrolamento primário, é aplicado uma tensão variante no tempo (por exemplo: alternada), e o consequente
fluxo magnético produzido pela corrente variante no tempo nesta bobina induz na mesma uma fcem VP , chamada
tensão primária, e uma fem VS (tensão secundária) na outra bobina, chamada enrolamento secundário (Figura 4.6-a).
Considerando um acoplamento magnético entre bobinas praticamente total (todas as linhas de fluxo produzidas

eema tensão
um enrolamento
secundáriase(Vconcatenam com oàoutro
S) é proporcional razãoenrolamento), pode-se
entre o número definir
de espiras doque a razão entre
enrolamentos a tensão
primário ( Nprimária ( VP)
P) e do enro-
lamento secundário (NS), o que determina a chamada relação de transformação de um transformador, dada por:
VP NP
 (4.4)
VS NS
Logo, se NP > NS , o transformador funciona como um tipo abaixador de tensão ( VS < VP) e, se NP < NS , um tipo
elevador de tensão (VS > VP). Existem também transformadores com relação de transformação igual a 1, usados para
manter a mesma tensão entre o primário e o secundário, mas isolando eletricamente um circuito do outro.
Assim, os transformadores (símbolos esquemáticos na Figura 4.6-b) são fundamentais para a transmissão de
energia elétrica em diferentes tensões e correntes, bem como para modificar a impedância de circuitos elétricos, sendo
fabricados em diversos tamanhos/potências (Figura 4.6-c) e classificados em diversos tipos como: nível de tensão de
trabalho (alta, média e baixa), finalidade (transformadores de força, de distribuição, de potencial, de corrente, etc.),
número de fases (monofásico e polifásico), tipo de núcleo (ferromagnético ou de ar) e número de bobinas (2, 3, etc.).
Os transformadores são largamente empregados em redes elétricas de baixa, média e alta tensão, da geração à
carga. Os de baixa tensão são utilizados por consumidores finais na conversão de voltagem (110/220 V) ou ainda, para
suprir diferentes tensões requeridas por diferentes equipamentos com os chamados transformadores de múltiplos taps
(exemplo: 220/6+6 V). Os chamados transformadores de potencial e de corrente são empregados para adequar tensão
e corrente, respectivamente, aos níveis requeridos por medidores de grandezas elétricas. Existem ainda os chamados
autotransformadores, formados por uma única bobina em um núcleo ferromagnético e por três terminais para fixar os
níveis de tensão primária e secundária, que se caracterizam por ser mais baratos e leves que os transformadores de
enrolamento duplo padrão, não fornecendo, entretanto, um isolamento elétrico entre os circuitos propiciado por estes.
Uma característica importante dos transformadores reside em seu ganho de potência aproximadamente unitário,
isto é, a potência requerida no secundário é refletida no primário. Isto implica que em um transformador abaixador de
tensão, por exemplo, a menor tensão no secundário em relação ao primário é acompanhada por uma maior corrente no
secundário em relação ao primário, tal que a potência se mantém a mesma (equacionalmente: P = VP IP  = VS IS).
Outro efeito reside no conceito de que um circuito conectado no primário de um transformador, por exemplo do
tipo abaixador, o “enxergar” como uma impedância alta pelo fato da corrente ser baixa comparável ao sencundário, do
mesmo modo que um circui to conectado no secundário do transformador o “enxergar” como uma impedância elevada
pelo fato da corrente ser baixa comparada ao primário. Esta característica dos transformadores pode ser utilizada em
circuitos de pequenos sinais, baixas potências e altas freqüências para executar um efeito denominado casamento de
impedâncias, sendo empregado em equipamentos de áudio e RF para acoplamentos entre estágios de amplificadores,
entre amplificadores e auto-falantes e entre microfones e amplificadores, bem como na recepção de sinais em equipa-
mentos de rádio, TV e radar como forma de acoplar a estes dispositivos sinais elétricos captados por uma antena.

i
núcleo núcleo
de ar ferromagnético
VP NP NS VS

com tap auto-


central transformador

(a) (b) (c)


Figura 4.6: Transformadores (a) esquema de funcionamento; (b) símbolos esquemáticos; (c) aparências.

53
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

Motores elétricos (símbolos esquemáticos na Figura 4.7-a) são dispositivos destinados à conversão de energia
elétrica em mecânica, formados por uma parte fixa (estática), chamada estator, e uma parte móvel (girante), chamada
rotor. Dependendo do tipo do motor, as funções do estator e do rotor podem ser desempenhadas por imãs permanentes
ou por eletroímãs construídos com enrolamentos instalados em ranhuras suportadas por um núcleo ferromagnético e
com acesso ou não por conexões elétricas, sendo o espaço entre eles chamado entreferro. O núcleo do rotor, por sua
vez, é normalmente montado sobre um eixo maciço de aço apoiado sobre mancais (também chamados rolamentos),
sendo ainda o conjunto total estator-rotor protegido do meio por um invólucro denominado carcaça (Figura 4.7-b).
O princípio de funcionamento dos motores baseia-se no surgimento de um torque sobre o rotor, proveniente da
tendência deste em alinhar seu campo com campos magnéticos produzidos no estator. Como resultado deste torque, o
rotor executa um movimento em torno de seu eixo (movimento rotacional), que pode ser aproveitado em inúmeras
aplicações em Eletrotécnica para imprimir um giro ou deslocamento a diversos mecanismos acoplados ao seu eixo,
tais como hélices, polias, engrenagens, pás, peças dentadas, bem como enrolamentos, imãs permanentes, etc.
Como exemplo, para o caso de rotores com eletroímãs, a tendência ao alinhamento de campos provém de uma
força perpendicular aos fios do eletroímã, chamada força magnética ( Fmg) ou de Lorentz, quando este conduz uma
corrente elétrica imerso em um fluxo magnético (Figura 4.7-c). A força de Lorentz surge quando uma carga elétrica q
em movimento com velocidade v atravessa um campo magnético de indução B transversal a v (Figura 4.7-c), tal que:
Fmg  q v  B (4.5)
Os motores são construídos nos mais variados modelos para diferentes aplicações (aparências na Figura 4.7-d).
Os chamados motores CA (corrente alternada) são os mais utilizados devido ao fato da distribuição de energia elétrica
ser em tensão alternada e esta poder propiciar um efeito de campo girante. Estes de motores pode ser classificados nos
tipos monofásicos (1) e trifásicos (3), bem como em em dois tipos com base em suas características construtivas:
 Motor síncrono: caracteriza-se por apresentar velocidade constante e independente do torque aplicado ao seu eixo.
São geralmente mais caros, sendo utilizados em aplicações que necessitam de velocidades estáveis sob a ação de
cargas variáveis no rotor, ou quando se requer grande potência com torque constante. São construídos em diversos
tipos, tais como imã permanente, histerese, relutância, de posição angular (motores de passo), etc.
 Motor assíncrono ou tipo indução: são motores CA que caracterizam-se por apresentar velocidade ligeiramente
variável com o torque aplicado ao seu eixo, efeito chamado escorregamento. Devido à grande simplicidade, baixo
custo, robustez e de ser possível controlar sua velocidade com o auxílio de conversores de freqüência, os motores
de indução são os de maior emprego na indústria, sendo aplicados em quase todos os tipos de acionamentos encon-
trados na prática. São subdivididos em trifásicos (MIT), dos tipos rotor em gaiola e rotor bobinado, e monofásicos
(MIM), dos tipos rotor em gaiola (tipos fase dividida, capacitor de partida e pólos sombreados) e rotor bobinado.
Os chamados motores CC (corrente contínua) compõem-se de estator constituído por um eletroímã (chamado
enrolemento de campo) ou imã permanente, e de rotor constituído por bobinas (chamadas enrolamento de armadura)
conectadas ou não a um anel condutor segmentado denominado comutador (peças de cobre montadas sobre o eixo do
rotor e supridas de tensão por escovas). Motores CC podem ser classificados como tipo imã permanente com ou sem
escova (motor CC brushless) e tipos série e shunt paralelo. Caracterizam-se por propiciar fácil variação de velociade
mas, devido a custos mais elevados e problemas com faíscamentos, têm sido substituídos pelos motores de indução.
Motores elétricos apresentam diversas vantagens comparados a outros tipos, tais como custo reduzido, bom
rendimento e grande versatilidade de adaptação aos mais diversos tipos de carga. São largamente utilizados em linhas
de produção industriais (esteiras, prensas, compressores, bobinadoras, sistemas de bombeamento, etc.), sistemas de
arrefecimento (ventiladores, evaporadores e exaustores) e aparelhos eletrodomésticos (geladeiras, máquinas de lavar,
liquidificadores, ventiladores, etc.), além de carros elétricos e equipamentos médicos, odontológicos e hospitalares.
conexões elétricas
Fmg
entreferro estator v
rotor I e-
B
motores de
Fmg passo motor de indução 1
B

M N S

ventilador
M eixo
carcaça
 Fmg
mancal I motores CC motor de indução 3

(a) (b) (c) (d)

Figura 4.7: Motores elétricos: (a) símbolos esquemáticos; (b) descrição das partes principais; (c) princípio de
funcionamento e esquema de atuação da força magnética em uma espira; (d) aparências de tipos diversos.

54
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

Os geradores elétricos, por sua vez, são máquinas rotativas baseadas no efeito da indutância mútua (similar aos
transformadores), destinadas à transformação de energia mecânica de movimento em energia elétrica. Desse modo, os
geradores operam de modo contrário aos motores, sendo que na maioria dos casos diferem destes apenas por detalhes
construtivos, além do tipo de dispositivo acoplado ao eixo do rotor, que consiste em uma máquina chamada turbina.
Turbinas para geração elétrica são equipamentos constituídos por pás que captam a energia cinética contida em
um fluido em movimento e a converte em energia mecânica de rotação. O fluído utilizado podem ser água canalizada
por tubulações em geradores hidráulicos (exemplo na Figura 4.8-a), ou ar em movimento em geradores eólicos
(exemplo na Figura 4.8-b), bem como substâncias em elevado estágio de expansão por altas temperaturas, tais como
gases (turbinas a gás) e vapor d’água (turbinas a vapor). Tipos mais comuns: Francis, Kaplan (Figura 4.8-a) e Pelton.
Os geradores elétricos recebem classificações similares aos motores, ou seja, geradores de corrente alternada
(síncronos ou de indução) ou corrente contínua, e monofásicos ou polifásicos. São construídos com as mais diversas
capacidades, desde pequenas potências, os chamados grupos geradores (Figura 4.8-c), até grandes centrais geradoras.
Em geradores de corrente aternada, o rotor consiste de um eletroímã ou ímã permanente, onde a rotação da
turbina causa um efeito de campo magnético variante no tempo para os enrolamentos do estator e, com isso, a indução
de forças eletromotrizes nestes enrolamentos que, ao serem conectados a um circuito externo, produz a circulação de
correntes elétricas. No caso de geradores do tipo corrente contínua, o estator é formado por imãs permanentes e, com
a rotação do rotor, ocorre um efeito de campo magnético variante para os enrolamentos do rotor, sendo neste induzida
uma fem que, ao ser acoplado a um circuito externo por escovas, produz então a circulação de correntes elétricas.
estator
rotor
eixo da
turbina
pás fluxo
distribuidoras de água

pás da turbina (tipo


turbina Kaplan)

(a) (b) (c)

Figura 4.8: (a) Partes de um gerador hidráulico; (b) turbina eólica; (c) grupo gerador (a diesel ou gás natural).
4.2.4) RELÉS ELETROMECÂNICOS E TRANSDUTORES
Relés eletromecânicos são dispositivos constituídos basicamente por um eletroímã separado eletricamente de
uma lâmina metálica flexível (ou lâmina metálica rígida conectada a uma mola de rearme), bem como três terminais
para contato elétrico (Figura 4.9-a). O eletroímã consiste de um núcleo ferromagnético envolto por uma bobina e a
lâmina metálica flexível contém uma peça de material ferromagnético. Uma das extremidades da lâmina é fixada a
um terminal de contato, chamado central (C), e a outra extremidade é móvel para estabelecer conexões elétricas com
dois contatos metálicos fixos, chamados normalmente fechado ou NF, e normalmente aberto ou NA (Figura 4.9-a).
O mecanismo de atuação do relé eletromecânico consiste na flexão da lâmina metálica, ocasionda pela atração
magnética entre o núcleo da bobina e a peça ferromagnética da lâmina. Com isso, caso a corrente na bobina do relé
não produza um campo magnético intenso o suficiente para atrair a peça ferromagnética da lâmina metálica flexível, o
contato móvel da lâmina permanece conectado eletricamente ao contato NF (Figura 4.9-a) e, caso a corrente na
bobina supere um certo valor mínimo tal que o campo magnético gerado seja suficiente para atrair a lâmina metálica,
a flexão desta resulta na interrupção do contato NF e o fechamento do terminal móvel com o contato NA. Logo, o relé
pode ser entendido como uma chave liga/desliga acionada magneticamente por uma corrente conduzida na bobina.
Assim, de acordo com o efeito desejado, um relé pode ser empregado de modo a obedecer duas lógicas:
 Lógica normalmente fechado: o circuito conectado entre os terminais C e NF e deve permanecer funcionando
enquanto a corrente no circuito conectado à bobina não atingir o valor limite para fazer a lâmina metálica atuar.
 Lógica normalmente aberto: o circuito conectado entre os terminais C e NA deverá ser acionado apenas quando
a corrente no circuito conectado à bobina for no mínimo o valor limite que faz a lâmina metálica atuar.
A vantagem dos relés eletromecânicos (símbolos esquemáticos na Figura 4.9-b) reside em propiciar isolação
elétrica entre dois circuitos de potências distintas: o circuito de controle, normalmente de baixa potência (pequenas
tensões e correntes) e é conectado à bobina, e o circuito controlado, conectado entre os terminais C e NA ou NF (ou
ambos), normalmente de maior potência (tensões correntes mais elevadas). Além disso, os circuitos de controle e
controlado podem ser CC ou CA, sendo que, caso a bobina seja energizada em tensão CC, um diodo é frequentemente
utilizado em paralelo com a bobina para propiciar um caminho de dissipação da energia armazenada em seu campo.
O relé eletromecânico (aparências na Figura 4.9-c) é um dispositivo com várias aplicações em comutação de
circuitos elétricos em geral, tal como acionamentos de cargas elétricas (motores, resistências, capacitores, lâmpadas,
55
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

compressores, bombas d’água, bicos injetores, etc.), além de controles em linhas de produção, sistemas de acesso (tal
como catracas), sistemas de movimentação (portas, janelas, etc.), processos fabricação, composições de trens, etc.
lâmina metálica NF pistão
contatos elétricos sinal de aúdio
flexível C pneumático
NF
C onda de
NA áudio
NA sensor
terminais NF imã
núcleos
da bobina
ferromagnéticos C bobina
diafragma móvel
NA
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 4.9: Relés: (a) detalhes construtivos, (b) símbolos esquemáticos, (c) aparências; (d) detalhes construtivos
do microfone dinâmico; (e) dispositivo sensor de posição linear magnetoestrictivo para aplicações hidráulicas.
Como mencionado no Capítulo 1, transdutores são dispositivos que transformam um tipo de energia em outro.
Neste sentido, motores e geradores constituem-se em transdutores do tipo eletromecânico, que empregam o magne-
tismo para funcionar. Outros exemplos são microfones, auto-falantes e certos sensores chamados magnetoestrictivos.
Os chamados microfones de bobina móvel, também conhecidos como dinâmicos, constituem-se basicamente de
um ímã envolto por um conjunto diafragma-bobina com liberdade de movimento (Figura 4.9-d). O imã empregado
pode ser natural ou artificial (exemplo: neodymium) e o diafragma consiste de uma membrana fina e elástica ligado à
bobina. A incidência de uma onda de áudio (som) na membrana causa vibrações na mesma, que as transmite à bobina
e esta, por estar imersa on campo magnético do ímã, passa a interpretar este campo como sendo variável no tempo,
resultando assim na indução de uma fem nos terminais da bobina proporcional às ondas sonoras (Figura 4.9-d).
Os chamados auto-falantes de bobina móvel, por sua vez, são dispositivos que apresentam construção similar
ao dos microfones dinâmicos, apresentando então um princípio de funcionamento inverso ao destes, isto é, convertem
o sinal elétrico (tensão/corrente) injetado na bobina em vibrações no diafragma, vindo este a executar um movimento
de compressão e descompressão do ar em sua volta, que se propagam pelo meio e constituem-se no som emitido.
Por fim, a chamada magnetoestricção é um efeito reversível que ocorre em certos materiais ferromagnéticos
denominados magnetoestrictivos, que apresentam suaves deformações elásticas quando são submetidos a um campo
magnético e, de modo inverso, apresentam acentuada variação na permeabilidade magnética quando são submetidos a
deformações elásticas causadas por esforços de tração ou compressão em seu corpo. Este último efeito é explorado na
construção de bobinas de indutância variável com a força aplicada ao núcleo magnetoestrictivo, para a construção de
alguns dispositivos transdutores eletromecânicos empregados em prensas automáticas, sistemas de medição e controle
de pressão (Figura 4.9-e), bem como em medidores de deformações e produção e detecção de ultra-som. Exemplos:
ferro, níquel e ligas de ferro com cromo e cobalto, que em finas pastilhas apresentam elevada magnetoestricção.

4.3) EXERCÍCIOS PROPOSTOS


Problema 1: Seja uma bobina com núcleo de ar alimentada por tensão alternada e conduzindo uma certa corrente.
Introduzindo-se um núcleo de material A observa-se que a corrente na bobina permanece a mesma e introduzindo-se
um núcleo de material B observa-se uma diminuição na corrente. A interpretação: “o material A é provavelmente do
tipo indiferente e o material B é provavelmente do tipo ferromagnético” é procedente? Explique.

NA Problema 2: O circuito ao lado trata-se de um indicador visual de temperatura


NTC L1
C através de duas lâmpadas L1 ou L2 , que utiliza um resistor tipo NTC como
V1 V2 sensor para
qualdetectar
lâmpadaultrapassagem de umacima
certoe valor
abaixolimite de temperatura.
NF L2
Explique indica temperatura deste valor limite.

Problema 3: O circuito ao lado mostra uma fonte de tensão alternada vo que alimenta 1 k
um transformador de dois taps (1 e 2) no enrolamento secundário, onde uma chave k
inicialmente na posição 1 conecta uma lâmpada L ao transformador. Pede-se: vS 2 L
a) Explique o que acontece com o brilho emitido pela lâmpada L quando a chave k é
comutada para a posição 2.
b) Elevando-se a tensão da fonte vo observa-se que, a partir de certos valores de tensão, o brilho emitido pela lâmpada
praticamente não mais se alterava. Explique uma possível causa.
c) A fonte vS é substituída por uma fonte de tensão continua e observa-se que a lâmpada não acende. Explique porque.

56
CAPÍTULO 5: INTRODUÇÃO À TEORIA DOS SEMICONDUTORES
Eletrônica é conhecida como a ciência e tecnologia do controle de cargas elétricas em um meio, tal como um
gás, vácuo ou material sólido. Sua história divide-se basicamente em dois períodos: o primeiro, conhecido como a era
dos tubos a vácuo (as chamadas válvulas eletrônicas), baseava-se no aproveitamento do chamado efeito termoiônico e
apresentava o problema de consumir muita energia para funcionar, e o segundo, conhecido como era dos transistores,
está fundamentado em componentes baseados em certos materiais sólidos chamados semicondutores. Para diferenciar
da tecnologia dos tubos a vácuo, a teoria dos semicondutores é então conhecida como Física do Estado Sólido.
O estudo dos materiais semicondutores se mostra importante em razão do seu atual emprego em larga escala na
construção de diversos tipos de componentes eletrônicos como: diodos, transistores (TBJ, FET, UJT, etc.), tiristores
(SCR, Diac, Triac, etc.), termosensores, fotosensores, circuitos integrados, etc., que são empregados na construção de
diversos dispositivos para processar sinais elétricos em sistemas de comutação, comunicação, computação e controle.

5.1) SEMICONDUTOR INTRÍNSECO


Como mencionado no Capítulo 1, os materiais semicondutores caracterizam-se por apresentar um pequeno gap
entre as bandas de valência e de condução, em torno de 1 eV. Este fato acarreta em concentrações de portadores livres
bem inferiores ao dos condutores (~10 23 cm-3), porém superior ao dos isolantes (~106 c m-3), resultando então em uma
“semicondutância”. No entanto, o montante desta semicondutância é um critério insuficiente para definir totalmente o
comportamento funcional dos materiais e ligas pertencentes a esse grupo, pois pode-se obter substâncias e misturas de
materiais que atendem a essa concentração de portadores livres, mas que não possuem comportamento semicondutor.
Além disso, a estrutura atômica também não define o comportamento semicondutor, pois os materiais estanho, silício,
germânio e carbono pertencem ao grupo IV-A mas, apesar desta semelhança, o estanho é condutor, silício e germânio
são classificados como semicondutores e o carbono na forma cristalina (diamante) é um excelente isolante elétrico.
A estrutura atômica dos semicondutores se caracteriza por um arranjo na configuração chamada rede cristalina,
ou seja, são cristais. Os exemplos de maior emprego na fabricação de componentes de uso geral são principalmente o
silício e o germânio. Contudo, devido à maior dependência com a temperatura e limitações na capacidade de tensão e
corrente do germânio, atualmente há um amplo predomínio dos dispositivos baseados no silício, razão pela qual o
breve estudo sobre o fenômeno da condução elétrica nos semicondutores visto adiante fundamentar-se neste material.
Para aplicações com finalidades mais específicas, encontram-se ainda outros tipos de materiais semicondutores,
tais como selênio, gálio, arsenieto de gálio, nitreto de gálio, sulfeto de cádmio, fosfeto de índio e óxidos metálicos.

5.1.1) FENÔMENOS DE TRANSPORTE EM SEMICONDUTORES

Os átomos de silício apresentam quatro elétrons na camada de valência (átomos tetravalentes) e, para se tornar
quimicamente estável, o arranjo cristalino do material silício é formado por átomos posicionandos entre outros quatro
átomos vizinhos por ligação covalente (compartilhamento de elétrons) para a obtenção de oito elétrons na camada de
valência. A Figura 5.1-a mostra uma representação planar simplificada da estrutura atômica do material silício.
energia contatos elétricos
ligação
+4
covalente BC
silício puro
a baixas
+4 +4 +4 BV temperaturas

2o banda Bandas
íons de totalmente
elétrons de preenchidas I=0
+4 silício
valência
1o banda
VS
(a) (b) (c)

Figura 5.1: (a) Estrutura bidimensional de um cristal de silício; (b) representação do silício por bandas
de energia a baixas temperaturas; (c) condução elétrica nula no cristal de silício a baixas temperaturas.
Como visto no Capítulo 2, materiais condutores elétricos são capazes de conduzir correntes utilizáveis quando
submetidos diferenças de potencial compatíveis, devido à grande quantidade de elétrons livres presentes no material.
Logo, para o cristal de silício, este também dependerá da existência de elétrons que possam se deslocar pelo material
de modo a se constituir corrente. No entanto, apesar do pequeno gap entre a BV e a BC, a disponibilidade de energia
57
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

térmica a baixas temperaturas é insuficiente para fazer com que elétrons de valência possam se deslocar para a banda
de condução do material e, desse modo, a banda de valência permanece totalmente preeenchida e a banda de
condução vazia (Figura 5.1-b). Assim, devido ao fato da banda de condução não apresentar elétrons livres que possam
se deslocar pelo material em resposta a uma diferença de potencial aplicado, o cristal de silício praticamemente não
conduz corrente utilizável a baixas temperaturas, comportando-se então como um material isolante (Figura 5.1-c).
Porém, em temperaturas mais elevadas (por exemplo, temperaturas normais de trabalho ou ambiente), a maior
disponibilidade de energia térmica no material poderá quebrar de ligações covalentes de modo a permitir que elétrons
da banda valência se desloquem para a banda de condução e se tornem lives, restando vacâncias na banda de valência
constituídas por ligações covalentes incompletas, denominadas lacunas ou buracos (Figura 5.2-a). Como cada elétron
que se desloca para a banda de condução cria uma lacuna na banda de valência, então o conjunto formado é chamado
par elétron-lacuna (Figura 5.2-b). Além disso, como todo elétron tende a retornar ao seu nível de energia srcinal,
ocorrem também destruição de pares devido às recombinações entre elétrons e lacunas. Assim, pode-se conseguir um
número limitado de portadores de carga livres em um semicondutor para uma determinada energia térmica presente.
Seja então uma amostra de silício submetido a uma tensão elétrica e um par elétron-lacuna criado por energia
térmica, representada na Figura 5.2-c com a letra A. Em resposta ao campo elétrico aplicado, os elétrons livres no
material podem então se deslocar em sentido contrário ao campo e constituir uma corrente na banda de condução do
material (Figura 5.2-c), se assemelhando à condução dos metais. Contudo, uma ligação química incompleta na banda
de valência do material (lacuna) possibilita com que um elétron de valência situado em órbita vizinha (representado
por B na Figura 5.2-c) se desloque para esta ligação incompleta também em resposta ao campo elétrico aplicado,
deixando em seu lugar uma ligação incompleta em B correspondente a uma lacuna. O mesmo pode acontecer ao
elétron em uma órbita vizinha em C que, ao preencher a lacuna situada em B, cria uma lacuna em C, bem como um
elétron na orbita em D se deslocar para a lacuna em C e criar uma lacuna em D e assim sucessivamente (Figura 5.2-c).
Observa-se então que as lacunas também adquirem liberdade de movimento em resposta a um campo elétrico
aplicado, se locomovendo porém em sentido contrário aos dos elétrons como se fossem cargas positivas. Assim, por
meio de um mecanismo similar, as lacunas podem também ser consideradas portadores de carga livres e de sinal
positivo. A importância do conceito de lacuna é que, apesar de constituir-se em uma abstração teórica de carga livre,
esta participa conceitualmente da condução de corrente no material, o que é comprovado pelo chamado Efeito Hall.
Conclui-se então que as bandas de valência e condução representam dois percursos pelo qual elétrons podem se
deslocar em um cristal semicondutor, com as lacunas no sentido contrário (Figuras 5.2-d). Porém, com o objetivo de
facilitar a definição e estudo dos chamados semicondutores extrínsecos, as lacunas, apesar de não se constituírem
fisicamente em carga elétrica, normalmente são consideradas, no lugar dos elétrons de valência, como um segundo
tipo de portador de carga livre para o estudo da condução de corrente nos semicondutores. Assim, pode-se conceber
que os semicondutores possuem dois dois tipos de portador de carga livre: elétrons livres e lacunas, sendo este aspecto
a principal característica elétrica que deferenciam os semicondutores dos materiais condutores e isolantes.
ligação
energia
covalente
par electron-lacuna elétrons na BV e BC
incompleta +4 elétron
(lacuna) BC livre
energia silício a T >> 0 K
+4 +4 +4 BV lacuna
BC lacunas na BV
E
2o banda I0
elétron
deslocado +4 BV
para a BC 1o banda A B C D
VS
(elétron livre)
(a) (b) (c) (d)

Figura 5.2: (a) Silício puro em elevação de temperatura, criação de pares elétron-lacuna por quebra de ligação
covalente; (b) representação por bandas de energia; (c) condução dos portadores livres; (d) correntes resultantes.
Seja n (cm–3) a concentração de elétrons livres e p (cm–3) a concentração de lacunas em material semicondutor.
Para semicondutores denominados intrínsecos, tal como os ditos puros, tem-se que, como a energia térmica produz
portadores aos pares, a concentração de elétrons livres é então igual a de lacunas a qualquer temperatura, tal que:
n  p  ni (5.1)
em que ni (portadores livres/cm3) é um parâmetro do material dependente da temperatura, chamado concentração
intrínseca, que determina o número de pares elétron-lacuna a uma determinada temperatura T do material, dado por:
EGO

ni2  Ao T 3 e KB T
(5.2)
onde Ao (cm-6 K-3) é uma constante do material independente da temperatura, EGO (eV) é a largura da banda proibida a
0 K (ou a energia necessária para desfazer a ligação covalente) e KB = 8,62 x 10-5 eV/K é a constante de Boltzmann.
58
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

Logo, semicondutores intrínsecos caracterizam-se por apresentar uma grande sensibilidade à temperatura. Na
temperatura ambiente, contudo, um cristal de silício puro praticamente não apresenta portadores livres se comparado
ao germânio, sendo esta a principal razão do silício ser superior ao germânio na fabricação de dispositivos eletrônicos,
pois componentes menos sensíveis à temperatura são necessários para o correto funcionamento de circutos em geral.
Como visto no Capítulo 2, a condutividade elétrica dos materiais, expressa pela equação (2.3), é proporcional à
concentração de elétrons livres. Para os semicondutores, como tanto elétrons livres quanto lacunas contribuem para o
processo da condução de corrente, então a expressão da condutividade  (S/m) para estes materiais deve ser ampliada
para considerar a contribuição de ambos os tipos de portadores de carga livres presentes no material, ou seja:
  ne n pe p (5.3)
onde p , chamada mobilidade das lacunas, expressa a facilidade com que estas se movimentam na bande de valência.
Como n = p = ni nos semicondutores intrínsecos, então a condutividadade neste caso pode ser redefinida por:
  e ni ( n   p ) (5.4)
Com base na equação (5.2) observa-se então que a condutividade do semincondutor intrínseco, expresso pela
equação (5.4), apresenta elevada dependência da temperatura, por ser função da concentração intrínseca ni . Logo, a
condutividade do material intrínseco aumenta com a temperatura, ou seja, semicondutores são materiais tipo NTC.
Como também visto no Capítulo 2, a densidade de corrente de condução, dada na equação (2.2), é proporcional
ao campo elétrico aplicado através da condutividade dos materiais. Logo, para os semicondutores intrínsecos, tem-se:
J   E  e ni ( n   p ) E (5.5)
A Tabela 5.1 apresenta algumas propriedades de interesse para o silício, onde observa-se que a mobilidade dos
elétrons livres (n) é maior que a de lacunas ( p). Esta diferença docorre do fato dos elétrons de valência dependerem
da existência de ligações incompletas na banda de valência (lacunas) para se deslocarem pelo cristal, enquanto que os
elétrons livres têm a disposição uma grande quantidade de níveis de energia desocupados na banda de condução.
Tabela 5.1: Algumas propriedades de interesse para o silício.
Propriedade Valor Propriedade Valor
número atômico 14 densidade de átomos do cristal (cm-3) 5 x 1022
constante Ao (cm- K- ) 5,23 x 10 constante de difusão de elétrons livres Dn a 300 K (cm /s) 34
EGO (EG a 0 K) em eV 1,21 constante de difusão de lacunas Dp a 300 K (cm /s) 13
2
EG a 300 K em eV 1,12 p a 300 K (cm /V s) 500
ni a 300 K (cm-3) 1,5 x 10 10 n a 300 K (cm2/V s) 1300

Baseado nos dados da Tabela 5.1, pode-se obter uma estimativa para o valor da resistividade do silício puro
(intrínseco) à temperatura ambiente padrão (300 K). Empregando-se a equação (5.4), tem-se então que:
n K  e i,Si,300 K (
 Si,300 n 300 K
,Si, ,Si,p 300 K) 1 ,6  19
10 1,5 1010 (1300
cm 500) 6
 S 4 ,32 10 / 
1 1
 Si, 300
K     2,3 10 5 cm 2300 m
 Si,300 K 4,32  10 6
Com base neste resultado, observa-se então que a resistividade do silício puro é bastante elevada comparada aos
metais (em torno de 10 7 m), o que decorre pelo fato da concentração de portadores livres no silício à temperatura
ambiente (ni = 1,5 x 10 10 cm3, Tabela 5.1) ser mais próxima da observada em materiais isolantes ( 106 cm3). Como
consequência, além de elevada sensibilidade com a temperatura, um semicondutor tipo intrínseco pode não apresentar
portadores livres suficientes para produzir correntes utilizáveis, o que inviabiliza seu emprego direto na construção de
componentes eletrônicos. Contudo, como será visto mais adiante, a mitigação dessas deficiências pode ser conseguida
com a alteração do equilíbrio entre as concentrações de lacunas e elétrons livres estabelecidas na forma intrínseca, por
meio de um processo artificial chamado dopagem, para a obtenção dos chamados semicondutores extrínsecos.
Materiais semicondutores com elevada sensibilidade a incidência de energia em sua sua forma pura podem, no
entanto, serem aproveitados para a obtenção de alguns tipos de dispositivos sensores, vistos a seguir.

5.1.2) COMPONENTES SEMICONDUTORES PUROS


Diversas aplicações em Eletrotécnica requerem um controle sobre alguma variável física interna ou externa ao
processo, empregando-se para isso dispositivos sensores para o monitoramento da variável e conversão da mesma em
uma grandeza elétrica para avaliação e ação. Logo, dispositivos sensores são construídos com base em materiais nos
quais alguma de suas propriedades elétricas sofre grande alteração quando submetida a um estímulo externo.
Como visto anteriormente, a condutividade elétrica dos semicondutores intrínsecos, notadamente os puros,
caracterizam-se por uma elevada dependência da temperatura devido à fácil criação de pares elétron-lacuna com o
fornecimento de energia térmica ao material. Logo, os semicondutores puros podem ser empregados na construção de
componentes sensores resistivos variáveis com a temperatura, denominados genericamente de termistores.
59
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

Termistores (símbolo esquemático na Figura 5.3-a) são então resistores e resistências sensíveis à ação da tem-
peratura, que encontram largo emprego no monitoramento e controle de temperaturas em equipamentos e ambientes.
No caso dos termistores semicondutores (aparência na Figura 5.3-b), estes se comportam como resistências tipo NTC
devido à variação inversa da resistividade com a temperatura. Esta alteração caracteriza-se por uma diminuição da
resistência da ordem de 3% por oC, o que proporciona uma maior sensibilidade comparada aos termistores metálicos,
porém, com temperaturas de trabalho menores que estes. Materiais: óxidos de níquel, cobre, manganês e zinco.
Uma aplicação prática dos termistores semicondutores é em relés de proteção de motores, onde o aquecimento
destes por efeito Joule tem correlação com a corrente nos enrolamentos. Desse modo, em caso de sobrecorrente no
motor, o sobreaquecimento resultante permite ao termistor interpretar esta condição adversa a um relé para que este
comande o desligamento do motor. Outras aplicações consistem na medição e controle automático de temperatura em
fornos, estufas e na estabilização do ponto de operação de circuitos submetidos a grandes variações de temperatura.

Resposta relativa (%)


75
50
T 25 C
0
4000 8000 12400  (Å)
(a) (b) (c) (d) (e)
Figura 5.3: Termistores: (a) símbolo esquemático, (b) aparência; fotorresistores: (c) símbolo
esquemático; (d) aparência de um LDR comercial; (e) exemplo de resposta espectral (silício).
A chamada fotorresistividade consiste em uma outra forma de obtenção da variação da condutividade elétrica
dos materiais, baseada no fornecimento de energia por incidência de radiação eletromagnética ao material. Devido ao
pequeno gap de energia, alguns semicondutores puros podem então ser aproveitados como sensores de luz resistivos,
chamados fotorresistores ou fotocondutores, que fazem uso da energia luminosa incidente para a quebra de ligações
covalentes e geração de pares elétron-lacuna em excesso a aqueles gerados pela energia térmica do material, variando
então sua resistividade invsersamente à intensidade da luz incidente, similar ao efeito da temperatura nos termistores.
Fotorresistores (símbolo esquemático na Figura 5.3-c, onde as setas indicam o sentido da radiação) são então
componentes semicondutores tipo transdutores que convertem energia luminosa na forma elétrica, ao ter modulada
sua resistividade pela radiação incidente. O chamado LDR (“light dependent resistor”) é um exemplo de fotorresistor
semicondutor comercial (aparência na Figura 5.3-d), também chamado célula fotocondutiva, que encontra emprego
em dispositivos de detecção de intensidade luminosa para atuação em circuitos de controle, automação e comutação.
O fotorresistor de maior aplicação consiste em uma célula de sulfeto de cádmio dopada com um pouco de prata,
antimônio ou índio. As vantagens destes dispositivos residem na elevada capacidade de dissipação (300 mW) e ótima
sensibilidade ao espectro visível (em escuridão, acima dos 1 M e, com luz forte, inferior a 1 k), podendo operar
diretamente um relé e controlar, por exemplo, um circuito de maior potência. Outros materiais: sulfeto de chumbo,
que apresenta um máximo de sensibilidade em 29000 Å, sendo então empregado para detecção de infravermelho
(vide Tabela 1.7), e selênio, que é bastante sensível à faixa do espectro visível, particularmente perto do azul.
Como visto no Capítulo 1, o comprimento de onda  e a energia Ef de um fóton são inversamente proporcionais
( = 12400/Ef ). Como a energia EG do gap é a mínima necessária para a excitação de um elétron da banda de valência
para a de condução, então um comprimento de onda máximo C = 12400/EG , chamado valor de corte, é necessário
para a criação de elétrons livres por fotoexcitação, ou seja, um fotorresistor é um dispositivo seletivo de freqüência.
Como exemplo, a Figura 5.3-e apresenta um esquema grafico da resposta espectral do silício, onde a região grifada
corresponde à faixa de luz visível. Neste caso, como EG  1 eV para o silício, seu valor de corte C  12400 Å se situa
na
umfaixa
valordo infravermelho.
máximo Com base
de sensibilidade no gráficoque
e conclui-se da Figura 5.3-e
respostas observa-se
espectrais tambémdoque
dependem tipoa resposta do silício
da radiação apresenta
incidente.

5.2) SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO


Quando em um cristal semicondutor intrínseco são introduzidas impurezas tal que isto resulte no predomínio de
um tipo de portador de carga livre, este passa a ser denominado semicondutor extrínseco. Este expediente, chamado
dopagem, baseia-se em um processo tecnológico sofisticado, que consiste na introdução de átomos de certos materiais
com teor controlado para produzir um perfeito espalhamento destes átomos no semicondutor, de modo a aumentar sua
condutividade elétrica e diminuir sua dependência com a temperatura em relação à forma intrínseca.
Os níveis usuais de dopagem são da ordem de 1 átomo de impureza para cada 10 9 a 107 átomos de silício, o que
garante a permanência da maioria de suas propriedades e apenas as características elétricas mudam acentuadamente.
60
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

5.2.1) DOPAGEM E CLASSIFICAÇÃO


Como visto, os portadores livres nos semicondutores intrínsecos são criados aos pares sob influência apenas da
energia térmica, tal que: n = p. O processo de dopagem tem então o objetivo de introduzir artificialmente átomos de
impurezas de modo a provocar um desequilíbrio entre as concentrações destes portadores, tal que: n  p. Assim, de
acordo com o tipo de impureza introduzida, obtém-se duas classificações para os semicondutores extrínsecos:
 TIPO P: estes materiais são resultantes da introdução de átomos de elementos químicos trivalentes, denominados
impurezas tipo P. Este artifício possibilita estabelecer o predomínio de lacunas no semicondutor devido ao fato do
átomo de impureza trivalente formar três ligações covalentes com três átomos de silício vizinhos, restando uma
ligação covalente incompleta do átomo de impureza (Figura 5.4-a), que constitui-se então em uma lacuna. Como
estas ligações incompletas podem receber elétrons da banda de condução, estas impurezas são também chamadas
aceitadoras. Materiais normalmente empregados como impurezas aceitadoras: alumínio, boro e gálio.
Além disso, o aumento na concentração de lacunas acarreta também em uma maior taxa de recombinação, o
que faz adecrescer
passam a quantidade
ser chamadas de elétrons
de portadores livres existentes
majoritários, no livres
e os elétrons semicondutor. Assim,
de portadores as lacunas no cristal tipo P
minoritários.
A Figura 5.4-b exemplifica o esquema de bandas de energia de um cristal tipo P, onde observa-se um elevado
número de lacunas na banda de valência, produzido principalmente pela dopagem, bem como uma quantidade
comparativamente pequena de elétrons livres na banda de condução, produzida apenas por energia térmica.
 TIPO N: estes materiais resultam da introdução de átomos de elementos químicos pentavalentes, denominados
impurezas tipo N. Neste caso, o predomínio de elétrons livres no semicondutor é estabelecido devido ao fato de
um átomo de impureza pentavalente formar quatro ligações covalentes com quatro átomos de silício vizinhos para
se tornar estável, obrigando o quinto elétron do átomo de impureza a ocupar a banda de condução (Figura 5.4-c),
resultando então no aumento artificial do número de elétrons presentes na banda de condução do cristal. Logo,
como estes átomos pentavalentes proporcionam elétrons extras ao material, os mesmos são também denominados
impurezas doadoras. Materiais normalmente empregados como impurezas doadoras: arsênio, antimônio e fósforo.
Similarmente, o aumento na concentração de elétrons livres por dopagem acarreta também em uma maior taxa
de recombinação, o que faz decrescer a quantidade de lacunas existentes no semicondutor. Desse modo, os elétrons
livres no cristal tipo N passam a ser chamados de portadores majoritários e as lacunas de portadores minoritários.
A Figura 5.4-d exemplifica o esquema de bandas de energia de um cristal tipo N, onde observa-se um elevado
número de elétrons livres na banda de condução, produzido principalmente pela dopagem, bem como um número
comparativamente pequeno de lacunas na banda de valência, produzido apenas pela energia térmica fornecida.
ligação covalente
+4 elétron
incompleta +4 livre
(lacuna) energia energia

+4 +3 +4 BC +4 +5 +4 BC

íon de íon de
+4 impureza BV +4 impureza BV
aceitadora doadora

(a) (b) (c) (d)


Figura 5.4: Criação de portadores livres por dopagem em um cristal de silício: (a) tipo P; (b) representação por
bandas do predomínio de lacunas no semicondugor tipo P; (c) tipo N; (d) predomínio de elétrons livres no tipo N.

5.2.2) CONDUTIVIDADE E DENSIDADE DE CORRENTE DE CONDUÇÃO


Como visto anteriormente, os semicondutores intrínsecos caracterizam-se por apresentar iguais concentrações
de portadores livres (elétrons e lacunas), tal que: n = p = ni . Logo, pode-se inferir que o produto destas concentrações
resulta no quadrado da concentração intrínseca ni , o que define a chamada lei da ação de massas, dada por:
n p  ni2
 (5.6)
No caso dos semicondutores extrínsecos, o aumento da dopagem resulta, como visto, no aumento da taxa de
recombinação devido ao aumento da concentração de majoritários, o que acarreta no decréscimo da concentração de
minoritários. Porém, em condições de equilíbrio térmico (criação de pares elétron-lacuna constante), observa-se que a
diminuição de minoritários é proporcional ao aumento de majoritários, tal que o produto das concentrações se mantém
constante. Assim, verifica-se que os semicondutores extrínsecos também obedecem a lei da ação de massas.
Além disso, supondo que o processo de dopagem resulte na concentração ND (átomos/cm3) de átomos doadores
ou concentração NA (átomos/cm3) de átomos aceitadores, tem-se que, como um átomo doador se torna um íon positivo
61
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

ao ceder elétron e um átomo aceitador se torna um íon negativo ao receber elétron, então estas impurezas produzem
uma concentração ND de íons positivos e NA de íons negativos no material. Porém, como a dopagem não resulta em
eletrização do material, a soma das cargas positivas (lacunas e íons +) deve ser igual à das cargas negativas (elétrons
livres e íons –), tal que o semicondutor extrínseco deve obedecer a chamada lei da neutralidade de carga, dada por:
p  ND  n  N A (5.7)
A análise da lei de ação de massas e da lei da neutralidade de carga permite definir a propriedade condutividade
elétrica para o caso dos semicondutores extrínsecos com base nas características de cada material, de modo que:
 TIPO P: como visto, sabe-se que o cristal tipo P não apresenta impurezas doadoras ( ND = 0) e que a concentração
de lacunas é muito superior à de elétrons livres, ou seja, p >> n. Logo, a equação (5.7) pode ser reduzida a:
pP  N A (5.8)
onde o índice P é adicionado para descrever o material tipo P. Tem-se então que a concentração pP de portadores
majoritários no material tipo P (lacunas) se resume à concentração NA de átomos aceitadores dada pela dopagem.
Assim, como pP >> nP , tem-se que na definição da condutividade e da densidade de corrente do material tipo P
podem ser considerados apenas a contribuição dos portadores majoritários (lacunas) à corrente, o que resulta:
 P  pP e  p  N A e  p (5.9)
J p  ( pP e) p ( E  ) N A e  p E (5.10)
onde P é a condutividade elétrica para o material tipo P e Jp é a densidade de corrente de condução de lacunas.
Pela lei da ação de massas, tem-se que a concentração nP de minoritários no material P (elétrons livres) resulta:
ni2 ni2
nPp n P 
i n
2
  P (5.11)
pP NA
 TIPO N: analogamente, como o cristal tipo N não apresenta impurezas aceitadoras ( NA = 0) e a concentração de
elétrons livres é muito superior à de lacunas, ou seja, n >> p, tem-se que a equação (5.7) pode ser reduzida a:
nN  N D (5.12)
onde o índice N é adicionado para descrever o material tipo N. Tem-se então que a concentração nN de majoritários
no material tipo N (elétrons livres) se resume à concentração ND de átomos doadores dada pela dopagem.
Similarmente para o cristal tipo N, como nN >> pN então as equações da condutividade e densidade de corrente
podem agora considerar apenas a contribuição dos portadores majoritários (elétrons livres) à corrente, tal que:
 N  nNe n N e D n (5.13)
J n N ( nn e)  (DE n  ) N e  E (5.14)
onde N é a condutividade para o material tipo N e Jn é a densidade de corrente de condução de elétrons livres.
Similarmente, pela lei da ação de massas, a concentração pN (lacunas) de minoritários no material N é dada por:
ni2 ni2
n Np n N 
i p
2
  N (5.15)
nN ND
Com base nas definições de condutividade vistas para o caso extrínseco, pode-se avaliar o impacto da dopagem
na mitigação dos problemas apresentados pelo caso intrínseco, notadamente as elevadas resistividade e dependência
da temperatura. Logo, como a condutividade é função da concentração e mobilidade dos portadores livres, o estudo da
variação destes parâmetros com a temperatura permite a comparação entre os materiais intrínseco e extrínseco:
 Caso intrínseco: o aumento de temperatura em um material qualquer provoca um maior grau de agitação térmica
da estrutura atômica do material, o que acarreta em perda de mobilidade dos portadores livres presentes devido ao
maior número de colisões. Para o caso dos semicondutores intrínsecos, no entanto, a facilidade na criação de pares
elétron-lacuna por energia térmica, compensa em excesso a diminuição das mobilidades destes portadores livres, o
que acarreta então na elevada dependência da condutividade dos materiais intrínsecos em relação à temperatura.
 Caso extrínseco: devido à lei da ação de massas, a criação de pares elétron-lacuna por energia térmica exerce uma
elevação na concentração de majoritários e minoritários no material extrínseco. No entanto, sendo a concentração
de minoritários muito inferior a de majoritários, observa-se que esta criação de cargas livres adicionais acarreta em
aumentos mais perceptíveis no número de minoritários. Assim, como a condutividade dos materiais extrínsecos se
resume à contribuição dos majoritários e estes dependem basicamente da dopagem, tem-se que a criação de pares
elétron-lacuna por energia térmica exerce menor compensação para a perda de mobilidade dos portadores livres e
conclui-se então que a influência da temperatura na condutividade destes materiais é atenuada pela dopagem.
Para o estudo da resistividade do material extrínseco, o exercício a seguir exemplifica a eficácia da dopagem no
aumento da condutividade elétrica de um semicondutor tipo extrínseco em comparação ao material intrínseco.
Comentário: um aspecto importante do processo de dopagem consiste no fato de, por exemplo, se em um material
tipo P for acrescentada impurezas doadores superior à concentração de impurezas aceitadoras, este passa do tipo P
para tipo N, e vice-versa, devido ao anulamento mútuo por recombinação. Assim, sobre uma amostra de determinado
tipo pode-se criar uma região do outro tipo, sobre esta região criar novamente o tipo anterior e assim sucessivamente.
Este efeito é explorado na prática para a construção dos diversos dispositivos eletrônicos discretos e integrados.

62
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

Exercício 1: Seja uma amostra de silício tipo N, cuja dopagem uniforme consiste de 1 átomo de impureza doadora
para cada 108 átomos de silício. Determine a resistividade do silício a 300 K e compare com o caso intrínseco.
Solução
 Como a concentração de átomos do silício é de 5 x 1022 átomos/cm3 (Tabela 5.1) e a dopagem consiste de 1 átomo
de impureza para cada 108 átomos de silício, então cada cm3 do material conterá 5 x 1014 átomos de impureza.
Logo, ND = 5 x 1014 átomos/cm3, ou seja, da equação (5.12) tem-se: nN  ND = 5 x 1014 elétrons livres/cm3.
1 1 1
 Assim, de (5.13): ρN ,300 K    
 9,62 cm 9,6 2 × 10 -2 Ω m
 N ,300 K N D e 300
,n K 5 10 14 1, 6 1 0 19 1300
ni2 (1,5  1010) 2
 Além disso, de (5.15), onde ni = 1,5 x 1010 cm-3 a 300 K (Tabela 5.1): pN    4,5  10 5 cm 3
ND 5  1014
 Comparando-se a resistividade desta amostra tipo N (9,62 x 10-2 m) com a do caso intrínseco (2300 m), tem-se:
 Si ,300 K , amosta intrínseca 2300
 Si ,300 K , amosta extrínseca  9,62  10 2  24000
 Este resultado ilustra então uma sensível redução na resistividade do material, por um fator de 24000, obtida com a
introdução de apenas 1 átomo de impureza para cada 10 8 átomos de silício, o que resultou no aumento da concen-
tração de elétrons livres, de n = ni = 1,5 x 1010 cm-3 do caso intrínseco, para nN = 5 x 1014 cm-3 do caso extrínseco.

5.2.3) EFEITO HALL

Denomina-se efeito Hall o fenômeno da indução de campo elétrico em um meio material conduzindo corrente e
imerso em um campo magnético transversal a esta corrente. Este efeito é aproveitado em métodos experimentais para
a caracterização de materiais, bem como em diversos dispositivos sensores, e confirma o comportamento das lacunas
como portador de carga livre positiva. O mecanismo de funcionamento do efeito Hall é discutido a seguir.
Como mencionado no Capítulo 4, uma carga elétrica q com velocidade v e imersa em um campo de indução
magnética B transversal a v, fica submetida a uma força magnética Fmg perpendicular ao plano v-B, de modo que:
Fmg  q v  B
Para uma corrente I de sentido convencional circulando no sentido positivo do eixo x de um sistema cartesiano,
econstituintes
imersa em um campo magnético de vetor indução B no sentido positivo do eixo y, observa-se que as cargas elétricas
da corrente são submetidas a uma força magnética Fmg perpendicular ao plano I-B no sentido positivo do
eixo z (Figura 5.5-a), independemente do sinal de carga (q = e+ ou q = e) que constitui a corrente (Figura 5.5-a).
Logo, se definidos os sentidos de I e B no meio material, o sentido da força magnética Fmg também estará definido.
Fmg  e v  B 
F
mg e ( v)  B face 1 face 1
z z face 1
z d EH I B VH d I
EH B VH
Fmg Fmg
B face 2 face 2
v d
e+ e– I w
y y face 2 w
B B
I, v I y condutor e semicondutor tipo P
x x x w semicondutor tipo N
(a) (b) (c) (d)

Figura 5.5: (a) Força magnética e independência com o sinal de carga; (b) amostra de material condutor para teste
do efeito Hall; campo elétrico e tensão de Hall no caso de material: (c) condutor e cristal tipo N, (d) cristal tipo P.
Seja então uma amostra de material condutor percorrida por uma corrente elétrica I de sentido convencional no
eixo x e imersa em um campo magnético de indução B no sentido do eixo y, tal que os portadores de carga livres da
corrente fiquem sujeitos a uma força magnética no sentido do eixo z (Figura 5.5-b). Como a amostra é de material
condutor (por exemplo, metais), tem-se então que a corrente elétrica no material será constituída de elétrons livres,
que desse modo sofrem um deslocamento para a face 1 da amostra devido à força magnética aplicada, o que acarreta
em uma falta de elétrons na face 2 (Figura 5.5-c). Observa-se então que a face 1 resulta negativamente eletrizada e a
face 2 positivamente eletrizada, o que faz surgir um campo elétrico EH entre as cargas opostas e, como conseqüência,
uma diferença de potencial VH entre as faces da amostra (Figura 5.5-c). Este fenômeno é conhecido como efeito Hall,
sendo o campo induzido EH denominado campo de Hall e a ddp VH denominada tensão ou fem de Hall.
O efeito Hall pode ser também observado em semicondutores. Neste caso, para uma amostra de semicondutor
extrínseco qualquer (tipo P ou N) e definidos os mesmos sentidos de corrente e de indução magnética, tem-se que:
 Amostra tipo N: como a corrente será constituída majoritariamente por elétrons livres, a indução de uma tensão
de Hall apresenta igual polaridade ao caso dos condutores, com o potencial positivo na face 2 (Figura 5.5-c).
63
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

 Amostra tipo P: sendo a corrente no material formada majoritamente por lacunas, nota-se o surgimento de uma
tensão de Hall com potencial positivo na face 1 da amostra (Figura 5.5-d). Esta fato evidencia então que a força
magnética sujeita as lacunas a um deslocamento para a face 1 da amostra, que se torna positivamente carregada, e
acarreta em um excesso elétrons na face 2, que fica negativamente carregada, resultando na fem de Hall observada.
Assim, pode-se observar que o efeito Hall demonstra o comportamento das lacunas como portador de carga
livre positiva e pode ser empregado para determinar o tipo de semicondutor extrínseco, isto é, se o potencial positivo
da tensão de Hall for observado na face 1, então trata-se de uma amostra tipo P e, se na face 2, de uma amostra tipo N.
No efeito Hall, a indução de um campo elétrico tem como finalidade restabelecer o estado de equilíbrio alterado
pela ação das linhas de indução magnética sobre as cargas livres constituintes da corrente e, desse modo, uma força
elétrica Fel deve surgir nestes portadores para equilibrar a força magnética Fmag a eles aplicados, tal que:
Fel = Fmag  eE = evB  v = E/B (1)
onde o módulo do campo elétrico de Hall na amostra pode ser determinado por (Figura 5.5-c): E = VH /d (2)
Seja a densidade de corrente na amostra, dada por: J = I/A, onde A = w d (Figura 5.5-c). Empregando-se os
resultados
tem-se que(1) e (2), de
a tensão e com
Hall base na definição
em uma amostra dedamaterial
densidade de corrente
qualquer dada ser
pode então peladeterminada
equação (2.1), vista no Capítulo
matematicamente por:2,
I E I n e VH BI
J   n e v 
ne    VH (5.16)
wd B wd Bd wen
onde observa-se que a tensão de Hall é proporcional às instensidades de corrente e do campo magnético aplicado e
inversamente proporcional à espessura w da amostra de material por onde o campo magnético é incidido.
Medindo-se os parâmetros w, I, B e VH de uma amostra de material pode-se então empregar o efeito Hall para
determinar a concentração de elétrons livres (n) do material com base na equação (5.16),
bem como determinar a mobilidade n dos elétrons livres com a relação: n =  / (n e),
onde  = /(R A) e R é a resistência da amostra de comprimento e área A.
O efeito Hall normalmente é pouco mensurável na maioria dos materiais devido à
baixíssima velocidade de deriva dos elétrons, sendo melhor observável em cristais semi-
condutores que apresentam elétrons de elevada mobilidade (Si, InAs e InSb), nos quais
obtem-se tensões de Hall até 100 mV e resposta a correntes de freqüências até 20 kHz.
Sensores de efeito Hall encontram diversas aplicações, tais como em ponteiras de
corrente (aparências na Figura 5.6), medidores de rotação (rodas, engrenagens, indicador
de velocidade para automóveis, etc.), sistemas de ignição eletrônica, sensores de pressão Figura 5.6: Ponteiras de
e de fluxo, interruptores especiais, smartphones, sistemas de posicionamento global, etc. corrente de efeito Hall.

5.3) JUNÇÃO PN
Como visto, os cristais P e N apresentam maior condutividade e menor dependência com a temperatura compa-
rado à forma intrínseca. Contudo, estes materiais têm pouca finalidade prática individualmente (por exemplo, constru-
ção de resistores em CI's), mas podem ser combinados no chamado cristal PN para formar a chamada junção PN, cujo
comportamento desempenha o efeito mais simples de controle de carga, que é o de chave liga-desliga. A junção PN
constitui-se então no bloco construtivo básico que fundamenta a operação dos diversos dispositivos eletrônicos.
Para o estudo da junção PN, serão vistos a definição de densidade de corrente total em materiais extrínsecos,
bem como os conceitos de camada de depleção, barreira de potencial e modos de polarização do cristal PN.

5.3.1) CORRENTE DE DIFUSÃO E DENSIDADE DE CORRENTE TOTAL


A dopagem, sendo um processo artificial de introdução de portadores de carga livres, possibilita a produção de
semicondutores extrínsecos com concentração de carga não uniforme pelo meio material. Como consequência dessa
diferença de concentração de portadores livres, em um material extrínseco pode ocorrer a tendência ao deslocamento
de carga no sentido da região de maior para a de menor concentração, o que constitui-se em um tipo de fluxo elétrico
denominado corrente de difusão (o efeito Thomson, visto no Capítulo 2, representa um outro exemplo deste tipo de
corrente). Logo, adicionalmente às densidades de corrente do tipo condução descritas anteriormente, motivadas por
um gradiente de potencial aplicado (campo elétrico), em semicondutores extrínsecos podem ser também estabelecidas
densidades de corrente do tipo difusão, motivadas por um gradiente de concentração de portadores livres. Assim, a
densidade de corrente total nestes materiais apresenta a contribuição de duas componentes: condução e difusão.
Para a definição da densidade de corrente de difusão de portadores livres em semicondutores extrínsecos, seja
como exemplo uma amostra de material tipo P com concentração p(x) de lacunas que se reduz ao longo do sentido
positivo de um eixo x atribuído à amostra (Figura 5.7-a), de modo a resultar em um gradiente de concentração dp/dx
de lacunas no sentido oposto ao eixo x (gradiente é um vetor que define o sentido de maior crescimento de um campo
escalar). Como resultado, na amostra de material P é estabelecida então que a tendência à circulação de uma corrente
do tipo difusão no sentido do eixo x, ou seja, das regiões de maior para as de menor concentração (Figura 5.7-a).
64
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

Como o gradiente é a quantificação dos níveis de dopagem, então a densidade de corrente de difusão de lacunas
será proporcional ao gradiente da concentração estabelecido na amostra. Além disso, como o deslocamento de carga
depende da agitação térmica do material, tem-se que uma corrente de difusão será também função de um parâmetro
dependente da temperatura que caracteriza a facilidade dos portadores livres se moverem pelo meio material, neste
caso descrito por uma propriedade do material semicondutor denominada constante de difusão de lacunas.
Assim, a densidade de corrente de difusão de lacunas JDp (A/cm2) é definida matematicamente por:
dp
J Dp   Dp e
dx
onde e é a carga elementar e Dp (cm2/s) é a constante de difusão de lacunas do semicondutor. O sinal negativo decorre
do fato do gradiente de concentração de lacunas (dp/dx) ter sentido contrário ao da corrente de difusão.
Analogamente, para uma amostra de material semicondutor tipo N com dopagem não uniforme (Figura 5.7-b),
tem-se que a densidade de corrente de difusão de elétrons livres JDn (A/cm2) é definida matematicamente por:
dn
J Dn  Dn e
dx
onde dn/dx e Dp (cm2/s) são, respectivamente, o gradiente e a constante de difusão de lacunas no semicondutor, sendo
o sinal positivo devido ao fato do gradiente de concentração e o sinal da carga livre (elétron) serem ambos negativos.
corrente de difusão de lcunas corrente de difusão de elétrons livres

elétron
lacuna livre
dp/dx dn/dx

0 x 0 x
(a) (b)

Figura 5.7: Amostras extrinsecas com dopagem não uniforme: (a) tipo P; (b) Tipo N.
Assim, em termos gerais, a densidade de corrente total de lacunas em um semicondutor extrínseco é formada
pela soma de duas parcelas distintas, referentes às correntes de condução e difusão de lacunas, o que resulta:
dp
J p  ( p e  p ) E  Dp e (5.17)
dx
Analogamente, a densidade de corrente total de elétrons livres em um semicondutor extrínseco é formada pela
soma das parcelas referentes às correntes de condução e difusão de elétrons livres, o que resulta:
dn
J n  (n e n ) E  Dn e (5.18)
dx
Como correntes de condução e difusão são dependentes da temperatura, tem-se a que as constantes de difusão
(Dp e Dn) e as mobilidades (p e n) não são independentes, estando associadas pela chamada Relação de Einstein:
Dp Dn
  VT (5.19)
p n
em que VT = T/11600 (V) é uma medida da energia térmica em um material, denominado potencial termodinâmico ou
equivalente volt de temperatura, onde T é a temperatura absoluta do material, dada em Kelvins.

5.3.2) JUNÇÃO PN, CAMADA DE DEPLEÇÃO E BARREIRA DE POTENCIAL

O cristal PN é um bloco semicondutor formado por dois setores de material extrínseco com dopagem uniforme,
um primeiro de material tipo P chamado substrato ou região P, e um segundo de material N denominado substrato ou
região N, tal que observa-se uma variação abrupta na concentração de lacunas da região P, onde são majoritários, para
a região N (minoritários), tal que pP >> pN , assim como na concentração de elétrons livres da região N (majoritários)
para a região P (minoritários), tal que nN >> nP (Figura 5.7-a). A fronteira entre os dois substratos é então denominada
junção abrupta ou junção PN (Figura 5.8-a) e observa-se que, apesar da dopagem em cada substrato ser uniforme, o
cristal PN constitui-se em um caso especial de material semicondutor extrínseco com dopagem não uniforme.
Seja então uma representação hipotética do instante de formação de um cristal PN dada na Figura 5.8-b, que
mostra os portadores majoritários e os íons de dopagem em cada região. Assim, devido às diferenças de concentração
de portadores livres entre os substratos, ocorre inicialmente um processo de difusão de majoritários das regiões de
maior para as de menor concentração, ou seja, elétrons livres do lado N migram para o lado P, assim como lacunas do
lado P migram para o lado N, o que constitui-se em uma corrente de difusão de majoritários de P para N no sentido
convencional (Figura 5.8-b). Contudo, ao sair da região N, um elétron deixa o íon positivo a que está associado e, ao
65
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

entrar na região P, se torna minoritário e pode se recombinar com uma lacuna próxima da junção e fazer restar apenas
o íon negativo associado, assim como uma lacuna, ao migrar do lado P para o lado N, deixa o íon negativo a que está
associado e se recombina com um elétron no lado N, fazendo restar o íon positivo associado. Como consequência
destas migrações e recombinações, a região próxima da junção se torna gradualmente desprovida de portadores livres,
restando apenas camadas de íons fixos, sendo então chamada de camada ou região de depleção (Figura 5.8-c).
Como as camadas de íons na região de depleção são de sinais contrários, tem-se então o estabelecimento de um
campo elétrico Eo entre os íons no sentido do lado N para o lado P (Figura 5.8-c). Porém, devido ao sentido do campo
elétrico formado, observa-se também que o mesmo é retardador para os majoritários em cada substrato e, desse modo,
tende a se opor à difusão destes portadores através da junção. Assim, a medida que a largura da região de depleção
aumenta, o campo elétrico Eo vai se tornando intenso o suficiente para cessar o processo de difusão de majoritários e a
largura da camada de depleção se estabiliza. O campo Eo resulta em uma ddp Vo (Figura 5.8-c), chamada potencial de
contato, que constitui-se então em uma barreira de potencial contra a difusão dos majoritários através da junção PN.
substrato substrato lacuna P N elétron região ou camada de depleção

ou região P ou região N livre


lacunas (pP) elétrons livres
Eo
(n N )
elétrons livres
(nP) lacunas (pN)
íons corrente de difusão íons
de majoritários Vo
jun ção abr upta ou jun ção PN aceitadores doadores
(a) (b) (c)
Figura 5.8: Cristal PN: (a) regiões, níveis de concentração de portadores livres e junção PN; (b) representação do
instante de formação, íons de impureza e portadores majoritários; (c) camada de depleção e barreira de potencial.
O anulamento das correntes de difusão de majoritários no cristal PN pode ser também entendido com base no
efeito da campo Eo da barreira de potencial nos portadores minoritários em cada substrato. Seja então a representação
do cristal PN dada na Figura 5.9-a, que mostra os portadores minoritários em cada substrato (elétrons livres no lado P
e lacunas no lado N) e o campo elétrico Eo da barreira estabelecida na camada de depleção. Com base na Figura 5.9-a
observa-se então
elétrons livres no lado campo E
que oP tendem o da barreira é acelerante para os minoritários em cada substrato e, desse modo,
a atravessar a junção para o lado N devido ao campo da barreira, assim como lacunas
da região N tendem a atravessar para a região P, o que constituem-se em correntes do tipo condução, visto serem
consequências de um campo elétrico (neste caso, o da barreira). Esta tendência a um fluxo de minoritários através da
junção é entendida então como uma corrente de condução de minoritários de N para P no sentido convencional, que
desse modo tem sentido contrário ao da corrente de difusão de majoritários (Figura 5.9-b). Como o cristal PN está
isolado (sem aplicação de tensão), conclui-se que a corrente resultante no cristal deve ser nula e, portanto, entende-se
que a corrente de difusão de majoritários é anulada pela corrente de condução de minoritários no cristal PN isolado.
Assim, conclui-se que o cristal PN apresenta uma barreira de potencial confinada em sua camada de depleção,
que produz um efeito retardador para os majoritários, mas acelerante para os minoritários em cada substratro, tal que
uma condição de equilíbrio de corrente é estabelecida no cristal isolado, onde uma corrente de difusão de majoritários
do lado P para o lado N é anulada por igual corrente de condução minoritários do lado N para o lado P (Figura 5.9-b).
P N P N P N
corrente de Eo corrente de Eo
(NA) (ND)
Eo majoritários minoritários
dV/dx
(tipo difusão) (tipo condução)
x1 x2 x
V 2 – V1 = V o
V1 V2
corrente de condução de minoritários Vo n1  ni2 /NA n2  ND
(a) (b) (c)
Figura 5.9: Efeitos da barreira: (a) condução de minoritários; (b) equilíbrio de correntes; (c) esquema da barreira.
Relacionando-se a condição de equilíbrio de correntes no cristal PN isolado com as parcelas das densidades de
corrente totais definidas pelas equações (5.17) e (5.18), observa-se então que a primeira parcela refere-se à corrente de
condução de minoritários, cuja variável de campo elétrico E consiste no campo da barreira de potencial ( E = Eo), e a
segunda parcela refere-se à corrente de difusão de majoritários, cujo gradiente de concentração refere-se à variação de
portadores livres entre as regiões P e N. Assim, estudando-se o anulamento das densidades de corrente totais, pode-se
obter uma medida do potencial de contato Vo da barreira de potencial estabelecido no cristal PN isolado.
66
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

Seja então o cristal PN isolado com concentrações uniformes de NA átomos aceitadores na região P e ND átomos
doadores na região N visto na Figura 5.9-c, onde o campo elétrico Eo da barreira pode ser definido como a variação de
um potencial elétrico V na camada de depleção ao longo da dimensão x do cristal, tal que: Eo = – dV/dx. Estudando-se
o anulamento das correntes no cristal PN definindo-se, por exemplo, que a densidade de corrente total de elétrons
livres é nula no cristal, isto é, fazendo Jn = 0 na equação (5.18), e empregando-se a relação de Einstein, tem-se que:
dn dV 1 Dn
dn 1
n n J n  (n e  ) Eo D e   0 
 Eo T  dV V dn
dx dx n dx n n
Como a concentração de portadores livres (majoritários e minoritários) é uniforme em cada substrato, pode-se
então integrar este resultado desde um ponto qualquer x1 no substrato P, de potencial V1 e concentração n1 , até um
ponto qualquer x2 no substrato N, de potencial V2 e concentração n2 (Figura 5.9-c), tal que resulta:
dn V2 n2 1  n2 
dV 
V T
n
 
dV V
V1 T n1 n 
dn   V V V V n2 1 o T  
 n1 

n1 = nPComo n1 é. Como
 ni2/N a concentração de elétrons de
n2 é a concentração livres no lado
elétrons P, onde
livres é minoritário,
no lado então da equação
N, onde é majoritário, então (5.11) tem-se
da equação que:
(5.12)
A
tem-se que: n2 = nN  ND . Assim, aplicando-se estas indentidades no resultado obtidoa acima, tem-se finalmente que:
 n2   nN  ND N A 
 nT
Vo V  V n  T V n  T  2  (5.20)
n
 1   n P  ni 
cujo resultado expressa, portanto, uma medida do potencial Vo da barreira estabelecida no cristal PN isolado.
Similarmente, fazendo-se Jp = 0 na equação (5.17) e procedendo-se como anteriormente, obtém-se:
 pP   N A ND
Vo V n T V n  T 
Np   ni2
que é o mesmo resultado da equação (5.20), como teria de se esperar.
Exercício 2: Calcular o valor da barreira de potencial Vo em um cristal PN de silício a 300 K, considerando ambas as
regiões P e N com dopagens uniformes iguais de 1 átomo de impureza para cada 108 átomos de silício.
Solução
 Como visto no Exercício 1, a dopagem de 1 átomo de impureza por 108 átomos de silício produz a concentração de
átomos doadores (substrato N) e aceitadores (substrato P) da ordem de 5 x 10 14 átomos/cm3. Desse modo, tem-se
que: ND = NA = 5 x 1014 cm-3. Considerando ni = 1,5 x 1010 cm-3 (Tabela 5.1) na equação (5.20), tem-se então:
 
 N A N D T  N A ND 300 5 10

14
5 10

14
n VVo   n2  n    Vo 0,54 V
T
 ni 11600 n 2
11600  2

 1,5  10 
  i
10

 Este resultado é coerente com o observado na prática para valores de barreira de potencial de um cristal PN de
silício, situado tipicamente entre 0,5 e 0,7 V. Para cristais PN de germânio, a barreira situa-se entre 0,2 e 0,3 V.

5.3.3) MODOS DE POLARIZAÇÃO DO CRISTAL PN


Como visto anteriormente, o cristal PN isolado apresenta uma situação de equilíbrio de corrente causado pela
barreira de potencial da camada de depleção, que é retardadora à ocorrência de uma corrente de majoritários do lado P
para o lado N, mas é acelerante à ocorrência de uma corrente de minoritários do lado N para o lado P (Figura 5.9-b).
Contudo, a aplicação de uma tensão elétrica no cristal pode estabelecer um campo elétrico em seu interior de
modo a se opor ou favorecer o campo elétrico da barreira, o que causa uma perturbação no equilíbrio de correntes ao
previlegiar um dos tipos e resulta em montantes distintos em cada sentido de corrente. Assim, a polaridade da tensão
aplicada determina comportamentos operativos diferentes e define os chamados modos de operação do cristal PN:
1) POLARIZAÇÃO DIRETA: um cristal PN encontra-se polarizado diretamente quando o potencial elétrico no
terminal do substrato P é maior que o potencial no terminal do substrato N, tal como mostrado na Figura 5.10-a.
Como resultado, a ddp aplicada no cristal, chamada tensão direta, estabelece um campo elétrico Eapl no sentido
P  N, ou seja, contrário ao campo Eo da barreira (Figura 5.10-a) e, portanto, a favor da difusão dos majoritários.
Desse modo, se a tensão direta for maior que o potencial Vo da barreira, então o campo aplicado Eapl será maior
que o campo Eo da barreira, o que causa um desequilíbrio entre correntes estabelecido no crital PN isolado, com o
surgimento de uma corrente de portadores majoritários no sentido P  N, chamada corrente direta (Figura 5.10-a),
que caracteriza-se por ser utilizável, visto o número de portadores livres disponível (majoritários) ser substancial.
Como quanto maior a tensão direta, maior é o campo elétrico aplicado no cristal PN, então maior é a corrente
direta resultante. Contudo, a corrente direta é limitada pelas resistências dos substratos e da região de depleção, e
apresenta um valor limite para o cristal PN não se danificar, denominado corrente direta máxima IF.
Como o fato de um portador majoritário, ao atravessar a junção, se tornar minoritário do outro lado, então a
corrente direta constitui-se em cada substrato em um efeito denominado injeção de minoritários.
67
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

A condução elétrica no cristal PN pode ser também visualizada por um esquema de bandas de energia, onde o
desnível de energia caracteriza a barreira de potencial (Figura 5.10-b). Neste caso, com a energia fornecida pelo
campo elétrico aplicado, os elétrons livres do lado N podem então migrar para o lado P e percorrer este substrato
até o seu terminal, assim como elétrons de valência vindos do lado N para o P resultam em um deslocamento de
lacunas no lado P para o N, que percorrem este substrato até o seu terminal (Figura 5.10-b). Além disso, como os
elétrons livres injetados no lado P (injeção de minoritários) podem se recombinar com lacunas neste substrato (e o
percorrer até o seu terminal como elétron de valência), estas recombinações implicam na emissão de energia na
forma de radiação (Figura 5.10-b), o que é explorado nos chamados diodos emissores de luz, vistos no Capítulo 6.
P N energia P N
E apl
Eo E apl
barreira de
BC potencial

(corrente de majoritários) emissão de radiação


corrente direta VS BV

(a) (b)
Figura 5.10: Cristal PN no modo polarização direta: (a) circuito de polarização simplificado e corrente
direta (difusão de majoritários); (b) representação do efeito condução no cristal por bandas de energia.
1) POLARIZAÇÃO REVERSA:um cristal PN encontra-se polarizado reversamente quando o potencial elétrico no
terminal do substrato N é maior que o potencial no terminal do substrato P, tal como mostrado na Figura 5.11-a.
Como resultado, a ddp aplicada, chamada tensão reversa, estabelece um campo Eapl no sentido N  P, ou seja,
de mesmo sentido do campo Eo da barreira de potencial (Figura 5.11-a) e, portanto, a favor dos minoritários. Neste
caso, verifica-se também um desequilíbrio entre correntes, com o estabelecimento uma corrente no sentido N  P
formada por minoritários, chamada corrente de saturação reversa IS , que caracteriza-se por ser constante, devido à
concentração minoritários ser limitada pela geração térmica, e ter valor praticamente desprezível, visto o número
de portadores de carga livres disponível para constituir a corrente reversa (minoritários) ser muito pequeno.
Além disso, como os majoritários no lado P (lacunas) são atraídos pelo potencial negativo em seu terminal,
assim como os majoritários do lado N (élétrons livres) são atraídos pelo potencial positivo em seu terminal, tem-se
que a polarização reversa resulta em um aumento da largura da camada de depleção (Figura 5.11-a), devido ao
desalojamento de íons próximos à junção, bem como um aumento da barreira de potencial (Figura 5.11-b). Assim,
a camada de depleção e o potencial da barreira serão tanto maiores quanto maior for a tensão reversa aplicada.
A polarização reversa, contudo, apresenta um limite para cristal PN não se danificar, chamado tensão de ruptura
BV (breakdown voltage), a partir do qual a corrente reversa aumenta intensamente devido a efeitos cumulativos,
resultando na chamada corrente de ruptura. Um dos efeitos de ruptura ocorre quando elétrons livres, ao penetrarem
na camada de depleção, colidem com átomos da rede cristalina, cedem energia para quebrar ligações químicas e
criam elétron livres adicionais que, ao serem também acelerados pelo campo, colidem com outros átomos, geram
elétrons adicionais, e assim sucessivamente, resultando num processo chamado multiplicação por avalanche. Outro
mecanismo consiste no chamado efeito Zener, onde próprio campo elétrico reverso aplicado poderá extrair elétrons
de átomos da rede cristalina e ocasionar também uma elevada corrente reversa de ruptura no cristal.
P N energia P N
E apl
E apl Eo
barreira
BC de
potencial
(corrente de minoritários)
BV
VS corrente reversa

(a) (b)
Figura 5.11: Cristal PN em polarização reversa: (a) circuito de polarização simplificado e corrente de
saturação reversa (condução de minoritários); (b) representação do efeito por bandas de energia.
Assim, a característica elétrica essencial da junção PN é sua ação praticamente unidirecional (conduz de P para
N; não conduz de N para P), o que resulta em um simples efeito chave liga-desliga. Este comportamento é a base de
funcionamento de diversos dispositivos eletrônicos, tais como diodos e transistores, vistos nos capítulos a seguir.

68
CAPÍTULO 6: DISPOSITIVOS A JUNÇÃO PN - I: DIODOS
Como mencionado, o princípio fundamental da Eletrônica, que é o efeito controle de carga, pode ser obtido de
forma mais simples por meio do emprego de uma chave liga-desliga. Os componentes emissor ou
coletor ou
que executam este efeito são denominados diodos e seu desenvolvimento remonta aos catodo anodo
antigos dispositivos baseados no fenômeno da emissão termiônica, chamados diodos e–
a vácuo (Figura 6.1), até o atual predomínio dos dispositivos a semicondutor.
Como visto no Capítulo 5, um cristal PN apresenta a capacidade de conduzir
correntes elétricas utilizáveis quando em polarização direta (formada por majoritários)
e de conduzir uma corrente desprezível quando em polarização reversa (formada por calor vácuo
minoritários), se comportando então como uma chave liga-desliga. Assim, o próprio K A
cristal PN constitui-se em um dispositivo eletrônico chamado diodo de junção bipolar,
Figura 6.1: Diodo a vácuo.
ou simplesmente diodo, que é largamente empregado em diversos tipos de circuitos.
Este capítulo tem o objetivo de fazer um breve estudo dos diodos ditos de finalidade geral, além de outros tipos.

6.1) ASPECTOS GERAIS


Diodos de junção bipolar são dispositivos elétricos constituídos por um simples cristal PN, com substratos de
dopagem uniforme e respectivos terminais. São componentes ditos não controláveis, no sentido de que sua corrente
não pode ser ajustada a qualquer tempo, ditos não-lineares, no sentido de que o efeito chave liga-desliga do cristal PN
pode deformar um sinal a ele aplicado, e ditos polarizados, no sentido de que o cristal PN tem comportamento distinto
em polarização direta e reversa. Este efeito chave, denominado característica retificadora, possibilita o emprego dos
diodos em diversos circuitos eletrônicos, tais como os chamados retificadores, ceifadores, multiplicadores de tensão,
grampeadores e reguladores de tensão, bem como para a proteção de componentes, bloqueio de sinais e ruídos, etc.

6.1.1) SÍMBOLOS, CONVENÇÕES E ESPECIFICAÇÕES MÁXIMAS

Os símbolos esquemáticos do diodo de junção bipolar apresentam o formato de uma seta (Figura 6.2-a), que
indica explicitamente o sentido convencional da condução de uma corrente direta no diodo (P  N). Similar ao diodo
a vácuo, o substrato N do cristal PN do diodo semicondutor é chamado catodo (K), por contribuir com elétrons para a
formação da corrente direta, e o substrato P é chamado anodo (A), por receber estes elétrons (Figura 6.2-b). Tais
notações podem ser acrescentadas ao símbolo do diodo como indicativo dos terminais dos substratos (Figura 6.2-c).
Além disso, como o diodo é um dispositivo polarizado, ou seja, a conexão de seus terminais em um circuito não
pode ser invertida, é conveniente adotar uma convenção para a corrente, chamada ID, e a tensão entre seus terminais,
chamada VD , que são usualmente os sentidos da corrente e da tensão em polarização direta (Figura 6.2-c). Logo, em
polarização reversa, ID e VD assumem valores negativos. Assim, a potência PD dissipada no diodo pode ser obtida por:
PD  VD I D (6.1)
Supondo VA o potencial elétrico no terminal anodo e VK o potencial no terminal catodo do diodo (Figura 6.2-c),
então a tensão VD entre os terminais do diodo em qualquer polarização pode ser determinada por: VD = VA  VK.
Os materiais empregados em sua fabricação são basicamente o silício (exemplos de códigos: 1N4148, 1N914 e
série “1N4000”) e o germânio (exemplos: AA119, 1N60 e OA90), e apresentam diversos formatos e capacidades de
dissipação (Figura 6.2-d e Figura 6.2-e), podendo apresentar uma faixa em uma das extremidade para indicar o
terminal catodo (Figura 6.2-d) ou ainda a impressão do próprio símbolo como indicativo dos terminais (Figura 6.2-e).
anodo catodo
A K
P N P N faixa
indicativa
(b) do catodo

ID
A K
VA VK

VD
(a) (c) (d) (e)
Figura 6.2: Diodo semicondutor: (a) símbolos esquemáticos, (b) constituição e nomenclaturas; (c) convenções de
variáveis; aparências diversas: (d) diodos retificadores de pequeno sinal, (e) diodos retificadores de potência.

69
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Como qualquer componente elétrico, os diodos não podem ter seus limites de tensão e corrente ultrapassados
para não causar danos permanentes e fazê-los se comportar como um curto ou circuito aberto. Logo, como visto no
Capítulo 5, um cristal PN, e por conseguinte um diodo, apresenta basicamente duas especificações máximas:
1) Corrente direta máxima (IF): é a máxima corrente suportada pelo diodo em polarização direta, podendo esta ser
especificada como potência máxima. As folhas de dados dos fabricantes (chamados data sheets) definem duas
classes de diodos: grandes sinais (> 0,5 W) e pequenos sinais (  0,5 W). Logo, circuitos com diodos devem sempre
prover condições para que não sejam ultrapassados os limites de corrente ou potência dos diodos (colocando, por
exemplo, resistores em série). Exemplos: 1N914 (potência máxima = 250 mW); série “1N4000” (IF = 1,0 A).
2) Tensão de ruptura (BV): é a tensão máxima suportada pelo diodo em polarização reversa (exceção: diodo zener,
visto mais adiante). As folhas de dados fornecidos pelos fabricantes apresentam várias nomenclaturas para a tensão
de ruptura, tais como: PIV, PRV, VRM , VRWM , V(BR). Exemplos: 1N4001 (BV = 50 V), 1N4004 (BV = 400 V).

6.1.2) CARACTERÍSTICA CORRENTE-TENSÃO E MODOS DE OPERAÇÃO

Tensão e corrente são grandezas facilmente mensuráveis nos terminais de qualquer componente elétrico. Desse
modo, uma forma de se conhecer o princípio de funcionamento de um dispositivo reside no levantamento da chamada
característica corrente-tensão (ou tensão-corrente), também chamada característica I-V, que expressa de forma gráfica
o comportamento da corrente elétrica conduzida pelo dispositivo, em função da tensão aplicada em seus terminais.
Assim, considerando as convenções adotadas para corrente e tensão no diodo (Figura 6.2-b), o 1º quadrante da
característica I-V do diodo refere-se ao seu comportamento em polarização direta ( VD e ID positivos), e o 3º quadrante
(VD e ID negativos) refere-se ao seu comportamento em polarização reversa (Figura 6.3-a). A Figura 6.3-b mostra
então a característica I-V típificada para um diodo de junção comum, normalmente levantada experimentalmente.
O gráfico da característica I-V do diodo representa então o comportamento do cristal PN polarizado, visto no
Capítulo 5. Em polarização direta, a corrente direta no diodo se inicia com tensões aplicadas superiores ao da barreira
de potencial do cristal PN, o que pode ser expresso por um valor limite V chamado tensão de limiar, acima da qual
considera-se que o diodo conduz efetivamente, até o limite máximo IF ser atingido (Figura 6.3-b). Em polarização
reversa verifica-se que o diodo conduz uma corrente praticamente desprezível, definida no Capítulo 5 como corrente
de saturação reversa IS , até que o limite de tensão de ruptura BV do diodo seja atingido (Figura 6.3-b).
Assim, com base na característica I-V, pode-se definir dois modos de operação para o diodo (Figura 6.3-b):
1) Modo condução: consiste na operação do diodo na chamada região de condução da característica (Figura 6.3-b),
correspondente VD > V. Nesta região
observa-se que aaocorrente
comportamento quandoapresenta
direta no diodo a tensãouma
aplicada
certa éinércia
superior ao limiar,
inicial, devidoou
aoseja,
retardo dos majoritários em
reagir ao campo elétrico aplicado, e passa a aumentar intensamente até o valor máximo IF ser atingido, resultando
então em um comportamento não linear (na verdade, exponencial) para a corrente (Figura 6.3-b).
2) Modo corte ou bloqueio: consiste na operação do diodo na chamada região de corte ou bloqueio da característica
(Figura 6.3-b), quando uma tensão reversa é aplicada até o limiar de ruptura, ou mesmo uma tensão direta igual ou
inferior ao limiar V, ou seja, BV < VD  V , onde a corrente no diodo se resume à de saturação reversa IS.
Visto que as tensões e correntes direta e reversa distinguem entre si por várias ordens de grandeza, é freqüente a
utilização de escalas distintas para representar a característica I-V, como exemplificado na Figura 6.3-c. Além disso,
sendo os materiais semicondutores, como estudado, dependentes da energia térmica ambiente, as características I-V
dos diodos são normalmente levantadas experimentalmente para uma determinada temperatura de referência.
ID
ID
I D ( A)
P N IF
IS
polarização 1,0
direta
VD > 0 , I D > 0 0,5

0 -BV -100 -20 -10


P N
VD 0 V VD 0 0,5
região de IS V D (V )
polarização corte ou região de 10 nA
reversa bloqueio condução
VD < 0 , I D < 0

(a) (b) (c)


Figura 6.3: Característica corrente-tensão de um diodo de junção: (a) definição dos quadrantes de polarização,
(b) comportamento e definição das regiões de operação; (c) exemplificação das ordens de grandeza nos eixos.
Uma propriedade prática do cristal PN reside no fato da junção se relacionar com grandezas acessíveis em seus
terminais. Assim, o comportamento da característica I-V do diodo nas regiões de condução e corte pode ser expresso
pela chamada equação de Shockley, que relaciona a tensão VD e corrente ID em seus terminais, e definida por:
70
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

  VD

I D  I S  e
 1
 VT
(6.2)
onde a corrente de saturação IS é empregada como fator de escala, VT (V) é o potencial termodinâmico (VT = T/11600)
e o termo  é um fator admensional dependente do semicondutor, empregado como ajuste para o comportamento
exponencial da região de condução. Para o silício,  é adotado próximo de 2 quando deseja-se uma especificação mais
suave para o comportamento exponencial, e se aproxima de 1 para comportamentos exponenciais mais acentuados.
Além disso, a avaliação de alguns parâmetros presentes na equação de Shockley demonstra que:
1) No modo condução, onde VD >> VT , tem-se que: exp(VD /VT) >> 1. Nesse caso, a equação (6.2) se resume a:
VD
 VT
ID  IS e (6.3)
ou seja, a corrente direta varia exponencialmente com a tensão aplicada quando em condução (Figura 6.3-b).
2) No modo corte, onde VD < 0 e |VD| >> VT , tem-se que: exp(VD /VT) << 1 e a equação (6.2) se resume a: ID =  IS ,
isto é, a corrente no diodo se resume ao valor de saturação reversa, de sentido contrário ao da corrente direta.
Como mencionado, a temperatura influencia na característica corrente-tensão do diodo e a equação (6.2), que
traduz esta característica, apresenta duas grandezas dependentes da temperatura: VT e IS . A equação para VT exprime
por si sua relação funcional com a temperatura. Em relação à corrente de saturação, dados experimentais mostram que
IS aumenta 7 % para cada aumento de 1 ºC na temperatura do diodo. Logo, para um aumento de 10 º C, IS aumenta em
(1,07)10, cujo resultado é aproximadamente 2. Conclui-se então que IS duplica com qualquer elevação de temperatura
igual a 10 ºC. Assim, conhecida a corrente IS à temperatura To , pode-se determinar IS a qualquer temperatura T por:
T  To
I S (T)  (I S) T2o  10 (6.4)
Do exposto observa-se então que a corrente no diodo aumenta com a temperatura e
T3 > T2 > T1
ID conclui-se que a tensão necessária para um diodo conduzir a mesma corrente direta diminui
com o aumento da temperatura (figura ao lado). Neste caso, para cada aumento de 1 oC na
temperatura, tem-se tipicamente uma queda na tensão direta da ordem de 2,5 mV/oC. Assim,
a tensão VD(T) aplicada em um diodo à uma temperatura qualquer T, necessária para que este
conduza a mesma corrente verificada quando o mesmo é submetido a uma tensão VD (To) à
VD
temperatura de referência To , pode ser determinado com base na equação:
) T D( ) o 0,0025
VDT ( V TT (  ) o (6.5)
Diodos de silício apresentam temperatura máxima de trabalho em torno de 150 oC e os de germânio em torno
de 100 oC, o que representa uma justificativa para o predomínio dos diodos de silício em relação aos de germânio.
Exercício 1: Determine a variação de tensão aplicada em um diodo de silício em condução a 300 K, necessária para
que a corrente direta aumente 10 vezes. Considere o parâmetro de ajuste exponencial () tendendo aos seus extremos.
Solução
 Com visto na equação (6.3), o diodo exibe um comportamento exponencial quando em modo condução. Logo,
considerando-se dois pontos quaisquer de sua característica (figura ao lado), tem-se: ID
VD1 VD 2 ID2 2
 VT  VT
ponto 1: I D1  I S e ; ponto 2 : I D 2  I S e
 Como o aumento de corrente deve ser 10 vezes maior então: ID2 = 10 ID1. Logo: ID1 1 VD
VD 2 V 1 D V 12 D  D
 VT  VT  VT VD1 VD2
I D 2  10 I
D1  I S e 10 IS e   e 10
ID
VD 2  VD1 1 2
  n (10)
 V V D
2 VnD 1  T (10)
 VT ID 2
300
 VD 21  
 
n (10) 21 VD 0,06 
I
D1
11600
 Logo, para um comportamento exponencial mais suave (  2, figura ao lado), é VD
VD21 VD21
necessária uma variação de tensão de V D 21 = 0,12 V para aumentar em 10 vezes a
corrente, e para um comportamento mais acentuado (  1, figura ao lado), apenas V D 21 = 0,06 V . Assim, diodos
em condução com exponenciais mais acentuadas necessitam de menor alteração na tensão para variar sua corrente.

6.2) ANÁLISE DE CIRCUITOS COM DIODOS


A teoria de Circuitos Elétricos constitui-se na principal ferramenta de cálculo de circuitos e seus fundamentos
baseiam-se no pressuposto que de que todos os componentes do circuito são lineares (aqueles em que a aplicação de
uma tensão senoidal resulta em corrente também senoidal). Para o emprego desta teoria, o funcionamento real dos
componentes de um circuito é usualmente representado por meio de esquemas elétricos de comportamento linear,

71
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

chamados modelos, que são obtidos por meio da combinação de cinco componentes elétricos básicos lineares ideais:
resistor, capacitor, indutor, fonte de tensão e fonte de corrente. A aplicação de modelos esquemáticos podem produzir
resultados pouco precisos, mas que são úteis como avaliação qualitativa do funcionamento do circuito em estudo.
Circuitos de corrente contínua com diodos podem ser calculados com o auxílio da característica I-V dos diodos
e do conceito de reta de carga, cujos resultados são mais precisos por considerar o comportamento real dos diodos.
Para o caso de cálculo de circuitos com diodos sem o auxílio de características I-V, pode-se empregar modelos
esquemáticos lineares que representam um funcionamento aproximado do comportamento não linear dos diodos.
Como o diodo tem modos de operação distintos, estes modelos são normalmente baseados na linearização por partes
da característica I-V e são classificados em dois tipos: grandes sinais e pequenos sinais e altas freqüências.
Os modos de operação distintos dos diodos implicam também na necessidade de se fazer suposições sobre seu
funcionamento e na aplicação de regras para avaliar estas suposições. Além disso, o tipo de fonte de tensão no circuito
determina como o ponto de operação dos diodos se altera no tempo, o que resulta em dois métodos de análise:
 Análise CC: método usado em circuitos de corrente contínua, isto é, onde todas as fontes de tensão são contínuas
no tempo (CC). Neste caso, cada diodo estará necessariamente funcionando em apenas um modo de operação.
 Análise CA: método empregado para o caso em que ao menos uma das fontes de tensão do circuito for variante no
tempo (por exemplo, CA). Neste caso, cada diodo presente poderá funcionar em mais de um modo de operação.
Estes aspectos de métodos e modelos de análise de circuitos com diodos são discutidos nos itens a seguir.

6.2.1) CONCEITO DE RETA DE CARGA

Como mencionado, circuitos CC com diodos podem ser calculados com o emprego das características I-V dos
diodos, dados pelo fabricante por meio de seus catálogos de especificações de produtos ( data sheets). Neste caso, o
ponto de operação de um diodo é determinado por meio de método gráfico com auxílio de uma equação obtida do
circuito que expressa a relação matemática entre a corrente ID e a tensão VD do diodo, chamada reta de carga.
Assim, seja como exemplo o circuito da Figura 6.4-a, onde uma fonte de tensão CC de valor VS alimenta um
resistor limitador de corrente R e um diodo de junção D. Como o diodo está polarizado diretamente pela fonte VS , sua
característica I-V nesta região é apresentada na Figura 6.4-b. Sejam VD e ID , respectivamente, a tensão e a corrente no
diodo. Aplicando a Lei de Kirchoff das Tensões (LKT) no circuito, a expressão matemática de ID será dada por:
VS  VD
V
IV 
SRD
D   
0 DI 
R
Considerando-se ID VD
que define então a linha oue retacomo as variáveis
de carga do diodo.da Neste
equação obtida,
caso, comoobserva-se quetambém
ID e VD são a relação
as entre ambas
variáveis dosé linear,
eixos dao
característica I-V do diodo, pode-se desenhar a reta de carga no gráfico da característica I-V, tal como mostrado na
Figura 6.4-b. Como a reta de carga do diodo contempla o comportamento do circuito e a característica I-V representa
o funcionamento do diodo, então ambas tem que ser satisfeitas simultâneamente. Logo, o ponto Q de intersecção entre
os gráficos, chamado ponto de operação, funcionamento ou repouso, é o único que satisfaz estas exigências e define
assim a corrente e a tensão no diodo, dadas respectivamente pelos valores IDQ e VDQ obtidos no gráfico (Figura 6.4-b).
Analisando a Figura 6.4-b pode-se observar que a inclinação da reta de carga e suas intersecções com os eixos
dependem apenas de VS e R, significando que o ponto de operação pode sofrer mudanças se houver alterações nestes
parâmetros. Estas variações estão representadas na Figura 6.4-c, onde nota-se que o aumento de VS resulta em retas de
carga paralelas, pois ID aumenta com VS , e na Figura 6.4-d nota-se que um aumento de R resulta na redução de ID.
ID ID ID
reta de carga VS 3 / R VS3 > VS2 > VS1 VS / R1 R3 > R2 > R1
R VS VS 2 / R V S / R2
R Q3 Q2
ID Q1
VS VD Q ponto de VS1 /R VS / R3
IDQ Q2
operação
Q1 VD Q3 VD
0 VDQ VS VD 0 VS1 VS2 VS3 0 VS
(a) (b) (c) (d)

Figura 6.4: (a) Circuito simples com diodo; (b) 1º quadrante da característica I-V do diodo, reta de carga e ponto de
operação Q; mudança do ponto de operação do diodo considerando as situações: (c) VS variando, (d) R variando.

Exercício 2: Para o circuito e segmento de polarização direta da característica I-V do diodo dados a seguir, pede-se:
a) Considere VS = 10 V e determine a potência consumida no diodo e a potência fornecida pela fonte VS.
b) Considere VS = 2 V e determine a potência consumida no diodo.
c) Supondo que o resistor de 4  seja retirado do circuito (ou curto-circuitado), determine o valor da fonte VS para que
o ponto de operação do diodo seja o mesmo ponto de operação obtido no cálculo do item a).
72
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

ID (mA)
200

(a) 150 Q1
140 reta a
20  I1 I2 4
100
5 ID VD
VS
(A) (B) 50 reta b
Q2
0
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 V D (V )
0,88
Solução
a) Para o cálculo adas
 Aplicando Leipotências, é necessário
de Kirchoff antes(LKC)
das Correntes determinar
no nóa(a),
distribuição
obtém-se:deI1correntes
= I2 + ID e tensões
(1) no circuito. Logo:
 Para VS = 10 V, aplicando LKT na malha (A) do circuito e empregando o resultado obtido em (1), tém-se:
10 20 2I15  
I0  10 220 2  
 I 52 I D0 I 0, 4 0,8I (2) ID
 Aplicando LKT na malha (B) do circuito e empregando o resultado obtido em (2), tem-se:
5 I 2 4 ID  VD 0
 5 0, 4 0,8
  4 I D
  I0D VD ID
0, 25 0,125 (3) VD
 A equação (3) apresenta uma relação linear entre ID e VD e constitui-se então na reta de carga do diodo. Como
uma reta pode ser traçada se conhecido pelo menos dois pontos pertencentes à mesma, tem-se:
para: VD = 0,4 V  ID = 0,2 A = 200 mA ; para: VD = 1,2 V  ID = 0,1 A = 100 mA
 Com estes dois pontos pode-se então traçar a reta de carga na característica I- V do diodo (reta “a” na figura) e,
na intersecção destas, obtém-se o ponto de operação (Q1) do diodo: VDQ = 0,88 V e IDQ = 140 mA = 0,14 A
 Logo, da equação (2), tem-se: I 2  0,4 0,8I DQ 0, 4 0,80,14
 I 20, 288 A
E da equção (1), tem-se: I1  I2 IDQ 0, 288 0,14
  I1 0, 428 A
 Assim, tem-se: PD  VDQ I DQ  0,88  0,14 0,123 W , Pfonte  VS  I1 10 0,428 4,28 W
b) Para VS = 2 V e procedendo-se como no item a), obtém-se a reta de carga ID = 0,05 – 0,125 VD (reta “b”) e o ponto
de operação Q2: V DQ
= 0,4 V e IDQ = 0 A. Logo, PD = 0 W pois conclui-se que o diodo se encontra no modo corte.
c) Com a incógnita VS , o resistor de 4  substituído por um curto e considerando-se VD = 0,88 V e ID = 0,14 A (ponto
(a) de operação do diodo obtido no item a), tem-se (circuito ao lado):
 Aplicando LKT na malha (A) do circuito, obtém-se:
20  I1 0,14 A 5 I2 
0 ,88 0    I 2 0,176 A(1)
I2
0,88 V  Aplicando LKC no nó (a) e com o resultado (1), obtem-se:
VS 5 I1  I2 I D 
0,176   
0,14 I1 0,316 A (2)
(A)  Aplicando LKT na malha externa e usando o resultado (2), tem-se:
VS  20 
I1   0
0,88 VS 20 0,316
 0,88 VS 7, 2 V

6.2.2) MODELOS DO DIODO PARA GRANDES SINAIS E BAIXAS FREQUÊNCIAS


Os chamados modelos do diodo para grandes sinais e baixas frequências baseiam-se na linearização por partes
da característica I-V do diodo. Os modos de operação do diodo são aproximados por segmentos de reta e seu compor-
tamento traduzido por componentes elétricos lineares e ideais, obtendo-se basicamente três modelos (Figura 6.5):
1) Modelos do diodo no modo corte: como os montantes de corrente dos diodos no modo corte são desprezíveis, a
linearização
diodo no modo desta região
corte se resumea auma
corresponde umachave
reta correspondente
aberta com umaàtensão
condição
VD de corrente
qualquer nula. Logo,
acessível o modelo
em seus do
terminais
(Figura 6.5), sendo os limites de VD dependente do modelo para o modo condução adotado, vistos a seguir.
2) Modelos do diodo no modo condução: o modelo adotado para o diodo quando operando em condução depende
dos montantes de tensão aplicados ao circuito e da precisão exigida nos resultados da análise. A linearização da
região de condução da característica I-V do diodo resulta basicamente em 3 alternativas de modelos esquemáticos:
2.1) Aproximado do real: este modelo baseia-se na maior aproximação possível do modo condução do diodo, ao
empregar um segmento de reta para considerar os efeitos da tensão de limiar e do comportamento exponencial
da região de condução (Figura 6.5-a). Esta reta é então traduzida por uma fonte de tensão CC representando o
valor de limiar V , em série com uma resistência Rf de valor igual ao inverso da declividade da reta (tg ).
Neste caso, observa-se que a corrente ID no diodo pode assumir qualquer valor positivo quando em condução,
isto é, ID > 0, e a tensão VD em seus terminais pode assumir qualquer valor igual ou menor que o de limiar
quando em corte, isto é, VD ≤ V. Logo, a tensão VD será dada por: VD = V  + Rf ID , que reside na equação do

73
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

segmento de reta que lineariza a região de condução. Este modelo pode ser empregado quando as quedas de
tensão no diodo são comparáveis aos montantes de tensão aplicados ao circuito e são exigidos resultados mais
precisos com a aplicação de um modelo mais completo para expressar o comportamento real do diodo.
2.2) Aproximado do real simplificado: este modelo reside em uma simplificação do modelo aproximado do real,
ao considerar apenas uma tensão nos terminais do diodo igual a um valor de limiar V típico em um ponto
médio da região de condução (Figura 6.5-b). Neste caso, como a declividade do segmento de reta é infinita, o
resistor série Rf do modelo aproximado do real assume o valor nulo ( tg     Rf = 1/tg  = 0 Ω) e o
modelo se resume a uma fonte CC representando o valor de limiar V típico (Figura 6.5-b). Contudo, pode-se
observar que as condições de operação permanecem as mesmas, isto é, a corrente ID no diodo pode assumir
qualquer valor positivo (ID > 0) quando em condução, e a tensão assumir qualquer valor menor ou igual ao de
limiar quando em corte (VD ≤ V). Semelhante ao modelo aproximado do real, este modelo é empregado
quando as quedas de tensão no diodo são comparáveis aos montantes de tensão aplicados ao circuito.
2.3) Diodo ideal: este modelo expressa o comportamento de uma chave liga-desliga ideal, no sentido de que este
age como
quando emum curto-circuito
corte (chave
(Figura 6.5-c). fechada)
Logo, quando
a corrente ID em condução,
no diodo podeeassumir
como um circuitovalor
qualquer aberto (chave(aberta)
positivo ID > 0)
quando em condução, e a tensão VD assumir qualquer valor negativo (VD ≤ 0) quando em corte. O modelo do
diodo ideal pode ser empregado quando as quedas de tensão no diodo são desprezíveis perante aos montantes
de tensão aplicados, além de propiciar uma compreensão inicial do funcionamento do circuito, porque não é
preciso considerar os efeitos da tensão de limiar e do comportamento exponencial da região de condução.

ID A ID
ID
A
A V A A A
ID
Rf VD V I D
VD VD ID
K
K K K K K
 1
Rf 
0 V VD tg  0 V VD 0 V VD
(a) (b) (c)

Figura 6.5: Modelos do diodo: (a) aproximado do real; (b) aproximado do real simplificado; (c) diodo ideal.
6.2.3) ANÁLISE CC

Fontes de tensão contínuas caracterizam-se por apresentar um valor constante ao longo do tempo. Logo, em
circuitos elétricos onde todas as fontes de tensão são do tipo contínuas, chamados circuitos CC, as quedas de tensão e
fluxos de correntes nos componentes do circuito em regime permanente também são constantes no tempo.
Logo, na análise de circuitos CC com diodos conclui-se que cada diodo estará operando em um único ponto de
operação constante no tempo, ou seja, cada diodo estará funcionando em apenas um modo de operação (condução ou
corte). Contudo, em uma verificação inicial do esquema elétrico do circuito, pode ocorrer que os modos de operação
dos diodos não estejam claramente identificáveis, sendo necessário descobrir em qual modo de operação cada diodo
se encontra. Este problema acarreta então na necessidade de se fazer suposições sobre o modo de operação de cada
diodo e de se testar a veracidade destas suposições (a chamada prova) com base em regras pré-estabelecidas.
Assim, a técnica geral de análise de circuitos CC com diodos baseia-se em um método de suposição e prova, na
qual deve-se admitir uma hipótese sobre o estado de cada diodo e testar se a mesma é verdadeira ou falsa, até que se
encontre a suposição verdadeira, onde os resultados da análise do circuito deverão fornecer esta indicação.
A análise CC de circuitos com diodos consiste basicamente nas seguintes etapas (fluxograma na Figura 6.6):
1) Inicialmente, identifica-se o número de suposições gerais possíveis caso tenha-se mais de um diodo presente no
circuito. Estas suposições gerais são compostas por hipóteses parciais admitidas para cada diodo individualmente.
Como cada diodo poderá funcionar em dois modos de operação (condução ou corte), tem-se então que o número
total de suposições gerais será determinado por 2n , onde n é o número de diodos presentes no circuito.
2) Preliminar aos cálculos do circuito propriamente, é conveniente antes realizar uma análise da disposição dos diodos
e demais componentes do circuito para se descobrir, dentre as suposições gerais existentes, quais são as realmente
possíveis, o que elimina cálculos desnecessários com hipóteses improváveis. O método de análise CC de circuitos
com diodos se limitará então em determinar qual das suposições gerais restantes (possíveis) é a verdadeira.
3) Para uma dada suposição geral possível e de acordo com a precisão exigida nos cálculos, substitui-se cada diodo
pelo seu modelo esquemático correspondente (Figura 6.5). Com a aplicação dos modelos esquemáticos para os
diodos, o circuito torna-se linear e pode-se então proceder com os cálculos pela teoria de Circuitos Elétricos.
Assim, de acordo com a suposição geral feita, bem como o modelo do diodo adotado (ideal ou aproximados) e
as condições de operação verificadas na definição dos modelos do diodo vistas no item 6.2.2, observa-se que:

74
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

3.1) A hipótese do diodo se encontrar em condução será verdadeira se I D > 0. Desse modo, se a corrente no diodo
for nula ou negativa (I D 0) a hipótese será falsa e deve-se então testar outras suposições gerais possíveis.
3.2) A hipótese do diodo estar no corte ou bloqueio será verdadeira se V D 0 para o diodo considerado ideal, ou
V D V se adotado um dos modelos aproximados do real. Desse modo, se V D > 0 (diodo ideal) ou V D > V
(modelos aproximados), a hipótese será falsa e deve-se então testar outras suposições gerais possíveis.
3.3) Deve-se observar que uma suposição geral é verdadeira somente se todas as hipóteses parciais que a compõem
são verdadeiras. Logo, se um resultado comprovar que determinada hipótese parcial é falsa, então a hipótese
geral é falsa e pode-se interromper os cálculos desta hipótese para testar outras suposições gerais possíveis.
4) O processo de suposição e prova da análise CC se encerra então quando a suposição geral verdadeira é encontrada
e, com a identificação do funcionamento dos diodos, pode-se por fim determinar os demais cálculos do circuito.

Analise preliminar Fazer uma hipótese Cálculos: Hipótese


(hipóteses possíveis dentre as possíveis
sim Demais
análise de verdadeira?
para os diodos) e aplicar modelos circuitos (prova) cálculos
não

Figura 6.6: Fluxograma sucinto do método de suposição e prova da análise CC de circuitos contendo diodos.

Exercício 3: Para o circuito e característica corrente-tensão linearizada dos diodos empregados, fornecidos a seguir,
determine o valor da tensão de saída Vo do circuito para os seguintes casos de fontes de tensão de entrada V1 e V2:
(a) V1 = V2 = 5 V ; (b) V1 = V2 = 0 V ; (c) V1 = 0 V e V2 = 5 V
+5V modo corte modo condução
ID A ID A
4,7 k
300  D1 VD 0,7 V ID
+V1 Vo K
K

300  D2 0
+ V2 0,7 VD (V) 0 0,7 VD ( V)
Solução
O esquema mostrado acima e à esquerda é bastante utilizado para tornar mais simples a representação de um
circuito. No caso, as fontes V1 , V2 e 5 V representam potenciais em relação à uma referência implícita de 0 V.
Como as fontes são contínuas, então a resolução do problema consiste na análise CC. Além disso, baseado na
característica I-V linearizada, pode-se obter os modelos em condução e corte dos diodos, mostrados na figura acima.
O circuito apresenta dois diodos comuns ( n = 2) e, portanto, existem 2n = 22 = 4 suposições gerais: D1 e D2 em
condução; D1 em condução e D2 no corte; D1 no corte e D2 em condução; e D1 e D2 no corte. Adicionalmente, pode-se
observar que, se as fontes V1 e V2 apresentarem o mesmo valor de tensão, então os ramos do circuito com diodos serão
eletricamente iguais e conclui-se que os diodos estarão funcionando necessariamente no mesmo modo de operação.
(a) V1 = V2 = 5,0 V :
Com base na análise preliminar, sendo ambas as fontes V1 e V2 iguais, então os diodos tem modos de operação
iguais. Assim, conclui-se que há 2 hipóteses gerais possíveis: D1 e D2 em condução, e D1 e D2 no corte. Testes:

I = 2 ID 1 ID1 ID2 Vo I=0 ID 1 = 0 ID 2 = 0 Vo


A A A A

4,7 k K 0,7 V K 0,7 V 4,7 k K


VD 1
K
VD2

1 300  300  1 300  300 

5V 5V
5V 5V 5V 5V

(a) (b)
 Suposição geral 1: D1 e D2 em condução
Substituindo-se o modelo fornecido dos diodos em condução, obtém-se o circuito da figura (a). Como os
ramos com diodos são iguais, então pode-se definir que: ID1 = ID2 e a corrente I pode ser dada por: I = 2 ID1.
Aplicando LKT (Lei de Kirchoff das Tensões) na malha 1, tem-se:
5 4700 2 I D10, 7 300  5 I
0
D1 
  I D1
72 0 A

75
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Como ID1 = ID2 < 0 então, de acordo com regra 3.1), esta hipótese geral é falsa. Desse modo, deve-se
prosseguir com o método da análise CC e testar outras hipóteses gerais possíveis.
 Suposição geral 2: D1 e D2 no corte
Substituindo-se o modelo fornecido dos diodos no corte, obtém-se o circuito da figura (b). Similarmente,
como os ramos com diodos são iguais, pode-se definir então que: VD1 = VD2 .
Aplicando LKT na malha 1, tem-se que: 5  VD150   V V0V D0,1 7
Como VD1 = VD2 < 0,7 V, tem-se então que, de acordo com regra 3.2), ambas as hipóteses parciais são
verdadeiras e, portanto, a suposição geral é verdadeira. Assim, aplicando LKT na malha externa, tem-se:
5 – Vo = 0  Vo = 5 V
(b) V1 = V2 = 0 V :
Similarmente, com V1 e V2 iguais, os diodos estão no mesmo modo de operação: D 1 e D2 em condução, e D1
e D2 no corte. Contudo, como não há aplicação de tensão no lado do catodo dos diodos ( V1 = V2 = 0 V), pode-se
deduzir que a fonte fixa de 5 V é suficiente para fazer os diodos D 1 e D2 conduzir por ser maior que os seus
limiares
 (0,7 Vgeral:
Suposição ). Logo,
D1a esuposição geral D1 e D2 em condução aparenta ser a hipótese verdadeira. Teste:
D2 em condução
Substituindo-se os diodos pelos modelos em condução I = 2 ID1 ID1 ID 2 Vo
obtém-se o esquema de circuito ao lado (lembrar que fonte A A
4,7 k
de tensão nula é modelada como curto-circuito). Novamente, 0,7 V 0,7 V
como os ramos com diodos são iguais, tem-se que: ID1 = ID2 1 K K
e, desse modo, a corrente I pode ser definida por: I = 2 ID1.
Assim, aplicando LKT na malha 1, tem-se: 300  300 
5V
5 4700 2 I D1 0, 7 3 00 I D10
 ID1  I D 2 0, 44 mA 0
Como ID1 = ID2 > 0 então, de acordo com regra 3.1), pode-se concluir que ambas as hipóteses parciais são
verdadeiras e, portanto, a suposição geral é verdadeira. Aplicando-se LKT na malha externa, tem-se então:
3

5 4700 2 ID1 Vo0
 V5o 4700
  2 0,
 44 10 0 Vo ,86 V
(c) V1 = 0 V e V2 = 5 V :
Com V1 = 0 V então, de acordo com a suposição verdadeira encontrada no item (b), pode-se presumir que o
diodo D1 está provavelmente operando no modo condução. Similarmente, com V2 = 5 V então, de acordo com a
suposição
 verdadeira
Suposição obtida
geral: D no caso (a), pode-se presumir que o diodo D2 está provavelmente no corte. Teste:
1 em condução e D 2 no corte
Substituindo-se o modelo do diodo D1 em condução e do diodo D2 no corte, obtém-se o circuito abaixo.
Neste caso, tem-se que ID2 = 0 e, portanto, I = ID1.
Aplicando LKT na malha 1, tem-se: I = ID 1 ID 1 ID2 = 0 Vo
A A
5 4700 ID1 0,7 300 I D1 0
4,7 k 0,7 V VD2
 I D1  0,86 mA  0
K K
Aplicando LKT na malha 2, tem-se: 1 2
300 I D1 0, 7  VD 250 300 
300 
 3 0, 7 5
 VD 2 300 0 ,86 10
5V 5V
  V 
D 2 
4, 04 V 0, 7 V
Como ID1 > 0 então, de acordo com a regra 3.1), a hipótese parcial D1 em condução é verdadeira. Além
disso, sendo VD2 < 0,7 V então, com base na regra 3.2), a hipótese parcial D 2 no corte também é verdadeira.
Logo, a suposição geral é verdadeira. Assim, aplicando LKT na malha externa, tem-se:
3

5 4700 ID1 
Vo 0 Vo 5 47000,86
  10  Vo 0,96 V

Obs:“oalta
será comportamento
” (5 V - item a),deste circuito
e se ao menoslembra o da
uma for porta lógica
“baixa” (0 V), aAND: se asbaixa
saída será (0,86V1Ve- Vitem
entradas 2 são “altas” (5 V), a saída
b; 0,96 V - item c).

6.2.4) ANÁLISE CA

Fontes de tensão variáveis, também chamadas sinais, caracterizam-se por apresentar alterações em seu valor ao
longo do tempo, podendo conter também inversão de polaridade. Desse modo, as quedas de tensão e correntes nos
demais componentes do circuito em regime permanente também apresentam comportamento variante no tempo.
Assim, em circuitos com diodos onde pelo menos uma fonte do circuito for variante no tempo (por exemplo,
fonte alternada, dita CA), observa-se que um diodo poderá funcionar em mais de um modo de operação devido à sua
tensão de polarização ser também variante no tempo, ou ainda, vários diodos presentes no circuito poderão assumir
mais de uma combinação possível de modos de operação. Neste caso, a estratégia da suposição e prova da análise CC
de circuitos com diodos vista anteriormente se mostra inadequada e necessita ser adaptada para esta situação.

76
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Esta adaptação srcina a chamada análise CA, que consiste em determinar, para cada suposição geral possível,
uma equação, denominada característica de transferência (CT), que expressa o comportamento do sinal do circuito
que se quer estudar, chamada variável de saída, em função dos sinais aplicados ao circuito, chamadas variáveis de
entrada. Adicionalmente, como cada suposição geral apresenta condições para a sua veracidade, deve-se determinar
também os limites impostos às variáveis de entrada para que cada característica de transferência seja verdadeira.
Característica de transferência consiste de em uma relação matemática entre variáveis de entrada e saída de um
circuito. Por exemplo, para um circuito qualquer exemplificado na Figura 6.7-a, sendo a fonte de tensão vS a variável
de entrada e o sinal de tensão vo a variável de saída, então a característica de transferência consistirá de uma equação
que contempla o comportamento da saída vo em função da entrada vS, isto é, vo = f(vS). Assim, se o sinal de entrada vS
tiver alterações no valor, a característica de transferência determinará que modificações sofrerá a variável de saída vo.
Além disso, características de transferência definidas por relações entre correntes e tensões consistem de equações de
retas (y = m x + b), onde a declividade ( m) define como o sinal de entrada é refletido na saída, que pode ser: igual
(Figura 6.7-b), atenuado (Figura 6.7-c), amplificado (Figura 6.7-d), ou também com inversão de fase (Figura 6.7-e).
vo
vo vo vo
variável de variável
entrada de saída

circuito vS
vS qualquer vo vS  vS vS
 

o
C.T.: vo = m vS + b 
= 45º 0 < < 45º 45º <  < 90º  > 90º
m = declividade m = tg 1 = 0< m<1 m>1 m<0
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 6.7: Característica de transferência (C.T.): (a) variáveis de entrada e saída e definições; consequências da
declividade (m) para o sinal de saída: (b) mesma amplitude, (c) atenuação, (d) amplificação, (e) inversão de fase.
A análise CA de circuitos com diodos consiste basicamente nas seguintes etapas (fluxograma na Figura 6.8):
1) Listar
análiseasdasuposições
disposiçãogerais existentes
dos diodos sobre o funcionamento
para determinar dos diodos.
quais das suposições geraisEm
sãocertos casos,possíveis.
realmente pode-se realizar uma
2) Aplicar os modelos aproximados ou ideal e resolver o circuito pela teoria de Circuitos Elétricos (Leis de Kirchoff).
3) Para cada hipótese feita, determinar a característica de transferência e a condição para que a mesma seja verdadeira,
onde estas condições são determinadas com base nas mesmas regras adotadas para a análise CC, ou seja:
 Modo condução: ID > 0 para os modelos ideal e aproximados do real;
 Modo corte ou bloqueio: VD  0 para o diodo ideal e VD  V para os modelos aproximados do real.
Nesta etapa, deve-se atentar para o atendimento de alguns requisitos para os cálculos do circuito:
3.1) O sinal de entrada deve ser tratado como variável desconhecida para determinar as características e condições,
ou seja, sem considerar sua forma de onda, que será empregada apenas na realização da etapa 4.
3.2) A equação de uma característica de transferência deve ser expressa de modo que as únicas incógnitas sejam as
variáveis de entrada e saída, pois os demais parâmetros do circuito devem ser considerados conhecidos;
3.3) As condições para cada suposição geral possível consistem de inequações que contemplam limites impostos
apenas à variável de entrada do circuito, ou seja, independem da variável de saída.
3.4) Como a característica I-V do diodo (e conseqüentemente seus modelos) não apresenta descontinuidades, então
tanto as características de transferência quanto as respectivas condições são contíguas (complementares) em
seus limites (pontos de fronteira), o que pode ser usado para testar se os cálculos e resultados estão corretos.
4) Obter os demais resultados (usualmente, formas de onda do sinal de saída para um determinado sinal de entrada).
Fazer uma Cálculo de circuitos Todas as
Analise preliminar (características de
hipótese dentre hipóteses sim Demais
(hipóteses possíveis transferência e
as possíveis e possíveis? cálculos
para os diodos) aplicar modelos respectivas condições)
não

Figura 6.8: Fluxograma simplificado da métodologia de análise CA de circuitos com diodos.


O comportamento de chave liga-desliga dos diodos é explorado em diversas classes de circuitos para modificar
formas de onda de sinais elétricos. A seguir são introduzidos os fundamentos de alguns destes tipos de circuitos.
77
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

6.2.4.1) Retificadores com diodos


Retificadores são circuitos utilizados para converter tensão alternada (e conseqüentemente corrente alternada),
que geralmente se dispõe, em tensão (corrente) contínua, que os circuitos eletrônicos necessitam para funcionar.
Seja então o circuito apresentado na Figura 6.9-a, constituído por uma fonte de tensão vS (variável de entrada),
que alimenta uma resistência de carga RL com uma tensão vL (variável de saída) através de um diodo D.
A K A K

D V Rf vD
vS RL vL vS iD RL vL vS RL vL

(a) (b) (c)


Figura 6.9: Retificador de meia-onda com diodo: (a) esquema do circuito; (b) circuito de cálculo
para o modo em condução do diodo; (c) circuito de cálculo para o modo em bloqueio do diodo.
Como a fonte vS é variante no tempo, então a tensão de polarização do diodo poderá levá-lo tanto à condução
quanto ao corte. Logo, deve-se realizar a análise CA para estas duas hipóteses possíveis para a operação do diodo.
Adotando-se o modelo aproximado do real para o diodo como exemplificação dos cálculos da análise CA e
considerando-se o sinal vS como variável de entrada e a tensão vL como variável de saída do circuito, tem-se:
 Suposição 1: D em condução
Substituindo-se o modelo aproximado do real do diodo no modo condução obtém-se o circuito da Figura 6.9-b.
Aplicando LKT na malha do circuito e considerando-se iD > 0 como condição do diodo em condução, tem-se:
vS  Vγ
vS V Rγi DfR
Di
L   D i 0    0 > vS cVoγndição
RL  R f
que é a condição para que esta suposição seja verdadeira. Assim, a equação da tensão de saída vL será dada por:
 vS  V  RL RL V
vL R i L  R 

γ
D L = vL vS característicadetransferência
RL  R f RL+Rf L
R f
+R

Esta equação expressa o comportamento da saída vL em função da entrada vS , isto é, vL = f(vS), considerando os
demais parâmetros conhecidos, o que define a característica de transferência do circuito para o modo condução do
diodo. Desse modo, se a entrada vS satisfazer a condição vS > V , então o diodo está em condução e a equação da
característica pode ser empregada para determinar a forma de onda da saída vL de acordo com o sinal entrada vS .
Além disso, pode-se observar que a equação da característica é uma reta de declividade m = RL/(RL + Rf), tal
que: 0 < m < 1, ou seja, o sinal de entrada sofre atenuação na saída, que ocorre devido à queda de tensão no diodo.
 Suposição 2: D no corte
Substituindo-se o modelo no corte do diodo (Figura 6.9-c), observa-se que a corrente no circuito é nula. Logo, a
equação da saída vL será dada por: vL = RL iD   vL = 0 V característica de transferência
Aplicando-se LKT na malha do circuito, tem-se: vS  vD  vL = 0   vD = vS (1)
Sendo vD  V a condição para o diodo no corte então, do resultado (1), tem-se que: vS V condição
Desse modo, se a entrada vS satisfazer a condição vS  V , então o diodo está no corte e a característica de
transferência obtida pode ser usada para determinar o comportamento da saída vL em função do sinal de entrada vS.
 Teste da veracidade dos resultados: com base na recomendação 3.4 da análise CA, pode-se observar que as duas
condições obtidas (vS > V e vS  V ) são complementares. Além disso, com a introdução do ponto de fronteira
entre as duas condições ( vS = V) na característica de transferência para o diodo em condução, obtém-se: vL = 0,
que é igual ao resultado para o diodo no corte. Assim, conclui-se que os cálculos realizados estão corretos.
Supondo-se que a fonte vS seja um sinal de tensão sendoidal vS = Vm sen(t) então, com base nas características
de transferência e respectivas condições obtidas, pode-se determinar a forma de onda da saída vL com base na forma
de onda desta entrada. A Figura 6.10-a mostra então o comportamento da saída vL , onde observa-se que, enquanto a
entrada vS for menor ou igual ao nível de limiar do diodo ( vS  V), a saída vL será nula segundo sua correspondente
característica de transferência e, quando vS ultrapassa o limiar do diodo ( vS > V), surge o sinal de entrada atenuado na
saída vL segundo sua correspondente característica de transferência. Conclui-se então que este circuito converte tensão
de entrada CA em uma tensão CC pulsante, pois a saída vL é sempre positiva ou nula e, desse modo, a corrente flui na
carga RL somente em um sentido. Como mencionado, este processo é chamado retificação e, como a tensão na carga
surge em apenas meio ciclo do sinal de entrada, o circuito é porisso denominado retificador de meia onda.
Na Figura 6.10-a observa-se também que o diodo não inicia sua condução no tempo t = 0, mas a partir de um
certo ângulo i , chamado ângulo de condução de corrente, exigido para que a tensão da fonte vS se iguale à tensão de
limiar V de modo a vencer a barreira de potencial do cristal PN. Logo, quando t = i então vS = V e obtém-se:
78
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

 Vγ 
vmS V sen t )(  
V
mi γ ) ( i  
V sen arcsen
   (6.6)
 Vm 
Com base na equação (6.6) observa-se que quanto maior o valor máximo do sinal de entrada ( Vm) em relação ao
limiar do diodo (V), menor será o ângulo de condução i. Logo, se Vm >> V então i  0 e, neste caso, conclui-se
que a queda de tensão no didodo pode ser desprezada e o mesmo pode ser modelado como ideal. Assim, considerando
V = 0 V Rf = 0  (modelo do diodo ideal), tem-se o comportamento do sinal de saída vL para a entrada vS mostrado
na Figura 6.10-b, onde as características de transferência e respectivas condições serão agora definidas por:
 Suposição 1: D em modo condução : vL = vS (característica de transferência), para vS > 0 (condição). Logo, a
saída passa a acompanhar totalmente a entrada devido à declividade unitária da característica ( m = 1).
 Suposição 2: D no modo corte: vL = 0 (característica de transferência), para vS 0 (condição).
vS , vL vS , vL vL para
Vm Vm Vm >> V

V
vL

0  2 3  t 0  2 3  t
i
vS vS
- Vm - Vm
(a) (b)

Figura 6.10: Formas de onda de entrada e saída do retificador de meia-onda para diodo modelado
como: (a) aproximado do diodo real, com identificação do ângulo de condução; (b) diodo ideal.
Os sinais assim retificados constituem-se de ondulações, mas os circuitos de corrente contínua exigem níveis de
tensão praticamente constantes no tempo. A redução destas ondulações para níveis praticamente constantes de tensão
pode ser obtida com a introdução de um capacitor em paralelo com a carga RL , de modo a armazenar energia para
momentâneos fornecimentos à carga, funcionando como um filtro. A Figura 6.11-a mostra então o retificador de meia
onda com um capacitor de filtro C, onde observa-se que a tensão de saída vL é agora definida pela tensão do capacitor.
Para o estudo do efeito filtragem do capacitor, a Figura 6.11-b mostra a forma de onda da tensão de carga vL
para uma entrada senodial vS = Vm sen(t), modelando o diodo como ideal (Vm >> V), e uma chave k que se fecha no
instante t = 0 s para a entrada vS. Nota-se então que, no primeiro quarto de ciclo do sinal de entrada vS (0  /2), o
diodo entra em condução (vS > 0) e a tensão no capacitor acompanha a entrada vS , com o capacitor carregando-se até
Vm , ou seja, vL = Vm (Figura 6.11-b). Porém, entre os instantes de tempo /2 e t1, observa-se que a entrada vS , que
polariza o anodo do diodo ( VA), passa a diminuir de valor e se torna menor que a tensão do capacitor, que polariza o
catodo do diodo (VK), o que resulta na polarização reversa (pois VD = VA  VK < 0) e no bloqueio do diodo. Este fato
permite então ao capacitor se descarregar sobre a carga RL até o instante t1, onde a entrada vS volta a ser maior que a
tensão no capacitor, o que faz o diodo entrar novamente em condução e carregar o capacitor ( vL segue novamente a
entrada vS), até o instante 5/2, onde o diodo entra de novo no corte, e assim sucessivamente (Figura 6.11-b).
A forma de onda de tensão vL na carga resulta então em comportamento aproximadamente constante, contendo
ainda uma certa ondulação, denominada ripple (Figura 6.11-b), que surge devido ao descarregamento/carregamento
do capacitor. A Figura 6.11-c mostra um resultado similar considerando-se o modelo aproximado do real do diodo,
onde observa-se que a tensão na carga RL não segue totalmente a entrada vS devido à queda de tensão no diodo.
vL descarregamento do capacitor vL vL com
k VA VK
carregamento do capacitor capacitor
t=0s D Vm Vm
ripple
vS C RL vL vL s/ vL com vL s/
cap. capacitor cap.
0 /2 t1 5/2 t 0 /2 3/2 t
(a) (b) (c)
Figura 6.11: (a) Circuito retificador de meia onda contendo capacior de filtro; forma de onda da tensão de carga
vL e formação do ri le, considerando o modelo do diodo como: (b) ideal (Vm >> V ) e (c) a roximado do real.
Contudo, uma tensão de saída do retificador ( vL) com a presença de um ripple acentuado pode não ser adequada
para alimentar cargas que exigem uma tensão CC praticamente constante. Neste caso, como o ripple é resultado do
descarregamento do capacitor na carga, deve-se então buscar maneiras de reduzir a descarga do capacitor.
79
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Uma forma de diminuir o descarregamento do capacitor de modo a reduzir o ripple consiste no aumento da
resistência de carga RL (com, por exemplo, a conexão de resistências de carga com menor consumo de potência), o
que acarreta na diminuição da corrente de descarga do capacitor. Similarmente, outra forma consiste em introduzir um
capacitor de maior capacitância, pois isto implica em maior capacidade de armazenamento de energia e, portanto, em
uma maior capacidade de fornecimento de eletricidade à resistência
de carga e em menor descarregamento do capacitor (Figura 6.12). vL C3 > C2 > C1
Estas práticas para a atenuação do ripple podem ser também Vm C3
C2
entendidas observando-se que, durante o descarregamento, a carga RL C1
e o capacitor C formam um circuito RC autônomo. Desse modo, pela
teoria de Circuitos Elétricos, sabe-se que a rapidez da descarga do
capacitor se dá pela chamada constante de tempo  = RC. Neste caso, 0 t
como um pequeno valor de  comparado ao período da sinal implica
Figura 6.12: Atenuação do ripple na carga
em uma descarga mais rápida, então necessita-se elevar o parâmetro  como resultado do aumento da capacitância.

com o Uma
aumento de C e/ou
melhoria RL de modo
importante a reduzirde
do retificador aomeia-onda ripple
máximo o para a .atenuação do ripple advém da observação de que
o carregamento do capacitor ocorre apenas durante o semiciclo positivo do sinal de entrada vS (Figura 6.11). Este fato
sugere que, se o semiciclo negativo for também aproveitado para o carregamento do capacitor, então consegue-se uma
maior eficiência na retificação de um sinal, pois o descarregamento e, por conseguinte o ripple, será menor. Este é o
caso dos chamados retificadores de onda completa, classificados em dois tipos: meia amplitude e amplitude completa.
Seja então na Figura 6.13-a um circuito retificador com diodos que emprega um transformador em cujo lado
secundário se encontra disponível um divisor de igual número de espiras, chamado tap central ou “center tap”. O tap
central possibilita a obtenção de dois retificadores de meia-onda, um para cada semiciclo (positivo e negativo) da
tensão no secundário do transformador, de modo a direcionar para o capacitor a meia-onda de cada semiciclo no
mesmo sentido. Como os dois semiciclos são aproveitados, então o capacitor C demorará um tempo menor para ser
recarregado, o que reduz os níveis de ripple na tensão de saída da carga (Figura 6.13-b). Como apenas meia amplitude
do secundário é aproveitada, este circuito retificador de onda completa é então denominado de meia-amplitude.
vS , vL vL com
Vm capacitor
vS /2 Vm/2
vP
vS /2
C RL vL 0 t
vL sem
transformador vS capacitor
abaixador -Vm
(a) (b)
Figura 6.13: (a) Retificador de onda completa e meia amplitude; (b) forma de onda de saída na carga.
Similarmente, a Figura 6.14-a mostra um circuito que emprega o conjunto de 4 diodos conectados em um
formato conhecido como ponte retificadora ou ponte de diodos, que promove o desvio de ambos os semiciclos
positivo e negativo da tensão do secundário do transformador para que incidam no capacitor no mesmo sentido. Logo,
com o aproveitamento dos dois semicilos, tem-se também um menor tempo de descarregamento para o capacitor e a
redução dos níveis de ripple (Figura 6.14-b). Como neste caso é utilizada a amplitude total da tensão no secundário do
transformador, então este circuito é chamado retificador de onda completa em ponte. Além disso, por ser comum a
construção destes retificadores, a Figura 6.14-c mostra a aparência de um CI (circuito integrado) de ponte de diodos.
vS , vL vL com capacitor

Vm
vP vS

C RL vL 0 vL sem
t
transformador vS
capacitor
abaixador -V m
(a) (b) (c)

Figura 6.14: (a) Retificador de onda completa em ponte; (b) forma de onda de saída; (c) CI em ponte comercial.
O filtro capacitivo empregado até aqui é o mais simples e, na necessidade de uma melhor filtragem, pode-se
empregar configurações mais eficientes, tais como as mostradas nas Figuras 6.15-a e b. Estes filtros baseiam-se no
fato de todo sinal periódico não senoidal, como é o caso das ondulações de ripple, poder ser decomposto em sinais
80
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

senoidais de freqüência múltipla de um valor fundamental (exemplo: 60 Hz), chamadas harmônicas. Assim, como a
reatância de um indutor aumenta com a freqüência e a de um capacitor diminui, então parte das harmônicas de maior
freqüência tendem a ser bloqueadas para a carga pelo indutor em série e parte tendem a ser desviadas de volta à fonte
pelo capacitor em paralelo, restando na saída apenas uma componente CC e harmônicas de menor freqüência.
Quando um projeto de retificador não atende sozinho todos os requisitos de corrente que a carga exige, pode-se
empregar ainda certos CI’s chamados reguladores de tensão, que possuem apenas três terminais (Figura 6.15-c) e têm
como exigência apenas que seja aplicada uma tensão na entrada (pino 1) no mínimo 3 V acima da tensão que se deseja
na sua saída para a carga (pino 3). Uma série destes reguladores é chamada 78XX, onde XX é o valor da tensão de
regulação. Exemplos: CI 7806 e CI 7812, onde a tensão de saída é regulada em 6 V e 12 V, respectivamente.
progressão do sinal até a carga D1 CI regulador de tensão

1 3
L L
DC RL DC1 C2 RL C 2
RL
D2
(a) (b) (c)

Figura 6.15: Filtragem: (a) LC em “L”, (b) LC em “”; (c) fonte CC com CI regulador de tensão comercial.
O princípio de funcionamento dos retificadores com diodos pode ser utilizado também para se obter um efeito
multiplicador de tensão, que consiste na obtenção na saída, em termos ideais, de múltiplos (2x, 3x, 4x, etc.) do valor
máximo do sinal de entrada (exemplo: dobrador de tensão da Figura 6.16-a). Estes circuitos são empregados quando
necessita-se obter níveis de tensão CC maiores que o valor máximo disponível pela fonte de tensão de entrada.
Outra aplicação da ponte de diodos vista anteriormente consiste na construção de fontes para o fornecimento de
dois níveis de tensão CC (positivo e negativo) em relação a um terminal de referência 0 V (exemplo na Figura 6.16-b),
denominadas fontes simétricas, empregadas na polarização de componentes eletrônicos (exemplo: amplificadores
operacionais) e equipamentos que necessitam de níveis de tensão CC +/  para o seu correto funcionamento.
+VCC
Vm
D1 C1 Vm 2 Vm C
-Vm
0V

C
C2 Vm
D2
–VCC

(a) (b)

Figura 6.16: Outras aplicações: (a) duplicador de tensão tipo dobrador; (b) fonte simétrica com diodos.

6.2.4.2) Ceifadores com diodos


O comportamento chave dos diodos pode também ser aproveitado para selecionar uma parte do sinal de entrada
a ser transferida à saída, chamados ceifadores. Estes circuitos podem empregar fontes de tensão CC, cujas polaridades
definem níveis de referência positivos ou negativos para a seleção do sinal de entrada. A disposição dos diodos no
circuito, por sua vez, define qual parte do sinal de entrada, acima ou abaixo dos níveis de referência, será transferida à
saída, ou seja, a lógica de ceifamento. Estas combinações definem os três tipos de circuitos ceifadores com diodos:
 Limitadores ou grampos: selecionam a parte do sinal de entrada abaixo de um nível positivo, chamado grampo
positivo ou +, ou acima de um nível negativo, chamado grampo negativo ou  (exemplos nas Figuras 6.17-a e b).
 Detetores de pico: selecionam a parte da entrada acima de um nível positivo, chamado detetor de pico positivo ou
+, ou abaixo de um nível negativo, chamado detetor de pico negativo ou  (exemplos nas Figuras 6.17-c e d).
 Fixadores: resultam da associação de um grampo + e um grampo  para selecionar uma faixa dos sinal de entrada
(exemplo na Figura 6.17-e), ou um grampo + e um detetor de pico +, ou um grampo  e um detetor de pico .
Circuitos ceifadores são então empregados para deformar a forma de onda de um sinal requerida por alguma
aplicação. Por exemplo, grampos e fixadores podem ser empregados para a proteção de cargas contra níveis de tensão
elevados, e detetores de pico para a contagem de eventos de ultrapassagem de um nível de referência específico.
Outra aplicação do efeito chave dos diodos consiste na introdução de um nível CC para o sinal de entrada,
denominados grampeadores CC (exemplo na Figura 6.17-f), que são utilizados quando se necessita acrescentar um
nível CC +/ a um pequeno sinal para que este possa ultrapassar um componente do circuito com mínima atenuação.
81
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

R vo vS R vo vo
D D
VR
vS vS
VR
-VR
VR vo
vS
(a) (b)

R vo vo R vo vS
D VR
D
vS vS
VR -VR
VR vS vo

(c) (d)

R vS vo
vo C vo 2 Vm
D1 D2 V R1
vS vS D Vm
V R2 V R2
V R1 vo
-V m vS
(e) (f)

Figura 6.17: Esquemas simplificados de alguns circuitos ceifadores com diodos: (a) grampo +, (b) grampo ,
(c) detetor de pico +, (d) detetor de pico , (e) fixador com grampo + e grampo ; (e) grampeador CC +.

Exercício 4: Para o circuito fornecido abaixo, considere o modelo ideal para o diodo e determine a forma de onda da
saída vo para uma entrada vS composta por um sinal senoidal de amplitude 20 V e uma componente CC de 10 V.
A K A K
iD
D 5 k vo 5 k vo vD 5 k (2) vo
vS vS (1) vS (1)
20V 20V 20V

(A) (B)
Solução
Analisando-se o circuito observa-se que, apesar da presença de uma fonte CC (20 V), a fonte variante no tempo
vS poderá polarizar o diodo D em seus dois modos de operação (condução e corte), ou seja, deve-se proceder com a
análise CA de circuitos com diodos para se determinar a forma de onda da saída vo . Assim:
 Suposição 1: D em condução: com o modelo do diodo ideal em condução, tem-se o esquema da figura (A). Logo:
Aplicando LKT na malha externa, tem-se: vS  vo 0  vo= v S característica de tran sferência
Aplicando LKT na malha 1 e lembrando-se que iD > 0 é a condição do diodo em condução, tem-se:
vS  20
vS  5000 iD 20
 0  i
D  0 v S >20 V condição
5000
 Suposição 2: D no corte: com o modelo do diodo ideal no corte, tem-se o esquema da figura (B). Logo:
Aplicando LKT na malha 2, tem-se: 20  v 0  v 20 V característica de transferência
o o
Aplicando LKT na malha 1 e lembrando-se que vD  0 é a condição do diodo ideal no corte, tem-se:
vvSD   20 0vDvS    200 v S20 V condição
 Teste de veracidade:observa-se que as condições obtidas ( vS > 20 V e vS  20 V) são complementares e que, com a
introdução do ponto de fronteira (vS = 20 V) nas características, obtem-se o vS , vo (V)
mesmo resultado (vo = 20 V), comprovando que os cálculos estão corretos.
30
 A entrada vS fornecida é descrita por: vS = 10 + 20 sen(t). Com base nas vo
caracteríticas de transferência e respectivas condições, reescritas a seguir: 20
vo v para
S v 
V S20
10

v
 o  V
20 vparaV S  20
vS
obtém-se então a forma de onda da saída vo mostrada na figura ao lado, onde 0 /2 3/2  t
observa-se que o circuito apresenta o comportamento de detetor de pico + .  10

82
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Exercício 5: Para o circuito dado ao lado, adote V = 0,7 V e Rf = 0  como


modelo do diodo empregado (aproximado do real simplificado), e determine: 200  D
a) As características de transferência e respectivas condições, considerando vL
como variável de estudo do circuito (variável de saída). vS 300  vL
b) A forma de onda de vL para um sinal triangular de amplitude 12 V para vS . 5V
c) A forma de onda da tensão no diodo D para a mesma entrada vS do item b).
Solução
(a)
200  i iD iL iL iL
A 200  A
vD
vS 0,7 V 300  vL vS 300  vL
K K
(1) (2) (1)
5V 5V
(A) (B)
a) Como há apenas um diodo no circuito, então há 2 suposições possíveis: D em condução e D no corte. Assim:
 Suposição 1: D em condução- com o modelo do diodo em condução, tem-se o esquema da figura (A). Logo:
vS  5,7
Aplicando LKT na malha 1: vS  200 
i 0,7  5 0  i
200
Aplicando LKT na malha 2: 5 0,7 300  iL 0   iL0, 019 A
ou ainda, com LKT na malha 2: 5 0, 7   vL 0  v L= 5,7 V característica de transf erência
Aplicando LKC no nó (a) e lembrando-se que iD > 0 é a condição do diodo em condução, tem-se que:
vS  5,7
i i 
iD 
L i i 
i D 
L   0,019 0 v S >9,5 V condição
200
 Suposição 2: D no corte - com o modelo do diodo no corte, tem-se o esquema da figura (B). Logo:
vS
Aplicando LKT na malha externa: vS iL 200
iL  
300 
iL0 
500
Logo: vL  300 iL 300 v/S 
500 v L 0,6 vS caracterí stica de tra ns ferência
Aplicando LKT na malha 1 e considerando-se vD  0,7 V como condição para o diodo no corte, tem-se:
5  vv

D  L
0 vv   
Dv 5
v
L  V
0, 6 D 5 
0, 7 S v S9, 5 V condição
 Teste de veracidade: como as condições obtidas ( vS > 9,5 V e vS  9,5 V) são complementares e o ponto de
fronteira (9,5 V) produz o mesmo resultado nas características (vL = 5,7 V), então os cálculos estão corretos.
b) Para um sinal de onda triangular de amplitude 12 V como entrada vS e com base v S , v L (V )
nas caracteríticas de transferência e respectivas condições, reescritas a seguir: 12
vL  5,7
V v paraV S  9,5 9,5 vS

v
 L  v
0,6 S v paraV S  9,5 5,7
obtém-se então a forma de onda da saída vL mostrada na figura ao lado. Pode-se 0  2 3  t
observar que o circuito apresenta comportamento similar a um grampo +, porém
-7,2
com grande atenuação (40%) do sinal de entrada na saída (pois vL = 0,6 vS). Isto vL
deve-se ao fato do resistor que tem a função de desacoplar o sinal de entrada para -12
a saída (200 ) ser comparável à carga do circuito (300 ), o que não é uma realidade prática, pois normalmente o
resistor de desacoplamento deve ter o menor valor possível para reduzir ao máximo sua queda de tensão.
c) A mudança da variável a ser estudada implica em nova relação entrada-saida.
Logo, as características de transferência considerando a tensão no diodo (vD)
como variável de saída devem ser novamente calculadas, porém as condições 200  D vD
são as mesmas pois são limites impostos à variável de entrada vS e vS 300  vL
independem da variável de saída. Assim, com novos cálculos (circuito ao 5V (1)
lado), obtém-se:
vDV 0, 7 v paraV S
9, 5
vL , vD (V)

vL v0, 6 S
5v para
V S
9, 5 5,7
vL
Neste exercício, porém, a forma de onda da tensão no diodo pode também 0,7
ser obtida com o auxílio da forma de onda da tensão vL obtida no item b). Com -5
0 t
base no circuito ao lado e aplicando-se LKT na malha de 1, obtém-se: -7,2 vD
5  vD vL  0 vD vL 5 (1) -12,2
Como a forma de onda de vL é conhecida do item b), pode-se então obter a forma de onda da tensão vD no diodo
resolvendo graficamente a equação (1), o que é apresentado no gráfico acima.
83
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Exercício 6: Para o circuito dado a seguir, determine a forma de onda da tensão de saída vL para um sinal de tensão
de entrada vS = 8 sen(t). Dados dos diodos: V = 0,7 V e Rf = 0  (modelo aproximado do real simplificado).
Solução
(a) (b)

10  10  i A iD1 K iL
D1 D2 vD2
0,7V
vS 10 k vL vS K A 10 k vL
(2)
5V (1) 5V
5V 5V

(A) (c) (d)


O circuito apresenta dois diodos retificadores ( n = 2) e, portanto, existem 2 n = 2 2 = 4 suposições gerais: D 1 e D2
em condução; D1 em condução e D2 no corte; D1 no corte e D2 em condução; e D1 e D2 no corte.
Contudo, analisando-se a disposição dos diodos e das fontes CC, observa-se que a suposição geral D 1 e D2 em
condução não é possível pois, supondo os diodos ideais, se ambos estivessem em condução (chave fechada), a tensão
vL na carga apresentaria dois valores proporcionados pelas fontes CC: +5 V e -5 V, o que é circuitalmente impossível.
Como a fonte vS é variante no tempo, deve-se então fazer a análise CA com as três suposições gerais restantes.
 Suposição geral 1: D1 em condução e D2 no corte - com os modelos dos diodos, tem-se o circuito da figura (A):
v  5,7
Aplicando LKT na malha 1, tem-se: viS  10 0, 7 5i 
0  
i vS   0,1 0,57 S
10
Aplicando LKT na malha formada pelos pontos a-b-c-d do circuito na figura (A), tem-se:
5 0, 7   vL 0  v L= 5,7 V característica de tran sferência
v
Logo, a corrente na carga será dada por: iL  L4  5,74  0,57  10 3 A
10 10
Aplicando LKC no nó (a) e considerando iD 1 > 0 como condição para o diodo D1 em condução, tem-se:
3
i i ii iD1 
v L   D1  L 0,1 v S0,57
 0,57 v10
V  0,1 
0,57
S 0 5, 7S condição (1)
Aplicando LKT na malha 2 e considerando vD2  0,7 V como condição para o diodo D2 no corte, tem-se:
5 0,
7 vD2 
5 0  v VDV 
2 10, 7 0, 7 condição(2)

Como a condição (2) é sempre verdadeira, basta satisfazer a condição (1). Logo: vS > 5,7 V condição
(a) (b) (a) (b)

10  10  i iD2
A K iL A K iL
vD2
0,7V
vD1 vD1
vS
(1) 10 k vL vS 10 k vL
K A K A
5V (1) 5V
5V 5V (2)

(d) (B) (c) (d) (C) (c)


 Suposição geral 2: D1 e D2 no corte - com os modelos dos diodos, tem-se o circuito da figura (B). Logo:
vS
Aplicando LKT na malha externa, tem-se: vS iL 10iL  10 4 i0L  
10.010
10.000
Logo: vL  10
i 4 L v v   S  S v=L vS característicade transferência
10.010
LKT na malha 1 e considerando vD1  0,7 V como condição do modelo para o diodo D1 no corte, tem-se:
vS v
iL 10   1vDSv50
D v Sv
S 1 10S v5 
 10.010 V 5
 0,7 5,7 (condição1)
LKT na malha a-b-c-d e considerando vD2  0,7 V como condição do modelo para o diodo D2 no corte, tem-se:
10
vSvDiL 10  vD25
vS 0 v Sv 2
S   Sv5  5 0,7
V  5,7 (condição
2)
10.010
Logo, com o conjunto verdade para as condições 1 e 2 obtidas, tem-se: 5,7 vS 5,7 V condição
 Suposição geral 3: D1 no corte e D2 em condução - com os modelos dos diodos, tem-se o circuito da figura (C):
v  5,7
LKT na malha a-b-c-d do circuito: viS  10 0,7
 5i 
0  
i vS   0,1 0,57 S
10
LKT na malha 2:  5 0, 
7  vL 0  v L= 5,7 V cara cterística de tra nsferên cia
v  5,7
Logo, a corrente na carga será dada por: iL  L4 4 0,57  10 3 A
10 10

84
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

LKC no nó (b) e considerando iD2 > 0 como a condição para o diodo D2 em condução, obtém-se:
3
iii i
ii D
2 L D
2 vL 0,57v10
 
0,1  S v0,57
V   0,1

 0,57
S 0 5,7
S condição(1)
LKT na malha 1 e considerando a condição vD1  0,7 V como condição para o diodo D1 no corte, tem-se:
5  vD1 0,7  5 
0 v V
VD1 10, 
7 0, 7 condição(2)
Como a condição (2) é sempre verdadeira, basta satisfazer a condição (1). Logo: vS < 5,7 V condição
 Teste de veracidade: as condições (vS > 5,7 V ,  5,7  vS  5,7 V e vS <  5,7 V) e características de transferência
(vL = 5,7 V, vL = vS e vL =  5,7 V) são complementares em seus limites. Concui-se que os cálculos estão corretos.
 Para vS = 8 sen(t) e caracteríticas de transferência e respectivas condições: vS , vL (V)
vL  V
5,7 v para
V S  5,7 8 vS
 5,7
vvL  Spara 5v,7 V S5, 7
v  V5,7 v para 
V 5,7 vL
 L S

obtém-se a forma de onda de saída vL mostrada na figura ao lado e nota-se 0  2 3  t


que trata-se de um ceifador tipo fixador. Comparado ao Exercício 5, nota-se - 5,7
também um comportamento praticamente ideal para vL, pelo fato do resistor
que desacopla a entrada da saída (10 ) ser bem menor que a carga (10 k). -8

Exercício 7: Com base nos resultados do exercício 6, desenhe o gráfico da característica de transferência total do
circuito e obtenha, por método gráfico, a forma de onda da saída vL para o mesmo sinal de entrada vS do exercício 6.
Solução v L (V ) vL (V)
Com base nas equações das características de
transferência e nas correspondentes condições obtidas 5,7 5,7 t3 t4
no exercício 6, pode-se obter o comportamento gráfico 3
- 5,7 =1 2 2
da variável vL do sinal de saída em função da variável 0 5,7 0   t
v S ( V)
vS do sinal de entrada, mostrado na figura ao lado, o t1 2 t2
que constiui-se então no gráfico total da característica - 5,7 - 5,7
de transferência do circuito visto no exercício 6.
O método gráfico para a obtenção da forma de -8 0 8
forma de onda do
onda da saída a partir do gráfico da característica de t1 v S ( V)
/2 sinal de saída
transferência consiste em desenhar ponto a ponto a t 2
forma forma de entrada
onda do
entre ode onda
sinal de da saídaepor
entrada meio da correspondência
a característica, de modo que  t3 sinal de
3/2
cada valor do sinal entrada em dado instante de tempo t4
correponde a um valor na saída no mesmo instante de 2
tempo, tal como exemplificado na figura ao lado. t

6.3) COMPORTAMENTOS DO DIODO EM PEQUENOS SINAIS


Certas formas de onda de pequena amplitude (até centenas de mV), denominadas pequenos sinais, consistem de
informações (áudio, dados, etc.) que necessitam ser transmitidas em um circuito com a melhor conformidade possível
e, desse modo, não podem sofrer bloqueio e deformações significativas em sua propagação pelo circuito. Logo, em
circuitos de diodos com a presença de pequenos sinais, deve-se prover condições para que estes ultrapassem os diodos
com mínimas distorções, o que resulta em modelos esquemáticos para os diodos distintos dos vistos anteriormente.
Além disso, cristais PN apresentam um efeito capacitivo quando em condução, que se torna tanto mais pronunciado
quanto mais rápida for a variação do sinal (frequência), o que pode resultar em um retardo relevante no chaveamento
liga-desliga do diodo. Como pequenos sinais são geralmente de alta frequência, os modelos esquemáticos do diodo
para pequenos sinais devem contemplar também este efeito capacitivo. Estes assuntos são abordados a seguir.
6.3.1) MODELO DO DIODO PARA PEQUENOS SINAIS E ALTAS FREQUÊNCIAS
O mecanismo usualmente utilizado para possibilitar a ultrapassagem do pequeno sinal pelo diodo, bem como o
referido efeito capacitivo presente nos cristais PN em condução, resultam na combinação de um elemento ôhmico e
um elemento capacitivo para a obtenção do modelo do diodo para pequenos sinais e altas frequências, vistos a seguir.

6.3.1.1) Resistência incremental


Seja a situação representada no circuito exemplo dado na Figura 6.18-a, em que um sinal de pequena amplitude
vS = Vm sen(t) necessita ser transferido à carga RL através do diodo D com mínimas distorções. Para possibilitar
adequadamente esta transferência, ao pequeno sinal é normalmente adicionado um nível CC VR (Figura 6.18-a), de

85
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

montante suficiente para polarizar o diodo na região de condução em um ponto de operação conveniente, de modo a
estabelecer uma corrente IDQ no circuito devido a uma tensão VDQ aplicada pelo nível CC VR (Figura 6.18-b). Como
consequência, observa-se que a variação do pequeno sinal vS resulta em uma oscilação do ponto de operação do diodo
entre valores Qmax e Qmin em torno do ponto de repouso Q (Figura 6.18-b). Conclui-se então que apenas a região de
condução em torno do ponto de operação Q consiste no comportamento do diodo "percebido" pelo pequeno sinal vS .
VD
ID d ID ID
I D  I S e η VT
d VD Q
D Q2
Qmax
vS Q
VR + Vm
IDQ A
VR RL Qmin
vL Q1
VR  Vm rd
0 V VDQ VD
VR
vS K 0 VD

(a) (b) (c) (d)

Figura 6.18: (a) Circuito exemplo de pequeno sinal e nível CC; (b) região de condução percebida pelo pequeno
sinal; (c) modelo do diodo para pequenos sinais; (d) deformação do sinal de acordo com o ponto de operação Q.
Assim, como a derivada dID/dVD em torno do ponto Q consiste em uma aproximação linear da curva na região
de condução percebida pelo pequeno sinal (Figura 6.18-b), este cálculo pode ser utilizado para definir o modelo do
diodo em condução para o pequeno sinal, o que resulta na obtenção de uma condutância incremental gd dada por:
d ID d ( I S eVD / VT )  VV D
1 
VDQ
1 I DQ
gd    S S I e T
d  I e VT  g
d VD Q
dV D Q
V  TV Q V T  T
I DQ

em que o termo IS exp(VDQ/VT) corresponde à corrente IDQ no diodo estabelecida pela nível CC da fonte VR.
Definindo a chamada resistência incremental rd , referente ao inverso da condutância incremental gd , tem-se
que modelo do diodo para pequenos sinais se resume a um elemento ôhmico de valor rd (Figura 6.18-c), tal que:
1  VT
rd   (6.7)
g d I DQ
Com base na equação (6.7) observa-se então que, quanto mais fortemente o diodo for polarizado em condução
pela fonte VR , maior será a corrente IDQ do ponto de repouso e menor será a resistência incremental rd percebida pelo
pequeno sinal, o que é desejável pois resulta em menor atenuação do sinal ao passar pelo diodo. Outra razão para se
estabelecer pontos de operação com polarização forte do diodo em condução reside no comportamento mais linear em
regiões da característica I-V com correntes elevadas, o que resulta em menor distorção da corrente no diodo causada
pelo pequeno sinal, do que em regiões de correntes mais baixas, que tem uma forma mais não linear (Figura 6.18-d).
Observa-se então que os modelos de diodos percebidos por cada componente de tensão do circuito ( VR e vS) são
lineares e, portanto, todo o circuito tem comportamento linear. Assim, na solução do circuito pode ser empregado o
princípio da superposição de efeitos, em que as conseqüências de cada fonte de energia no circuito podem ser
calculadas separadamente (Figura 6.19), e a tensão total na carga RL será então determinada por: vL = VLQ + vLCA.
A K A K

D V R f rd
vS
RL vL IDQ RL vS iDCA RL
VR VLQ vLCA

VR

Figura 6.19: Superposição de efeitos na análise de circuitos de pequenos sinais: polarização (a) CC e (b) CA.

6.3.1.2) Capacitância de difusão


Como visto no Capítulo 5, o cristal PN em polarização direta e em condução apresenta uma corrente dita direta
formada por portadores majoritários que, ao saírem de sua região e atravessarem a junção PN, se tornam minoritários
no outro lado e constituem-se em um efeito em cada substrato do cristal chamado injeção de minoritários.
Seja, como exemplo, o cristal PN em condução mostrado na Figura 6.20-a, onde elétrons livres do substrato N
são injetados no substrato P e se tornam minoritários neste lado. Com a inversão da polarização do cristal, tem-se que
os elétrons injetados no lado P devem retornar ao lado N (Figura 6.20-b) para estabelecer as condições de equilíbrio
86
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

reversas no cristal. Similarmente, com a redução de tensão no cristal PN em condução, parte dos elétrons injetados no
lado P devem retornar ao lado N para estabelecer uma condição de menor corrente. Em ambos os casos, entende-se
que os elétrons injetados representaram cargas em excesso aos minoritários do lado P e seu retorno representa então
um descarregamento de carga acumulada, o que constitui-se em um efeito capacitivo no cristal chamado capacitância
de difusão, designada por CD. Igual raciocínio pode ser realizado para a injeção de lacunas do lado P para o lado N.
A capacitância de difusão é então comum aos cristais PN. No entanto, este efeito se torna relevante apenas se os
tempos de carregamento e descarga de minoritários injetados forem comparáveis aos períodos dos sinais aplicados ao
cristal (sinais de alta frequência). Como grandes sinais são geralmente de baixas freqüências, o efeito da capacitância
de difusão pode ser desprezado nos modelos de diodos vistos anteriormente mas, como pequenos sinais são geral-
mente de altas freqüências, este efeito deve ser considerado. Assim, o modelo completo do diodo para pequenos sinais
consiste no paralelo (acréscimo de efeito) da resistência incremental rd e a capacitância de difusão CD (Figura 6.20-c).
Para a definição da capacitância de difusão, seja q a carga total de minoritários em certo instante injetada nos
substratos do diodo em condução. Como quanto maior a penetração das cargas injetadas em cada substrato, maior é o
tempo de retorno destas e maior é o efeito de carga acumulada, a capacitância de difusão é proporcional ao chamado
tempo de vida médio  das cargas injetadas, que descreve o tempo para que estas se recombinem com majoritários em
cada substrato. Como a taxa com que minoritários injetados são recombinados é conceitualmente uma medida da
corrente direta ID, pode-se definir que: ID = q /. Sendo o modelo do diodo definido em torno de um ponto de operacão
Q (Figura 6.18-b), então a capacitância de difusão descreve as condições de aumento ou redução da carga acumulada
em torno do ponto Q. Assim, supondo que uma variação VD na tensão direta produza uma variação q na carga
injetada em torno do ponto Q, a relação q/VD expressa então o efeito da capacitância de difusão CD , de modo que:
q dq d (I D ) Id
CD       D
 gd
 VD Qd VQ D dQV D
Q
d V D

pois q =  ID . Com a equação da condutância incremental gd , tem-se que a capacitancia de difusão é então dada por:
 I DQ
CD  (6.8)
 VT
de onde conclui-se que o efeito da capacitância de difusão será tanto mais pronunciado quanto maior a corrente direta
(maior quantidade de carga injetada) e maior o tempo de vida médio dos minoritários injetados pela corrente direta.
A

e- e-
P N P N rd CD

injeção de minoritários (acúmulo de carga) descarregamento de carga K


(a) (b) (c)
Figura 6.20: (a) Injeção de carga; (b) retorno de carga; (c) modelo completo do diodo para pequenos sinais.

6.3.2) TEMPO DE RECUPERAÇÃO REVERSA


No estudo dos circuitos com diodos vistos anteriormente, presumiu-se que os sinais eram de baixas freqüências,
o que permitiu supor um chaveamento condução-corte (ON-OFF) dos diodos praticamente instantâneo. No entanto,
devido ao efeito de carga acumulada causada pela capacitância de difusão e de um retardo para se atingir os níveis de
corrente e largura da região de depleção em polarização reversa, as condições de equilíbrio reversas no cristal PN não
podem ser estabelecidas de imeditato com a comutação ON-OFF, o que representa uma importante limitação técnica.
Para o estudo da comutação condução-corte dos diodos, seja na Figura 6.21-a um ciruito com diodo suposto
chaveado instantâneamente do modo condução ( t < 0) para o modo corte ( t  0) por um sinal de entrada em degrau. A
Figura 6.21-c exemplifica o comportamento transitório da corrente ID no diodo, onde observa-se que são necessários
dois intervalos de tempo para o total estabelecimento das condições de equilíbrio reversas no diodo:
 Tempo de armazenamento (t a): corresponde ao período gasto com o descarregamento da carga acumulada devido
ao efeito da capacitância de difusão, onde observa-se a condução de uma considerável corrente reversa.
 Tempo de transição (t t ): corresponde ao período necessário para a camada de depleção aumentar de modo a se
adequar à tensão reversa aplicada, e a corrente se reduzir para atingir o nível da corrente de saturação reversa ( IS).
Assim, o intervalo total para a comutação ON-OFF do diodo, denominado tempo de recuperação reversa trr , é
definido como a soma dos tempos de armazenamento e transição, ou seja: trr = ta + tt ( Figura 6.21-c).
Um exemplo de limitação técnica causada pelo tempo de recuperação reversa consiste na retificação de sinais
de altas freqüências, onde os diodos podem não realizar a comutação ON-OFF suficientemente rápida para evitar que
uma parte considerável de um semiciclo seja transferido à carga (Figura 6.21-d). Neste caso, pode-se empregar diodos
de comutação rápida denominados fast recovery, que apresentam tempos de recuperação reversa da ordem de ns.
87
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

ID vS , vL
vS
VF  VF/R
D ta tt IS
vS R
iD 0 t 0 t
-VR  - V R/ R
trr
(a) (b) (c) (d)
Figura 6.21: Estudo da comutação instantânea de um diodo: (a) circuito exemplo; (b) sinal de entrada em degrau;
(c) componentes do tempo de recuperação reversa; (d) distorção na retificacão de um sinal de frequência elevada.

6.4) CRISTAIS PN DE FINALIDADE ESPECÍFICA


O efeito chave liga-desliga do cristal PN consiste na aplicação básica dos diodos comuns, ditos retificadores.
No entanto, diversos comportamentos do cristal PN adicionais ao efeito chave podem ser aproveitados para aplicações
distintas da retificação, o que resultam nos chamados diodos de finalidade específica, alguns dos quais vistos a seguir.

6.4.1) DIODO ZENER


Como mencionado, diodos comuns não são projetados para suportar tensões superiores às de ruptura reversa.
Contudo, fatores construtivos como maior dopagem e maior capacidade de dissipação condicionam o chamado diodo
zener (símbolos esquemáticos na Figura 6.22-a e aparências na Figura 6.22-b) a suportar esta condição de ruptura.
A Figura 6.22-c mostra a característica I-V típica do diodo zener. Observa-se então que as regiões de condução
e corte são similares às de um diodo comum e, para VD < -BV, o diodo zener atinge a chamada região de ruptura, onde
passa a conduzir correntes reversas utilizáveis. Assim, conclui-se que o zener pode ser empregado para funcionar
intencionalmente em um modo ruptura e, desse modo, conduz bem corrente nos dois sentidos (Figura 6.22-b).
Seja IZ a definição da corrente reversa do zener na ruptura. Analisando a região de ruptura do zener observa-se
entãotensão
uma que, a reversa
partir deem
ummódulo
“joelhoVde tensão” , quando
Z entre seus
IZ atinge
terminais, que um certo valor
se mantém IZK , o zener
em móduloconstante
praticamente passa
até um a exibir
limite em
módulo IZM quando o zener por fim se queima (Figura 6.22-b). Logo, se IZ for mantida nos limites IZK  IZ  IZM , o
zener exibe um efeito prático em que a tensão em seus terminais se mantém constante, chamada função regulação de
tensão, onde VZ é chamada tensão de regulação do zener. Este efeito reside na principal aplicação dos zeners.
Com base na Figura 6.22-b observa-se que a linearização da característica I-V nas regiões de condução e corte
resultam nos mesmos modelos para os modos condução e corte do zener vistos anteriormente. Para o modo ruptura
tem-se que, desprezando o joelho de tensão, pode-se definir um modelo esquemático formado por uma fonte de tensão
de valor -VZ percorrida por uma corrente IZ < 0 (Figura 6.22-d). Porém, pode-se optar por um esquema invertido, e
geralmente mais prático, formado por uma fonte de tensão VZ percorrido por uma corrente IZ > 0 (Figura 6.22-d).
ID modelos na
região de região de ruptura ID
região de
ruptura condução
-BV corte A
-VZ VD
“joelho” de -V Z -VZ IZ < 0 0
tensão 0 VD K
- IZK V
K
função - IZ
regulação VZ IZ > 0
de tensão - IZM
A
(a) (b) (c) (d)

Figura 6.22: Diodo zener: (a) simbologias; (b) aparencias diversas; (c) característica I-V; (d) modelo na ruptura.
Com base nos modelos, tem-se que a potência PZ dissipada do zener na ruptura pode ser determinada por:
PZ  VZ I Z (6.9)
Com a especificação de potência máxima PZM na ruptura dada pelo fabricante, pode-se então determinar a
corrente máxima IZM do zener na ruptura, tal que: IZM = PZM /VZ. Com relação a IZK , esta pode ser estimada de forma
prática adotando-se um valor de 10 a 20 % de IZM para garantir que tensão reversa ultrapasse o joelho de tensão.
Zeners comercialmente disponíveis apresentam tensão de regulação entre 2 e 200 V e potência entre ¼ e 50 W.
Exemplos: série “BZX79C” da Phillips: BZX79C5V2 ( VZ = 5,2 V), BZX79C12V (VZ = 12 V), etc.

88
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Exercício 8: Para o circuito e característica corrente-tensão linearizada dos zeners empregados no circuito fornecidos
a seguir, determine a forma de onda da tensão de saída vL considerando um sinal de entrada vS = 8 sen(t).
modo corte modo condução
ID A K
10  A
ID
DZ1 iD > 0
-5  vD  0,7 0,7 V
vS 10 k vL - 5,0 ruptura
-5,0 K
0 K
DZ2 V D ( V)
iZ > 0 0 VD ( V)
0,7 5V 0,7
A
Solução
Como visto, um zener apresenta 3 modos de operação (condução, corte e ruptura). Assim, com a presença de 2
zeners no circuito (n = 2), existem então 3n = 32 = 9 combinações que definem as suposições gerais (tabela abaixo).
Como também visto, um zener conduz nos dois sentidos de corrente (condução e ruptura). Contudo, como os
zenersnoestão
estar corteem
tal série
que aentão, se em
corrente um ambos
estiver seja
no corte, o outro
nula, ou também
seja, se deverá
admitido um DZ1 DZ2 Possível ?
zener no corte, então o outro não poderá estar em condução ou na ruptura. condução condução não
Além disso, com base na disposição dos zeners no circuito observar-se condução corte não
que os mesmos tem polarizações contrárias. Logo, caso um dos zeners esteja condução ruptura sim
corte condução não
em condução, o outro necessariamente deverá estar na ruptura, e vice-versa,
para que ambos os zeners estejam conduzindo corrente simultâneamente. corte corte sim
Assim, pode-se concluir que, das 9 suposições gerais existentes para a corte ruptura não
ruptura condução sim
operação dos zeners, apenas 3 são possíveis (tabela): DZ1 em condução e DZ2
ruptura corte não
na ruptura, DZ1 e DZ2 no corte, e DZ1 em ruptura e DZ2 em condução.
Como a entrada vS é variante no tempo, deve-se então realizar a análise ruptura ruptura não
CA das suposições gerais possíveis. Para os zeners na ruptura, é conveniente empregar o modelo invertido (terminais
e fonte invertidos), pois desse modo pode-se julgar os modos condução e ruptura com base na mesma regra: iZ > 0.
(a) (a)
iZ iZ
10  i iL 10  iL 10  i iL
A A
A 5V
0,7 V vDZ1
K K K
vS 10 k vL vS 10 k vL vS 10 k vL
K K
K
vDZ2 0,7
(1) 5V (2) (1) (2)
A A (1) A

(A) (B) (C)


 Suposição geral 1: DZ1 em condução e D Z2 em ruptura  Figura (A)
v  5,7
LKT na malha 1: i vS  10 0,7
  5 0i  v  S 0,1 0,57S
10
LKT na malha 2: 5 0, 7  vL 0   v L = 5,7 V característica de transferência
v
Logo, a corrente na carga será dada por: iL  L4  5,74  0,57  10 3 A
10 10
LKC no nó (a) e considerando iZ > 0 como condição para ambos os zeners em condução e ruptura, obtém-se:
3 
iii 
i ii Lv  
Z Z 
L 0,1 S v 0,57
 0,57 
 10
  0,1
S 0,57 0 vS ,75 V condição
 Suposição geral 2: DZ1 e DZ2 no corte  Figura (B)
LKT na malha externa: vS i iL  10 4 0
iL   vS
L 10
10.010
10.000
Logo: vL  10
i 4 L vv   S  S v L= vS característica de transferência
10.010
LKT na malha 1:  vDZ2v1 vDZ L v 01v2 v
v 1DZv2  v L
DZ DZ DZ (1) S
A análise das condições no corte para ambos os zeners deve ser realizada com auxílio do resultado (1). Neste
caso, como as condições para DZ1 e DZ2 no corte são, respectivamente, - 5  vDZ1  0,7 V e - 5  vDZ2  0,7 V então,
manipulando-se convenientemente estas duas inequações para se obter o resultado (1), tem-se que:
 5 vDZ 10, 7 
  5  7
1
0,vDZ  5  0, 7 v DZ1
     
 5 vDZ 2 0,7 1)
(  
5    2  
0,v7DZ 0, 7  5 vDZ 2
  5, 7  vDZ1 vDZ 2 5, 7 V (2)

89
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Dos resultados (1) e (2), tem-se então:  5, 7 vDZ 1 vDZ 2 5,


7 5, 7 v S5, 7 V condição
 Suposição geral 3: DZ1 em ruptura e DZ2 em condução  Figura (C)
vS  5,7
LKT na malha 1: i vS  10 5 0,7
 0i  v   0,1 0,57S
10
LKT na malha 2: 5 0, 7  vL 0   v L= 5,7 V característica de transferência
vL  5,7
Logo, a corrente na carga será dada por: iL   4 0,57  10 3 A
104 10
LKC no nó (a) e considerando iZ > 0 como condição para ambos os zeners em condução e ruptura, obtém-se:
3 
iii i iZ
i 
L  
Z 

L v  0,57 v 
10  0,1 S 0,57
  0,1
S 0,57 0 vS 5,7 V condição
 Teste de veracidade: as condições (vS > 5,7 V ,  5,7  vS  5,7 V e vS <  5,7 V) e características de transferência
(vL = 5,7 V, vL = vS e vL =  5,7 V) são complementares em seus limites. Concui-se que os cálculos estão corretos.
 Para um sinal de entrada vS = 8 sen(t) e com base nas caracteríticas de v S , v L (V )

transferência e respectivas vS
v  V5,7condições,
Lv para
V reescritas
 5,7 a seguir:
S
8
5,7

vvL  Spara 5v,7 V S5, 7 vL
v  V5,7 v para V 5,7
 L S
0  2 3  t
obtém-se então a forma de onda da saída vL mostrada na figura ao lado, onde
observa-se que o circuito comporta-se como um ceifador tipo fixador. Este - 5,7
resultado é similar ao obtido com o circuito do exercício 6, ou seja, ambos os - 8
circuitos desempenham a mesma função. Porém, o circuito deste exercício é de implementação mais simples por
necessitar apenas de dois zeners para produzir o mesmo efeito. Por outro lado, o circuito do exercício 6 se mostra
mais versátil por permitir que a faixa do sinal de entrada seja ajustada a qualquer tempo pelas fontes de tensão CC.

6.4.1.1) Regulador de tensão com zener


Reguladores de tensão são circuitos que tem a finalidade de manter a tensão na saída praticamente constante,
independentemente de variações na tensão de entrada e/ou no montante de carga. Devido ao seu comportamento na
ruptura, os diodos zeners podem então ser empregados na construção destes circuitos para fornecer um nível de tensão
praticamente constante
Seja então na carga,
o esquema além de outras
simplificado de um aplicações onde se de
circuito regulador necessite
tensão de
comumzener
patamar de referência
mostrado de 6.23-a.
na Figura tensão. A
fonte VS polariza reversamente o diodo zener DZ e representa um circuito retificador com filtro capacitivo qualquer
que fornece tensão entre um valor mínimo VSmin e máximo VSmax devido à presença de ripple em seus terminais, mas
supostos suficiente para fazer o zener operar em seu modo ruptura. A saída de carga do circuito é modelada por uma
resistência RL que pode variar entre um mínimo RLmin e um máximo RLmax . Por fim, uma resistência RS é empregada
para limitar a corrente fornecida pela fonte VS e proteger o zener e a carga, bem como causar uma queda de tensão em
si mesmo de modo a propiciar condições ao zener para regular a tensão na carga RL em um valor VL especificado.
Admitindo-se então o zener exercendo sua função regulação de tensão, pode-se substituí-lo por seu modelo na
ruptura (modelo invertido) e, introduzindo-se as considerações de variação na fonte de entrada VS e na resistência de
carga RL , tem-se a esquematização do circuito regulador de tensão mostrada na Figura 6.23-b, tal que VL = VZ .
(a)

RS RS IS IZ IL
VS
D K
VSmax
vS C VSmax RLmax
VSmin VS DZ RL VS RL VL
V VZ
Smin
A RLmin
malha de entrada malha de saída

(a) (b)

Figura 6.23: Regulador de tensão com zener: (a) esquema simplificado; (b) efeito regulação e parâmetros limites.
Seja IS a corrente fornecida pela fonte de entrada VS , IZ a corrente consumida no zener na ruptura e IL a corrente
consumida na resistência de carga RL (Figura 6.23-b). Equacionando-se o circuito regulador, tem-se então que:
VS  VZ
 Aplicando LKT na malha de entrada (malha da fonte), tem-se: VS RISS VZ   SI 0  (1)
RS
onde conclui-se que IS depende das variações na tensão de entrada VS , mas independe de variações na carga RL .

90
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

VZ
 Aplicando LKT na malha de saída (malha de carga), tem-se: I
VZ R L L I0  L (2)
RL
onde conclui-se que IL depende das variações na carga RL , mas independe das variações na tensão de entrada VS .
VS  VZ VZ
 LKC no nó (a) e com os resultados (1) e (2), tem-se: I S Z IL 
I Z S LI  I I (3)
RS RL
onde conclui-se que a corrente IZ no zener depende das variações em VS e RL para regular a tensão na carga.
Assim, como VS e RL variam no tempo, pode-se deduzir que a corrente IZ do zener na ruptura atinge em certos
instantes um valor mínimo IZmin e em certos instantes um valor máximo IZmax . Porém, como deve-se ter IZK  IZ  IZM
para o zener exercer sua função regulação de tensão, então tem-se duas condições limites para a operação do circuito:
 I Z min I ZK : ou seja, a corrente mínima no zener não pode ser menor que sua especificação IZK , pois abaixo desse
valor o zener perde a função regulação de tensão ao entrar no corte e funcionar como chave aberta. Com base no
resultado (3) e na Figura 6.23-b, tem-se que a corrente IZ = IS  IL no zener será mínima ( IZmin) quando IS é mínima
(ISmin), ou seja, quando VS = VSmin , e IL é máxima (ILmax), ou seja, quandoV RL =RVLmin , o que resulta na condição:
VZ
I Z min  I ZK I min
Z  IS 
min  I L max I ZK  S min Z
I ZK (6.10)
RS RL min
 I Zmax I ZM : ou seja, a corrente máxima no zener não pode ultrapassar sua especificação IZM , pois acima desse
valor o zener se queima e resulta em um curto ou em um circuito aberto. Com base novamente no resultado (3) e
na Figura 6.23-b, tem-se então que a corrente IZ = IS  IL no zener será máxima (IZmax) quando IS é máxima (ISmax),
ou seja, quando VS = VSmax , e IL é mínima (ILmin), ou seja, quando RL = RLmax , o que resulta na condição:
VS max  VZ VZ
I Z max  I ZM Imax
Z  I S
max 
 I L min I ZM  I ZM (6.11)
RS RL max

Exercício 9: Deseja-se construir um regulador de tensão com zener com entrada VS = 10  10% V, de modo a suprir
em 5 V uma carga RL que pode funcionar a vazio ou consumir uma potência máxima de 0,6 W. Para isso, dispõe-se de
um diodo zener cujas especificações na ruptura são: VZ = 5 V e PZM = 2 W. Determine a faixa de valores dentro da
qual deverá ser escolhido o resistor RS para que o zener efetivamente mantenha a tensão na carga RL em 5 V.
Solução
 Especificações da carga RL do circuito:
 Operação a vazio: RLmax     ILmin = 0 A
PL max 0,6
 PL max  0,6 W  Pmax L  VLmax
IL  Vmax
Z IL  max I L 0,12 A
VZ 5
 Especificações do zener a ser empregado como regulador de tensão:
 IZM : PZM  2 W VZ   
I ZM I ZM
 P/ZM
5 /0,V24Z A
 IZK : como mencionado anteriormente, pode-se estimar IZK na prática adotando-se um valor entre 10 e 20% da
especificação IZM . Neste caso, adotando-se IZK como 10% de IZM , tem-se então que: IZK = 0,04 A.
 Especificações da fonte de entrada VS do circuito: VS = 10  10% V   VSmin = 9 V e VSmax = 11 V
 Para o zener efetivamente manter a tensão na carga RL em 5 V então o resistor RS deve ser dimensionado tal que as
duas condições para o zener executar sua função regulação de tensão sejam satisfeitas. Desse modo:
 Da condição IZmin = ISmin  ILmax  IZK , tem-se então que:
VS min  VZ 9  5
 I L max
 I ZK  
0,12 0,04 RS 25 Ω
RS RS
 Da condição IZmax = ISmax  ILmin  IZM , tem-se então que:
VS max  VZ 11  5
Ω
RS  I L min
 I ZM
 
RS 0 0,4 RS 15
 Logo, deve-se escolher um resistor na faixa 15  RS  25 , pois se RS for menor que 15 , o zener pode vir a se
danificar e, se maior que 25 , o zener pode vir a operar em seu modo corte e perder a função regulação de tensão.

Exercício 10: Para o regulador com zener, sabe-se que a corrente máxima atingida pela fonte VS (ISmax) é menor que o
parâmetro IZM do zener empregado, isto é, ISmax < IZM . Que conclusão pode-se obter com relação à carga RL ?
Solução
Da condição ISmax  ILmin  IZM (caso limite para o zener não se queimar) tem-se que, como ISmax < IZM , então,
mesmo se a corrente mínima na carga (ILmin) for nula, a corrente no zener não poderá atingir seu limite máximo IZM .
Desse modo, se ILmin pode ser nula então RL pode ser infinita, isto é, a carga pode operar a vazio (em aberto) que o
zener não terá ultrapassada a sua especificação máxima de corrente (IZM). Esta situação consitui-se em uma condição
de projeto desejável para o circuito regulador de tensão, pois propicia segurança em uma eventual abertura da carga.
91
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

6.4.2) COMPONENTES OPTOELETRÔNICOS


Optoeletrônica é conhecida com a tecnologia de materiais e componentes que associa a óptica com a eletrônica
para o aproveitamento de mecanismos de conversão de energia elétrica em luminosa, e vice-versa. Os dispositivos
construídos para este fim, denominados componentes optoeletrônicos, são baseados em dois efeitos da matéria:
 Eletroluminescência: consiste no mecanismo de conversão de energia elétrica em radiação eletromagnética (energia
luminosa). Exemplos de dispositivos que fazem uso deste efeito são os diodos emissores de luz (LED’s) e o laser.
 Efeito Fotovoltaico: consiste no mecanismo de conversão de energia luminosa em energia elétrica (ou seja, inverso à
Eletroluminescência), sendo o fotodiodo e a célula solar exemplos de dispositivos que fazem uso deste efeito.
Dispositivos optoeletrônicos com mecanismos inversos podem também ser associados para se estabelecer um
acoplamento ótico na construção dos chamados optoacopladores. Alguns destes dispositivos são vistos a seguir.

6.4.2.1) Diodos emissores de luz


No estudo da condução do cristal PN visto no Capítulo 5, observou-se que a corrente direta consiste na injeção
de minoritários em cada substrato. Neste caso, quando, por exemplo, elétrons livres do lado N são injetados no lado P
e se tornam minoritários, estes podem facilmente se recombinar com lacunas do lado P e emitir o excesso de energia
na forma de radiação na passagem da banda de condução para a banda de valência (Figura 6.24-a). Sendo o silício e o
germânio opacos à passagem de luz, esta energia é então absorvida na forma de calor nos cristais PN baseados nestes
materiais. Porém, os chamados diodos emissores de luz, ou apenas LED’s (Light-Emitting Diode), são construídos
com base em semicondutores de comportamento translúcido (transparente) a estas radiações e, desse modo, permitem
que grande parte da radiação emitida por recombinações elétrons-lacunas se propague para o meio exterior ao cristal.
Os LED`s são então componentes empregados apenas em circuitos CC, de modo a serem levados à condução
para realizar sua finalidade específica, que é produzir luz utilizável. Como quanto maior a corrente direta, maior é a
taxa de recombinação nos substratos, então a intensidade da luz emitida pelo LED é proporcional à corrente direta.
Como visto no Capítulo 1, a energia de uma radiação é proporcional à sua frequência ( Ef = h f) e, com base na
Figura 6.24-a, observa-se que a frequência da luz emitida por um LED, e portanto sua cor, depende essencialmente da
energia do gap ( EG). Assim, os LED’s distinguem-se pela cor de luz, variando do infra-vermelho (gap pequeno) até a
cor azul (maior gap), sendo a faixa espectral emitida bastante estreita (mas não monocromática como em um laser).
Os LED`s construídos com base no material arsenieto de gálio (GaAs) emitem infra-vermelho e, com a adição
de fósforo (ou índio) para formar o fosfato arsenieto de gálio (GaAsP), obtem-se gaps maiores e, desse modo, LED’s
de luz visível (vermelho, laranja, amarelo, até a cor verde), sendo no LED azul empregado o nitreto de gálio (GaN).
A Figura 6.24-b mostra os símbolos esquemáticos do LED, onde as setas simbolizam o sentido da radiação, e
algumas de suas aparências mais comuns são apresentadas na Figura 6.24-c. Exemplos de LED’s comerciais bastante
utilizados são as séries TIL da Texas Instrument (exemplo: TIL221), série CQV (Philips) e série LD (Icotron).
A característica I-V dos LED`s é similar ao do diodo comum, apresentando tensão de limiar típica em torno de
1,2 a 3 V, potências máximas até 0,2 W ou correntes máximas até 100 mA, e pequena tensão reversa de ruptura (5 V).
Similar aos demais diodos, um LED não consegue por si só limitar sua corrente e um elemento resistivo deve ser
empregado para proteger o LED de sua especificação de corrente máxima (circuito exemplo na Figura 6.24-d).
Os LED’s apresentam diversas vantagens como baixa potência, vida longa e rápido chaveamento liga-desliga.
LED’s infra-vermelhos são usados em sistemas onde exige-se luz não visível, tais como sistemas de controle, alarmes
e sensores de presença. Os de luz visível são empregados em equipamentos para indicar avisos luminosos, níveis de
intensidade, indicadores de 7 segmentos para mostrar números e letras (Figura 6.24-e), etc. A associação de LED's de
cores primárias de luz (vermelho, verde a azul) são empregados em lâmpadas (Figura 6.24-f), bem como telas de TV
e de computadores, que apresentam vantagens como tamanho reduzido, elevada vida útil e baixo consumo.
O chamado LED laser (aparência na Figura 6.24-g), constitui-se de um cristal PN com faces paralelas polidas
para funcionar como uma cavidade óptica e produzir luz coerente, sendo comumente empregados em dispositivos e
equipamentos de leitura e armazenamento, bem como sistemas de comunicação de alta velocidade (fibras óticas).
energia P N
+VS
Eapl
BC R
EG
radiação
BV emitida
A K
bicolor RGB
(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g)
Figura 6.24: Diodo emissor de luz: (a) mecanismo de emissão; (b) símbolos esquemáticos; (c) aparências
diversas; (d) circuito de polarização; (e) mostrador de 7 segmentos; (f) lâmpadas de LED; (g) diodo laser.

92
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Exercício 11: Para o circuito e característica I-V linearizada do LED empregado a seguir, sabe-se que a especificação
de corrente direta máxima do LED é 100 mA. Determine a faixa de valores do resistor R para que o LED emita luz.
modo condução
ID (mA) ID (mA) A
50  modo corte
80 1,5 V
A 80 ID
R 9
9V LED VD
K
K
0 R f  0,7 2/ 0,0 8  9 
1,5 2,22 VD (V) 0 1,5 2,22 VD (V)
Solução
Como visto, o LED emite luz quando funciona no modo condução e, neste caso, deve-se ter ID > 0. Além disso,
a corrente no LED não deve ultrapassar sua especificação de corrente máxima, ou seja, tem-se também que ID  0,1 A.
Assim, a solução do problema consiste em obter a faixa de valores para o resistor R tal que: 0 < ID  0,1 A. Assim,
substiuindo-se o modelo fornecido para o LED no modo condução, obtém-se o circuito abaixo e tem-se que:
 LKC no nó (a): I1 = ID + I2 (1) (a)
 Aplicando LKT na malha (A) e com o resultado (1), tem-se:
50  I1 ID I2
9 50 I1 1,5 9 0
ID   
9 50  
 1,5
I D I92  0 ID
A
  I D 50 I 2 7,5
59 (2)
9V 1,5 V R
9 I D 1,5 9
 LKT na malha (B):   0 RI 2 
9 I D1,5  I2 (3) (A)
R K (B)
 Aplicando o resultado (3) no resultado (2), tem-se que:
 9 I D  1,5  7,5 75 R 
59 I D5 0 I72 
,5 
59 5 I0D  
 7,5
 ID
R 59 R  450
7,5 R  75
 Para a condição ID > 0, tem-se:  0 7,5 R 75 
0 R > 10 Ω
59 R  450
pois, como R > 0 (não existe resistor de valor negativo), então o denominador da fração é sempre positivo.
7,5 R  75
 Para a condição ID  0,1 A, tem-se:  0,1  R 75  5,9R 45
7,5 R 75 Ω
59 R  450
 Interpretação: o nó (a) do circuito consiste em um divisor de corrente para o paralelo entre o LED e o resistor R.
Logo, se R < 10 , então o resistor R desvia toda a corrente da fonte ( I1) e não permite que o LED entre em modo
condução (LED apaga) e, se R > 75 , então a corrente desviada para o LED é suficiente para fazê-lo queimar.

6.4.2.2) Fotodiodo e célula fotovoltaica


Como estudado no Capítulo 5, a corrente reversa em um cristal PN é formada por portadores minoritários e a
incidência de energia em um semicondutor, por exemplo luminosa, pode acarretar em quebras de ligações covalentes
e a criação de pares elétron-lacuna, o que ocasiona um aumento relevante na concentração de minoritários, mas não de
majoritários. Logo, conclui-se que um cristal PN polarizado reversamente pode ser empregado como um dispositivo
tipo fotodetetor, denominado fotodiodo, cuja corrente reversa é controlada pela incidência de luz no cristal.
O fotodiodo constituí-se em um componente sensor de luminosidade formado por um invólucro contendo um
cristal PN e uma janela transparente para possibilitar a incidência de energia luminosa no cristal e este produzir pares
elétron-lacuna proporcional à intensidade de luz incidente (Figura 6.25-a). Esta incidência ocorre diretamente sobre a
região da junção PN, pelo fato dos portadores gerados distante da junção apresentarem maior probabilidade de se
recombinarem antes de conseguir atravessar camada de depleção e alcançar o outro substrato. Como a sensibilidade à
luz indicente para a criação de pares elétron-lacuna é dependente do gap de energia entre as bandas de valência e de
condução, então o fotodiodo constitui-se em um dispositivo seletivo de frequência similar ao fotorresistor.
A Figura 6.25-b apresenta alguns símbolos esquemáticos do fotodiodo, onde as setas simbolizam o sentido da
radiação, e a Figura 6.25-c mostra a aparência comercial destes dispositivos. A Figura 6.25-d exemplifica um circuito
de polarização reversa de um fotodiodo, onde um resistor R deve ser usado para limitar a corrente no dispositivo.
A Figura 6.25-e exemplifica a característica I-V de um fotodiodo, situada no 3º quadrante devido à polarização
reversa, onde o parâmetro L (W/cm2) refere-se à densidade de energia luminosa incidente na junção e o comporta-
mento quase constante da corrente reversa em relação à tensão aplicada se deve à foto-geração limitada de portadores
livres. O estabelecimento de uma reta de carga na característica (Figura 6.25-e) permite então observar o efeito detetor
de luz, onde a corrente reversa no fotodiodo é controlada proporcionalmente pela quantidade de radiação incidente.
Os materiais normalmente empregados para a construção de fotodiodos são germânio, silício e selênio, sendo a
corrente reversa típica da ordem de até dezenas de A. Os fotodiodos são empregados em diversas aplicações, tais
como sensor de luz em chaves e controles ópticos, bem como sistemas de comunicação digitais por fibra ótica.
93
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

ID (A)
+VS
janela A L3 > L2 > L1 > Lo potencial
R fotovoltaico
P Lo = 0 W/cm
luz
N 0 VD ( V)
L1
invólucro K L2 reta de
opaco L3 carga
(a) (b) (c) (d) (e)
Figura 6.25: Fotodiodo: (a) aspectos, (b) símbolos, (c) aparências, (d) polarização, (e) característica I-V.
Na Figura 6.25-e observa-se também que a corrente reversa no cristal PN sob iluminamento não se reduz a zero
quando a tensão aplicada é nula ( VD = 0), ou seja, quando os terminais são curto-circuitados. Isto decorre pelo fato dos
minoritários foto-gerados em cada região poderem migrar para o outro lado devido ao campo elétrico acelerante da
camada de depleção, e continuarem a produzir uma corrente exteriormente ao cristal. Logo, para reduzir a corrente no
cristal sob iluminamento a zero ( ID = 0), deve-se aplicar uma tensão direta ( VD > 0), o que é equivalente a abrir os
terminais do cristal. Como resultado, observa-se uma tensão elétrica resultante entre seus terminais (Figura 6.25-e),
chamada potencial fotovoltaico, devido ao efeito separação de cargas de sinais contrários causada pela migração dos
minoritários foto-gerados através da junção. Como nesta região (4º quadrante), corrente e tensão tem mesmo sentido,
o cristal PN sob iluminamento se comporta então fisicamente como uma fonte de tensão. Assim, com a conexão de
uma carga nos terminais do cristal, tem-se a produção de corrente elétrica na carga, o que constitui-se na conversão da
energia luminosa em elétrica, ou seja, o cristal PN sob iluminamento funciona como um gerador de energia elétrica.
Este mecanismo de conversão de energia, denominado efeito fotovoltaico, srcinou um dispositivo conversor
fotoelétrico chamado célula fotovoltaica, ou célula solar, que emprega luz ambiente como fonte de energia primária
para a produção de eletricidade. A Figura 6.26-a mostra o esquema construtivo de uma célula fotovoltaica, constituída
por um cristal PN formado por uma estreita camada de material tipo N sobre um substrato P, de modo a permitir que a
maior parte da radiação incidente no substrato N consiga atingir a do substrato P região próxima à junção PN.
A Figura 6.26-b mostra a característica I-V típica de uma célula solar para alguns níveis de radiação incidente,
onde VV é definida como a tensão em seus terminais e IV a corrente resultante da conexão de uma carga RL em seus
terminais (Figura 6.26-a). A potência PV de saída da célula solar será dada então por: PV = VV IV , e observa-se que, se
VV = 0 (terminais em curto), então PV = 0, e se IV = 0 (terminais em aberto), então PV = 0, ou seja, a potência é nula
para os valores extremos de carga. Desse modo, pode-se determinar um ponto de máximo fornecimento de potência
da célula solar para uma determinada radiação incidente, usualmente definido por uma reta de carga (Figura 6.26-b).
As células solares (símbolos esquemáticos na Figura 6.26-c e aparência na Figura 6.26-d) são em sua maioria
fabricadas empregando o silício como material base e produzem um potencial fotovoltaico típico em torno de 0,6 V.
As tecnologias atuais para a construção de células baseadas no silício são classificadas basicamente em três tipos:
 Silício monocristalino: é a tecnologia historicamente mais utilizada, pelo fato de sua fabricação ser processo bem
constituído. São, em geral, as que apresentam as maiores eficiências, podendo atingir 18%.
 Silício policristalino: esta tecnologia apresenta eficiência (13%) inferior às células de silício monocristalino, sendo
contudo mais baratas por exigirem um processo de fabricação menos rigoroso e de custo mais reduzido.
 Silício amorfo: difere das demais por apresentar alto grau de desordem na estrutura dos átomos e baixa eficiência
na conversão de energia comparada aos outros tipos (7%), que ainda se reduz ao longo da vida útil. No entanto,
seu processo de fabricação é o mais simples e barato e apresenta a possibilidade de fabricação com grandes áreas.
Células fotovoltaicas, e o conjunto destas (baterias solares), são empregadas como fonte de energia em satélites,
calculadoras, carregadores de baterias, geradores de energia em locais de difícil acesso à rede elétrica, proteção contra
corrosão catódica, sinalização, sensores de monitoramento, estações repetidoras de telecomunicação, etc.

grade metálica radiação IV ( A ) L3 > L2 > L1 PV (W)


ponto de
L3 máxima
2,0
potência
L2
e+ N VV RL 1,5
camada
E L1 reta de
de 1,0 carga
depleção e- P L=0
IV
base metálica 0  0,6 VV (V)
(a) (b) (c) (d)

Figura 6.26: Célula fotovoltaica: (a) aspectos construtivos, (b) característica corrente-tensão e ponto de máxima
transferência de potência; (c) símbolos esquemáticos; (d) aparência comercial de um conjunto (bateria solar).

94
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

6.4.2.3) Optoacopladores
Os chamados optoacopladores são dispositivos construídos com a associação de um componente emissor de luz
e um fotodetetor em um mesmo invólucro, empregado para acoplamentos entre circuitos elétricos distintos por meio
de um sinal ótico. Logo, pode-se obter uma isolação elétrica entre os circuitos, pois o único contato entre os mesmos é
um feixe de luz e, desse modo, é possível controlar um circuito de alta tensão e potência (circuito de saída conectado
ao fotodetetor), por um circuito de tensão e potência comparativamente menor (circuito de entrada ligado ao emissor).
O optoacoplador de diodos (símbolo na Figura 6.27-a e aparências na Figura 6.27-b) é um dispositivo formado
por um LED (usualmente infra-vermelho) no lado de entrada e um fotodiodo no lado de saída. A Figura 6.27-c mostra
o esquema simplificado de circuito fotocontrolado com um optoacoplador de diodos, onde a tensão de saída é dada
por: VSAÍDA = V2  R2 I2. Assim, qualquer alteração na luz emitida pelo LED por meio de I1 no circuito de controle,
atingirá o fotodiodo e o fará estabelecer no circuito controlado uma mudança em VSAIDA via alteração da corrente I2 .

R1 I1 I2 R2
VENT VSAIDA
V1 V2

circuito de entrada (controle) circuito de saída (controlado)


(a) (b) (c)

Figura 6.27: Optoacoplador LED-fotodiodo: (a) símbolo esquemático; (b) aparências; (c) circuito-exemplo.

6.4.3) DIODO SCHOTTKY


O chamado diodo Schottky (símbolo na Figura 6.28-a) constitui-se de uma junção metal-semicondutor formado
por um substrato metálico (alumínio, ouro ou prata) e um substrato semicondutor (silício ou arsenieto de gálio) tipo N
pouco dopado (Figura 6.28-b). Este tipo de junção também apresenta
uma característica retificadora, em conseqüência de uma barreira de A semicond. K
potencial chamada barreira de Schottky, ocasionada pela diferença de metal
tipo N
concentrações de portadores entre o metal e o semicondutor. Neste
caso, o efeito acúmulo de carga da injeção de minoritários em cada junção
substrato é inexistente, pelo fato dos dois substratos só possuirem
elétrons livres como portadores majoritários e, desse modo, o tempo (a) (b)
de recuperação reversa deste diodo se resume ao de transição. Assim,
o diodo schottky caracteriza-se por apresentar uma rápida comutação Figura 6.28: Diodo Schottky: (a) símbolo
esquemático; (b) estrutura física.
ON-OFF, com tempos de recuperação reversa de ordem inferior a ns,
possibilitando então sua aplicação em circuitos que trabalham com sinais elétricos de elevada frequência, tais como
microprocessadores, bem como em retificadores de pequenos sinais e freqüências da ordem de até 300 MHz.

6.4.4) VARICAP
Como visto no Capítulo 5, o cristal PN se caracteriza por apresentar regiões de portadores majoritários de sinais
contrários (elétrons e lacunas), separados por uma região ausente de cargas livres (camada de depleção). Entende-se
então que os substratos P e N do cristal se comportam como placas carregadas com cargas de sinais contrários e a
camada de depleção desempenha a função de material dielétrico entre os substratos, o que define um efeito capacitivo
chamado capacitância de transição ou de junção (Figura 6.29-a). Este efeito é então comum a todos os cristais PN.
Com base na Figura 6.29-a observa-se que a capacitância de transição de um cristal PN ( CT) pode ser definida
por: CT =  A/W, onde W é a largura da região de depleção, A é a área da junção e  é a permissividade dielétrica do
semicondutor. Como uma das consequências da polarização reversa em um cristal PN, vista no Capítulo 5, reside no
aumento da largura W da camada de depleção com o aumento da tensão reversa, tem-se então que a capacitância de
transição pode ser ajustada de forma inversa pela tensão reversa aplicada ao cristal (Figura 6.29-b). Conclui-se então
que o cristal PN pode se comportar como um capacitor variável, cuja capacitância resultante em seus terminais se
ajusta automaticamente com a tensão reversa aplicada, sem precisar de movimentos mecânicos entre placas metálicas.
O comportamento de capacitância controlada por tensão é empregado na construção de um diodo de finalidade
específica chamado varicap, varactor, epicap ou diodo de sintonia (símbolo esquemático na Figura 6.29-c e aparências
na Figura 6.29-d), que apresenta fatores construtivos como grande área de junção e nível de dopagem especificamente
dimensionado para maximizar o efeito da capacitância de transição. O varicap é largamente empregado na montagem
dos chamados circuitos tanques ressonantes (princípio que baseia a sintonia de um sinal de onda eletromagnética)
para a recepção de sinais em aparelhos como rádios, TV’s, celulares e outros equipamentos de telecomunicação.
95
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

P W N
CT (F)

A

cargas dielétrico cargas 0 tensão reversa (V)


armazenadas armazenadas
(a) (b) (c) (d)
Figura 6.29: (a) Esquema da capacitância de transição em um cristal PN; (b) variação da capacitância de
transição com a tensão reversa aplicada; varicap: (c) símbolo esquemático, (d) aparências comerciais.

6.4.5) VARISTORES
Descargas atmosféricas e chaveamento de cargas indutivas podem causar perturbações transitórias, tais como
sobretensões rápidas chamadas surtos de tensão, e danificar equipamentos mais sensíveis. Assim, é comum o emprego
de supressores de surtos em redes elétricas e nos mais diversos equipamentos para reduzir ou eliminar este problema.
Os chamados varistores (símbolo na Figura 6.30-a e aparêncas nas Figuras 6.30-b e c) constituem-se de um tipo
de filtro utilizado em equipamentos para limitar (“grampear”) sinais de tensão a partir de um certo nível, propiciando
então proteção contra sobretensões transitórias
I eventuais provindas da rede elétrica.
O tipo mais comum de varistor são os de
-BV óxidos metálicos (MOV), que são constituídos
BV V por pequenos grânulos de óxido de zinco (ZnO)
orientados randomicamente e sinterizados com
pequena quantidade de outros óxidos metálicos
(cobalto, manganês e bismuto, etc.). Outros
materiais empregados são o dióxido de estanho
sobretensão (SnO2) e dióxido de titânio (TiO2).
(a) (b) (c) (d) no fatoOdafuncionamento
fronteira entredocada
varistor
par deé grãos
baseado
de
óxido metálico se comportar como uma junção
Figura 6.30: Varistores: (a) símbolo esquemático; (b) aparências PN, equivalendo-se eletricamente a uma rede
diversas; (c) aparência do tipo alta tensão; (d) característica I-V. de pares de diodos zener em série um de costas
para o outro. Em tensões normais de trabalho aplicadas em seus terminais (eletrodos), o varistor praticamente não
conduz corrente nos dois sentidos, comportando-se como uma chave aberta e permitindo que toda a tensão seja
transferida ao restante do equipamento. Porém, quando atingido o seu limite de grampeamento, o varistor passa a
conduzir intensamente nos dois sentidos devido à ruptura da rede de zeners (causada por uma combinação de efeitos
de emissão termiônica e tunelamento), resultando em um comportamento de chave fechada de baixa resistência.
A Figura 6.30-d mostra a característica I-V típica de um varistor, onde observa-se então que este apresenta um
efeito de ceifamento de picos de tensão quando ultrapassado os seus limites de ruptura. Logo, estes dispositivos são
empregados na proteção de diversos equipamentos de baixa potência (fontes, reatores eletrônicos, “no-breaks”, etc.),
bem como em subestações para a proteção de alimentadores. Os varistores, contudo, não provêem proteção contra
sobretensões de longa duração, necessitando de sensores de calor e, se necessário, do seccionamento do equipamento.

6.5) EXERCÍCIOS PROPOSTOS


Problema 1: Para um diodo de junção PN de silício (considerar  = 2) a 20 oC, determinar:
a) A tensão reversa para que a corrente atinja 95 % do seu valor de saturação.
b) A razão, em módulo, entre as correntes direta e reversa, para uma tensão direta e reversa de 0,2 V, respectivamente.
c) A corrente direta para as tensões de 0,5 V, 0,6 V e 0,7 V aplicadas aos terminais do diodo considerando IS = 10 nA.
d) Se IS = 1 nA, qual será a tensão aplicada ao diodo para um corrente direta de 2,5 A ?
e) Se ID = 70 mA quando VD = 0,65 V a 20 oC, qual o valor da corrente de saturação para a temperatura de 50 oC?
Problema 2: Um diodo está funcionando a uma tensão direta de 0,7 V. Qual é a relação entre as correntes máxima e
mínima neste diodo numa gama de temperaturas entre –55 e 100 oC ? Considere  = 2.

Problema 3: Determine a cor emitida por um diodo emissor de luz, cuja energia do gap ( EG) é igual a 2 eV.
96
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Problema 4: Para o circuito e segmento de polarização direta da característica I-V do diodo fornecidos, pede-se:
a) Para VS = 6 V, determine o ponto de operação do diodo empregado no circuito.
b) Para VS = 6 V, mede-se a tensão no diodo e obtém-se 1,0 V. Pergunta-se: o diodo tem problemas? Explique.
c) Para VS = 6 V, mede-se a corrente no diodo e obtém-se 200 mA. Pergunta-se: o diodo tem problemas? Explique.
d) Se VS = 5 V, determine o resistor a ser trocado com o de 6  para se ter o mesmo ponto de operação do item a).
ID (mA)
200

30  150

VS D 6
100

50
Problema 4
0
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VD (V)

Problema 5: Montou-se o circuito fornecido e observou-se uma leitura de 5 V no voltímetro. Pergunta-se: há algum
problema no circuito? Se sim, explique um possível causa. Se não, explique o funcionamento do circuito.

Problema 6: Para o circuito fornecido, determine a potência dissipada no diodo D e no resistor de 9 . Considere o
modelo aproximado do real para o diodo, onde: V = 0,5 V , Rf = 5 .

Problema 7: O circuito fornecido apresenta o comportamento de uma porta lógica OR. Pede-se: determine a tensão
de saída Vo para as seguintes entradas V1 e V2: a) V1 = V2 = 5 V ; b) V1 = V2 = 0 V ; c) V1 = 5 V e V2 = 0 V.
Considere o modelo aproximado do real simplificado para os diodos D1 e D2 , onde: V = 0,7 V.
+ V1
200  D1
10  1 D
D + V2 + Vo
10  V 4V 9
10 V 4V 200  D2 4,8 k

Problema 5 Problema 6 Problema 7

Problema 8: Para o circuito fornecido, determine o valor limite da razão entre os resistores R1 e R2 para que o LED
emita luz. Adotar modelo aproximado do real simplificado para o LED, onde: V = 1,6 V.

Problema 9: Para o circuito dado, sabe-se que a corrente direta máxima do LED empregado é 75 mA. Determine a
faixa de valores para o resistor R tal que o LED emita luz e explique o que acontece com o LED se os limites da faixa
forem ultrapassados. Adotar modelo aproximado do real simplificado para o LED, onde: V = 1,5 V.

Problema 10: O circuito fornecido é um indicador visual de luminosidade através do brilho de um LED, que emprega
um LDR como sensor de luz. Explique a relação entre a intensidade de luz no LDR e o brilho do LED.

R1 R R

4V LED R2 9V 20  LED VS LED LDR

Problema 8 Problema 9 Problema 10


Problema 11: Montou-se um circuito retificador para alimentar aparelhos de rádio (figura dada). Explique o que
acontecerá com o ripple da tensão de saída com relação a: 1) volume do som ; 2) tamanho (potência) dos aparelhos.

Problema 12: O circuito dado é uma aplicação prática de controle de luminosidade ambiente através do emprego de
um diodo, um interruptor do tipo duplo e uma lâmpada incandescente L. Explique o funcionamento do circuito.

97
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Problema 13: Para o circuito dado e características I-V linearizadas dos diodos empregados, pede-se:
a) Obtenha o modelo esquemático dos diodos para cada modo de operação e respectivas condições de funcionamento.
b) Enumere as hipóteses existentes para os modos de operação dos diodos e explique quais são as realmente possíveis.
c) Para a entrada vS e saída vL, determine as características de transferência do circuito e respectivas condições.
d) Determine a forma de onda da tensão de saída vL para um sinal de tensão de entrada vS = 15 sen(t) .
ID
diodo D
S1 200 
D D 0 VD
vS 800  vL
vS C 220 V S2 diodo DZ
ID
DZ
L
-10
0 VD (V)

Problema 11 Problema 12 Problema 13


Problema 14: A figura dada apresenta duas relações gráficas da variável de saída vo em função da variável de entrada
vS , que expressam a característica de transferência geral de determinados circuitos. Para cada gráfico, pede-se:
a) Determine as equações da característica de transferência e respectivas condições.
b) Com base no valor da declividade das retas (), interprete como o sinal de entrada é refletido na saída.
c) Obtenha a forma de onda da saída vo para uma entrada vS = 10 sen(t).

Problema 15: A figura fornecida mostra a representação de um determinado circuito com didos, onde vS é o sinal de
entrada e as variáveis v1 e v2 são os sinais de saída de interesse do circuito, bem como as equações da característica de
transferência e respectivas condições para a saída v1 e a relação entre as saídas v1 e v2. Pede-se:
a) Determine o valor das constantes a e b. Explique o cálculo realizado e o significado da constante a.
b) Desenhe o gráfico da característica de transferência com base nas equações fornecidas.
c) Desenhe a forma de onda do sinal de saída v1 para o sinal de entrada vS fornecido (forma de onda triangular).
d) Desenhe a forma de onda do sinal de saída v2 para o mesmo sinal de entrada vS fornecido no item d).
v S ( V)
v o ( V) v o ( V) v1  4 se: vS 5 + v1 12
+v S v1va S se:v 6 S 5
v  b se: v  6 + v2
=-2 =2 1 S 0  2 t
 = - 0,5  = 0,5
0 vS (V) 0 v S ( V) v2  v1  3
-12
Problema 14 Problema 15
Problema 16: O circuito dado trata-se de um indicador visual de luminosidade através do brilho de uma lâmpada L,
que emprega um resistor tipo LDR como sensor de luz e um optoacoplador LED-fotodiodo para o acoplamento entre
os circuitos. Explique a relação entre a luz incidente no LDR e a intensidade da luz emitida pela lâmpada L.

Problema 17: Deseja-se montar um regulador de tensão com zener para obter 9 V na carga RL (circuito fornecido),
considerando um sinal de entrada VS = 14  2 V. As especificações do zener a ser empregado no circuito são: VZ = 9 V
e PZ = 1,8 W. Adote a regra prática IZK = 10% de IZM e determine a faixa de valores em que deve variar a resistência
de carga RL para que o zener consiga efetivamente regular a tensão de saída em 9 V.

Problema 18: Deseja-se projetar um regulador de tensão com zener para fixar em 12 V a tensão em uma carga RL.
Para isso, será necessário o emprego de dois zeners em série (figura dada), com as seguintes especificações:
 Zener DZ1 : VZ = 8 V , IZK = 20 mA , IZM = 200 mA ;  Zener DZ2 : VZ = 4 V , IZK = 30 mA , IZM = 250 mA
A variação da resistência de carga é dada por: RL = 200   50%. Determine a faixa de tensão de entrada VS para que
os zeners consigam efetivamente regular a tensão de saída em 12 V . Explique o cálculo realizado.

60  30 
R L DZ1
LDR VS DZ RL VS RL
V1 V2
DZ2

Problema 16 Problema 17 Problema 18

98
CAPÍTULO 7: DISPOSITIVOS A JUNÇÃO PN - II: TBJ
Similar aos diodos a vácuo, os chamados triodos o vácuo, genericamente conhecidos como válvulas, consistem
no aproveitamento do efeito da emissão termoiônica para realizar um controle de carga entre placas metálicas. Neste
caso, além da placa emissora (catodo), onde é produzido o efeito termoiônico, e da
emissor ou grade coletor ou
placa coletors (anodo), os triodos a vácuo apresentam uma terceira placa, chamada catodo anodo
grade, caracterizada pela presença de furos para a retirada de apenas uma pequena
parcela dos elétrons emitidos pelo catodo e permitir à maior parte destes elétrons
alcançar o anodo (Figura 7.1). Isso propicia um controle de corrente entre as placas, e–
denominado efeito transístor, e proporciona um elevado ganho de corrente entre a
corrente do catodo para o anodo e a relativamente pequena corrente da grade, o que calor
pode ser utilizado para se produzir um efeito amplificador de sinais, bem como um
comportamento ativo de chave liga-desliga controlada por corrente. K G A
O chamado transistor bipolar de junção, genericamente conhecido como TBJ Figura 7.1: Triodo a vácuo.
ou BJT, é um triodo semicondutor desenvolvido nos Laboratórios Bell em 1947, que
substituíram gradativamente as válvulas termoiônicas (pelo fato destas apresentar o inconveniente de consumir muita
energia devido ao efeito termoiônico), bem como tem possibilitado novas inovações teconológicas, tais como diversos
tipos de transistores e os chamados circuitos integrados. Desse modo, praticamente todos os equipamentos eletrônicos
projetados e construídos atualmente fazem largo emprego destes componentes semicondutores em seus circuitos.
Este capítulo visa realizar um breve estudo sobre o funcionamento e a análise CC de circuitos com TBJs.

7.1) ASPECTOS GERAIS


O transistor bipolar de junção, ou TBJ, é um cristal semicondutor formado por três substratos, denominados
emissor (cujo terminal pode ser indicado por E), base (B) e coletor (C), que desempenham funções similares à das
placas do triodo a vácuo, necessitando então apresentar diferentes aspectos físicos, descritos a seguir (Figura 7.2-a):
 Emissor: é o substrato mais densamente dopado dos três, devido à sua função como fornecedor dos portadores de
carga livres necessários ao funcionamento do TBJ. Possui tamanho intermediário entre os substratos base e coletor.
 é o substrato
Base:pequena de menor dopagem elivres
menorinjetados
dimensão dosemissor,
três, devido à sua função residir em recolher apenas
uma quantidade dos portadores pelo permitindo que a maioria alcance o coletor.
 Coletor: tem a função de recolher a maioria dos portadores livres da base vindos do emissor. Apresenta dopagem
intermediária entre o emissor e a base, bem como o maior tamanho por disipar mais calor que os outros substratos.
Além disso, para obter-se o efeito transistor (controle de corrente por corrente), é necessária a formação de duas
junções PN com os substratos, denominadas junção emissor-base ou J E e junção coletor-base ou J C (Figura 7.2-a), o
que implica em duas combinações possíveis entre cristais P e N e resulta em duas famílias de TBJ's (Figura 7.2-a):
 TBJ NPN: constituído por um substrato tipo P (base) entre dois substratos tipo N (emissor e coletor). Neste caso,
como o substrato emissor tipo N é o responsável por fornecer portadores livres aos outros substratos para o devido
funcionamento do TBJ, então as correntes no TBJ NPN serão formadas majoritariamente por elétrons livres.
 TBJ PNP: constituído por um substrato tipo N (base) entre dois substratos tipo P (emissor e coletor). Neste caso,
como o substrato emissor é do tipo P, as correntes no TBJ PNP serão formadas majoritariamente por lacunas.
Portanto, cada junção PN apresentam suas respectivas camadas de depleção: emissor-base (EB) e coletor-base
(CB) e, como quanto mais densamente dopado um substrato, menor a camada de depleção em seu lado, tem-se que a
largura da camada EB é menor que a CB pelo fato do substrato emissor ser o de maior dopagem (Figura 7.2-b).
A presença de duas junções PN permite então entender o TBJ como um dispositivo constituído por dois cristais
PN entre o terminal da base e os terminais emissor e coletor, o que define os dois diodos do TBJ (Figura 7.2-a):
 Diodo
 Diodo emissor: correspondeao
coletor: corresponde aocristal
cristalPN
PNobservado
observadoentre
entreos
osterminais
terminaisdo
docoletor
emissor(C)
(E)e edadabase
base(B).
(B).
Emissor Base Coletor Emissor Base Coletor
E N P N C E N P N C
P N P P N P
JE JC camada de depleção camada de depleção
diodo diodo emissor-base (EB) coletor-base (CB)
emissor B coletor B
(a) (b)
Figura 7.2: Constituição física e nomenclaturas do TBJ: (a) substratos e diodos; (b) camadas de depleção.

99
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Tal como nos diodos, os TBJs de silício são mais amplamente empregados que os de germânio, por oferecerem
especificações de tensão e corrente mais elevadas, menor sensibilidade à temperatura e menores correntes reversas,
razão pela qual a teoria abordada neste capítulo limitar-se ao estudo de transistores bipolares de junção de silício.
Os símbolos esquemáticos dos transistores bipolares de junção tipos NPN e PNP apresentam uma seta para
identificar o terminal emissor e o sentido da corrente neste terminal quando o diodo emissor do TBJ se encontra em
seu modo condução. No caso do TBJ NPN, a seta aponta para fora no símbolo (Figura 7.3-a) pelo fato do substrato
emissor tipo N injetar elétrons livres (majoritários) na base com o diodo emissor em condução, o que corresponde a
uma corrente de direção contrária no sentido convencional (das cargas positivas). Para o TBJ PNP, a seta aponta para
dentro no símbolo (Figura 7.3-b) pelo fato do substrato emissor tipo P injetar lacunas (majoritários) na base e, como
lacunas são portadores de carga positivas, a direção da corrente já corresponde ao sentido convencional.
Como os substratos do transistor bipolar de junção disponibilizam três terminais, este dispositivo apresenta seis
variáveis (três correntes e três tensões) acessíveis em seus terminais, exemplificadas na Figura 7.3-c, tal que:
a) Correntes de emissor (IE), base (IB) e coletor (IC). Como o substrato emissor tem a função de fornecer os portadores
livres para o TBJ funcionar, tem-se então uma relação matemática básica entre as correntes do TBJ, dada por:
I E  IC  I B (7.1)
b) Tensões entre o coletor e o emissor ( VCE ou VEC), entre o coletor e a base (VCB ou VBC) e entre a base e o emissor
(VBE ou VEB). Neste caso, pode-se estabelecer que: VCE =  VEC , VCB =  VBC e VBE =  VEB .
TBJ tipo NPN TBJ tipo PNP
IC IC
terminal coletor (C) terminal coletor (C) VCB VBC
C C
IB B IB B
terminal terminal VCE VEC
base (B) base (B)
VBE E VEB E

terminal emissor (E) terminal emissor (E) IE IE

(a) (b) (c)


Figura 7.3: Símbolos esquemáticos do TBJ: (a) NPN e (b) PNP; (c) variáveis de tensão e corrente do TBJ.
Os TBJ’s NPN e PNP podem ser empregados conjuntamente em circuitos para se obter determinado efeito e a
escolha de qual utilizar para cada aplicação depende da conveniência determinada pelas condições de projeto, sendo
semelhantes as especificações de fabricação de TBJ’s NPN e PNP de mesmo tipo e as diferenças básicas dadas por:
 Sentido positivo de correntes e tensões: como as correntes são formadas por elétrons livres no NPN e lacunas no
PNP, então os sentidos positivos de correntes e tensões no TBJ NPN são opostos aos do PNP (Figura 7.3-c).
 Tempos de comutação: como a mobilidade das lacunas é menor que a dos elétrons livres (Tabela 5.1), então o PNP
normalmente tem comutação mais lenta que o NPN, pois as correntes em seus substratos são formadas por lacunas.
Os TBJ's apresentam diversas aparências e são classificados normalmente em dois grupos quanto à potência
dissipada: de pequeno sinal ( 0,5 W) e de potência (> 0,5 W). Os de potência podem apresentar um encapsulamento
metálico, bem como furos para encaixe em dissipador metálico (geralmente de alumínio) para facilitar a condução de
calor (exemplos na Figura 7.4-a). Em geral, os de maior potência são empregados em estágios finais de circuitos.
A nomenclatura dos TBJ’s de srcem norte- americana utiliza a sigla “2N” para a sua codificação (exemplo s:
2N2222, 2N3055 e 2N2906) e a européia apresenta uma codificação mais completa, composta por duas letras: 1o letra
(tipo de material): A = germânio, B = silício; 2 o letra (emprego básico): C = aplicações gerais e áudio, D = potência e
F = rádio-freqüência (exemplos: tipos NPN: BC548, BD135 e BF494; tipos PNP: BC558, BD136 e BF495).
TBJs de pequeno sinal TBJs de potência
opção de teste
de diodos

bornes de teste
para identificação
de terminais e tipo
de TBJ
(a) (b)
Figura 7.4: (a) Aparências de alguns de transistores bipolares de junção; (b) multímetro com opções de testes.
Além da capacidade de dissipação, as folhas de dados dos TBJ’s fornecidas pelos fabricantes apresentam ainda
diversas especificações, tais como corrente de coletor máxima ( ICM) e ganhos de corrente (onde os TBJ’s de menor
potência geralmente apresentam ganhos maiores devido às suas aplicações mais comuns), bem como limites de tensão
reversa de ruptura entre dois terminais quaisquer do TBJ e correntes reversas entre dois terminais considerando um
terceiro terminal em aberto. Algumas destas especificações dos TBJs serão melhor definidas mais adiante quando do
estudo das características corrente-tensão apresentadas pelas chamadas configurações de circuitos com TBJ’s.
100
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Excessos de tensão ou corrente podem danificar os diodos do TBJ, deixando-os em curto ou aberto, o que exige
o emprego de medidores especiais para detectar correntes de fuga demasiadas, ganhos de correntes baixos e tensões
de ruptura insuficientes. Além disso, é comum a realização de testes com os TBJ's antes de sua montagem, tais como:
 Por ser um dispositivo polarizado, deve-se identificar os terminais de um TBJ. Neste caso, pode-se utilizar a folha
de dados do componente ou multímetros que disponibilizam bornes de teste (Figura 7.4-b), onde a correta conexão
dos terminais do TBJ nos bornes é indicada pela medição de um ganho de corrente  F (visto adiante) médio.
 A opção de teste de diodos de multímetros (Figura 7.4-b) permite verificar as condições dos diodos do TBJ, por
meio da leitura da tensão de limiar típica de cada diodo. Neste caso, só é possível identificar o terminal da base.
 Outro teste consiste na medição da resistência entre os terminais coletor e emissor, que deve ser da ordem de M,
ou na razão entre as resistências reversa e direta dos diodos emissor e coletor, que deve ser maior que 1000.

7.2) MODOS DE OPERAÇÃO DO TBJ


Como visto anteriormente, o TBJ é constituído pelos diodos emissor e coletor. Logo, baseado na teoria vista no
Capítulo 6, tem-se que cada diodo apresenta um valor de limiar V e, desse modo, pode-se polarizar estes diodos em
condução ou corte dependendo da tensão aplicada entre os seus terminais, o que determina comportamentos distintos
para o TBJ. Assim, as quatro combinações possíveis de polarização simultânea dos diodos (esquemas explicativos na
Figura 7.5) definem os quatro modos de operação possíveis para o TBJ (resumo na Tabela 7.1), descritos a seguir:
CORTE OU BL OQUEIO ATI VO DI RETO SATURADO ATI VO REVERS O
E C E C E C E C
N P N N P N N P N N P N

VBE  V B VBC  V VBE > V B VBC  V VBE > V B VBC > V VBE  V B VBC > V

E C E C E C E C
P N P P N P P N P P N P

VEB  V VCB  V VEB > V VCB  V VEB > V VCB > V VEB  V VCB > V
B B B B
(a) (b) (c) (d)

Figura 7.5: Esquemas simplificados da polarização dos diodos para a obtenção dos modos de operação do TBJ.
1) MODO CORTE OU BLOQUEIO: este modo de operação é atingido quando ambos os diodos emissor e coletor
do TBJ se encontram polarizados no modo corte, isto é, com tensão entre seus terminais menor que os respectivos
limiares de cada diodo (Figura 7.5-a), ou mesmo reversas. Desse modo, o valor das correntes no TBJ são da ordem
de correntes reversas de diodos e podem ser consideradas praticamente nulas, tal que: IE = IC = IB  0.
2) ATIVO DIRETO: este modo de operação é atingido quando o diodo emissor é polarizado em condução e o diodo
coletor no corte, isto é, com tensão aplicada entre os terminais emissor e base (diodo emissor) maior que seu nível
de limiar e tensão entre os terminais coletor e base (diodo coletor) menor ou igual ao seu limiar (Figura 7.5-b).
A Figura 7.6-a mostra o mecanismo de funcionamento do TBJ no modo ativo direto, exemplificada para o TBJ
NPN. Com o diodo emissor em condução, tem-se então uma corrente direta no terminal emissor (IE) formada por
elétrons livres do substrato emissor tipo N (majoritários). Estes portadores, ao serem injetados na base tipo P, se
tornam minoritários neste substrato e, como a base é fina e pouco dopada, uma pequena parcela dos elétrons livres
injetados são capturados devido a recombinações com lacunas da base, o que resulta em uma pequena corrente no
terminal da base (IB). Por sua vez, o diodo coletor, por estar no corte, conduz corrente reversa e, como o campo
elétrico da barreira de potencial confinado na camada de depleção de um cristal PN é acelerante para minoritários
(vide Capítulo 5), a maior parcela dos elétrons livres injetados pelo emissor na base, por se tornarem minoritários,
são atraídos para o substrato coletor pelo campo acelerante da camada de depleção coletor-base (Figura 7.6-a), o
que resulta na corrente do terminal coletor ( IC). Logo, apesar da corrente IC no coletor ser do tipo reversa, esta é
comparável à corrente de emissor IE por ser formada pela maioria dos majoritários injetados na base pelo emissor.
Como conseqüência, tem-se idealmente que, se a tensão direta no diodo emissor for mantida, então a corrente
de emissor se mantém constante e, como as correntes de base e coletor são formadas pelos majoritários do emissor,
então estas também se mantém constantes, independentemente de alterações na tensão reversa do diodo coletor.
Assim, conclui-se que o TBJ no modo ativo direto apresenta um efeito ativo de controle de corrente por corrente, o
que permite o conceito de ganho e a definição dos chamados ganhos de corrente CC do TBJ (vistos mais adiante).
A Figura 7.6-b demonstra este mecanismo com base no modelo de bandas de energia. Com o diodo emissor em
condução, elétrons livres do substrato emissor (que formam IE) adquirem energia suficiente para ocupar órbitas
disponíveis na BC da base. Alguns destes elétrons injetados podem se recombinar com lacunas da base e fluir para
101
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

o seu terminal (IB), mas a maior parte apresenta vida média suficiente para alcançar a junção coletor-base, ocupar
órbitas disponíveis na BC no coletor e fluir para o seu terminal ( IC). Como a BC na base tem maior energia que no
coletor, então os elétrons liberam energia na forma de calor ao penetrar no substrato coletor (Figura 7.6-b), sendo
esta a razão para o coletor ser o maior substrato do TBJ, pois este deve ter condições para dissipar o calor liberado.
campos das barreiras de potencial
energia
N P N
E e – C emissor base coletor
e–
e– N P N
VBE VCB liberação
B BC de calor

E C
BV
IE IC
IB JE JC
B
(a) (b)

Figura 7.6: Mecanismo de condução dos modos ativo direto e saturado de um TBJ NPN.
3) SATURADO: este modo de operação é atingido quando ambos os diodos emissor e coletor estão polarizados em
condução (Figura 7.5-c). Como o diodo coletor é também levado à condução, ocorre então que a corrente reversa
do diodo coletor do TBJ, quando no modo ativo direto, passa a sofrer uma oposição devido ao diodo coletor tender
também a conduzir uma corrente direta. Logo, a denominação para este modo de operação decorre devido à perda
do controle da corrente de coletor pela corrente de emissor obtida no modo ativo direto, ou seja, alterações em IE
não são mais refletidos integralmente em IC, e diz-se então que o TBJ “saturou”. Desse modo, as correntes do TBJ
na saturação mantém o mesmo sentido do ativo direto pois, para poder inverter a corrente e conduzir diretamente,
a corrente no diodo coletor precisa antes anular a corrente reversa estabelecida no modo ativo direto.
4) MODO ATIVO REVERSO: este modo de operação é atingido quando o diodo emissor está no corte e o diodo
coletor em condução (Figura 7.5-d). Observa-se então que estas polarizações dos diodos do TBJ são contrárias aos
do modo ativo direto, ou seja, o substrato coletor passa a executar a função do emissor (fornecer portadores para o
TBJ funcionar),
reverso apresentae ganhos
vice-versa. Neste caso,
de corrente muitoapesar dedevido
baixos executar
às também
referidasum efeito controle
inversões de corrente,
de função, o modo
sendo então ativo
raramente
empregado (exemplo: certos circuitos de comutação analógica), razão pela qual não será abordado nesta apostila.
As particularidades de funcionamento dos transistores biplares de junção em seus modos de operação resultam
então essencialmente em duas aplicações básicas destes dispositivos nos mais diversos tipos de circuitos eletrônicos:
1) Chaveamento: consiste no aproveitamento do efeito chave liga-desliga propiciados pelos modos saturado e corte,
respectivamente, do TBJ. Este efeito chave é amplamente empregado em circuitos comutadores e digitais.
2) Amplificação: consiste no aproveitamento do ganho de potência (ganho de corrente e/ou tensão) propiciado pelo
efeito controle de corrente do modo ativo direto, que encontra amplo emprego em circuitos de sinais analógicos.
Tabela 7.1: Polarizações dos diodos emissor e coletor do TBJ e conseqüentes modos de operação.
MODOS DE OPERAÇÃO DO TBJ
DIODOS DO TBJ
Corte ou Bloqueio Ativo Direto Saturado Ativo Reverso
Diodo emissor (JE) corte condução condução corte
Diodo coletor (JC) corte corte condução condução

7.3) CONFIGURAÇÕES DO TBJ


Dispositivos de três terminais, como o TBJ, necessitam de
corrente corrente
pelo menos duas malhas para seu funcionamento em um circuito.
de entrada de saída
Neste caso, geralmente uma das malhas se distingue por conter o dispositivo de
terminal que conduz a corrente dita de entrada do dispositivo, 1 3 terminais 2
fornecida por uma fonte de sinal qualquer, e a segunda malha se ventrada 3 carga
distingue pelo terminal que conduz a corrente dita de saída do malha de entrada malha de saída
dispositivo pelo fato de alimentar uma carga ou o restante do
circuito (Figura 7.7). Com isso, o terceiro terminal caracteriza-se Figura 7.7: Conjunto de malhas mínimo para a
por ser comum aos outros dois terminais ao pertencer à ambas as
polarização de um dispositivo de três terminais.
malhas de entrada e saída do dispositivo (Figura 7.7).
102
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Para o TBJ, como este apresenta um efeito controle de corrente por corrente, a escolha da corrente de entrada
do TBJ define também a chamada corrente de controle, que determina o comportamento do TBJ (modos de operação),
e a malha de entrada consiste na chamada malha de controle. A escolha da corrente de saída do TBJ define então a
chamada corrente controlada e a malha de saída consiste na chamada malha controlada. Porém, por ser bem menor
que as correntes de emissor e coletor, a corrente de base não é utilizada como corrente de saída por resultar em um
circuito ineficiente ao ter-se uma corrente de entrada maior ( IE ou IC) controlando uma corrente de saída menor (IB).
Definidos então os terminais que conduzirão as correntes de entrada e de saída, o terceiro terminal do TBJ, cuja
corrente não é empregada como corrente de controle ou controlada, define as chamadas configurações do TBJ:
1) Configuração Base Comum ou BC: a corrente de emissor IE é a de entrada (controle) e a corrente de coletor IC é a
de saída (controlada), ou seja, a corrente de base IB não é empregada no efeito controle de corrente do TBJ. Como
IC  IE então pode-se também definir a corrente de coletor como entrada e a de emissor como saída do TBJ.
2) Configuração Emissor Comum ou EC: a corrente de base IB é a de entrada (controle) e a corrente de coletor IC a
de saída (controlada), ou seja, a corrente de emissor IE não é utilizada no efeito controle de corrente do TBJ.
3) Configuração Coletor Comum ou CC: a corrente de base I é a de entrada (controle) e a corrente de emissor I a
B C
de saída (controlada), ou seja, a corrente de coletor IC não é utilizada no efeito controle de corrente do TBJ.
Como o funcionamento de um TBJ depende apenas de como estão polarizados os seus diodos emissor e coletor,
então os modos de operação do TBJ podem ser alcançados em qualquer das três configurações existentes, que no
entanto distinguem-se pelos ganhos de corrente devido às diferentes composições entre correntes de entrada e saída.
Similarmente ao visto para o diodo, o comportamento do TBJ em seus modos de operação pode ser visualizado
por meio de características I-V, que relacionam variáveis de tensão e corrente mensuráveis em seus terminais. Porém,
como o TBJ apresenta seis parâmetros de estudo (três variáveis de corrente e três de tensão), então os gráficos destas
características I-V se mostram mais complexos e dependem da configuração empregada, do tipo de malha (entrada ou
saída) e da necessidade de se fixar uma terceira variável do TBJ para se estabelecer uma condição de funcionamento
básica. Como mencionado, por ter pouca utilidade prática, o modo ativo reverso não será abordado nestes estudos.
Além disso, as curvas das características I-V do TBJ na região ativa direta apresentam certas particularidades
devido ao chamado efeito Early, visto a seguir, que determina um comportamento um pouco diferente do idealizado.

7.3.1) EFEITO EARLY

Como visto na Figura 7.2-b, o TBJ possui duas regiões de depleção: emissor-base (EB), que compõe o diodo
emissor, e coletor-base
as duas regiões, chamada(CB), queefetiva
largura compõedaobase,
diodoé coletor. Desse modo,
a que realmente pode-se
apresenta observardeque
portadores a largura
carga livres. da base entre
Como visto no Capítulo 5, a largura da camada de depleção praticamente não se altera quando o cristal PN está
em polarização direta, mas aumenta quando este é polarizado reversamente. Supondo um TBJ no modo ativo direto,
isto é, com o diodo emissor no modo condução e o diodo coletor no modo corte, tem-se então que a largura efetiva da
base é basicamente controlada pela tensão reversa no diodo coletor. Este efeito de modulação da largura efetivamente
ocupada pela base, denominado efeito Early, ocasiona quatro alterações no funcionamento idealizado do TBJ:
1) Aumento da corrente de emissor (IE): o estreitamento da largura efetiva da base causa um aumento da concentração
de majoritários neste substrato, o que resulta em um aumento na diferença de concentração entre majoritários da
base e minoritários do emissor. Sendo correntes de difusão proporcionais ao gradiente de concentração e a corrente
de emissor é direta e, portanto, de difusão, então IE aumenta com a elevação da tensão reversa no diodo coletor.
2) Diminuição da corrente de base ( IB): a diminuição da largura efetiva da base acarreta em diminuição do caminho
que os portadores injetados na base pelo emissor devem percorrer para atingir o substrato coletor, o que acarreta
em menor possibilidade de recombinação destes portadores e, portanto, na diminuição da corrente da base.
3) Aumento da corrente de coletor (IC): a elevação da corrente de emissor e a dimiuição da corrente da base acarretam
então no aumento da corrente de coletor, que tende a se aproximar ainda mais da corrente de emissor.
4) Ruptura por punch-through: para tensões reversas muito elevadas no diodo coletor, a largura efetiva da base pode
se reduzir
elevada praticamente
(corrente a zeroconhecida
de ruptura) (isto é, as como
as camadas de depleção
perfuração se fundem), resultando
ou punch-through e causar uma
na corrente
queima doexcessivamente
TBJ.
Assim, a ação do efeito Early causa variações nas correntes do TBJ no modo ativo direto (e nos seus ganhos de
corrente), resultando em certa inclinação nas curvas da característica I-V do TBJ na região ativa direta, vistas a seguir.

7.3.2) CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM

Para exemplificar o estudo da configuração base comum, seja o circuito de polarização de um PNP mostrado na
Figura 7.8-a (para o NPN, a análise é análoga), onde observa-se que a corrente de base não participa do efeito controle
pelo fato do terminal da base pertencer às malhas de entrada e de saída. Analisando-se o circuito, tem-se então que:
 A ddp VEB consiste em uma tensão direta no diodo emissor do TBJ. Considerando uma tensão de limiar típica em
torno de 0,5 V para o diodo emissor, tem-se então que, se VEB  0,5 V, então IE = 0 A e o diodo emissor se encontra
no corte e, se VEB > 0,5 V, então IE > 0 A e, desse modo, o diodo emissor se encontra em condução.
103
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

 Similarmente, a ddp VBC é a tensão reversa no diodo coletor, ou seja, como VBC =  VCB, então VCB é a tensão direta
no diodo coletor. Considerando-se um limiar típico VCB = 0,5 V para o diodo coletor, tem-se que, se VBC   0,5 V,
então o diodo coletor se encontra no corte e, se VBC <  0,5 V, o diodo coletor se encontra no modo condução.
VBC3 > VBC2 > VBC1 IC (mA) IE 3 > IE 2 > IE 1
IE E C IC IE I E3
P P
N região de região
VEB VBC3 saturação I E2 ativa
B VBC
RE RC direta
VBC2
IB I E1
VC VBC1 ICBO
VE malha de malha de ruptura
IE = 0 A
entrada saída 0 0,5 VEB 0 BVCBO VBC (V)
- 0,5
região de corte

(a) (b) (c)


Figura 7.8: (a) Circuito com TBJ PNP para estudo da configuração base comum; (b) característica I-V de entrada
em base comum típica para um PNP; (c) característica I-V de saída em base comum tipificada para um TBJ PNP.
Assim, com base nestas observações, pode-se agora realizar um estudo sobre as características corrente-tensão
de entrada e saída para o entendimento do funcionamento de um TBJ PNP na configuração base comum:
(1) Característica de entrada: na Figura 7.8-a observa-se que a corrente de emissor IE e a ddp VEB são nas variáveis
de entrada do TBJ, ou seja, curvas IE x VEB (Figura 7.8-b) residem na característica I-V de entrada em base comum.
Como mencionado, para o levantamento das característica I-V do TBJ é necessário estabelecer uma condição de
funcionamento básica, o que neste caso consiste em manter uma variável na malha de saída em um valor fixo,
normalmente a tensão VBC, para que esta malha não interfira no comportamento das variáveis de entrada. Com base
na Figura 7.8-b, observa-se então que a característica I-V de entrada em base comum consiste em um conjunto de
curvas da característica I-V do diodo emissor em polarização direta, o que é consequência do efeito Early pois,
como visto, aumentos na tensão reversa no diodo coletor (VBC) causa aumentos na corrente de emissor IE.
(2) Característica de saída: na Figura 7.8-a observa-se que a corrente de coletor IC e a tensão VBC no diodo coletor
residem nas variáveis de saída do TBJ, ou seja, curvas IC x VBC constituem-se na característica I-V de saída do TBJ
em base comum. Similarmente, para a malha de entrada não interfir no levantamento da característica I-V de saída,
deve-se estabelecer uma condição de funcionamento básica para a malha de entrada, sendo normalmente adotado a
corrente de emissor IE como variável da malha de entrada a ser mantida em um valor fixo (Figura 7.8-c).
Observa-se então que a característica I-V de saída em base comum constitui-se de infinitas curvas, distintas
para cada corrente IE fixada, onde pode-se distinguir os três modos de operação do TBJ com aplicações práticas:
(2.1) Modo corte ou bloqueio: corresponde à região para IE = 0 A (diodo emissor no corte) e VBC   0,5 V (diodo
coletor no corte), que são, como visto, as condições para o modo corte de um TBJ (Figura 7.8-c). Neste modo,
a corrente de coletor IC assume um pequeno valor ICBO , chamada corrente reversa de coletor para a base com
o emissor em aberto (Figura 7.8-c), pois IE = 0 A pode ser obtido desconectando-se o terminal emissor do
TBJ. Além disso, a região de corte estende-se até VCB atingir o valor limite BVCBO , chamada tensão de ruptura
entre o coletor e a base com o emissor aberto (Figura 7.8-c), quando o TBJ se queima por punch-through.
(2.2) Modo ativo direto: corresponde à região onde IE > 0 A (diodo emissor em condução) e VBC   0,5 V (diodo
coletor no corte), que são, como visto, as condições para o modo ativo direto de um TBJ (Figura 7.8-c).
Como mencionado, no modo ativo direto ocorre um efeito controle de corrente por corrente, o que permite
a conceituação de um ganho de corrente com a razão entre as correntes de saída e entrada do TBJ, tal que:
IC
F  (7.2)
IE

onde F (ou HFB) é chamado ganho de corrente direta em base comum. Logo, tem-se que IC = F I E e, como
IC  IE , então F  1 (exemplo: F = 0,995). Este efeito controle de corrente confere ao modo ativo direto do
TBJ em base comum uma importante aplicabilidade, que consiste em circuitos isoladores chamados “buffer”.
Na Figura 7.8-c observa-se também que as curvas na região ativa direta apresentam uma leve inclinação, o
que é causada pelo Efeito Early pois, como visto, um aumento da tensão reversa VBC no diodo coletor acarreta
em um aumento na corrente de coletor IC , que se aproxima mais da IE fixada (Figura 7.8-c). Logo, conclui-se
que o ganho de corrente F não é constante e aumenta com o aumento da tensão reversa no diodo coletor.
(2.3) Modo saturado: corresponde à região da característica em que ambos os diodos emissor e coletor do TBJ se
encontram em condução, ou seja, I E > 0 A e VBC <  0,5 V, o que define, como visto, as condições do modo
saturado do TBJ (Figura 7.8-c). Observa-se então que esta região caracteriza-se por decréscimos na corrente
de coletor IC pois, para o diodo coletor também conduzir uma corrente direta, este necessita antes anular a
corrente reversa estabelecida no modo ativo direto. Isto acarreta então na perda do efeito controle de corrente
característico do modo ativo direto, ou seja, tem-se que a relação IC = F IE não se aplica ao modo saturado.
104
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

7.3.3) CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM


Para exemplificar o estudo da configuração emissor comum, seja o circuito de polarização de um NPN dado na
Figura 7.9-a (para o PNP, a análise é análoga), onde observa-se que a corrente de emissor não participa do efeito
controle pelo fato do terminal da emissor pertencer às malhas de entrada e de saída. Com base no circuito, tem-se que:
 Como visto, VBE é a tensão direta no diodo emissor e, desse modo, se VBE  0,5 V então IB = 0 A (pois IE = 0 A) e o
diodo emissor está corte e, se VBE > 0,5 V, então IB > 0 A (pois IE > 0 A) e o diodo emissor está em condução.
 Aplicando LKT no TBJ tem-se que: VCE = VBE  VBC , onde VBC é a tensão direta do diodo coletor. Supondo um
valor típico VBE = 0,7 V para o diodo emissor em condução e uma tensão de limiar típica VBC = 0,5 V para o diodo
coletor, tem-se que: VCE = 0,7  0,5 = 0,2 V. Logo, se VCE  0,2 V, então VBC  0,5 V e o diodo coletor entra no
corte. Para assegurar que o diodo coletor está decididamente no corte, normalmente adota-se VCE  0,3 V e tem-se
então que, se VCE  0,3 V, o diodo coletor está no corte e, se VCE < 0,3 V, o diodo coletor entra em condução.

VBC C IC IB VCE3 > VCE2 > VCE1 IC (mA) I B3 > I B2 > I B1


I B3 região
IB B N região de
P VCE RC ativa
N VCE1 saturação I B2
direta
RB VBE E VCE2
I B1
IE VC ICEO
VCE3
VB
malha de malha de IB = 0 A ruptura
entrada saída 0 0,5 VBE 0 0,3 BVCEO VCE (V)
região de corte
(a) (b) (c)

Figura 7.9: (a) Circuito com TBJ NPN para estudo da configuração emissor comum; (b) característica I-V de
entrada em emissor comum para o NPN; (c) característica I-V de saída em emissor comum tipificada para o NPN.
Assim, com base nestas observações, pode-se agora realizar um estudo das características corrente-tensão de
entrada e saída para o entendimento do funcionamento do TBJ NPN em emissor comum, visto a seguir:
(1) Característica de entrada: na Figura 7.9-a observa-se que a corrente de base IB e a ddp VBE no diodo emissor são
as variáveis
emissor de entrada
comum, onde Vdo TBJ, ou seja, curvas IB x VBE constituem-se na característica I-V de entrada do TBJ em
CE é normalmente fixada como condição de funcionamento básica para a malha de saída
(Figura 7.9-b). Na Figura 7.9-b observa-se então que, similar à configuração BC, a característica I-V de entrada do
TBJ constitui-se de um conjunto de curvas do diodo emissor em polarização direta para cada VCE fixada, causado
pelo efeito Early pois aumentos em VCE fazem aumentar a polarização reversa do diodo coletor, o que reduz IB .
(2) Característica de saída: na Figura 7.9-a observa-se que a corrente de coletor IC e a tensão VCE constituem-se nas
variáveis de saída do TBJ, ou seja, curvas IC x VCE residem na característica I-V de saída do TBJ NPN em emissor
comum, onde a corrente de base IB é fixada como condição básica para a malha de entrada (Figura 7.9-c).
Similar à configuração BC, observa-se que a característica de saída constitui-se de infinitas curvas, distintas
para cada corrente de base IB fixada, onde distingue-se os três modos de operação do TBJ com aplicações práticas:
(2.1) Modo corte ou bloqueio: corresponde à região onde IB = 0 A (diodo emissor no corte) e VCE  0,3 V (diodo
coletor no corte), que caracterizam o modo corte do TBJ (Figura 7.9-c). Como IB = 0 A reside em desconectar
o terminal base do circuito, então a corrente do TBJ no corte é definida por um valor ICEO , chamada corrente
reversa de coletor para o emissor com a base em aberto. Além disso, observa-se que a ddp VCE pode se elevar
até um valor limite de ruptura BVCEO , denominada tensão de ruptura entre coletor e emissor com a base em
aberto (Figura 7.9-c), cuja causa deve-se também à ruptura do TBJ devido ao efeito punch-through.
(2.2) Modo ativo direto: corresponde à região da característica onde que IB > 0 A (diodo emissor em condução) e
VCE  0,3 V (diodo coletor no corte), que são, como visto, as condições do modo ativo direto (Figura 7.9-c).
Assim, similar à configuração BC, no modo ativo direto ocorre um efeito controle de corrente por corrente e
pode-se então definir uma relação de ganho entre as correntes de saída IC e de entrada IB do TBJ, tal que:
I
F  C (7.3)
IB
onde  F (ou CC e HFE) é chamado ganho de corrente direta em emissor comum, tal que IC =  F IB . Neste caso,
como IC >> IB então  F >> 1 (exemplo:  F = 200). Este alto ganho de corrente confere ao modo ativo direto
do TBJ em emissor comum uma importante aplicação, que consiste na amplifição de sinais analógicos.
Como os modos de operação do TBJ, como mencionado, independem da configuação adotada, os ganhos
F e  F são dependentes entre si. Aplicando-se então as equações (7.2) e (7.3) na relação IE = IC + IB , tem-se:
F F
F  ou F  (7.4)
1  F F  1

105
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Similar à configuração BC, nesta região da característica de saída observam-se inclinações para as curvas
devido ao feito Early, pois aumentos de VCE provocam aumentos na tensãor reversa do diodo coletor, o que
causa aumentos em IC . Logo, o ganho  F não é constante e, a rigor, a relação IC =  F IB só vale pontualmente.
Comparando-se as Figuras 7.8-c e 7.9-c, observa-se também que as inclinações das curvas na região ativa
direta em emissor comum são mais pronunciadas, ou seja, o ganho  F é mais sensível ao efeito Early que o
ganho F. Para exemplificar esta sensibilidade, supondo um leve aumento no ganho F , de 0,995 para 0,996
(variação de 0,1%) então, com base na equação (7.4), tem-se que o ganho  F sofre um aumento de 200 para
250 (variação de 25%). Desse modo, a especificação de ganho  F apresenta grande tolerância e os projetos
com TBJ’s devem ser desenvolvidos de modo a não depender demais do valor exato deste parâmetro.
(2.2) Modo saturado: corresponde à região da característica tal que ambos os diodos emissor e coletor do TBJ se
encontram em condução, ou seja, I B > 0 A e VCE < 0,3 V, o que define as condições para o modo saturado do
TBJ (Figura 7.9-c). Similar ao observado no estudo da configuração base comum, nesta região observa-se um
decréscimo na corrente de coletor IC devido à tendência do diodo coletor do TBJ em conduzir uma corrente
também direta
ativo direto. por pode-se
Logo, estar emconcluir
condução,
queoaque acarreta
relação IC = na
 F perda do controle
IB também não se de corrente
aplica estabelecido
ao modo saturado.no modo

7.3.4) CONFIGURAÇÃO COLETOR COMUM


A identificação do TBJ na configuração coletor comum se mostra
menos trivial que nas configurações base e emissor comum, pelo fato de
um circuito de polarização do TBJ não exibir claramente o coletor como
o terminal comum às malhas de entrada e saída, necessitando então da IB
VBE VC
observação de algumas características do circuito para esta identificação. RB
IE Vsaída
Como exemplificação, a Figura 7.10 mostra um circuito simples de
polarização de um TBJ NPN, onde observa-se que o terminal coletor, por VB entrada RE
saída
estar conectado diretamente a uma fonte VC , desempenha uma função de
referência de tensão constante para os terminais base e emissor do TBJ.
Além disso, a ausência de um resistor em série com o terminal do coletor
do TBJ identifica que a carga do circuito está sendo desempenhada pelo Figura 7.10: TBJ em coletor comum.
resistor RE conectado ao terminal emissor, ou seja, a corrente de emissor IE está desempenhando a função de corrente
de saída do circuito. Estas duas constatações identificam então um TBJ na configuração coletor comum.
Como IC  IE , tem-se que as relações de corrente de entrada IB e de saída IE são muito similares das observadas
para o TBJ em emissor comum e, assim, as características I-V de entrada e saída na configuração coletor comum são
basicamente as mesmas e normalmente são também utilizadas em estudos da configuração do TBJ em coletor comum.
Além disso, considerando que IE = IC + IB e, como IC =  F IB dada pela equação (7.3), então a relação de ganho
entre as correntes de saída IE e de entrada IB no modo ativo direto do TBJ em coletor comum é definida por:
I E    F  1 I B (7.5)
Com base na Figura 7.10 observa-se que, sendo IB pequena, a queda de tensão em RB também é pequena e, a
menos da pequena queda VBE , a tensão VB será quase toda aplicada na saída ( Vsaída), o que faz a configuração coletor
comum apresentar um ganho de tensão (razão entre Vsaída e VB) aproximadamente unitário. Este efeito, denominado
“seguidor do emissor”, encontra utilidade no acoplamentos entre fontes e cargas para casamento de impedâncias.

7.4) ANÁLISE CC DE CIRCUITOS COM TBJ


Tal como adotado para os diodos, na análise CC de circuitos com TBJ’spode-se empregar as características I-V
de um TBJ fornecidos pelo fabricante e determinar seu ponto de operação com o auxílio do conceito de reta de carga,
bem como empregar modelos esquemáticos lineares dos modos de operação do TBJ, admitir hipóteses para o seu
funcionamento e provar a veracidade da hipótese feita com base em regras pré-estabelecidas. Além disso, os circuitos
com TBJs vistos até aqui empregavam fontes CC distintas para as malhas de entrada e saída para efeito didático, o
que não é uma realidade prática devido ao conceito de linhas de alimentação. Esses assuntos são abordados a seguir.

7.4.1) LINHAS DE ALIMENTAÇÃO


Equipamentos eletrônicos geralmente dispõem de apenas uma fonte de tensão CC (fontes retificadoras, pilhas,
baterias, etc.) para o funcionamento e fornecimento de potência aos seus componentes. Circuitos eletrônicos são então
normalmente implementados por meio de trilhas condutoras, chamadas linhas de alimentação, para a distribuição de
níveis de tensão ao longo dos estágios do circuito, onde o potencial positivo da fonte CC é distribuído pela chamada
linha do positivo e o potencial de referência de tensão pela chamada linha de referência (Figura 7.11). Além disso, um
106
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

circuito poderá prover também um nível de tensão negativo, distribuído pela chamada linha do negativo (Figura 7.11).
Por se tratar de um componente eletrônico, um TBJ requer então a linha do
aplicação de uma tensão CC para sua polarização em determinado positivo
ponto de operação e fornecimento de energia para poder executar IB I C I E
C E
sua função. Neste caso, na polarização de um TBJ tem-se que uma B B
mesma fonte CC é empregada para fornecer tanto a corrente no
terminal de entrada quanto a corrente no terminal de saída do TBJ. E C

Como exemplificação, para um TBJ NPN em emissor ou 0V IE IB IC linha de


coletor comum, tem-se que os terminais da base e do coletor do IB I C I E
referência
TBJ devem ser conectados à linha do positivo, com o terminal do B
C
B
E

emissor conectado à linha de referência, para que estes terminais


conduzam as correntes no sentido esperado em funcionamento E C
IE IB IC linha do
normal (Figura 7.11). Para o PNP, como o sentido das correntes é
contrário às do NPN, então o terminal do emissor deve ser levado negativo
à linha do positivo, e os terminais da base e do coletor levados à Figura 7.11: Esquemas simplificados para a
linha de referência, para que o sentido das correntes nos terminais
conexão de TBJ’s NPN e PNP entre linhas de
também seja o esperado (Figura 7.11). Para a linha do negativo, as
alimentação de referência, positivo e negativo.
conexões dos TBJ’s seguem a mesma lógica (Figura 7.11).

7.4.2) RETA DE CARGA


Similar aos diodos, o ponto de operação de um TBJ pode ser identificado com o auxílio da reta de carga do TBJ
e da característica I-V de saída. Neste caso, como a característica de saída apresenta infinitas curvas, deve-se também
determinar a corrente de entrada do TBJ para se identificar em qual das curvas está o ponto de operação do TBJ.
Seja então o circuito de polarização simplificado de um TBJ NPN dado na Figura 7.12-a e a característica I-V
de saída em emissor comum do TBJ dada na Figura 7.12-b. O circuito é redesenhado na Figura 7.12-b com a linha do
positivo refletida para os lados de modo a formar as malhas de entrada e saída do TBJ. Assim, equacionando tem-se:
VC  VBE
I
 LKT na malha de entrada: VCRVBB BE   0I B  (1)
RB
onde adota-se um VBE típico para obter IB e descobrir em qual curva da característica de saída o TBJ se encontra.
 LKT na malha de saída: VCIRV
C  0
I  VC  VCE (2)
CE C
RC
o que define a relação entre as variáveis IC e VCE da malha de saída e, desse modo, a reta de carga do TBJ.
Desse modo, supondo que a equação (1) resulte em um valor IB1 então, traçando-se a reta de carga (equação 2)
na característica I-V de saída do TBJ, tem-se que a intersecção entre a curva referente a IB1 e a reta de carga define o
ponto de operação Q e, portanto, os valores ICQ e VCEQ para o TBJ (Figura 7.12-c). Neste caso, conclui-se que o TBJ
se encontra no modo ativo direto e o ganho de corrente direta em emissor comum ( F) será dado por:  F = ICQ/IB1.
Similarmente, supondo que a equação (1) resulte em um valor IB3 então obtem-se o ponto de operação Q’ com a
reta de carga e conclui-se que o TBJ está saturado, ou ainda, se o resultado da equação (1) for desprezível ( IB  0),
tem-se o ponto de operação Q’’ e conclui-se que o TBJ está modo corte (Figura 7.12-c). Conclui-se então os modos
corte e saturado do TBJ não podem ser atingidos sem que o ponto de operação transite pela região ativa direta.
Assim, conclui-se que o ponto de funcionamento do TBJ “caminha” por meio de retas de carga, onde os modos
de operação podem ser atingidos através da mudança de algum parâmetro do circuito. Como exemplo, na equação (1)
observa-se que o resistor RB controla a corrente de base IB do TBJ e, da equação (2), observa-se que a reta de carga
não depende de RB . Logo, se RB  , então IB  0 e o TBJ se encontra no corte (ponto Q na Figura 7.12-d), e se RB
diminuir gradativamente, então IB aumenta proporcionalmente e o ponto de operação do TBJ passa a transitar pela
região ativa direta, com IB controlando IC , até atingir a região de saturação do TBJ (pon to Q’ na Figura 7.12-d).
linha do reta de carga I IC
+ VC VC IC B3
VC I B3
positivo IC
IB RC Q’ IB2 RC Q’ I B2
RC
RC VCE
Q IB1 I B1
RB RB VBE ICQ
VC malha de malha VC IB = 0 Q’’ IB = 0 Q
linha de entrada de saída 0 0
VCEQ VC VCE VC VCE
referência
(a) (b) (c) (d)

Figura 7.12: Emprego de reta de carga: (a) circuito com TBJ simplicado; (b) circuito redesenhado; (c) pontos de
operação estabelecidos pela reta de carga; (d) controle do ponto de operação do TBJ por meio de alterações em RB.

107
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Exercício 1: Para o circuito e característica I-V de saída em emissor comum dados a seguir, determine o ponto de
operação do TBJ para os casos: a) RB = 3,3 M; b) RB = 5,5 k ; c) RB = 3,3 k. Caso o ponto se encontre na região
ativa direta, determine as demais variáveis do TBJ e os ganhos de corrente direta. Considere um VBE típico de 0,7 V.
IC (mA)
IB = 1 mA
210 3
200
+4V 180 IB = 0,8 mA

150 IB = 0,6 mA
2
RB 20  120
IB = 0,4 mA
90
60 IB = 0,2 mA

30
IB = 0 A 1
0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VCE (V)
Solução
Substituindo o potencial da linha do positivo por uma fonte de 4 V e
refletindo esta fonte para formar as malhas de entrada e de saída, obtem-se VCB
IC
o circuito da figura ao lado, onde VBE = 0,7 V (dado do problema). Assim: VCE
3,3 IB 20 
 LKT na malha de entrada: 4  RB IB 0,7
 0  IB (1) RB 0,7 V
RB IE
4  VCE 4V
 LKT na malha de saída: 
4 20 I C CEV 0  C I 4 V entrada
20 saída
que consiste então na equação da reta de carga do TBJ no circuito.
 Determinando dois pontos quaisquer para desenhar a reta de carga no gráfico caracterísitca I-V do TBJ, tem-se:
 Para: VCE = 0 V  IC = 200 mA ;  Para: IC = 0 A  VCE = 4 V
 Com base na equação da reta de carga, observa-se que a mesma não depende do valor do resistor RB. Desse modo,
a reta traçada no gráfico da caracterísitca se mantém a mesma para os 3 casos de valor para RB a serem analisados.
a) Rcurva
B
= 3,3 M : da equação (1), tem-se que: I B = 0,001 mA 0 A . Logo, com a intersecção da reta de carga com a
da característica I-V referente à corrente de base 0 A, obtém-se o ponto 1 mostrado no gráfico. Conclui-se
então que o TBJ encontra-se no modo corte ou bloqueio, tal que: I CQ 0 A e V CEQ = 4 V .
b) RB = 5,5 k : da equação (1) tem-se que: I B = 0,6 mA e o ponto de operação 2 visto no gráfico da característica,
onde conclui-se que TBJ se encontra no modo ativo direto, tal que: V CEQ 1,6 V e I CQ 120 mA . Neste caso:
3
 Da equação (7.1), tem-se: I E  IC  I B  ICQ I B  120 1 0  0,6 1 0 3 I E= 120, 6 mA

 Aplicando LKT no TBJ, tem-se que: 0,7  VCBV 


0  V V
CE CB  0,7
CEQ  V CB= 0,9 V

I CQ 0,120
 Da equação (7.2), tem-se que: F  F
0,995
IE 0,1206
I 3
CQ 120  10
 Da equação (7.3), tem-se que:  F   
 200
0,6  10 3
F
IB
ou ainda, da equação (7.4), obtém-se igualmente que:  F   F (1  F) 0,995 (1 0,995) 200
c) RB = 3,3 k : da equação (1) tem-se que I B = 1 mA e obtém-se o ponto 3 mostrado no gráfico da característica.
Neste caso, conclui-se que o TBJ se encontra no modo saturado, tal que: V CEQ 0,2 V e I CQ 190 mA .

7.4.3) MODELOS ESQUEMÁTICOS DO TBJ

Semelhante ao estudo dos diodos, os modelos do TBJ e as regras de prova são baseados na linearização por
partes das características I-V do TBJ. Neste caso, como as características de entrada e saída são distintas, a construção
de modelos para cada modo de operação do TBJ deve compor-se de esquemas parciais obtidos de cada característica,
onde normalmente desconsidera-se o efeito Early para cálculos práticos de circuitos com TBJ. Além disso, como os
modos de operação de um TBJ independem de sua configuração, os modelos e provas podem ser obtidos para uma
determinada configuração e empregada também nas demais. Por fim, como o sentido das correntes e tensões do NPN
é oposto ao do PNP, pode-se construir modelos para o NPN e, com inversão de sentidos, obter-se os modelos do PNP.
Assim, adotando-se as características I-V de entrada e saída do TBJ NPN em emissor comum como objetos de
análise para a construção de esquemas parciais e modelos gerais dos modos de operação do NPN, seja na Figura 7.13
o gráfico destas características e suas respectivas regiões de operação linearizadas por partes, onde estabelece-se que:
108
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Como mencionado anteriormente, invertendo-se as correntes e tensões dos componentes dos modelos obtidos
para os modos de operação do NPN, pode-se então determinar os modelos para o TBJ PNP, mostrado na Figura 7.15.
MODO CORTE MODO ATIVO DIRETO MODO SATURADO
IE = 0 IE = IC + IB = ( F + 1) IB IE = I C + I B
E E E
VEB VEC VEC
 F IB
IB = 0 IC = 0 0,7 V (F IE) IB 0,7 V
IB I C =  F IB IC
B C B C IC = F IE B C
VBC VBC 0,7 V
IE = 0 IE = IC + IB = (F + 1) IB IE = IC + IB
VEB 0,7 V 0,7 V
E E E
IB = 0 B IB B IB B
VEC VEC 0V
VBC C VBC C 0,7 V C
IC = 0 IC =  F IB = F IE IC

Figura 7.15: Modelos de polarização CC e equacionamento básico para os modos de operação do TBJ PNP.
Com base no modelo esquemático do TBJ NPN no modo ativo direto (Figura 7.14), pode-se deduzir a equação
para um cálculo aproximado da potência dissipada no NPN em qualquer modo de operação, determinada então por:
PTBJ _NPN  0,7BI CEV C I CE
 CV I (7.6)
visto IB ser bem pequena. Similarmente, com base no modelo do TBJ PNP no ativo direto (Figura 7.15), tem-se:
PTBJ _PNP  0,7BI ECVC I EC
 CV I (7.7)

7.4.4) METODOLOGIA DA ANÁLISE CC

Como mencionado, a análise CC de circuitos com TBJ's consiste em admitir hipóteses sobre a operação de cada
TBJ, aplicar o modelo esquemático correspondente, processar os cálculos pela teoria de Circuitos Elétricos e provar
as suposições até a obtenção da hipótese verdadeira. Semelhante ao visto para os diodos, a definição dos critérios de
julgamento das hipóteses baseia-se nas linearizações das características I-V do TBJ e, assim, pode-se estabelecer que:
1) Modo corte: com base na linearização da característica I-V de entrada do NPN em emissor comum (Figura 7.13),
observa-se que uma tensão de entrada VBE menor que o limiar adotado (0,7 V) leva o diodo emissor ao corte. Logo,
a hipótese do TBJ NPN operando no modo corte é verdadeira se VBE  0,7 V e falsa se VBE > 0,7 V. Por dedução, a
hipótese para o TBJ PNP operando no modo corte é verdadeira se VEB  0,7 V e falsa se VEB > 0,7 V.
2) Modo ativo direto: com base na linearização da característica I-V de saída em emissor comum para o TBJ NPN
(Figura 7.13), pode-se observar que a tensão de saída VCE assume qualquer valor positivo. Desse modo, a hipótese
para o TBJ NPN operando no modo ativo direto é verdadeira se VCE > 0, e falsa se VCE  0. Por dedução, tem-se
que a hipótese para o TBJ PNP operando no modo ativo direto é verdadeira se VEC > 0, e falsa se VEC  0.
3) Modo saturado: para um melhor entendimento do critério de prova para o TBJ no modo saturado, será analisado a
característica I-V de saída do TBJ NPN em emissor comum sem considerar o efeito Early, dada na figura abaixo.
Seja IBcalc e ICcalc as correntes de base e coletor, respectivamente, obtidas nos IC I
Bcalc > IBmin (V)
cálculos do circuito com o TBJ na hipótese saturado. Analisando-se a característica
I-V de saída (figura), observa-se então que, para cada curva correspondente a uma I 1 IBmin
C calc
corrente de base, há uma correspondente corrente de coletor na região ativa direta.
Logo, para o valor da corrente de coletor ICcalc deve existir uma curva na região IBcalc < IBmin (F)
ativa direta da característica correspondente a uma corrente de base IBmin (figura).
Considerando um ganho de corrente direta  F para o TBJ no ativo direto então, de região de região ativa VCE
acordo com a equação (7.3), tem-se que o valor de IBmin pode ser determinado por: saturação direta
I C calc
I B min  (7.8)
F
Similarmente, na característica I-V de saída deve existir também uma curva correspondente à corrente de base
IBcalc. Observa-se então que o par ICcalc e IBcalc existe no funcionamento do TBJ apenas se o valor de IBcalc for maior
que IBmin (figura) e, neste caso, o ponto de operação dado pela intersecção entre a curva referente a IBcalc e o valor
de ICcalc (ponto 1) se encontra claramente na região de saturação. Assim, a hipótese para um TBJ (NPN ou PNP)
operando no modo saturado é verdadeira se IBcalc  IBmin e falsa se IBcalc < IBmin. Assim, IBmin pode ser entendida
como a corrente mínima para saturar um TBJ quando este conduz uma certa corrente IC no modo ativo direto.
110
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Exercício 2: Para o circuito fornecido a seguir, sabe-se que o ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ
empregado vale 100. Determine as variáveis de tensão e corrente do TBJ para: a) RB = 6,6 k ; b) RB = 3,3 k
+4V Solução
50  Redesenhando o circuito com a colocação do potencial da
50  linha do positivo (4 V ) refletido de modo a formar as malhas de
RB RB entrada e de saída, obtém-se o circuito dado na figura ao lado.
VBE 4V Realizando uma análise preliminar antes de se proceder
4V com os cálculos da análise CC, observa-se que a fonte de 4 V na
entrada saída
malha de entrada é maior que o VBE típico (0,7 V) e, desse modo
esta fonte é suficiente para para levar o diodo emissor do TBJ
NPN ao modo condução. Assim, conclui-se que o TBJ estará operando no modo ativo direto ou no modo saturado.
a) RB = 6,6 k : empregando o método da suposição e prova da análise CC de circuitos com TBJ, tem-se então que:
 Suposição 1: TBJ no modo saturado
Empregando-se
 LKT na malha deoentrada:
modelo esquemático do NPN para o modo saturado, obtém-se oBcircuito da figura
C abaixo.
4 6600 I  0 
B 0,7  IB I Bcalc
0,5 mA IB IC
0,7 V 50 
 LKT na malha de saída: 6,6 k
4 – 50 IC = 0   IC = ICcalc = 0,08 A
E 4V
I C calc 0,08 4 V entrada IE
 Da equação (7.8), tem-se: I B min    0,8 mA saída
F 100
Como IBcalc < IBmin conclui-se então que a hipótese do TBJ estar saturado é falsa, visto que o par IBcalc e ICcalc
não existe na operação do TBJ empregado no circuito. Assim, deve-se testar outra hipótese possível.
 Suposição 2: TBJ no modo ativo direto IB
VCB
IC = 100 IB
B C
Empregando-se o modelo do NPN para o modo ativo direto,
obtém-se o esquema de circuito da figura ao lado. Logo: 100 IB 50 
 LKT na malha de entrada: 0,7 V
6,6 k
4 6 600 I VCE
B 0, 7 
0 I 0, 5 m A
B
E 4V
 Corrente de coletor: IC  F I B  100  0,5 10 3