Transistor BJT (Bipolar Junction Transistor)

El transistor bipolar consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente
que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o
recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por
corriente y del que se obtiene corriente amplificada. De manera simplificada, la corriente que
circula por el "colector" es función amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el
transistor sólo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de
corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", según el tipo de
circuito que se utilice. El factor de amplificación logrado entre corriente de base y corriente de
colector, se denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son
particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base
Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias
tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector
Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc.

Zonas de trabajo del transistor

Dado que un transistor bipolar de unión BJT se puede modelar como un par de diodos, sus estados
se definen en función de las diversas combinaciones de la polarización individual de éstos. Los
diodos son el de Colector Base CB y el de base emisor BE. Esto se sintetiza a continuación:

CB BE Estado:
Directo Directo Saturación
Directo Inverso Corte
Inverso Directo Activa
Inverso Inverso Invertido (C <-->E)

El transistor operando en la región activa se utiliza como amplificador. Existen tres formas de
conectar un transistor BJT como amplificador. Según el terminal común a la red de entrada y salida,
éstas se denominan configuraciones de amplificación de: Emisor Común, Base Común y Colector
común. Cuando se desea utilizar el transistor como interruptor (conmutador) se polariza para que
opere en la región de saturación (mínimo voltaje CE) pues en un interruptor ideal el voltaje entre
sus contactos es cero cuando se encuentra cerrado (activo). Aquí una pequeña corriente en la base
(señal de comando) puede controlar una gran corriente en la carga (colector). Para garantizar que
el transistor se encuentre en región ACTIVA se configura una red pasiva (resistiva) a partir de una
fuente de tensión única, que se encarga de mantener los niveles y sentidos adecuados de las
tensiones y corrientes en las junturas BC y BE. Esta red se conoce como red de POLARIZACIÓN.
Existen varias técnicas para lograr este objetivo, pero las más comunes emplean el concepto de
retroalimentación negativa para estabilizar el diseño e independizarlo de fenómenos como
temperatura, variación de tensión de suministro y variación de parámetros del transistor.
Diseño de polarización de BJT

Ic 1mA Vcc 15V Vbe 0.65V Vcesat 0.2V

( Vcc  Vcesat )
 63 Vceq  Vceq  7.6 V
2
VRc
VRc Vcc  Vceq VRc  7.4 V Rc  Rc  7.4k
Ic
Rc
Re  Re  740 
10
Vcc VRb  Vbe  VRe
VRe IcRe VRe  0.74V VRb Vcc  Vbe  VRe
Ic
VRb  13.61 V Ib  Ib  15.873A

VRb
Rb  Rb  857.43k
Ib

Ganancia de corriente

C 25pF C 8pF Ic 1mA  63

Ic
Rb 857.K Rc 7.4k Re 740 gm  gm  0.038S
26mV
V 
Isal  gmV Ient  Hie  Hie  1.638 k
Zent gm

R Hie R  1.638 k
  Rent  1 
 
Rent 
R Rb
V Ient 
 j2f ( C  C) 
R  Rb 1
Rent 
j2f ( C  C )

Isal  gmRent

Ien 1  j2f ( C  C ) Rent

1 1
Ai( Jf ) Aim Ai( Jf ) Aim
1  j2f ( C  C ) Rent f
1  J
fp

Aim  gmRent Aim   62.88

1
fp  fp  2.95MHz
2 Rent( C  C )

Ai 20log  Aim  Ai  35.97 En decibeles

Toma de datos

Ai
Frecuencia(KHz) Ient(uA) Isal(mA)
Práctico
50 67,2 0,74 11,01
100 74,7 0,8 10,71
200 97,9 0,79 8,07
400 153 0,8 5,23
800 145 0,8 5,52
1000 189 0,76 4,02
2000 276 0,75 2,72
3200 765 0,56 0,73
5000 1210 0,41 0,34
10000 1320 0,4 0,30

Medir Ft:

Ft 10fb fb  2.95MHz

Ft  29.5 MHz

Fotos:

50 KHz 100 KHz

200KHz 400KHz

800KHz 1MHz

2MHz Frecuencia cuando Ai=70%

Conclusiones

a. El condensador de la entrada del amplificador, el que acopla el generador con el transistor

influye enormemente en la ganancia del transistor, ya que le cambiamos varias veces su
valor y arrojaba resultados muy distintos. De igual forma el condensador que desacopla el
emisor, genera cambios en la ganancia del transistor.

b. La ganancia teórica difiere demasiado de la ganancia obtenida en la práctica, en un orden

que no es para nada despreciable, la posible razón puede ser la falta de precisión al
momento de medir los parámetros del BJT, así como puede influenciar la polarización.

c. De igual forma es extraño que la ganancia de corriente no se mantenga constante o por lo

menos aumente, sino que empieza a descender, claro en la practica, porque al simularlo la
ganancia aumentaba aunque no llegaba a la teórica, sin embargo se mantenía mas o
menos constante; los posibles factores para estas mediciones pudieron ser falta de
precisión al medir sobre la resistencia en la salida sobre la cual se media el voltaje con el
osciloscopio.