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UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ – CAMPUS SOBRAL

CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA


DISCIPLINA: Eletrônica Analógica
PROFESSOR: Paulo Robson Melo Costa

PRÁTICA 02 DO LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA


ANALÓGICA
João Pedro da Silva Rodrigues
385518

Sobral
2019
SUMÁRIO

1. INTRODUÇÃO..................................................................................................... 3
2. OBJETIVO............................................................................................................ 3
3. ESPECIFICAÇÕES, CONSIDERAÇÕES E MATERIAL
UTILIZADO...............................................................................................................3
4. PROCEDIMENTO.................................................................................................3
5. RESULTADOS E
DISCUSSÕES........................................................................................................... 6
6. QUESTIONÁRIO..................................................................................................4
7. CONCLUSÃO.......................................................................................................6
8. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS ..................................................................6
1. INTRODUÇÃO
O diodo é um componente que pode conduzir ou bloquear a passagem de
eletricidade, dependendo da polaridade da tensão com os seus terminais. Desse modo, o
diodo apresenta uma grande variedade de aplicações. Ele é composto pela junção entre
um semicondutor do tipo p e um do tipo n.

2. OBJETIVO DA PRÁTICA
Levantar as curvas características do diodo mediante simulação e
experimentação.

3. ESPECIFICAÇÕES, CONSIDERAÇÕES E MATERIAL UTILIZADO


Especificações:
• Vi = 0 a 2,7 [V] [Tensão contínua variável a ser aplicada à entrada].
Considerações:
• Ifmax = 0,90[A] [Corrente máxima adotada no diodo];
• VfN = 0,70[V] [Queda de tensão nominal no diodo];
• D1 1N4007 [Dio do selecionado].
Materiais utilizados
• Multimetro;
• Fonte de tensão CC;
• Diodo Retificador (1N4007);
• Osciloscópio;
• Fios.

4. PROCEDIMENTO
A parte prática consistiu em medir a queda de tensão em dois diodos diferentes
para diferentes correntes. Para isso, um multímetro foi ligado em série a uma fonte de
tensão CC, que foi ligado em série ao diodo. Usando fios jumper, uma das pernas do
diodo foi ligado ao multímetro e a outra ao terra do circuito. A tensão na fonte foi ajustada
para 2.7 V e a corrente para valores entre 0.1 A e 0.9 A. Utilizando um osciloscópio foi
medido a queda de tensão no diodo para os diferentes valores da corrente. Em casa, foi
feita análise computacional, no software ORCAD. Foi utilizado o diodo 1N4007.

5. RESULTADOS E DISCUSSÕES
Os resultados encontrados, tanto experimentalmente como na análise
computacional, podem ser encontrados na tabela a seguir.

Tabela 1 – Queda de tensão nos diodos


Id(A) 0,10 0,20 0,30 0,40 0,50 0,60 0,70 0,80 0,90
Vd(V) 0,776 0,828 0,845 0,879 0,897 0,914 0,931 0,948 0,948
Simulado
Vd(V) 0,806 0,831 0,840 0,848 0,854 0,856 0,856 0,856 0,856
Diodo 1
Vd(V) - 0,712 0,741 0,760 0,769 0,777 0,784 0,790 0,792 0,792
Diodo 2
Fonte: autor.

Pode-se perceber que o aumento de tensão ocorreu principalmente nas primeiras


medições, se mantendo quase constante nas últimas. Os, valores medidos ficaram entre
0,7 V e 0,9 V, bem próximos do valor encontrado na literatura para um diodo de silício,
de 0,7V. Os valores encontrados na simulação também ficaram dentro do esperado.

Figura 1: Circuito simulado no ORCAD.

Fonte: autor.

6. QUESTIONÁRIO

a) Traçar as curvas I=f(v) simulada e experimental utilizando a Tabela 1.

Figura 2: Curva característica do diodo.


1
0,9
0,8
0,7
0,6
Id(A)

0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5
Vd(V)

Diodo 1 Diodo 2 Diodo Simulado

Fonte: Autor.

b) Determinar a resistência média Rav referente às curvas I = f(v) simulada


e experimental traçadas anteriormente.
Diodo 1:
𝑉𝑓𝑁 = 0,856
𝑉𝑓𝑜 = 0,806
Diodo 2:
𝑉𝑓𝑁 = 0,792
𝑉𝑓𝑜 = 0,712

Diodo simulado:
𝑉𝑓𝑁 = 0,948
𝑉𝑓𝑜 = 0,776
𝐼𝑓𝑁 = 3 × 10−6 𝑒 11.413𝑉𝑓𝑁

𝑉𝑓𝑁 − 𝑉𝑓0
𝑅𝑎𝑣 =
𝐼𝑓𝑁

Diodo 1:
𝐼𝑓𝑁 = 0,0525 𝐴
𝑅𝑎𝑣 = 0,95 𝛺

Diodo 2:
𝐼𝑓𝑁 = 0,0253 𝐴
𝑅𝑎𝑣 = 3,16 𝛺

Diodo simulado:
𝐼𝑓𝑁 = 0,150 𝐴
𝑅𝑎𝑣 = 1,15 𝛺

c) Como a temperatura influencia na curva característica do diodo?


A temperatura influencia na capacidade de condução do diodo. Quanto maior a
temperatura, maior a capacidade de condução de corrente do diodo. Isso acontece devido
à quebra das ligações covalentes existentes na estrutura material propiciada pelo aumento
da energia térmica, que aumenta a quantidade de elétrons livres e facilita a condução de
corrente elétrica.

d) Comente a respeito dos resultados obtidos com o experimento e seu


respectivo circuito simulado correspondente.
Como discutido anteriormente, os resultados obtidos se aproximaram do valor
encontrado na literatura para a queda de tensão de um diodo de silício. Todos os valores
obtidos ficaram entre 0,7 V e 1 V, muito próximos do valor de 0,7 V esperado em teoria
para a tensão.

e) Pesquise a respeito dos tipos de diodo: Schottsky, Tunnel e Varicap.


Nos diodos Schottsky é utilizado um metal no lugar do semicondutor tipo P.
Eles são obtidos pela deposição, por evaporação ou por meios químicos, de uma camada
metálica sobre a superfície de um semicondutor. Normalmente exise uma camada de
óxido na borda para evitar efeitos indesejáveis do campo elétrico mais intenso nessa
zona. Como destaque, o diodo schottky apresenta o menor tempo de recuperação, pois
não há recombinação de cargas do diodo de junção. Outra vantagem é a maior
densidade de corrente, o que quer dizer que ele tem uma queda de tensão direta menor
que a do diodo comum de junção. A contrapartida é uma corrente inversa maior, o que
pode impedir o uso em alguns circuitos. São usados principalmente em circuitos de alta
frequência, de alta velocidade de comutação.
Um diodo varicap é um diodo com capacidade que varia em função da tensão
aplicada. São basicamente diodos construídos especificamente para funcionarem como
capacitores variáveis cuja capacitância varia de acordo com a tensão aplicada.
No caso dos diodos tunnel, são diodos de junção PN com elevadas concentrações
de impurezas (dopagem) em ambas as camadas. Dessa maneira, a região de depleção é
muito estreita. A proximidade das partes ativas das camadas permite o efeito túnel.
O resultado é o comportamento de resistência negativa, ou seja, a corrente diminui com
o aumento da tensão, em uma parte da curva de polarização direta.
A característica de resistência negativa permite a construção de osciladores simples. A
elevada dopagem faz com que a maior parte dos portadores sejam buracos e eletróns, que
têm ação bastante rápida. Assim, pode operar em frequências elevadas.
Os diodos túnel são pouco usados atualmente. As principais desvantagens são a baixa
potência e o custo, fatores com vantagem em outras tecnologias.

7. CONCLUSÃO
O diodo apresenta grande importância na eletrônica, tendo muitas aplicações.
Nessa prática, pôde-se verificar na prática o comportamento de um diodo. Dessa maneira,
foi traçado o gráfico da curva característica do diodo, permitindo verificar na prática o
comportamento desse dispositivo.

8. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS
[1] Roteiro da Prática;

[2] Tipos de Díodos: Eletrônica – PT. Disponível em: <https://www.electronica-


pt.com/tipos-diodos>. Acesso em: 7 outubro de 2019;
[3] Diodo semicondutor: Wikipédia. Disponível em:
<https://pt.wikipedia.org/wiki/Diodo_semicondutor>. Acesso em: 7 outubro de 2019.

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