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ELETRÔNICA
Transistores Bipolares de Junção
ELETRÔNICA
Transistores Bipolares de Junção
10/11/11
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ELETRÔNICA
Transistores Bipolares de Junção
Objetivos:
● Apresentar o componente de circuito Transistor Bipolar e
verificar algumas de suas aplicações em eletrônica;
● Conhecer de forma qualitativa o princípio de funcionamento
desse componente de circuito;
● Apresentar os modelos matemáticos que quantificam o
comportamento desse dispositivo em diferentes situações;
● Apresentar aplicações relevantes para esse novo dispositivo
de circuito.
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FONTES:
Microeletrônica (SEDRA/SMITH 5 edição): Capítulo 5;
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V BB V CC
RC
RB
+
V CE
+
V BE
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V BB V CC V BB −V BE
I B= RB
RC V CC −V CE
IC= RC
RB
+ V CC V CE
IC= RC
− RC
V CE
+
V BE
y=a⋅x+b
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V BB V CC
RC
RB
+
V CE
+
V BE
V CC V CE
IC= RC
−RC
V BB −V BE
I B= RB
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RC
RB
+
V CE
+
V BE
V CC V CE
IC= RC
−RC
V BB −V BE
I B= RB
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V BB V CC
RC
RC
⏞ RB
+
V CE
+
V BE
V CC V CE
IC= RC
−RC
V BB −V BE
I B= RB
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V BB V CC
V CC
RC
⏞ RB
+
V CE
+
V BE
V CC V CE
IC= RC
−RC
V BB −V BE
I B= RB
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V BB V CC
RC
RB
+
V CE
+ V CC V CE
V BE IC= RC
−RC
V BB −V BE
I B= RB
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RC
V CC
RB
RC
+
V CE
+
V BE
V CC V CE
IC= RC
−RC
V BB −V BE
I B= RB
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V CE
SAT V CC V CE
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V BB V CC
Dados da carga a ser acionada:
● Resistência a ser acionada (R ); RC
C
RB
● Tensão de alimentação (Vnominal); +
● Tensão de acionamento(VBB); +
V CE
V BE
Dados do transistor a ser utilizado:
● Corrente nominal (I );
C
● Tensão de saturação (VCEsat);
● Ganho de corrente em emissor comum β ou hfe;
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V CC =V nominal +V CE
SAT
V BB V CC
V CC −V CE
IC= RC
SAT
R C =carga
IC RB
I B= β +
V CE
Adicionar um fator de forçamento (overdrive factor fOD) +
V BE
I B =10⋅I B
OD
V BB −V BE
R B= IB
OD
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M R C =R nominal
RB
+
V CE
+
V BE
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0−5 V V CC
R C =12 Ω
RB
+
V CE =0,2 V
+ SAT
0,7 V β=1000
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RC
RB
β
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V BB −V BE
I B= RB
RC
RB
β
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V BB −V BE
I B= RB
RC I C =β I B
RB
β
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V BB −V BE
I B= RB
RC I C =β I B
RB V CE =V CC −R C⋅β⋅I B
β
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V BB −V BE
I B= RB
RC I C =β I B
RB V CE =V CC −R C⋅β⋅I B
β V BB −V BE
I E= RB
⋅(β+1)
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V BB −V BE
I B= RB
RC I C =β I B
RB V CE =V CC −R C⋅β⋅I B
β V BB −V BE
I E= RB
⋅(β+1)
V BB −V BE
IC= RB
⋅β 25 de 76
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RC
R1
R2
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RC R 1⋅R2
R Th = R + R
R1 1 2
R2
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V CC
V Th RC
R Th
β
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RC
R1
β
R2 RE
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RC RC
R1
R Th
β Thevenin V Th β
R2 RE RE
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RC
R Th
V Th β
RE
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RC
R Th
V Th β
IB
IE
RE
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RC
R Th
V Th β
IB
IE
1
RE
34 de 76
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RC
R Th
V Th β
IB
IE
1
RE
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RC V Th−V BE
IC= ⋅β
R Th R Th +R E⋅(β+1)
V Th β
IB
V Th −V BE
IE I E= ⋅(β+1)
1 R Th+R E⋅(β+1)
RE
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RC
R Th
V Th β
IB
IE
1
RE
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RC
R Th
V Th β
IB
IE
1
RE
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V CE =V CC −I C⋅RC −R E⋅I E
RC
R Th
V Th β
IB
IE
1
RE
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V CE =V CC −I C⋅RC −R E⋅I E
RC
R Th V CE =V CC −I B⋅β⋅R C −R E⋅I B⋅(β+1)
V Th β
IB
IE
1
RE
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V CE =V CC −I C⋅RC −R E⋅I E
RC
R Th V CE =V CC −I B⋅β⋅R C −R E⋅I B⋅(β+1)
V Th β
IB V CE =V CC −I B⋅(β⋅R C +R E⋅(β+1))
IE
1
RE
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RC
R Th
V Th β
IB
IE
1
RE
47 de 76
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RC V Th−V BE
I B=
R Th +R E⋅(β+1)
R Th
V Th β
IB
IE
1
RE
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RC V Th−V BE
I B=
R Th +R E⋅(β+1)
R Th
V Th β
IB
IE V Th −V BE
1
R E V CE =V CC − ( R Th+R E⋅(β+1) )⋅(β⋅R +R ⋅(β+1))
C E
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R2 R1⋅R2
V Th = R +R ⋅V CC RTh = R +R
1 2 1 2
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RC
Qual o impacto da variação de β nos
R Th valores das correntes para este
V Th β esquema de polarização?
IB
IE
RE
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V Th−V BE
I B=
R Th+R E⋅(β+1)
V Th−V BE
I E= RTh
+R E
(β+1)
V Th −V BE β
IC= R Th
⋅
(β+1)
+R E
(β+1)
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V Th−V BE
I B=
R Th+R E⋅(β+1)
V Th−V BE ∂IE RB
I E= =(V Th
−V BE
)⋅
RTh
+R E
∂β (R E⋅β+R E +R B )2
(β+1)
V Th −V BE β ∂ IC R E +R B
IC= R Th
⋅ =(V Th −V BE )⋅
(β+1)
+R E ∂β (R E⋅β+R E +R B )2
(β+1)
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RC
RB
β
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RC
RB IC
β
IB
IE
55 de 76
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RC
RB IC
β
IB
IE
56 de 76
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Transistores Bipolares de Junção
RC
RB IC
β
IB
IE
1
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Transistores Bipolares de Junção
RC
RB IC
β
IB
IE
1
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RC I E =(β+1)⋅I B
RB IC
β
IB
IE
1
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RC I E =(β+1)⋅I B
RB IC V CC −R C⋅(β+1)⋅I B −R B⋅I B −V BE =0
β
IB
IE
1
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RC I E =(β+1)⋅I B
RB IC V CC −R C⋅(β+1)⋅I B −R B⋅I B −V BE =0
β V CC −V BE
IB
IE I B=
R C⋅(β+1)+R B
1
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RC I E =(β+1)⋅I B
RB IC V CC −R C⋅(β+1)⋅I B −R B⋅I B −V BE =0
β V CC −V BE
IB
IE I B=
R C⋅(β+1)+R B
1
V CC −V BE
I E= RB
RC +
(β+1)
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RC V CC −V BE
I E= RB
RB IC RC +
(β+1)
β
IB
IE
1
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RC
V CC −V BE
RB IC I E= RB
β RC +
IB (β+1)
IE
1
V CC −V BE
IC= ⋅β
R C⋅(β+1)+R B
64 de 76
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RC
RB IC
β
IB
IE
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RC
RB IC
β
IB
IE
66 de 76
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RC V CE =V CC −R C⋅I B⋅(β+1)
RB IC
β
IB
IE
67 de 76
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Transistores Bipolares de Junção
RC V CE =V CC −R C⋅I B⋅(β+1)
RB IC Mas,
β
IB V CC −V BE
IE I B=
R C⋅(β+1)+R B
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Transistores Bipolares de Junção
RC V CE =V CC −R C⋅I B⋅(β+1)
RB IC Mas,
β
IB V CC −V BE
IE I B=
R C⋅(β+1)+R B
V CC −V BE
V CE =V CC −RC⋅ ( R C⋅(β+1)+R B )⋅(β+1)
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RC
RB IC
β
IB
IE
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Transistores Bipolares de Junção
RC V CC −V BE
IB
RB
β
IC V CE =V CC −R C⋅
( RC +
RB
(β+1)
)
IE
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Transistores Bipolares de Junção
RC V CC −V BE
IB
RB
β
IC V CE =V CC −R C⋅
( RC +
RB
(β+1)
)
IE V CC −V BE
V CE =V CC −
( 1+
RB
RC⋅(β+1) )
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Transistores Bipolares de Junção
V CC −V BE ∂IB RC
I B= =−(V CC
−V BE
)⋅
R C⋅(β+1)+R B ∂β ( R C⋅β+R C +R B )2
73 de 76
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ELETRÔNICA
Transistores Bipolares de Junção
V CC −V BE ∂IB RC
I B= =−(V CC
−V BE
)⋅
R C⋅(β+1)+R B ∂β ( R C⋅β+R C +R B )2
V CC −V BE ∂IE RB
I E= RB =(V CC −V BE )⋅
RC + ∂β ( R C⋅β+R C +R B )2
(β+1)
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Transistores Bipolares de Junção
V CC −V BE ∂IB RC
I B= =−(V CC
−V BE
)⋅
R C⋅(β+1)+R B ∂β ( R C⋅β+R C +R B )2
V CC −V BE ∂IE RB
I E= RB =(V CC −V BE )⋅
RC + ∂β ( R C⋅β+R C +R B )2
(β+1)
V CC −V BE ∂ IC R C +R B
IC= ⋅β =(V CC
−V BE
)⋅
R C⋅(β+1)+R B ∂β ( R C⋅β+R C +R B )2
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Transistores Bipolares de Junção
V CC −V BE ∂IB RC
I B= =−(V CC
−V BE
)⋅
R C⋅(β+1)+R B ∂β ( R C⋅β+R C +R B )2
V CC −V BE ∂IE RB
I E= RB =(V CC −V BE )⋅
RC + ∂β ( R C⋅β+R C +R B )2
(β+1)
V CC −V BE ∂ IC R C +R B
IC= ⋅β =(V CC
−V BE
)⋅
R C⋅(β+1)+R B ∂β ( R C⋅β+R C +R B )2
V CC −V BE
V CE =V CC −
( 1+
RB
RC⋅(β+1) ) ∂ V CE
∂β
=−(V CC −V BE )⋅
R C⋅R B
( R C⋅β+R C +R B )2
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