F A SCÍCUL O S / H A R MÔN I C O S

“Este texto foi preparado como um curso de extensão “Influência
dos Harmônicos nas Instalações Elétricas Industriais”. Trata-se de
um curso voltado para profissionais atuantes no setor elétrico e
interessados em acompanhar as inovações tecnológicas decorrentes da
evolução da Eletrônica de Potência, especialmente as possibilidades do
condicionamento de energia elétrica visando aprimorar a qualidade do
produto Energia Elétrica. Inicialmente, no capítulo 1, que será publicado
em duas partes (Parte I e II), faz-se uma discussão sobre Fator de Potência
e Harmônicas, vinculando-os em termos da influência das harmônicas
sobre o fator de potência de um sistema. A seguir, no capítulo 2,
são apresentadas algumas normas e regulamentações que limitam a
contaminação harmônica de um sistema ou a emissão de uma carga.
No capítulo 3 são apresentados os componentes semicondutores de
potência que são utilizados em conversores estáticos que, em última
instância, são os responsáveis pelo aumento da distorção presente na
rede. Paradoxalmente, são estes mesmos conversores que permitem
a compensação das distorções quando adequadamente empregados.
No capítulo 4 são apontados os efeitos sobre os componentes de um
sistema elétrico e as causas da distorção harmônica. Nos capítulos
5, 6 e 7 são apresentadas soluções para a minimização da distorção
harmônica, iniciando com correções passivas, passando para as ativas,
como os pré-reguladores de fator de potência e os filtros ativos”.
José Antenor Pomilio – Engenheiro Eletricista, Mestre e Doutor
em Engenharia Elétrica pela Universidade Estadual de Campinas –
UNICAMP (1983, 1986 e 1991, respectivamente). É professor junto à
Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação da UNICAMP desde
1984. Participou do Grupo de Eletrônica de Potência do Laboratório
Nacional de Luz Síncrotron (CNPq) entre 1988 e 1993, sendo chefe do
Grupo entre 1988 e 1991. Realizou estágios de pós –doutoramento
junto ao Departamento de Engenharia Elétrica da Universidade de
Pádua (1993/1994) e ao Departamento de Engenharia Industrial da
Terceira Universidade de Roma (2003), ambas na Itália. Foi “Liaison”
da IEEE Power Electronics Society para a Região 9 (América Latina)
em 1998/1999. Foi membro do Comitê de Administração da IEEE
Power Electronics Society no triênio 2000/2002. Foi editor da Revista
Eletrônica de Potência e editor associado das revistas IEEE Trans. on
Power Electronics e Controle & Automação (SBA). Foi presidente
da Sociedade Brasileira de Eletrônica de Potência (2000 –2002) e é
membro de sua diretoria e Conselho Deliberativo.

FATOR DE POTÊNCIA E DISTORÇÃO HARMÔNICA

PARTE I

1.1 - Energia Elétrica como É sob esta perspectiva que serão abordados conceitos estabelecidos desde o início do
“bem comum” os diversos tópicos desta apostila. século. Novos conceitos foram criados, os quais
A energia distribuída aos usuários do sistema servem a melhor explicitar o comportamento
elétrico interligado é um “bem comum”. Ou 1.2 - Teorias de Potência Elétrica da rede na situação atual em que não mais se
seja, todos que estão conectados a um dado Nos últimos 20 anos tem havido uma podem considerar senoidais as formas de onda
sistema compartilham de suas vantagens e de intensa discussão sobre as teorias de potência de tensão e, principalmente, de corrente.
seus problemas. Mais do que isso, os problemas elétrica, substituindo ou reinterpretando Poucos conceitos se mantêm consensuais
criados por um único usuário têm reflexo em
todos os demais.
Desta forma, a preservação da qualidade
da energia elétrica é responsabilidade coletiva,
de fornecedor e de consumidores. Esta noção
de “bem comum” é muito importante pois é a
base para a imposição de normas que garantam
a preservação da qualidade da energia, de modo
a proteger o adequado funcionamento de todos
Figura 1.1 - Circuito genérico utilizado nas definições de FP e triângulo de potência.
os processos e equipamentos alimentados.
O SETOR ELÉTRICO
Fevereiro 2006

mas, dentre estes, quando se tem um
sistema simétrico e equilibrado, estão o
de potência ativa média e o de potência
aparente, o que permite definir o Fator de
Potência. Já em situações desbalanceadas
ou desequilibradas pode haver discordância
até mesmo nestas definições.
Nas Referências Bibliográficas, no final
deste capítulo, estão indicadas recentes
publicações que abordam estas definições
e mostram a atualidade do debate. No
entanto, o objetivo deste capítulo é apenas
o de realçar a importância das distorções
harmônicas no cômputo do fator de
potência e são usados, como exemplo,
circuitos monofásicos.
1.3 - Fator de Potência
Fator de potência é uma propriedade
de uma carga elétrica (ou de um conjunto
de cargas). Consideremos, para efeito
das definições posteriores o esquema da
figura 1.1.
1.3.1 - Definição de Fator de
Potência
Fator de Potência (FP) é definido
como a relação entre a potência ativa
e a potência aparente consumidas
por um dispositivo ou equipamento,
independentemente das formas que as
ondas de tensão e corrente apresentem.
Os sinais variantes no tempo devem ser
periódicos e de mesma freqüência.
1 Figura 1.4 - Potência em sinais senoidais.
P T çvi (t ) ii (t ) dt
P  
F Utilizando a equação (1.2), a potência
S VRMS I RMS
1.3.2 - Caso 1 - Tensão e
corrente senoidais
Em um sistema com formas de onda
senoidais, a equação 1.1 torna –se igual
ao cosseno da defasagem entre as ondas
de tensão e de corrente (f). Analisando
em termos das componentes ativa, reativa
e aparente da potência pode –se, a partir
de uma descrição geométrica destas
componentes, mostrada na figura 1.1,
determinar o fator de potência como -
kW ¤ ¤ kVAr ³ ³
FPsen o   cos¥ arctg¥ ´ ´  cos F
kVA ¦ ¦ kW µ µ
Figura 1.2 - Potência com sinais senoidais
em fase.
Figura 1.3 - Potência em sinais senoidais
defasados de 90 graus.
Figura 1.5 - Potência em sistema com
tensão senoidal e corrente não –senoidal
HARMÔNICOS
A figura 1.2 mostra sinais deste tipo,
com defasagem nula. O produto das
senóides dá como resultado o valor
instantâneo da potência. O valor médio
deste produto é a potência ativa (de
acordo com a eq. 1.1), e também está
indicada na figura. Em torno deste
valor médio flutua o sinal da potência
instantânea. O valor de pico deste
sinal é numericamente igual à potência
aparente. Quando a defasagem é nula,
o produto (potência instantânea) será
sempre maior ou igual a zero.
Considerando os valores utilizados
na figura, os valores de pico das ondas
senoidais são de 200 V e 100 A, o que
conduz a valores eficazes de 141,4
V e 70,7 A, respectivamente. O valor
calculado da potência aparente é de 10
kW. Estes resultados são consistentes
com os obtidos pela figura 1.2.
A figura 1.3 mostra situação
semelhante mas com uma defasagem
de 90 graus entre os sinais. A potência
instantânea apresenta –se com
um valor médio (correspondente à
potência ativa) nulo, como é de se
esperar. A amplitude da onda de
potência é numericamente igual à
potência aparente.
Na figura 1.4 tem –se uma situação
intermediária, com uma defasagem
de 45 graus. Neste caso a potência
instantânea assume valores positivos
e negativos, mas seu valor médio (que
corresponde à potência ativa) é positivo.
ativa será de 7,07 kW, o que eqüivale ao
valor indicado na figura.
1.3.3 - Caso 2 - Tensão
senoidal e corrente distorcida
Quando apenas a tensão de entrada for
senoidal, o FP é expresso por -
I1
FPV  • cos F1
sen o
I RMS
A figura 1.5 mostra uma situação em que
se tem uma corrente quadrada (típica,
por exemplo, de retificador monofásico
com filtro indutivo no lado CC). Observe


O SETOR ELÉTRI$0
'FWFSFJSP

 F A SC ÍCULO S / H A R MÔN I C O S

que a potência instantânea não é mais uma

onda senoidal com o dobro da freqüência da
senóide. Neste caso específico ela aparece
como uma senóide retificada.
Neste caso, a potência ativa de entrada
é dada pelo produto da tensão (senoidal)
por todas as componentes harmônicas da
corrente (não –senoidal). Este produto é
nulo para todas as harmônicas exceto para
a fundamental, devendo –se ponderar
tal produto pelo cosseno da defasagem Figura 1.6 Decomposição harmônica (série de Fourier) de onda quadrada

entre a tensão e a primeira harmônica da

corrente. Desta forma, o fator de potência é
expresso como a relação entre o valor RMS
da componente fundamental da corrente e a
corrente RMS de entrada, multiplicado pelo
cosseno da defasagem entre a tensão e a
primeira harmônica da corrente.
Os valores eficazes de tensão e de corrente
são, respectivamente, 141,4 V e 100 A.
Logo, a potência aparente é de 14,14 kW.
No entanto, a potência média é de 12,7
kW. Este valor corresponde ao produto
do valor eficaz da tensão pelo valor eficaz
da componente fundamental da onda de
corrente, já que a defasagem é nula. O
valor de pico da componente fundamental
é de 127,3 A, correspondendo a um valor
eficaz de 90 A.
A figura 1.6 mostra uma decomposição da
onda quadrada, indicando as componentes
harmônicas (até a de sétima ordem).
Note que se for feito o produto da onda
fundamental por qualquer das harmônicas,
o valor médio será nulo, uma vez que se
alternarão intervalos positivos e negativos de
mesma área.
(continua no próximo número)

SE1 100

O 4&503
ELÉTRICO



'FWFSFJSP
2005
 FA S C ÍC ULO / HA R MÔN I C OS
“Este texto foi preparado como um curso de extensão “Influência
dos Harmônicos nas Instalações Elétricas Industriais”. Trata-se de
um curso voltado para profissionais atuantes no setor elétrico e
interessados em acompanhar as inovações tecnológicas decorrentes da
evolução da Eletrônica de Potência, especialmente as possibilidades do
condicionamento de energia elétrica visando aprimorar a qualidade do
produto Energia Elétrica. Inicialmente, no capítulo 1, que será publicado
em duas partes (Parte I e II), faz-se uma discussão sobre Fator de Potência
e Harmônicas, vinculando-os em termos da influência das harmônicas
sobre o fator de potência de um sistema. A seguir, no capítulo 2,
são apresentadas algumas normas e regulamentações que limitam a
contaminação harmônica de um sistema ou a emissão de uma carga.
No capítulo 3 são apresentados os componentes semicondutores de
potência que são utilizados em conversores estáticos que, em última
instância, são os responsáveis pelo aumento da distorção presente na
rede. Paradoxalmente, são estes mesmos conversores que permitem
a compensação das distorções quando adequadamente empregados.
No capítulo 4 são apontados os efeitos sobre os componentes de um
sistema elétrico e as causas da distorção harmônica. Nos capítulos
5, 6 e 7 são apresentadas soluções para a minimização da distorção
FATOR DE POTÊNCIA E DISTORÇÃO HARMÔNICA
PARTE II
A figura 1.7 mostra uma situação em que a corrente está
“defasada” da tensão. Esta forma de onda é típica, por exemplo,
de retificadores controlados (tiristores), com filtro indutivo no lado
cc. Nesta situação, a componente fundamental da corrente (que
harmônica, iniciando com correções passivas, passando para as ativas,
como os pré-reguladores de fator de potência e os filtros ativos”.
José Antenor Pomilio – Engenheiro Eletricista, Mestre e Doutor
em Engenharia Elétrica pela Universidade Estadual de Campinas –
UNICAMP (1983, 1986 e 1991, respectivamente). É professor junto à
Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação da UNICAMP desde
1984. Participou do Grupo de Eletrônica de Potência do Laboratório
Nacional de Luz Síncrotron (CNPq) entre 1988 e 1993, sendo chefe do
Grupo entre 1988 e 1991. Realizou estágios de pós –doutoramento
junto ao Departamento de Engenharia Elétrica da Universidade de
Pádua (1993/1994) e ao Departamento de Engenharia Industrial da
Terceira Universidade de Roma (2003), ambas na Itália. Foi “Liaison”
da IEEE Power Electronics Society para a Região 9 (América Latina)
em 1998/1999. Foi membro do Comitê de Administração da IEEE
Power Electronics Society no triênio 2000/2002. Foi editor da Revista
Eletrônica de Potência e editor associado das revistas IEEE Trans. on
Power Electronics e Controle & Automação (SBA). Foi presidente
da Sociedade Brasileira de Eletrônica de Potência (2000 –2002) e é
membro de sua diretoria e Conselho Deliberativo.
Por sua vez, o valor RMS da corrente de entrada também pode
ser expresso em função das componentes harmônicas:
‡
I RMS  I  ‡
” I n2 1
2
(1.4)
está “em fase” com a onda quadrada) apresenta uma defasagem n2
de 36 graus em relação ao sinal de tensão. Fazendo o cálculo do FP Define-se a Taxa de Distorção Harmônica (TDH) como sendo a
pela equação (1.3) chega-se ao valor de 10,3 kW, que corresponde relação entre o valor RMS das componentes harmônicas da corrente
ao valor obtido da figura. Note que não há alteração no valor da e a fundamental: c
potência aparente.
A relação entre as correntes é chamada de fator de forma e o
£I 2
n
n2
termo em co-seno é chamado de fator de deslocamento.
TDH  (1.5)
I1

200V 20k
Tensão

Corrente SEL>> P=10,3kW

-20k
-200V
V(V1:+) V(V3:+) Potência instantânea e média 300ms 320ms 340ms 360ms 380ms 400ms
Tempo
V(V1:+)* V(V3:+) avg(#1) 0

Figura 1.7 - Potência com onda de corrente não-senoidal

O SETOR ELÉTRICO
Março 2006
 HARMÔNICOS
250V 25k
Tensão
P=11,9kW
P

Corrente SEL>>
-25k
-250V 340ms 350ms 360ms 370ms 380ms 390ms 400ms
V(V8:+) V(V3:+) Potência instantânea e média
Tempo
V(V8:+)* V(V3:+) avg(#1) 0

Figura 1.8 Potência para formas de onda quaisquer

Assim, o FP pode ser reescrito como:
cosF1
FP  • A máxima potência ativa absorvível da rede é fortemente limitada pelo
1  TDH 2
É evidente a relação entre o FP e a distorção da corrente absorvida da
linha. Neste sentido, existem normas internacionais que regulamentam
os valores máximos das harmônicas de corrente que um dispositivo ou
equipamento pode injetar na linha de alimentação.
1.1.1 Caso 3: Tensão e corrente não-senoidais, mas
de mesma freqüência.
O cálculo do FP, neste caso, deve seguir a equação (1.1), ou seja, é
necessário obter o valor médio do produto dos sinais a fim de se conhecer
a potência ativa. Num caso genérico, tanto a componente fundamental
quanto as harmônicas podem produzir potência, desde que existam
as mesmas componentes espectrais na tensão e na corrente e que sua
defasagem não seja 90 graus.
A figura 1.8 mostra sinais de tensão e de corrente quadrados e
“defasados”. Os valores eficazes são, respectivamente, 200 V e 100 A. O
que leva a uma potência aparente de 20kW.
Os valores eficazes das componentes
respectivamente, 180 V e 90 A. A defasagem entre elas é de 36 graus.
Se o cálculo da potência ativa for feito considerando apenas estes
componentes, o valor obtido será de 13,1 kW. No entanto, a potência
média obtida da figura, e que corresponde à potência ativa, é de 11,9
kW. O motivo da discrepância é devido ao valor médio a ser produzido
por cada componente harmônica presente tanto na tensão quanto na
corrente. Valores médios negativos são possíveis desde que a defasagem
entre os sinais seja superior a 90 graus. É o que ocorre neste exemplo,
levando a uma potência ativa menor do que aquela que seria produzida
Podem ser citadas como desvantagens de um baixo FP e elevada
distorção, dentre outros, os seguintes fatos:
(1.6)
FP;
• As harmônicas de corrente exigem um sobredimensionamento da
instalação elétrica e dos transformadores, além de aumentar as perdas
(efeito pelicular);
• A componente de 3a harmônica da corrente, em sistema trifásico com
neutro, pode ser muito maior do que o normal;
• O achatamento da onda de tensão, devido ao pico da corrente, além
da distorção da forma de onda, pode causar mau-funcionamento de
outros equipamentos conectados à mesma rede;
• As componentes harmônicas podem excitar ressonâncias no sistema
de potência, levando a picos de tensão e de corrente, podendo danificar
dispositivos conectados à linha.
1.2.1 Perdas
As perdas de transmissão de energia elétrica são proporcionais ao
quadrado da corrente eficaz que circula pelos condutores. Assim, para
uma dada potência ativa, quanto menor for o FP, maior será a potência
fundamentais são, reativa e, conseqüentemente, a corrente pelos condutores. A figura 1.9
mostra o aumento das perdas em função da redução do FP.
A tabela I.1 mostra um exemplo de redução de perdas devido à elevação
do FP. Toma-se como exemplo uma instalação com consumo anual de
Aumento de perdas (%)
15
12
9
6

se apenas as componentes fundamentais estivessem presentes. 3

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2 Desvantagens do baixo fator de potência (FP) e da
FP
alta distorção da corrente Figura 1.9 Aumento das perdas devido à redução do FP
(com potência ativa constante)
Esta análise é feita partindo-se de duas situações. Na primeira supõe-
se constante a potência ativa, ou seja, parte-se de uma instalação ou carga 200MWh, na qual supõe-se uma perda de 5%. e se eleva o FP de 0,78
dada, a qual precisa ser alimentada. Verificam-se algumas conseqüências para 0,92. Observa-se uma redução nas perdas de 28,1%.
do baixo FP. Na segunda situação, analisando a partir dos limites de uma Uma outra questão relevante, que será discutida mais detalhadamente
linha de transmissão, verifica-se o ganho na disponibilização de energia em outros capítulos deste texto, refere-se a se fazer a correção do FP
para o consumo. em cada equipamento individualmente ou apenas na entrada de uma

O SETOR ELÉTRICO
Março 2006
 FA S C ÍC ULO / HA R MÔN I C OS

Tabela 1.1 Análise comparativa da redução de perdas devido 850kW 920kW

ao aumento do FP

392kVAr
527kVAr
Situação 1 Situação 2
Fator de potência 0,78 0,92 1000kVA 1000kVA
Perdas globais (%) 5 3,59
Perdas globais (MWh/ano) 10 7,18 FP= 0,85 FP= 0,92
Redução das perdas 28,1%
Figura 1.10 Efeito do aumento do FP na ampliação da
disponibilidade de potência ativa
instalação. Key (1995) estuda o caso de um edifício comercial com uma
instalação de 60 kVA. Verifica o efeito de uma compensação em quatro maior potência, ou para uma quantidade maior de cargas.
situações (em termos do posicionamento do compensador): no primário Consideremos aqui aspectos relacionados com o estágio de entrada
do transformador; no secundário do transformador de entrada (o que de fontes de alimentação. As tomadas da rede elétrica doméstica ou
elimina as perdas adicionais neste elemento); em centrais de cargas industrial possuem uma corrente (RMS) máxima que pode ser absorvida
(subpainéis) e em cada carga. (tipicamente 15A nas tomadas domésticas).
A compensação em cada carga faz com que a corrente que circula A figura 1.11 mostra uma forma de onda típica de um circuito
em todo o sistema seja praticamente senoidal (FP~1). Fazendo-se a retificador alimentando um filtro capacitivo. Nota-se os picos de corrente
compensação de um grupo de cargas, as harmônicas circularão por e a distorção provocada na tensão de entrada, devido à impedância da
trechos reduzidos de cabos. Com a compensação no secundário do linha de alimentação. O espectro da corrente mostra o elevado conteúdo
transformador, a corrente será distorcida em toda a instalação, mas harmônico.
não no transformador. Com uma compensação na entrada, apenas o Nota-se que o baixo fator de potência da solução convencional (filtro
fornecedor de energia será beneficiado. capacitivo) é o grande responsável pela reduzida potência ativa disponível
A tabela I.2 mostra resultados deste estudo. para a carga alimentada.

1.2.2 Capacidade de transmissão 1.3 Comentários Finais

Analisemos agora o caso do sistema de transmissão, para o qual a
grandeza constante é a potência aparente, uma vez que é ela que define
a capacidade térmica das linhas.
Uma análise fasorial só pode ser aplicada para grandezas senoidais e
de mesma freqüência, hipótese simplificadora assumida na análise que
se segue.
Um baixo FP significa que grande parte da capacidade de condução
de corrente dos condutores utilizados na instalação está sendo usada para
transmitir uma corrente que não produzirá trabalho na carga alimentada.
Mantida a potência aparente (para a qual é dimensionada a instalação),
um aumento do FP significa uma maior disponibilidade de potência ativa,
como indicam os diagramas da figura 1.10.
Uma análise análoga pode ser feita em termos de uma instalação
existente, a qual poderia ser utilizada para alimentação de uma carga de
O conceito mais importante deste capítulo inicial é que, nos dias de
hoje, principalmente nas redes de baixa tensão, é um erro importante
desconsiderar a presença das distorções harmônicas, principalmente da
corrente, no cálculo do Fator de Potência. Por conseqüência, como se
verá em outros capítulos, a compensação do FP por meio de capacitores
deve ser feito com extremo cuidado, uma vez que pode provocar
situações de piora da distorção, inclusive com riscos para a operação
segura do sistema.
A melhoria do fator de potência tem como conseqüência um
melhor aproveitamento do sistema elétrico, com minimização de perdas
e aumento de capacidade de trabalho. É, portanto, um objetivo a ser
buscado. Situações mais gerais, que incluem desequilíbrio e desbalanço
devem ser analisadas com um cuidado maior, para o que se sugere a
leitura das referências citadas.

Tabela I.2 Economia de energia com compensação de harmônicos e FP em diferentes alocações

Posicionamento da compensação Primário trafo de entrada Secundário trafo de entrada Central de cargas Equipamento
Perdas totais sem compensação (W) 8148 8148 8148 8148
Perdas totais com compensação (W) 8125 5378 4666 3346
% total de perdas com compensação 13,54 8,96 7,78 5,58
Redução de perdas para carga de 60kVA (W) 23 2770 3482 4802
% de redução de perdas / 60kVA 0,04 4,62 5,8 8,0
Economia por ano (US$) 10 1213 1523 2101

O SETOR ELÉTRICO
Março 2006
 HARMÔNICOS
Nonsinusoidal, Balanced or Unbalanced Conditions”, IEEE Transaction
Tabela 1.3 Comparação da potência ativa de saída
On Industry Applications, May/June 2004.
Convencional PF corrigido
L. S. Czarnecki, “On some misinterpretations of the instantaneous
Potência disponível 1440 VA 1440 VA
reactive power pq theory”, IEEE Transaction on Power Electronics,
Fator de potência 0,65 0,99
19(3), pp. 828-836, May 2004.
Eficiência do corretor de FP 100% 95%
M. Depenbrock, V. Staudt, and H. Wrede, “A theoretical investigation
Eficiência da fonte 75% 75%
of original and modified instantaneous power theory applied to four-
Potência disponível 702 W 1015 W
wire systems”, IEEE Transaction on Industry Applications, 39(4), pp.
1160-1167, July/August 2003.
1.4 Referências bibliográficas H. Akagi, S. Ogasawara and H. Kim, “The Theory of Instantaneous
Power in Three-Phase Four-Wire Systems: A Comprehensive
F. P. Marafão, “Análise e Controle da Energia Elétrica Através de Approach”, IEEE Industry Application Society Annual Meeting, pp.
Técnicas de Processamento Digital de Sinais”, Tese de Doutorado, 431-439, 1999.
Departamento de Sistemas e Controle de Energia, FEEC/Unicamp, “Manual de orientação aos consumidores sobre a nova legislação
Campinas, Brasil, 2004. para o faturamento de energia reativa excedente”. Secretaria
S. Fryze, “Active, reactive and apparent power in circuits with executiva do Comitê de Distribuição de Energia Elétrica - CODI, Rio
nonsinusoidal voltage and current”, Przegl.Elektrotech, 1932. de Janeiro, 1995.
J.L. Willems, “Reflections on Apparent Power and Power Factor in T. Key and J-S. Lai: “Costs and Benefits of Harmonic Current Reduction
Nonsinusoidal and Polyphase Situations”, IEEE Transaction On Power for Switch-Mode Power Supplies in a Commercial Office Building”.
Delivery, Abril de 2004. Anais do IEEE Industry Application Society Annual Meeting - IAS’95.
L.S. Czarnecki, “What is wrong with the Budeanu concept of reactive Orlando, USA, Outubro de 1995, pp. 1101-1108.
and distortion power and why it should be abandoned?,” IEEE J. Klein and M. K. Nalbant: “Power Factor Correction - Incentives.
Transaction on Instrumentation and Measurement, IM-36(3), pp. 834- Standards and Techniques”. PCIM Magazine, June 1990, pp. 26-31.
837, 1987.
IEEE Std 1459-2000. “IEEE Trial-Use Standard Definitions for the CORREÇÃO:
Measurement of Electric Power Quantities Under Sinusoidal, Na primeira parte deste fascículo, na edição anterior
Nonsinusoidal, Balanced or Unbalanced Conditions”. 2000. da revista, a indicação de valores de potência aparente
A. Emanuel, “Summary of IEEE Standard 1459: Definitions for em W (Watts) está errada. A unidade para potência
the Measurement of Electric Power Quantities Under Sinusoidal, aparente é VA (Volt-Ampère)

O SETOR ELÉTRICO
Março 2006
 FA S C ÍC ULO / HA R MÔN I C OS
“Este texto foi preparado como um curso de extensão: Influência dos
Harmônicos nas Instalações Elétricas Industriais. Trata-se de um curso
voltado para profissionais atuantes no setor elétrico e interessados
em acompanhar as inovações tecnológicas decorrentes da evolução
da eletrônica de potência, especialmente as possibilidades do
condicionamento de energia elétrica visando aprimorar a qualidade do
produto energia elétrica. Inicialmente, no capítulo 1, que foi publicado em
duas partes, fez-se uma discussão sobre fator de potência e harmônicas,
vinculando-os em termos da influência das harmônicas sobre o fator
de potência de um sistema. Neste capítulo, são apresentadas algumas
normas e regulamentações que limitam a contaminação harmônica
de um sistema ou a emissão de uma carga. No capítulo 3 serão
apresentados os componentes semicondutores de potência utilizados
em conversores estáticos que, em última instância, são os responsáveis
pelo aumento da distorção presente na rede. Paradoxalmente, são esses
mesmos conversores que permitem a compensação das distorções
quando adequadamente empregados. No capítulo 4 serão apontados
os efeitos sobre os componentes de um sistema elétrico e as causas da
distorção harmônica. Nos capítulos 5, 6 e 7 serão apresentadas soluções
para a minimização da distorção harmônica, iniciando com correções
CAPÍTULO 2
2 - NORMAS RELATIVAS A FATOR DE POTÊNCIA
E DISTORÇÃO HARMÔNICA
2.1- Fator de potência
A atual regulamentação brasileira do fator de potência estabelece
que o mínimo fator de potência (FP) das unidades consumidoras
alimentadas em baixa tensão é de 0,92. A Agência Nacional de Energia
Elétrica (Aneel), em seu documento “Procedimentos de distribuição
de energia elétrica no sistema elétrico nacional – Prodist módulo 8 –
qualidade da energia elétrica”, de 24 de agosto de 2005 traz o seguinte
texto:
“A presença da energia e/ou potência reativas faz com que o
transporte de potência ativa demande maior capacidade do sistema
de transporte pelo qual ela flui. Por este motivo, a responsabilidade
de um cliente marginal nos investimentos destinados à expansão da
rede será tanto maior quanto mais elevada for sua potência reativa
ou, de modo equivalente, quanto menor for seu fator de potência.
“Muitas cargas tradicionais, como é o caso dos motores elétricos,
têm um princípio de operação que exige um consumo de potência
reativa. Assim, parece adequado que o regulador admita uma certa
tolerância para o fator de potência das unidades consumidoras.
O valor desta tolerância é expresso através do chamado fator de
potência de referência que está hoje fixado no valor de 0,92, o que
equivale a permitir ao cliente um consumo de 0,426 kVArh por kWh
O SETOR ELÉTRICO
Abril 2006
passivas e passando para as ativas, como os pré-reguladores de fator de
potência e os filtros ativos.”
José Antenor Pomilio – engenheiro eletricista, mestre e doutor
em engenharia elétrica pela Universidade Estadual de Campinas
– Unicamp (1983, 1986 e 1991, respectivamente). É professor da
Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação da Unicamp desde
1984. Participou do grupo de eletrônica de potência do Laboratório
Nacional de Luz Sincrotron (CNPq) entre 1988 e 1993, sendo chefe
do grupo entre 1988 e 1991. Realizou estágios de pós-doutoramento
no Departamento de Engenharia Elétrica da Universidade de Pádua
(1993 e 1994) e no Departamento de Engenharia Industrial da
Terceira Universidade de Roma (2003), ambas na Itália. Foi liaison
da IEEE Power Electronics Society para a região 9 (América Latina)
em 1998 e 1999. Foi membro do Comitê de Administração da IEEE
Power Electronics Society no triênio 2000/2002. Foi editor da Revista
Eletrônica de Potência e editor associado das revistas IEEE Trans. on
Power Electronics e Controle & Automação (SBA). Foi presidente
da Sociedade Brasileira de Eletrônica de Potência (2000-2002) e é
membro de sua diretoria e do Conselho Deliberativo.
de energia que absorve.
“Nos sistemas senoidais, tanto os monofásicos quanto os
trifásicos equilibrados e simétricos, a noção do fator de potência é
aceita consensualmente. Hoje em dia a proliferação de cargas não
lineares e/ou não balanceadas, assim como de cargas com dispositivos
chaveados de eletrônica de potência, determina um aprimoramento
das disposições contidas nas regulamentações vigentes. Tal melhoria
encontra sustentação na tecnologia de amostragem digital hoje
disponível no mercado brasileiro, o qual dispõe de instrumentos de
medição que permitem incorporar conceitos de potência e fator de
potência mais atuais”.
O referido documento, no entanto, ainda estabelece para o cálculo
do FP procedimentos que consideram formas de onda senoidais:
f= P EA
ou
P2 + Q2 EA2 + ER2 (2.1)
EA: Energia ativa; ER: Energia reativa
Permite-se, no entanto, que cada concessionária adote outros
procedimentos que contemplem a realidade local, ou seja, abre a
possibilidade do uso do conceito mais geral de FP. O cálculo do FP
 HARMÔNICOS
deve ser feito por média horária. O consumo de reativos além do i/i pico
permitido (0,426 kVArh por kWh) é cobrado do consumidor. No P P P
intervalo entre 6 e 24 horas isso ocorre se a energia reativa absorvida 
for indutiva e das 0 às 6 horas se for capacitiva (Crestani, 1994).
Conforme foi visto anteriormente, as componentes harmônicas
da corrente também contribuem para o aumento da corrente eficaz,
de modo que elevam a potência aparente sem produzir potência ativa
(supondo a tensão senoidal). Assim, uma correta medição do FP deve
levar em conta a distorção da corrente, e não apenas a componente
reativa (na freqüência fundamental), o que não ocorre em grande
parte dos medidores, embora os aparelhos digitais tenham condição
de fazê-lo, mesmo com algum grau de erro.
2.2. Norma IEC 61000-3-2: limites para emissão de
harmônicas de corrente (<16 A por fase)
A IEC (International Electrotechnical Commission) é uma entidade
internacional, mas com abrangência essencialmente européia,
que gera recomendações técnicas na área de eletricidade. Com a
aprovação da Comunidade Européia, ou de países individualmente,
são geradas as EN – European Norm –, que reproduzem o conteúdo
estabelecido nas respectivas IEC.
Essa norma (IEC, 2001) incluindo as alterações feitas pela emenda
14, de janeiro de 2001, refere-se às limitações das harmônicas
de corrente injetadas na rede pública de alimentação. Aplica-se a
equipamentos elétricos e eletrônicos que tenham uma corrente de
entrada de até 16 A por fase, conectado a uma rede pública de
baixa tensão alternada, de 50 ou 60 Hz, com tensão fase–neutro
entre 220 e 240 V. Para tensões inferiores, os limites não foram
estabelecidos, pois essa norma tem aplicação principalmente na
Comunidade Européia, onde as tensões fase–neutro encontram-se
na faixa especificada.
Os equipamentos são classificados em quatro classes:
Classe A: Equipamentos com alimentação trifásica equilibrada;
aparelhos de uso doméstico, excluindo os classe D; ferramentas, exceto
as portáteis; “dimmers” para lâmpadas incandescentes; equipamentos
de áudio; e todos os demais não incluídos nas classes seguintes.
Classe B: Ferramentas portáteis.
Classe C: Dispositivos de iluminação.
Classe D: Computadores pessoais, monitores de vídeo e aparelhos
de televisão, caso a corrente de entrada apresente a forma mostrada
na figura 1.2. A potência ativa de entrada deve ser igual ou inferior
39  £ I2n
a 600 W, medida esta feita obedecendo às condições de ensaio
estabelecidas na norma (que variam de acordo com o tipo de
equipamento).
Antes da emenda 14, a definição de classe D era feita a partir de um
envelope dentro do qual estaria a corrente de entrada, atingindo
qualquer equipamento monofásico, como mostra a figura 2.1. Tal
definição mostrou-se inadequada devido ao fato de que os problemas
mais relevantes referem-se aos equipamentos agora incluídos na
classe D e na classe C (reatores eletrônicos), permitindo retirar dos
demais aparelhos essas restrições.

 P P
Figura 2.1 Envelope da corrente de entrada que define um
equipamento como classe D.
A inclusão apenas desses aparelhos como classe D deve-se
ao fato de seu uso se dar em larga escala e ser difundido por
todo o sistema. Outros equipamentos poderão ser incluídos nessa
categoria caso passem a apresentar tais características.
Os valores de cada harmônica são obtidos após a passagem
do sinal por um filtro passa-baixos de primeira ordem com
constante de tempo de 1,5 s. Aplica-se a transformada discreta
de Fourier (DFT), com uma janela de medição entre 4 e 30 ciclos
da fundamental, com um número inteiro de ciclos. Calcula-se
a média aritmética dos valores da DFT durante todo o período
de observação. Esse período varia de acordo com o tipo de
equipamento, tendo como regra geral um valor que permita a
repetibilidade dos resultados.
A medição da potência ativa é feita de maneira análoga,
devendo-se, no entanto, tomar o máximo valor que ocorrer
dentro do período de observação. Esse é o valor que um fabricante
deve indicar em seu produto (com uma tolerância de +/- 10%),
conjuntamente como fator de potência (para classe C). Caso
o valor medido seja superior ao indicado, deve-se usar o valor
medido.
Para cada harmônica medida da forma descrita, o valor deve
ser inferior a 150% do limite da tabela I, em qualquer situação de
operação do aparelho.
As correntes harmônicas com valor inferior a 0,6% da corrente
de entrada (medida dentro das condições de ensaio) ou inferiores
a 5 mA não são consideradas. Foi definida a corrente harmônica
parcial de ordem ímpar, para componentes entre a 21ª e a 39ª
como sendo:
39
I 21
n  21 , 23 ... (2.2)
Para a componente de ordem 21 ou superior (ímpar), o valor
individual para cada uma delas pode exceder o limite em mais 50%
desde que a corrente harmônica parcial de ordem ímpar medida
não exceda o valor teórico (obtido com os valores da tabela), nem
exceda o limite individual de 150% do valor da tabela.
A Tabela 2.I indica os valores máximos para os harmônicos de
corrente, no fio de fase (não no de neutro).
Os valores limites para a classe B são os mesmos da classe A,
acrescidos de 50%.



O SETOR ELÉTRICO
Abril 2006
 FA S C ÍC ULO / HA R MÔN I C OS

Tabela 2.I Limites para os Harmônicos de Corrente

Ordem do Harmônico Classe A Classe B Classe C (>25W) Classe D
n Máxima corrente [A] Máxima corrente [A] % da fundamenal (>75W, <600W) [mA/W]
Harmônicas Ímpares
3 2,30 3,45 30.FP 3,4
5 1,14 1,71 10 1,9
7 0,77 1,115 7 1,0
9 0,40 0,60 5 0,5
11 0,33 0,495 3 0,35
13 0,21 0,315 3 0,296
15≤ n ≤39 0.15 = 15 0.225 = 15 3 3,85/n
n n
Harmônicos Pares
2 1,08 1,62 2
4 0,43 0,645
6 0,3 0,45
8≤ n ≤40 0.23 = 8 0.35 = 8
n n FP: fator de potência

2.3. IEC 61000-3-4
Esse relatório técnico (IEC, 1998) pode ser aplicado a qualquer
equipamento elétrico ou eletrônico, cuja corrente de entrada seja
maior que 16 A. Sua tensão de alimentação deve ser menor que
240 V para equipamentos monofásicos ou menor que 600 V para
equipamentos trifásicos. A freqüência nominal da rede pode ser 50
Hz ou 60 Hz.
No referido relatório são apresentados os limites para distorção
harmônica em equipamentos cuja potência aparente seja menor
ou igual a 33 vezes a potência de curto-circuito da instalação. A
tabela 2.II apresenta os limites individuais de corrente para cada
harmônico que estão normalizados em relação à fundamental.
Define-se potência de curto-circuito (Rsce) como a relação entre
a tensão nominal ao quadrado e a impedância de curto-circuito. Se
o equipamento a ser analisado exceder os limites dessa primeira
tabela, e a potência de curto-circuito permitir, outros limites podem
ser aplicados. Se este for monofásico ou trifásico desbalanceado,
pode-se utilizar os limites da tabela 2.III. Podemos observar na
referida tabela que, quanto maiores forem os valores de potência
de curto-circuito, maiores serão os limites de distorção tolerados.
Nesse caso, algumas recomendações devem ser seguidas. O
valor relativo de cada harmônico não deve exceder o limite de
16/n%. Para valores intermediários de potência de curto-circuito,
pode-se aplicar interpolação linear para obter os limites de
distorção. No caso de equipamentos trifásicos desbalanceados, a
corrente de cada uma das fases deve estar dentro desses limites.
Caso o equipamento seja trifásico equilibrado pode-se ainda
utilizar a tabela 2.IV. Algumas recomendações também devem ser
seguidas. O valor relativo de cada harmônico não deve exceder
o limite de 16/n%. Para valores intermediários de potência de
curto-circuito, pode-se aplicar interpolação linear para obter os
limites de distorção.

Tabela 2.2 - Limites individuais de harmônicos de corrente Tabela 2.3 - Limites individuais de harmônicos de corrente em
em % da fundamental % da fundamental

Componente Harmônico Componente Harmônico Mínimo Fator de distorção Limites individuais de

Harmônico Admissível Harmônico Admissível Rsce harmônica admissível harmônico admissível
n In/I1% n In/I1% % In/I1 %
3 21,6 21 ≤0,6 THD PWHD I3 I5 I7 I9 I11 I13
5 10,7 23 0,9 66 25 25 23 11 8 6 5 4
7 7,2 25 0,8
120 29 29 25 12 10 7 6 5
9 3,8 27 ≤0,6
175 33 33 29 14 11 8 7 6
11 3,1 29 0,7
250 39 39 34 18 12 10 8 7
13 2 31 0,7
15 0,7 ≤33 ≤0,6 350 46 46 40 24 15 12 9 8
17 1,2 450 51 51 40 30 20 14 12 10
19 1,1 Sempre ≤8/n ou ≤0,6 600 57 57 40 30 20 14 12 10

O SETOR ELÉTRICO
Abril 2006
 HARMÔNICOS
no PAC. À medida que se eleva o nível de tensão, menores são
Tabela 2.4 - Limites individuais de harmônicos de corrente
os limites aceitáveis.
para equipamentos trifásicos em % da fundamental
A grandeza TDD – Total Demand Distortion – é definida como
Mínimo Fator de distorção Limites individuais de
harmônico admissível a distorção harmônica da corrente, em porcentagem, da máxima
Rsce harmônica admissível
% In/I1 % demanda da corrente de carga (demanda de 15 ou 30 min). Isso
significa que a medição da TDD deve ser feita no pico de consumo.
THD PWHD I5 I7 I11 I13
Harmônicas pares são limitadas a 25% dos valores acima. Distorções
66 16 25 14 11 10 8
de corrente que resultem em nível CC não são admissíveis.
120 18 29 16 12 11 8
175 25 33 20 14 12 8
250 35 39 30 18 13 8 Tabela 2.5 - Limites de Distorção da Corrente para Sistemas

48 46 de Distribuição (120V a 69kV)

350 40 25 15 10
450 58 51 50 35 20 15 Máxima corrente harmônica em % da corrente de carga
(Io - valor da componente fundamental)
600 70 57 60 40 25 18
Harmônicas ímpares:
Icc/Io <11 11≤ n <17 17≤ n <23 23≤ n <35 35<n TDD(%)
2.4. Recomendação IEEE para práticas e requisitos <20 4 2 1,5 0,6 0,3 5
para controle de harmônicas no sistema elétrico de 20<50 7 3,5 2,5 1 0,5 8
potência: IEEE-519 50<100 10 4,5 4 1,5 0,7 12
Essa recomendação produzida pelo IEEE (1991) descreve os 100<1000 12 5,5 5 2 1 15
principais fenômenos causadores de distorção harmônica, indica >1000 15 7 6 2,5 1,4 20
métodos de medição e limites de distorção. Seu enfoque é diverso
daquele da IEC 61000-3-2, uma vez que os limites estabelecidos Tabela 2.6 - Limites de Distorção da Corrente para Sistemas
referem-se aos valores medidos no ponto de acoplamento comum de Subdistribuição (69001V a 161kV)
(PAC), e não em cada equipamento individual. A filosofia é que Limites para harmônicas de corrente de cargas
não interessa ao sistema o que ocorre dentro de uma instalação, não-lineares no PAC com outras cargas
mas sim o que ela reflete para o exterior, ou seja, para os outros Harmônicas ímpares:
Icc/Io <11 11≤ n <17 17≤ n <23 23≤ n <35 35<n TDD(%)
consumidores conectados à mesma alimentação.
<20 2 1 0,75 0,3 0,15 2,5
Os limites diferem de acordo com o nível de tensão e com
20<50 3,5 1,75 1,25 0,5 0,25 4
o nível de curto-circuito do PAC. Obviamente, quanto maior
50<100 5 2,25 2 0,75 0,35 6
for a corrente de curto-circuito (Icc) em relação à corrente de
100<1000 6 2,75 2,5 1 0,5 7,5
carga, maiores serão as distorções de corrente admissíveis,
>1000 4,5 3,5 3 1,25 0,7 10
uma vez que elas distorcerão em menor intensidade a tensão

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Tabela 2.7 - Limites de distorção de corrente para sistemas de alta Tabela 2.10 - Níveis de referência para distorções
tensão (>161kV) e sistemas de geração e co-geração isolados. harmônicas individuais de tensão (expressos como
Harmônicas ímpares: percentagem da tensão fundamental).
Icc/Io <11 11≤ n <17 17≤ n <23 23≤ n <35 35<n TDD(%)
Ordem Distorção Harmônica Individual de Tensão [%]
<50 2 1 0,75 0,3 0,15 2,5 Harmônica Vn ≤ 1kV 1kV < Vn ≤ 13,8kV 13,8kV < Vn ≤ 69kV 69kV < Vn ≤ 138kV
≥50 3 1,5 1,15 0,45 0,22 3,75 5 7,5 6 4,5 2,5
7 6,5 5 4 2
Para os limites de tensão, os valores mais severos são para 11 4,5 3,5 3 1,5
Impares
as tensões menores (nível de distribuição). Estabelece-se um 13 4 3 2,5 1,5
não
limite individual por componente e um limite para a distorção 17 2,5 2 1,5 1
múltiplas
harmônica total. 19 2 1,5 1,5 1
de 3
23 2 1,5 1,5 1
Tabela 2.8 - Limites de distorção de tensão 25 2 1,5 1,5 1
Distorção individual THD >25 1,5 1 1 0,5
69kV e abaixo 3% 5%
3 6,5 5 4 2
69001V até 161kV 1,5% 2,5%
Impares 9 2 1,5 1,5 1
Acima de 161kV 1% 1,5%
múltiplas 15 1 0,5 0,5 0,5
de 3 21 1 0,5 0,5 0,5
2.5. Regulamentação brasileira >21 1 0,5 0,5 0,5
Para a rede básica de energia, o Operador Nacional do Sistema 2 2,5 2 1,5 1
(ONS) estabelece desde 2002 parâmetros de qualidade para a 4 1,5 1 1 0,5
tensão suprida. Mas, do ponto de vista do consumidor, as restrições 6 1 0,5 0,5 0,5
a serem consideradas são, na imensa maioria, as do sistema de Pares 8 1 0,5 0,5 0,5
distribuição, as quais ainda estão em discussão. 10 1 0,5 0,5 0,5
A Agência Nacional de Energia Elétrica (Aneel), no já citado 12 1 0,5 0,5 0,5
documento “Procedimentos de distribuição de energia elétrica no >12 1 0,5 0,5 0,5
sistema elétrico nacional – Prodist módulo 8 – qualidade da energia
elétrica”, propõe valores para a distorção harmônica da tensão Figura 2.2 Tensão com DTT de 10%, em conformidade com os limites.
no sistema de distribuição. Tal regulamentação ainda não está
200V
definida.

0V
Tabela 2.9 - Valores de referência globais das distorções harmô-
nicas totais expressos em porcentagem da tensão fundamental
-200V
Tensão nominal Distorção Harmônica 0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms
TEMPO
60ms 70ms 80ms 90ms 100ms

do Barramento Total de Tensão (DTT) [%] 200V

VN ≤ 1kV 10
1kV < VN ≤ 13,8kV 8
13,8kV < VN ≤ 69kV 6
SEL>>
69kV < VN ≤ 138kV 3
0V
0Hz 0.1Khz 0.2Khz 0.3Khz 0.4Khz 0.5Khz 0.6Khz 0.7Khz 0.8Khz 0.9Khz 1.0Khz
Frequency

Hmáx
ΣV
h=2
h
2

DTT = x 100
V1 (2.3) 2.6. Comentários finais
Estão em andamento conversações entre o IEEE e a IEC para
A figura 2.2 mostra uma forma de onda de tensão que consolidarem as normas geradas pelas instituições. Tais processos, no
segue as restrições para tensão inferior a 1 kV. A DTT é de 10% entanto, são demorados, devido aos grandes interesses econômicos
e cada componente está abaixo do limite da tabela. Note-se que envolvidos.
essa distorção é, visualmente, significativa. Para ambientes industriais, o enfoque do IEEE parece mais
O SETOR ELÉTRICO
Abril 2006

consistente do que o do IEC. No entanto, parece pouco adequado para
uma situação mais atual na qual registra-se um grande aumento nas
cargas não lineares de uso doméstico (TV, computadores, lâmpadas
fluorescentes etc.). Ou seja, a distorção da tensão é ser causada,
crescentemente, por consumidores domésticos, e não industriais.
O ponto da IEC é garantir que cada equipamento apresente
uma reduzida distorção, o que garantirá um bom comportamento
no conjunto de cargas. No que se refere à regulamentação brasileira,
muito mais tolerante do que a do IEEE, deve-se perguntar sobre o
possível impacto de distorções significativas em diversos processos que
dependem de uma baixa distorção da forma de onda da tensão.
A ausência de uma definição de distorção da corrente é um problema
importante para a identificação de responsabilidades. Adicione-se a isso
o fato de que a distorção da corrente é, para muitas cargas eletrônicas,
dependente da distorção da tensão. Ou seja, se a rede se encontra com
elevada distorção pode induzir ao aumento da distorção da corrente,
o que seria, assim, responsabilidade da concessionária, e não do
consumidor.
2.7. Referências bibliográficas
Agência Nacional de Energia Elétrica – Aneel (2005), “Procedimentos
de distribuição de energia elétrica no sistema elétrico nacional – Prodist
HARMÔNICOS
módulo 8 – qualidade da energia elétrica”, de 24/8/2005.
M. Crestani (1994), “Com uma terceira portaria, o novo fator de potência
já vale em abril”. Eletricidade moderna, ano XXII, n° 239, fev. 1994.
International Electrotechnical Commission (2001): IEC 61000-3-2:
“Electromagnetic Compatibility (EMC) – Part 3: Limits – Section 2: Limits
for Harmonic Current Emissions (Equipment input current < 16 A per
phase)”, 1998 e Emenda A14 (2001)
International Electrotechnical Commission (1998): IEC 61000-3-4:
“Limitation of emission of harmonic currents in low-voltage power
supply systems for equipment with rated current greater than 16A”,
first edition, 1998.
IEEE (1991) Recommended Practices and Requirements for Harmonic
Control in Electric Power System. Project IEEE-519, out. 1991.
ONS (2002), Submódulo 3.8 – Requisitos mínimos para a conexão à
rede básica.
ONS (2002), Submódulo 2.2 – Padrões de desempenho da rede básica.
Correção
Na segunda parte deste fascículo, na edição anterior
(nº2, Março de 2006) , a formula 1.4 correta é:
c
I RMS  I12  £ I 2n
n2
O SETOR ELÉTRICO
Abril 2006
 FA S C ÍC ULO 1 / H A R MÔN I C OS Por José Antenor Pomilio, engenheiro eletricista, Mestre
e Doutor em Engenharia Elétrica pela Universidade Esta-
dual de Campinas – UNICAMP, professor junto à Faculdade
de Engenharia Elétrica e de Computação da UNICAMP
antenor@dsce.fee.unicamp.br

CAPÍTULO III – PARTE 1

COMPONENTES SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA
A figura 3.1 mostra uma distribuição dos componentes vizinhos (ligação covalente), tem-se um arranjo com 8 elétrons na
semicondutores, indicando limites aproximados (2004) para camada de valência, como ilustra a figura 3.2
valores de tensão de bloqueio, corrente de condução e freqüência
de comutação. Obviamente estes limites evoluem com o
desenvolvimento tecnológico e servem como uma ilustração para a Elétrons
Compartilhados
verificação, numa primeira aproximação, das faixas de potência em
que cada componente pode ser utilizado.
Núcleos Atômicos
TENSÃO

TIRISTORES

IGCT Figura 3.2 – Estrutura cristalina de material semicondutor

5kV
GTO e IGCT Em qualquer temperatura acima do zero absoluto (-273oC),
4kV
algumas destas ligações são rompidas (ionização térmica),
3kV CORRENTE produzindo elétrons livres. O átomo que perde tal elétron se torna
IGTB positivo. Eventualmente um outro elétron também escapa de outra
2kV TBP 1kHz
ligação e, atraído pela carga positiva do átomo, preenche a ligação
10kHz
1kV MOSFET covalente. Desta maneira tem-se uma movimentação relativa da
100kHz

2kA 6kA
1MHz “carga positiva”, chamada de lacuna, que, na verdade, é devida ao
4kA
Freqüência deslocamento dos elétrons que saem de suas ligações covalentes e
Figura 3.1 Limites de operação de componentes semicondutores de vão ocupar outras, como mostra a figura 3.3.
potência.
Átomo
ionizado
3.1Breve Revisão da Física de Semicondutores
A passagem de corrente elétrica em um meio depende da
aplicação de um campo elétrico e da existência de portadores livres Elétron

(usualmente elétrons) neste meio. Em metais, como o cobre ou a

Ligação rompida
prata, a densidade de portadores livres (elétrons) é da ordem de
1023/cm3, enquanto nos materiais isolantes, como o quartzo ou o
óxido de alumínio, o valor é da ordem de 103/cm3. Os chamados
semicondutores, como o silício, têm densidades intermediárias,
na faixa de 108 a 1019/cm3. Nos condutores e nos isolantes,
Movimento
tais densidades são propriedades dos materiais, enquanto nos da Lacuna

semicondutores estas podem ser variadas, seja pela adição de

“impurezas” de outros materiais, seja pela aplicação de campos
elétricos em algumas estruturas de semicondutores.

3.1.1 Os portadores: elétrons e lacunas

Átomos de materias com 4 elétrons em sua camada mais externa
(C, Ge, Si, etc.), ou ainda moléculas com a mesma propriedade,
permitem o estabelecimento de ligações muito estáveis, uma vez
Figura 3.3 – Movimento de elétrons e lacunas em semicondutor
que, pelo compartilhamento dos elétrons externos pelos átomos

O SETOR ELÉTRICO
Maio 2006
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A ionização térmica gera o mesmo número de elétrons e Neste caso não se tem mais o equilíbrio entre elétrons e
lacunas. Em um material puro, a densidade de portadores é lacunas, passando a existir um número maior de elétrons livres
aproximadamente dada por: nos materiais dopados com elementos da quinta coluna da tabela
periódica, ou de lacunas, caso a dopagem seja com elementos
-qEg da terceira coluna. Respectivamente, produzem-se os chamados
materiais semicondutores tipo N e tipo P. Observe-se, no entanto,
ni ≈ C·e kT
que o material permanece eletricamente neutro, uma vez que a
(3.1)
quantidade total de elétrons e prótons é a mesma.
Onde C é uma constante de proporcionalidade, q é a carga do Quando a lacuna introduzida pelo boro captura um elétron
elétron (valor absoluto), Eg é a banda de energia do semicondutor livre, tem-se a movimentação da lacuna. Neste caso diz-se que
(1,1 eV para o Si), k é a constante de Boltzmann, T é a temperatura as lacunas são os portadores majoritários, sendo os elétrons os
em Kelvin. Para o Si, à temperatura ambiente (300K), ni 1010/cm3. portadores minoritários.
Já no material tipo N, a movimentação do elétron excedente
3.1.2 Semicondutores dopados deixa o átomo ionizado, o que o faz capturar outro elétron livre.
Quando se faz a adição de átomos de materiais que possuam Neste caso os portadores majoritários são os elétrons, enquanto os
3 (como o alumínio ou o boro) ou 5 elétrons (como o fósforo) em minoritários são as lacunas.
sua camada de valência à estrutura dos semicondutores, os átomos As dopagens das impurezas (1019/cm3 ou menos), tipicamente
vizinhos a tal impureza terão suas ligações covalentes incompletas são feitas em níveis muito menores que a densidade de átomos do
ou com excesso de elétrons, como mostra a figura 3.4. material semicondutor (1023/cm3), de modo que as propriedades
de ionização térmica não são afetadas.
Mesmo em um material dopado, o produto das densidades de
Si Si Si
lacunas e de elétrons (po e no, respectivamente) é igual ao valor ni2
Ligação
incompleta dado pela equação (3.1), embora aqui po no .
Si Bo Si Além da ionização térmica, tem-se uma quantidade adicional
de cargas “livres”, relativas às próprias impurezas. Pelos valores
indicados anteriormente, pode-se verificar que a concentração
Si Si Si
de átomos de impurezas é muitas ordens de grandeza superior à
Si Si Si densidade de portadores gerados por efeito térmico, de modo que,
Elétron num material tipo P, po à Na, onde Na é a densidade de impurezas
em excesso
“aceitadoras” de elétrons. Já no material tipo N, no à Nd, onde Nd
Si P Si
é a densidade de impurezas “doadoras” de elétrons.
Figura 3.4 – Em qualquer dos materiais, a densidade dos portadores minoritários
Semicondutores dopados
Si Si Si é proporcional ao quadrado da densidade “intrínseca”, ni, e é
fortemente dependente da temperatura.

O SETOR ELÉTRICO

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 FA S C ÍC ULO 1 / H A R MÔN I C OS
2
ni
n0 ≈ , P0 ≈ Na
P0
(3.2)
2
ni
n0 ≈ , n0 ≈ N d
n0
(3.3)
3.1.3 - Recombinação
Uma vez que a quantidade ni é determinada apenas por
propriedades do material e pela temperatura, é necessário que exista
algum mecanismo que faça a recombinação do excesso de portadores
à medida que novos portadores são criados pela ionização térmica.
Tal mecanismo inclui tanto a recombinação propriamente dita de um
elétron com uma lacuna em um átomo de Si, quanto a captura dos
elétrons pela impureza ionizada ou, adicionalmente, por imperfeições
na estrutura cristalina. Tais imperfeições fazem com que os átomos
adjacentes não necessitem realizar 4 ligações covalentes.
Pode-se definir o “tempo de vida” de um portador como o tempo
médio necessário para que o elétron ou a lacuna sejam “neutralizados”
pela consecussão de uma ligação covalente. Em muitos casos pode-se
considerar o “tempo de vida” de um portador como uma constante do
material. No entanto, especialmente nos semicondutores de potência,
esta não é uma boa simplificação.
Quando ocorre um significativo aumento na temperatura do
semicondutor, tem-se um aumento no tempo de recombinação do
excesso de portadores, o que leva a um aumento nos tempos de
comutação dos dispositivos de tipo “portadores minoritários”, como o
transistor bipolar e os tiristores. Uma vez que este “tempo de vida” dos
portadores afeta significantemente o comportamento dos dispositivos
de potência, a obtenção de métodos que possam controlá-lo é
importante. Um dos métodos que possibilita o “ajuste” deste tempo
é a dopagem com ouro, uma vez que este elemento funciona como
um “centro” de recombinação, uma vez que realiza tal operação com
grande facilidade. Outro método é o da irradiação de elétrons de alta
energia, bombardeando a estrutura cristalina de modo a deformá-la e,
assim, criar “centros de recombinação”. Este último método tem sido
preferido devido à sua maior controlabilidade (a energia dos elétrons é
facilmente controlável, permitindo estabelecer a que profundidade do
cristal se quer realizar as deformações) e por ser aplicado no final do
processo de construção do componente.
3.1.4 - Correntes de deriva e de difusão
Quando um campo elétrico for aplicado a um material
semicondutor, as lacunas se movimentarão no sentido do campo
decrescente, enquanto os elétrons seguirão em sentido oposto. Esta
corrente depende de um parâmetro denominado “mobilidade”, a qual
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Maio 2006
varia com o material e do tipo de portador. A mobilidade dos elétrons
é aproximadamente 3 vezes maior do que a das lacunas para o Si em
temperatura ambiente. A mobilidade diminui aproximadamente com
o quadrado do aumento da temperatura.
Outro fator de movimentação de portadores é por “difusão”,
quando existem regiões adjacentes em que há diferentes concentrações
de portadores. O movimento aleatório dos portadores tende a equalizar
sua dispersão pelo meio, de modo que tende a haver uma migração
de portadores das regiões mais concentradas para as mais dispersas.
3.2 - Diodos de Potência
Um diodo semicondutor é uma estrutura P-N que, dentro de seus
limites de tensão e de corrente, permite a passagem de corrente em
um único sentido. Detalhes de funcionamento, em geral desprezados
para diodos de sinal, podem ser significativos para componentes de
maior potência, caracterizados por uma maior área (para permitir
maiores correntes) e maior comprimento (a fim de suportar tensões
mais elevadas). A figura 3.5 mostra, simplificadamente, a estrutura
interna de um diodo.
Aplicando-se uma tensão entre as regiões P e N, a diferença de
potencial aparecerá na região de transição, uma vez que a resistência
desta parte do semicondutor é muito maior que a do restante do
componente (devido à concentração de portadores). Quando se
polariza reversamente um diodo, ou seja, se aplica uma tensão
negativa no anodo (região P) e positiva no catodo (região N), mais
portadores positivos (lacunas) migram para o lado N, e vice-versa,
de modo que a largura da região de transição aumenta, elevando a
barreira de potencial.
Junção Metalúrgica
P + + + + + + + _ _ + + _ _ _ _ _ _ N_
++++++++ _ _ + + _ _ _ _ _ _ _
++++++++ _ _ Anodo Catodo
+ + _ _ _ _ _ _ _
++++++++ _ _ + + _ _ _ _ _ _ _
++++++++ _ _ + + _ _ _ _ _ _ _
+ Difusão
_
Potencial
0
1u
Figura 3.5 Estrutura básica de um diodo semicondutor.
Por difusão ou efeito térmico, uma certa quantidade de portadores
minoritários penetra na região de transição. São, então, acelerados
pelo campo elétrico, indo até a outra região neutra do dispositivo.
Esta corrente reversa independe da tensão reversa aplicada, variando,
basicamente, com a temperatura.
Se o campo elétrico na região de transição for muito intenso, os
portadores em trânsito obterão grande velocidade e, ao se chocarem

com átomos da estrutura, produzirão novos portadores, os quais,
também acelerados, produzirão um efeito de avalanche. Dado o
aumento na corrente, sem redução significativa na tensão na junção,
produz-se um pico de potência que destrói o componente.
Uma polarização direta leva ao estreitamento da região de transição
e à redução da barreira de potencial. Quando a tensão aplicada superar
o valor natural da barreira, cerca de 0,7V para diodos de Si, os portadores
negativos do lado N serão atraídos pelo potencial positivo do anodo e
vice-versa, levando o componente à condução.
Na verdade, a estrutura interna de um diodo de potência é um pouco
diferente desta apresentada. Existe uma região N intermediária, com
baixa dopagem. O papel desta região é permitir ao componente suportar
tensões mais elevadas, pois tornará menor o campo elétrico na região de
transição (que será mais larga, para manter o equilíbrio de carga).
Esta região de pequena densidade de dopante dará ao diodo uma
significativa característica resistiva quando em condução, a qual se torna
mais significativa quanto maior for a tensão suportável pelo componente.
As camadas que fazem os contatos externos são altamente dopadas, a
fim de fazer com que se obtenha um contato com característica ôhmica
e não semicondutor.
O contorno arredondado entre as regiões de anodo e catodo tem
como função criar campos elétricos mais suaves (evitando o efeito de
HARMÔNICOS
muito diferente do de uma chave ideal, como se pode observar na figura
3.6. Suponha-se que se aplica uma tensão vi ao diodo, alimentando
uma carga resistiva (cargas diferentes poderão alterar alguns aspectos
da forma de onda). Durante t1, remove-se a carga acumulada na
região de transição. Como ainda não houve significativa injeção de
portadores, a resistência da região N- é elevada, produzindo um pico de
tensão. Indutâncias parasitas do componente e das conexões também
colaboram com a sobre-tensão. Durante t2 tem-se a chegada dos
portadores e a redução da tensão para cerca de 1V. Estes tempos são,
tipicamente, da ordem de centenas de ns.
No desligamento, a carga espacial presente na região N- deve
ser removida antes que se possa reiniciar a formação da barreira de
potencial na junção. Enquanto houver portadores transitando, o diodo
se mantém em condução. A redução em Von se deve à diminuição
da queda ôhmica. Quando a corrente atinge seu pico negativo é que
foi retirado o excesso de portadores, iniciando-se, então, o bloqueio
do diodo. A taxa de variação da corrente, associada às indutâncias do
circuito, provoca uma sobre-tensão negativa.
t3
trr
t1 dir/dt
dif/dt
Qrr
i=Vr/R
iD

Anodo
pontas). No estado bloqueado, pode-se analisar a região de transição
P+ 10 e 19 cm - 3 Vfp Von t4 t5
como um capacitor, cuja carga é aquela presente na própria região de vD
Vrp
transição. Na condução não existe tal carga, no entanto, devido à alta N– 10 e 14 cm - 3 Depende -Vr t2
da tensão
dopagem da camada P+, por difusão, existe uma penetração de lacunas +Vr
vi
na região N-. Além disso, à medida que cresce a corrente, mais lacunas 250 u vD -Vr
N+ 10 e 14 cm - 3 substrato
são injetadas na região N-, fazendo com que elétrons venham da região iD
vi R
N+ para manter a neutralidade de carga. Desta forma, cria-se uma carga Catodo

espacial no catodo, a qual terá que ser removida (ou se recombinar) para
permitir a passagem para o estado bloqueado do diodo. Figura 3.6 - Estrutura típica de diodo de potência e formas de onda
típicas de comutação de diodo de potência.
O comportamento dinâmico de um diodo de potência é, na verdade,

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A figura 3.7 mostra resultados experimentais de um diodo de 3.3 - Diodos Schottky

potência “lento” (retificador) em um circuito como o da figura
3.6, no qual a indutância é desprezível, como se nota na figura
(a), pela inversão quase imediata da polaridade da corrente. A
corrente reversa é limitada pela resistência presente no circuito. Já
na entrada em condução, a tensão aplicada ao circuito aparece
instantaneamente sobre o próprio diodo, o que contribui para
limitar o crescimento da corrente. Quando esta tensão cai, a
corrente vai assumindo seu valor de regime.
11 Acqs
Tek STOP 10MS/s {.................................T..................................}
(a) 1à
Quando é feita uma junção entre um terminal metálico e um material
semicondutor, o contato tem, tipicamente, um comportamento ôhmico,
ou seja, a resistência do contato governa o fluxo da corrente. Quando
este contato é feito entre um metal e uma região semicondutora com
densidade de dopante relativamente baixa, o efeito dominante deixa de
ser o resistivo, passando a haver também um efeito retificador.
Um diodo Schottky é formado colocando-se um filme metálico em
contato direto com um semicondutor, como indicado na figura 3.8. O
metal é usualmente depositado sobre um material tipo N, por causa
da maior mobilidade dos portadores neste tipo de material. A parte
metálica será o anodo e o semicondutor, o catodo.
Numa deposição de Al (3 elétrons na última camada), os elétrons
do semicondutor tipo N migrarão para o metal, criando uma região

de transição na junção. Note-se que apenas elétrons (portadores

majoritários em ambos materiais) estão em trânsito. O seu chaveamento
2à
é muito mais rápido do que o dos diodos bipolares, uma vez que não
existe carga espacial armazenada no material tipo N, sendo necessário
apenas refazer a barreira de potencial (tipicamente de 0,3V). A região
N+ tem uma dopagem relativamente alta, a fim de reduzir as perdas de
Ch1 Ch2 10V M 10µs Ch1
à

500mV 120mV
condução, com isso, a máxima tensão suportável por estes diodos é de
Tek Run: 10MS/s
Trig’d cerca de 100V.
{.................................T..................................}
A aplicação deste tipo de diodos ocorre principalmente em fontes de
baixa tensão, nas quais as quedas sobre os retificadores são significativas.
Na figura 3.4.(b) tem-se uma forma de onda típica no desligamento
1à
do componente. Note que, diferentemente dos diodos convencionais,
(b) assim que a corrente se inverte a tensão começa a crescer, indicando a
não existência dos portadores minoritários no dispositivo.
2à

contato
CONTATO CONTATO
contato
ÔHMICO
retificador A1
Al A1
Al ÔHMICO
ôhmico
SSiO2
IO2

N+
N+
Ch1 Ch2 10V M 1µs Ch2
à

500mV 10,6V

TTipo
IPO NN
Figura 3.7 - Resultados experimentais das comutações de diodo: (a)
desligamento; (b) entrada em condução. Canal 1: Corrente; Canal 2:
tensão vak S tipoPP
UBSTRATO TIPO
Substrato

Tek Run: 10MS/s

Average

Diodos rápidos possuem trr da ordem de, no máximo, poucos

micro-segundos, enquanto nos diodos normais é de dezenas ou
1à
centenas de micro-segundos. O retorno da corrente a zero, após
o bloqueio, devido à sua elevada derivada e ao fato de, neste
momento, o diodo já estar desligado, é uma fonte importante de
sobre-tensões produzidas por indutâncias parasitas associadas aos
componentes por onde circula tal corrente. A fim de minimizar este 2à

fenômeno foram desenvolvidos os diodos “soft-recovery”, nos quais

esta variação de corrente é suavizada, reduzindo os picos de tensão
Ch1 Ch2 10V M 100µs Ch1
à

200mV -200mV
gerados. Em aplicações nas quais o diodo comuta sob tensão nula,
como é o caso dos retificadores com filtro capacitivo, praticamente Figura 3.8 - (a) Estrutura de diodo Schottky; (b) Forma de onda típica no
desligamento. Canal 1: Corrente; Canal 2: tensão Vak
não se observa o fenômeno da recombinação reversa.

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3.4 Tiristor
O nome tiristor engloba uma família de dispositivos
semicondutores que operam em regime chaveado, tendo em
comum uma estrutura de 4 camadas semicondutoras numa
seqüência p-n-p-n, apresentando um funcionamento biestável.
O tiristor de uso mais difundido é o SCR (Retificador Controlado
de Silício), usualmente chamado simplesmente de tiristor.
Outros componentes, no entanto, possuem basicamente
uma mesma estrutura: LASCR (SCR ativado por luz), também
chamado de LTT (Light Triggered Thyristor), TRIAC (tiristor
triodo bidirecional), DIAC (tiristor diodo bidirecional), GTO
(tiristor comutável pela porta), MCT (Tiristor controlado por
MOS).
3.4.1 - Princípio de funcionamento
O tiristor é formado por quatro camadas semicondutoras,
alternadamente p-n-p-n, possuindo 3 terminais: anodo e
catodo, pelos quais flui a corrente, e a porta (ou gate) que, a
uma injeção de corrente, faz com que se estabeleça a corrente
anódica. A figura 3.9 ilustra uma estrutura simplificada do
dispositivo.
Se entre anodo e catodo tivermos uma tensão positiva, as
junções J1 e J3 estarão diretamente polarizadas, enquanto a
junção J2 estará reversamente polarizada. Não haverá condução
de corrente até que a tensão Vak se eleve a um valor que
provoque a ruptura da barreira de potencial em J2.
Se houver uma tensão Vgk positiva, circulará uma corrente
através de J3, com portadores negativos indo do catodo
para a porta. Por construção, a camada P ligada à porta é
suficientemente estreita para que parte destes elétrons que
cruzam J3 possua energia cinética suficiente para vencer a
barreira de potencial existente em J2, sendo então atraídos
pelo anodo.
Vcc Rc (carga)
J1 J2 J3
A P N- P N+
Anodo
Gate G Rg
Vcc Rc
A K
G K
Rg
Vg
Figura 3.9 - Funcionamento básico do tiristor e seu símbolo
HARMÔNICOS
Desta forma, a junção reversamente polarizada tem
sua diferença de potencial diminuída e estabelece-se uma
corrente entre anodo e catodo, que poderá persistir mesmo
na ausência da corrente de porta. Quando a tensão Vak for
negativa, J1 e J3 estarão reversamente polarizadas, enquanto
J2 estará diretamente polarizada. Uma vez que a junção J3
é intermediária a regiões de alta dopagem, ela não é capaz
de bloquear tensões elevadas, de modo que cabe à junção
J1 manter o estado de bloqueio do componente.
É comum fazer-se uma analogia entre o funcionamento
do tiristor e o de uma associação de dois transistores,
conforme mostrado na figura 3.10. Quando uma corrente
Ig positiva é aplicada, Ic2 e Ik crescerão. Como Ic2 = Ib1,
T1 conduzirá e teremos Ib2=Ic1 + Ig, que aumentará Ic2 e
assim o dispositivo evoluirá até a saturação, mesmo que Ig
seja retirada. Tal efeito cumulativo ocorre se os ganhos dos
transistores forem maior que 3. O componente se manterá
em condução desde que, após o processo dinâmico de
entrada em condução, a corrente de anodo tenha atingido
um valor superior ao limite IL, chamado de corrente de
“latching”.
Para que o tiristor deixe de conduzir é necessário que a
corrente por ele caia abaixo do valor mínimo de manutenção
(IH), permitindo que se restabeleça a barreira de potencial
em J2. Para a comutação do dispositivo não basta, pois, a
aplicação de uma tensão negativa entre anodo e catodo.
Tal tensão reversa apressa o processo de desligamento por
deslocar nos sentidos adequados os portadores na estrutura
cristalina, mas não garante, sozinha, o desligamento.
Devido a características construtivas do dispositivo, a
aplicação de uma polarização reversa do terminal de gate não
permite a comutação do SCR. Este será um comportamento
dos GTOs, como se verá adiante.
A A Ia
Ib1
K Catodo P T1
N Ic2
N Ic1
Vg CH G
P G
P
T2
N Ig Ib2
Ik
K
Figura 3.10 - Analogia entre tiristor e transistores bipolares
(continua na próxima edição)
O SETOR ELÉTRICO
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 FA S C ÍC ULO 1 / H A R MÔN I C OS Por José Antenor Pomilio, engenheiro eletricista, mestre e
doutor em engenharia elétrica pela Universidade Estadual
de Campinas – Unicamp, professor da Faculdade de Enge-
nharia Elétrica e de Computação da Unicamp
antenor@dsce.fee.unicamp.br

CAPÍTULO III – PARTE 2

COMPONENTES SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA

3.1.1. Maneiras de disparar um tiristor c) Taxa de crescimento da tensão direta

Quando reversamente polarizadas, a área de transição de uma
Podemos considerar cinco maneiras distintas de fazer com que junção comporta-se de maneira similar a um capacitor, devido ao
um tiristor entre em condução: campo criado pela carga espacial. Considerando que praticamente
a) Tensão toda a tensão está aplicada sobre a junção J2 (quando o SCR estiver
Quando polarizado diretamente, no estado desligado, a tensão desligado e polarizado diretamente), a corrente que atravessa tal
de polarização é aplicada sobre a junção J2. O aumento da tensão junção é dada por:
Vak leva a uma expansão da região de transição tanto para o
interior da camada do gate quanto para a camada N adjacente.
Mesmo na ausência de corrente de gate, por efeito térmico, sempre Ij 

d C j • Vak  C • dVak  V •
dC j
(3.4)
j ak
existirão cargas livres que penetram na região de transição (no caso, dt dt dt
elétrons), as quais são aceleradas pelo campo elétrico presente em
Onde Cj é a capacitância da junção.
J2. Para valores elevados de tensão (e, conseqüentemente, de campo
elétrico), é possível iniciar um processo de avalanche, no qual as Ia
cargas aceleradas, ao chocarem-se com átomos vizinhos, provoquem Von
a expulsão de novos portadores, os quais reproduzem o processo. Tal
fenômeno, do ponto de vista do comportamento do fluxo de cargas
pela junção J2, tem efeito similar ao de uma injeção de corrente IL
Ig2 > Ig1 > Ig=0
pelo gate, de modo que, se ao se iniciar a passagem de corrente Vbr IH
Vak
for atingido o limiar de IL, o dispositivo se manterá em condução. A Vbo
figura 3.11 mostra a característica estática de um SCR.
b) Ação da corrente positiva de porta
Sendo o disparo através da corrente de porta a maneira mais
Figura 3.11 – Característica estática do tiristor
usual de ser ligado o tiristor, é importante o conhecimento dos
limites máximos e mínimos para a tensão Vgk e a corrente Ig, como
Vgk
mostrados na figura 3.12. Máxima tensão de gate
O valor Vgm indica a mínima tensão de gate que garante a
condução de todos os componentes de um dado tipo, na mínima Limite de
baixa corrente
temperatura especificada. Máxima potência
Instantânea de gate
O valor Vgo é a máxima tensão de gate que garante que 6V
nenhum componente de um dado tipo entrará em condução, na
máxima temperatura de operação.
A corrente Igm é a mínima corrente necessária para garantir a Vgm Limite de
alta corrente
entrada em condução de qualquer dispositivo de um certo tipo, na Vgo
mínima temperatura. Reta de carga
do circuito de acionamento
Para garantir a operação correta do componente, a reta de 0
0 Igm 0,5A Ig
carga do circuito de acionamento deve garantir a passagem além
dos limites Vgm e Igm, sem exceder os demais limites (tensão,
Figura 3.12 – Condições para disparo de tiristor através de
corrente e potências máximas). controle pela porta

O SETOR ELÉTRICO
Junho 2006

Quando Vak cresce, a capacitância diminui, uma vez que a
região de transição aumenta de largura. Entretanto, se a taxa
de variação da tensão for suficientemente elevada, a corrente
que atravessará a junção pode ser suficiente para levar o tiristor
à condução.
Uma vez que a capacitância cresce com o aumento da
área do semicondutor, os componentes para correntes mais
elevadas tendem a ter um limite de dv/dt menor. Observe-se
que a limitação diz respeito apenas ao crescimento da tensão
direta (Vak > 0). A taxa de crescimento da tensão reversa não
é importante, uma vez que as correntes que circulam pelas
junções J1 e J3, em tal situação, não têm a capacidade de levar
o tiristor a um estado de condução.
Como se verá adiante, utilizam-se circuitos RC em paralelo
com os tiristores com o objetivo de limitar a velocidade de
crescimento da tensão direta sobre eles.
d) Temperatura
A altas temperaturas, a corrente de fuga numa junção
p–n reversamente polarizada dobra aproximadamente com o
aumento de 8 oC. Assim, a elevação da temperatura pode levar
a uma corrente através de J2 suficiente para levar o tiristor à
condução.
e) Energia radiante
Energia radiante dentro da banda espectral do silício,
incidindo e penetrando no cristal, produz considerável
quantidade de pares elétrons–lacunas, aumentando
corrente de fuga reversa, possibilitando a condução do
tiristor. Esse tipo de acionamento é o utilizado nos LASCR,
cuja aplicação principal é em sistemas que operam em elevado
potencial, onde a isolação necessária só é obtida por meio de
acoplamentos óticos.
HARMÔNICOS
3.1.2. Parâmetros básicos de tiristores
Apresentaremos a seguir alguns parâmetros típicos de tiristores
e que caracterizam condições limites para sua operação. Alguns
já foram apresentados e comentados anteriormente e serão, pois,
apenas citados aqui.
• Tensão direta de ruptura (VBO)
• Máxima tensão reversa (VBR)
• Máxima corrente de anodo (Iamax): pode ser dada como valor
RMS, médio, de pico e/ou instantâneo.
• Máxima temperatura de operação (Tjmax): temperatura acima
da qual, devido a um possível processo de avalanche, pode haver
destruição do cristal.
• Resistência térmica (Rth): é a diferença de temperatura entre dois
pontos especificados ou regiões, divididos pela potência dissipada
sob condições de equilíbrio térmico. É uma medida das condições
de fluxo de calor do cristal para o meio externo.
• Característica I2t: é o resultado da integral do quadrado da
corrente de anodo num determinado intervalo de tempo, sendo
uma medida da máxima potência dissipável pelo dispositivo. É dado
básico para o projeto dos circuitos de proteção.
• Máxima taxa de crescimento da tensão direta Vak (dv/dt).
• Máxima taxa de crescimento da corrente de anodo (di/dt):
fisicamente, o início do processo de condução de corrente pelo
tiristor ocorre no centro da pastilha de silício, ao redor da região
a onde foi construída a porta, espalhando-se radialmente até ocupar
toda a superfície do catodo, à medida que cresce a corrente.
Mas se a corrente crescer muito rapidamente, antes que haja a
expansão necessária na superfície condutora, haverá um excesso
de dissipação de potência na área de condução, danificando a
estrutura semicondutora. Esse limite é ampliado para tiristores de
O SETOR ELÉTRICO
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tecnologia mais avançada fazendo-se a interface entre gate e catodo
com uma maior área de contato, por exemplo, “interdigitando” o
gate. A figura 3.13 ilustra esse fenômeno.
• Corrente de manutenção de condução (IH): a mínima corrente de
anodo necessária para manter o tiristor em condução.
• Corrente de disparo (IL): mínima corrente de anodo requerida
para manter o SCR ligado imediatamente após ocorrer a passagem
do estado desligado para o ligado e ser removida a corrente de
porta.
• Tempo de disparo (ton): é o tempo necessário para o tiristor sair
do estado desligado e atingir a plena condução.
• Tempo de desligamento (toff): é o tempo necessário para a
transição entre o estado de condução e o de bloqueio. É devido
a fenômenos de recombinação de portadores no material
semicondutor.
• Corrente de recombinação reversa (Irqm): valor de pico da
corrente reversa que ocorre durante o intervalo de recombinação
dos portadores na junção.
K
G
N N
P CA, alimentando uma carga RL, bem como as respectivas formas
G P
N- P
N
P Catodo
Gate circular
A Contato metálico
Figura 3.13 – Expansão da área de condução do tiristor a partir
das vizinhanças da região de gate
dv/dt
di/dt
Tensão direta de bloqueio
que permita à corrente atingir IL quando, então, pode ser retirada.
Observamos ser bastante simples o circuito de disparo de um
SCR e, dado o alto ganho do dispositivo, as exigências quando do
acionamento são mínimas.
b) Comutação
Se, por um lado, é fácil a entrada em condução de um tiristor,
o mesmo não se pode dizer de sua comutação. Lembramos que
a condição de desligamento é que a corrente de anodo fique
abaixo do valor IH. Se isso ocorrer juntamente com a aplicação de
uma tensão reversa, o bloqueio se dará mais rapidamente. Não
existe uma maneira de desligar o tiristor através de seu terminal de
controle, sendo necessário algum arranjo no nível do circuito de
anodo para reduzir a corrente principal.
1b) Comutação natural
É utilizada em sistemas de CA nos quais, em função do caráter
ondulatório da tensão de entrada, em algum instante a corrente
tenderá a se inverter e terá, assim, seu valor diminuído abaixo de
IH, desligando o tiristor. Isso ocorrerá desde que, num intervalo
inferior a toff, não cresça a tensão direta Vak, o que poderia levá-lo
novamente à condução.
A figura 3.15 mostra um circuito de um controlador de tensão
G
de onda. Observe que quando a corrente se anula a tensão sobre
a carga se torna zero, indicando que nenhum dos SCRs está em
N
condução.
Gate interdigitado
S1
i(t)
L
S2
vi(t) vL
R

200V

vi(t)
Von
Corrente de fuga direta
-200V
Corrente de fuga reversa
40A
Irqm
i(t)
ton
Tensão reversa de bloqueio -40A
200V
toff vL(t)

A figura 3.14 ilustra algumas dessas características

-200V
5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms

3.1.3. Circuitos de excitação do gate Figura 3.15 – Controlador de tensão CA com carga RL e formas
de onda típicas

a) Condução
Conforme foi visto, a entrada em condução de um tiristor é
controlada pela injeção de uma corrente no terminal da porta,
devendo esse impulso estar dentro da área delimitada pela figura
3.12. Por exemplo, para um dispositivo que deve conduzir 100 A,
um acionador que forneça uma tensão Vgk de 6 V com impedância
de saída 12 é adequado. A duração do sinal de disparo deve ser tal
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2b) Comutação por ressonância da carga
Em algumas aplicações específicas, é possível que a carga, pela
sua dinâmica própria, faça com que a corrente tenda a se inverter,
fazendo o tiristor desligar. Isso ocorre, por exemplo, quando
existem capacitâncias na carga que, ressoando com as indutâncias
do circuito, produzem um aumento na tensão ao mesmo tempo
 HARMÔNICOS
em que reduzem a corrente. Caso a corrente se torne menor do D1 desliga (pois a corrente se anula). O capacitor está preparado para
que a corrente de manutenção e o tiristor permaneça reversamente realizar a comutação de Sp.
polarizado pelo tempo suficiente, haverá o seu desligamento. A Quando o tiristor auxiliar, Sa, é disparado, em t2, a corrente da
tensão de entrada pode ser tanto CA quanto CC. A figura 3.16 carga passa a ser fornecida através do caminho formado por Lr, Sa e Cr,
ilustra tal comportamento. Observe que, enquanto o tiristor conduz, levando a corrente por Sp a zero, ao mesmo tempo em que se aplica
a tensão de saída, vo(t), é igual à tensão de entrada. Quando a uma tensão reversa sobre ele, de modo a desligá-lo.
corrente se anula e S1 desliga, o que se observa é a tensão imposta
pela carga ressonante. D2
3b) Comutação forçada Sp
É utilizada em circuitos com alimentação CC e nos quais não Lo
ocorre reversão no sentido da corrente de anodo. A idéia básica i +
T Cr
Vc
deste tipo de comutação é oferecer à corrente de carga um caminho +
Lr
alternativo ao tiristor, enquanto se aplica uma tensão reversa sobre Df Ro
Sa i
ele, desligando-o. Antes do surgimento dos GTOs, este foi um c Vo
Vcc
assunto muito discutido, buscando-se topologias eficientes. Com
o advento dos dispositivos com comutação pelo gate, os SCRs
tiveram sua aplicação concentrada nas aplicações nas quais ocorre D1
comutação natural ou pela carga.
60A
iT

L 0
S1 io(t)
Vcc Carga iC
vo(t)
Ressonante -6 0 A
200V

vo
vo 0

Vcc vC
-2 0 0 V
io
0 Figura 3.18 – Topologia com comutação forçada de SCR e
formas de onda típicas
Continua a haver corrente por Cr, a qual, em t3, se torna igual à
corrente da carga, fazendo com que a variação de sua tensão assuma
uma forma linear. Essa tensão cresce (no sentido negativo) até levar o
diodo de circulação à condução, em t4. Como ainda existe corrente
Figura 3.17 – Circuito e formas de onda de comutação por
pelo indutor Lr, ocorre uma pequena oscilação na malha Lr, Sa, Cr e
ressonância da carga
D2 e, quando a corrente por Sa se anula, o capacitor se descarrega
A figura 3.18 mostra um circuito para comutação forçada de SCR até a tensão Vcc na malha formada por Cr, D1, Lr, fonte e Df.
e as formas de onda típicas. A figura 3.19 mostra detalhes de operação 60A
iT
do circuito auxiliar de comutação. Em um tempo anterior a to, a
corrente da carga (suposta quase constante, devido à elevada constante
de tempo do circuito RL) passa pelo diodo de circulação. A tensão sobre
-60A ic
o capacitor é negativa, com valor igual ao da tensão de entrada.
200V
Em t1 o tiristor principal, Sp, é disparado, conectando a fonte à vo
carga, levando o diodo Df ao desligamento. Ao mesmo tempo surge
uma malha formada por Sp, Cr, D1 e Lr, a qual permite a ocorrência vc
de uma ressonância entre Cr e Lr, levando à inversão na polaridade -200V
to t1 t2 t3 t4 t5
da tensão do capacitor. Em t1 a tensão atinge seu máximo e o diodo
Figura 3.19 – Detalhes das formas de onda durante comutação
Continua na próxima edição

O SETOR ELÉTRICO
Junho 2006
 FA S C ÍC ULO 1 / H A R MÔN I C OS
CAPÍTULO III – PARTE 3
COMPONENTES SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA
3.1.4 Redes amaciadoras
O objetivo dessas redes é evitar problemas advindos de excessivos
valores para dv/dt e di/dt, conforme descritos anteriormente.
a) O problema di/dt
Uma primeira medida capaz de limitar possíveis danos causados
pelo crescimento excessivamente rápido da corrente de anodo é
construir um circuito acionador de gate adequado, que tenha alta
derivada de corrente de disparo para que seja também rápida a
expansão da área condutora. Um reator saturável em série com o
tiristor também limitará o crescimento da corrente de anodo durante
a entrada em condução do dispositivo. Além desse fato tem-se
outra vantagem adicional que é a redução da potência dissipada
no chaveamento, pois, quando a corrente de anodo crescer, a
tensão Vak será reduzida pela queda sobre a indutância. O atraso
no crescimento da corrente de anodo pode levar à necessidade
de um pulso mais longo de disparo, ou ainda a uma seqüência de
pulsos, para que seja assegurada a condução do tiristor.
b) O problema do dv/dt
A limitação do crescimento da tensão direta Vak, usualmente
é feita pelo uso de circuitos RC, RCD, RLCD em paralelo com o
dispositivo, como mostrado na figura 3.20.
No caso mais simples (a), quando o tiristor é comutado, a
tensão Vak segue a dinâmica dada por RC que, além disso, desvia
a corrente de anodo facilitando a comutação. Quando o SCR é
ligado o capacitor descarrega-se, ocasionando um pico de corrente
no tiristor, limitado pelo valor de R.
No caso (b) esse pico pode ser reduzido pelo uso de diferentes
resistores para os processos de carga e descarga de C. No terceiro
caso, o pico é limitado por L, o que não traz eventuais problemas
de alto di/dt. A corrente de descarga de C auxilia a entrada em
condução do tiristor para obter um Ia>IL, uma vez que se soma à
corrente de anodo proveniente da carga.
A energia acumulada no capacitor é praticamente toda
dissipada sobre o resistor de descarga.
D
D L
R R2
R1
R
C
C se refere à indutância das ligações, a própria disposição dos
C
Figura 3.20 – Circuitos amaciadores para dv/dt
O SETOR ELÉTRICO
Julho 2006
Por José Antenor Pomilio, engenheiro eletricista, mestre e
doutor em engenharia elétrica pela Universidade Estadual
de Campinas – Unicamp, professor da Faculdade de Enge-
nharia Elétrica e de Computação da Unicamp
antenor@dsce.fee.unicamp.br
3.1.5. Associação em paralelo de tiristores
Desde o início da utilização do tiristor, em 1958, têm crescido
constantemente os limites de tensão e corrente suportáveis,
atingindo hoje faixas de 5000 V e 4000 A. Há, no entanto, diversas
aplicações nas quais é necessária a associação de mais de um
desses componentes, seja pela elevada tensão de trabalho, seja
pela corrente exigida pela carga.
Quando a corrente de carga, ou a margem de sobrecorrente
necessária, não pode ser suportada por um único tiristor, é
essencial a ligação em paralelo. A principal preocupação nesse
caso é a equalização da corrente entre os dispositivos, tanto em
regime como durante a comutação. Diversos fatores influem na
distribuição homogênea da corrente, desde aspectos relacionados
à tecnologia construtiva do dispositivo até o arranjo mecânico da
montagem final.
Existem duas tecnologias básicas de construção de tiristores,
diferindo basicamente no que se refere à região do catodo e sua
junção com a região da porta. A tecnologia de difusão cria uma
região de fronteira entre catodo e gate pouco definida, formando
uma junção não uniforme, que leva a uma característica de disparo
(especialmente quanto ao tempo de atraso e à sensibilidade ao
disparo) não homogênea. A tecnologia epitaxial permite fronteiras
bastante definidas, implicando uma maior uniformidade nas
características do tiristor. Conclui-se assim que, quando se faz
uma associação (série ou paralela) desses dispositivos, é preferível
empregar componentes de construção epitaxial.
Em ligações paralelas de elementos de baixa resistência, um
fator crítico para a distribuição de corrente são variações no fluxo
concatenado pelas malhas do circuito, dependendo, pois, das
indutâncias das ligações. Outro fator importante relaciona-se
com a característica do coeficiente negativo de temperatura do
dispositivo, ou seja, um eventual desequilíbrio de corrente provoca
uma elevação de temperatura no SCR que, por sua vez, melhora as
condições de condutividade do componente, aumentando ainda
mais o desequilíbrio, podendo levá-lo à destruição.
Uma primeira precaução para reduzir esses desbalanceamentos
é realizar uma montagem de tal maneira que todos os tiristores
estejam a uma mesma temperatura, o que pode ser feito, por
exemplo, pela montagem em um único dissipador. No que
componentes em relação ao barramento afeta significativamente
essa distribuição de corrente. Arranjos cilíndricos tendem a
apresentar um menor desequilíbrio.
 HARMÔNICOS
3.1.5.1. Estado estacionário 3.1.5.2. Disparo

Além das considerações já feitas quanto à montagem mecânica, Há duas características do tiristor bastante importantes para
algumas outras providências podem ser tomadas para melhorar o boa divisão de corrente entre os componentes no momento em
equilíbrio de corrente nos tiristores: que se deve dar o início da condução: o tempo de atraso (td) e
a) Impedância série a mínima tensão de disparo (Vonmin). O tempo de atraso pode
A idéia é adicionar impedâncias em série com cada componente a ser interpretado como o intervalo entre a aplicação do sinal de
fim de limitar o eventual desequilíbrio. Se a corrente crescer num ramo, gate e a real condução do tiristor. A mínima tensão de disparo
haverá aumento da tensão, o que fará com que a corrente se distribua é o valor mínimo da tensão direta entre anodo e catodo com a
entre os demais ramos. O uso de resistores implica o aumento das qual o tiristor pode ser ligado por um sinal adequado de porta.
perdas, uma vez que, dado o nível elevado da corrente, a dissipação Recorde-se, da característica estática do tiristor, que quanto
pode atingir centenas de watts, criando problemas de dissipação e menor a tensão Vak maior deve ser a corrente de gate para levar
eficiência. Outra alternativa é o uso de indutores lineares. o dispositivo à condução.
b) Reatores acoplados Diferenças em td podem fazer com que um componente
Conforme ilustrado na figura 3.21, se a corrente por SCR1 entre em condução antes do outro. Com carga indutiva esse fato
tende a se tornar maior que por SCR2, uma força contra- não é tão crítico pela inerente limitação de di/dt da carga, o que
eletromotriz aparecerá sobre a indutância, proporcionalmente ao não ocorre com cargas capacitivas e resistivas. Além disso, como
desbalanceamento, tendendo a reduzir a corrente por SCR3. Ao Vonmin é maior que a queda de tensão direta sobre o tiristor em
mesmo tempo uma tensão é induzida do outro lado do enrolamento, condução, é possível que outro dispositivo não consiga entrar em
aumentando a corrente por SCR2. As mais importantes características condução.
do reator são alto valor da saturação e baixo fluxo residual, para Essa situação é crítica quando se acoplam diretamente os tiristores,
permitir uma grande excursão do fluxo a cada ciclo. sendo minimizada através dos dispositivos de equalização já
. descritos e ainda por sinais de porta de duração maiores que o
. tempo de atraso.
.
.
. 3.1.5.3. Desligamento
(a)
.

(c) Especialmente com carga indutiva, deve-se prever algum tipo

SCR1
de arranjo que consiga manter o equilíbrio de corrente mesmo que
. . .
. . . haja diferentes características entre os tiristores (especialmente
SCR2 relacionadas com os tempos de desligamento). A capacitância
(b) . . do circuito amaciador limita o desbalanceamento, uma vez que
. .
(d) absorve a corrente do tiristor que começa a desligar.

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Julho 2006
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3.1.5.4. Circuito de disparo

I II III IV V VI
Recuperação
Bloqueio Condução Condução Condução Bloqueio
reversa
1200V direto parcial direta reversa reverso
A corrente de gate deve ser alvo de atenções. O uso de + + + +
parcial

um único circuito de comando para acionar todos os tiristores

1000V 1200V 1.0V 0.9V 0.7V 100V
T1
minimiza os problemas de tempos de atraso. Além disso, deve-se
procurar usar níveis iguais de corrente e tensão de gate, uma vez
que influem significativamente no desempenho do disparo. Para T2
50V 6V 1.1V 1.0V 0.7V 900V

minimizar os efeitos das diferenças nas junções gate–catodo de

cada componente pode-se fazer uso de um resistor ou indutor em 150V 5V 0.9V 0.8V 1200V 200V
T3
série com o gate, para procurar equalizar os sinais. É importante + +
que se tenha atingido a corrente de disparo (IL) antes da retirada
do pulso de gate, o que pode levar à necessidade de circuitos mais 5mA 10mA 50A 10A 10mA 10mA
elaborados para fornecer a energia necessária. Uma seqüência de
pulsos também pode ser empregada. Figura 3.22 – Tensões em associação de tiristores sem rede de
equalização
3.1.6 Associação em série de tiristores
3.1.6.2. Disparo
Quando o circuito opera com tensão superior àquela
suportável por um único tiristor, é preciso associar esses Um método que pode ser usado para minimizar o
componentes em série, com precauções para garantir a desequilíbrio do estado II é fornecer uma corrente de porta com
distribuição equilibrada de tensão entre eles. Devido a potência suficiente e de rápido crescimento, para minimizar as
diferenças nas correntes de bloqueio, capacitâncias de junção, diferenças relativas ao tempo de atraso. A largura do pulso deve
tempos de atraso, quedas de tensão direta e recombinação ser tal que garanta a continuidade da condução de todos os
reversa, redes de equalização externa são necessárias, bem tiristores.
como cuidados quanto ao circuito de disparo. A figura 3.22
3.1.6.3. Desligamento
indica uma possível distribuição de tensão numa associação de
três tiristores, nas várias situações de operação.
Para equalizar a tensão no estado V, um capacitor é ligado
Durante os estados de bloqueio direto e reverso (I e
entre anodo e catodo de cada tiristor. Se a impedância do
VI), diferenças nas características de bloqueio resultam em
capacitor é suficientemente baixa e/ou se utiliza a constante
desigual distribuição de tensão em regime. Ou seja, o tiristor
de tempo necessária, o crescimento da tensão no dispositivo
com menor condutância quando bloqueado terá de suportar
mais rápido será limitado até que todos se recombinem. Essa
a maior tensão. É interessante, então, usar dispositivos com
implementação também alivia a situação no disparo, uma vez
características o mais próximas possível. Os estados de condução
que realiza uma injeção de corrente no tiristor, facilitando a
(III e IV) não apresentam problema de distribuição de tensão.
entrada em condução de todos os dispositivos.
Estados II e V representam um desbalanceamento indesejado
Mas, se o capacitor providencia excelente equalização de
durante os transientes de disparo e comutação. No estado II o
tensão, o pico de corrente injetado no componente no disparo
tempo de atraso do SCR1 é consideravelmente mais longo que
pode ser excessivo, devendo ser limitado por meio de um resistor
o dos outros e, assim, terá que, momentaneamente, suportar
em série com o capacitor. É interessante um alto valor de R e
toda a tensão. O estado V resulta dos diferentes tempos de
baixo valor de C para, com o mesmo RC, obter pouca dissipação
recombinação dos componentes. O primeiro a se recombinar
de energia. Mas se o resistor for de valor muito elevado será
suportará toda a tensão.
imposta uma tensão de rápido crescimento sobre o tiristor,
3.1.6.1. Estado estacionário
podendo ocasionar disparo por dv/dt. Usa-se então um diodo
O método usual de equalizar tensões nas situações I e VI é colocar
em paralelo com o resistor, garantindo um caminho de carga
uma rede resistiva com cada resistor conectado entre anodo e
para o capacitor, enquanto a descarga se faz por R. O diodo
catodo de cada tiristor. Esses resistores representam consumo de
deve ter uma característica suave de recombinação para evitar
potência, sendo desejável usar os de maior valor possível. O projeto
efeitos indesejáveis associados às indutâncias parasitas das
do valor da resistência deve considerar a diferença nos valores das
ligações. Recomenda-se o uso de capacitores de baixa indutância
correntes de bloqueio direta e reversa.
parasita. A figura 3.23 ilustra tais circuitos de equalização.

O SETOR ELÉTRICO
Julho 2006

Equalização
Dinâmica
C R C R C R
D D D Pulsos
Rs Rs Rs
Equalização estática
Figura 3.23 – Circuito de equalização de tensão em
associação série de tiristores
3.1.6.4. Circuito de disparo
Em muitas aplicações, devido à necessidade de isolamento elétrico
entre o circuito de comando e o de potência, o sinal de disparo
deve ser isolado por meio de algum dispositivo como, por exemplo,
transformadores de pulso ou acopladores óticos, como mostra a figura
3.24.
a) Transformador de pulso
Neste caso, têm-se transformadores capazes de responder apenas
em alta freqüência, mas que possibilitam a transferência de pulsos
de curta duração (até centenas de microssegundos), após o que o
transformador satura. Caso seja necessário um pulso mais largo, ele
poderá ser obtido por meio de um trem de pulsos, colocando-se um
filtro passa-baixos no lado de saída. Com tais dispositivos deve-se prever
algum tipo de limitação de tensão no secundário (onde está conectado
o gate), a fim de evitar sobretensões.
Quando se usar transformador de pulso é preciso garantir que ele
suporte pelo menos a tensão de pico da alimentação. Como as condições
de disparo podem diferir consideravelmente entre os tiristores, é comum
inserir uma impedância em série com o gate para evitar que um tiristor
com menor impedância de gate drene o sinal de disparo, impedindo
que os demais dispositivos entrem em condução. Essa impedância em
série pode ser um resistor ou um capacitor, que tornaria mais rápido o
crescimento do pulso de corrente.
b) Acoplamento luminoso
O acoplamento ótico apresenta como principal vantagem imunidade
a interferências eletromagnéticas, além da alta isolação de potencial.
Dois tipos básicos de acopladores são usados: os optoacopladores e as
fibras óticas. No primeiro caso tem-se um dispositivo no qual o emissor e
o receptor estão integrados, apresentando uma isolação típica de 2500
V. Já para as fibras óticas, o isolamento pode ser de centenas de kV.
A potência necessária para o disparo é provida por duas fontes:
uma para alimentar o emissor (em geral a própria fonte do circuito de
controle) e outra para o lado do receptor. Eventualmente, a própria
carga armazenada no capacitor do circuito amaciador (ou rede de
equalização), através de um transformador de corrente, pode fornecer
a energia para o lado do receptor, a partir da corrente que circula pelo
tiristor, assegurando potência durante todo o período de condução.
Continua na próxima edição
HARMÔNICOS
+Vcc +V
+
..
Req
Pulsos Req
Figura 3.24 – Circuitos de acionamento de pulso
3.1.7. Sobretensão
As funções gerais da proteção contra sobretensão são: assegurar,
tão rápido quanto possível, que qualquer falha em algum componente
afete apenas aquele tiristor diretamente associado ao componente;
aumentar a confiabilidade do sistema; evitar reações na rede (como
excitação de ressonâncias). Essas sobretensões podem ser causadas
tanto por ações externas como por distribuição não homogênea das
tensões entre os dispositivos.
Em aplicações onde as perdas provocadas pelos resistores de
equalização devem ser evitadas, a distribuição de tensão pode ser realizada
pelo uso de retificadores de avalanche controlada, que também atuam
no caso de sobretensões. Uma possível restrição ao uso de supressores
de sobretensão (geralmente de óxido metálico, os varistores), é que a
falha em um certo componente (um curto em um tiristor) pode levar a
uma sobrecarga nos demais supressores, provocando uma destruição em
cascata de todos.
A fim de evitar disparos indesejados dos tiristores em virtude do
aumento repentino da tensão, superando o limite de dv/dt ou o valor
da máxima tensão direta de bloqueio, deve-se manter uma polarização
negativa no terminal da porta, aumentado o nível de tensão suportável.
3.1.8. Resfriamento
As características do tiristor são sempre fornecidas a uma certa
temperatura da junção. O calor produzido na pastilha deve ser dissipado,
devendo transferir-se da pastilha para o encapsulamento, deste para o
dissipador e daí para o meio de refrigeração (ar ou líquido).
Esse conjunto possui uma capacidade de armazenamento de calor,
ou seja, uma constante de tempo térmica que permite sobrecargas de
corrente por períodos curtos. Tipicamente essa constante é da ordem de
três minutos para refrigeração a ar.
A temperatura de operação da junção deve ser muito menor que
o máximo especificado. Ao aumento da temperatura corresponde uma
diminuição na capacidade de suportar tensões no estado de bloqueio.
Tipicamente essa temperatura não deve exceder 120oC.
O sistema de refrigeração deve possuir redundância, ou seja, uma
falha no sistema deve pôr em operação um outro, garantindo a troca
de calor necessária. Existem várias maneiras de implementar as trocas:
circulação externa de ar filtrado, circulação interna de ar (com trocador de
calor), refrigeração com líquido etc. A escolha do tipo de resfriamento é
influenciada pelas condições ambientais e preferências do usuário.
O SETOR ELÉTRICO
Julho 2006
 FA S C ÍC ULO 1 / H A R MÔN I C OS Por José Antenor Pomilio, engenheiro eletricista, mestre e
doutor em engenharia elétrica pela Universidade Estadual
de Campinas – Unicamp, professor da Faculdade de Enge-
nharia Elétrica e de Computação da Unicamp
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CAPÍTULO III – PARTE 4

COMPONENTES SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA

3.5 – GTO - Gate Turn-Off Thyristor Aparentemente seria possível tal comportamento também no SCR. As
O GTO, embora tenha sido criado no início da década de 60, por diferenças, no entanto, estão no nível da construção do componente. O
problemas de fraco desempenho foi pouco utilizado. Com o avanço funcionamento como GTO depende, por exemplo, de fatores como:
da tecnologia de construção de dispositivos semicondutores, novas • facilidade de extração de portadores pelo terminal de gate - isto é
soluções foram encontradas para aprimorar tais componentes, que possibilitado pelo uso de dopantes com alta mobilidade
hoje ocupam significativa faixa de aplicação, especialmente naquelas • desaparecimento rápido de portadores nas camadas centrais - uso de
de elevada potência, uma vez que estão disponíveis dispositivos para dopante com baixo tempo de recombinação. Isto implica que um GTO
5000V, 4000A. tem uma maior queda de tensão quando em condução, comparado a
um SCR de mesmas dimensões.
3.5.1 – Princípio de funcionamento • suportar tensão reversa na junção porta-catodo, sem entrar em
O GTO possui uma estrutura de quatro camadas, típica dos avalanche - menor dopagem na camada de catodo
componentes da família dos tiristores. Sua característica principal • absorção de portadores de toda superfície condutora - região de gate e
é sua capacidade de entrar em condução e bloquear através de catodo muito interdigitada, com grande área de contato.
comandos adequados no terminal de gate. Diferentemente do SCR, um GTO pode não ter capacidade de
O mecanismo de disparo é semelhante ao do SCR: supondo-o bloquear tensões reversas.
diretamente polarizado, quando a corrente de gate é injetada, circula Existem duas possibilidades de construir a região de anodo: uma
corrente entre gate e catodo. Grande parte de tais portadores, como delas é utilizando apenas uma camada p+, como nos SCR. Neste caso o
a camada de gate é suficientemente fina, desloca-se até a camada GTO apresentará uma característica lenta de comutação, devido à maior
N adjacente, atravessando a barreira de potencial e sendo atraídos dificuldade de extração dos portadores, mas suportará tensões reversas
pelo potencial do anodo, dando início à corrente anódica. Se esta na junção J2.
corrente se mantiver acima da corrente de manutenção, o dispositivo A alternativa, mostrada na figura 3.26, é introduzir regiões n+
não necessita do sinal de gate para manter-se conduzindo. que penetrem na região p+ do anodo, fazendo contato entre a região
A figura 3.25 mostra o símbolo do GTO e uma representação intermediária n- e o terminal de anodo. Isto, virtualmente, curto-circuita a
simplificada dos processos de entrada e saída de condução do junção J1 quando o GTO é polarizado reversamente. No entanto, torna-
componente. o muito mais rápido no desligamento (com polarização direta). Como
A aplicação de uma polarização reversa na junção gate-catodo pode a junção J3 é formada por regiões muito dopadas, ela não consegue
levar ao desligamento do GTO. Portadores livres (lacunas) presentes nas suportar tensões reversas elevadas. Caso um GTO deste tipo deva ser
camadas centrais do dispositivo são atraídos pelo gate, fazendo com que utilizado em circuitos nos quais fique sujeito à tensão reversa, ele deve
seja possível o restabelecimento da barreira de potencial na junção J2. ser associado em série com um diodo, o qual bloqueará a tensão.
A figura do GTO foi obtida na AN-315, International Rectifier, 04/82

Rg Metalização do catodo
Cathode Placa de
Vcc J2 J3 Electrodes contato
P+ N- P N+
do catodo Metalização do gate
Entrada em condução
J1
Vg
Região em
A K
Transição
Rg
G n+ n+ n+
J3
Rg
Vcc P
J2
Desligamento P+ N- P N+
n-

J1
P+ n+ P+ n+ P+

Rg
Vg Anodo

Figura 3.25 - Símbolo, processos de comutação e estrutura interna de GTO. Figura 3.26 - Estrutura interna de GTO rápido (sem bloqueio reverso)

O SETOR ELÉTRICO
Agosto 2006

3.5.2 – Parâmetros básicos do GTO
Os símbolos utilizados pelos diversos fabricantes diferem, embora
as grandezas representadas sejam, quase sempre, as mesmas.
• Vdrxm - Tensão de pico, repetitiva, de estado desligado: sob condições
dadas, é a máxima tensão instantânea permissível, em estado desligado,
que não ultrapasse o dv/dt máximo, aplicável repetidamente ao GTO.
• It - Corrente (RMS) de condução: máxima corrente (valor RMS) que
pode circular continuamente pelo GTO.
• Itcm - Corrente de condução repetitiva controlável: máxima corrente
repetitiva, cujo valor instantâneo ainda permite o desligamento do
GTO, sob determinadas condições.
• I2t: escala para expressar a capacidade de sobrecorrente não-
repetitiva, com respeito a um pulso de curta duração. É utilizado no
dimensionamento dos fusíveis de proteção.
• di/dt: taxa de crescimento máxima da corrente de anodo.
• Vgrm - Tensão reversa de pico de gate repetitiva: máxima tensão
instantânea permissível aplicável à junção gate-catodo.
• dv/dt: máxima taxa de crescimento da tensão direta de anodo
para catodo.
• IH - corrente de manutenção: Corrente de anodo que mantém o GTO
em condução mesmo na ausência de corrente de porta.
• IL - corrente de disparo: corrente de anodo necessária para que o GTO
entre em condução com o desligamento da corrente de gate.
• tgt - tempo de disparo: tempo entre a aplicação da corrente de gate
e a queda da tensão Vak.
• tgq - tempo de desligamento: tempo entre a aplicação de uma
corrente negativa de gate e a queda da corrente de anodo (tgq=ts+tf)
• ts - tempo de armazenamento
3.5.3 – Condições do sinal de porta para chaveamento
Desde que, geralmente, o GTO está submetido a condições de
alto di/dt, é necessário que o sinal de porta também tenha rápido
crescimento, tendo um valor de pico relativamente elevado. Deve
ser mantido neste nível por um tempo suficiente (tw1) para que
a tensão Vak caia a seu valor de condução direta. É conveniente
que se mantenha a corrente de gate durante todo o período de
condução, especialmente se a corrente de anodo for pequena, de
modo a garantir o estado “ligado”. A figura 3.27 ilustra as formas
de corrente recomendadas para a entrada em condução e também
para o desligamento.
Durante o intervalo “ligado” existe uma grande quantidade de
portadores nas camadas centrais do semicondutor. A comutação
do GTO ocorrerá pela retirada destes portadores e, ainda, pela
impossibilidade da vinda de outros das camadas ligadas ao anodo
e ao catodo, de modo que a barreira de potencial da junção J2
possa se restabelecer.
O grande pico reverso de corrente apressa a retirada dos portadores.
A taxa de crescimento desta corrente relaciona-se com o tempo de
armazenamento, ou seja, o tempo decorrido entre a aplicação do pulso
HARMÔNICOS
negativo e o início da queda (90%) da corrente de anodo. Quanto
maior for a derivada, menor o tempo.
Quando a corrente drenada começa a cair, a tensão reversa na
junção gate-catodo cresce rapidamente, ocorrendo um processo de
avalanche. A tensão negativa de gate deve ser mantida próxima ao
valor da tensão de avalanche. A potência dissipada neste processo é
controlada (pela própria construção do dispositivo). Nesta situação a
tensão Vak cresce e o GTO desliga.
Para evitar o disparo do GTO por efeito dv/dt, uma tensão
reversa de porta pode ser mantida durante o intervalo de bloqueio
do dispositivo.
O ganho de corrente típico, no desligamento, é baixo (de 5
a 10), o que significa que, especialmente para os GTOs de alta
corrente, o circuito de acionamento, por si só, envolve a manobra
de elevadas correntes.
tgq
Ifgm
t
s
Ifg
Vr
dIrg Vrg (tensão negativa
dt do circuito de comando)
t w1
avalanche
Vgk
Ig
Irg
Figura 3.27 - Formas de onda típicas do circuito de comando de porta de GTO
3.5.4 – Circuitos amaciadores (snubber)
3.5.4.1 – Desligamento
Durante o desligamento, com o progressivo restabelecimento
da barreira de potencial na junção reversamente polarizada, a
corrente de anodo vai se concentrando em áreas cada vez menores,
concentrando também os pontos de dissipação de potência. Uma
limitação da taxa de crescimento da tensão, além de impedir o
gatilhamento por efeito dv/dt, implicará numa redução da potência
dissipada nesta transição.
O circuito mais simples utilizado para esta função é uma rede
RCD, como mostrado na figura 3.28.
Supondo uma corrente de carga constante, ao ser desligado o
GTO, o capacitor se carrega com a passagem da corrente da carga,
com sua tensão variando de forma praticamente linear. Assim, o
dv/dt é determinado pela capacitância. Quando o GTO entrar
em condução, este capacitor se descarrega através do resistor. A
descarga deve ocorrer dentro do mínimo tempo em condução
previsto para o GTO, a fim de assegurar tensão nula inicial no
próximo desligamento. A resistência não pode ser muito baixa, a
fim de limitar a impulso de corrente injetado no GTO.
O SETOR ELÉTRICO
Agosto 2006
 FA S C ÍC ULO 1 / H A R MÔN I C OS

Para reduzir este efeito, um circuito amaciador para o disparo pode

D ser necessário, com o objetivo de reduzir a tensão sobre o GTO em
R C sua entrada em condução, pode-se utilizar um circuito amaciador
formado, basicamente, por um indutor com núcleo saturável, que
atue de maneira significativa apenas durante o início do crescimento
da corrente, mas sem armazenar uma quantidade significativa de
energia.

Figura 3.28 Circuito amaciador de desligamento tipo RCD 3.5.5 – Associações em série e em paralelo
A energia armazenada no capacitor será praticamente toda Nas situações em que um componente único não suporte
dissipada em R. Especialmente em aplicações de alta tensão e alta a tensão ou a corrente de uma dada aplicação, faz-se necessário
freqüência, esta potência pode assumir valores excessivos. Em tais associar componentes em série ou em paralelo. Nestes casos
casos deve-se buscar soluções ativas, nas quais a energia acumulada os procedimentos são similares àqueles empregados, descritos
no capacitor seja devolvida à fonte ou à carga . anteriormente, para os SCRs.
A potência a ser retirada do capacitor é dada por:
C • V2
3.6 – Transistor Bipolar de Potência (TBP)
Pcap = • fs (3.5)
2
3.6.1 – Princípio de funcionamento
Onde V é a tensão de alimentação e fs é a freqüência de
A figura 3.30 mostra a estrutura básica de um transistor
chaveamento.
bipolar.
Como exemplo, suponhamos um circuito alimentado em
1000V, operando a 1kHz com um capacitor de 1MF. Isto significa
Rc
uma potência de 500W! Vcc
J2 J1

N+ N- P N+
3.5.4.2 – Entrada em condução -
C - E
A limitação de di/dt nos GTOs é muito menos crítica do que para - -
os SCR. Isto se deve à interdigitação entre gate e catodo, o que leva Vb

a uma expansão muito mais rápida da superfície em condução, não B

Rb
havendo significativa concentração de corrente em áreas restritas.
O problema relacionado ao crescimento da corrente refere-se,
Figura 3.30 - Estrutura básica de transistor bipolar
para um GTO, principalmente, à potência dissipada na entrada em
condução do dispositivo. Com carga indutiva, dada a necessária A operação normal de um transistor é feita com a junção J1 (B-E)
existência de um diodo de livre-circulação (e o seu inevitável tempo diretamente polarizada, e com J2 (B-C) reversamente polarizada.
de desligamento), durante alguns instantes em que o GTO já se No caso NPN, os elétrons são atraídos do emissor pelo potencial
encontra conduzindo, sobre ele também existe uma tensão elevada, positivo da base. Esta camada central é suficientemente fina para
produzindo um pico de potência sobre o componente. Este fato é que a maior parte dos portadores tenha energia cinética suficiente
agravado pela corrente reversa do diodo e ainda pela descarga do para atravessá-la, chegando à região de transição de J2, sendo,
capacitor do snubber de desligamento (caso exista). A figura 3.29 então, atraídos pelo potencial positivo do coletor.
ilustra este comportamento. O controle de Vbe determina a corrente de base, Ib, que, por
V sua vez, se relaciona com Ic pelo ganho de corrente do dispositivo.
Io
Na realidade, a estrutura interna dos TBPs é diferente. Para
carga Df
Lcarga Df suportar tensões elevadas, existe uma camada intermediária do
coletor, com baixa dopagem, a qual define a tensão de bloqueio do
Ia
R
carga
Io
Ls
Ds
componente.
Rs
A figura 3.31 mostra uma estrutura típica de um transistor
V
Vak
bipolar de potência. As bordas arredondadas da região de emissor
Ia V
Vak permitem uma homogeneização do campo elétrico, necessária à
Vak manutenção de ligeiras polarizações reversas entre base e emissor. O
TBP não sustenta tensão no sentido oposto porque a alta dopagem

Figura 3.29 - GTO acionando carga indutiva e amaciador para desligamento. do emissor provoca a ruptura de J1 em baixas tensões (5 a 20V).

O SETOR ELÉTRICO
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 HARMÔNICOS
O uso preferencial de TBP tipo NPN se deve às menores perdas Com o transistor conduzindo (Ib>0) e operando na região ativa,
em relação aos PNP, o que ocorre por causa da maior mobilidade o limite de tensão Vce é Vces o qual, se atingido, leva o dispositivo
dos elétrons em relação às lacunas, reduzindo, principalmente, os a um fenômeno chamado de primeira ruptura.
tempos de comutação do componente. O processo de primeira ruptura ocorre quando, ao se elevar a
tensão Vce, provoca-se um fenômeno de avalanche em J2. Este
B E
acontecimento não danifica, necessariamente, o dispositivo. Se,
N+ 10e19 cm-3 10 u no entanto, a corrente Ic se concentrar em pequenas áreas, o
P 10e16 cm-3 5 a 20 u sobreaquecimento produzirá ainda mais portadores e destruirá o
C componente (segunda ruptura).
10e14 cm-3 50 a 200 u Com o transistor desligado (Ib=0) a tensão que provoca a ruptura
N-
B da junção J2 é maior, elevando-se ainda mais quando a corrente de base
E for negativa. Isto é uma indicação interessante que, para transistores
N+ 10e19 cm-3 submetidos a valores elevados de tensão, o estado desligado deve ser
250 u (substrato)
acompanhado de uma polarização negativa da base.
C

Figura 3.31 Estrutura interna de TPB e seu símbolo Ic Ic Vcbo

Ic
Ib>0 Ib=0
3.6.2 – Limites de tensão
A tensão aplicada ao transistor encontra-se praticamente toda Vces Vceo Ib<0
sobre a junção J2 a qual, tipicamente, está reversamente polarizada.
Existem limites suportáveis por esta junção, que dependem
principalmente da forma como o comando de base está operando,
conforme se vê nas figuras 3.32 e 3.33. Figura 3.32 - Tipos de conexão do circuito de base e máximas tensões Vce

O SETOR ELÉTRICO
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 FA S C ÍC ULO 1 / H A R MÔN I C OS

3.6.3 – Área de Operação Segura (AOS)

log Ic
A AOS representa a região do plano Vce x Ic dentro da qual Ic max 1 us
10 us
o TBP pode operar sem se danificar. A figura 3.34 mostra uma
forma típica de AOS. 100 us
A
À medida que a corrente se apresenta em pulsos (não-
Ic DC B
repetitivos) a área se expande.
Para pulsos repetitivos deve-se analisar o comportamento
térmico do componente para se saber se é possível utilizá-lo C
numa dada aplicação, uma vez que a AOS, por ser definida D
para um único pulso, é uma restrição mais branda. Esta análise
térmica é feita com base no ciclo de trabalho a que o dispositivo log Vce
está sujeito, aos valores de tensão e corrente e à impedância
Figura 3.34 - Aspecto típico de AOS de TBP
térmica do transistor, a qual é fornecida pelo fabricante.

Ic segunda ruptura
A: Máxima corrente contínua de coletor
primeira ruptura
B: Máxima potência dissipável (relacionada à temperatura na
junção)
Ib4 C: Limite de segunda ruptura
D: Máxima tensão Vce
Ib3

Ib2 Ib<0

Ib1 3.6.4 – Região de quase-saturação

Ib=0 Vce Consideremos o circuito mostrado na figura 3.35, e as
curvas estáticas do TBP ali indicadas. Quando Ic cresce, Vce
Vces Vceo Vcbo
diminui, dada a maior queda de tensão sobre R. À medida que
Ib4>Ib3>Ib2>Ib1>0
Vce se reduz, caminha-se no sentido da saturação.

Figura 3.33 - Característica estática de transistor bipolar.

O SETOR ELÉTRICO
Agosto 2006
 HARMÔNICOS
Os TBP apresentam uma região chamada de quase-
saturação quase-saturação
saturação gerada, principalmente, pela presença da camada
Ic
N- do coletor.
R
À semelhança da carga espacial armazenada nos diodos, Vcc/R
Ib
nos transistores bipolares também ocorre estocagem de carga.
região ativa Vcc
A figura 3.36 mostra a distribuição de carga estática no interior Vce

do transistor para as diferentes regiões de operação.

Na região ativa, J2 está reversamente polarizada e ocorre uma
acumulação de elétrons na região da base. Quando se aproxima corte

da saturação, J2 fica diretamente polarizada, atraindo lacunas Vcc Vce

da base para o coletor. Tais lacunas associam-se a elétrons vindos
Figura 3.35 - Região de quase-saturação do TBP
do emissor e que estão migrando pelo componente, criando
uma carga espacial que penetra a região N-. Isto representa um
“alargamento” da região da base, implicando na redução do
Coletor Base Emissor
ganho do transistor. Tal situação caracteriza a chamada quase-
saturação. Quando esta distribuição de carga espacial ocupa
N+ N- P N+
toda a região N- chega-se, efetivamente, à saturação.
É claro que no desligamento toda esta carga terá que ser
quase-
saturação e-
removida antes do efetivo bloqueio do TBP, o que sinaliza a
importância do ótimo circuito de acionamento de base para
região ativa
que o TBP possa operar numa situação que minimize a tempo saturação
base virtual
de desligamento e a dissipação de potência (associada ao
Figura 3.36 - Distribuição da carga estática acumulada no TBP
valor de Vce).

Continua na próxima edição

O SETOR ELÉTRICO
Agosto 2006
 FA S C ÍC ULO 1 / H A R MÔN I C OS Por José Antenor Pomilio, engenheiro eletricista, mestre e
doutor em engenharia elétrica pela Universidade Estadual
de Campinas – Unicamp, professor da Faculdade de Enge-
nharia Elétrica e de Computação da Unicamp
antenor@dsce.fee.unicamp.br

CAPÍTULO III – PARTE 5

COMPONENTES SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA

3.6.5 – Ganho de corrente
O ganho de corrente dos TBP varia com diversos parâmetros
(Vce, Ic, temperatura), sendo necessário, no projeto, definir adequa-
damente o ponto de operação. A figura 3.37 mostra uma variação
típica do ganho.
Em baixas correntes, a recombinação dos portadores em trânsito
leva a uma redução no ganho, enquanto para altas correntes tem-se
o fenômeno da quase-saturação reduzindo o ganho, como explicado
anteriormente.
Para uma tensão Vce elevada, a largura da região de transição
de J2 que penetra na camada de base é maior, de modo a reduzir a
espessura efetiva da base, o que leva a um aumento do ganho.
Ganho de corrente
tri: tempo de crescimento da corrente de coletor – Este intervalo
se relaciona com a velocidade de aumento da carga estocada e
depende da corrente de base. Como a carga é resistiva, uma variação
de Ic provoca uma mudança em Vce.
ts: tempo de armazenamento – Intervalo necessário para retirar
(Ib<0) e/ou neutralizar os portadores estocados no coletor e na base
tfi: tempo de queda da corrente de coletor – Corresponde ao
processo de bloqueio do TBP, com a travessia da região ativa, da
saturação para o corte. A redução de Ic depende de fatores internos
ao componente, como o tempo de recombinação, e de fatores
externos, como o valor de Ib (negativo).
Para obter um desligamento rápido deve-se evitar operar com
o componente além da quase-saturação, de modo a tornar breve o
tempo de armazenamento.

Vce = 2 V (125 C)
b) Carga indutiva
Vce = 400 V (25 C)
Seja Io>0 e constante durante a comutação. A figura 3.39 mostra
formas de onda típicas com este tipo de carga.

Vce = 2 V (25 C) b.1) Entrada em condução – Com o TBP cortado, Io circula pelo
diodo (=> Vce=Vcc). Após td, Ic começa a crescer, reduzindo Id (pois Io
é constante). Quando Ic=Io, o diodo desliga e Vce começa a diminuir.
Além disso, pelo transistor circula a corrente reversa do diodo.
log Ic b.2) Bloqueio – Com a inversão da tensão Vbe (e de Ib), inicia-se o
processo de desligamento do TBP. Após tsv começa a crescer Vce. Para
Figura 3.37 - Comportamento típico do ganho de corrente em
que o diodo conduza é preciso que Vce>Vcc. Enquanto isto não ocorre,
função da tensão Vce, da temperatura e da corrente de coletor.
Ic=Io. Com a entrada em condução do diodo, Ic diminui, à medida que
Id cresce (tfi).
3.6.6 – Características de chaveamento
Além destes tempos definem-se outros para carga indutiva: tti:
As características de chaveamento são importantes, pois
(tail time): Queda de Ic de 10% a 2%; tc ou txo: intervalo entre 10%
definem a velocidade de mudança de estado e ainda determinam as
de Vce e 10% de Ic.
perdas no dispositivo relativas às comutações, que são dominantes
100%
nos conversores de alta freqüência. Definem-se diversos intervalos 90%
considerando operação com carga resistiva ou indutiva. O sinal de Sinal de base
10%
base, para o desligamento é, geralmente, negativo, a fim de acelerar ton=ton(i) toff=toffi
td=tdi ts=tsi tfi
o bloqueio do TBP. tri
90%
a) Carga resistiva - A figura 3.38 mostra formas de onda
Corrente do
típicas para este tipo de carga. O índice “r” se refere aos tempos 10% coletor

de subida (de 10% a 90% dos valores máximos), enquanto “f” ton (v) toff (v)

relaciona-se aos tempos de descida. O índice “s” refere-se ao tempo tdv

tfv
tsv
trv
+Vcc
de armazenamento e “d” ao tempo de atraso. 90%
td: tempo de atraso – Corresponde a tempo de descarregamento Tensão Vce
10%
da capacitância da junção b-e. Pode ser reduzido pelo uso de uma Vce (sat) CARGA RESISTIVA
maior corrente de base com elevado dib/dt. Figura 3.38 - Característica típica de chaveamento de carga resistiva
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Vb
Io Io
log Ic
Lcarga Df Lcarga Df
td sem amaciador
Io
Ic
Io
R Cs
carga R
carga
tti Vcc
Vcc tsv
Vce

Ic Vcc Ic
Cs Vcs Vcc log Vce

Vce Vce
Ds Rs

Figura 3.39 - Formas de onda com carga indutiva Figura 3.40 - Circuito amaciador de desligamento e trajetórias na AOS

Vcc
Ic Vcc
Ic
3.6.7 – Circuitos amaciadores
(ou de ajuda à comutação) - “snubber” Vce Vce
O papel dos circuitos amaciadores é garantir a operação do Ic.Vcc
P P
TBP dentro da AOS, especialmente durante o chaveamento de
cargas indutivas.
a) Desligamento - Objetivo: atrasar o crescimento de V ce
(figura 3.40)
Quando V ce começa a crescer, o capacitor Cs começa a se
tf
carregar (via Ds), desviando parcialmente a corrente, reduzindo
Ic. Df só conduzirá quando V ce>Vcc. Figura 3.41 - Formas de onda no desligamento sem e com o circuito
Quando o transistor ligar o capacitor se descarregará por amaciador.

ele, com a corrente limitada por Rs. A energia acumulada em Cs

b) Entrada em condução: Objetivo: reduzir Vce e atrasar o
será, então, dissipada sobre Rs.
aumento de Ic (figura 3.42)
Sejam as formas de onda mostradas na figura 3.43.
No circuito sem amaciador, após o disparo do TBP, Ic cresce, mas
Consideremos que Ic caia linearmente e que Io é aproximadamente
Vce só se reduz quando Df deixar de conduzir. A colocação de Ls
constante. Sem o circuito amaciador, supondo desprezível a
provoca uma redução de Vce, além de reduzir a taxa de crescimento
capacitância entre coletor e emissor, assim que o transistor inicia
de Ic.
seu desligamento, a corrente de coletor que vinha crescendo
Normalmente não se utiliza este tipo de circuito, considerando
(ou estava constante), muda sua derivada tendendo a diminuir.
que os tempos associados à entrada em condução são menores do
Isto produz uma tensão sobre a carga que leva o diodo de
que os de desligamento e que Ls, por ser de baixo valor, pode ser
livre-circulação à condução, de modo que a tensão Vce cresce
substituído pela própria indutância parasita do circuito.
praticamente para o valor da tensão de alimentação. Com a
inclusão do circuito amaciador, o diodo Df só conduzirá quando carga
Vcc
a tensão no capacitor Cs atingir Vcc. Assim, considerando que
Ls
Ic decai linearmente, a corrente por Cs cresce linearmente e a
tensão sobre ele tem uma forma quadrática. Fazendo-se com Rs Ds Df
que Cs complete sua carga quando Ic=0, o pico de potência se Figura 3.42 - Circuito amaciador para entrada em condução.
reduzirá a menos de 1/4 do seu valor sem circuito amaciador
(supondo t rv=0)
3.6.8 – Conexão Darlington
O valor de Rs deve ser tal que permita toda a descarga de
Como o ganho dos TBP é relativamente baixo, usualmente são
Cs durante o mínimo tempo ligado do TBP e, por outro lado,
utilizadas conexões Darlington (figura 3.43), que apresentam como
limite o pico de corrente em um valor inferior à máxima corrente
principais características:
de pico repetitiva do componente. Deve-se usar o maior Rs
– ganho de corrente B= B1(B+1)+B
possível.
O SETOR ELÉTRICO
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– T2 não satura, pois sua junção B-C está sempre reversamente
polarizada
– tanto o disparo quanto o desligamento são seqüenciais. No
disparo, T1 liga primeiro, fornecendo corrente de base para T2. No
desligamento, T1 deve comutar antes, interrompendo a corrente de
base de T2.
T1
T2
Figura 3.43 - Conexão Darlington
Os tempos totais dependem, assim, de ambos os transistores,
elevando, a princípio, as perdas de chaveamento.
Considerando o caso de uma topologia em ponte (ou meia
ponte), como mostrado na figura 3.44, quando o conjunto superior
conduz, o inferior deve estar desligado. Deve-se lembrar aqui que
existem capacitâncias associadas às junções dos transistores.
Quando o potencial do ponto A se eleva (pela condução de T2)
a junção B-C terá aumentada sua largura, produzindo uma corrente
a qual, se a base de T3 estiver aberta, circulará pelo emissor,
transformando-se em corrente de base de T4, o qual poderá
conduzir, provocando um curto-circuito (momentâneo) na fonte.
A solução adotada é criar caminhos alternativos para esta
corrente, por meio de resistores, de modo que T4 não conduza.
Além destes resistores, é usual a inclusão de um diodo reverso,
de emissor para coletor, para facilitar o escoamento das cargas no
processo de desligamento. Além disso, tal diodo tem fundamental
importância no acionamento de cargas indutivas, uma vez que faz a
função do diodo de circulação.
T1 T2
capacitâncias parasitas
A Figura 3.47 - Arranjo de diodos para evitar saturação
i i carga
T3
T4
Figura 3.44 - Conexão Darlington num circuito em ponte
Usualmente associam-se aos transistores em conexão Darlington,
outros componentes, cujo papel é garantir seu bom desempenho
em condições adversas, como se vê na figura 3.45
O SETOR ELÉTRICO
Setembro 2006
Figura 3.45 - Conexão Darlington com componentes auxiliares
3.6.9 – Métodos de redução dos
tempos de chaveamento
Um ponto básico é utilizar uma corrente de base adequada, como
mostra a figura 3.46. As transições devem ser rápidas, para reduzir
o tempo de atraso. Um valor elevado Ib1 permite uma redução de tri.
Quando em condução, Ib2 deve ter tal valor que faça o TBP operar na
região de quase-saturação. No desligamento, deve-se prover uma corrente
negativa, acelerando assim a retirada dos portadores armazenados.
Para o acionamento de um transistor único, pode-se utilizar
um arranjo de diodos para evitar a saturação, como mostrado
na figura 3.47.
Neste arranjo, a tensão mínima na junção B-C é zero. Excesso na
corrente Ib é desviado por D3. D3 permite a circulação de corrente
negativa na base.
Ib1
Ib2
dib/dt
dib/dt
Ibr
Figura 3.46 - Forma de onda de corrente de base recomendada para
acionamento de TBP.
D1
D2
D3
3.7 – MOSFET
Enquanto o TBP foi inventado no final dos anos 1940, já em 1925
foi registrada uma patente (concedida em 1930 a Julius Edgard Lilienfeld,
reproduzida na figura 3.48) que se referia a “um método e um dispositivo
para controlar o fluxo de uma corrente elétrica entre dois terminais de
um sólido condutor”. Tal patente, que pode ser considerada a precursora
dos Transistores de Efeito de Campo, no entanto, não redundou em um
componente prático, uma vez que não havia, então, tecnologia que
permitisse a construção dos dispositivos. Isto se modificou nos anos 60,
 HARMÔNICOS
quando surgiram os primeiros FETs, mas ainda com limitações importantes
em termos de características de chaveamento. Nos anos 1980, com a
tecnologia MOS, foi possível construir dispositivos capazes de comutar
valores significativos de corrente e tensão, em velocidade superior ao que
se obtinha com os TBP.

3.7.1 – Princípio de funcionamento (canal N)

O terminal de gate é isolado do semicondutor por SiO2. A junção
PN- define um diodo entre Source e Drain, o qual conduz quando Vds<0.
A operação como transistor ocorre quando Vds>0. A figura 3.49 mostra
a estrutura básica do transistor.
Quando uma tensão Vgs>0 é aplicada, o potencial positivo no
gate repele as lacunas na região P, deixando uma carga negativa, mas
sem portadores livres. Quando esta tensão atinge um certo limiar (Vth),
elétrons livres (gerados principalmente por efeito térmico) presentes na
região P são atraídos e formam um canal N dentro da região P, pelo qual
se torna possível a passagem de corrente entre D e S. Elevando Vgs, mais
portadores são atraídos, ampliando o canal, reduzindo sua resistência
(Rds), permitindo o aumento de Id. Este comportamento caracteriza a
chamada “região resistiva”.
A passagem de Id pelo canal produz uma queda de tensão que leva
ao seu afunilamento, ou seja, o canal é mais largo na fronteira com a
região N+ do que quando se liga à região N-. Um aumento de Id leva
a uma maior queda de tensão no canal e a um maior afunilamento, o
que conduziria ao seu colapso e à extinção da corrente! Obviamente
o fenômeno tende a um ponto de equilíbrio, no qual a corrente Id se
mantém constante para qualquer Vds, caracterizando a região ativa do
Fig. 3.48 - Pedido de patente de transistor FET
MOSFET. A figura 3.50 mostra a característica estática do MOSFET, Reproduzida de Arthur D. Evans, “Designing with Field-Effect
Transistors”, McGraw-Hill, New York, 1983.
Uma pequena corrente de gate é necessária apenas para carregar
e descarregar as capacitâncias de entrada do transistor. A resistência de
entrada é da ordem de 1012 ohms. A máxima tensão Vds é determinada pela ruptura do diodo
Estes transistores, em geral, são de canal N por apresentarem menores reverso. Os MOSFETs não apresentam segunda ruptura uma vez que
perdas e maior velocidade de comutação, devido à maior mobilidade dos a resistência do canal aumenta com o crescimento de Id. Este fato
elétrons em relação às lacunas. facilita a associação em paralelo destes componentes.
A tensão Vgs é limitada a algumas dezenas de Volts, por causa da
Vdd capacidade de isolação da camada de SiO2.
Vgs
G Id
S +++++++++++++++
região
N+
- - - - - - - - - - - - - - - -- - - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - - -- - - - - -
----------------
resistiva Vgs3
-Id - - - - - - - -- - - -- -Id D

P região ativa
Vgs2
N- G

N+
Vgs1
S

Símbolo
D
Vdso
SiO2 Vds
metal
vgs3>Vgs2>Vgs1
Figura 3.49 - Estrutura básica de transistor MOSFET. Figura 3.50 - Característica estática do MOSFET

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3.7.2 – Área de Operação Segura 3.7.3 – Característica de chaveamento -

A figura 3.51 mostra a AOS dos MOSFET. Para tensões
elevadas ela é mais ampla que para um TBP equivalente, uma
vez que não existe o fenômeno de segunda ruptura. Para
baixas tensões, entretanto, tem-se a limitação da resistência de
condução.
A: Máxima corrente de dreno contínua
B: Limite da região de resistência constante
C: Máxima potência (relacionada à máxima temperatura de junção)
D: Máxima tensão Vds
carga indutiva
a) Entrada em condução (figura 3.52)
Ao ser aplicada a tensão de acionamento (Vgg), a capacitância
de entrada começa a se carregar, com a corrente limitada por Rg.
Quando se atinge a tensão limiar de condução (Vth), após td, começa
a crescer a corrente de dreno. Enquanto Id<Io, Df se mantém em
condução e Vds=Vdd. Quando Id=Io, Df desliga e Vds cai. Durante a
redução de Vds ocorre um aparente aumento da capacitância
de entrada (Ciss) do transistor (efeito Miller), fazendo com que a
variação de Vgs se torne muito mais lenta (em virtude do “aumento”
da capacitância). Isto se mantém até que Vds caia, quando, então, a
tensão Vgs volta a aumentar, até atingir Vgg.

Vgg
V+
log Id
Io
Id pico
Vgs Df
V+
Id cont A Vth
Cgd
B
C Id Id=Io Vdd

D Vds
Rg
Cds
Vds
Vds on Vgs
Vgg
Cgs Id
Vdso log Vds td

CARGA INDUTIVA

Figura 3.52 - Formas de onda na entrada em condução de MOSFET com

Figura 3.51 - AOS para MOSFET carga indutiva.

O SETOR ELÉTRICO
Setembro 2006

Na verdade, o que ocorre é que, enquanto Vds se mantém elevado, a
capacitância que drena corrente do circuito de acionamento é apenas Cgs.
Quando Vds diminui, a capacitância entre dreno e source se descarrega,
o mesmo ocorrendo com a capacitância entre gate e dreno. A descarga
desta última capacitância se dá desviando a corrente do circuito de
acionamento, reduzindo a velocidade do processo de carga de Cgs, o que
ocorre até que Cgd esteja descarregado.
Os manuais fornecem informações sobre as capacitâncias
HARMÔNICOS
ordem inversa. O uso de uma tensão Vgg negativa apressa o desligamento,
pois acelera a descarga da capacitância de entrada.
Como os MOSFETs não apresentam cargas estocadas, não existe o
tempo de armazenamento, por isso são muito mais rápidos que os TBP.
C (nF)
C (nF)

operacionais do transistor (Ciss, Coss e Crss), mostradas na figura 3.53, as

4
Ciss 4
quais se relacionam com as capacitâncias do componente por: Cgs
3
3
Ciss = Cgs + Cgd , com Cds curto-circuitada Coss
2 Cds
Crs = Cgd 2
1
Coss ≅ Cds + Cgd Crss 1 Cgd
0
0
0 10 20 30 40 Vds (V) 0 10 20 30 40 Vds (V)
b) Desligamento
O processo de desligamento é semelhante ao apresentado, mas na Figura 3.53 - Capacitâncias de transistor MOSFET

Continua na próxima edição

O SETOR ELÉTRICO
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CAPÍTULO III – PARTE 6
COMPONENTES SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA
3.8 – IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
O IGBT alia a facilidade de acionamento dos MOSFET com
as pequenas perdas em condução dos TBP. Sua velocidade de
chaveamento, em princípio semelhante à dos transistores bipolares,
tem crescido nos últimos anos, permitindo operação em dezenas de
kHz, nos componentes para correntes na faixa de algumas dezenas
de Ampéres.
3.8.1 – Princípio de funcionamento
A estrutura do IGBT é similar à do MOSFET, mas com a inclusão de
uma camada P+ que forma o coletor do IGBT, como se vê na figura 3.54.
Em termos simplificados pode-se analisar o IGBT como um MOSFET
no qual a região N- tem sua condutividade modulada pela injeção de
portadores minoritários (lacunas), a partir da região P+, uma vez que
J1 está diretamente polarizada. Esta maior condutividade produz uma
menor queda de tensão em comparação a um MOSFET similar.
O controle de componente é análogo ao do MOSFET, ou seja,
pela aplicação de uma polarização entre gate e emissor. Também
para o IGBT o acionamento é feito por tensão.
A máxima tensão suportável é determinada pela junção J2
(polarização direta) e por J1 (polarização reversa). Como J1 divide 2
regiões muito dopadas, conclui-se que um IGBT não suporta tensões
elevadas quando polarizado reversamente.
Os IGBTs apresentam um tiristor parasita. A construção do dispositivo
deve ser tal que evite o acionamento deste tiristor, especialmente devido
às capacitâncias associadas à região P, que se relaciona à região do
gate do tiristor parasita. Os modernos componentes não apresentam
problemas relativos a este elemento indesejado.
Gate (porta)
Emissor
N+ N+
J3
C menores que as dos MOSFET.
P Como regra básica:
B
J2
N-
E
N+
P+
J1
Coletor
SiO2 metal
Figura 3.54 - Estrutura básica de IGBT
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doutor em engenharia elétrica pela Universidade Estadual
de Campinas – Unicamp, professor da Faculdade de Enge-
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3.8.2 – Características de chaveamento
A entrada em condução é similar ao MOSFET, sendo um pouco
mais lenta a queda da tensão Vce, uma vez que isto depende da
chegada dos portadores vindos da região P+.
Para o desligamento, no entanto, tais portadores devem ser
retirados. Nos TBPs isso se dá pela drenagem dos portadores via
base, o que não é possível nos IGBTs, devido ao acionamento isolado.
A solução encontrada foi a inclusão de uma camada N+, na qual a
taxa de recombinação é bastante mais elevada do que na região
N-. Desta forma, as lacunas presentes em N+ recombinam-se com
muita rapidez, fazendo com que, por difusão, as lacunas existentes
na região N- refluam, apressando a extinção da carga acumulada na
região N-, possibilitando o restabelecimento da barreira de potencial
e o bloqueio do componente.
3.9 – Alguns critérios de seleção entre transistores
Pode-se desconsiderar o uso de TBP em novos projetos.
Um primeiro critério é o dos limites de tensão e de corrente.
Os MOSFET possuem uma faixa mais reduzida de valores, ficando,
tipicamente entre: 100V/200A e 1000V/20A.
Já IGBT atingem potências mais elevadas, indo até 3kV/3kA.
Estes componentes de maior potência comutam apenas em baixa
freqüência, e não são adequados para a realização de fontes
chaveadas. Os componentes de menor potência (centenas de Voltes
e dezenas de Ampéres) podem comutar na faixa de dezenas de
kHz.
Outro importante critério para a seleção refere-se às perdas de
potência no componente. Assim, em aplicações em alta freqüência
(acima de 50kHz) devem ser utilizados MOSFETs. Em freqüências
mais baixas, quaisquer dos dois componentes podem responder
satisfatoriamente.
No entanto, as perdas em condução dos IGBTs são sensivelmente
em baixa tensão e alta freqüência: MOSFET
em alta tensão e baixa freqüência: IGBT
3.10 – IGCT
O IGCT é um dispositivo surgido no final da década de 1990,
capaz de comutação comandada para ligar e desligar, com aplicações
em média e alta potência.
Em termos de aplicações, é um elemento que pode substituir os
GTOs.
 HARMÔNICOS
Além de algumas melhorias no projeto do dispositivo, a principal
Anode Anode
característica do IGCT, que lhe dá o nome, é a integração do circuito
de comando junto ao dispositivo de potência, como mostrado na
figura 3.55. Tal implementação permite minimizar indutâncias neste P VAK P

circuito, o que resulta na capacidade de desligamento muito rápida N N

gate IAK
(da ordem de 1 Ms), e praticamente eliminando problemas de dv/dt P gate P

típicos dos GTOs. Com isso, a ligação série destes componentes é N N

muito facilitada.
Esta unidade de comando necessita apenas da informação -VCK
Cathode Cathode
lógica para o liga-desliga (normalmente fornecida por meio de fibra
ótica) e de uma fonte de alimentação para o circuito. O consumo do
circuito de comando é entre 10 e 100W.
Como um tiristor, as perdas em condução são muito baixas.
Vcl (kV) ia (kA)
A freqüência típica de comutação está na faixa de 500 Hz. No
entanto, diferentemente do GTO, que necessita de capacitores 4 4
para limitar o dv/dt no desligamento, o limite superior de
3 3
freqüência de comutação é dado apenas pela temperatura
2 2
do dispositivo (dependente das perdas de condução), o que
1 1
permite, a princípio, seu uso em freqüências da ordem de
0 0
dezenas de kHz.
Na entrada em condução é preciso um indutor que limite o di/dt. -10

A operação do IGCT no desligamento se deve ao fato de que, -20

pela ação do circuito de comando, a estrutura pnpn do tiristor é Vg (V) 15 20 25 30 35 time ( MS)

convertida em uma estrutura de transistor pnp, imediatamente

Figura 3.56. IGCT conduzindo, IGCT bloqueando e formas de
antes do desligamento. Isso é feito com o desvio da totalidade
onda no desligamento.
da corrente de catodo pelo circuito de gate, enquanto aplica uma (Figuras extraídas da referência Steimer, 2001)
tensão negativa de gate. Disso resulta um dispositivo que dinâmica
e estaticamente se desliga como um IGBT, mas que conduz como 3.11 – Materiais Emergentes
um tiristor, como mostra a figura 3.56. Embora existam alguns diodos realizados com outros materiais
São possíveis dispositivos com condução assimétrica ou com (Arseneto de Gálio e Carbeto de Silício), o silício é atualmente
diodo reverso integrado. praticamente o único material utilizado para a fabricação de
componentes semicondutores de potência. Isso se deve ao fato de
que se tem tecnologia para fazer o crescimento de monocristais de
silício com pureza e em diâmetro suficientes, o que ainda não é
possível para outros materiais.
Existem, no entanto, outros materiais com propriedades
superiores, em relação ao silício, mas que ainda não são produzidos
em dimensões e grau de pureza necessários à fabricação de
componentes de potência.
L
R S1 S3 S5 Arseneto de Gálio (GaAs) é um desses materiais. Por possuir
um maior gap de energia, sempre em relação ao silício, dispositivos
Dclamp
construídos a partir deste material apresentam menor corrente
Vcc de fuga e, assim, poderiam operar em temperaturas mais elevadas.
S2 S4 S6
Uma vez que a mobilidade dos portadores é muito maior no GaAs,
Cclamp
tem-se um componente com menor resistência de condução,
especialmente nos dispositivos com condução por portadores
majoritários (MOSFET). Além disso, por apresentar uma maior
Figura 3.55 IGCT e seu circuito de comando integrado ao dispositivo
de potência e circuito de inversor com IGCT. intensidade de campo elétrico de ruptura, ele poderia suportar
(Figuras extraídas da referência Steimer, 2001) maiores tensões.

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A tabela 3.1 mostra propriedades de diversos materiais a
partir dos quais se pode, potencialmente, produzir dispositivos
semicondutores de potência.
Carbetos de Silício são materiais com os quais são feitas
intensas pesquisas. O gap de energia é maior que o dobro
do Si, permitindo operação em temperaturas elevadas.
Adicionalmente apresenta elevada condutividade térmica (que
é baixa para GaAs), facilitando a dissipação do calor produzido
no interior do semicondutor. Sua principal vantagem em relação
tanto ao Si quanto ao GaAs é a intensidade de campo elétrico
região de deriva e num comprimento de apenas 2Mm, ou seja, 50
vezes menos que um componente equivalente de Si.
Na tabela 3.IV tem-se expressa a redução no tempo de vida
dos portadores no interior da região de deriva. Este parâmetro tem
implicações sobre a velocidade de comutação dos dispositivos, sendo,
assim, esperável que componentes de diamante, sejam algumas
ordens de grandeza mais rápidos que os atuais componentes de Si.
Tabela 3.II Resistência ôhmica da região de deriva
Material Si GaAs SiC Diamante

de ruptura, que é aumentada em uma ordem de grandeza. Resistência relativa 1 6,4.10-2 9,6.10-3 3,7.10-5

Outro material de interesse potencial é o diamante.

Tabela 3.III Dopagem e comprimento da região de deriva
Apresenta, dentre todos estes materiais, o maior gap de energia,
necessário para uma junção abrupta suportar 1kV
a maior condutividade térmica e a maior intensidade de campo
Material Si GaAs SiC Diamante
elétrico, além de elevada mobilidade de portadores.
Dopagem (cm-3) 1,3.1014 5,7.1014 1,3.1016 1,5.1017
Uma outra análise pode ser feita comparando o impacto dos
Comprimento (Mm) 100 50 10 2
parâmetros mostrados na tabela 3.I sobre algumas características
de componentes (hipotéticos) construídos com os novos Tabela 3.IV Tempo de vida de portador (na região de deriva)
materiais. As tabelas 3.II a 3.IV mostram as variações de alguns para uma junção pn com ruptura de 1000V
parâmetros. Tomem-se os valores do Si como referência. Estas Material Si GaAs SiC Diamante
informações foram obtidas em Mohan, Undeland e Robbins Tempo de vida 1,2 Ms 0,11 Ms 40 ns 7 ns
(1995).
Muitos problemas tecnológicos ainda devem ser solucionados
para que estes materiais se constituam, efetivamente, em alternativas
Tabela 3.I Propriedades de materiais semicondutores para o Si. Silício é um material que vem sendo estudado há quase
Propriedade Si GaAs 3C-SiC 6H-SiC Diamante
meio século e com enormes investimentos. O mesmo não ocorre
Gap de energia a 300K (eV) 1,12 1,43 2,2 2,9 5,5
com os demais materiais.
Condutividade térmica (W/cm.C) 1,5 0,5 5,0 5,0 20
O GaAs vem sendo estudado nas últimas duas décadas, mas
Mobilidade a 300K (cm2/V.s) 1400 8500 1000 600 2200
com uma ênfase em dispositivos rápidos, seja para aplicações
Campo elétrico máximo (V/cm) 3.105 4.105 4.106 4.106 3.107
computacionais, seja em comunicações óticas. Não existe ainda
Temperatura de fusão (ºC) 1415 1238 Sublima Sublima Muda de fase
tecnologia para produzir pastilhas com o grau de pureza e dimensão
>>1800 >>1800 2200*
necessárias à construção de componentes de potência. Além disso,
* Diamante à grafite
em relação ao Si, este material não possui um óxido natural (como é
Nota-se (tabela 3.II) que as resistências da região de deriva o SiO2), dificultando a formação de camadas isolantes e de máscaras
são fortemente influenciadas pelos materiais. Estes valores são para os processos litográficos. Em 1994 a Motorola anunciou o
determinados considerando as grandezas indicadas na tabela lançamento comercial de diodo schottky de 600V. No entanto,
3.I. A resistência de um componente de diamante teria, assim, embora para este componente específico o aumento da tensão seja
um valor cerca de 30000 vezes menor do que se tem hoje num significativo, as vantagens do GaAs sobre o Si são incrementais,
componente de Si. O impacto sobre a redução das perdas de quando comparadas com os outros materiais.
condução é óbvio. O estágio de desenvolvimento dos SiC é ainda mais primitivo
Na tabela 3.III tem-se, para um dispositivo que deve nos aspectos do processamento do material para obter-se a pureza
suportar 1kV, as necessidades de dopagem e o comprimento necessária, nas dimensões requeridas para estas aplicações de
da região de deriva. Nota-se também aqui que os novos potência.
materiais permitirão uma redução drástica no comprimento dos Quanto ao diamante, não existe ainda uma tecnologia para
dispositivos, implicando numa menor quantidade de material, construção de “waffers” de monocristal de diamante. Os métodos
embora isso não necessariamente tenha impacto sobro o custo. existentes para produção de filmes finos levam a estruturas
Um dispositivo de diamante seria, a princípio, capaz de suportar policristalinas. A difusão seletiva de dopantes e a realização de
1kV com uma dopagem elevada na contatos ôhmicos ainda devem ser objeto de profundas pesquisas.

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Outubro 2006

3.12 – Referências Bibliográficas
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Continua na próxima edição
HARMÔNICOS
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CAPÍTULO IV -
EFEITOS E CAUSAS DE HARMÔNICAS
NO SISTEMA DE ENERGIA ELÉTRICA
PARTE 1
A análise aqui feita baseia-se no texto da recomendação IEEE-
519 (1991) que trata de práticas e requisitos para o controle de
harmônicas no sistema elétrico de potência. No referido texto são
identificadas diversas referências específicas sobre os diferentes
fenômenos abordados.
4.1 – Efeitos de harmônicas em
componentes do sistema elétrico
O grau com que harmônicas podem ser toleradas em um sistema
de alimentação depende da susceptibilidade da carga (ou da fonte
de potência). Os equipamentos menos sensíveis, geralmente, são os
de aquecimento (carga resistiva), para os quais a forma de onda não
é relevante, mas sim seu valor eficaz. Os mais sensíveis são aqueles
que, em seu projeto, assumem a existência de uma alimentação
senoidal como, por exemplo, equipamentos de comunicação e
processamento de dados. No entanto, mesmo para as cargas de
baixa susceptibilidade, a presença de harmônicas (de tensão ou de
corrente) podem ser prejudiciais, produzindo maiores esforços nos
componentes e isolantes.
4.1.14.1 – Motores e geradores
O maior efeito dos harmônicos em máquinas rotativas (indução
e síncrona) é o aumento do aquecimento devido ao aumento das
perdas no ferro e no cobre. Afeta-se, assim, sua eficiência e o
torque disponível. Além disso, tem-se um possível aumento do ruído
audível, quando comparado com alimentação senoidal.
Outro fenômeno é a presença de harmônicos no fluxo,
produzindo alterações no acionamento, como componentes de
torque que atuam no sentido oposto ao da fundamental, como
ocorre com o 5o , 11o, 17o, etc. harmônicos. Isto significa que
tanto o quinto componente, quanto o sétimo induzem uma
sexta harmônica no rotor. O mesmo ocorre com outros pares de
componentes.
O sobre-aquecimento que pode ser tolerado depende do tipo
de rotor utilizado. Rotores bobinados são mais seriamente afetados
do que os de gaiola. Os de gaiola profunda, por causa do efeito
pelicular que leva a condução da corrente para a superfície do
condutor em freqüências elevadas, produzem maior elevação de
temperatura do que os de gaiola convencional.
O efeito cumulativo do aumento das perdas reflete-se numa
diminuição da eficiência e da vida útil da máquina. A redução na
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eficiência é indicada na literatura como de 5 a 10% dos valores
obtidos com uma alimentação senoidal. Este fato não se aplica a
máquinas projetadas para alimentação a partir de inversores, mas
apenas àquelas de uso em alimentação direta da rede.
Algumas componentes harmônicas, ou pares de componentes
(por exemplo, 5a e 7a, produzindo uma resultante de 6a harmônica)
podem estimular oscilações mecânicas em sistemas turbina-gerador
ou motor-carga, devido a uma eventual excitação de ressonâncias
mecânicas. Isto pode levar a problemas de industrias como, por
exemplo, na produção de fios, em que a precisão no acionamento é
elemento fundamental para a qualidade do produto.
4.1.24.1 – Transformadores
Também neste caso tem-se um aumento nas perdas. Harmônicos na
tensão aumentam as perdas ferro, enquanto harmônicos na corrente elevam
as perdas cobre. A elevação das perdas cobre deve-se principalmente ao
efeito pelicular, que implica numa redução da área efetivamente condutora
à medida que se eleva a freqüência da corrente.
Normalmente as componentes harmônicas possuem amplitude
reduzida, o que colabora para não tornar esses aumentos de
perdas excessivos. No entanto, podem surgir situações específicas
(ressonâncias, por exemplo) em que surjam componentes de alta
freqüência e amplitude elevada.
Além disso o efeito das reatâncias de dispersão fica ampliado, uma
vez que seu valor aumenta com a freqüência.
Associada à dispersão existe ainda outro fator de perdas
que se refere às correntes induzidas pelo fluxo disperso. Esta
corrente manifesta-se nos enrolamentos, no núcleo e nas peças
metálicas adjacentes aos enrolamentos. Estas perdas crescem
proporcionalmente ao quadrado da freqüência e da corrente.
Tem-se ainda uma maior influência das capacitâncias parasitas (entre
espiras e entre enrolamento) que podem realizar acoplamentos não
desejados e, eventualmente, produzir ressonâncias no próprio dispositivo.
4.1.34.1 – Cabos de alimentação
Em razão do efeito pelicular, que restringe a secção condutora
para componentes de freqüência elevada, também os cabos de
alimentação têm um aumento de perdas devido às harmônicas de
corrente. Além disso tem-se o chamado “efeito de proximidade”, o
qual relaciona um aumento na resistência do condutor em função do
 HARMÔNICOS
efeito dos campos magnéticos produzidos pelos demais condutores
Vo/Vi
colocados nas adjacências. 10
sem efeito pelicular
A figura 4.1 mostra curvas que indicam a seção transversal e o
diâmetro de condutores de cobre que devem ser utilizados para que
o efeito pelicular não seja significativo (aumento menor que 1% na 5

resistência). Note que para 3kHz o máximo diâmetro aconselhável

com efeito pelicular
é aproximadamente 1 ordem de grandeza menor do que para
50Hz. Ou seja, para freqüências acima de 3 kHz um condutor com 0
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 8000
diâmetro maior do que 2,5 mm já começa a ser significativo em
termos de eleito pelicular. Figura 4.2 Resposta em freqüência de cabo trifásico (10 km)

Além disso, caso os cabos sejam longos e os sistemas conectados

tenham suas ressonâncias excitadas pelas componentes harmônicas, Vx/Vi
10
podem aparecer elevadas sobre-tensões ao longo da linha, podendo sem efeito pelicular

danificar o cabo.
Na figura 4.2 tem-se a resposta em freqüência, para uma entrada
em tensão, de um cabo de 10 km de comprimento, com parâmetros 5
com efeito pelicular
obtidos de um cabo trifásico 2 AWG, 6 kV. As curvas mostram o
módulo da tensão no final do cabo, ou seja, sobre a carga (do
tipo RL). Dada a característica indutiva da carga, esta se comporta
praticamente como um circuito aberto em freqüências elevadas. 0
0 2 4 6 8 10
Quando o comprimento do cabo for igual a ¼ do comprimento
x (km)
de onda do sinal injetado, este “circuito aberto” no final da linha
Figura 4.3 Perfil de tensão ao longo do cabo na freqüência de ressonância
reflete-se como um curto-circuito na fonte. Isto se repete para todos
os múltiplos ímpares desta freqüência. As duas curvas mostradas
Na figura 4.4 tem-se a resposta no tempo de uma linha de 40
referem-se à resposta em freqüência sem e com o efeito pelicular.
km (não incluindo o efeito pelicular), para uma entrada senoidal
Nota-se que considerando este efeito tem-se uma redução na
(50Hz), na qual existe uma componente de 1% da harmônica que
amplitude das ressonâncias, devido ao maior amortecimento
coincide com a freqüência de ressonância do sistema (11a). Observe
apresentado pelo cabo por causa do aumento de sua resistência.
como esta componente aparece amplificada sobre a carga.
Na figura 4.3 tem-se a perfil do módulo da tensão ao longo
À medida que aumenta o comprimento do cabo a ressonância
do cabo quando o sinal de entrada apresentar-se na primeira
se dá em freqüência mais baixa, aumentando a possibilidade de
freqüência de ressonância. Observe que a sobre-tensão na carga
amplificar os harmônicos mais comuns do sistema.
atinge quase 4 vezes a tensão de entrada (já considerando a ação
do efeito pelicular). O valor máximo não ocorre exatamente sobre
1.0V
a carga porque ela não é, efetivamente, um circuito aberto nesta
freqüência de aproximadamente 2,3 kHz.

1000
0V

100
-1.0V
0S 10ms 20ms 30ms 40ms
time
V (L4:2) V (T1:B+) V (V1:+)
10
Figura 4.4 Resposta no tempo de cabo de transmissão a uma entrada com
componente na freqüência de ressonância.

1 4
10 100 1000 1•10
4.1.4 – Capacitores
f (Hz) O maior problema é a possibilidade de ocorrência de ressonâncias
Área Condutora (mm2) Diâmetro do Condutor (mm)
(excitadas pelas harmônicas), podendo produzir níveis excessivos de
corrente e/ou de tensão. Além disso, como a reatância capacitiva
Figura 4.1 Área de seção e diâmetro de fio de cobre que deve ser usado em
função da freqüência da corrente para que o aumento da resistência seja
diminui com a freqüência, tem-se um aumento nas correntes
menor que 1%. relativas às harmônicas presentes na tensão.

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As correntes de alta freqüência, que encontrarão um caminho
de menor impedância pelos capacitores, elevarão as suas perdas
ôhmicas. O decorrente aumento no aquecimento do dispositivo
encurta a vida útil do capacitor.
A figura 4.5 mostra um exemplo de correção do fator de
potência de uma carga e que leva à ocorrência de ressonância no
sistema. Na figura 4.6 são mostradas as figuras relativas à tensão e
às correntes da fonte nos diferentes circuitos.
Considere o circuito (a), no qual é alimentada uma carga do
tipo RL, apresentando um baixo fator de potência. No circuito
(b), é inserido um capacitor que corrige o fator de potência,
como se observa pela forma da corrente mostrada na figura
4.6 (intermediária). Suponhamos que o sistema de alimentação
possua uma reatância indutiva, a qual interage com o capacitor e
produz uma ressonância série (que conduz a um curto-circuito na
freqüência de sintonia). Caso a tensão de alimentação possua uma
componente nesta freqüência, esta harmônica será amplificada. Isto
é observado na figura 4.6 (inferior), considerando a presença de uma
componente de tensão de 5a harmônica, com 3% de amplitude.
Observe a notável amplificação na corrente, o que poderia produzir
importantes efeitos sobre o sistema.
Lo
Ro
A Vi
Lo
B Ro
Vi
Co
Li Lo
Ro
C Vi
Co
Figura 4.5 Circuitos equivalentes para análise de ressonância da linha com
capacitor de correção do fator de potência
O SETOR ELÉTRICO
Novembro 2006
Figura 4.6 Formas de onda relativas aos circuitos da figura 4.5:
(a) - superior; (b) - intermediário; (c) - inferior.
4.1.5 – Equipamentos eletrônicos
Alguns equipamentos podem ser muito sensíveis a distorções
na forma de onda de tensão. Por exemplo, se um aparelho utiliza
os cruzamentos com o zero (ou outros aspectos da onda de tensão)
para realizar alguma ação, distorções na forma de onda podem
alterar, ou mesmo inviabilizar, seu funcionamento.
Caso as harmônicas penetrem na alimentação do equipamento
por meio de acoplamentos indutivos e capacitivos (que se tornam
mais efetivos com o aumento da freqüência), eles podem também
alterar o bom funcionamento do aparelho.
4.1.6 – Aparelhos de medição
Aparelhos de medição e instrumentação em geral são afetados
por harmônicas, especialmente se ocorrerem ressonâncias que
afetam a grandeza medida.
Dispositivos com discos de indução, como os medidores de energia, são
sensíveis a componentes harmônicas, podendo apresentar erros positivos ou
negativos, dependendo do tipo de medidor e da harmônica presente. Em
geral a distorção deve ser elevada (>20%) para produzir erro significativo.
4.1.7 – Relés de proteção e fusíveis
Um aumento da corrente eficaz devida a harmônicas sempre
provocará um maior aquecimento dos dispositivos pelos quais
circula a corrente, podendo ocasionar uma redução em sua vida útil
e, eventualmente, sua operação inadequada.
Em termos dos relés de proteção não é possível definir
completamente as respostas devido à variedade de distorções
possíveis e aos diferentes tipos de dispositivos existentes.
IEEE (1982) apresenta um estudo no qual se afirma que os relés
de proteção geralmente não respondem a qualquer parâmetro
identificável, tais como valores eficazes da grandeza de interesse
ou a amplitude de sua componente fundamental. O desempenho
de um relé considerando uma faixa de freqüências de entrada não
é uma indicação de como aquele componente responderá a uma
onda distorcida contendo aquelas mesmas componentes espectrais.
Relés com múltiplas entradas são ainda mais imprevisíveis.
Continua na próxima edição
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CAPÍTULO IV -
EFEITOS E CAUSAS DE HARMÔNICAS
NO SISTEMA DE ENERGIA ELÉTRICA
PARTE 2

4.2 – Causas de distorção harmônica 300

Serão apresentados a seguir equipamentos e fenômenos que vr1( t )

produzem contaminação harmônica no sistema elétrico. Quando

200
se fizer referência ao termo ideal, significa que estão sendo va( t )

desconsiderados os efeitos indutivos do sistema de alimentação, ou vc( t )

vb( t )
seja, considera-se a alimentação feita a partir de uma fonte ideal. 100

4.2.1 – Conversores
0
Serão vistos aqui alguns casos típicos de componentes 0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01
t
0.012 0.014 0.016 0.018 0.02

harmônicas produzidas por conversores eletrônicos de potência, tais Figura 4.8 – Tensão de saída de retificador ideal

como retificadores e controladores CA. 400

v a( t ) v c( t )
4.2.1.1 – Formas de onda em conversores ideais v b( t )

A figura 4.7 mostra um retificador a diodos alimentando uma

200 Ia
carga do tipo RL, ou seja, que tende a consumir uma corrente
constante, caso sua constante de tempo seja muito maior do que o 0

período da rede.
Na figuras 4.8 tem-se a forma de tensão de saída do retificador, 200
numa situação ideal. Supondo uma corrente constante, sem
ondulação sendo consumida pela carga, a forma de onda da 400
corrente na entrada do retificador é mostrada na figura 4.9. 0 0 .0 0 5 0 .0 1 0 .0 1 5 0 .0 2

As amplitudes das componentes harmônicas deste sinal seguem 1.0A t

a equação (4.1):

1
Ih =
h
h = k q±1 0.5A

onde:
h é a ordem harmônica;
k é qualquer inteiro positivo;
q é o número de pulsos do circuito retificador (6, no exemplo) 0A
0Hz 0.5KHz 1.0KHz 1.5KHz 2.0KHz 2.5KHz 3.0KHz
Frequency
Figura 4.9 – Tensões e corrente de entrada com carga indutiva
Lo + ideal e espectro da corrente
va Ro
vb Vo
vc 4.2.1.2 – A comutação
Uma forma de corrente retangular como a suposta na figura
Id - 4.9 pressupõe a não existência de indutâncias em seu caminho,
ou então uma fonte de tensão infinita, que garante a presença de
Figura 4.7 Circuito retificador trifásico, com carga RL tensão qualquer que seja a derivada da corrente.

O SETOR ELÉTRICO
Dezembro 2006

Na presença de indutâncias, como mostrado na figura 4.10, no
entanto, a transferência de corrente de uma fase para outra não
pode ser instantânea. Ao invés disso, existe um intervalo no qual
estarão em condução o diodo que está entrando e aquele que está
em processo de desligamento. Isto configura um curto-circuito na
entrada do retificador. A duração deste curto-circuito depende de
quão rapidamente se dá o crescimento da corrente pela fase que
está entrando em condução, ou seja, da diferença de tensão entre
as fases que estão envolvidas na comutação.
HARMÔNICOS
4.2.1.3 – Reator controlado a tiristores (RCT)
A figura 4.12 mostra o circuito de um RCT, elemento utilizado
para fazer controle de tensão no sistema elétrico. Isto é feito pela
síntese de uma reatância equivalente, que varia entre 0 e L, em
função do intervalo de condução do par de tiristores. A forma de
onda da corrente, bem como seu espectro está mostrado na figura
4.13. Observe a presença de harmônicos ímpares. À medida que o
intervalo de condução se reduz aumenta a THD da corrente.

Vi
Lo S1
Li +
Vp.sin(wt) S2
vi(t)
i(t)
Vo

Figura 4.12 Diagrama elétrico de RCT.

Corrente de fase

200V

v i(t)
Tensão de fase
-2 0 0 V
40A
intervalo de comutação i(t)
Figura 4.10 Topologia de retificador trifásico, não-controlado, com carga
indutiva . Formas de onda típicas, indicando o fenômeno da comutação.
-4 0 A
A figura 4.11 mostra um resultado experimental relativo a
um retificador deste tipo. Neste caso a corrente não é plana, mas
apresenta uma ondulação determinada pelo filtro indutivo do lado
CC. Mesmo neste caso pode-se notar que as transições da corrente
de entrada não são instantâneas e que durante as transições, nota-
se uma perturbação na tensão na entrada do retificador. O valor
instantâneo desta tensão é a média das tensões das fases que
estão comutando, supondo iguais às indutâncias da linha. Este
“afundamento” da tensão é chamado de “notching”. 0Hz 0.5KHz 1.0KHz 1.5KHz
Frequency
2.0KHz 2.5KHz 3.0KHz

Como se nota, a distorção na tensão ocorre devido à distorção

Figura 4.13 Formas de onda e espectro da corrente em RCT
na corrente associada à reatância da linha.
A corrente obedece à seguinte expressão:
Vi
i (t ) = ⋅ [cos(α ) − cos(ωt )] (4.2)
ωL
1

α é o ângulo de disparo do SCR, medido a partir do cruzamento da

tensão com o zero. Vi é o valor de pico da tensão.
As componentes harmônicas (valor eficaz) são dadas pela
equação (4.3), existindo para todas as componentes ímpares. A
2

figura 4.14 mostra o comportamento de algumas harmônicas em

função do ângulo α. Note que a terceira componente pode atingir
Figura 4.11 Distorção na tensão devido ao fenômeno de comutação
quase 14% do valor da fundamental.
O SETOR ELÉTRICO
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4 Vi  sin(( h + 1) ⋅ α ) sin(( h − 1) ⋅ α ) sin ( h ⋅ α ) 

Ih =  + − cos(α ) ⋅ 
π 2ωL  2( h + 1) 2( h − 1) h 

(4.3)

0.15
I( 3 , a )
0

0.1

I( 5 , a )
0.05 -

I( 7 , a )

0
2 2.5 3
-
α 0
Figura 4.14 Variação do valor eficaz de cada componente harmônica de
10A
corrente em relação à fundamental

4.2.1.4 – Forno de arco

1 .0 A
As harmônicas produzidas por um forno de arco, usado na produção
de aço, são imprevisíveis devida à variação aleatória do arco. A corrente do
arco é não-periódica e sua análise revela um espectro contínuo, incluindo 100m A
harmônicos de ordem inteira e fracionária. Entretanto, medições indicam
que harmônicos inteiros entre o 2o e a 7o predominam sobre os demais,
10m A
sendo que sua amplitude decai com a ordem.
Quando o forno atua no refino do material, a forma de onda se
torna simétrica, desaparecendo as harmônicas pares. Na fase de fusão, 1 .0 m A
0Hz 0 .2 K H z 0 .4 K H z 0 .6 K H z 0 .8 K H z 1 .0 K H z 1 .2 K H z 1 .4 K H 1z .6 K H z
tipicamente, as componentes harmônicas apresentam amplitude de até 8%
da fundamental, enquanto no refino valores típicos são em torno de 2%. Figura 4.16 (a) Corrente de entrada e tensão de alimentação de retificador
alimentando filtro capacitivo. (b) Espectro da corrente

4.2.1.5 – Retificadores com filtro capacitivo

Conforme já foi visto, a grande parte dos equipamentos eletrônicos
possuem um estágio de entrada constituído por um retificador
monofásico com filtro capacitivo. Este tipo de circuito produz na rede
correntes de forma impulsiva, centrados aproximadamente no pico da 1

onda senoidal. O circuito está mostrado na figura 4.15. Na figura 4.16

têm-se formas de onda da tensão e da corrente, obtidas por simulação,
bem como o espectro da corrente. Nota-se a grande amplitude das
2

harmônicas, produzindo, certamente, uma elevada THD.

Situação semelhante ocorre com entrada trifásica, quando são
observados 2 impulsos de corrente em cada semiciclo, como mostra a
figura 4.17. Nota-se, mais uma vez, a significativa distorção que pode Figura 4.17 Tensão na entrada (superior) e corrente de linha (inferior) em
ocorrer na forma da tensão devido à queda de tensão que ocorre na retificador trifásico com filtro capacitivo.

reatância da linha.
4.3 – Referências bibliográficas
“IEEE Recommended Practices and Requirements for
+ Harmonic Control in Electric Power Systems.” Project IEEE-519.
October 1991.
“Sine-wave Distortions in Power Systems and the Impact
Vp.sin(wt) Vo
on Protective Relaying.” Report prepared by the Power System
Relaying Committee of the IEEE Power Engineering Society.
Novembro 1982.
Figura 4.15 Retificador monofásico com filtro capacitivo Continua na próxima edição
O SETOR ELÉTRICO
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Por José Antenor Pomilio, engenheiro eletricista, mestre e doutor em enge-
nharia elétrica pela Universidade Estadual de Campinas – Unicamp, professor
da Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação da Unicamp
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CAPÍTULO V -
COMPENSAÇÃO CAPACITIVA E
FILTROS PASSIVOS EM REDES SECUNDÁRIAS
PARTE 1
A solução clássica para a redução da contaminação harmônica
de corrente em sistemas elétricos é o uso de filtros sintonizados,
conectados em derivação no alimentador.
A estrutura típica de um filtro passivo de harmônicos de corrente
é mostrada na figura 5.1. As várias células LC série são sintonizadas
nas proximidades das freqüências que se deseja eliminar, o que, via
de regra, são os componentes de ordem inferior. Para as freqüências
mais elevadas é usado, em geral, um simples capacitor funcionando
como filtro passa-altas. A carga considerada neste exemplo é do
tipo fonte de corrente e é similar à que se obtém com o uso de um
retificador tiristorizado trifásico, alimentando uma carga indutiva,
como um motor de CC.
Na freqüência da rede, os diferentes filtros apresentam uma
reatância capacitiva, de modo que contribuem para a correção
do fator de potência (na freqüência fundamental), supondo que a
carga alimentada seja de característica indutiva.
A distribuição da capacitância total entre os diferentes
ramos pode ser feita de diversas maneiras. Steeper e Stratford.
(1976) indicam que a distribuição é indiferente, não afetando o
comportamento do filtro. Em Bonner e outros (1995) a indicação
é que a alocação seja proporcional à corrente total que deve fluir
por cada ramo, ou seja, depende do conteúdo espectral de uma
determinada carga. Esta solução tenderia a equalizar as perdas
pelos capacitores. Peeran e outros (1995) e Almonte e Ashley
(1995) indicam divisões da capacitância total em função da ordem
harmônica do ramo do filtro, cabendo uma parcela maior ao filtro
de 5ª harmônica em relação aos demais. Czarnecki e Ginn (2005)
no entanto, mostram que a distribuição da capacitância afeta a
capacidade global do filtro, embora não seja possível generalizar
uma solução, pois os diferentes métodos produzem resultados
melhores ou piores, dependendo de vários fatores, como o nível de
curto-circuito local, da distorção presente na tensão ou da existência
de harmônicos não característicos.
Um outro aspecto relevante é que os filtros não devem ser
sintonizados exatamente nas freqüências harmônicas, pois na
eventualidade de que a tensão apresente-se com distorção, poderiam
surgir componentes muito elevadas de corrente. Também para a
“dessintonia” existem diferentes indicações. Peeran (1995) sugere
que a sintonia seja feita 5% abaixo da harmônica. Já Almonte (1995)
indica um deslocamento absoluto de 18Hz para todos os ramos.
O SETOR ELÉTRICO
Janeiro 2007
Os filtros usados nas simulações que se seguem tiveram a
capacitância total distribuída igualmente entre os três ramos
sintonizados e uma parcela menor incluída no ramo passa-altas.
O fator de qualidade de cada ramo é de 20, o que é um valor
típico para indutores com núcleo ferromagnético. Dispositivos com
núcleo de ar têm fator de qualidade superior. O ramo passa-altas
possui uma resistência de amortecimento. O ramo da 5ª harmônica
foi sintonizado em 290Hz enquanto os demais ramos foram
dessintonizados em 20Hz abaixo da harmônica.
O alimentador apresenta um nível de curto-circuito de 20 p.u.
A impedância em série com a fonte tem um papel essencial na
eficácia do filtro. Observe que, se for considerada uma fonte ideal,
qualquer filtro é indiferente, posto que, por definição, a impedância
de uma fonte de tensão é nula. Ou seja, o caminho preferencial
para os componentes harmônicos da corrente da carga sempre
seria a fonte.
A carga apresenta fator de deslocamento de 0,866 e fator
de deformação de 0,95, configurando um fator de potência
de 0,82. Dada a simetria da forma de onda, não estão
presentes as componentes pares, assim como as múltiplas de
ordem três.
.1 .25m
2.15m 1.05m 440u I1
+- 20u +- -
+
I3
0.19 .13 .085
2
150u 150u 150u
Figura 5.1 Filtragem passiva de corrente em carga não-linear
A figura 5.2 mostra a resposta em freqüência da tensão
sobre a carga. A carga, dado seu comportamento de fonte de
corrente, é considerada um circuito aberto neste teste. Nota-se
que nas ressonâncias dos filtros, dado que a impedância vai ao
mínimo, tem-se uma redução da tensão. Há ainda outras três
ressonâncias série que surgem da combinação entre a reatância
do alimentador e cada um dos quatro ramos do filtro. Em tais
freqüências observa-se uma amplificação da tensão sobre o
filtro. Caso existam componentes espectrais de tensão nestas
freqüências, estas serão amplificadas.
 HARMÔNICOS
10

1.0

100m

10m
10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0Hz 3.0Hz 10Hz
Fraquency
Figura 5.4 Corrente da carga e corrente na fonte com filtragem passiva
Figura 5.2 Ganho (em dB) de tensão do filtro, em relação à tensão da fonte CA

Na figura 5.3 tem-se a impedância vista pela carga. Neste teste

a fonte de tensão é curto-circuitada. Em baixa freqüência, pode-se
esperar que a corrente flua pela rede. Nas ressonâncias do filtro, as
respectivas componentes presentes na corrente da carga fluirão pelo
filtro. No entanto, nas freqüências em que a impedância se eleva,
eventuais componentes presentes na corrente da carga produzirão
distorções na tensão no barramento de instalação do filtro. Assim,
do ponto de vista da carga, o que se tem são ressonâncias paralelas
entre os ramos do filtro e a reatância da rede.
Assim, pode-se concluir que a presença de vários filtros numa
mesma rede produz interferências mútuas. O comportamento de Figura 5.5 Espectro da corrente na carga (superior) e na rede (inferior)

cada filtro pode ser influenciado pela presença dos outros filtros e
A figura 5.6 mostra a tensão no ponto de conexão da carga e seu
outras cargas.
espectro. Observe-se os afundamentos na tensão quando há a variação
acentuada da corrente da carga. Sem os filtros, a distorção harmônica
10 total da tensão no ponto de conexão da carga é de 13%. Com o filtro,
o afundamento não é compensado plenamente, mas a DHT se reduz
para 8%. Mesmo com a atenuação introduzida neste ramo passa-altas,
1.0
tem-se alguma oscilação em torno de 3 kHz, conforme se poderia
antever pelo resultado da figura 5.2. Verifica-se assim que o uso do
filtro melhora não só a corrente como a tensão, que é, na verdade, a
100m
grandeza elétrica que é compartilhada pelos usuários.

10m
10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0Hz 3.0Hz 10Hz
Fraquency

Figura 5.3 Impedância vista pela carga A

A figura 5.4 mostra o sistema simulado, com uma carga não-

linear, que absorve uma corrente retangular (como ocorreria em um
retificador controlado, alimentando uma carga altamente indutiva).
A ação do filtro permite compensar o fator de deslocamento (desde
que seja constante), assim como reduzir o conteúdo harmônico da
B
corrente da rede em relação à da carga. A distorção harmônica total
(DHT) da corrente da carga é de 29%, enquanto na rede tem-se
15%. Os espectros destas correntes são mostrados na figura 5.5. A
redução na componente fundamental deve-se à melhoria do fator
de deslocamento. Figura 5.6 Tensão no barramento da carga e seu espectro: antes da conexão do
filtro (a) e depois da conexão do filtro (b)

O SETOR ELÉTRICO
Janeiro 2007
 FA S C ÍC ULO 1 / HA R M ÔN IC OS
5.1.1 Efeito de componentes não
característicos da carga
Czarnecki (1997) denomina como “harmônicos menores” todas
componentes espectrais presentes na tensão, assim como aquelas
devidas à carga e que não possuem um ramo sintonizado no filtro
passivo. Neste exemplo incluem-se todas componentes que não as
de 5ª, 7ª e 11ª ordem.
A presença de uma distorção na tensão pode ter um efeito
muito danoso, uma vez que pode encontrar no filtro sintonizado um
caminho de mínima impedância, contribuindo para o surgimento
de uma elevada corrente naquela freqüência que circula entre a
fonte e o filtro, e que não é proveniente da carga. Este efeito pode
sobrecarregar o filtro. A figura 5.7 mostra o efeito de uma distorção
de 3% na 7ª harmônica na tensão da fonte. Observe-se que, além
da distorção ser visível na tensão sobre o filtro, se reduz para 1%,
ocorre uma amplificação na corrente da fonte, a qual assume um
valor de 16% da componente fundamental, elevando a THD da
corrente de 8% para 22%.
5.7 Efeito de 3% de 7ª harmônica na tensão da rede
Uma maneira de reduzir a interação entre filtros e a rede é fazer
o acoplamento dos filtros com o barramento através de uma
indutância, procurando isolar eletricamente (em alta freqüência) os
diversos sistemas. Esta solução, no entanto, é custosa e aumenta as
perdas e a queda de tensão para a carga. Além disso, tal indutância
deve ser incluída no cálculo dos filtros, uma vez que ela altera as
ressonâncias do sistema.
5.1.2 Filtragem passiva em
cargas tipo fonte de tensão
Os casos estudados anteriormente consideravam cargas com
comportamento de fonte de corrente, que são típicas quando
se considera o efeito de harmônicas no nível de distribuição de
energia, no lado de alta tensão. Quando se considera a presença de
cargas não-lineares no lado de baixa tensão, o comportamento do
tipo fonte de corrente é característico de motores e de conversores
eletrônicos com indutâncias de alisamento, por exemplo.
O SETOR ELÉTRICO
Janeiro 2007
Por outro lado, se considerados os retificadores com filtro
capacitivo, normalmente utilizados no estágio de entrada em
equipamentos eletrônicos, como aparelhos de TV, computadores,
monitores de vídeo etc., a tensão na entrada do retificador é imposta
pelo capacitor do lado CC durante o intervalo de tempo em que os
diodos estiverem em condução Nesta situação, estes dispositivos
são mais bem representados por fontes de tensão harmônica [Peng
e Farquharson, 1999]. Esta mudança de enfoque traz profundas
alterações na concepção de filtros passivos. Tal situação é ilustrada
pela figura 5.8.
É claro que para qualquer valor de Zo diferente de zero é possível
passar do equivalente Norton para o equivalente Thevenin que
representa a carga. No entanto, quando o valor de Zo é muito baixo,
o modelo simplificado (sem Zo) mais próximo da realidade é o de
fonte de tensão.
Ii Zi Ic Ii Zi Ic Zo
Vi
Vi Z
f
Z
o
Io Zf Vo
If If
Figura 5.8 Filtro passivo em derivação para cargas tipo fonte de corrente e
fonte de tensão
Da figura 5.8.a pode-se verificar que a relação entre a corrente
da carga, Ic e a corrente da fonte CA, Ii é dada por um divisor de
corrente. Fica clara a afirmação já apresentada de que a eficácia da
filtragem depende da impedância da rede. Para uma fonte ideal em
que Zi seja zero, não ocorre filtragem alguma.
Ii Zf
= (5.1)
I c Zf + Zi
Já no caso de uma carga com comportamento de fonte de tensão
(figura 5.8.b), a eficácia do filtro LC, que define Zf, conectado em
paralelo com a carga, em desviar da fonte componentes harmônicas
produzidas na carga, é ser expressa por:
Ii Zf
= (5.2)
Vo Z o Z i + Z o Z f + Z i Z f
É claro que a compensação depende tanto da impedância
da carga quanto da fonte. No entanto, se Zo for nula (a carga se
comporta como uma fonte de tensão ideal), o filtro conectado em
paralelo é inútil. De maneira análoga, se a impedância da rede for
nula, o efeito é o mesmo.
Em tais situações torna-se mais efetivo o uso de filtros conectados
em série com a alimentação, numa associação LC paralela, de modo
a bloquear a passagem das parcelas das correntes indesejadas,
como mostra a figura 5.9. Nesta figura tem-se indicado um filtro
sintonizado na terceira harmônica e outro na quinta, incluindo um
resistor de amortecimento. Tal resistor, embora reduza a eficácia de
filtro da quinta harmônica, garante o amortecimento necessário
para as possíveis ressonâncias série que podem ocorrer no circuito.
Resultados de simulação de um sistema alimentando um
retificador monofásico com filtro capacitivo estão indicados nas
figura 5.10 e 5.11. No primeiro caso tem-se as formas de onda da
corrente da rede com um filtro em derivação e com filtro série, como
o da figura 5.9.
Nota-se que o filtro derivação não é eficaz na filtragem (a
reatância da rede e da carga é 10 vezes menor que a do filtro na
freqüência fundamental), enquanto na conexão em série tem-se
Figura 5.10 Formas de onda da corrente de entrada com carga tipo fonte
uma efetiva melhoria na forma de onda da corrente de entrada. de tensão para filtro em derivação (superior) e filtro série (inferior).
Obviamente a inserção de filtros em série é um problema
em equipamentos já instalados, pois exigiria a interrupção do
alimentador. No entanto, a inclusão destes filtros na carga não-
linear poderia ser uma solução mais adequada, embora sempre seja
necessário verificar o impacto deste procedimento no funcionamento
do equipamento.

L3 Lf Zo
Ii Zi Ic

C3 Cf Rf
Vi Vo

Figura 5.11 Espectro da corrente de entrada para as correntes mostradas

Figura 5.9. Filtro passivo tipo série na figura anterior.

Continua na próxima edição

O SETOR ELÉTRICO
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Por José Antenor Pomilio, engenheiro eletricista, mestre e doutor em enge-
nharia elétrica pela Universidade Estadual de Campinas – Unicamp, professor
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CAPÍTULO V
COMPENSAÇÃO CAPACITIVA E
FILTROS PASSIVOS EM REDES SECUNDÁRIAS
PARTE 2

5.2 - Caracterização e compensação de harmônicos este problema seria a inclusão de um reator em série com o capacitor que
e reativos e cargas não-lineares residenciais e possibilitaria a compensação dos reativos (na freqüência fundamental)
comerciais sem ampliar demais a distorção da corrente [Phipps, 1994].

O uso de filtros sintonizados e de capacitores na rede secundária
tem como objetivo realizar a compensação da potência reativa, melhorar
o perfil das tensões ao longo do alimentador, reduzir o carregamento
dos transformadores e reduzir as perdas ôhmicas na rede.
Diferentemente do que ocorre, em geral, com cargas não-
lineares industriais, que apresentam um comportamento de “fontes
harmônicas de corrente”, as cargas não-lineares de uso doméstico e
comercial têm um comportamento predominantemente de “fontes
harmônicas de tensão” [Peng e Farquharson, 1999; Deckmann e
outros, 2005, 2005b; Pomilio e Deckmann, 2006]. Tais cargas são
constituídas, essencialmente, de aparelhos eletroeletrônicos que
possuem em sua entrada um retificador monofásico com filtro
capacitivo (computadores, reatores eletrônicos sem correção de
fator de potência, lâmpadas fluorescentes compactas, aparelhos
de TV, som etc.). Por outro lado, a potência reativa em redes
domésticas sofre pequena variação ao longo de uma jornada diária
e está, preponderantemente, relacionada com os refrigeradores, e,
eventualmente, com máquinas de lavar.
No entanto, na presença de cargas tipo “fontes harmônicas
de tensão”, a conexão de compensadores ou filtros em derivação
não é capaz de alterar significativamente a corrente que as mesmas
produzem no restante no circuito. Na prática, o que ocorre é um
aumento das componentes harmônicas da carga, o que confirma o
seu funcionamento como fonte de tensão. De fato, estas “fontes de
tensão” não são ideais, apresentando uma certa impedância série,
de sorte que pode ocorrer algum efeito de atuação do componente
5.2.1 - Análise de cargas típicas de redes de
distribuição – baixa tensão
Para efeito da análise que se segue, as cargas domésticas podem
ser divididas em três grupos: cargas resistivas, cargas indutivas e
cargas eletrônicas. Do ponto de vista de reativos e de harmônicos
são as duas últimas categorias que devem ser consideradas.
5.2.1.1 - Refrigeradores: carga tipo fonte de corrente
O comportamento de um refrigerador, que é a carga indutiva mais
presente em ambientes residenciais, além de implicar na demanda
de potência reativa, também produz harmônicos pela distorção da
corrente, como se pode observar na figura 5.12. Outros aparelhos,
que possuam motores ou transformadores em sua entrada, como
máquinas de lavar, aparelhos de ar condicionado, ventiladores,
bombas etc., podem ser incluídos neste grupo.
As curvas mostradas na Figura 5.12 referem-se a um refrigerador
de baixo consumo (26,6 kWh), com potência aparente de 170VA e
fator de potência de 0,64 (131VAr e 108,5W). A Figura 5.13 mostra
o espectro da corrente, cujas principais componentes são: 3a (6,2%),
5a (5%) e 7a (1,5%). A Distorção Harmônica Total da tensão é nula,
pois neste teste, foi utilizada uma fonte programável.
Tensão
Corrente

em derivação, mas com eficácia muito menor do que o que se

verifica com uma carga não-linear do tipo “fonte de corrente”.
Por outro lado, a compensação da energia reativa pode ser feita por Potência

meio da instalação local de capacitores. No entanto, dada a presença

de cargas não-lineares, e ainda a existência de distorções na tensão de
alimentação, verifica-se também uma amplificação da circulação de
Fig. 5.12. Tensão (100V/div), corrente (2A/div) e potência instantânea (250W/
correntes harmônicas na presença desses capacitores. Uma solução para div) em refrigerador

O SETOR ELÉTRICO
Fevereiro 2007
 HARMÔNICOS
ao longo da manhã e decréscimo após o meio-dia. O valor mínimo
é perfeitamente consistente com as estimativas de consumo dos
refrigeradores domésticos. Ao longo da manhã há um aumento na
potência reativa, justificável pelo uso de máquinas de lavar e outros
eletrodomésticos contendo motores. A partir do meio-dia, observa-
se uma redução sistemática da potência reativa, na direção oposta à
da potência ativa, mostrada na Figura 5.15. Ou seja, as novas cargas
adicionadas, especialmente no final da tarde e início da noite, devem
possuir fator de deslocamento próximo da unidade. Poderiam ser cargas
resistivas (lâmpadas incandescentes e chuveiros) ou cargas eletrônicas,
como se verá na seqüência.

Fig. 5.13. Espectro da corrente do refrigerador. (0,2A/div., 125Hz/div.) Potência Reativa [kVA]

12.0

11.0

Esta distorção na corrente pode ser bem modelada por fontes de 10.0

9.0
correntes harmônicas, ou seja, a inclusão de um filtro em derivação
8.0
no ponto de acoplamento da carga consegue minimizar a propagação 7.0

destes harmônicos pelo restante do circuito, como se verá na seqüência 6.0

5.0
deste estudo.
4.0
Um refrigerador de duas portas tem um consumo médio maior que 3.0

o dobro do valor anterior. Considerando um ciclo de trabalho de 1/3, 2.0

23.00 24.00 25.00 26.00 27.00 28.00 29.00
Dia . Hora
tem-se um consumo médio, por domicílio, de 130VA (83W, 100VAr).
Considerem-se agora os resultados de uma medição de campo em uma Fig. 5.14. Potência reativa medida na saída do transformador de distribuição.

rede secundária, com 141 consumidores residenciais (70% da demanda), Potência Ativa [kW]

oito consumidores comerciais (25% da demanda) e um consumidor 40.0

35.0
industrial (5% da demanda). Trata-se de um bairro de classe média, o que
30.0
tem implicações sobre o padrão de consumo de energia elétrica.
25.0
A Figura 5.14 mostra, para cada fase, o comportamento da
20.0
potência reativa durante o período de uma semana de medição. O 15.0

desequilíbrio entre as fases é pequeno, de modo que não é importante 10.0

identificar cada uma das três fases. Esta consideração é também válida 5.0

para os outros resultados de medições apresentados. 0.0

23.00 24.00 25.00 26.00 27.00 28.00 29.00
Na figura 5.14 nota-se um valor base (mínimo) de potência reativa Dia . Hora

em torno das seis horas da manhã, que apresenta um crescimento Fig. 5.15. Potência ativa medida na saída do transformador de distribuição.

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5.2.1.2 - Cargas eletrônicas domésticas: possuir alto fator de potência. Para os de potência inferior, em geral
fontes de tensões harmônicas a corrente absorvida da rede é como a mostrada na Figura 5. Pode-
se considerar uma potência média de 30W por reator.
As cargas eletrônicas domésticas, tipicamente, possuem um A Figura 5.17 mostra o espectro da corrente (valor eficaz das
estágio retificador a diodos, com filtro capacitivo na saída. Como componentes harmônicas). Como esperado, tem-se expressiva
resultado, tem-se uma corrente de entrada muito distorcida, com presença de componentes ímpares. A componente fundamental da
baixo fator de potência. O fator de deslocamento da fundamental corrente resultou adiantada de 14,4° em relação à tensão.
pode resultar levemente capacitivo. A forma de onda da corrente
é influenciada pela impedância do alimentador, de modo que um
mesmo retificador apresentará diferentes espectros de corrente para
fontes com impedâncias distintas.
Cargas eletrônicas residenciais e comerciais típicas são televisores,
lâmpadas fluorescentes compactas, reatores eletrônicos para
lâmpadas fluorescentes tubulares (sem correção de fator de potência),
computadores, aparelhos de som etc. Em termos de consumo, a
análise pode se limitar a televisores e lâmpadas compactas. Em regiões
de maior poder aquisitivo, deve-se considerar também a presença de Fig. 5.17. Espectro de corrente da TV valor eficaz das componentes (100mA/div).

computadores e reatores eletrônicos. A. Cargas tipo fonte de corrente

Outros eletrodomésticos são de potência muito pequena (como
rádio-relógio, aparelhos de segurança, carregadores de baterias),
ou de uso não contínuo (forno de microondas, aparelhos de som,
dimmers etc.).
A Figura 5.16 mostra a corrente de entrada de um aparelho de
TV de 21’, operando normalmente. Nota-se a distorção típica da
corrente associada a um retificador com filtro capacitivo. Na mesma
figura tem-se as medidas dos valores eficazes da tensão, da corrente
e da potência ativa. A potência aparente vale S=85,54VA.
Com tais grandezas, pode-se determinar o fator de potência, que
é de 0,63. A potência consumida, 54W, pode ser considerada típica
para televisores deste porte. Este valor se altera, principalmente em
função da área da tela. Pode-se supor que um aparelho de 29’, tendo
uma área de tela com o dobro daquela do aparelho de 21’, consuma
cerca de 100W. Uma TV de 14’ deve consumir cerca de 30W.
Tensão Corrente
Se a carga efetivamente apresentar um comportamento de fonte
de corrente, conforme a eq. (5.1) um filtro sintonizado, conectado em
derivação, pode ser usado para desviar da fonte CA os componentes
harmônicos de corrente gerados pela carga.
Para verificar este fato, um filtro de 5ª harmônica foi inserido junto
à entrada da alimentação do refrigerador estudado anteriormente. A
freqüência de ressonância do filtro foi ajustada um pouco abaixo da
freqüência harmônica para evitar a amplificação desta componente caso
a mesma se encontre presente na tensão da rede.
O resultado é mostrado na Figura 5.18. O alimentador tem uma
impedância série de 2%, que é sete vezes maior do que a impedância
do filtro na freqüência de sintonia (285 Hz). Em 300 Hz a relação é de
aproximadamente 3:1. A capacitância foi calculada para compensar o
fator de deslocamento (20 µF), resultando em um indutor de 15,6 mH.
Com este filtro, a componente de 5ª harmônica na rede foi reduzida
em 3,6 vezes. A 7ª harmônica permaneceu praticamente inalterada,
enquanto a 3ª harmônica teve um aumento para 9% devido ao efeito
de anti-ressonância entre o filtro e a impedância do alimentador. Para
este tipo de carga (refrigerador), considerando os resultados da aplicação
do filtro, pode-se considerar que o modelo tipo “fonte de corrente” é
adequado, pois os resultados são consistentes com a expectativa.

Potência

Tensão
Corrente

Fig. 5.16 Tensão (100V/div), corrente (1A/div) e potência instantânea (200W/div)

de aparelho de TV Potência

Para uma lâmpada compacta, pode-se considerar uma potência

média de 10W. Um computador, incluindo o monitor, apresenta um
consumo médio em torno de 100W.
Fig. 5.18. Tensão (100V/div), corrente (2A/div) e potência instantânea (250W/div)
Reatores eletrônicos para lâmpadas tubulares apresentam-se na rede com uso de filtro em derivação (carga: refrigerador).
em variada faixa de potência. A partir de 60W, por norma, devem Continua na próxima edição
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Por José Antenor Pomilio, engenheiro eletricista, mestre e doutor em enge-
nharia elétrica pela Universidade Estadual de Campinas – Unicamp, professor
da Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação da Unicamp
antenor@dsce.fee.unicamp.br

CAPÍTULO V
COMPENSAÇÃO CAPACITIVA E
FILTROS PASSIVOS EM REDES SECUNDÁRIAS
PARTE 3

5.2.1.3 Cargas tipo fonte de tensão Carga

Filtro
Em um retificador com filtro capacitivo, como mostrado na
0
Figura 5.19, a tensão na entrada do retificador é imposta pelo
capacitor do lado CC durante o intervalo de tempo em que os
Tensão e corrente na fonte
diodos estiverem em condução. Isto implica que a carga não linear
é mais bem modelada como uma fonte de tensão e não como uma
fonte corrente.
A eficácia de um filtro LC, com impedância Zf, conectado em
0
paralelo com a carga, pode ser expressa pela admitância equivalente,
dada pela eq. (5.2).
Esta equação mostra o quanto uma componente harmônica
de tensão imposta pela carga produz de corrente na rede. A
Fig. 5.20. Formas de onda da corrente com e sem compensação por filtro
compensação depende tanto da impedância da carga, Zo, quanto sintonizado. Traços superiores: Corrente no filtro de 5º harmônico e na carga (TV)
da fonte CA (Zi). Se Zo for nula (a carga se comporta como uma (4A/div). Traços inferiores: Tensão (100V/div.) e corrente na fonte (4A/div.).

fonte de tensão ideal), o filtro em paralelo é inútil. O mesmo ocorre Tabela 5.I
se a impedância da rede for nula. Corrente na carga (TV)
Ordem Harmônica Sem filtro no Com filtro de 5º harm.
Ii Zi Ic Ii Zi I c Zo
PCC PAC [mA] no PAC [mA]
Vi Vo 1 808 830
Vi Z I Z II 3 687 732
f f
5 488 563
If If 7 275 368
9 114 192
Fig. 5.19. Retificador com filtro capacitivo e modelo de carga como fonte de tensão
11 60 78
DHT(%) 111% 123%
O comportamento tipo fonte de tensão deste tipo de carga
pode ser verificado por simulação ou experimentalmente.
A Figura 5.20 mostra resultados simulados em que a carga é A Tabela 5.II mostra componentes harmônicos da tensão no
composta por uma parte linear (RL, equivalente ao refrigerador) PAC. Como esperado, há uma redução no 5º (e também no 7º)
e uma parcela não linear (equivalente a um aparelho de TV). harmônico, mas há um aumento no 3º e 9º componentes. A
Inicialmente o filtro de 5ª harmônica está conectado no ponto de distorção harmônica total (DHT) está dentro de limites de normas
acoplamento comum (PAC), compensando o fator de deslocamento. como a IEEE-519 (1991). A redução da DHT deve-se ao pequeno
Nota-se uma maior distorção da corrente. A Figura 5.21 mostra um valor resultante, na tensão, para o 5º harmônico.
resultado experimental nas mesmas condições. A Tabela 5.III mostra o feito sobre a corrente na fonte. O filtro
Conforme mostra a Tabela 5.I, a corrente da carga é menos leva a uma redução no 5º harmônico (embora proporcionalmente
distorcida sem o filtro. O aumento dos componentes harmônicos menor do que no caso do refrigerador). Há um aumento no 3o e
da corrente da carga (TV) mostra a natureza de fonte de tensão 9o harmônicos. A fundamental se reduz devido à compensação da
da mesma. potência reativa.
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A presença do filtro sintonizado pode produzir um efeito
Tabela 5.II
adverso em termos de melhoria na forma de onda, principalmente
Corrente no PAC
no caso de existir uma componente de tensão do alimentador
Ordem Harmônica Sem filtro Com filtro de 5º harm.
nesta freqüência de sintonia. A baixa impedância do filtro levará a
[%] [%]
3 2,2 2,92 um aumento na distorção da corrente e da tensão. A Figura 5.22
5 2,58 0,83 mostra o resultado com o mesmo filtro, incluindo apenas 2% de
7 2,03 1,73 5º harmônico na tensão da fonte. Mesmo dessintonizado, o filtro
9 1,08 1,27 amplifica essa corrente para 23% da fundamental!
11 0,69 0,66
DHT(%) 4,46 4,05 Tensão e corrente na fonte

Tensão e corrente na fonte

Fig. 5.22. Tensão da fonte (2% de 5º harmônico) (100V/div) e corrente da fonte

Fig. 5.21. Tensão (50V/div) e corrente (2A/div) na fonte, alimentando refrigerador
e TV, com uso de filtro de 5º harmônico.
Tabela 5.III
Corrente na fonte (valor de pico)
Ordem Harmônica Sem filtro [A]
1 2,68
3 0,671
5 0,477
7 0,268
9 0,11
11 0,058
DHT(%) 32,8%
(1A/div) com filtro sintonizado junto à carga.
5.2.2 - Efeito de cargas tipo fonte de tensão em
rede de distribuição
A. Carga em rede com consumidores residenciais
Com filtro de 5º harm.
A seguir será analisado o comportamento da terceira
[A]
harmônica ao longo de um período de medição. Foi visto que
2,2
a corrente medida de um refrigerador apresentou cerca de 6%
0,904
0,157 de 3ª harmônica, ou seja, um valor de aproximadamente 70
0,232 mA. Considerando refrigeradores com consumo maior do que o
0,132 ensaiado, este valor pode se elevar para 180 mA. Com ciclo de
0,056 trabalho de 1/3, a participação média por refrigerador é de 60mA.
43,7% Havendo 141 domicílios na rede considerada, igualmente divididos

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entre as três fases, isto deve representar perto de 3 A por fase de comerciais (80% da carga) e industriais (11% da carga). Quase
terceira harmônica. Durante as madrugadas tais componentes são 65% das cargas comerciais estão conectadas em uma mesma
dominantes, como se vê na Figura 5.23. barra. Trata-se de um alimentador urbano, com alta presença de
cargas não-lineares típicas de escritórios de serviços (iluminação
22.0
20.0 com reatores eletromagnéticos e eletrônicos, computadores,
18.0
impressoras, condicionadores de ar etc.).
16.0
14.0 Das medições, foram extraídos alguns resultados significativos
12.0
para a análise do tipo de carga conectada. Por exemplo, a carga
10.0
8.0 total está razoavelmente bem balanceada (Figura 5.24). No entanto,
6.0
as cargas não- lineares estão concentradas em duas fases, como se
4.0
2.0 pode concluir da análise da Figura 5.25.
23.00 24.00 25.00 26.00 27.00 28.00 29.00
Dia . Hora
30.0
Fig. 5.23. Terceiro harmônico da corrente, medido em rede secundária, ao
longo de sete dias 25.0

Caso 65% dos aparelhos estejam ligados (valor consistente com 20.0

medições de índice de audiência de TV em horário noturno, em 15.0

finais de semana), isto indica que deve haver 15 A (por fase), além
10.0
do relacionado à geladeira. Tais valores também são consistentes
5.0
com as medições observadas.
Isto mostra que a distorção da corrente é majoritariamente 0.0
28.00 28.00 30.00 31.00 01.00 02.00
determinada pelas cargas tipo retificador, e apenas marginalmente Dia . Hora

(10 a 20%) pelos refrigeradores e outras cargas deste tipo (motores). Fig. 5.24. Potência aparente no secundário do trafo???? na rede comercial, ao
Também explica a redução da potência reativa total (figura 5.14), já que longo de seis dias.

as cargas não-lineares do tipo retificador apresentam leve característica
capacitiva em termos da fundamental. O crescimento relativo da 3ª
harmônica é menor que o da potência ativa, o que indica o aumento
das cargas resistivas no final da tarde e começo da noite.
B. Carga em rede com consumidores comerciais
Neste caso as medições se referem a uma rede secundária
radial, relativamente curta, porém com concentração de cargas
O 3º harmônico aumenta durante o horário comercial apenas
em duas fases, sugerindo cargas bifásicas não lineares (reatores
sem correção de fator de potência). Comportamento análogo se
nota também nas demais componentes harmônicas da corrente. Tal
desequilíbrio leva a uma propagação de componentes harmônicas
da corrente para o lado de alta tensão do transformador, o que
resultará na distorção da tensão no sistema de distribuição para
outras cargas.

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Fig. 5.25. Terceiro harmônico da corrente da carga comercial ao longo de seis dias
parcela “base” de potência reativa (como indicado na Figura 3).
Como benefícios econômicos, tem-se a redução de perdas no
transformador e na rede, mas, principalmente, uma elevação da
demanda por conta do aumento da tensão para os consumidores.
A Figura 5.26 mostra a alteração na potência reativa medida no
transformador (rede residencial) com compensação com um banco
capacitivo (17,5 kVAr), enquanto a Figura 5.27 mostra o efeito sobre
a tensão na saída do transformador.
A Figura 5.28 mostra que se tem um aumento na DHT da tensão
com a instalação do banco capacitivo. A DHT média de tensão se
elevou de 2% para 2,5%, enquanto a de corrente aumentou de
8,5% para 10%, como mostra a Figura 5.29.

5.2.3 – Compensação capacitiva em redes

residenciais e comerciais
As empresas de distribuição de energia elétrica ou mesmo
grandes consumidores estão interessados na aplicação de filtros
passivos ou de compensação capacitiva nas redes com o objetivo
de, ao melhorar o perfil de tensão, postergar investimentos nestas
redes [Oliveira e outros, 2003; Macedo Jr, e outros, 2003; Tanaka e
outros, 2004, ANEEL, 2001].
Dado que o uso de filtros sintonizados, na presença de distorções na
rede, pode significar uma situação de risco, uma alternativa a ser analisada
é a compensação apenas da potência reativa por meio de capacitores.
Em ambos os tipos de compensação, o montante de reativos Fig. 5.26. Efeito da compensação de reativos em rede predominantemente
capacitivos pode ser dimensionado de modo a compensar a residencial.

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carga represente uma parcela relativamente pequena da demanda,
o que é o caso da rede residencial.
Assumindo que a carga tem um comportamento de fonte
de tensão, para a explicação deste comportamento é necessário
considerar a ressonância paralela entre o banco capacitivo e a
impedância da fonte, que pode levar a uma amplificação de algumas
harmônicas presentes na carga. O componente harmônico da tensão
no PAC, para um dado valor presente na carga (Voh) é dado por:
VhPAC Z i // Z f
= (5.3)
Voh Z o + Z i // Z f

Fig. 5.25. Aumento na tensão junto ao transformador com compensação

capacitiva a partir do dia 30

Fig. 5.28. DHT da tensão antes e após a instalação do banco capacitivo.

Após feita a análise da rede e do alimentador, o aumento da

distorção (especialmente a 7a harmônica) somente é explicado pela
presença de cargas não lineares do tipo fonte de tensão, conforme
já foi discutido. Isto significa que este tipo de solução (colocação de
compensação capacitiva na rede secundária) deve ser usada com Fig. 5.29. Espectro da corrente no transformador antes (alto) e depois (baixo)
cuidado e apenas em situações em que a presença deste tipo de da instalação do banco de capacitores

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Março 2007

5.2.4 – Conclusões
Os equipamentos eletroeletrônicos de uso dominante em
áreas residenciais e comerciais possuem, em sua interface com a
rede, retificadores a diodos com filtro capacitivo. Tais dispositivos
comportam-se como cargas não-lineares do tipo fonte de tensão
harmônica, o que implica na baixa eficiência de dispositivos em
derivação para a filtragem das correntes harmônicas.
O estudo de redes com cargas deste tipo por meio de modelos
com fonte de corrente é inadequado e pode conduzir a resultados
errados, a menos que o modelo permita a inclusão do equivalente
Norton da carga.
Nas condições anteriores, a colocação de bancos capacitivos
para a compensação de reativos, e conseqüente melhoria no perfil
de tensão ao longo da rede de baixa tensão, leva a uma ampliação
da distorção harmônica da tensão e da corrente, de modo que deve
ser usada com muito cuidado.
Em redes secundárias que já possuam uma elevada DHT de
corrente, como é o caso de consumidores comerciais, a simples inclusão
de bancos capacitivos pode levar a níveis inaceitáveis de harmônicos.
Nestes casos deve--se utilizar reatores em série com o banco capacitivo
de modo a minimizar a ampliação dos harmônicos de corrente,
tomando-se o cuidado para evitar ressonâncias com os harmônicos
impostos pela tensão no lado AT (primário) do transformador.
5.3 – Referências Bibliográficas
Almonte, R.L.; Asheley, A.W. (1995) “Harmonics at the utility industrial
interface: a real world example”, IEEE Trans. on IA, v. 31. n. 6, Nov. Dec. p.
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ANEEL (2001), Resolução Normativa n. 505 de 26/11/2001.
Bonner, J.A. “et al” (1995) “Selecting ratings for capacitors and reactors in
applications involving multiple single-tuned filters”, IEEE Trans. on Power
Del., v.10. January, p.547-555.
Czarnecki, L. S., (1997) “Effect of minor harmonics on the performance of
resonant harmonic filters in distribution systems”, IEE Proc. Of Electric Power
Continua na próxima edição
HARMÔNICOS
Applications, v. 144, no. 5, Sept. 1997. p. 349-356.
Czarnecki, L. S.; Ginn III, H. L. (2005) “The Effect of The Design Method on
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Deckmann S. M.; J.A. Pomilio; E.A.Mertens, L.F.S.Dias, A.R.Aoki, M.D.Teixeira
e F.R.Garcia (2005b), “Compensação Capacitiva em Redes de Baixa Tensão
com Consumidores Domésticos: impactos no nível de Tensão e na Distorção
Harmônica”, Anais do VI SBQEE Belém, PA. ago. 2005.
Deckmann, S. M.; Pomilio, J. A. (2005) “Characterization and compensation
for harmonics and reactive power of residential and commercial loads”, Anais
do 8º Congresso Brasileiro de Eletrônica de Potência, COBEP 2005, Recife, 14
-17 de junho de 2005.
IEEE (1991), “IEEE Recommended Practices and Requirements for Harmonic
Control in Electric Power Systems.” Project IEEE-519, 1991.
Macedo Jr., J. R. “et al” (2003) “Aplicação de Filtros Harmônicos Passivos em
Circuitos Secundários”, Anais do II CITENEL, Salvador, nov. 2003. p.845 - 852.
Oliveira A. M “et al” (2003) “Energy Quality x Capacitor Bank”, Anais do 7ºCongresso
Brasileiro de Eletrônica de Potência – COBEP 2003, Fortaleza, Ceará.
Peeran, S.M., “et al” (1995) “Application, design and specification of
harmonic filters for variable frequency drives”, IEEE Trans. on IA, v. 31. n.
4. p. 841- 847.
Peng, F. Z., Su, G-J.; Farquharson, G. (1999): “A series LC filter for harmonic
compensation of AC Drives”. CD-ROM of IEEE PESC’99, Charleston, USA, Jun. 1999.
Phipps, J. K.; Nelson, J. P.; Sen, P. K. (1994): “Power Quality and Harmonic
Distortion on Distribution Systems”, IEEE Trans. on Industry Applications, v. 30.
n. 2. March/April 1994. p. 476 - 484.
Pomilio, J.A.; Deckmann, S. M. (2006): “Caracterização e Compensação de
Harmônicos e Reativos de Cargas não-lineares Residenciais e Comerciais”,
Eletrônica de Potência, v. 11. n. 1. p. 9 -16, março de 2006.
Steeper, D. E. and Stratford, R. P. (1976): “Reactive compensation and
harmonic suppression for industrial power systems using thyristor converters”,
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Tanaka, T., Nishida, Y., Funabike, S., (2004) “A Method of Compensating
Harmonic Currents Generated by Consumer Electronic Equipment Using the
Correlation Function”, IEEE Transactions on Power Delivery, v. 19. n.1. Jan.
2004. p. 266 - 271.
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Por José Antenor Pomilio, engenheiro eletricista, mestre e doutor em enge-
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CAPÍTULO VI
CONDICIONAMENTO DA CORRENTE ABSORVIDA:
PRÉ-REGULADORES DE FATOR DE POTÊNCIA – PFP
Do ponto de vista da minimização das distorções da corrente
que alimenta uma carga qualquer e da maximização de seu fator de
potência, a melhor solução é que a carga tenha um comportamento
puramente resistivo, ou seja, que a corrente siga a mesma forma da
tensão que a alimenta.
As cargas responsáveis pela maior parte da distorção harmônica
são as cargas eletrônicas. Principalmente em ambientes doméstico
e comercial, tais cargas normalmente são de baixa potência e
utilizadas em grande quantidade. Referem-se, em sua maioria, a
reatores para lâmpadas fluorescentes (compactas ou tubulares),
aparelhos de TV, monitores de vídeo e computadores, sempre com
alimentação monofásica.
Nas soluções para estes aparelhos sem correção do fator de
potência, o estágio de interface com a rede é um retificador com
filtro capacitivo e, eventualmente, algum filtro de Interferência
Eletromagnética – IEM - . Note-se que, conforme já discutido em
capítulos anteriores, tais conversores apresentam um fator de
deslocamento da fundamental próximo da unidade, o que significa
que não é possível melhorar o fator de potência por meio de filtros
passivos em derivação sem deteriorar o fator de deslocamento.
Nas soluções para estes aparelhos sem correção do fator de
potência, o estágio de interface com a rede é um retificador com
filtro capacitivo e, eventualmente, algum filtro de Interferência
Eletromagnética – IEM - . Note-se que, conforme já discutido em
capítulos anteriores, tais conversores apresentam um fator de
deslocamento da fundamental próximo da unidade, o que significa
que não é possível melhorar o fator de potência por meio de filtros
passivos em derivação sem deteriorar o fator de deslocamento.
De acordo com as indicações da norma européia, baseada na
IEC61000-3-2 [1], tais aparelhos (exceto as lâmpadas compactas)
devem apresentar uma corrente com reduzida distorção.
Quando se trata de cargas industriais, além dos dispositivos já
citados (reatores, computadores e acessórios) há grande quantidade
de conversores para alimentação de máquinas elétricas. Para estes,
a alimentação é tipicamente trifásica e o fator de potência e a
distorção harmônica dependem muito de como é feita a conexão
com a rede. Não é raro encontrar, no entanto, situações com elevada
distorção da corrente, especialmente se o conversor eletrônico tem
O SETOR ELÉTRICO
Abril 2007
Apoio
um estágio de entrada composto por um retificador a diodos e filtro
capacitivo, com pequenos (ou mesmo sem) reatores de conexão
com a rede.
Veremos neste capítulo alguns métodos de condicionar o estágio de
entrada de um conversor, de modo a fazê-lo absorver uma corrente
com forma de onda que maximize o fator de potência, ou seja, que
tenha a mesma forma da tensão da rede à qual está conectado.
Inúmeras outras soluções existem, mas não serão abordadas aqui.
O uso ou não de soluções deste tipo depende muito mais de
imposições normativas do que de outros aspectos, uma vez que o
custo de tal implementação é relativamente baixo e existem diversas
soluções tecnológicas.
6.1 – Retificadores monofásicos: estudo do conversor
elevador de tensão (boost)
Este tipo de conversor tem sido o mais utilizado como PFP em
função de suas vantagens estruturais como [2]:
• a presença do indutor na entrada bloqueia variações bruscas na
tensão de rede (“spikes”), além de facilitar a obtenção da forma
desejada da corrente (senoidal).
• Energia é armazenada mais eficientemente no capacitor de saída, o
qual opera em alta tensão (Vo>E), permitindo valores relativamente
menores de capacitância.
• O controle da forma de onda é mantido para todo valor instantâneo
da tensão de entrada, inclusive o zero.
• Como a corrente de entrada não é interrompida (no modo
de condução contínuo), as exigências de filtros de IEM são
minimizadas.
• O transistor deve suportar uma tensão igual à tensão de saída e
seu acionamento é simples, uma vez que pode ser feito por um sinal
de baixa tensão referenciado ao terra.
Como desvantagens tem-se:
• O conversor posterior deve operar com uma tensão de entrada
relativamente elevada.
• A posição do interruptor não permite proteção contra curto-
circuito na carga ou sobre-corrente.
• Não é possível isolação entre entrada e saída.
Outras topologias também podem ser utilizadas como PFP,
 HARMÔNICOS
mas não serão discutidas neste capítulo, o qual tem como objetivo
indicar algumas possibilidades gerais de melhoria na forma de onda
fornecida pela rede a um retificador a diodos.

6.1.1 – Conversor boost operando como PFP em

condução descontínua
Consideremos o circuito da figura 6.1, a qual mostra um conversor
elevador de tensão funcionando como PFP monofásico [3].
Consideremos que o conversor opera em condução descontínua, ou
seja, a cada período de chaveamento a corrente pelo indutor vai a zero. Figura 6.2 Formas de onda de conversor boost, operando como PFP no modo
de condução descontínua.
Com freqüência constante e modulação por largura de pulso, com
o tempo de condução determinado diretamente pelo erro da tensão de Para se ter condução descontínua durante todo semiperíodo
saída, o valor do pico da corrente no indutor de entrada é diretamente de rede deve-se estabelecer o máximo ciclo de trabalho, o qual
proporcional à tensão de alimentação. A figura 6.2 mostra formas de é determinado quando a tensão de entrada é máxima (Vp). O
onda típicas, indicando a tensão de entrada (senoidal) e a corrente pelo intervalo de diminuição da corrente é:
indutor (que é a corrente absorvida da rede), a qual apresenta uma
variação, em baixa freqüência, também senoidal. (6.3)

Existe um máximo ciclo de trabalho que permite ainda condução

descontínua, o qual é determinado no pico da tensão de entrada, e vale:

(6.4)

Seja:
Figura 6.1 Conversor elevador de tensão operando como pré-regulador de
fator de potência (6.5)

Seja a tensão de entrada dada por:

(6.6)
(6.1)
A corrente de entrada tem uma forma triangular. O valor médio,
A corrente de pico em cada período de chaveamento é: calculado em cada ciclo de chaveamento, é dado por:

(6.2) (6.7)

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Note-se que a corrente média de entrada não é senoidal!
Isto ocorre porque no intervalo t2 a redução da corrente depende
também da tensão de saída, que é constante, e não apenas da
tensão senoidal de entrada. Quanto maior for Vo, menor será t2.
Assim, a corrente média dependerá mais efetivamente apenas de
Îi(t), tendendo a uma forma senoidal.
O fator de potência é dado por:
(6.8)
Onde
(6.9)
A figura 6.3 mostra a variação do FP e da TDH com a tensão
de saída.
Figura 6.3 Variação do fator de potência e da taxa de distorção harmônica
O FP é menor do que a unidade porque a corrente de entrada é
não-senoidal. Quando α tende a zero (o que significa que a tensão
de saída é muito maior do que a tensão de pico da entrada), a
corrente média (ou seja, depois de eliminadas as componentes de
alta freqüência) tende a ser senoidal e, assim, o fator de potência
tende à unidade.
Como estes resultados são obtidos a partir da expressão da
corrente média de entrada, eles ignoram o efeito advindo do
chaveamento em alta freqüência sobre o valor eficaz da corrente e
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sobre o fator de potência. Em outras palavras, estes valores para o
Fator de Potência são os obtidos com a inclusão de um filtro passa-
baixas na entrada do conversor, de modo que a corrente absorvida
da rede seja apenas a sua componente média, com as componentes
de alta freqüência circulando pela capacitância deste filtro. Na figura
6.4, os resultados de simulação, mostrando a corrente no indutor
(do lado CC do retificador) e na rede (após a filtragem).
Figura 6.4 Corrente no indutor (superior) e na rede (inferior), após filtragem.
O valor de pico instantâneo é sempre maior do que o dobro do
valor médio da corrente (calculado em cada período de chaveamento).
Isto implica em um esforço maior de condução de corrente tanto para o
diodo quanto para o transistor. Além disso os diodos do retificador devem
ser rápidos, pois retificadores normais não teriam condição de comutar
na freqüência de chaveamento. Por estas razões, soluções deste tipo só
são aconselháveis em aplicações de potências relativamente baixas.
A vantagem deste método é que o circuito de controle pode ser
feito de modo muito simples, utilizando um controle por largura de
pulso de valor fixo durante todo o semiciclo da rede.
6.1.2 – Conversor boost operando como PFP em
condução contínua
O conversor elevador de tensão operando no modo contínuo tem
sido a topologia mais utilizada como PFP devido às suas vantagens,
especialmente o reduzido ripple presente na corrente de entrada. Além
disso os componentes ficam sujeitos a menores valores de corrente (em
relação à solução anterior). Por outro lado, exige, além da realimentação
da tensão de saída (variável a ser controlada), uma medida do valor
instantâneo da tensão de entrada, a fim de permitir o adequado controle
da corrente absorvida da rede. Problemas de estabilidade também são
característicos, devido à não-linearidade do sistema [4,5]
6.1.2.1 – Princípio de operação
Consideremos com exemplo o funcionamento da topologia
utilizando um circuito integrado típico, o qual opera a freqüência
constante, com controle tipo MLP.
Um circuito integrado comercial (existem diversos modelos e
fabricantes) produz uma corrente de referência que acompanha a forma
da tensão de entrada. Esta referência é formada pela multiplicação de
 HARMÔNICOS
um sinal de sincronismo (que define a forma e a freqüência da corrente
de referência) e de um sinal da realimentação da tensão de saída (o qual
determina a amplitude da referência de corrente).
Mede-se a corrente de entrada, a qual será regulada de acordo com
a referência. Gera-se um sinal que determina a largura de pulso a ser
utilizada para dar à corrente a forma desejada. A figura 6.5 mostra o
diagrama geral do circuito e do controle.

Figura 6.6 Formas de onda típicas da corrente pelo indutor e no interruptor.

A figura 6.7 mostra um resultado experimental no qual se obtém um

fator de potência unitário em um equipamento com carga de 600W.
Note que, do ponto de vista da rede, poder-se-ia concluir que se
trata de uma carga resistiva (do tipo potência constante). No entanto
é um conversor boost atuando como retificador de alto fator de
potência. Neste modo de operação os diodos do retificador podem ser
lentos, pois não necessitam comutar a todo ciclo de chaveamento.

V
Figura 6.5 Diagrama de blocos do conversor elevador de tensão, com circuito
de controle por corrente média.

A largura do pulso que comando o transistor varia com o valor i

instantâneo da tensão de entrada. O valor da largura de pulso, ao
longo de cada semiciclo da rede, é obtido de:
p

(6.11)

A figura 6.6 mostra uma forma de onda típica da corrente no Figura 6.7 Tensão, corrente de entrada e potência instantânea em conversor
conversor. boost PFP no modo de condução contínua (100V/div; 5A/div; 1kW/div.)

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6.2 – Retificador trifásico a diodos

Também neste caso há inúmeras possibilidades de circuitos para
melhoria do fator de potência em retificadores a diodos com entrada
trifásica. No entanto, neste caso só é possível operar no modo de
condução descontínua.

6.2.1 – Conversor trifásico com entrada indutiva

como PFP Figura 6.8 Conversor boost com entrada trifásica
A figura 6.8 mostra a topologia de um conversor boost com uma
entrada trifásica e retificador a diodos [6]. A indutância de entrada é
colocada no lado alternado, dividida entre as três fases.
O funcionamento como PFP ocorre com o circuito operando em
e1
freqüência e ciclo de trabalho constantes e com a corrente de entrada,
em cada indutância de entrada, descontínua. O tempo de condução do
transistor é determinado diretamente pelo erro da tensão de saída (a
0
qual é regulada). O valor do pico da corrente no indutor de entrada é i1
diretamente proporcional à tensão de alimentação. A figura 6.9 mostra
0s
uma situação deste tipo.
Fig. 6.9 Tensão e corrente de entrada em condução descontínua (na indutância de entrada)
A corrente média (calculada a cada ciclo de chaveamento do
transistor e com a devida filtragem das componentes de alta freqüência)
apresentará uma variação aproximadamente senoidal. No entanto, se a
e1
corrente de entrada não se anular a cada período de comutação (figura
6.10), o circuito não mais emulará uma carga praticamente resistiva.
O elevado conteúdo harmônico, na freqüência de chaveamento, 0

pode ser minimizado pela inclusão de filtros capacitivos a montante i1

das indutâncias de entrada, de modo que da rede absorva-se apenas
a corrente filtrada, como mostra a figura 6.11, em um resultado
experimental (componente em 60Hz). Assim como no caso monofásico,
a operação no modo descontínuo não garante fator de potência 0s
Time

unitário, no entanto seu valor é bastante elevado (maior que 0,98) e a Figura 6.10 Tensão e corrente de entrada com condução contínua (na
indutância de entrada
distorção harmônica tranqüilamente dentro dos limites das normas.

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e1
i1
Figura 6.11 Tensão (50V/div) e corrente de fase (1A/div), após filtragem da alta
freqüência. Horiz.: 4ms/div
6.3 – Retificadores PWM
Nas aplicações trifásicas de maior potência não é adequado
utilizar a solução anterior, dado que o valor de pico da corrente
de entrada (sem filtragem) e no transistor pode se tornar
excessivo.
Nestes casos a solução usual é utilizar um retificador PWM que
é, na verdade, um inversor operando com fluxo de potência do
lado CA para o lado CC.
A figura 6.12 mostra um retificador trifásico na configuração
boost. É também possível realizar outras configurações, mas
que não serão apresentadas neste capítulo. O controle dos
transistores é feito de modo a que se sintetizem correntes de
entrada que sigam a forma da tensão vca. Normalmente se usa
modulação por largura de pulso (PWM), embora seja possível
utilizar outras técnicas. O comando gerado para os transistores
é semelhante ao utilizado nos circuitos inversores (conversores
CC-CA) utilizados largamente para o acionamento de motores
de corrente alternada.
A tensão de saída será sempre maior do que o valor de pico
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da tensão de linha na entrada. Neste caso consegue-se operar
no modo de condução contínua, pois além dos diodos é possível
ter condução pelos transistores. Isto garante um elevado fator
de potência, com reduzida ondulação de alta freqüência na
corrente, o que minimiza a necessidade de filtros de IEM.
Saída
vca Vcc
Figura 6.12 Retificador PWM do tipo elevador de tensão
6.4 – Referências Bibliográficas
[1] EN61000-3-2 “Limits for harmonic current emissions (equipment input
current up to and including 16A per phase)”. European Committee for
Electrotechnical Standardization, Março de 1995.
[2] B. Mammano and L. Dixon: “Choose the Optimum Topology for High
Power Factor Supplies”. PCIM, March 1991, pp. 8-18.
[3] I. Barbi e A. F. de Souza: Curso de “Correção de Fator de Potência de
Fontes de Alimentação”. Florianópolis, Julho de 1993.
[4] J. H. Alberkrack and S. M. Barrow: “Power Factor Controller IC Minimizes
External Components”. PCIM, Jan. 1993, pp. 42-48.
[5] J. M. Bourgeois: “Circuits for Power Factor Correction with Regards to
Mains Filtering”. Application Note SGS-Thomson, April 1993.
[6] L. Malesani, L. Rossetto, G. Spiazzi, P. Tenti, I. Toigo and F. del Lago: “Single-
Switch Three-Phase AC/DC Converter with High Power Factor and Wide Regulation
Capability”. Proc. of INTELEC ‘92, Washington, USA, 1992, pp. 279-285.
Continua na próxima edição
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Por José Antenor Pomilio, engenheiro eletricista, mestre e doutor em enge-
nharia elétrica pela Universidade Estadual de Campinas – Unicamp, professor
da Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação da Unicamp
antenor@dsce.fee.unicamp.br

CAPÍTULO VII
FILTROS ATIVOS
Filtragem ativa de uma carga única, ou um conjunto delas, é
uma opção à correção do fator de potência no estágio de entrada
de cada equipamento, assunto que foi visto no capítulo anterior,
utilizado os chamados pré-reguladores de fator de potência.
O objetivo da filtragem da corrente é obter uma forma de onda
com baixa distorção harmônica que siga, por exemplo, a forma
da tensão do barramento. Nesse caso, o conjunto (carga + filtro)
representaria uma carga resistiva, maximizando o fator de potência,
o que vale dizer, minimizando a corrente eficaz absorvida da fonte,
mantida a potência ativa da carga.
É também possível realizar a filtragem ativa da tensão, quando
um conversor eletrônico é empregado diretamente para minimizar
as distorções da tensão. No entanto, o uso destes filtros é ainda mais
restrito do que os de filtragem de corrente, até porque os problemas
de distorção de tensão são significativamente menores do que os
devidos à distorção da corrente. Adicionalmente, a melhoria da
forma de onda ca corrente leva, naturalmente, a uma melhoria na
forma de onda da tensão.
Embora seja uma tecnologia bastante consolidada, o uso de
filtros ativos para melhoria da qualidade de energia é muito restrito.
Uma razão fundamental é seu custo relativamente elevado. Outro
aspecto é a faixa de potência das aplicações, limitada a poucos
MVA e, geralmente, em baixa tensão. Aliem-se ainda as falhas de
regulamentação da qualidade de energia
(especialmente no caso do Brasil) que tolera distorções relativamente
elevadas de corrente, exatamente com o argumento da dificuldade
de sua compensação.
A seguir será mostrado como um conversor eletrônico de
potência pode produzir formas de onda de corrente (e também
de tensão) de forma arbitrária, o que permite seu uso para a
compensação de distorções na rede elétrica.
sintetizar diferentes formas de corrente (ou tensão) em seus terminais.
Se, em regime permanente, tais conversores não fornecem potência
ativa, não necessitam de uma fonte de potência em sua alimentação. O
circuito deve operar de maneira a manter sob controle o valor da variável
elétrica no lado CC do conversor (corrente no indutor ou da tensão do
capacitor de armazenamento de energia). Devido às menores perdas
de potência produzidas pelos capacitores, seu uso é mais difundido.
Uma descrição do método de controle será feita posteriormente.
Note-se que para o inversor fonte de corrente (figura 7.1.a), as
chaves semicondutoras devem ser unidirecionais em corrente.. O diodo
em série protege o transistor (indicado como uma chave aberta) em
situações de polarização reversa. Uma vez que a rede CA, à qual o
conversor está conectado, apresenta uma característica indutiva, deve-
se inserir elementos capacitivos, capazes de absorver as diferenças
instantâneas das correntes, a fim de evitar surtos de tensão na saída
(lado CA) quando o conversor injetar na rede pulsos de corrente de
valor Io. Além disso, tais capacitores realizam uma filtragem de alta
freqüência, de modo que a corrente que flui para a rede seja apenas o
valor médio da corrente sintetizada pelo inversor. A presença do filtro
capacitivo pode levar ao surgimento de ressonâncias entre a linha e o
filtro, as quais devem ser evitadas e/ou amortecidas adequadamente.
Figura 7.1. Topologias de inversores trifásicos: a) Inversor fonte de corrente; b)
Inversor fonte de tensão

7.1 - Síntese de formas de onda utilizando inversores

De maneira análoga, em um inversor fonte de tensão (acúmulo
Abordaremos diferentes maneiras de sintetizar correntes ou
capacitivo), o acoplamento com a rede exige a presença de
tensões, com forma, freqüência e amplitude arbitrárias, de maneira a
elementos indutivos, uma vez que as tensões do barramento CC
ser possível a utilização de topologias inversoras (conversores CC-CA)
(capacitor) e da rede não são iguais. As chaves semicondutoras
no condicionamento da energia elétrica.
devem ser bidirecionais em corrente e unidirecionais em tensão.
Tais circuitos podem operar como Filtros Ativos, para os quais
A operação correta do circuito exige que nunca conduzam duas
deve-se produzir uma forma de corrente (ou tensão) que compense as
chaves de um mesmo ramo do inversor, pois isso colocaria o
distorções presentes na rede.
capacitor em curto.
A figura 7.1 mostra estruturas de inversores trifásicos que podem
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Para que seja possível o controle das formas de onda (seja de
corrente ou de tensão), os valores de Io ou de Vo devem ser maiores
do que os valores de pico máximos, respectivamente de corrente e
de tensão, presentes no sistema.
7.1.1 - Modulação por Largura de Pulso - MLP
Nas aplicações de potência, as chaves semicondutoras sempre
atuam como interruptores, ou seja: bloqueadas (corrente zero) ou
em plena condução (tensão mínima em seus terminais). O objetivo é
minimizar as perdas de potência nestes dispositivos.
A maneira mais comum de obter um sinal alternado de baixa
freqüência, mas de alta potência, é através de uma modulação em
alta freqüência e a posterior demodulação ou filtragem. Diferentes
técnicas de modulação podem ser empregadas para gerar os sinais de
comando dos transistores. As mais usuais são a MLP e a por histerese
(quando se trata de controle de corrente).
De forma analógica, é possível realizar uma modulação por largura
de pulso ao comparar um sinal de referência (que seja imagem da saída
de maior potência buscada), com um sinal triangular simétrico cuja
freqüência determine a freqüência de chaveamento dos transistores
e diodos. A freqüência da onda triangular (chamada portadora)
deve, se possível, ser 20 vezes superior à máxima freqüência da
onda de referência, para que se obtenha uma reprodução aceitável
da forma de onda desejada, após efetuada a filtragem (que elimina
os componentes espectrais de alta freqüência). A largura do pulso
de saída do modulador varia de acordo com a amplitude relativa da
referência em comparação com a portadora (triangular). Tem-se,
assim, uma Modulação por Largura de Pulso. O mesmo resultado
pode também ser obtido por meio de dispositivos digitais, como
microcontroladores ou processador digital de sinais – DSPs.
Na saída do inversor tem-se uma sucessão de ondas retangulares
(de corrente ou tensão) de amplitude igual à corrente ou tensão de
alimentação CC e duração variável.
Apoio
HARMÔNICOS
A figura 7.2 mostra a modulação de uma onda senoidal,
produzindo na saída uma tensão com dois níveis, na freqüência da
onda triangular. A informação da referência está contida na variação
da largura dos pulsos.
Figura 7.2 Sinal MLP de 2 níveis.
Em termos do conversor como o mostrado na figura 7.1b, o
sinal de comando enviado a cada ramo do inversor é do tipo dois
níveis (quando um transistor liga, o complementar desliga). Assim, a
tensão de linha (entre duas fases) apresenta-se de três níveis, como
se observa na figura 7.3. Tal tipo de saída apresenta um menor
conteúdo harmônico em relação à modulação de dois níveis.
A obtenção de uma onda que recupere o sinal de referência
é facilitada pela forma do espectro do sinal MLP. Note-se no
espectro da 7.3 (inferior) que, após a componente espectral
relativa à referência (baixa freqüência), aparecem componentes nas
vizinhanças da freqüência de chaveamento. Ou seja, o filtro passa-
baixas deve permitir passar componentes espectrais na faixa de
harmônicas em que se deseja compensação e deve ser capaz de
produzir uma atenuação bastante efetiva nas componentes devido
à comutação em alta freqüência, normalmente na faixa dos kHz. Na
figura 7.3 (superior) tem-se também a forma de onda recuperada
após a filtragem.
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O uso de um filtro não amortecido pode levar ao surgimento de
componentes oscilatórias na freqüência de ressonância, que podem
ser excitadas na ocorrência de transitórios na rede ou na carga. Em
regime elas não se manifestam, uma vez que o espectro da onda
MLP não as excita. O uso de filtros amortecidos ou o controle da
variável elétrica de saída devem ser utilizados em situações em que
tais transitórios possam ser problemáticos.
Figura 7.3 Formas de onda da tensão de linha em inversor trifásico, sinais MLP
filtrado e espectro do sinal MLP de três níveis
7.1.2 - Síntese de correntes em inversor com
acúmulo capacitivo
A síntese de uma corrente CA utilizando um inversor fonte de
corrente pode ser feita em malha aberta, aplicando diretamente os
comandos gerados pelo modulador (MLP, por exemplo) diretamente nos
transistores. No caso de inversores fonte de tensão, a corrente média de
saída é determinada pela diferença entre as tensões médias da rede e
da saída do inversor. Tal diferença é aplicada sobre os indutores de filtro,
definindo, assim, a corrente. As diferenças instantâneas determinam a
ondulação da corrente na freqüência de chaveamento.
Como não se faz uma síntese direta da corrente, a correta
operação desta topologia como um filtro ativo de corrente necessita da
realimentação da corrente, a ser comparada com a referência, gerando
um sinal de erro que, se necessário, corrige a largura de pulso. Esta
realimentação permite a síntese de qualquer forma de corrente, dentro
da faixa de passagem do filtro passivo de saída.
7.1.2.1 - Controle da tensão CC
Numa situação de regime permanente, na qual o inversor forneça
apenas energia não ativa ao sistema e à carga, a tensão média no
capacitor é constante. Transitoriamente, no entanto, é possível que esta
tensão varie em função de mudanças na carga ou na rede.
A correção do erro de tensão é feita controlando-se a amplitude do
sinal de referência de corrente. Por exemplo, caso a tensão CC diminua,
o circuito de controle deve produzir um ajuste na amplitude da corrente
em relação à tensão da rede de modo a absorver potência ativa,
acumulando carga no capacitor e elevando novamente sua tensão.
7.1.3 - Síntese de tensões
As mesmas topologias que são capazes de produzir formas arbitrárias
de corrente podem também fazê-lo em relação à tensão sintetizada em
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suas saída, valendo aqui as mesmas observações relativas ao tipo de
elemento de armazenamento de energia, isto é, caso o inversor forneça
apenas energia reativa, ele não precisa de uma fonte de potência,
podendo operar a partir apenas de elementos de armazenamento de
energia.
O estágio de saída deve ser adaptado de modo a ser obtida uma
tensão filtrada dos componentes relativos à freqüência de chaveamento,
reproduzindo apenas a tensão de referência sintetizada pelo inversor.
7.2 - Filtros Ativos de Potência (FAP)
A ação de filtros em derivação não muda a corrente na carga,
pois praticamente não modifica a tensão no ponto de acoplamento
comum (PAC). A ação do FAP permite suprir à carga toda a potência
não ativa, incluindo componentes harmônicos e potência reativa. Da
rede se consome apenas a corrente associada à potência ativa. Este fato
maximiza o Fator de Potência (FP), já que implica no mínimo valor de
corrente pelo sistema, liberando a capacidade de transmissão para as
linhas, mantida constante a potência ativa na carga.
No enfoque da aplicação de um filtro ativo, ou seja, quando se buscam
medidas de variáveis elétricas para identificar componentes nas correntes
que devam ser compensadas, deve-se levar em conta qual o objetivo da
compensação.
Os métodos de medida de potência baseados no domínio da
freqüência, ou que apenas tratem comportamentos médios (e não
instantâneos), não possibilitam a identificação de grandezas temporais,
de modo que não se aplicam no caso de compensação de componentes
harmônicas.
Pode-se considerar que o objetivo da filtragem da corrente seja
obter uma forma de onda que siga a forma da tensão, ou seja, que o
conjunto (carga + filtro) represente uma carga resistiva, maximizando
o fator de potência, o que vale dizer, minimizando a corrente eficaz
absorvida da fonte, mantida a potência ativa da carga.
Uma outra possibilidade é sintetizar uma corrente senoidal, mesmo
na presença de distorções na tensão.
Caso o sistema apresente uma tensão senoidal e nenhuma não-
linearidade, ambos os métodos seriam idênticos. Como, normalmente,
o sistema de alimentação apresenta distorções e a tensão nunca é
perfeitamente senoidal, sempre existirão elementos harmônicos capazes
de excitar ressonâncias. Os elementos que introduzem amortecimento
no sistema são, essencialmente, as cargas, uma vez que as perdas
próprias das linhas e transformadores são baixas. Assim, um sistema
sem carga tende a ver amplificadas as possíveis ressonâncias presentes.
Quando um filtro ativo leva à absorção apenas de uma corrente
senoidal, isto significa que a rede vê uma carga aberta para as outras
freqüências, ou seja, a carga deixa de atuar como fator de amortecimento
para as eventuais ressonâncias do sistema.
A defesa desta técnica (corrente senoidal) é feita com o argumento
de que a absorção de correntes senoidais melhoraria a forma da tensão
da rede, mas isto nem sempre é verdade.
É bastante comum a presença de capacitores em uma rede de

distribuição de energia, no lado de baixa tensão, para a compensação
do fator de deslocamento. Em tal situação há uma ressonância entre a
capacitância e a reatância indutiva do alimentador. Para valores típicos,
com a elevação do fator de potência de 0,85 para 0,95, a ressonância
se dá em torno da 11ª harmônica, mas cada caso deve ser analisado em
particular.
A figura 7.4 mostra resultados de simulação com ambos os métodos
aplicados. A fonte de entrada possui uma 11UaU harmônica com 1%
de amplitude da fundamental. O indutor e o capacitor produzem uma
ressonância nesta harmônica. Quando se tem uma carga resistiva, devido
ao amortecimento introduzido, praticamente não se observa o efeito
desta harmônica, pois ela continua afetando as tensões em um nível
muito baixo. Quando se força a carga a absorver uma corrente apenas
na freqüência fundamental, nota-se a ressonância e a conseqüente
distorção na tensão (circuito à direita e formas de onda inferiores).
Figura 7.4 Circuitos simulados e formas de onda para carga resistiva e “senoidal”
O amortecimento de tais oscilações pode e deve ser realizado
pelo FAP. Mesmo nos sistemas que utilizam a imposição de corrente
HARMÔNICOS
senoidal, há dispositivos de controle que monitoram o aparecimento
das oscilações e alteram a corrente de modo que sejam adicionadas
componentes de corrente de modo a amortecer a oscilação. Ou seja,
ao invés de sintetizar uma resistência em todo espectro de freqüências,
as resistências são vistas pelo alimentador apenas na componente
fundamental e nas freqüências em que ocorrem ressonâncias.
A recomendação IEEE-519 estabelece para redes de baixa tensão
uma Distorção Harmônica Total aceitável de (DHT) 5%, limitando
cada harmônica a 3% do valor da componente fundamental. Este
valor pode facilmente ser superado, especialmente se a corrente da
rede estiver altamente distorcida como, por exemplo, na presença
de cargas não lineares.
7.2.1 - Estrutura de controle do filtro
Filtros ativos monofásicos podem ser utilizados na correção
do fator de potência de cargas de pequena e média potência. As
aplicações restringem-se tipicamente a potências de 4kVA (para
alimentação em 220V), dado que cargas maiores normalmente
possuem entrada trifásica.
A figura 7.5 mostra uma possível estrutura do sistema de
controle para um filtro monofásico, de acúmulo capacitivo,
operando em MLP. A forma da referência da corrente é obtida da
própria tensão. A amplitude desta referência é modulada de modo
a manter a tensão CC no valor desejado. O sinal do erro da tensão
CC, passado por um compensador tipo proporcional-integral (que
anula o erro em regime para uma entrada constante) é uma das
entradas do bloco multiplicador. Sendo um valor contínuo (que varia
muito mais lentamente do que a referência de corrente, que varia
na freqüência da rede), funciona como fator de escalonamento da
forma da corrente. A corrente da rede é realimentada, produzindo,
em relação à referência de corrente, um erro o qual, passando por um
compensador, produz a tensão de controle, que é comparada com a
portadora MLP, gerando os pulsos para o comando dos transistores.
O SETOR ELÉTRICO
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Figura 7.7 Formas

de onda do FAP
no transitório de
partida: Corrente
no FAP (acima) e
corrente da rede
(abaixo).

b) Caso trifásico
A Figura 7.8 mostra o caso de uma carga não-linear balanceada
(retificador a diodos). Depois da compensação, as correntes na rede
Figura 7.5 Diagrama de controle de filtro ativo de corrente para sintetizar
carga resistiva. são similares às respectivas tensões, incluindo as distorções. As
transições rápidas não são completamente compensadas devido à
Para o emprego da técnica de síntese de carga resistiva, a limitação da resposta em freqüência da malha de corrente.
estrutura trifásica é em tudo análoga à monofásica. Devendo-se A DHT da corrente da carga é 25%. Depois da atuação do FAP, a
medir duas ou três correntes (dependendo se o sistema for a três ou distorção na corrente da rede diminui significativamente produzindo
a quatro fios) e determinando a referência a partir de multiplicações uma DHT de 5,2%.
entre um sinal proporcional à tensão e outro derivado da malha de
controle da tensão CC. Para um sistema a quatro fios deve haver
alguma modificação na topologia do inversor, por exemplo, com a
adição de um quarto ramo de chaves. Figura 7.8 Carga
7.2.2 - Resultados experimentais trifásica não linear
a) Caso monofásico balanceada: Acima :
Tensão (500V/div.);
Os resultados a seguir foram obtidos em um protótipo Meio : Corrente
monofásico. A carga não-linear é um retificador a diodos com filtro de linha após
compensação (5
capacitivo.
A/div.); Abaixo :
Na figura 7.6 têm-se os resultado da operação do filtro Corrente de carga
ativo. Nota-se que as distorções presentes na tensão também são (5 A/div).

observadas na corrente, indicando que a rede “vê” o conjunto

A Figura 7.9 mostra a resposta do FAP trabalhando com uma
carga e FAP como uma carga resistiva.
carga não-linear desbalanceada (retificador monofásico conectado
A figura 7.7 mostra um resultado transitório, onde se vê a
a uma das tensões de linha). Também neste caso o FAP é capaz de
corrente produzida pelo filtro que, somada à da carga, resulta na
compensar a carga, refletindo na rede uma carga linear (resistiva)
corrente filtrada na rede.
balanceada, ou seja, mesmo na fase na qual não há carga conectada,
surge uma corrente, imposta pelo FAP.

Figura 7.6 Tensão da rede (superior - 150V/div.), corrente na rede após Figura 7.9 Carga não-linear monofásica: Acima: Tensão (500V/div.); Meio: Correntes
compensação (intermediário - 5A/div.) e corrente na carga (inferior - 5A/div.) de linha após compensação (1 A/div.); Abaixo: Correntes de carga (1 A/div)

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Na Figura 7.10 mostra-se a resposta dinâmica do FAP a uma variação
em degrau na carga. Observe que, ao ser aumentada a corrente da carga,
ocorre uma redução na tensão do barramento CC, uma vez que a energia
consumida vem, inicialmente, do capacitor que alimenta o inversor. Uma vez
detectada essa redução, o circuito de controle atua no sentido de aumentar
a corrente absorvida da rede visando recuperar o valor de referência.
Figura 7.10 Resposta do FAP a variações da carga: Tensão no barramento CC
(superior -50 V/div.) e corrente de linha (inferior - 5 A/div.).
7.3 - Conclusões
Os filtros ativos de potência são dispositivos muito eficazes na
melhoria das formas de onda da rede elétrica. Seu uso como filtro de
corrente permite compensar as componentes harmônicas da carga (ou
conjunto de cargas), também fornecer localmente a demanda de reativos
e, adicionalmente, criar caminhos para a corrente de modo que a rede
elétrica “enxergue” uma carga resistiva e equilibrada (no caso trifásico).
Embora tão poderoso, do ponto de vista funcional, o
principal obstáculo para um uso mais generalizado é o custo do
equipamento, que o faz conveniente, nos tempos atuais, apenas
em situações muito críticas.
HARMÔNICOS
As limitações de potência estão ligadas à tecnologia dos
semicondutores, o que torna difícil a construção de tais equipamentos,
exceto para uso em baixa tensão.
7.4 - Referências Bibliográficas
Fabiana Pöttker de Souza: “Correção de fator de potência de instalações de baixa
potência empregando filtros ativos” Tese de doutorado, UFSC, 2000.
Y. Komatsu, T. Kawabata, “A Control Method of Active Power Filter in Unsymmetrical
an Distorted Voltage System”, Proceedings of the Power Conversion Conference, Nagaoka,
Japan, vol.1, august 1997, pp. 161-168
T. E. N. Zuniga and J. A. Pomilio: “Shunt Active Power Filter Synthesizing Resistive Load”.
IEEE Trans. on Power Electronics, vol. 16, no. 2, march 2002, pp. 273-278.
F. P. Marafão, S. M. Deckmann, J. A. Pomilio, R. Q. Machado: “Selective Disturbance
Compensation and Comparison of Active Filtering Strategies“, IEEE – International Conference
on Harmonics and Quality of Power, ICHQP 2002, Rio de Janeiro, Brazil, October 2002.
S. M. Deckmann and F. P. Marafão, “Time based decompositions of Voltage, Current and
Power Functions,” in Proc. 2000 IEEE International Conference on Harmonics and Quality of
Power, pp. 289-294.
F. P. Marafão and S. M. Deckmann, “Basic Decompositions for Instantaneous Power
Components Calculation,” in Proc. 2000 IEEE Industry Applications Conf. (Induscon), pp. 750-
755.
L. Malesani, P. Mattavelli and P. Tomasin: “High-Performance Hysteresis Modulation
Technique for Active Filters”. Proc. of APEC ‘96, March 3-7, 1996, San Jose, USA, pp. 939-947.
H.-L. Jou, J.-C. Wu and H.-Y. Chu: “New Single-Phase Active Power Filter”. IEE Proc. -
Electric Power Applications, vol. 141, no. 3, May 1994, pp. 129-134.
F. Pöttker and I. Barbi: “Power Factor Correction of Non-Linear Loads Employing a Single
Phase Active Power Filter: Control Strategy, Design Methodology and Experimentation”. Proc.
of the IEEE Power Electronics Specialists Conference - PESC’97, St. Louis, USA, June 1997, pp.
412-417.
M. V. Ataíde e J. A. Pomilio: “Single-Phase Shunt Active Filter: a Design Procedure
Considering EMI and Harmonics Standards”. Proc. of IEEE International Symposium on
Industrial Electronics, ISIE’97, Guimarães, Portugal, June 1997.
Project IEEE-519, IEEE Recommended Practices and Requirements for Harmonic Control
in Electric Power System.
S. P. Pimentel: “Aplicação de Inversor Multinível como Filtro Ativo de Potência”,
Dissertação de Mestrado, FEEC – Unicamp, 2006.
N. Baldo, D. Sella, P. Penzo, G. Bisiach, D. Cappellieri, L. Malesani and A. Zuccato: “Hybrid
Active Filter for Parallel Harmonic Compensation”. European Power Electronics Conference,
EPE’93, Brighton, England, vol. 8, pp. 133-137
O SETOR ELÉTRICO
Maio 2007
 FA S C ÍC ULO 1 / H A R MÔN IC OS
Por José Antenor Pomilio, engenheiro eletricista, mestre e doutor em enge-
nharia elétrica pela Universidade Estadual de Campinas – Unicamp, professor
da Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação da Unicamp
antenor@dsce.fee.unicamp.br

ENCERRAMENTO E ÍNDICE REMISSIVO

Desde seu número inaugural, a revista O Setor Elétrico apresentado. Foi mostrado, inclusive com resultados de
publicou uma série de artigos com uma visão moderna do campo, que o uso destes filtros em redes dominantemente
problema da distorção harmônica e do fator de potência em de consumidores residenciais e comerciais pode ampliar a
instalações elétricas. distorção na tensão, devendo ser utilizados com muito critério.
Foram apresentados e discutidos aspectos normativos e A razão deste comportamento é que as cargas não-lineares
definições de grandezas elétricas importantes para o correto de uso residencial e comercial têm um comportamento que
entendimento do problema em um sistema elétrico, para o mais se aproxima de uma fonte de tensão, ao invés do modelo
qual não são mais suficientes as antigas definições associadas tradicional de fonte de corrente harmônica, mais adequado às
a grandezas puramente senoidais. cargas industriais.
Para que se tornasse possível o entendimento do que se Pode-se dizer que o principal objetivo desta seqüência de
pode fazer e quais as limitações da tecnologia atual na área artigos foi despertar o leitor para o fato de que o atual estágio
de eletrônica de potência, com vistas a mitigar os problemas de disseminação de cargas não-lineares pela rede elétrica não
de distorção harmônica, foram apresentados os principais mais permite supor que as formas de onda sejam senoidais. Em
componentes semicondutores de potência utilizados na alguns casos mais críticos, nem mesmo a tensão pode ser assim
construção de filtros ativos e outros conversores. considerada. E nesse mundo não-senoidal, novos conceitos
Tais conversores foram também discutidos, sendo precisam ser adotados para que se tenha um adequado
mostrada sua capacidade efetiva de melhorar a qualidade da entendimento do comportamento de uma instalação elétrica e
energia, embora também tenham sido realçadas as limitações, das cargas a ela conectadas.
especialmente em termos de potência. Para facilitar a busca e o download através do site da
Um capítulo sobre as técnicas convencionais de revista, confira abaixo o índice remissivo dos 16 fascículos e
compensação, através de filtros passivos, também foi seus principais tópicos.

O SETOR ELÉTRICO
Junho 2007
 Apoio

Edição 1 – fevereiro/2006
Capítulo I - Fator de potência e distorção harmônica – parte 1
Edição 2 – março/2006
Capítulo I - Fator de potência e distorção harmônica – parte 2
Aspectos normativos e definições de grandezas elétricas importantes
para o correto entendimento do problema em um sistema elétrico
HARMÔNICOS
Edição 11 – dezembro/2006
Capítulo IV – Efeitos e causas de harmônicas no sistema de energia
elétrica – parte 2
Foram tratados os exemplos de motores e geradores,
transformadores, cabos de alimentação, equipamentos
eletrônicos. Além disso, os efeitos nos aparelhos de medição,
nos relés de proteção e nos fusíveis

Edição 3– abril/2006
Capítulo II – Normas relativas a fator de potência e distorção
harmônica
Norma IEC 6100-3-2; Norma IEC 6100-3-4; Recomendações do
IEEE (IEEE-519); Regulamentação brasileira
Edição 4 – maio/2006
Capítulo III – Componentes Semicondutores de Potência – parte 1
Edição 5 – junho/2006
Capítulo III – Componentes Semicondutores de Potência – parte 2
Edição 6 – julho/2006
Capítulo III – Componentes Semicondutores de Potência – parte 3
Edição 7 – agosto/2006
Capítulo III – Componentes Semicondutores de Potência – parte 4
Edição 8 – setembro/2006
Capítulo III – Componentes Semicondutores de Potência – parte 5
Edição 9 – outubro/2006
Capítulo III – Componentes Semicondutores de Potência – parte 6
Breve revisão da física dos semicondutores, com a descrição
dos vários tipos de componentes normalmente utilizados nos
sistemas de potência.
Edição 12 – janeiro/2007
Capítulo V – Compensação capacitiva e filtros passivos em redes
secundárias – parte 1
Edição 13 - fevereiro/2007
Capítulo V – Compensação capacitiva e filtros passivos em redes
secundárias – parte 2
Edição 14 – março/2007
Capítulo V – Compensação capacitiva e filtros passivos em redes
secundárias – parte 3
Técnicas convencionais de compensação, através de filtros passivos,
com resultados de campo, mostram que o uso destes filtros em
redes dominantemente de consumidores residenciais e comerciais
pode ampliar a distorção na tensão. Análise do comportamento de
cargas não-lineares de uso residencial e comercial
Edição 15 – abril/2007
Capítulo VI – Condicionamento da corrente absorvida: pré-reguladores
de fator de potência – PFP
Métodos de condicionar o estágio de entrada de um conversor,
de modo a fazê-lo absorver uma corrente com forma de onda
que maximize o fator de potência

Edição 16 – maio/2007
Edição 10 – novembro/2006 Capítulo VII – Filtros Ativos
Capítulo IV – Efeitos e causas de harmônicas no sistema de energia Descrição do uso dos filtros ativos para melhoria da qualidade
elétrica – parte 1 de energia

O SETOR ELÉTRICO
Junho 2007