Apostila Laboratório de Eletrônica

UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA JÚLIO DE MESQUITA FILHO
Campus Universitário de Bauru
FACULDADE DE ENGENHARIA
www.feb.unesp.br
Prof. Dr. Alceu Ferreira Alves
2015
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
unesp
LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA I
PROGRAMAÇÃO DE AULAS – 2º SEMESTRE 2015
Horários das Aulas
Turma 2313EE21 Terças-feiras 14h00 Lab 33 Prof. Alceu

Turma 2313EE24 Segundas-feiras 14h00 Lab 33 Prof. Rudolf
Atividades Programadas
Semana Data
(conforme Calendário Escolar aprovado pela Congregação)
Apresentação do Programa, Critérios de Avaliação, Informações Gerais
01 29/09
(esta aula não será válida para efeito de avaliação)
02 06/10 Prática 1 – Características do Diodo de Junção
03 13/10 Prática 2 –Circuito Retificador de Meia Onda
04 20/10 Prática 3 – Circuitos com Diodos Retificadores (1ª parte)
05 27/10 Prática 4 – Circuitos com Diodos Retificadores (2ª parte)

06 03/11 Prática 5 – Circuitos Multiplicadores e Limitadores
07 10/11 Prática 6 – Regulador a Diodo Zener
Prova de Laboratório PL1 – frequência e matéria relativas às

08 17/11
práticas de 1 a 6 – Prova Prática
09 24/11 Prática 7 – Características do Transistor Bipolar

10 01/12 Prática 8 – Amplificador Transistorizado Básico
11 08/12 Prática 9 – Características do Transistor JFET
12 15/12 Prática 10 – Circuito Amplificador com JFET
13 19/01 Prática 11 – Características do Transistor MOSFET
14 26/01 Prática 12 – Circuito Amplificador com MOSFET
Prova de Laboratório PL2 – frequência e matéria relativas às
15 02/02
práticas de 7 a 12 – Prova Prática
Prática Substitutiva – aos alunos que deixaram de fazer alguma das
16 09/02
aulas práticas, sem justificativa
Prova de Laboratório PL3 – matéria relativa a todo o conteúdo
17 16/02
ministrado no semestre – Prova Prática
19/02 Aula de Recuperação – Lab. 33 – horário a combinar (manhã)
23/02 Prova de Recuperação – Lab. 33 – horário a combinar (tarde)
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Laboratório de Eletrônica I – Prof. Alceu Ferreira Alves – 2015
página i
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Critério de Avaliação:
1) Não há relatórios semanais.

2) Haverá 02 (duas) provas (PL1 e PL2), práticas, individuais, obrigatórias, constando também de
questões teóricas, com duração máxima de 01 (uma) hora, nas datas especificadas na programação.
3) As notas das provas PL1 e PL2 serão ponderadas pela frequência do aluno nas aulas de
laboratório que antecederam às mesmas, dando origem às notas P1 e P2:
P1 = a * PL1 e P2 = b * PL2 , sendo a e b os pesos respectivos das notas de provas PL1 e PL2,
calculados pela expressão:
nº de presenças
nº de aulas dadas
Caso MP = (P1 + P2) / 2 seja >= 5,0, esta nota passa a ser a Média Final (MF) e o aluno está
aprovado por nota;
Caso MP < 5,0, a P3 é obrigatória, englobando toda a matéria lecionada no semestre, e a média final
(MF) é recalculada como segue:
MF = (P1 + P2 + 2*P3) / 4
Neste caso, a média final deverá ser igual ou superior à 5,0 para aprovação.
4) Controle de Frequência: haverá chamada todas as aulas. Para aprovação: frequência >= 70%
INSTRUÇÕES GERAIS
• Aulas práticas com 01 (um) aluno por bancada; os alunos podem e devem discutir os
procedimentos e resultados com os colegas e o professor, mas é preciso entender os objetivos da
experiência e tirar suas conclusões individualmente;
• Horário de início das aulas será rigorosamente cumprido;
• É imprescindível o uso da apostila (edição 2015, em branco) para realização dos experimentos,
sem a qual o aluno poderá ser impedido de fazer a prática;
• O atraso máximo permitido aos alunos será 10 minutos; após esta tolerância, o aluno poderá
entrar na sala e fazer a prática, mas ficará com registro de falta na aula, podendo substituir até
uma aula sem justificativa;
• Ao terminar de fazer a prática e colher seus dados experimentais, o aluno poderá ir embora, após
organizar todo o material utilizado;
• Controle de Frequência: chamada todas as aulas
• O descumprimento das Normas de Utilização será julgado pelo professor, que poderá, a seu
critério, aplicar um redutor no coeficiente de presença na aula de 0 a 100% (marcar falta), o que
alterará a ponderação do cálculo da média de laboratório.
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unesp
NORMAS DE UTILIZAÇÃO DO LABORATÓRIO DIDÁTICO
1) Cada aluno deverá informar ao professor da disciplina qual será a sua bancada de trabalho
durante todo o semestre e ficará responsável pela conservação da mesma (mesa,
equipamentos, bancos , etc.);
2) Ao iniciar a aula, o aluno deverá informar ao professor qualquer problema verificado com sua
bancada;
3) Ao terminar a aula, o aluno deverá deixar sua bancada em perfeita ordem, observando:
a) Os bancos deverão ser colocados sob as mesas;
b) As mesas deverão estar limpas, sem resíduos de borrachas, restos de papel, copos
descartáveis, etc.;
c) Os equipamentos deverão estar desligados e em ordem para o aluno que for utilizar a
bancada em seguida:
• Gerador com DC offset fechado, frequência em 1kHz, onda senoidal, amplitude
baixa e atenuador em 0dB;
• MB-U com as fontes PS-1 e PS-2 zeradas.
4) As placas, cabos, fios, alicates e componentes eletrônicos deverão ser colocados onde foram
encontrados, e os fios usados em protoboard devem ser devolvidos em ordem;
5) Defeitos constatados em componentes, cabos ou equipamentos deverão ser comunicados ao
professor para que sejam tomadas providências no sentido de efetuar-se a manutenção
adequada;
6) A tensões utilizadas durante as aulas são geralmente baixas, mas lembre-se que tensões
acima de 50V podem matar; portanto, preste bastante atenção no circuito que está montando e
só ligue após ter absoluta certeza do que está fazendo.
PENSE PRIMEIRO, FAÇA DEPOIS !
Não é permitido fumar, comer ou beber dentro do Laboratório Didático.
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CARACTERÍSTICAS DO DIODO DE JUNÇÃO
1.0 OBJETIVOS
Após completar estas atividades de laboratório, você deverá ser capaz de:
1. Medir a tensão e a corrente do diodo quando em polarização direta.

2. Medir a tensão e a corrente do diodo quando em polarização reversa.
3. Traçar a curva característica de um diodo.
4. Determinar a resistência dinâmica de um diodo.
5. Determinar o modelo de um diodo em polarização reversa.
2.0 DISCUSSÃO
Os diodos semicondutores podem ser polarizados diretamente ou reversamente. Idealmente pode-

se considerar que um diodo polarizado diretamente age como um curto-circuito e quando
reversamente polarizado age como um circuito aberto. Em circuitos reais ("práticos") os diodos
apresentam valores de resistência direta que dependem da tensão e da corrente CC no diodo.
O diodo é um dispositivo não-linear e suas características elétricas são representadas por uma
curva característica V-I. Algumas vezes, utiliza-se uma tensão de polarização CC superposta ao
sinal CA que deseja-se aplicar ao diodo; a resistência equivalente do diodo para o intervalo de
operação CA é chamada de resistência dinâmica, sendo representada pelo inverso da inclinação
da curva característica no ponto desejado.
3.0 PROCEDIMENTO
POLARIZAÇÃO DIRETA
1. Coloque a placa EB-111 nas guias do bastidor e encaixe o conector.
2. Localize o circuito que contém o diodo D1 (Fig. 1) na placa de circuito impresso.
3. Conecte o miliamperímetro para medir a corrente direta no diodo e o canal 1 do osciloscópio
para medir a tensão direta no diodo. Centralize o traço horizontal na referência inferior do
osciloscópio para começar as medições (todos os valores são positivos).
+ _
A
R1 R2
D1
+
_ osciloscópio
PS-1 PS-2
+
+
Fig. 1 – Circuito de Polarização Direta
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página 1
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4. Ligue o sistema e ajuste a fonte de alimentação PS-1 até obter uma tensão direta sobre o
diodo de 0,1V. Meça a corrente do circuito e anote, completando a tabela com todos os valores da
Fig. 2.
OBS: Ao mudar a escala do amperímetro, reajustar PS-1, porque a resistência interna do aparelho
altera o ajuste feito anteriormente.
Vdireta 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,45 0,5 0,55 0,6 0,65 0,7
(V)
Idireta
(mA)
Fig. 2 – Medidas de Corrente Direta no Diodo
5. Trace um gráfico com os valores obtidos, tendo a corrente direta no eixo vertical e a tensão
direta no eixo horizontal.
I (mA)
F
12
10
V (V)
F
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Fig. 3 - Característica V-I do Diodo
6. A partir do gráfico obtido, calcule as resistências dinâmicas do diodo nos pontos de Vf=0,5V
(intervalo ∆Vf=0,1V ⇒ Vf1=0,45V e Vf2=0,55V) e Vf=0,65V (intervalo ∆Vf=0,1V ⇒ Vf1=0,60V e
Vf2=0,70V). Anote os cálculos realizados e os resultados obtidos. Discuta com os colegas e o
professor.
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página 2
unesp
POLARIZAÇÃO REVERSA
7. Monte o circuito da Fig. 4.
+ _
A
R1 R2
D1
PS-1 PS-2 osciloscópio

+
_
+
Fig. 4 - Circuito de Polarização Reversa
8. Ajuste a tensão da fonte inicialmente para zero, através do potenciômetro de PS-2. A medida
de tensão é feita com o osciloscópio ligado nos bornes do sistema principal porque não há ponto
de prova no circuito
9. Meça a corrente no circuito para as várias tensões da fonte indicadas e anote os resultados na
tabela da Fig. 5.
10. Ao terminar, retorne PS-2 para zero volt.
PS-2 0 -1 -5 -10
[V]
Corrente Reversa
[µA]
Fig. 5 - Medidas de Corrente Reversa
Discuta com os colegas e o professor os seus resultados. São coerentes com o esperado ?
ATENÇÃO: APÓS A EXPERIÊNCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS

“NORMAS DE UTILIZAÇÃO DO LABORATÓRIO DIDÁTICO PELOS ALUNOS DE
ELETRÔNICA I” (página iii desta apostila). BANCADA EM DESACORDO COM AS
NORMAS ACARRETARÁ EM DIMINUIÇÃO DA NOTA DE LABORATÓRIO, CONFORME
PREVISTO.
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página 3
unesp
CIRCUITO RETIFICADOR DE MEIA ONDA
1.0 OBJETIVOS
Após completar estas atividades de laboratório, você deverá ser capaz de:
1. Verificar o funcionamento do diodo de junção como retificador de meia onda.

2. Medir a tensão de barreira de potencial do diodo utilizado.
3. Observar a curva característica de transferência de um diodo no osciloscópio.
2.0 DISCUSSÃO
Os diodos podem ser usados em circuitos para transformar tensão e corrente alternadas em
tensão e corrente contínuas. O circuito mais simples que pode ser utilizado para esta finalidade é
o circuito retificador de meia onda. As diferenças de tensão entre as ondas de entrada e saída
são decorrentes da tensão de barreira de potencial do semicondutor, a qual precisa ser vencida
para o diodo conduzir. As frequências dos sinais de entrada e saída não são alteradas pelo
circuito retificador de meia onda.
3.0 PROCEDIMENTO
RETIFICAÇÃO DA ONDA SENOIDAL

1. Localize o circuito que contém o diodo D2 (Fig. 1). Este circuito encontra-se na porção central
superior da placa de circuito impresso.
2. Ajuste o gerador para amplitude mínima antes de ligá-lo. Ligue o gerador de sinais e com o
auxílio do osciloscópio, ajuste sua saída para um sinal de 4V pico a pico (4 Vpp ), com frequência
de 500Hz, forma de onda senoidal e com off-set igual a zero.
D2
osciloscópio osciloscópio
Vin
~ R3
CANAL 01 CANAL 02
Fig. 1 – Circuito Retificador de Meia Onda
3. Conecte o osciloscópio ao circuito de modo que o canal 2 monitore a saída (tensão sobre a
carga R3) e o canal 1 monitore a entrada (tensão do gerador). Ambos os canais deverão estar no
modo DC.
4. Observe os sinais nos dois canais do osciloscópio e esboce-os na Fig. 2. Há alguma diferença
mensurável entre um diodo ideal e este diodo ? Qual é esta diferença ? Qual o seu significado ?
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página 4
unesp
Canal 1 - Vin (gerador)
escala vertical: _____ V/div
Canal 2 - VR3
escala horizontal: ____ ms/div
Fig. 2 – Retificação da Onda Senoidal
CURVA DE TRANSFERÊNCIA SENOIDAL

5. Ajuste o osciloscópio no modo X-Y (Vin=X e VR3=Y) para obter a curva de transferência
VR3 = f(Vin). Plote a curva de transferência para valores de entrada entre -2V e +2V na Fig. 3.
Obs: Colocar os 2 canais em GND e centrar o ponto na tela para ajustar a referência no centro.
VR3 [V]
2
-2 -1 1 2 Vin [V]
-1
-2
Fig. 3 – Característica de Transferência de Tensão da Onda Senoidal

PREVISTO.
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página 5
unesp
CIRCUITOS RETIFICADORES – 1ª PARTE
1.0 OBJETIVOS
Após completar estas atividades de laboratório, você será capaz de:
1. Verificar o funcionamento de um retificador de meia onda, tendo como gerador um

transformador.
2. Medir a tensão de barreira de potencial do diodo utilizado.
3. Medir a tensão reversa máxima que ocorre sobre o diodo inversamente polarizado e comparar
com o valor teórico esperado.
4. Verificar o funcionamento de um filtro capacitivo e medir a ondulação de saída de uma fonte
(ripple).
2.0 DISCUSSÃO
Os retificadores de meia onda são os circuitos mais simples capazes de converter tensão e
corrente alternadas em tensão e corrente contínuas; entretanto, as tensões geradas por estes
circuitos são do tipo pulsadas, devendo, na maioria dos casos, serem filtradas para posterior
utilização nos circuitos eletrônicos para polarização de componentes bipolares. O sinal alternado
de entrada do retificador pode ser obtido de um gerador de sinais ou de um transformador, que
reduz ou aumenta a tensão disponível na rede. A tensão de saída do retificador pode ser filtrada
por um capacitor colocado em paralelo com a carga, que é conhecido como filtro capacitivo. A
ondulação observada sobre o nível DC após a filtragem é conhecida como ripple e depende da
frequência da entrada, do valor da capacitância e da corrente solicitada pela carga.
3.0 PROCEDIMENTO
RETIFICADOR DE MEIA ONDA SEM FILTRO

2. Localize o circuito que contém o diodo D1 (Fig. 1). Este circuito encontra-se na porção superior
esquerda da placa de circuito impresso.
SGin VN1 D1 Vout(+)

Amplificador T1
1N4003
N1
oscil. oscil.
~
+ C1 R1
470 µ F
N2 R21 25V 10k Ω
10 Ω +/-20%
Fig. 1 - Circuito Retificador de Meia Onda
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página 6
unesp
3. Com o auxílio do osciloscópio, ajuste o gerador de sinais para aproximadamente 4V pico a pico
(4 Vpp ), com frequência de 50Hz, forma de onda senoidal e com off-set igual a zero.
SAÍDA DO GERADOR EM 4Vpp.
4. Ligue o tap-central do transformador ao R21 utilizando-se de um fio como jumper.
5. Utilize o canal 1 do osciloscópio para medir a tensão de secundário N1 (entre anodo de D1 e
terra) e reajuste o gerador para obter uma tensão VN1=14Vpp.
6. Utilize o canal 2 do osciloscópio para medir a tensão de carga entre Vout(+) e terra. Os dois
canais devem estar na mesma escala e com a mesma referência.
7. Desenhe as formas de onda de tensão de entrada e saída do retificador de meia onda na Fig. 2.
É possível observar a queda de tensão sobre D1 ?
VN1, Vout [V]
+7
t [ms]
10 20 30 40
-7
Fig. 2 - Formas de Onda de um Retificador de Meia Onda
8. Meça e apresente o valor da Tensão Reversa Máxima que ocorre no diodo. Está coerente com
o valor teórico esperado ?
9. Passe o canal 1 do osciloscópio para medir a tensão sobre R21 (OBSERVE O TERRA !).
Desenhe a forma de onda de tensão observada na Figura 3, explique o seu significado e porque
está invertida quando comparada a VN1.
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página 7
unesp
VR21 [mV]
t [ms]
10 20 30 40
-20
Fig. 3 - Forma de Onda da Tensão sobre R21
RETIFICADOR DE MEIA ONDA COM FILTRO CAPACITIVO

10. Ligue o capacitor C1 em paralelo com R1 utilizando-se de um jumper.
11. Desenhe as formas de onda de tensão de entrada e saída na Figura 4, e explique o que
ocorreu.
VN1, Vout [V]
+7
t [ms]
10 20 30 40
-7
Fig. 4 - Formas de Onda de um Retificador de Meia Onda com Filtro Capacitivo
12. Selecione o modo AC para o canal 2 e aumente a sensibilidade do canal até poder observar a
ondulação da tensão de saída (ripple). Desenhe o sinal observado na Figura 5 e meça o valor de
pico a pico da ondulação.
13. Calcule o valor teórico desta ondulação e compare com o valor medido. É coerente ?
I Vout
OBS: Use a expressão: ∆V = =
fC RfC
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página 8
unesp
Vripple [mV]
t [ms]
10 20 30 40
Fig. 5 - Forma de Onda da Tensão de Ripple para o Retificador de Meia Onda
14. Passe novamente o canal 1 do osciloscópio para medir a tensão sobre R21 (OBSERVE O
TERRA !). Desenhe a forma de onda de tensão observada na Figura 6 e explique o seu
significado.
VR21 [mV]
t [ms]
10 20 30 40
-100
Fig. 6 - Forma de Onda da Tensão sobre R21 com Filtro Capacitivo

PREVISTO.
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página 9
unesp
CIRCUITOS RETIFICADORES – 2ª PARTE
1.0 OBJETIVOS
1. Verificar o funcionamento de um retificador de onda completa com dois diodos, tendo como
gerador um transformador com tap-central.
2. Verificar o funcionamento de um retificador de onda completa em ponte.
3. Observar a tensão de barreira de potencial do diodo utilizado.
4. Medir a tensão reversa máxima que ocorre sobre o(s) diodo(s) inversamente polarizado(s) e
comparar com o valor teórico esperado para cada caso.
5. Verificar o funcionamento de filtros capacitivos e medir a ondulação de saída (ripple).
6. Observar o efeito da variação da corrente de carga sobre um circuito retificador com filtro
capacitivo, sem regulador de tensão.
2.0 DISCUSSÃO
Os retificadores de onda completa são circuitos capazes de converter tensão e corrente

alternadas em tensão e corrente contínuas de maneira mais eficiente que os retificadores de meia
onda, por fornecerem uma tensão pulsada na saída com o dobro da frequência do sinal de
entrada, o que melhora as condições de filtragem. Dependendo da configuração utilizada (dois ou
quatro diodos na retificação), a tensão reversa sobre os diodos polarizados reversamente pode ser
maior ou menor, assim como a corrente nominal direta, o que deve ser cuidadosamente
observado ao projetarem-se tais circuitos. A ondulação que pode ser observada sobre o nível DC
após a filtragem é conhecida como ripple e depende da frequência da entrada (e saída), do valor
da capacitância e da corrente solicitada pela carga. Dependendo da corrente de carga, a tensão
média de saída pode variar, devido ao aumento do ripple e devido às impedâncias envolvidas no
circuito.
3.0 PROCEDIMENTO
RETIF. DE ONDA COMPLETA COM TRANSFORMADOR COM CENTER-TAP, SEM FILTRO

2. Localize o circuito que contém os diodos D1 e D2 e faça a montagem da Fig. 1.
SGin D1 Vout(+)
Amplificador T1
1N4003
N1
~
+
R21 C1 oscil.
D2 R1
N2 10 Ω 1N4003 470 µ F 10k Ω
25V
+/-20%
Fig. 1 – Circuito Retificador de Onda Completa com Tap
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página 10
unesp
3. Com o auxílio do osciloscópio, ajuste o gerador de sinais com aproximadamente 4V pico a pico
(4 Vpp ), com frequência de 50Hz, forma de onda senoidal e com off-set igual a zero.
4. Utilize o canal 1 do osciloscópio para medir a tensão de secundário N1 e reajuste o gerador
para obter uma tensão VN1=14Vpp. ***** ATENÇÃO: entre anodo de D1 e terra ! *****
5. Utilize o canal 2 do osciloscópio para medir a tensão VN2 e anote junto com VN1 na Fig. 2;
passe o canal 2 para medir a tensão de carga entre Vout(+) e terra. Os dois canais devem estar
na mesma escala e com a mesma referência.
6. Desenhe a forma de onda de tensão de saída do retificador na Fig. 2.
É possível observar a queda de tensão sobre D1 e sobre D2 ? Meça e apresente o valor da
tensão reversa máxima nos diodos. Está coerente com o valor teórico esperado ?
VN1, VN2, Vout [V]
+7
t [ms]
10 20 30 40
-7
Fig. 2 – Formas de Onda de um Retificador Onda Completa com Tap
RETIF. DE ONDA COMPLETA COM TRANSFORMADOR COM CENTER-TAP, COM FILTRO

7. Ligue o capacitor C1 em paralelo com R1 utilizando um jumper.
8. Desenhe as formas de onda de tensão de entrada (VN1) e saída (Vout +) na Fig. 3 e meça o
valor DC da saída.
VN1, Vout [V]
+7
t [ms]
10 20 30 40
-7
Fig. 3 – Formas de Ondas com Filtro Capacitivo
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página 11
unesp
9. Selecione o modo AC para o canal 2 e aumente a sensibilidade até poder observar a ondulação
da tensão de saída (ripple). Desenhe o sinal observado na Figura 4 e meça o valor de pico a pico
da ondulação (meça o lado da “descida” da onda triangular, que corresponde à descarga do
capacitor).
Vripple [mV]
t [ms]
10 20 30 40
Fig. 4 - Forma de Onda da Tensão de Ripple para o Retificador de Onda Completa com Filtro
11. Retorne o canal 2 para o modo DC e desligue o capacitor C1.

12. Desligue o jumper que liga o tap central a R21. (Não se esqueça: O terra do osciloscópio é
ligado ao terra da instalação elétrica!)
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE

13. Monte o circuito da Figura 5 e desenhe na Figura 6 a forma de onda de tensão de saída.
*** ATENÇÃO: O JUMPER DO TAP CENTRAL ESTÁ ABERTO! ***
14. Ligue o capacitor C1 em paralelo com R1 utilizando um jumper e desenhe a forma de onda de
tensão de saída na Figura 7; com o multímetro, meça também o valor DC.
15. Selecione o modo AC e aumente a sensibilidade até poder observar a ondulação da tensão de
saída (ripple). Desenhe este sinal na Figura 8 e meça o valor de pico a pico da ondulação.
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página 12
unesp
Vout(+)
D1 D2
SGin
Amplificador T1
+
N1
C1 oscil.
R1
~ 470 µ F 10k Ω
25V
+/-20%
N2
D3 D4
Fig. 5 – Retificador de Onda Completa em Ponte, sem Filtro Capacitivo
Vout [V]
+14
t [ms]
10 20 30 40
Fig. 6 – Tensão de Saída de um Retificador de Onda Completa, em Ponte, sem Filtro
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página 13
unesp
Vout [V]
+14
t [ms]
10 20 30 40
Fig. 7 – Tensão de Saída de um Retificador de Onda Completa, em Ponte, com Filtro
Vripple [mV]
t [ms]
10 20 30 40
Fig. 8 – Forma de Onda da Tensão de Ripple para o Retificador em Ponte com Filtro
17. Retorne o canal para o modo DC e desligue o capacitor C1.
EFEITO DA CARGA SOBRE UM RETIFICADOR COM FILTRO, SEM REGULADOR
18. Monte o circuito da Figura 9, e ajuste RV1 no sentido anti-horário (corrente mínima).
19. Meça, com o osciloscópio, o ripple de pico a pico e anote na tabela da Fig. 10.
20. Preencha a tabela da Figura 10, desligando a carga para obter 0 mA.
21. Desenhe o gráfico do ripple versus corrente de carga na Figura 11 e explique o que ocorreu.
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página 14
unesp
+ _
A
D1
SGin
Amplificador T1
1N4003
in
N1
oscil.
~ Carga
+ C1 R1 Eletrônica
470 µ F
R21 25V 10k Ω
N2 RV1
10 Ω +/-20%
Fig. 9 - Retificador de Meia Onda com Carga Variável
I [mA] 0 2.5 5 7.5 10 12.5 15 17.5 20 25
Vripple
[mVpp]
Fig. 10 - Variação do Ripple com Carga Variável
Vripple [mVpp]
800
640
480
320
160
I L
[mA]
5 10 15 20 25
Fig. 11 - Tensão de Ripple em função da Corrente de Carga

PREVISTO.
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página 15
unesp
CIRCUITOS MULTIPLICADORES, LIMITADORES E GRAMPEADORES DE TENSÃO
1.0 OBJETIVOS
1. Verificar o funcionamento de um circuito triplicador de tensão, observando a influência dos

diversos parâmetros de circuito na forma de onda de saída.
2. Verificar o funcionamento de um grampeador positivo e a influência da configuração do circuito
na forma de onda de saída.
3. Observar o funcionamento de circuitos limitadores de tensão.
2.0 DISCUSSÃO
Os multiplicadores de tensão são circuitos construídos com diodos e capacitores e que têm a
capacidade de produzir em sua saída tensões contínuas que são múltiplas inteiras do valor de
pico da tensão alternada de entrada. Como seu funcionamento depende da carga armazenada
nos capacitores, seu desempenho é influenciado por de 3 principais fatores: o valor da
capacitância, a frequência do sinal de entrada e a solicitação de corrente por parte da carga. Estes
fatores, aliados à queda de tensão direta nos diodos que compõem o circuito, determinam o valor
CC da tensão de saída do multiplicador. Os multiplicadores são utilizados como fontes de
alimentação de alta tensão e baixa corrente, pois uma alta corrente de carga faz com que os
capacitores descarreguem-se mais rapidamente, gerando elevada ondulação (ripple) e
consequente diminuição do valor médio da tensão de saída.
Os limitadores de tensão (também conhecidos como ceifadores) são circuitos construídos com
diodos e têm por função manter a tensão em sua saída dentro de limites pré-estabelecidos,
conforme a sua configuração. Sua principal aplicação é proteção, a partir do condicionamento de
sinais, garantindo que determinada carga não receberá tensões fora de uma determinada faixa de
valores. Dependendo do arranjo dos componentes no circuito, pode-se limitar a tensão a um valor
máximo, a um valor mínimo ou dentro de determinada faixa.
Circuitos grampeadores têm como função deslocar a tensão alternada de entrada, adicionando
ou subtraindo um valor CC à forma de onda alternada. São construídos com diodos e capacitores,
e também tem seu funcionamento dependente da carga armazenada nos capacitores, o que limita
a corrente a ser fornecida para o circuito de carga, de modo a garantir seu funcionamento
adequado.
3.0 PROCEDIMENTO
CIRCUITO TRIPLICADOR DE TENSÃO

1. Não é necessário inicializar o sistema e nem ligar a fonte principal da MB-U.
2. Utilize o protoboard para montar o circuito do Triplicador de Tensão esquematizado na Figura 1
observando os seguintes cuidados:
a) Seja organizado na sua montagem, para facilitar eventuais correções no circuito
montado;
b) Evite entortar os terminais dos componentes, pois estes são frágeis podem se quebrar;
c) Aplique o sinal ao circuito somente quando tiver terminado a montagem e conferido
todas as ligações.
3. Ajuste o gerador de sinais para uma forma de onda senoidal de 1KHz com amplitude de 4Vp,
offset zero, e aplique o sinal de entrada ao circuito usando o cabo BNC-jacaré.
____________________________________________________________________________________________________
página 16
unesp
C2 2,2µF
+
+ D1 D2 D3
Canal 1 ~
– C1 C3 Canal 2
2,2µF 2,2µF
+ +
1MΩ
Fig. 1 – Triplicador de Tensão
4. Com o multímetro meça a tensão DC de saída. Valor encontrado: _________________ .
5. Utilizando o osciloscópio, observe e anote na Figura 2 as formas de onda de tensão de entrada

e tensão de ripple na saída do circuito, lembrando-se de sempre utilizar a melhor escala de
visualização do aparelho. Para melhor entendimento, indique também na figura a linha de
referência para cada canal.
Pergunta: O valor observado da tensão DC de saída é o esperado? Justifique a sua resposta

apresentando os valores das tensões envolvidas.
Tensão de Entrada
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC DC
Ripple de Saída
escala: _____ V/div
AC DC
escala horizontal: ______s/div
Fig. 2 – Resultados do Triplicador com frequência 1kHz
6. Altere a frequência do sinal de entrada para 100kHz.

7. Com o multímetro meça a tensão DC de saída. Valor encontrado: _________________ .
8. Utilizando-se do osciloscópio, observe e anote na figura 3 as formas de onda de tensão de
entrada e tensão de ripple na saída.
Pergunta: O que ocorreu com a tensão de saída e com o ripple? Explique o ocorrido.
____________________________________________________________________________________________________
página 17
unesp
Tensão de Entrada
escala: _____ V/div
AC DC
Ripple de Saída
escala: _____ V/div
AC DC
Fig. 3 – Resultados do Triplicador com frequência 100kHz
9. Experimente variar a frequência do sinal para mais e para menos e observe o comportamento
do ripple. Explique o que está acontecendo.
CIRCUITO GRAMPEADOR DE TENSÃO

10. Monte agora o circuito Grampeador esquematizado na figura 4 observando os mesmos
cuidados do item 2.
11. Ajuste o gerador de sinais para uma forma de onda senoidal de 10KHz com amplitude de 3Vp,
offset zero, e aplique o sinal de entrada ao circuito usando o cabo BNC-jacaré.
C1 10 µF
Canal 1 Canal 2
+
+
1MΩ
~
– D1
Fig. 4 – Grampeador Positivo de Tensão
12. Com o osciloscópio, verifique as tensões de entrada e saída do circuito e anote as formas de
onda na figura 5, lembrando-se de sempre utilizar a melhor escala de visualização do aparelho.
Para melhor entendimento, indique também na figura a linha de referência para cada canal.
13. Desconecte o gerador do circuito, inverta o diodo e a polaridade do capacitor. Reconecte o

gerador e anote as formas de onda de tensão na figura 6.
____________________________________________________________________________________________________
página 18
unesp
Tensão de Entrada
escala: _____ V/div
AC DC
Tensão de Saída
escala: _____ V/div
AC DC
Fig. 5 – Resultado do Grampeador Positivo de Tensão
Tensão de Entrada
escala: _____ V/div
AC DC
Tensão de Saída
escala: _____ V/div
AC DC
Fig. 6– Resultado do Grampeador Negativo de Tensão
Pergunta: Qual foi a diferença observada no funcionamento do circuito grampeador, após a

alteração realizada? Qual o efeito da tensão de barreira de potencial do diodo no
resultado observado?
CIRCUITO LIMITADOR DE TENSÃO (CEIFADOR)

14. Monte o circuito Limitador Positivo Polarizado (vide Figura 7) observando os mesmos cuidados
do item 2.
15. Aplique na entrada um sinal senoidal de 1KHz com amplitude de 6Vp, offset zero, usando o
cabo BNC-jacaré.
16. Ajuste a fonte PS-2 para zero e anote na figura 8 os sinais de tensão de entrada e de saída.
17. Varie o valor da fonte PS-2 e observe o comportamento do sinal de saída. Explique e justifique
a variação ocorrida.
____________________________________________________________________________________________________
página 19
unesp
1kΩ
Canal 1 Canal 2
+ D1
1MΩ
~ –
– PS-2
Fig. 7 – Limitador de Tensão
Tensão de Entrada
escala: _____ V/div
AC DC
Tensão de Saída
escala: _____ V/div
AC DC
Fig. 8 – Resultado do Limitador Positivo Polarizado

PREVISTO.
____________________________________________________________________________________________________
página 20
unesp
1.0 OBJETIVOS
1. Traçar a curva característica de um diodo zener.

2. Determinar a tensão de ruptura (tensão nominal do Zener) a partir de valores medidos, após
traçar a curva característica.
3. Observar o funcionamento de um circuito regulador de tensão a diodo Zener.
4. Determinar a regulação de tensão experimentalmente.
2.0 DISCUSSÃO
Os diodos zener são diodos especialmente projetados para funcionamento em sua região de
ruptura, sendo também conhecidos como diodos de avalanche controlada e, portanto, construídos
para trabalhar com polarização reversa. Em um diodo reversamente polarizado, a corrente
verificada na junção é de portadores minoritários, sendo normalmente bastante baixa. Conforme
aumenta-se a tensão reversa aplicada, ocorre a ruptura, e a corrente reversa aumenta
rapidamente. Nos diodos Zener, após a ruptura, a tensão nos terminais pouco se altera, sendo por
isso utilizados para produzir tensões de referência e em circuitos reguladores de tensão.
3.0 PROCEDIMENTO
CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO ZENER

1. Utilize o protoboard para montar o circuito de polarização reversa do Diodo Zener
esquematizado na Figura 1 observando os seguintes cuidados:
a) Seja organizado na sua montagem, para facilitar eventuais correções no circuito montado;
b) Evite entortar os terminais dos componentes, pois estes são frágeis podem se quebrar;
c) Ligue o circuito somente quando tiver terminado a montagem e conferido todas as ligações.
2. Ligue o sistema e ajuste PS-1 para obter as tensões de entrada da figura 2, iniciando com
Ventrada = 0V.
OBS: Utilize a melhor escala possível de sensibilidade do osciloscópio, para não comprometer a
precisão das medidas.
+ R1
A
220Ω
Vz
oscil.
PS-1 +
V Dz
canal 1
Fig. 1 – Circuito de Polarização do Diodo Zener
3. Meça a tensão Vz nos terminais do diodo zener, a corrente do amperímetro e a tensão de

entrada com o osciloscópio. Registre os resultados na tabela da figura 2.
____________________________________________________________________________________________________
página 21
unesp
Ventrada [V] 0 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Vz [V]
Iz [mA]
Fig.2 – Tensões e Correntes no Zener
4. Trace a curva característica do Diodo Zener na Fig. 3.
Iz [mA]
50
40
30
20
10
Vz [V]
1 2 3 4 5 6 7
Fig. 3 – Característica V-I do Diodo Zener
MEDIDAS DE REGULAÇÃO DE TENSÃO

5. Altere o circuito montado para o circuito esquematizado na figura 4. Utilize RL=1kΩ.
6. Com Ventrada (PS-1) = 5V, meça a tensão Vz nos terminais da carga e anote o resultado na
tabela da figura 5. Varie a tensão de entrada conforme a tabela e complete a linha de resultados
para R=1kΩ.
220Ω
Vz
oscil.
PS-1 +
V Dz R
L
canal 1
Fig. 4 – Circuito Regulador a Diodo Zener
____________________________________________________________________________________________________
página 22
unesp
7. Retorne Ventrada (PS-1) para 5V, altere a resistência RL para 220Ω, e repita as medidas da
tensão Vz nos terminais da carga, completanto a tabela da figura 5.
Ventrada [V] 5 6 7 8 9 10
Ω) [V]
Vz (R=1kΩ
Ω) [V]
Vz (R=220Ω
REGULAÇÃO (%)
Fig. 4 – Regulação de Tensão
8. Calcule a regulação e complete a tabela, utilizando a seguinte expressão:
V ( R = 1kΩ) − V ( R = 220Ω)
x100%
V ( R = 1kΩ)
9. Trace a curva de Regulação de Tensão versus Tensão de Entrada na Figura 5.
Regulação [%]
Ventrada [V]
5 6 7 8 9 10
Fig. 5 – Regulação de Tensão X Tensão de Entrada
Analise o gráfico traçado e conclua se o comportamento do circuito quanto à regulação de tensão

é o esperado. Por que ?

PREVISTO.
____________________________________________________________________________________________________
página 23
unesp
CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR BIPOLAR
1.0 OBJETIVOS
1. Traçar as curvas características de um transistor bipolar a partir de valores medidos.

2. Determinar o valor do ganho de corrente CC ( β ).
3. Observar o funcionamento de um circuito em emissor comum como fonte de corrente constante.
4. Identificar as regiões ativa, de saturação e de corte, na família de curvas características.
5. Determinar o ganho de corrente CC ( β ) a partir da família de curvas de saída.
2.0 DISCUSSÃO
O ganho de corrente CC ( β ) de um transistor bipolar conectado na configuração emissor

comum pode ser determinado a partir dos valores medidos de corrente de coletor e de corrente de
base (entrada, saída) a partir da seguinte expressão:
β = Ic / Ib
Para um transistor ideal, β pode ser representado por um valor constante, mas na prática,
o valor de β é bastante variável, dependendo principalmente da temperatura da junção e da
corrente de base. As características de saída de um transistor (curvas de coletor) mostram a
relação entre a corrente de coletor e a tensão coletor-emissor e são usualmente representadas
pelo conjunto das curvas para diferentes correntes de base.
3.0 PROCEDIMENTO
CARACTERÍSTICAS DA JUNÇÃO BASE-EMISSOR

2. Localize o circuito que contém o transistor Q1 e faça a montagem ilustrada na Fig. 1,
observando cuidadosamente a ligação do amperímetro ao circuito.
R5
RV1 R4
Q1
+
µA V
+
+
PS-1
+
5V
Fig. 1 - Características de Entrada do Transistor Bipolar
____________________________________________________________________________________________________
página 24
unesp
3. Ajuste RV1 para obter as diversas correntes de base conforme a tabela da figura 2.
4. Para cada valor de corrente de base, meça a tensão entre base e emissor e registre os
resultados.
Ibase [µA] 5-10 16-25 30-50 60-100 120-200

(desejada)
Ibase [µA]
(real)
VBE [V]
Fig. 2 – Características da Junção Base-Emissor
5. Trace o gráfico da corrente de base versus tensão base-emissor na figura 3.
I [ µA]
B
200
160
120
80
40
V [V]
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 BE
Fig. 3 - Característica V-I da Junção Base-Emissor
Analise os resultados obtidos e conclua se o comportamento é o esperado. Discuta os resultados

obtidos.
GANHO DE CORRENTE
6. Conecte o circuito ilustrado na figura 5 e ajuste a tensão PS-1 para 10V.
7. Varie a corrente de base através do potenciômetro RV1, para os valores mostrados na tabela
da fig. 4.
IB [µA] 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
IC [mA]
β = Ic / Ib
Fig. 4 - Valores para Ganho de Corrente CC
____________________________________________________________________________________________________
página 25
unesp
R5
RV1 R4
Q1 mA
+
µA
+
+
PS-1
+
5V
Fig. 5 – Circuito para Medidas de Ganho de Corrente CC
8. Calcule o valor do ganho de corrente β a partir dos resultados registrados na figura 4.
Por que o valor de βCC varia durante a experiência?
O TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE
9. Utilizando o mesmo circuito da experiência anterior (figura 5), ajuste a tensão de PS-1 para 2V,
medindo com o osciloscópio, e ajuste RV1 de modo a obter uma corrente de coletor de 2mA.
10. Altere o valor de PS-1 de acordo com os valores da tabela da figura 6 e anote as diferentes
correntes de coletor obtidas.
PS-1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
[V]
IC
[mA]
Fig. 6 – Medidas para o transistor como Fonte de Corrente
Pergunta-se: A corrente de coletor variou? Por que? Qual deveria ser o comportamento esperado?
CARACTERÍSTICAS DE SAÍDA
11. Monte o circuito esquematizado na figura 7. Observe que é o mesmo circuito anterior,
bastando curtocircuitar o resistor R5 utilizando-se de um jumper ou um cabo apropriado.
____________________________________________________________________________________________________
página 26
unesp
R5
Q1
RV1 R4
mA
+
µA
+ +
+
PS-1
+
5V osciloscópio
Fig. 7 – Levantamento das Características de Saída
12. Ajuste RV1 para obter corrente de 10µA na base e ajuste PS-1 de modo a obter 0.5V ; meça o
valor da corrente de coletor com o amperímetro e anote na tabela da figura 8.
13. Mude o valor de PS-1 de modo a obter todos os valores de VCE listados na tabela da figura 8.
Para cada tensão VCE , anote o valor da corrente de coletor correspondente.
Obs: NÃO altere a resistência RV1 durante as medidas. Preencha a tabela por colunas, não por
linhas.
IB [µA] 10 20 50 80 100
VCE [V] IC [mA]
0.5
10
Fig. 8 – Dados para Levantamento das Características de Saída
14. Trace na figura 9 a família de curvas de IC versus VCE para IB constante. Trace uma curva para
cada valor de corrente de base, construindo o conjunto de curvas de coletor para o transistor.
15. Identifique as regiões de corte, saturação e ativa no gráfico construído.
É possível observar a região de ruptura?
____________________________________________________________________________________________________
página 27
unesp
I [ mA]
C
20
15
10
V [V]
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 CE
Fig.9 – Curvas de Coletor

PREVISTO.
____________________________________________________________________________________________________
página 28
unesp
AMPLIFICADOR TRANSISTORIZADO BÁSICO
1.0 OBJETIVOS
1. Projetar um amplificador emissor-comum e montá-lo em protoboard.

2. Medir as tensões e correntes de polarização e comparar com os cálculos realizados.
3. Calcular o ganho de tensão teórico. Medir o ganho de tensão experimental e comparar.
4. Variar o ponto de polarização (para o corte e para a saturação) e verificar as distorções que
ocorrem no sinal de saída amplificado.
5. Avaliar o efeito do capacitor de derivação de emissor no ganho de tensão.
2.0 DISCUSSÃO
Para que um amplificador transistorizado funcione adequadamente é necessário escolher-

se um ponto de operação próximo ao meio da reta de carga CC. Para isto, o valor da tensão VCE
quiescente deve ser aproximadamente igual à metade da tensão de alimentação total do circuito, a
fim de permitir a geração de um sinal CA simétrico na saída do amplificador. Quando esta
condição não é atendida, o transistor poderá estar trabalhando próximo à sua região de corte ou à
sua região de saturação, causando distorção do sinal de saída por ceifamento.
Um amplificador emissor-comum (EC) tem como característica principal o alto ganho de
tensão e a fase de saída invertida em relação à entrada.
O capacitor de derivação de emissor tem por função fornecer um terra CA ao emissor,
reduzindo a linearização do circuito e aumentando o ganho de tensão, sem interferir nos valores
de polarização CC previamente estabelecidos.
3.0 PROCEDIMENTO
1. Projete um amplificador EC utilizando o transistor 2N2222A (βmín = 75). Ajuste o ponto

quiescente próximo ao meio da reta de carga CC. Utilize Vcc = 12V e corrente de coletor ≅ 2mA.
2. Monte, utilizando um protoboard, o circuito projetado, conforme ilustra a Figura 2.
3. Meça, utilizando o multímetro, os valores das tensões CC. Anote os resultados na tabela da Fig.
1 e compare-os com os valores teóricos esperados. Discutir os resultados.
VCC [V] VB [V] VE [V] VC [V] VCE [V]
Fig. 1 – Medidas das Tensões de Polarização
4.Com o gerador de sinais, aplique uma tensão senoidal na entrada, com frequência 1kHz.
5. Utilizando o osciloscópio, verifique a tensão de saída, anotando as formas de onda observadas
na Figura 3.
6. Calcule o ganho experimental. Compare os valores teórico e experimental. Discutir os
resultados observados.
7. Variar o ponto de polarização variando o valor de R2. Observe as distorções que ocorrem
devido ao corte e à saturação.
8. Desligue e reconecte o capacitor de derivação e observe o que ocorre com o ganho.
9. Antes de encerrar o seu experimento, apresente ao professor os cálculos e os resultados.
____________________________________________________________________________________________________
página 29
unesp
Vcc
R1 Rc
C
E B
R2 +
1kΩ RE
Fig. 2 – Amplificador EC com Circuito de Polarização Universal
Fig. 3 – Formas de Onda de Amplificação CA

PREVISTO.
____________________________________________________________________________________________________
página 30
unesp
CARACTERÍSTICAS DOS TRANSISTORES JFET
1.0 OBJETIVOS
Após completar estas atividades de laboratório, o aluno deverá ser capaz de:
1. Traçar as curvas características de dreno e de transferência a partir de valores medidos.

2. Determinar a resistência de canal.
3. Ligar o JFET como uma resistência variável.
2.0 DISCUSSÃO
O FET é conhecido como transistor unipolar porque a condução de corrente acontece por apenas
um tipo de portador (elétron ou lacuna), dependendo do tipo do FET, de canal n ou de canal p. O
nome “efeito de campo” decorre do fato que o mecanismo de controle do componente é baseado
no campo elétrico estabelecido pela tensão aplicada no terminal de controle. O Transistor JFET
recebe este nome porque é um transistor FET de Junção.
CONSTRUÇÃO SÍMBOLO
DRENO
D (drain)
V
DG
+ +
n
_
(gate) G V
p p DS
+
PORTA
n V _ _
GS
S (source)
FONTE
Fig. 1 – O transistor JFET
A figura 1 apresenta um JFET de canal n (existe também o JFET de canal p). Seu diagrama
construtivo simplificado representa uma “barra” de silício semicondutor tipo n (semicondutor
dopado com impurezas doadoras) e contendo incrustadas duas regiões tipo p. O JFET da figura 1
tem as seguintes partes constituintes:
FONTE: (source) fornece os elétrons livres,

DRENO: (drain) drena os elétrons,
PORTA: (gate) controla a largura do canal, controlando o fluxo dos elétrons entre a fonte e o
dreno. As regiões p da porta são interligadas eletricamente.
____________________________________________________________________________________________________
página 31
unesp
Ainda observando a figura 1, a seta apontando para dentro representa uma junção pn de um
diodo.
O JFET de canal p tem as mesmas partes constituintes de um JFET de canal n, porém seu
símbolo apresenta a seta em sentido contrário, e as correntes e tensões são consideradas
invertidas em relação ao JFET de canal n.
CARACTERÍSTICAS MAIS IMPORTANTES DO JFET
Controle por Tensão: a corrente entre o dreno e a fonte é controlada pela tensão aplicada na
porta, em contraste com o transistor BJT, cuja corrente de coletor é controlada pela corrente de
base.
Alta Impedância de Entrada: para que seja possível o controle de corrente do canal n é necessário
que se produza uma polarização reversa das junções da porta, provocando desta forma um
aumento na região de depleção destas junções e em decorrência disto um estreitamento do canal;
com isto, tem-se baixas correntes de porta, e consequentemente, alta impedância.
Curvas Características: o comportamento do JFET pode ser sumarizado por suas curvas de dreno
e de transcondutânica.
Outras Características: os transistores JFET apresentam menores ganhos em relação aos

transistores BJT e em decorrência disto têm maior estabilidade térmica; geometricamente, os JFET
têm dimensões menores quando comparados com os transistores BJT.
POLARIZAÇÃO DO JFET
n p n
D S
V
+ DD
V
GG
p
+
Regiões de G
Depleção
+ +
V V
DD GG
Fig. 2 – Polarização do JFET
A figura 2 apresenta o circuito de polarização de um transistor JFET de canal n. Observa-se que

para que seja possível o controle da corrente de dreno são necessárias as seguintes condições:
VDD > 0
VGG < 0
____________________________________________________________________________________________________
página 32
unesp
O fluxo de elétrons da fonte para o dreno depende da largura do canal, isto é, polarização reversa
na porta causa aumento das regiões de depleção, diminuindo a largura do canal e dificultando
desta forma a passagem da corrente entre o dreno e a fonte (é uma região de íons, formada pela
difusão pela junção). Desta forma temos as seguintes condições:
a) LARGURA DO CANAL: depende da tensão VGG, isto é, quanto mais negativa, maior será a
região de depleção e portanto, mais estreito o canal.
b) TENSÃO DE CORTE (VGS): é a tensão suficiente para desaparecer o canal (VGScorte)

também conhecida como Tensão de Deslocamente (pinch-off).
c) CORRENTE DE FUGA DA PORTA: Como a junção da porta opera em polarização

reversa, tem-se uma corrente baixa; desta forma, a CORRENTE DE DRENO é igual à CORRENTE
DA FONTE (ID). Esta é a causa da alta impedância de entrada dos JFET.
OBS: Como a polarização reversa entre a porta e a fonte (VGS) não consome corrente e a largura
do canal depende de VGS, o controle de ID é efetivamente feito pela tensão da porta.
CURVAS DE DRENO
ID
Parábola
2
I d=kV
V GS = 0
Idss= 10mA
Vp
V GS = -1
5.62mA
VGS = -2
2.5mA
VGS = -3 VGS = -4
0.625mA
V DS
4 15 30
Fig. 3 - Curvas de Dreno do JFET
A figura 03 apresenta as curvas de dreno de um JFET tipo n. Observa-se que estas características
são semelhantes às características de um transistor BJT, apresentando as regiões de saturação,
ruptura, e região ativa. Observa-se também que, nestas características, a região entre VDS = 0 e
VDS = 4V apresenta um comportamento linear (região ôhmica) e que a partir de Vp a resistência
aumenta. Para VGS = 0 (porta em curto) e uma tensão VDS = Vp a corrente de dreno assume o
valor IDSS, que é a máxima corrente de dreno (drain-source short circuit current).
Observa-se que há uma semelhança entre as características de dreno do transistor JFET com as
características de coletor de um transistor BJT.
Nota-se uma região de saturação, compreendida entre VDS = 0 e VDS = Vp.
Há uma equivalência entre corrente de dreno no JFET e corrente de coletor do BJT, bem como
entre a tensão dreno-fonte do JFET e a tensão coletor-emissor do BJT.
____________________________________________________________________________________________________
página 33
unesp
A região de saturação do JFET também é conhecida como REGIÃO ÔHMICA, pois nesta região a
resistência entre dreno e fonte é dependente da tensão de controle da porta. Daí o fato dos
transistores FET poderem ser utilizados em circuitos onde se necessita o controle de resistência
através de tensão.
Uma característica importante do transistor FET é que este apresenta uma tensão VGS de corte
igual a tensão Vp (máxima na saturação).
CURVAS DE TRANSCONDUTÂNCIA
A curva de transcondutância relaciona a corrente de saída com a tensão de entrada de um

JFET. Através da Equação de Schokley relaciona-se a corrente ID com a tensão VGS, segundo
uma relação quadrática:
2
 VGS 
I D = I DSS 1 − 
 VGS ( corte ) 
Como o JFET apresenta uma relação quadrática entre a corrente de dreno-fonte e a

tensão de controle VGS, diz-se que este dispositivo é um dispositivo de Lei Quadrática.
ID
I Dss
arco de parábola
VGS
VGS(corte)
Fig. 4 - Curva de Transcondutância
Na região ôhmica, o JFET apresenta a seguinte relação para a sua resistência de canal:
ro
rD =
 VGS 
1 + 
 V p 
2
Idmax = KV , onde K é uma constante especificada pelo fabricante.
____________________________________________________________________________________________________
página 34
unesp
3.0 PROCEDIMENTO
1. Coloque a placa EB-112 nas guias do bastidor, encaixe o conector e ligue o sistema.
2. Execute os passos contidos na folha de Informações Gerais para entrar no Modo de
Experiência.
3. Localize o circuito da figura 5 na placa de circuito impresso e faça as ligações indicadas.
A +
Vo1
D
Q1 (+) PS-1
Ids
G
S
R4
1 MΩ Vgs Vds
osciloscópio osciloscópio
PS-2
Fig. 5 – Circuito com JFET
CURVAS DE DRENO
4. Digite "∗" para mudar o indicador de experiências para 2.
5. Ajuste Vgs = 0 através de PS-2. Varie Vds ajustando PS-1 para obter tensões de acordo com a
figura 6. Meça e registre os valores das tensões e correntes para cada caso.
PRESTE ATENÇÃO: Mudanças na escala do amperímetro afetam as medidas e ajustes! Se

mudar a escala do amperímetro, refaça o ajuste de Vds. Usar o osciloscópio no modo HF Rej.
Levantar os dados para uma curva de Vgs de cada vez. Aterrar Vin2 para evitar ruídos.
Vds[V] 0 0.1 0.25 0.5 1.0 2.0 5 10

Vgs[V] Id[mA]
0
-0.25
-0.5
-1.0
-3.0
Fig. 6 – Características do Dreno
6. Repita o passo anterior para todos os valores de Vgs da tabela e complete-a.

7. Em seguida, trace as Curvas Características de Dreno (conforme sugestão na figura 7), a partir
dos valores medidos e responda:
Quais são os valores de Idss e Vp (quando Vgs = 0 ) ?
____________________________________________________________________________________________________
página 35
unesp
ID [mA]
2.0
1.5
1.0
0.5
0 VDS [V]
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Fig. 7 – Curvas Características de Dreno
CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERÊNCIA
8. Usando os resultados obtidos na figura 6, registre as variações da corrente de dreno Id com a

variação na tensão de porta Vgs, para três tensões Vds diferentes, conforme indicado na figura 8.
Vgs[V] 0 -0.25 -0.5 -1.0 -3.0

Vds[V] Id[mA]
0.1
1
10
Fig. 8 – Características de Transferência
9. Trace as Curvas Características de Transferência conforme sugestão na figura 9.
I [mA]
D
2.0
1.5
1.0
0.5
V [V]
GS
-3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5
Fig. 9 – Curvas Características da Transferência
____________________________________________________________________________________________________
página 36
unesp
RESISTÊNCIA DO CANAL (Rds)

10. Retorne as fontes PS-1 e PS-2 aos seus valores mínimos (zerar as fontes). Monte o circuito de
teste da figura 10. Obs: Neste circuito, a fonte PS-1 precisa ser ligada com fio. Use o voltímetro na
menor escala.
R3 Vo1
Vin1
(+)PS-1
Q1
R4
V
Vds
Fig. 10 – Circuito Para Medida de Resistência "ON"
11. Digite "∗" para mudar o contador de experiências para 3.

12. Ajuste a fonte PS-1 inicialmente para 1V (meça com o voltímetro diretamente em Vin1).
13. Meça a tensão Vds para as duas situações indicadas na figura 11 e calcule o valor da
resistência de canal Rds(on) em Ohms, para cada caso, considerando-se que R3 vale 10kΩ.
Houve alteração no valor de Rds(on) ? Por que Vds tem que ser baixo ?
Vds [mV] PS-1 [V] Rds(on) [Ω]

1 Vds R3 .Vds
Rds (on ) = =
Id ( PS 1 − Vds )
2
Fig. 11 – Medidas de Resistência do Canal
O FET COMO RESISTÊNCIA VARIÁVEL (ATENUADOR)

15. Retorne as fontes PS-1 e PS-2 aos seus valores mínimos (zerar as fontes) e faça as ligações
do circuito da figura 12. O circuito é um divisor resistivo R3-Rds, observe !
16. Ajuste Vgs para 0V e aterre a entrada Vin2 .
17. Ajuste a frequência do gerador de sinais para 1kHz e sua amplitude para 200mVp-p com uma
componente contínua de 100mV, como mostra a Fig. 13. (osciloscópio em DC)
18. Meça a tensão dreno-fonte Vds e anote os valores de pico-a-pico na Figura 10. Meça e
registre o valor da tensão de entrada Vin1 ao mesmo tempo. Varie Vgs de acordo com a tabela da
Fig. 14 e complete-a.
Responda: As mudanças em Vds são lineares ? Por que ?
Obs: Rds é diferente para cada Vgs.
19. Aumente Vent para 3Vp-p com uma componente contínua de 1,5V. Varie o valor de Vgs entre
0V para –5V e observe as mudanças em Vds.
Responda: Há distorções ? Explique as causas.
____________________________________________________________________________________________________
página 37
unesp
20. Encerre, digitando # 3 * .
Vin1 R3 Vo1
10k
Q1
gerador R4 Vds
1M
~ V
Vgs osciloscópio
osciloscópio
PS-2
Fig. 12 – O FET como Atenuador
200
100
Fig. 13 – Forma de Onda do Sinal de Entrada
Vgs [V] Vds [mVpp] Vin1 [mVpp]

0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-5.0
Fig. 14 – Medidas de Atenuação
____________________________________________________________________________________________________
página 38
unesp
CIRCUITO AMPLIFICADOR COM JFET
1.0 OBJETIVOS
1. Medir os valores CC no circuito amplificador com JFET.

2. Determinar a resposta em frequência experimental do amplificador com JFET.
3. Verificar como as mudanças no resistor de carga alteram o valor do ganho de tensão.
2.0 DISCUSSÃO
De maneira análoga ao que ocorre com os transistores bipolares de junção (BJT), nos transistores
de efeito de campo de junção (JFET), o sinal de saída é invertido em relação ao sinal de entrada,
e para o seu funcionamento é necessária a polarização CC.
Ainda de maneira análoga, com o JFET é possível construir-se amplificadores Fonte-Comum,
Dreno-Comum, associar estágios em cascata e montar circuitos muito parecidos com aqueles
construídos com o BJT.
O amplificador FET tem menor ganho e impedância mais alta que os amplficadores similares com
BJT, além de ser menos sensível à radiação e gerar menos ruído.
3.0 PROCEDIMENTO
TENSÕES DE POLARIZAÇÃO
Experiência.
3. Localize o circuito da figura 1 na placa de circuito impresso e faça as ligações indicadas.
Vo1 R1
D
Q1 (+) PS-1
(VDD)
G
R4 S
V
1 MΩ
RV1
C3
Fig. 1 – Polarização do Amplificador Fonte Comum (SC)

5. Ajuste Vdd ajustando a fonte PS-1 para +12V. (utilize o voltímetro).
____________________________________________________________________________________________________
página 39
unesp
OBS.: Se não for possível ajustar a fonte PS-1 para 12V, ajustar para o maior valor possível.
Anote o resultado na tabela da Figura 2.
6. Ajuste RV1 de modo que a tensão VD (medida no multímetro) seja 6V (ou aproximadamente a
metade da tensão Vdd ajustada, caso esta não tenha sido +12V).
ATENÇÃO: Após ajustar RV1, cuidado para não encostar no botão do potenciômetro, pois
este desajusta-se com facilidade.
7. Meça as demais tensões de polarização do JFET e registre na tabela da Figura 2.
VDD [V] VS [V] VD [V] VGS [V]
Fig. 2 – Tensões de Polarização do Amplificador SC
RESPOSTA EM FREQUÊNCIA
8. Retire o voltímetro do circuito. Para verificar o funcionamento do amplificador SC, acrescente o
gerador de sinais e os 2 canais do osciloscópio, conforme esquema na figura 3.
(+) PS-1
R1=RL=10kΩ
C1
Q1 Vo2
VIN2 C2 D
G
S
R4
1MΩ VOUT
Gerador
de
Sinais ~ VIN RV1
C3
Fig. 3 – Amplificador Fonte Comum (SC)
9. Ajuste o gerador de sinais para um sinal senoidal de 1kHz e amplitude de 200mVpp (medir no
GATE).
11. Meça as tensões de entrada e saída e registre-as na tabela da Figura 4.
____________________________________________________________________________________________________
página 40
unesp
12. Varie a frequência do gerador de sinais de acordo com os valores da tabela da figura 4;
registre os valores de tensão de saída, conferindo sempre se a tensão de entrada e corrigindo-a,
se necessário.
13. Calcule o ganho de tensão Av = Vout/Vin e complete a tabela.
f [kHz] VIN [mVpp] VOUT [Vpp] Av
0,1 200
1 200
5 200
10 200
20 200
30 200
50 200
70 200
100 200
Fig. 4 – Variação do Ganho com a Frequência para o Amplificador SC
14. Esboce o gráfico da resposta em freqûência para o amplificador SC sob análise na Figura 5.
1 2 3 4 5 6
10 10 10 10 10 10
Fig. 5 – Resposta em Frequência para o Amplificador SC
____________________________________________________________________________________________________
página 41
unesp
Usando o valor da transcondutância encontrado na experiência anterior, calcule o ganho

usando a expressão Av = gm.R1 e compare com os resultados experimentais obtidos. São
próximos? São coerentes?
EFEITO DA VARIAÇÃO DE CARGA

15. Utilizando-se do mesmo circuito anterior, retorne a frequência do gerador para 1kHz.
17. Meça e registre na tabela da Figura 6 os valores de Vin e Vout para RL=R1.
18. Altere o valor da carga para RL=R2 e meça novamente os valores de Vin e Vout, registrando-
os na tabela da Figura 6.
19. Calcule o ganho de tensão Av para ambos os casos e registre-os na tabela da Figura 6.
RL VIN [mVpp] VOUT [Vpp] Av
Ω
R1=10 kΩ
Ω
R2=2.2 kΩ
Fig. 6 – Efeito da Variação da Carga sobre o Ganho de Tensão no Amplificador SC
Usando o valor da transcondutância encontrado na experiência anterior, calcule o ganho

usando a expressão Av = gm.R1 e compare com os resultados experimentais obtidos. Comente.

PREVISTO.
____________________________________________________________________________________________________
página 42
unesp
CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR MOSFET
1.0 OBJETIVOS
1. Traçar as curvas características do MOSFET a partir de valores medidos.
2. Ligar o MOSFET como uma chave digital e determinar suas características de comutação.
3. Ligar o MOSFET como uma chave analógica e determinar suas características de comutação.
2.0 DISCUSSÃO
Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFET) apresentam diversas

semelhanças e algumas diferenças em relação aos Transistores JFET; a principal diferença é o
fato da porta ser totalmente isolada do canal por uma camada de óxido (dióxido de silício). Com
isto, o dispositivo apresenta uma impedância de entrada infinita e, dependendo da construção,
tamanho físico bastante reduzido, quando comparado ao BJT ou ao JFET de mesma potência.
Esta característica permite a construção de circuitos integrados com altíssima escala de
integração (VLSI).
Apresenta-se a seguir o apecto construtivo básico de MOSFET tipo intensificação e tipo depleção.
SiO 2
n
D
n+
D
substrato
_
p
G SS
p
G
(substrato)
Contatos
Metálicos n
S
S n n+ Canal n
p
MOSFET TIPO DEPLEÇÃO
SiO 2
n
D
D
n+
substrato
_
p
G
G SS
p (substrato)
Contatos S
Metálicos
S n n+ sem canal
p
MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO
____________________________________________________________________________________________________
página 43
unesp
CARACTERÍSTICAS
A porta é isolada do canal

Substrato é fracamente dopado e conectado ao terminal S (fonte)
Controlado por tensão
O MOSFET depleção pode funcionar também no modo intensificação
FUNCIONAMENTO
a) VGS=0: Com uma polarização nula na porta, não há alteração do canal (fisicamente ou
eletricamente) e a corrente que flui pelo canal corresponde ao fluxo de elétrons livres, da mesma
forma que ocorre nos transistores JFET.
b) VGS<0: Aplicando-se uma tensão negativa na porta estabelece-se um campo elétrico no material
dielétrico de modo que os elétrons do canal são repelidos em direção do substrato e as lacunas do
substrato são atraídas, ocorrendo recombinação de portadores e causando uma diminuição do
número de elétrons livres no canal. Quanto mais negativa for a tensão VGS, menor a corrente entre
o dreno e a fonte (IDS). No MOSFET intensificação permanece a inexistência de canal.
c) VGS>0: Ao aplicar-se uma tensão positiva na porta, estabelece-se um campo elétrico que arrasta
os portadores livres do substrato (corrente de fuga), criando-se assim, novos portadores de
corrente no canal a partir das colisões resultantes, e em decorrência disto há um aumento na
capacidade de condução de corrente no canal; isto é chamado de operação no modo
intensificação. No caso do MOSFET tipo intensificação, o acúmulo de elétrons do substrato junto
ao dielétrico, causado pelo campo aplicado, forma um canal por onde circula a corrente dreno-
fonte.
CURVAS DE DRENO
ID
VGS > 0
IDss
modo intensificação
VGS = 0
modo depleção
VGS < 0
VGS(off)
V DS
Vp
Curvas de Dreno de um MOSFET
____________________________________________________________________________________________________
página 44
unesp
ID
modo depleção modo intensificação
VGS
VGS(off)
Curva de Transcondutância do MOSFET
O VMOS é um MOSFET de potência. Um MOSFET comum trabalha com correntes na ordem de

miliamperes, e o VMOS típico transfere correntes de centenas de miliamperes (exemplo: o
VMOSFET VN10KM tem uma corrente típica de dreno de 300mA).
O VMOS normalmente é usado em circuitos de comutação, na interface entre circuitos integrados
de baixa potência e cargas de alta potência e em amplificadores de potência.
Nota: Há uma diferença de parâmetros entre os MOSFETs de cada unidade, o que é

perfeitamente normal.
3.0 PROCEDIMENTO
CURVAS DE DRENO (CARACTERÍSTICAS DE SAÍDA)

Experiência.
3. Localize o circuito da Fig. 1 na placa de circuito impresso e faça as ligações indicadas.
5. Ajuste Vgs = 0 através de PS-2. Varie Vds ajustando PS-1 para obter tensões de acordo com a
tabela da figura 2. Meça e registre os valores das tensões e correntes para cada caso.
PRESTE ATENÇÃO: Ajuste primeiro V2 (V2 = – PS-2), retire a ponta do osciloscópio do circuito, e
após meça Id. Os resultados serão mais precisos. Mudanças na escala do amperímetro afetam as
medidas e ajustes !
(é perfeitamente normal não serem preenchidos todos os quadradinhos da tabela, principalmente
para valores Vds maiores que 1V.)
____________________________________________________________________________________________________
página 45
unesp
A
R5
Vout2
(+) PS-1
Q2
Vin2
Vds
R6
Vgs
osciloscópio
osciloscópio
V2
Fig. 1 – Circuito de teste VMOS
Vds[V] 0 0.05 0.1 0.25 0.3 0.35 0.4 0.5 1.0 5.0
Vgs[V] Id[mA]
0
1
1.5
2.5
Fig. 2 – Características do Dreno – VMOS
6. Repita o passo anterior para todos os valores de Vgs da tabela e complete-a.

7. Após, trace as Curvas Características de Dreno na figura 3 (monolog) (ID x VDS), a partir dos
valores medidos e responda:
7.1 - Por que nem sempre Vds pode atingir Vdd ?
7.2 - O VMOS é semelhante a qual dispositivo ? Qual é a principal diferença ?
____________________________________________________________________________________________________
página 46
unesp
1 2 3 4 5 6
10 10 10 10 10 10
Fig. 3 – Curvas de Dreno VMOSFET
RESPOSTA À ONDA QUADRADA

8. Zerar as fontes PS-1 e PS-2 (retorne-as aos seus valores mínimos, em módulo).
9. Altere o circuito anteriormente montado para o indicado na figura 4a. e digite "∗" para mudar o
indicador de experiências para 12.
10. Ajuste o gerador de sinais para fornecer uma onda quadrada entre 0V e 5V (saída TTL) de
10kHz e fixe a fonte PS-1 em 5V.
11. Com o osciloscópio, obtenha as formas de onda de entrada e saída e esboce-as na figura 4b.
Indique os valores de tensão e tempo.
R5 Vout2
(+) PS-1
Q2
Vin2
Vout
Vin R6
Gerador
osciloscópio.
osciloscópio
Fig. 4a – O VMOS como comutador para onda quadrada
12. Repita o procedimento para as frequências de 1Hz, 10Hz, 100Hz, 1kHz, 10kHz, 100kHz, 1MHz
(não é preciso anotar as formas de onda, apenas observe o comportamento).
____________________________________________________________________________________________________
página 47
unesp
Observe atentamente os resultados observados para estas frequências e responda:

12.1 - Como é a resposta à frequência ?
12.2 - Existem distorções devido ao aumento da frequência ?
12.3 - Compare a linearidade com um circuito semelhante que use um transistor bipolar.
13. Mantendo a frequência em 10kHz, varie PS-1 e observe o que ocorre com VdsON. Explique.
Vin(V) Vout(V)
5 5
0 t 0 t
Fig. 4b – Características de comutação do VMOS para onda quadrada
O VMOS-FET COMO CHAVE ANALÓGICA (COMUTADOR ANALÓGICO)

14. Zerar as fontes PS-1 e PS-2 (retorne aos seus valores mínimos, em módulo).
15. Altere o circuito anteriormente montado para o indicado na figura 5a. e digite "∗" para mudar o
indicador de experiências para 13.
16. Ajuste o gerador de sinais de modo que Vin1 seja uma senóide com aproximadamente 3,3Vpp,
toda positiva (valor mínimo de 0.2V e máximo de 3.5V), com frequência de 1kHz. (ajustar o off-set
do gerador).
17. Ligue alternadamente o resistor R6 a +5V ou à terra, como indicado pelas setas tracejadas na
figura 5a., para operar o circuito como uma chave.
Cuidado para não ligar os dois jumpers ao mesmo tempo, o que causaria uma curto-circuito
na fonte de alimentação.
18. Ligue e desligue o VMOS-FET e esboce as formas de onda de entrada e saída conforme
sugestão na figura 5b.
19. Desligue o VMOS e determine se a chave VMOS funciona como uma chave ideal nas
frequências de 10Hz, 100Hz, 10kHz e 100kHz.
20. Mude a senóide para uma onda quadrada e observe. Como é a resposta do VMOS ?
21. Reajuste o gerador de sinais para fornecer uma onda senoidal de 1kHz com picos entre -3V e
+3V, e observe com o osciloscópio a forma de onda de saída enquanto o VMOS corta e conduz.
Responda:
21.1 - O VMOS-FET é uma chave analógica bidirecional ? Por que ?
21.2 - O que acontece se você usar uma fonte variável em vez da tensão de +5V ?
____________________________________________________________________________________________________
página 48
unesp
Vin1
Q2
Vin
Gerador
~ osciloscópio
Vout1
R6 R7
Vout
osciloscópio
+ 5V
Fig. 5a. – O VMOS como comutador (chave) analógico
Vin(V)
4
0 t
Vout(V)
4
0 t
on off on off on off
Fig. 5b – Formas de Onda do Comutador Analógico (Chave Analógica com MOSFET)
____________________________________________________________________________________________________
página 49
unesp
MODO DE PRÁTICA

23. Ligue o VMOS como uma chave analógica (vide figura 5a).
24. Ajuste o gerador de sinais de modo que Vin1 seja uma senóide entre 0.2V e 3.5V de 1kHz.
25. Ligue o resistor R6 a +5V.
26. Siga os passos descritos no folheto de Informações Gerais - item B - para introduzir o Modo de
Prática, e insira o código de falha nº 6 ("X"=6).
27. Observe os sinais de entrada e saída e compare com as formas de onda da figura 5b.
Responda:
Há alguma diferença ? O que pode ter causado esta diferença ?
28. Volte ao Modo de Experiência, seguindo as instruções do ítem C da Informações Gerais.


PREVISTO.
____________________________________________________________________________________________________
página 50
unesp
CIRCUITO AMPLIFICADOR COM MOSFET
1.0 OBJETIVOS
1. Montar um amplificador Fonte Comum utilizando um transistor MOSFET e os componentes

disponíveis na placa EB-112.
2. Medir o ganho do amplificador e observar sua resposta em frequência.
2.0 DISCUSSÃO
De maneira análoga aos circuitos amplificadores construídos com Transistores Bipolares de

Junção (BJT) e com os Transistores de Efeito de Junção (JFET), podem-se construir
amplificadores utilizando Transistores MOSFET nas mesmas configurações. O amplificador Fonte
Comum apresenta as mesmas características do amplificador SC com JFET, ou seja, alto ganho,
inversão de fase na saída e alta impedância de entrada.
3.0 PROCEDIMENTO
GANHO DE TENSÃO
Experiência.
4. Observe o circuito da Figura 1 e localize na placa EB-112 os componentes necessários para
construir o amplificador SC esquematizado.
5. Após montar o amplificador, ajuste PS-1 para 10V (Vdd) .
6. Ajuste Vg de modo a obter uma tensão Vds de aproximadamente 5V (meio da reta de carga).
7. Aplique na entrada um sinal senoidal de f=1kHz e valor pico-a-pico de 40mV.
8. Observe e anote na Figura 2 as formas de onda de entrada e saída, observadas
simultaneamente nos dois canais do osciloscópio.
9. Calcule o ganho de tensão nesta situação.
RESPOSTA EM FREQUÊNCIA
10. Utilizando o mesmo circuito de amplificador já montado, varie a frequência do sinal de entrada
e observe o comportamento do amplificador na faixa estabelecida (valores na tabela da Figura 3).
11. Trace o gráfico Ganho X Frequência na Figura 4 e entenda o resultado observado.
____________________________________________________________________________________________________
página 51
unesp
PS-1
10kΩ
Q
C
10kΩ Vin V
Vd
~ R V
100µF
osciloscópio
5kΩ
+ osciloscópio
V
Fig. 1 – Circuito Amplificador Fonte Comum SC
Canal 1 – sinal de entrada (gerador)

AC DC
Canal 2 – sinal de saída

AC DC
escala horizontal: _______ s/div
OBS: Indicar onde foi ajustada a

referência de tensão (GND)
Fig. 2 – Tensões de Entrada e Saída do Amplificador SC
____________________________________________________________________________________________________
página 52
unesp
f [kHz] VIN [mVpp] VOUT [Vpp] Av
0,1 40
1 40
5 40
10 40
20 40
30 40
50 40
70 40
100 40
200 40
500 40
1000 40
Fig. 3 – Variação do Ganho com a Frequência para o Amplificador SC
1 2 3 4 5 6
10 10 10 10 10 10
Fig. 4 – Resposta em Frequência do amplificador SC
____________________________________________________________________________________________________
página 53

Apostila Laboratório de Eletrônica

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UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA JÚLIO DE MESQUITA FILHO

Campus Universitário de Bauru

Prof. Dr. Alceu Ferreira Alves

Horários das Aulas

Turma 2313EE21 Terças-feiras 14h00 Lab 33 Prof. Alceu

02 06/10 Prática 1 – Características do Diodo de Junção

03 13/10 Prática 2 –Circuito Retificador de Meia Onda

04 20/10 Prática 3 – Circuitos com Diodos Retificadores (1ª parte)

05 27/10 Prática 4 – Circuitos com Diodos Retificadores (2ª parte)

07 10/11 Prática 6 – Regulador a Diodo Zener

Prova de Laboratório PL1 – frequência e matéria relativas às

09 24/11 Prática 7 – Características do Transistor Bipolar

23/02 Prova de Recuperação – Lab. 33 – horário a combinar (tarde)

1) Não há relatórios semanais.

NORMAS DE UTILIZAÇÃO DO LABORATÓRIO DIDÁTICO

PENSE PRIMEIRO, FAÇA DEPOIS !

Não é permitido fumar, comer ou beber dentro do Laboratório Didático.

CARACTERÍSTICAS DO DIODO DE JUNÇÃO

1. Medir a tensão e a corrente do diodo quando em polarização direta.

Os diodos semicondutores podem ser polarizados diretamente ou reversamente. Idealmente pode-

Fig. 1 – Circuito de Polarização Direta

Fig. 2 – Medidas de Corrente Direta no Diodo

Fig. 3 - Característica V-I do Diodo

7. Monte o circuito da Fig. 4.

PS-1 PS-2 osciloscópio

Fig. 4 - Circuito de Polarização Reversa

Fig. 5 - Medidas de Corrente Reversa

ATENÇÃO: APÓS A EXPERIÊNCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS

CIRCUITO RETIFICADOR DE MEIA ONDA

1. Verificar o funcionamento do diodo de junção como retificador de meia onda.

RETIFICAÇÃO DA ONDA SENOIDAL

Fig. 1 – Circuito Retificador de Meia Onda

Canal 1 - Vin (gerador)

escala vertical: _____ V/div

escala vertical: _____ V/div

escala horizontal: ____ ms/div

Fig. 2 – Retificação da Onda Senoidal

CURVA DE TRANSFERÊNCIA SENOIDAL

Fig. 3 – Característica de Transferência de Tensão da Onda Senoidal

ATENÇÃO: APÓS A EXPERIÊNCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS

CIRCUITOS RETIFICADORES – 1ª PARTE

Após completar estas atividades de laboratório, você será capaz de:

1. Verificar o funcionamento de um retificador de meia onda, tendo como gerador um

RETIFICADOR DE MEIA ONDA SEM FILTRO

SGin VN1 D1 Vout(+)

Fig. 1 - Circuito Retificador de Meia Onda

É possível observar a queda de tensão sobre D1 ?

VN1, Vout [V]

Fig. 2 - Formas de Onda de um Retificador de Meia Onda

Fig. 3 - Forma de Onda da Tensão sobre R21

RETIFICADOR DE MEIA ONDA COM FILTRO CAPACITIVO

VN1, Vout [V]

Fig. 4 - Formas de Onda de um Retificador de Meia Onda com Filtro Capacitivo

Fig. 5 - Forma de Onda da Tensão de Ripple para o Retificador de Meia Onda

Fig. 6 - Forma de Onda da Tensão sobre R21 com Filtro Capacitivo

ATENÇÃO: APÓS A EXPERIÊNCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS

CIRCUITOS RETIFICADORES – 2ª PARTE

Após completar estas atividades de laboratório, você será capaz de:

Os retificadores de onda completa são circuitos capazes de converter tensão e corrente

RETIF. DE ONDA COMPLETA COM TRANSFORMADOR COM CENTER-TAP, SEM FILTRO

Fig. 1 – Circuito Retificador de Onda Completa com Tap

VN1, VN2, Vout [V]

Fig. 2 – Formas de Onda de um Retificador Onda Completa com Tap

RETIF. DE ONDA COMPLETA COM TRANSFORMADOR COM CENTER-TAP, COM FILTRO

* ATENÇÃO: O JUMPER DO TAP CENTRAL ESTÁ ABERTO! *