CONVERSOR BUCK
2
SUMÁRIO
1. OBJETIVO ------------------------------------------------------------------------------------- 4
2. RESUMO ---------------------------------------------------------------------------------------4
3. INTRODUÇÃO -------------------------------------------------------------------------------- 5
4. MATERIAIS E MÉTODOS ------------------------------------------------------------------ 6
5. RESULTADOS ----------------------------------------------------------------------------------11
6. CONCLUSÃO -----------------------------------------------------------------------------------16
7. REFERÊNCIAS ----------------------------------------------------------------------------------17
3
1. OBJETIVO
2. RESUMO
4
3. INTRODUÇÃO
O ruído gerado tanto para tensão de saída quanto para a entrada são
altos devido à forma pulsante das correntes no transistor e diodo.
5
4. MATERIAIS E MÉTODOS
4.1. Materiais Utilizados
1) Trafo de 12V/1ª;
2) Capacitor Eletrolítico de 2200uF/40V;
3) Capacitor Eletrolítico de 1000uF/25V;
4) Capacitor de Cerâmica de 680nF/40V;
5) Capacitor de Cerâmica de 330nF/40V;
6) Regulador de Tensão 7812 (12V);
7) Resistor de 470 ohm.
1) CI 3525;
2) Capacitor Eletrolítico de 10uF/63V;
3) Capacitor de Cerâmica de 1200pF;
4) Resistor de 4,7k ohm;
5) Resistor de 10 ohm;
6) Resistor de 10k ohm;
7) Resistor de 3,3k ohm;
8) Resistor de 22 ohm;
9) Diodo 4148;
10) Diodo Zener;
11) BC 546 e 556;
12) Potenciômetro de 4,7k ohm.
1) Indutor de 1 mH;
2) Capacitor Eletrolítico de 10uF/250V;
3) Chave IRF740;
4) Diodo 15ETH06.
6
Figura 1a) Diagrama do circuito
Modo 1
𝑑𝐼𝐿
𝑣𝐿 = 𝑉𝐸 - 𝑉𝑆 = L
𝑑𝑡
𝑑𝐼𝐿 𝑉𝐸 − 𝑉𝑆
=
𝑑𝑡 𝐿
7
Assim, a equação anterior pode ser escrita como:
∆𝐼𝐿 ∆𝐼𝐿 𝑉𝐸 − 𝑉𝑆
= =
∆𝑡 𝐷𝑇 𝐿
𝑉𝐸 − 𝑉𝑆
(∆𝐼𝐿 )𝑓𝑒𝑐ℎ𝑎𝑑𝑎 =( ) DT
𝐿
Modo 2
Figura 1b) Circuitos Equivalentes
𝑑𝐼𝐿
𝑣𝐿 = - 𝑉𝑆 = L
𝑑𝑡
𝑑𝐼𝐿 − 𝑉𝑆
=
𝑑𝑡 𝐿
∆𝐼𝐿 ∆𝐼𝐿 − 𝑉𝑆
= =
∆𝑡 (1−𝐷)𝑇 𝐿
8
𝑉𝑆
(∆𝐼𝐿 )𝑓𝑒𝑐ℎ𝑎𝑑𝑎 = - ( ) (1-D)T
𝐿
→ Circuito de Disparo
9
→ Fonte de 12V
10
5. RESULTADOS
Circuito de Potência
𝑉𝑆 = 𝑉𝐸 x D.
=(1−𝐷)𝑅
𝐿
2𝑓
(1−𝐷)𝑅 (1−0.2)82
𝐿𝑚𝑖𝑛 = = = 1.093 mH
2𝑓 2𝑥30000
11
(1−𝐷)𝑅 (1−0.9)82
𝐿𝑚𝑖𝑛 = = = 137uH
2𝑓 2𝑥30000
𝑉𝑠 28
𝐼𝐿 = = = 0.341A
𝑅 82
△𝐼𝐿
𝐼𝐿 𝑚á𝑥 = 𝐼𝐿 + = 344m A
2
△𝐼𝐿
𝐼𝐿 𝑚í𝑛 = 𝐼𝐿 − = 338.2m A
2
Para D= 0.9
△𝑉0 (1−𝐷)
=
𝑉𝑜 8𝐿𝐶𝑓²
0.05 0.1
= , logo C = 2.32 uF
1 8𝑥1.2𝑥10−3 𝑥𝐶𝑥30000²
12
Para D=0.2
△𝑉0 (1−𝐷)
=
𝑉𝑜 8𝐿𝐶𝑓²
0.05 0.8
= , Logo C= 1.85 uF
1 8𝑥1.2𝑥10−3 𝑥𝐶𝑥30000²
5.2 Simulação
13
Circuito no Orcad
14
Potência de Saída: Em torno de 3W.
15
6. CONCLUSÃO
16
7. REFERÊNCIAS
ELETRÔNICA DE POTÊNCIA – CIRCUITOS, DISPOSITIVOS E
APLICAÇÕES (Muhammad H. Rashid)
ELETRONICA DE POTÊNCIA – ANÁLISE E PROJETOS DE CIRCUITOS
(Daniel W. Hart)
ANÁLISE E PROJETO DE FONTES CHAVEADAS (Luiz Fernando Pereira
de Mello)
http://200.129.241.140/mdl_faet/file.php/1070/Aula_de_laboratorio/laboratori
o_11-_Circuito_disparo_de_IGBT_e_MOSFET_com_SG3525.pdf (material
dado em sala).
17