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Os transistores de efeito de campo não são componentes novos. Na verdade, em teoria foram
criados antes mesmo dos transistores comuns bipolares. No entanto, com a possibilidade de se
obter este dispositivo na versão de alta potência, o MOSFET se tornou um componente
extremamente popular que já começa a ser o preferido em muitas aplicações. Neste artigo
falaremos do MOSFET comum, seu princípio de funcionamento e algumas aplicações prática.

Os transistores de efeito de campo diferentemente dos transistores bipolares comuns são

típicos amplificadores de tensão e não de corrente. Enquanto a corrente de coletor de um
transistor comum é função da corrente de base, num transistor de efeito de campo, a corrente
de dreno é função da tensão de comporta, conforme indica a figura 1.

O transistor de efeito de campo MOS é um típico amplificador de tensão.

MOSFET é a abreviação de Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor ou Transistor de

Efeito de Campo de Óxido de Metal Semicondutor.

Na figura 2 temos uma estrutura simplificada de um MOSFET.

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A estrutura de um MOSFET.

Uma fina película de óxido de metal isola a região de comporta da região do canal que liga o
dreno à fonte.

Dependendo da polaridade dos materiais semicondutores usados podemos ter MOSFET de

canais N ou P, conforme mostram os símbolos da figura 3.

Tipos de MOSFET.

O eletrodo ligado ao substrato normalmente nas aplicações comuns é unido ao eletrodo de

fonte, se bem que existam aplicações que exijam transistores em que este eletrodo seja
polarizado de forma independente.

Para usar o transistor de efeito de campo de canal N o circuito básico é o mostrado na figura 4.

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Configuração básica e característica do MOSFET.

Com uma tensão nula de comporta a corrente de dreno tem um valor que depende da tensão
de alimentação até o ponto de saturação.

Para cortar a corrente de dreno a comporta deve ficar negativa em relação a tensão de fonte.
Tanto mais negativa ela fica menor é a corrente que pode fluir entre o dreno e a fonte conforme
mostra o gráfico junto à figura.

Observe que estas curvas são bastante semelhantes as obtidas com válvulas (principalmente
os tipos pentodo) e que polarizando o componente na sua região linear ele se torna um
excelente amplificador de sinais.

TIPOS

Além dos tipos de comporta único, os MOSFETs comuns podem ser encontrados nas versões
de comporta dupla com o símbolo mostrado na figura 5.

MOSFETs de comporta dupla.

Como estes componentes podem operar com frequências bastante altas, os tipos de comporta
dupla se prestam a operação como misturadores de sinais.

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Levando-se em conta que os MOSFETS são bastante sensíveis as descargas estáticas, o

manuseio deve ser feito com muito cuidado no sentido de não se tocar na comporta sob pena
de danificar de modo irreversível o componente.

O que ocorre é que a descarga "fura" a finíssima camada de óxido que isola a comporta do
canal, tornando o componente imprestável.

Os tipos comuns são protegidos contra este problema com a inclusão na própria pastilha de
diodos de proteção, conforme mostra a figura 6.

MOSFET com diodos de proteção.

A característica de elevadíssima impedância de entrada dos MOSFETs os torna ideais para

inúmeras aplicações que envolvam a amplificação de pequenos sinais de áudio até frequências
relativamente elevadas.

As aplicações que daremos a seguir podem ser elaboradas em função de tipos comuns como
os 40673 da RCA ou ainda 3N187 e equivalentes da série 3N.

CIRCUITOS PRÁTICOS

1. AMPLIFICADOR DE BANDA LARGA

O circuito mostrado na figura 7 pode amplificar sinais que vão desde a faixa de áudio até 10
MHz.

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Amplificador de 50 Hz até 10 MHz.

A faixa muito larga de frequências de operação e sua impedância de entrada da ordem de 1 M

? o torna ideal como etapa de entrada para instrumentos tais como frequencímetros ou mesmo
osciloscópio.

A intensidade máxima do sinal de entrada (a partir do qual temos a saturação) é da ordem de

100 mVrms.

A amplitude máxima do sinal de saída é de 1 Vrms.

O indutor que serve de carga para a saída é ajustado para se obter com o trimmer o ganho
máximo do circuito na frequência de 10 MHz, mas dependendo da aplicação estes
componentes podem ser alterados.

Observe que uma das comportas tem uma polarização fixa dada por R2 e R3 de modo a levar o
componente a uma corrente de repouso ideal para a aplicação.

2. SEGUIDOR DE FONTE

Um seguidor de fonte é um amplificador que tem um ganho de tensão unitário, porém uma
elevadíssima impedância de entrada e uma impedância muito baixa de saída. O circuito da
figura 8 mostra uma aplicação deste tipo que pode ser considerada equivalente ao seguidor de
tensão normalmente feito com amplificadores operacionais.

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Seguidor de fonte, onde qualquer MOSFET de comporta upla pode ser usado.

Neste caso a amplitude máxima do sinal de entrada antes do qual se obtém a saturação é da
ordem de 2 volys e a amplitude máxima do sinal de saída é da ordem de 1,5 Vrms.

Dentre as aplicações recomendadas para este circuito podemos citar o casamento de

impedância de fontes de sinais de áudio como, por exemplo, microfones.

3. PROVADOR DE BOBINAS E CAPACITORES

O circuito da figura 9 é uma ponte que serve tanto para medida de capacitâncias como
indutâncias e faz uso de um transistor de efeito de campo MOS de canal duplo alimentado por
uma tensão de 9 V.

Provador de bobinas e capacitores.

O princípio de funcionamento é simples: aplica-se o sinal de um gerador de sinais na entrada (a

frequência vai depender da ordem de grandeza da indutância ou da capacitância medida -
normalmente ela estará entre 20 Hz e 20 kHz para medidas de capacitância entre 50 nF e 50
000 µF e indutâncias entre 5 mH e 6000 Hz com os valores de capacitância e indutância de
referência usados.

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O procedimento para uso na medida de capacitância é o seguinte:

a) Capacitância

* Ligue o gerador de sinais na entrada do circuito: quanto menor o capacitor mais elevada deve
ser a frequência usada.

* Ligue o capacitor aos terminais de prova.

* Coloque a chave S1 na posição C.

* Acione a alimentação e o gerador.

* Vá ajustando a frequência do gerador até obter uma deflexão do ponteiro indicador em

determinado instante. Ajuste a sensibilidade caso não seja possível detectar esta deflexão ou
tente nova faixa de frequências.

* Leia a frequência no gerador e calcule a capacitância pela fórmula:

C = 1/(0,0395 x f x f)

Esta fórmula é válida para o caso de L1 ser de 1 mH.

b) Capacitância

* Ligue o gerador de sinais na entrada. Observe que maior indutância significa a escolha inicial
de frequências mais baixas.

* Ligue o indutor nos terminais de prova.

* Coloque a chave S1 na posição L.

* Ligue a alimentação e o gerador de sinais.

* Vá ajustando a frequência até obter uma deflexão do ponteiro do instrumento indicador. Se

isso não ocorrer ajuste a sensibilidade e/ou mude a faixa de frequências.

* Anote a frequência em que o salto da agulha ocorrer e aplique a fórmula seguinte para
calcular a indutância:

L = 1/(0,39 x f x f)

(os valores são para um capacitor C2 de 10 nF e a indutância é obtido em microhenry).

4. ELETROSCÓPIO

O circuito mostrado na figura 10 é de um simples eletroscópio eletrônico que pode ser usado
com vantagem nas aulas de física substituindo o tradicional eletroscópio de folhas de ouro.

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Eletroscópio sensível.

O circuito é alimentado por uma bateria de 9 V e o eletrodo sensor pode ser uma pequena
argola de fio descascado ou ainda uma esfera de metal.

Para testar atrite um pente ou caneta num pedaço de tecido e aproxime-o do sensor. A agulha
do instrumento indicador deve oscilar fortemente.

Mais Explicações

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MOSFET's | Entenda de vez!

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CONCLUSÃO

Os circuitos que vimos são apenas exemplos de aplicação dos transistores de efeito de campo
MOS de comporta dupla de baixa potência.

Existem muitas possibilidades de uso para este componente com características excepcionais.

Lembramos que existem diversos circuitos integrados de amplificadores operacionais que

incorporam nas suas etapas de entrada estes transistores e que, portanto podem ser utilizados
em circuitos equivalentes.

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