ÍNDICE

Introdução……….…………………………………………………………..…………………2

Efeito piezo-resistivo ………………………………………………….....…..……………….3

História (efeito piezo-resistance)………………...………………………...…………………..3

Mecanismo...…………..…….……………………………………….………………………..3

Pzeo-resistência em metais……………..………………………….......………………………4

Efeito piezo-resistivo em semicondutores………………….…………………………………5

Conclusão…………………………………………………………..………………………….7

Bibliografia…………………………………………….……………..………………………..8
 INTRODUÇÃO

Em nano-estruturas semicondutoras que são suficientemente pequenos, pode haver uma

mudança significativa na estrutura electrónica devido ao confinamento quântico. Dado que no
material a granel está intimamente relacionado à estrutura electrónica é natural que também
pode ser modificada por confinamento quântico. A primeira indicação experimental disso é o
trabalho inicial na camada de inversão superfície de germano em massa.

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 EFEITO PIEZO-RESISTIVO:

O efeito piezo-resistivo é uma mudança na resistividade eléctrica de um semicondutor de

metal ou quando é aplicada tensão mecânica. Em contraste com o efeito piezoeléctrico, o
efeito piezo-resistivo provoca uma mudança apenas na resistência eléctrica, que não no
potencial eléctrico.

HISTÓRIA (EFEITO PIEZO-RESISTANCE)

Em 1856, Lord Kelvin descobriu o fenômeno do efeito piezoresistance. No entanto, o

praticabilidade do princípio só foi aplicado a um medidor de tensão, em 1939, com o metal
utilizado para o material medidor de tensão. Medidores de tensão são agora usados em muitas
aplicações de medição, tal como para os mecanismos, edifícios, aviões e escalas. Mas, a
mudança para uma taxa de resistência medidor de pressão de metal é muito pequena.

Como resultado, em aplicações que requerem a detecção de pequenas quantidades de

tensão, medidores de tensão de metal não fornecem uma sensibilidade suficiente ou relação
sinal / ruído. Em 1954, Smith primeiro exercida pressão na direcção axial sobre um veio que
tinha sido dopado com silício e germânio, e em seguida, mediu a taxa de mudança da
resistência na direcção vertical (Smith, 1954). A relação física entre a resistência e stress é
estabelecido pela primeira vez. O princípio e arquitectura de um piezo-resistiva sensor de
pressão(Petersen, 1982; Thurston, 1964).

A alteração da resistência eléctrica em dispositivos metálicos devido a uma carga

mecânica aplicada foi descoberta pela primeira vez em 1856 por ‘Lord Kelvin’. Com silício
mono-cristalino tornando-se o material de escolha para o projecto de circuitos analógicos e
digitais, o grande efeito piezo-resistivo em silício e germânio foi descoberto pela primeira vez
em 1954 (Smith 1954).

MECANISMO

Na condução e materiais semi-condutores, mudanças no espaçamento interatómica

resultantes da estirpe afectar as bandas, tornando mais fácil (ou mais, dependendo do material
e tensão) para que os electrões ser levantados para a banda de condução. Isso resulta em uma
mudança na resistividade do material. Dentro de uma certa gama de tensão essa relação é
linear, de modo a que o coeficiente de piezoresistivo seja constante.

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 Onde:

∂ρ = Mudança na resistividade;

ρ = Resistividade original;

ε = Estirpe é constante.

PZEO-RESISTÊNCIA EM METAIS

Normalmente, a mudança de resistência em metais é principalmente devido à mudança

da geometria resultante da tensão mecânica aplicada. No entanto, mesmo que o efeito piezo-
resistivo é pequena em tais casos, muitas vezes não é negligenciável. Em casos em que é,
pode ser calculada utilizando a equação simples resistência derivada da lei de Ohm;

Onde:

=Comprimento do condutor [m]

A =área da seção transversal do fluxo de corrente [m²]

ρ = Resistividade.

Alguns metais podem exibir a sua Pzeo-Resistencia, que é muito maior do que a
variação de resistência devido à geometria. Em ligas de platina, por exemplo, Pzeo-
Resistencia é mais do que um factor de dois maiores, combinando-se com os efeitos de
geometria para dar uma sensibilidade medidora de tensão de até mais do que três vezes maior
do que devido a uma geometria efeitos por si só. Pzeo-Resistencia de níquel puro é -13 vezes
maior, superando completamente e até mesmo inverter o sinal da mudança de resistência
induzida pela geometria.

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 EFEITO PIEZO-RESISTIVO EM SEMICONDUTORES

O efeito piezo-resistivo de materiais semi-condutores pode ser várias ordens de

magnitude maiores do que o efeito geométrico e está presente em materiais como germânio,
silício policristalino, de silício amorfo, carboneto de silício, e de silício de cristal único.
Assim, medidora de tensão de semicondutores com um alto coeficiente de sensibilidade pode
ser construída. Para medições de precisão são mais difíceis de lidar do que os medidores de
tensão de metal, porque medidores de tensão de semicondutores são geralmente mais
sensíveis às condições ambientais (temperatura).

Para o silício, factores de calibre pode ser de duas ordens de magnitude maiores do que
as observadas na maioria dos metais (Smith 1954). A resistência do condutor no silício
principalmente mudanças devido a uma mudança dos três pares vale realizando diferentes. A
mudança provoca uma redistribuição dos transportadores entre vários, com mobilidades
diferentes.

Isto resulta em diferentes mobilidades dependentes da direcção do fluxo da corrente.

Um efeito secundário é devido à variação da massa efectiva relacionada com formas
mutantes dos vales. No silício para ser condutora os fenómenos são mais complexas e
também resultar em mudanças em massa e transferência buraco.

A tensão provoca uma mudança de resistividade em silício e germânio de ambos os

tipos de n e p. O tensor de piezoresistance completa tem sido determinada experimentalmente
para estes materiais e expressa em termos do coeficiente de resistividade de pressão e dois
coeficientes de cisalhamento simples.

Um dos coeficientes de corte para cada um dos materiais é excepcionalmente grande e

não pode ser explicada em termos dos mecanismos anteriormente conhecidos. É discutida a
possível mecanismo microscópico proposto por C. Herring, que poderia ser responsável por
uma grande constante de cisalhamento. Este assim chamado efeito de transferência de
electrões surge na estrutura das bandas de energia desses semicondutores, e podem, portanto,
dar piezo-resistance informação experimental direita importante sobre esta estrutura.

Piezoresistance (PZR) é a variação da resistividade eléctrica de um sólido induzido por

uma tensão mecânica aplicada. A sua origem em grandes quantidades, os materiais
cristalinos, como silicone, é principalmente uma mudança na estrutura electrónica que leva a
uma alteração da massa eficaz os portadores de carga. Os últimos anos têm visto um interesse

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crescente nas propriedades PZR de nano-estruturas semicondutoras, motivados em parte por
reivindicações de um PZR gigante em Silicon nanofios mais de duas ordens de magnitude
maior do que o efeito volume conhecido.

Esta avaliação tem como objectivo apresentar a controvérsia em torno reivindicações

e contra reivindicações de PZR gigante em nano-estruturas de silício resumindo os principais
trabalhos realizados ao longo dos últimos 10 anos. As principais conclusões a retirar da
literatura são de que:

a. Comprovante reprodutível para um PZR gigante em nanofios fechado é limitado,

b. Em nanofios fechado PZR gigante foi reproduzida por vários autores,
c. O efeito gigante é fundamentalmente diferente da ou a granel Silicon PZR ou que,
devido ao confinamento quântico, as evidências apontando para uma origem
eletrostática, iv) divulgou nanofios tendem a ter um pouco maior PZR de nano-
fios un-lançado, e v) o trabalho insuficiente foi realizada em nanofios de baixo
para cima crescidos para ser capaz de excluir uma diferença fundamental em suas
propriedades quando comparado com nanofios de cima para baixo. Com base
neste, possíveis direcções futuras pesquisas são sugeridas.

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 CONCLUSÃO

Depois de fazer o trabalho com o tema principal o Efeito Pzeo-Resistencia e Semicondutores

de Germano, Constatou-se que Cartões sondas desempenham um papel extremamente
importante na indústria de semicondutores. Neste estudo, que concebido um sensor piezo-
resistivo CMOS força a ser aplicada para os cartões de sonda. Capaz de monitorar
simultaneamente a sonda reagir sinais de força e eléctricos, o projectado sensor pode ajudar
as operadoras a identificar imediatamente um partido ou uma sonda deformado e reconhecer
que os sinais recebidos são erróneos.

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 BIBLIOGRAFIA

 Y. Kanda, "Piezoresistance Effect of Silicon," Sens. Actuators, vol. A28, no. 2,

pp. 83–91, 1991.
 S. Middelhoek and S. A. Audet, Silicon Sensors, Delft, The Netherlands: Delft
University Press, 1994.
 A. L. Window, Strain Gauge Technology, 2nd ed, London, England: Elsevier Applied
Science, 1992.
 C. S. Smith, "Piezoresistance Effect in Germanium and Silicon," Phys. Rev., vol. 94,
no. 1, pp. 42–49, 1954.