Técnica y Diseño

Circuitos osciladores de microondas (y 2)

Por S. Pérez*, D. Floriot+, P.M. Gutiérrez*, J. Obregón++, S.L. Delage+

( )
* Universidad de Actualmente los circuitos generadores de señal en el ran-
Salamanca. Departa- go de las microondas utilizan transistores como dispositi-
mento de Física vos activos. En este artículo, después de haber presenta-
Aplicada. Salamanca. do los principales parámetros característicos de un oscila-
(+)
THOMSON-CSF. dor y los conceptos de la teoría de oscilación que han de siendo el ángulo que forman
Laboratoire Central de ser tenidos en cuenta en su diseño, se dedica especial aten-
Recherches. Orsay. ción a la minimización del ruido de fase con el fin de ob-
Francia. tener un circuito oscilador estable con gran pureza espec-
(++)
IRCOM. Institute de tral para una potencia elevada de salida
Recherche en
Communications En los circuitos electrónicos pueden aparecer inesta- en la carta de Smith.
Optiques et bilidades, que en el caso de los amplificadores de poten- Otros autores, utilizando los parámetros S, obtienen
Microondes. Limoges. cia pueden dar lugar a comportamientos oscilatorios, y en el denominado factor de estabilidad de Rollet o Linvill, K,
Francia. el caso de circuitos osciladores pueden originar variacio- junto con una serie de condiciones adicionales sobre es-
nes en la amplitud y/o frecuencia de la señal generada. Por tos parámetros para realizar el análisis. Si se considera el
lo tanto es importante estudiar la respuesta del circuito circuito como un sistema de dos puertos la expresión uti-
cuando se produce alguna pequeña perturbación en el lizada es la siguiente:
funcionamiento del mismo y evaluar su capacidad para
retornar al estado estacionario.
Restringiéndonos a los circuitos generadores de señal,
las oscilaciones pueden considerarse estables si cualquier
perturbación en la tensión o corriente del oscilador des-
aparece por sí misma, retornando el circuito a su funcio-
namiento en estado estacionario. Por otro lado, la utiliza- siendo:
ción de amplificadores estables es necesaria para lograr la
obtención de osciladores con niveles muy bajos de las de-
nominadas “oscilaciones no deseadas” por lo que el con-
cepto de estabilidad para estos últimos debe ser también Desafortunadamente esta condición sólo es válida si
considerado. el circuito es estable cuando sobre él no está aplicada nin-
La estabilidad se analiza por medio de perturbaciones guna carga. En el peor de los casos, cuando se tenga un
de la amplitud y la frecuencia alrededor de los valores es- circuito multipuerto la reducción del mismo para un es-
tacionarios A0 y ω0, respectivamente.
Sea Z(A,ω) = R(A,ω)+jX(A,ω) el valor de la impedan-
Figura 13. Plano complejo. cia en el punto del circuito donde se verifican las condi-
ciones de oscilación a la frecuencia deseada, por lo tanto
Z(A0,ω0) = 0. Si se estudia la evolución del sistema des-
pués de una pequeña perturbación se tendrá:

donde p es la frecuencia compleja y δp = α + jδω.

Realizando el desarrollo de esta expresión y teniendo
en cuenta que el oscilador será estable si las variaciones
proporcionadas por el cambio en la amplitud son contra-
rrestadas por las variaciones debidas a la frecuencia, se
obtiene como condición de estabilidad:

Esta expresión la han reescrito Esdale y Howes en fun-

ción de los coeficientes de reflexión:

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tudio como bipuerta puede llevar a la cancelación de po- Figura 14. Criterio de
los con parte real positiva (Criterio de Nyquist). No obs- estabilidad.
tante, y debido a su simplicidad, este criterio es extensa-
mente utilizado y permite a los diseñadores la evaluación
de la estabilidad de manera rápida.
Con el objeto de subsanar las limitaciones de los cri-
terios expuestos anteriormente, y a partir de las ideas uti-
lizadas en ingeniería de control, puede aplicarse el crite-
rio de Nyquist. Si F(s)=1-A(s)R(s), según la nomenclatura
utilizada en la figura 5 (ver primera parte de este artículo,
edición Enero 2000), el circuito será estable si todas las par-
tes reales de los ceros de dicha función F(s) son negativas.
Cuando este criterio se aplica al lazo abierto se hace so-
bre la función A(s)R(s), y se enuncia: si P es el número de
polos inestables de la función A(s)R(s) el circuito será es-
table si el número de vueltas alrededor del punto crítico
(1,0) en el sentido de las agujas del reloj es igual a P. Des-
de un punto de vista formal el análisis mediante este cri-
terio se realiza a partir de la integración de la ecuación ca-
racterística del sistema en el plano complejo, desde 0+- j·
∞ hasta 0++ j· ∞ siguiendo un círculo de semiradio infi- Figura 15. Portadora ideal.
nito, según se indica en la figura 13.
Observando el resultado de la integración se evalúa
la posible existencia de alguna frecuencia natural de osci-
lación en el semiplano derecho (las que pudieran estar en
el semiplano izquierdo serían oscilaciones amortiguadas
con lo que terminarían desapareciendo).
Realmente, en la práctica, no se realiza la integración
explícita pero la información obtenida es análoga: se re-
presenta en el plano complejo el determinante del lazo
cerrado del sistema bajo estudio variando la frecuencia
desde valores bajos a altos. Si la trayectoria que se descri-
be en la gráfica cruza el eje real negativo y rodea el ori-
gen el sistema será inestable, en caso contrario será esta-
ble (figura 14). Este último criterio permitirá evaluar la
estabilidad no lineal del sistema.
En los últimos años, a partir de las ideas de este cri-
terio, se han presentado distintas versiones con el objeto
de simplificar su aplicación a los circuitos, pues incluso en Figura 16. Portadora real.
muchos casos es bastante difícil la descomposición del cir-
cuito en un lazo principal más una realimentación. De esta
manera se han desarrollado versiones basadas en análisis
numéricos, análisis mediante balance armónico, produc-
to de retorno, etc. Este último método ha sido aplicado
con éxito sobre varios diseños en el IRCOM, bien junto a
programas comerciales de simulación o junto a otros mé-
todos complementarios como el de balance armónico.
Además permite un estudio de la estabilidad lineal y de
la no lineal, con relativa simplicidad en su aplicación.

Ruido

El principio de emisión y recepción de señales a altas

frecuencias se basa en la utilización de la señal de infor-

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mación como moduladora de una portadora que posee
una frecuencia elevada y que es generada por algún osci-
lador local. Por lo tanto es indispensable la utilización de
sistemas que permitan una resolución adecuada, de ma-
nera que la calidad de la señal útil no sea perturbada de-
masiado por los sistemas electrónicos de transmisión y
tratamiento de la misma.
El ruido de alta frecuencia existente en el circuito es
el responsable de que el inicio de la oscilación pueda te-
ner lugar, por lo que no siempre es un efecto parásito. No
obstante, también produce efectos no deseados en las
ondas generadas, por lo que es uno de los principales
parámetros que debe ser optimizado en el diseño de un
oscilador. El ruido es generado en el transistor y en los ele-
mentos pasivos que componen el circuito, produciendo
una modulación de la señal de salida del oscilador.
Idealmente el espectro de un oscilador local a una fre-
cuencia fija es una delta de Dirac a dicha frecuencia (figu-
ra 15). Desafortunadamente la aparición de voltajes y co-
rrientes parásitas, como consecuencia del ruido, origina un
ensanchamiento del espectro en torno a frecuencias próxi-
mas a la fundamental (figura 16). En el peor de los casos
este espectro de ruido puede hacer desaparecer la señal
de información que se introduce como moduladora de la
onda generada por el oscilador local y provocar la pérdi-
da total de información (figura 17). De ahí el interés de
diseñar osciladores de microondas con una muy débil den-
sidad espectral de ruido.
Una onda de salida ideal de un oscilador viene dada
por la expresión:
con V0, ω0, ϕ0 constantes.
Como se ha indicado anteriormente, la modulación
Figura 17. Portadora con
pérdida de información.
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producida por el ruido sobre dicha señal puede ser de tres
tipos:
− AM: modulación en amplitud.
siendo ∆V(t ) la perturbación en amplitud.
− FM: modulación en frecuencia.
− PM: modulación en fase.
Los dos últimos casos corresponden a la denomina-
da modulación angular y su comportamiento es tal que
cuando se observa el espectro de la onda de salida del
oscilador local en un analizador de redes, la modulación
en frecuencia y en fase son indistinguibles. Desde un punto
de vista general puede escribirse:
siendo ∆ϕ(t) (la perturbación en frecuencia/ fase.
Si se considera el oscilador a partir del concepto de
un amplificador más una realimentación, el estudio del
ruido se realiza a partir del bloque compuesto por un
módulo ideal (sin ninguna contribución de ruido) más
módulos “ruidosos” en los que se incluyen todos los ge-
neradores de ruido. La señal originada por el primer mó-
dulo vendrá dada por la expresión de Vs(t) para el oscila-
dor ideal, mientras que cada uno de los generadores de
ruido contribuirá con una expresión del tipo:
donde se supone que: Vn << V0 , es decir, que la ampli-
tud del ruido no enmascara la onda del oscilador, y que
ϕn está aleatoriamente distribuida.
Como puede intuirse fácilmente cualquier no lineali-
dad del circuito creará un número, en principio infinito,
de frecuencias de intermodulación.
Suponiendo inicialmente la existencia de una sola
fuente de ruido y no considerando, en primera aproxima-
ción, los armónicos generados por ser el transistor un dis-
positivo no lineal, se obtiene la siguiente expresión para
la señal total de salida:
con:

En el caso más general −y en el real− el resultado
será similar con un mayor número de términos.
Teniendo en cuenta que los aparatos de medida sólo
proporcionan valores cuadráticos medios y que, desde el
punto de vista de la realización de medidas, la modulación
en fase y frecuencia son indistinguibles, se pueden englo-
bar ambas contribuciones en una. Y así se obtienen las
siguientes expresiones para el ruido en amplitud y fase:
siendo P0 la potencia de la portadora.
Los dispositivos activos que se utilizan en la fabrica-
ción de las fuentes de microondas suelen poseer un ruido
en amplitud despreciable frente al ruido de fase. De ahí el
interés fundamental de la utilización de estos dispositivos
para la fabricación de osciladores locales con muy bajos
niveles de ruido de fase, uno de los factores clave en la
fabricación de los modernos sistemas de comunicaciones.
La medida de la pureza espectral de la señal genera-
da por un oscilador típicamente se expresa en unidades
de dBc/Hz, es decir, decibelios de la potencia del ruido con
respecto a la potencia de la portadora, suponiendo un
ancho de banda de 1 Hz para la primera, a una frecuen-
cia fm a partir de la fundamental. Se representa por £(fm)
(figura 18).
Varios autores han desarrollado distintos estudios con
el objeto de analizar cualitativamente y, si es posible. cuan-
tificar la contribución del ruido de fase. Así se han obte-
nido expresiones de la densidad espectral del mismo en
función de coeficientes de reflexión, impedancias, cálcu-
los utilizando el formalismo de matrices de conversión, etc.
Como es bien sabido la relación Señal/Ruido de las
etapas pre-amplificadoras viene determinada por la am-
plitud del ruido de frecuencia de microondas generado por
los componentes activos que posee. Analizando las expre-
siones anteriores, y si inicialmente se suponen fuentes de
alimentación ideales para el circuito, la pureza de los os-
ciladores locales depende, fundamentalmente, de los ni-
veles de ruido de baja frecuencia de dichos componentes
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Técnica y Diseño
Figura 18. Potencia de
salida del oscilador.
que son convertidos a frecuencias de microondas por las
no linealidades del transistor (coeficientes de transforma-
ción), y que producen una modulación parásita de la
portadora.
Para realizar un análisis cualitativo puede considerar-
se la expresión del espectro de ruido de fase dada por:
donde:
A es una constante compleja que depende de los
valores de las admitancias complejas lineales y no lineales
del circuito a la frecuencia fm.
|Eb|2 densidad espectral del ruido de baja frecuen-
cia del dispositivo activo o de cualquier otro elemento del
circuito.
Vosc tensión de oscilación a la frecuencia fundamen-
tal fosc.
ωosc pulsación a la frecuencia de oscilación (ωosc=
2πfosc).
C1 término de primer orden (a la frecuencia fosc) del
desarrollo en serie de Fourier de la capacidad no lineal que
se considera para la obtención de esta expresión.
δB/δω, variación de la susceptancia total del circuito
respecto a la pulsación particularizado a la frecuencia de
oscilación fosc.
Con objeto de reducir el ruido de fase medido en los
circuitos osciladores se observa claramente la necesidad de
fabricar dispositivos con una muy baja densidad espectral
de ruido a baja frecuencia (|Eb|2). De ahí el interés de uti-
lización de dispositivos bipolares frente a FET para estas
aplicaciones. Gráficamente, y de forma cualitativa, puede
5
Técnica y Diseño
Figura 19. a) Densidad
espectral para baja
frecuencia del ruido del
dispositivo. b) Densidad
espectral para alta
frecuencia en dBc/Hz del
ruido del oscilador.
a)
verse en la figura 19 que la dependencia de la densidad
espectral del ruido de fase del oscilador con la frecuencia
viene fuertemente influenciada por la dependencia respec-
to a esta variable del ruido del dispositivo (prácticamente
poseen la misma forma geométrica factorizada por f –2 ).
Muchos trabajos se han publicado en torno al análi-
sis del ruido de baja frecuencia observado en los distintos
dispositivos activos y su influencia en la fabricación de
osciladores: ruido generación-recombinación, ruido fliker,
etc. El gran interés en la reducción del ruido de fase ha lle-
vado a la publicación de trabajos basados en la fabrica-
ción de prototipos para la realización de comparaciones
entre distintas tecnologías: GaAs e InP, HEMT y HBT sin
olvidar el Silicio que, en aleaciones IV-IV, vuelve a tomar
protagonismo en aplicaciones a altas frecuencias.
En resumen, los resultados de los últimos trabajos
publicados muestran que el ruido de tipo 1/f y el produci-
do por procesos de generación-recombinación en el dis-
positivo poseen una influencia importante en la degrada-
ción de la pureza espectral de la señal generada por el cir-
cuito y la elección de una tecnología concreta depende de
manera extraordinaria de la aplicación a desarrollar. No
obstante los HBT parece que, hasta el momento, conti-
núan siendo los dispositivos que exhiben menor nivel de
ruido inherente al dispositivo en sí.
Coeficiente de transformación
Desde el concepto de oscilador, basado en la descom-
posición del circuito en una parte amplificadora más una
realimentación, se demuestra la reducción del ruido de fase
cuando el coeficiente de transformación del ruido de baja
frecuencia se encuentra optimizado. Esto es, optimización
de las contribuciones del resto de los elementos que
componen el circuito (sin considerar el dispositivo activo
propiamente dicho), según la última expresión considerada
de £(fm).
Con este fin se han desarrollado muchas y variadas
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b)
técnicas: utilización de diodos externos para forzar al
transistor a trabajar linealmente, adecuado diseño de la
carga del elemento activo a baja frecuencia, optimización
del circuito de realimentación y utilización de módulos de
resistencia negativa.
En otros casos el módulo de realimentación se dise-
ña para que funcione como un filtro de banda muy estre-
cha centrado en la frecuencia de oscilación: un filtro de
elevado factor de calidad (Q), siempre considerando las
restricciones del circuito y la aplicación concreta para la
que se va a diseñar.
Teniendo en cuenta el circuito equivalente de un fil-
tro, de manera genérica un circuito RLC paralelo (con ad-
mitancia Y=G+jB), su factor de calidad Q puede expre-
sarse como:
de donde se deduce que a, mayor factor de calidad,
menor será la contribución del ruido de fase en el espec-
tro final del oscilador. Entendiendo siempre que el aumen-
to de Q no repercute en las condiciones de funcionamiento
del resto de los elementos; por ejemplo, el transistor
continúa polarizado en el mismo punto de funcionamien-
to, etcétera.
De ahí el gran interés de la fabricación de resonado-
res con un muy elevado factor de calidad, como es el caso
de los realizados a partir de la utilización de materiales
dieléctricos acoplados a líneas “microstrip”: Osciladores de
Resonador Dieléctrico.
Influencia de la polarización
Existe una gran dependencia de la fase de la señal
generada con respecto a la estabilidad del punto de fun-
cionamiento del transistor. Esta dependencia viene marca-
da tanto por las fluctuaciones en la ganancia y fase del

amplificador utilizado, cuando se producen variaciones
aleatorias de la polarización en torno a su valor estacio-
nario, como por la conversión de ruido AM en PM. Esto
es debido a la existencia de la realimentación y la modu-
lación posterior producida por la utilización de dispositi-
vos activos fuertemente no lineales. No obstante, el he-
cho de recurrir a la utilización de realimentaciones con al-
tos factores de calidad, Q, reduce de manera cuadrática
esta influencia.
Evaluación numérica del ruido de fase
La necesidad de una mayor densidad de integración
en los circuitos, así como la complejidad de las ecuacio-
nes necesarias para la evaluación de la contribución de los
distintos elementos “ruidosos” en el espectro final de la
señal generada, han hecho necesaria la búsqueda de so-
luciones eficientes basadas en simulaciones numéricas.
Los métodos numéricos utilizados se clasifican en dos
grandes grupos según se resuelva el conjunto de ecuacio-
nes diferenciales que representa al sistema en el dominio
del tiempo o en el de la frecuencia. Estos métodos de re-
solución son la base de los paquetes de simulación que se
utilizan habitualmente para el diseño de circuitos.
Resolución en el dominio del tiempo
La ecuación diferencial formal de descripción del sis-
tema es la siguiente:
→
Las componentes del vector→ χ son las variables de
estado del sistema, el vector ξ describe las fuentes de rui-
do blanco e ym las fuentes de ruido 1/fα. La matriz G(x) vie-
ne dada por:
y el vector por:
La resolución, para el caso más general, se lleva a cabo
suponiendo fuentes Gausianas para el ruido.
Este método de resolución de ecuaciones, de una
manera más o menos sofisticada, es el que se encuentra
típicamente incluido en programas de simulación basados
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Técnica y Diseño
en la obtención de variables en el dominio del tiempo,
como es el caso de SPICE (Simulation Program with Inte-
grated Circuit Emphasis).
Resolución en el dominio de la frecuencia
El método clásicamente utilizado es el de balance ar-
mónico, donde la resolución de las ecuaciones se lleva a
cabo en el dominio de la frecuencia. Está basado en la
resolución del sistema de ecuaciones no lineales:
→
siendo : E el vector de la parte real e imaginaria de los
→ erro-
res del análisis de la técnica de balance armónico; F el tér-
mino que depende de la polarización, armónicos, paráme-
tros del circuito, variables de estado, etc. ; XB engloba la
dependencia respecto a las frecuencias próximas a la cen-
tral del espectro (las que constituyen el ancho del espec-
tro a una frecuencia dada) y XH la dependencia respecto a
los armónicos de la portadora.
Este método está implementado en simuladores co-
merciales como MDS (Microwave Design System) de
Hewlett Packard. o
Este estudio forma parte de un traba-
jo parcialmente financiado por la Jun-
ta de Castilla y León (proyecto nº.
SA44/99) y por la Dirección General
de Enseñanza Superior e Investigación
(proyecto nº. PB97 - 1331).
Bibliografía
S. Pérez, D. Floriot, P. Maurin, P.Bouquet, P.M. Gutiérrez, J.
Obregon, S.L. Delage. «Extremely low noise InGaP/GaAs HBT os-
cillator at C-band». Electronics Lett., vol. 34, no. 8, Apr-98.
L. Young. «Microwaves in your future». 27th European Mi-
crowave Conf. Jerusalem, Sept. 8-12, 1997, pp. 1-6.
V. Rizzoli, A. Neri, D. Masotti. «Local stability analysis of mi-
crowave oscillator based on Nyquist’s theorem». IEEE Microwave
and Guided Wave Lett., vol. 7, no. 10 Oct-97.
S. Mons, R. Quéré, M. Camiade, J. Obregon. «Stabilité linéaire
et non-linéaire des circuits monolithiques microondes». Dixième
Journées Nationales Microondes. Saint-Malo, 1997.
J. Gerber, C.-R. Chang. «Application of the harmonic-balan-
ce method to the stability analysis of oscillators». IEEE MTT-S Di-
gest. 1997.
U. Zillmann, F. Herzel. «An improved SPICE model for high-
frequency noise of BJT’s and HBT’s». IEEE J. Solid-State Circuits vol.
31, no. 9, Sep-96.
K. Kirtania, M. B. Das, S. Chandrasekhar, L.M. Lunardi, G.J.
Qua, R. A. Hamm, L.W. Yang. «Measurement and comparison fo
1/f noise and g-r noise in silicon homojunction and III-V hetero-
junction bipolar transistors». IEEE Trans. Electron Devices, vol. 43,
no.5, May-96.
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