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INSTRUÇÕES:
Esta Avaliação contém 8 (oito) questões, totalizando 10 (dez) pontos;
Baixe o arquivo disponível com a Atividade de Pesquisa;
Você deve preencher dos dados no Cabeçalho para sua identificação:
o Nome / Data de entrega.
As respostas devem ser digitadas abaixo de cada pergunta;
Ao terminar grave o arquivo com o nome Atividade Prática;
Envio o arquivo pelo sistema no local indicado;
Em caso de dúvidas consulte o seu Tutor.
1. Considere o circuito da Figura abaixo e calcule o ripple Vrpp e a tensão média VL na carga RL.
VP = 110 V
VS1 = VS2 = 15 V
RL = 100 Ω
C = 1000 µF
2. Qual é o valor do capacitor que, submetido a uma tensão de 100 V, armazena 10 µC de carga?
C=q/Vc
C=(10* 10-⁶)/100
C= 1* 10-7
C= 10µF
3. Um capacitor de 100 nF está carregado com 50 µC. Qual é a tensão entre os seus terminais?
C= q/Vc
C= 100*10-9= (50*10-6) / Vc
5. Esboce a curva característica do diodo 1N4004, sabendo que ele é de silício e que suas principais
especificações, obtidas em um manual, são:
IFmáx = 1 A
VRmáx = 400 V
A Tensão de condução vale aproximadamente 0,6 V, pois o diodo é de silício. A corrente I
FMÁX
corresponde à corrente direta máxima e vale 1 A. E V é a tens ã o reversa máxima e
RMAX
vale 400V. O esboço da curva característica desse diodo é representa da abaixo.
6. O que é dopagem?
8. Dados os sinais a seguir, determine os valores solicitados a partir dos valores fornecidos:
T= 50 ms
F=1/ T então f = 20 Hz
= 2f = 1 25,6 6 rad/s
V = (2*12) /tt = 7,64 V
dc
V = ( 12) / √2 = 8,48 5 V
ef
T = 4 µs ou 0,004 ms
F=1/T = 250 kHz
w= 2ttf = 157*104 rad/s
V
V
ef
= V
ma x/
√2 entao max
= 50* √ 2 = 70,71 V
V = 0
dc
400000 Hz = 1/T
T= 0,0025 ms
w= 2ttf = 2,5*106 rad/s
I
dc
=I I = 3,14 A
max/tt então ma x
I /2 entao I
=I ef = 1,57 A
ef max