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- 4º cartaz: como a Física Quântica está presente no nosso dia a dia?

Na física do estado sólido, banda de estrutura eletrônica (ou simplesmente banda) de um sólido
descreve regiões permitidas na distribuição de energia que os elétrons de um sólido devem ter
(chamadas bandas permitidas, ou bandas) e regiões proibidas ( chamados gaps, ou bandas
proibidas).

imagem: diodo ligado à bateria, quando um elétron encontra um buraco há emissão de luz.

A teoria das bandas afirma onde deverão haver essas bandas e gaps de condução num sólido
examinando a função de onda do elétron numa rede imensa e periódica de atomos e moléculas.
Teoria das bandas tem tido sucesso em explicar muitas propriedades físicas dos sólidos como
resistividade elétrica e absorção optica, e levando a compreensão de todos os aparelhos de estado
sólido (solid-state device) como transistores, célula fotovoltáica, etc.
Basicamente um material semicondutor tem um valor de condutividade elétrica que cai entre o de
um condutor, como cobre metálico, e um isolante, como vidro. Sua resistência cai à medida que sua
temperatura aumenta; metais são o oposto. Suas propriedades condutoras podem ser alteradas de
maneiras úteis pela introdução de impurezas ("doping") na estrutura do cristal. Onde duas regiões
dopadas de maneira diferente existem no mesmo cristal, uma junção semicondutora é criada. O
comportamento dos portadores de carga, que incluem elétrons, íons e orifícios de elétrons nessas
junções, é a base de diodos, transistores e todos os componentes eletrônicos modernos. Alguns
exemplos de semicondutores são silício, germânio, arseneto de gálio e elementos próximos à
chamada "escada metalóide" na tabela periódica. Após o silício, o arseneto de gálio é o segundo
semicondutor mais comum [citação necessário] e é usado em diodos laser, células solares, circuitos
integrados à frequência de microondas e outros. O silício é um elemento crítico para a fabricação da
maioria dos circuitos eletrônicos.

imagem: diodo LED (light emissor diode).

Para que um diodo esteja polarizado diretamente, é necessário conectar o polo positivo de uma
bateria ao anodo (zona P) do diodo e o polo negativo ao catodo (zona N).[4] Nestas condições
podemos observar que:
• O polo negativo da bateria repele os elétrons livres do cristal N, de maneira que estes
elétrons se dirigem à junção P-N.
• O polo positivo da bateria atrai os elétrons de valência do cristal P, isto é equivalente a dizer
que empurra as lacunas para a junção P-N.
• Quando a diferença de potencial entre os bornes da bateria é maior que a diferença de
potencial na zona de carga espacial P, os elétron livres do cristal N, adquirem a energia
suficiente para saltar até as lacunas do cristal P, as quais previamente foram deslocadas para
a junção P-N.
• Uma vez que um elétron livre da zona N salta à zona P atravessando a zona de carga
espacial, cai em uma das muitas lacunas da zona P convertendo-se em elétron de valência.
Uma vez que isto ocorre o elétron é atraído pelo polo positivo da bateria e se desloca de
átomo em átomo até chegar ao final do cristal P, através do qual introduz-se no fio condutor
e chega à bateria.
Neste caso, a bateria diminui a barreira de potencial da zona de carga espacial (cedendo elétrons
livres à zona N e atraindo elétrons de valência da zona P), permitindo a passagem da corrente de
elétrons através da junção; isto é, o diodo polarizado diretamente conduz a eletricidade.
Na polarização inversa, o polo negativo da bateria é conectado à zona P e o polo positivo à zona N,
o que faz aumentar a zona de carga espacial, e a tensão nesta zona até que se alcance o valor da
tensão da bateria.[4]
• O polo positivo da bateria atrai os elétrons livres da zona N, os quais saem do cristal N e se
introduzem no condutor no qual se deslocam até chegar à bateria. A medida que os elétrons
livres abandonam a zona N, os átomos pentavalentes que antes eram neutros, ao verem-se
desprendidos de seus elétrons no orbital de condução, adquirem estabilidade (8 elétrons na
camada de valência, ver semicondutor e átomo) e uma carga elétrica líquida de +1, o que os
faz converterem-se em íons positivos.
• O polo negativo da bateria cede elétrons livres aos átomos trivalentes da zona P.
Recordemos que estes átomos só têm três elétrons de valência, e uma vez que tenham
formado as ligações covalentes com os átomos de silício, têm somente 7 elétrons de
valência, sendo o elétrons que falta denominado lacuna Acontece que quando estes elétrons
livres cedidos pela bateria entram na zona P, caem dentro destas lacunas com o que os
átomos trivalentes adquirem estabilidade (8 elétrons em seu orbital de valência) e uma carga
elétrica líquida de -1, convertendo-se assim em íons negativos.
• Este processo se repete e de novo até que a zona de carga espacial adquire o mesmo
potencial elétrico da bateria.
Nesta situação, o diodo não deveria conduzir a corrente; não obstante, devido ao efeito da
temperatura formam-se os pares elétron-lacuna em ambos os lados da junção produzindo-se uma
pequena corrente (da ordem de 1μA) denominada corrente inversa de saturação. Além disso existe
também uma corrente denominada corrente superficial de fugas a qual, como o próprio nome
indica, conduz uma pequena corrente pela superfície do diodo; já que na superfície, os átomos de
silício não estão rodeados de suficientes átomos para realizar as quatro ligações covalentes
necessárias para obter estabilidade. Este faz com que os átomos da superfície do diodo, tanto da
zona N como da P, tenham lacunas em seus orbitais de valência e por isto os elétrons circulam sem
dificuldade através deles. Não obstante, assim como a corrente inversa de saturação, a corrente
superficial de fugas é desprezível.

imagem: bandas são compostas de espaços muito pequenos entre os orbitais dos átomos e moléculas permitindo assim a
atuação do princípio da incerteza de heisenberg.

Assim como os diodos o transistor também usa das teoria das bandas. Transistor é o bloco de
construção fundamental dos dispositivos eletrônicos modernos e é onipresente nos sistemas
modernos. Julius Edgar Lilienfeld patenteou um transistor de efeito de campo em 1926, mas não foi
possível construir um dispositivo de trabalho naquele momento. O primeiro dispositivo
praticamente implementado foi um transistor de contato pontual inventado em 1947 pelos físicos
estadunidenses John Bardeen, Walter Brattain e William Shockley. O transistor revolucionou o
campo da eletrônica e abriu caminho para rádios, calculadoras e computadores menores e mais
baratos, entre outras coisas. O transistor está na lista de marcos do IEEE em eletrônica, e Bardeen,
Brattain e Shockley dividiram o Prêmio Nobel de Física em 1956 por sua conquista.

O transistor é o componente ativo chave em praticamente todos os eletrônicos modernos. Muitos


consideram ser uma das maiores invenções do século XX.Sua importância na sociedade atual
depende de sua capacidade de ser produzida em massa usando um processo altamente automatizado
(fabricação de dispositivos semicondutores) que alcança custos surpreendentemente baixos por
transistor. A invenção do primeiro transistor na Bell Labs foi nomeada como um marco na IEEE em
2009.

imagem: transistores

Embora várias empresas produzam mais de um bilhão de transistores embalados individualmente


(conhecidos como "discretos") a cada ano, a grande maioria dos transistores agora é produzida em
circuitos integrados (muitas vezes encurtados para IC, microchips ou simplesmente chips), junto
com diodos, resistores, capacitores e outros componentes eletrônicos, para produzir circuitos
eletrônicos completos. Uma porta lógica consiste em até cerca de vinte transistores, enquanto um
microprocessador avançado, a partir de 2009, pode usar até 3 bilhões de transistores
(MOSFETs)."Cerca de 60 milhões de transistores foram construídos em 2002 ... para [cada]
homem, mulher e criança na Terra."
Bibliografia:

. PIERCE, J. F. (1972). «Capítulo 1: O diodo de junção P-N». Dispositivos de junção


semicondutores. São Paulo: Edgard Blücher
• POLIAKOV, A. M. (1985). «Capítulo 4: Contact phenomena». Semiconductors made
simple. Col: Science for everyone (em inglês). Tradutora: Deineko N. Moscou: Mir
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• KITTEL, Charles (1978). Introdução à Física do Estado Sólido 5 ed. Rio de Janeiro:
Guanabara Dois. p. 234-237
• Baptista, Fernandes, Pereira, Paisana, António, Carlos, Jorge, José (2012). Fundamentos
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Dicionário Houaiss da Língua Portuguesa. VII. Lisboa: Temas & Debates. 3001 páginas
• Ferreira, Aurélio Buarque de Holanda (1986). «Diodo». Novo Dicionário da Língua
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• Eletricidade - Circuitos Elétricos Centro de Divulgação Científica e Cultural - USP
(Universidade de São Paulo) - acessado em 12 de janeiro de 2012
• Pereira, Lilian Souza (17 de fevereiro de 2010). «Dopagem Eletrônica». Infoeducação.
Consultado em 13 de janeiro de 2012
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