CAPÍTULO 4

MOS
Cap. 4 1

Problema MOS1

Considerar o circuito da figura, que contém um transistor MOSFET de canal n, cujas

características são as seguintes:
MOSFET: espessura do óxido: a = 0,2 μm;
largura dos eléctrodos: b = 150 μm
comprimento do canal: L = 10 μm;

densidade de impurezas do substrato: N A = 0, 2 × 1021 m −3 ;

tensão U GB correspondente a carga espacial nula no semicondutor junto

ao óxido: U GB = −2 V ;

densidade de impurezas na fonte e no dreno: N D = 1024 m −3 .

Silício (T=300K): ni = 1, 4 × 1016 m −3 ;

ε = 10−10 F/m ;

μ*n = 0,05 m 2V −1s −1

SiO2 (T=300K): ε0 x = 0,33 × 1010 F/m

Determinar o ponto de funcionamento em repouso para: a) VG = 0 V ; b) VG = 3 V

Nota: desprezar a contribuição da carga na região de depleção no substrato para a corrente de

dreno.
+5 V

RL = 1 k Ω

D
VG G

S
Cap. 4 2

Resolução

A tensão gate-fonte de limiar é dada pela expressão:

Qss QB
U GSlim = −Vms − − + φSinv (1)
C0 C0

onde:

NA
φSinv = 2uT ln = 0,5 V (2)
ni

Na situação de carga espacial nula no semicondutor junto ao óxido tem-se:

Qss
U GS = −Vms −
C0

ou, atendendo a que U GS = U GB :

Qss
Vms + =2 V (3)
C0

De salientar que esta situação corresponde à existência de bandas planas no semicondutor

desde o óxido até ao terminal de substrato (B).

2εφSinv εox Q
QB = − qN A− d max ; d max = ; C0 = ⇒ B = 0,3 V (4)
qN A− a C0

Substituindo (2), (3) e (4) em (1) obtém-se:

U GSlim = −1, 2 V

Trata-se assim de um MOSFET de canal n de empobrecimento ou de depleção.

a) U GS = VG = 0
Hipótese: FET na saturação

b *
I D = I Dsat = μ nC0U D2 sat (5)
2L

Da análise do circuito:

5 = I D RL + U DS (6)
Cap. 4 3

Das equações (6) e (5) obtém-se I D = 0,1 mA e U DS = 4,9 V . Como

U Dsat = U GS − U GSlim = 1, 2 V tem-se que U DS > U Dsat , o que confirma a hipótese de partida.

O ponto de funcionamento em repouso P é dado por:

I DP = 0,1 mA ; U DS P = 4,9 V ; U GS P = 0 V .

b) U GS = VG = 3 V

Hipótese: transistor na saturação

Da equação (5) tem-se I D = 1,3 mA e da equação (6) U DS = 3,7 V . Como U DS < U DSat ,
não se confirma a hipótese: o transistor encontra-se neste caso na zona de não
saturação.

Desprezando a influência da carga fixa do substrato na corrente de dreno, tem-se:

bμ*nC0
ID = ⎡(U GS − U GS lim )U DS − U DS
2
2 ⎤⎦ (7)
L ⎣

Das equações (6) e (7) obtêm-se 2 soluções: U DS1 = 3,6 V e U DS 2 = 21, 4 V . A 2ª

hipótese corresponderia a U DS > U Dsat , além de que fisicamente seria impossível já que

U DS seria superior à tensão da bateria. O ponto de funcionamento em repouso Q é assim

dado por:

I DQ = 1, 2 mA ; U DSQ = 3,8 V ; U GSQ = 3 V

A figura mostra a representação gráfica das duas situações atrás estudadas.

ID

U DS = 3 V
Q

P
U GS = 0 V

UDS (V)
5
Cap. 4 4

Problema MOS2

Considerar o circuito da figura onde:

R1 = 20 kΩ ; R2 = 5 kΩ ; R3 = 9 kΩ ; R4 = 1 kΩ ; E = 10 V

Transistor (T = 300 K ) : U GSlim = −2 V ; A = 2 mA V 2

a) Calcular as tensões e correntes indicadas.

b) Calcular o valor de R4 que leva o transistor à saturação.

c) Calcular ΔU 2 ΔU1 = u2 u1 , admitindo que E sofre uma variação ΔE  E .

d) Repetir c) quando se curto-circuita a resistência R4 .

e) Será possível o transistor entrar na saturação quando R2 = ∞ ? Justificar.

I1
ID R3
R1
D
G
E
S
R4 U2
R2 U1

Resolução

E
a) I1 = (1)
R1 + R2

U1 = I1R2 = U GS + I D R4 (2)

U DS = E − I D ( R3 + R4 ) (3)
Cap. 4 5

Hipótese: Transistor na região de não saturação.

⎣ ( 2
)
I D = A ⎡ U GS − U GSlim U DS − U DS 2⎤
⎦
(4)

De (2) e (3) obtém-se:

U1 − U GS E − U DS
=
R4 R3 + R4

ou seja,

U GS ( R3 + R4 ) U1 ( R3 + R4 )
U DS = E + − = FU GS + G (5)
R4 R4

sendo F = ( R3 + R4 ) R4 = 10 e G = E − FU1 = −10 ( V ) .

De (4) e (5) obtém-se:

⎣ (
I D = A ⎡ U GS − U GSlim ) ( FU GS + G ) − ( FU GS + G ) 2 ⎤
2
⎦

usando (2):

U1 − U GS = AR4 ⎡ FU GS
⎣
2
( )
− FU GSlim U GS − GU GSlim − ( FU GS ) 2 − FGU GS − G 2 2 ⎤
2
⎦

sendo:

( ) ( )
A1 = F − F 2 2 AR4 ; B1 = AR4 − FU GSlim + G − FG + 1 e C1 = − AR4 GU GSlim + G 2 2 − U1 ( )

− B1 ± B12 − 4 A1C1
U GS = ⇒ U GS1 = 1, 0167 V ; U GS2 = 1, 745 V
2 A1

U GS1 ⇒ I D1 = 0,98 mA e U DS1 = 0,167 V com U Dsat = 3, 02 V

1

U GS2 ⇒ I D2 = 0, 25 mA e U DS2 = 7, 45 V com U Dsat = 3, 75 V

2

Como o transistor por hipótese se admitiu na zona de não saturação escolheu-se a solução
1. O ponto de funcionamento em repouso será:

U GS = 1,017 V ; I D = 0,98 mA e U DS = 0,17 V

Cap. 4 6

b) Consideremos a situação correspondente à fronteira saturação/não saturação.

A
( )
2
I Dsat = U GS − U GSlim (6)
2
U1 − U GS
I Dsat = (7)
R4
E − U Dsat
I Dsat = (8)
R3 + R4
U Dsat = U GS − U GSlim (9)

De (6), (7), (8) e (9) obtém-se:

U1 − U GS E − U GS + U GSlim
= ⇒ 18 − 9U GS = 6 R4 (10)
R4 R3 + R4
De (7)

U GS = U1 − R4 I D ⇒ U Dsat = U1 − R4 I Dsat − U GSlim

sat

ou seja:

E − R3 I Dsat − R4 I Dsat = U1 − R4 I Dsat − U GSlim ⇒ I Dsat = 2 3 mA

De (6) e (7):

2 I Dsat
U Dsat = = 0,816 V ⇒ U GS = −1,18 V
A

De (10) obtém-se R4 = 4,78 kΩ . Este é o valor mínimo de R4 que garante que o transistor
se encontre na zona de saturação.

c) R4 = 10 kΩ : o transistor está na zona de saturação.

A
( )
2
I Dsat = U GS − U GSlim (11)
2
U DS = E − I Dsat ( R3 + R4 ) (12)

U1 = U GS + R4 I Dsat (13)

De (11) e (13) considerando:

A2 = AR4 2 ; B2 = − R4 AU GSlim + 1 ; C2 = AR4U GS

2
lim
2 − U1

− B2 ± B22 − 4 A2C2
U GS = ⇒ U GS1 = −2, 68 V ou U GS2 = −1, 42 V
2 A2
Cap. 4 7

Escolhe-se a 2ª solução uma vez que na 1ª se verifica U GS < U GSlim . O ponto de

funcionamento em repouso é I D = 0,34 V ; U DS = 3, 2 V ; U GS = −1, 42 V . Note-se que o

transistor está efectivamente na saturação uma vez que U DS > U Dsat = 0,58 V .

Os parâmetros incrementais do circuito para pequenas variações em torno do P.F.R. são:

g m = AU Dsat = 1,16 mS e g ds = 0

O circuito para componentes incrementais (caso a variação ΔE esteja associada a um sinal

de frequência f, esta pressupõe-se suficientemente baixa para que os efeitos capacitivos
associados ao MOSFET não se façam sentir) é o seguinte:

R1

R3
D
G

gmugs
uds
ugs
R2 u1 S e=ΔE ~
R4

u1 = u gs (1 + g m R4 ) (14)

u2 = e − g mu gs R3 (15)

R2
u1 = e (16)
R1 + R2

De (14), (15) e (16) obtém-se:

u2 R1 + R2 g R
= − m 3 = 0,37
u1 R2 1 + g m R4

d) R4 = 0 : o transistor está na zona de não saturação.

U GS = U1 = 2 V
Cap. 4 8

⎣( )
I D = A ⎡ U GS − U GSlim U DS − U DS
2
2⎤
⎦
(17)

E = I D R3 + U DS (18)

De (17) e (18) obtêm-se as seguintes soluções:

U DS1 = 0,14 V e U DS2 = 7,97 V . Como U Dsat = 4 V exclui-se a 2ª solução. O ponto de

funcionamento em repouso é:

I D = 1,08 mA ; U DS = 14 V ; U GS = 2 V

Os parâmetros incrementais são:

g m = AU DS = 0, 28 mS e g ds = A (U Dsat − U DS ) = 8 mS

O circuito para componentes incrementais é, para os mesmos pressupostos assumidos na

alínea anterior:

R1

R3
D
G
gmugs
uds

R2 u1 ugs
gds e ~
S

u1 = u gs (19)

uds = e − g mu gs R3 − g ds uds R3 = u2 (20)

R1 + R2
ΔE = e = u1 (21)
R2

De (19), (20) e (21) obtém-se:

u2 ⎡⎛ R1 + R2 ⎞ ⎤
= ⎢⎜ ⎟ − g m R3 ⎥ (1 + g ds R3 ) = 0,034
u1 ⎣⎝ R2 ⎠ ⎦
d) Se R2 = ∞ verifica-se que:

U GS = E − R4 I D
Cap. 4 9

Atendendo a que:
U DS = E − ( R3 + R4 ) I D

( )
Sendo o MOSFET de canal n e de empobrecimento U GSlim < 0 , o circuito anterior impõe

uma tensão dreno-fonte inferior à tensão dreno-fonte da entrada na saturação:

U DS < U GS < U GS − U GSlim = U Dsat

Portanto com R2 = ∞ o transistor está sempre a funcionar na zona de não saturação.

Cap. 4 10

Problema MOS3

Considerar o circuito da figura (a) que utiliza um MOSFET de canal n de enriquecimento com
as seguintes características:

(T = 300 K ) U GSlim = 0,5 V; A = 1 mA/V 2

a) Calcular o valor que RD deve tomar para que o transistor esteja a funcionar no limiar da

saturação quando U1 = U1max (fig.b). Representar U DS (t ) durante o período de U1 ,

calculando pelo menos o seu valor para U1max 2 .

b) Supor que U1 é substituído por uma tensão constante U 0 = U1max 2 , em torno da qual

existe uma variação ΔU 0 << U 0 . Com E1 constante e na aproximação quase-estacionária,

calcular ΔU DS ΔU 0 .

RD
U1

ID
D
G
U1max
UGS U1

E1 S
UGS

t
T/2 T

(a) (b)

Dados: E1 = 4 V ; U1max = 10 V

Resolução

a) No limiar de saturação tem-se:

A 2 A
( )
2
I D = I Dsat = U Dsat = U GS − U GSlim e U DS = U Dsat = U GS − U GSlim
2 2
Cap. 4 11

Como U GS = E1 = 4 V obtém-se I D = 6,125 mA e U DS = 3,5 V . O valor de RD que

conduz a esta situação é dado por:
U1max − U DS
RD = = 1,06 kΩ
ID

Admitindo que U1 varia de uma forma suficientemente lenta para que se possa tomar a sua
evolução como uma sequência de estados estacionários, verifica-se pelas características
estacionárias I D = I D (U DS , U GS ) que se U1 variar de 0 a U1max os pontos de funcionamento

em repouso correspondentes se situam sempre na zona de não saturação.

ID

UGS

UDS

U
U1max

T/2

⎣ ( )
I D = A ⎡ U GS − U GSlim U DS − U DS
2
2⎤
⎦

⎣ ( )
U1 = I D RD + U DS = ARD ⎡ U GS − U GSlim U DS − U DS
2
2 ⎤ + U DS = C1U DS + C2U DS
⎦
2

( )
com C1 = ARD U GS − U GSlim + 1 = 4, 72 e C2 = − ARD 2 = −0,53 V -1 . Obtém-se: ( )
−C1 ± C12 + 4C2U1 4,71 ± 22,18 − 2,12U1
U DS (t ) = =
2C2 1,06

Escolhe-se o sinal negativo de modo a ter-se U DS (t ) ≤ U Dsat . Trata-se de uma parábola

d 2U DS (t )
com a concavidade virada para cima uma vez que >0.
dU12
Cap. 4 12

UDS

3,5

UDSat

1,23 t
T/4 T/2 T

t = T 2 ⇒ U1 = U1max 2 e U 2 = 1, 23 V < U Dsat 2

b) O circuito para componentes incrementais é o seguinte:

RD
D
G
i
gmugs=0
ugs=0 gds ~ u0

u gs = 0

( −1
u0 = RD + g ds i )
−1
uds = g ds i

uds 1
=
u0 1 + g ds RD

( )
Sendo g ds = A U GS − U GSlim − U DS = 2, 27 mS no ponto de funcionamento em repouso

correspondente a U1 = U1max 2 . Substituindo na expressão da relação de tensões obtém-se

o valor 0,29.
Cap. 4 13

Problema MOS4

Considerar o circuito da figura (a) onde o MOSFET apresenta a característica mútua

representada em (b) correspondente a U DS = 5 V .

a) Calcular os parâmetros do transistor, A e U GS lim . Calcular ainda ED e EG de modo que

com RD = RS = 1 kΩ o transistor se encontre no limiar da saturação com I D = 9 mA .

b) Considerar agora ED = 25 V . Admitindo que EG sofre uma variação ΔEG  EG e ED se

mantém constante, calcular ΔU DS ΔEg na aproximação quase-estacionária e dizer como

variaria essa relação se RD aumentasse.

RD
ID (mA)
I1

D
RG = 10 kΩ ID
G ED
UDS
IG
EG=10 V UGS S P 1

RS
-1 0 UGS(V)

(a) (b)

Resolução

a) Da figura (b) tem-se I D = 0 para U GS = −1 V e U DS = 5 V . Logo U GSlim = −1 V . O

ponto P corresponde à zona de saturação pois U DS = 5 V > U GS − U GSlim = 1 V . Sendo

assim:
A
( )
2
ID = U GS − U GSlim = 1 mA ⇒ A = 2 mA V 2
2

Das condições impostas obtém-se:

Cap. 4 14

A
( )
2
I DO = I Dsat = U GSO − U GSlim ⇒ U GSO = 2 V (1)
2

Da análise do circuito:
EG = U GSO + I DO RS = 11 V (2)

Deste modo:
U DSO = U Dsat = U GSO − U GSlim = 3 V , e portanto:

ED = U Dsat + I Dsat ( RD + RS ) = 21 V

b) Ao aumentar o valor de ED o transistor entra na zona de saturação. Como as variáveis das

equações (1) e (2) não se alteram, o novo ponto de funcionamento em repouso (ponto Q)
não altera as suas coordenadas referentes à corrente de dreno e à tensão gate-fonte:

( )
A 2
I DQ = U GSQ − U GSlim = 9 mA = I DO e U GSQ = EG − Rs I DQ = 2 V = U GSO
2

A alteração de ED apenas provoca a alteração da tensão dreno-fonte, que é dada por:

U DSQ = ED − I DO ( RD + RS ) = 7 V > U DSO = U GSO − U GSlim = 3 V

confirmando que o ponto se encontra agora na saturação. Graficamente pode verificar-se

que a recta de carga mantém o mesmo declive, sofrendo no entanto uma translação para a
direita (ver figura)

ID

ED* ( RD + RS )
ED ( RD + RS )
Q
U GS = 2 V
O

UDS
U DSO U DSQ ED ED*

O circuito para componentes incrementais de baixa frequência quando o MOSFET está na

zona de saturação é o seguinte:
Cap. 4 15

RG
D ΔID
G

ΔUDS
gmΔUGS
RD
~ ΔEG ΔUGS S
RS

ΔEG = ΔU GS + RS ΔI D

ΔI D = g m ΔI D

ΔU DS = − g m ΔI D ( RD + RS )

( )
g m = A U GSQ − U GSlim = 6 mS

ΔU DS g ( R + RD )
=− m S = −1,714
ΔEG 1 + g m RS
Cap. 4 16

Problema MOS5

a) Considerar o circuito da figura com o interruptor S aberto. Sabendo que nessa situação a
corrente de dreno é I D = 17 mA , calcular a zona em que o transistor está a funcionar

( )
assim como a constante A mA V 2 de proporcionalidade entre a corrente e a combinação

de tensões.

b) Considerar o circuito com o interruptor fechado. Calcular U DS , I D , I1 e I 2 .

c) Admitir que EG sofre uma variação ΔEG  EG . Calcular na aproximação quase-

estacionária ΔI D ΔEG nas duas situações anteriores (interruptor aberto e fechado).

Dados: EG = 5 V ; ED = 20 V ; RG = 10 kΩ ; RD = 1 kΩ ; U GSlim = 1 V .

RD

I1
I I2
D
RG ID
IG ED
UDS
G
EG

UGS S

Resolução

a) U DS = ED − RD I D (1)

U GS = EG (2)

U Dsat = U GS − U GSlim (3)

Cap. 4 17

De (1) obtém-se U DS = 3 V . De (2) obtém-se U GS = 5 V . De (3) obtém-se U Dsat = 4 V .

O transistor está na zona de não saturação

⎣ ( )
I D = A ⎡ U GS − U GSlim U DS − U DS
2
2⎤
⎦
(4)

De (4) obtém-se A = 2, 27 mA V 2 .

b) Com o interruptor fechado U DS = U GS > U GS − U GSlim . Então o transistor encontra-se na

zona de saturação.
I1 = ( ED − U DS ) RD = 15 mA

A
( )
2
I D = I Dsat = U GS − U GSlim = 18,16 mA
2

I 2 = I D − I1 = 3,16 mA

c) Com o interruptor S aberto (transistor na zona de não saturação):

ΔI D = g m ΔU GS + g ds ΔU DS

ΔU DS = − RD ΔI D

ΔI D + RD g ds ΔI D = g m ΔEG

g m = AU DS = 6,81 mS e ( )
g ds = A U GS − U GSlim − U DS = 2, 27 mS

ΔI D gm
= = 2,1 mS
ΔEG 1 + g ds RD

Com o interruptor S fechado (transistor na zona de saturação):

ΔU GS = ΔEG = ΔU DS

RD = ΔI1 = −ΔU DS

(
ΔI D = g m ΔU GS = A U GS − U GSlim ΔU GS )
ΔI D
ΔEG
( )
= A U GS − U GSlim = 9, 08 mS