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Eletrônica Analógica

Aula 02

Prof. Danilo Raynal


Diodo Semicondutor

São dispositivos de estado sólido

É criado pela simples junção de um


material tipo n com outro tipo p

+++++++ -------
+++++++ -------
+++++++
-------
2
Diodo Semicondutor

Dispositivos de dois terminais


(BOYLESTED, 2013) 3
Diodo Semicondutor

Existem 3 opções disponíveis para se


analisar o diodo

Sem polarização

Polarização direta

Polarização reversa
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Diodo Semicondutor

• É a aplicação de uma tensão externa nos


Polarização dois terminais para extrair uma resposta

Simbologia

Polaridades • São as polaridades usadas como referência


e seguem as mesma quando não há tensão
definidas aplicada
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(BOYLESTED, 2013)
Diodo Semicondutor

Se a tensão aplicada ao diodo tiver a mesma polaridade, ela


será positiva

Tensão positiva Tensão negativa

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Condição de polarização reversa (𝑽𝑫 < 𝟎𝑽)

(BOYLESTED, 2013) 7
Condição de polarização reversa (𝑽𝑫 < 𝟎𝑽)

A recombinação aumentará

• Pois na junção, o potencial positivo atrairá os elétrons livres

A região de depleção alarga

• Provocando a redução do fluxo de portadores majoritários a zero

A corrente existente sob condição de polarização


reversa é chamada de corrente de saturação reversa,
sendo representada por 𝐼𝑠 (nA)
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Condição de polarização direta (𝑽𝑫 > 𝟎𝑽)

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Condição de polarização direta (𝑽𝑫 > 𝟎𝑽)

A recombinação diminuirá

• Pois na junção do potencial negativo aumentará o


número de elétrons livres

O elétrons do tipo n “enxerga” uma barreira


reduzida na junção por causa da região de
depleção reduzida
• A medida que a tensão aplicada aumentar, a região de
depleção diminuirá até que a corrente de elétrons
possa fluir através da junção, o que resultará em um
aumento exponencial da corrente
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Curva características do diodo semicondutor Si

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Equação de Shockley

𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝐷 /𝑛𝑉𝑇 − 1 (𝐴)

𝐼𝑠 é a corrente de saturação reversa

𝑉𝐷 é a tensão de polarização direta aplicada ao diodo


n é um fator de idealidade, que é função das condições de operação e construção
física; tem intervalo entre 1 e 2, dependendo de uma grande variedade de fatores (n
= 1 será usado ao longo deste livro, a menos que indicado de outra forma).
A tensão 𝑉𝑇 é chamada de tensão térmica, sendo determinada por:

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Tensão Térmica

𝑘𝑇𝑘
𝑉𝑇 = (𝑉)
𝑞

k é a constante de Boltzmann = 1,38 × 10−23 J/K

𝑇𝐾 é a temperatura absoluta em Kelvin = 273 + temperatura em °C

q é a magnitude da carga eletrônica = 1,6 × 10−19 C

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Tensão térmica

Ex. 2.1
Considerando a temperatura 𝑇1 = 27℃
(temperatura comum para componentes em um
sistema operacional encapsulado), determine a
tensão térmica 𝑉𝑇 .
Solução:
𝑘𝑇𝑘
𝑉𝑇 =
𝑞
1,38×10−23 𝐽/𝐾 × 273℃+27℃
𝑉𝑇 =
1,6×10−19 𝐶

𝑉𝑇 = 25,875𝑚𝑉

(BOYLESTAD, 2013) 14
Equação de Shockley

𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝐷 /𝑛𝑉𝑇 − 1 (𝐴)
Distribuindo:
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝐷 /𝑛𝑉𝑇 − 𝐼𝑆 (𝐴)
Para valores positivos (𝑉𝐷 positivo)

𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝐷 /𝑛𝑉𝑇 − 𝐼𝑆
Cresce rapidamente ↲ ↳ torna-se desprezível

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Equação de Shockley
Para x = 0,
𝑒0 = 1

Para x = 5,
𝑒 5 > 148

Para x = 10,
𝑒 10 > 22.000

(BOYLESTED, 2013) 16
Equação de Shockley

𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝐷 /𝑛𝑉𝑇 − 𝐼𝑆 (𝐴)
Para valores negativos (𝑉𝐷 negativo)

𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝐷 /𝑛𝑉𝑇 − 𝐼𝑆
Cai rapidamente ↲ ↳ torna-se único termo

𝑒 −∞ → 0
𝐼𝐷 = −𝐼𝑆

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Curva características do diodo semicondutor Si

(BOYLESTED, 2013) 18
Conceitos

O sentido definido da corrente convencional para a região positiva


corresponde à ponta da seta no diodo

A corrente de saturação reversa real de um diodo comercialmente


disponível costuma ser mensuravelmente maior que aquela que
aparece como a corrente de saturação reversa na equação de
Shockley
• Corrente de fuga
• Geração de portadores na região de depleção
• Níveis mais elevados de dopagem
• Sensibilidade ao nível intrínseco dos portadores
• Relação direta coma área de junção
• Sensibilidade à temperatura
• Aumento de 5ºC duplicará a corrente de saturação reversa
• Aumento de 10ºC duplicará a corrente reversa real
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Conceitos

Corrente de saturação reversa refere-se à


física da saturação (equação): 𝐼𝑆

Corrente reversa inclui 𝐼𝑆 e todos os


demais efeitos que sejam capazes de
aumentar o nível da corrente

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Região de Ruptura

Existe um ponto que a aplicação de ua tensão suficientemente


negativa (polarização reversa) resultará em uma mudança brusca
na curva característica

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Região de Ruptura

O potencial de ruptura é o potencial de polarização reversa que resulta


nessa mudança radical na curva característica (𝑉𝐵𝑉 )

A corrente 𝐼𝑆 vai provocando colisões nos íons, dando energia para os


elétrons de valência deixem os átomos, ocasionando uma alta corrente de
avalanche

O mecanismo de ruptura Zener é ocasionado pelo forte campo elétrico


provocado através da alta polarização reversa (𝑉𝐷 ), perturbando as forças
de ligação do átomo e “gerando” portadores

Diodos que empregam apenas essa porção da curva são os Diodos Zener

O potencial máximo de polarização reversa aplicado antes da entrada na


região de ruptura é chamado de Tensão de Pico Inversa (PIV) ou Tensão de
Pico Reversa (PRV)
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Diodos comerciais de Ge, Si e GaAs
Semicondutor 𝑉𝑘 (𝑉) Mobilidade do elétron
𝑐𝑚2
𝜇𝑛 ( 𝑉×𝑠 )
Ge Germânio 0,3 3900
Si Silício 0,7 1500
GaAs Arseneto de Gálio 1,2 8500

Tensão de ruptura

1,1 𝑉𝐵𝑉 𝑆𝑖 = 𝑉𝐵𝑉 𝐺𝑎𝐴𝑠 = 3,0 𝑉𝐵𝑉 𝐺𝑒

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Diodos comerciais de Ge, Si e GaAs

(BOYLESTED, 2013) 24
Diodos comerciais de Ge, Si e GaAs
Determine a
tensão através
de cada diodo
para:
a)𝐼𝐷 = 1 𝑚𝐴
b)𝐼𝐷 = 4 𝑚𝐴
c)𝐼𝐷 = 30 𝑚𝐴
d) Valor médio
de a, b e c
𝐺𝑒 𝑆𝑖 GaAs
𝑎) 0,2𝑉 0,6𝑉 1,1𝑉
𝑏) 0,3𝑉 0,7𝑉 1,2𝑉
c) 0,42𝑉 0,82𝑉 1,33𝑉
d) 0,307𝑉 0,707𝑉 1,21𝑉
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Efeito da Temperatura

(BOYLESTED, 2013) 26
Efeito da Temperatura

Na região de polarização direta, a curva característica de


um diodo de silício desvia-se para a esquerda a uma taxa
de 2,5 mV por aumento de ºC. O inverso ocorre para a
queda de temperatura

Na região de polarização reversa, a corrente reversa de


um diodo de silício dobra a cada elevação de 10ºC na
temperatura

A tensão de ruptura reversa aumentará ou diminuirá em


função da temperatura

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Ge

• O germânio tem produção limitada devido à


sua sensibilidade à temperatura e à alta
corrente de saturação reversa. Ainda está
disponível comercialmente, mas limitado a
algumas aplicações de alta velocidade (graças
a um fator de mobilidade relativamente
elevado) e a outras que usam sua sensibilidade
à luz e ao calor, como fotodetectores e
sistemas de segurança.

(BOYLESTED, 2013) 28
Si

• Sem dúvida, o semicondutor mais utilizado


para toda a gama de dispositivos eletrônicos.
Tem a vantagem da pronta disponibilidade a
um baixo custo e de uma corrente de
saturação reversa relativamente baixa, além
de características de temperatura adequada e
excelentes níveis de tensão de ruptura.
Também se beneficia de décadas de enorme
atenção à concepção de circuitos integrados de
grande escala e de tecnologia de
processamento.

(BOYLESTED, 2013) 29
GaAs
• Desde o início da década de 90, o interesse em
GaAs vem crescendo a passos largos e acabará
abarcando uma boa parcela do desenvolvimento
dedicado aos dispositivos de silício, especialmente
em circuitos integrados de grande escala. Suas
características de alta velocidade têm maior
demanda a cada dia, sem falar nos recursos
adicionais de baixas correntes de saturação
reversa, excelente sensibilidade à temperatura e
elevadas tensões de ruptura. Mais de 80% de suas
aplicações concentram-se na optoeletrônica, com o
desenvolvimento de diodos emissores de luz,
células solares e outros dispositivos
fotodetectores, mas isso provavelmente mudará
drasticamente à medida que seus custos de
fabricação caírem e sua utilização em projetos de
circuito integrado continuar a crescer. Talvez seja o
material semicondutor do futuro.

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Ideal x Prático

O diodo semicondutor se comporta de modo


semelhante a uma chave mecânica: controla se a
corrente fluirá entre seus dois terminais.
• No entanto, o fluxo de corrente ocorrerá em apenas um
sentido.
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Ideal x Prático
Características ideais versus características reais de semicondutores

(BOYLESTED, 2013) 32
Ideal x Prático
𝑉𝐷 0𝑉
𝑅𝐹 = = =0Ω
𝐼𝐷 5 𝑚𝐴

𝑉𝐷 20 𝑉
𝑅𝑅 = = =∞Ω
𝐼𝐷 0 𝑚𝐴

Maior diferença entre Ideal x Real


• O diodo sobe a 0,7 V em vez de 0 V
para ser a chave fechada
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Níveis de Resistência

A resistência do diodo muda devido à forma não linear da


curva característica para pontos de operação distintos

Resistência CC ou Estática

𝑉𝐷
𝑅𝐷 =
𝐼𝐷

Quanto maior a
corrente que
passa por um
diodo, menor a
resistência CC. (BOYLESTED, 2013) 34
Exemplo 1.3
Determine os níveis de resistência CC do diodo:
a)𝐼𝐷 = 2 𝑚𝐴 (𝑛í𝑣𝑒𝑙 𝑏𝑎𝑖𝑥𝑜)
b)𝐼𝐷 = 20 𝑚𝐴 (𝑛í𝑣𝑒𝑙 𝑎𝑙𝑡𝑜)
c)𝑉𝐷 = −10 𝑉 (𝑝𝑜𝑙𝑎𝑟𝑖𝑧𝑎çã𝑜 𝑟𝑒𝑣𝑒𝑟𝑠𝑎)

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Níveis de Resistência

Resistência CA ou Dinâmica

∆𝑉𝐷
𝑟𝑑 =
∆𝐼𝐷

Entrada variável
↳ Ex.: Senóide

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Exemplo 1.4
Para curva característica da figura, determine a
resistência CA em:
a)𝐼𝐷 = 2 𝑚𝐴
b)𝐼𝐷 = 25 𝑚𝐴
c) Compare os resultados
de a) e b) para as respectivas
resistências CC

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Níveis de Resistência

Resistência CA ou Dinâmica

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Níveis de Resistência

Resistência CA ou Dinâmica

• A equação é precisa apenas para valores de


𝐼𝐷 na seção de elevação vertical da curva
• Para valores menores, o valor calculado
deve ser multiplicado por 2

• Para valores de 𝐼𝐷 abaixo do joelho, a


equação é inadequada.
(BOYLESTED, 2013) 39
Exemplo 1.4
Calcule novamente a resistência CA em:
a)𝐼𝐷 = 2 𝑚𝐴
b)𝐼𝐷 = 25 𝑚𝐴

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Níveis de Resistência

Resistência CA ou Dinâmica

• Resistência de corpo
+ resistência de contato
• 𝑟𝐵 varia entre 0,1 Ω (alta
potência) e 2 Ω (baixa
potência ou uso geral)

Polarização Reversa:
• Resistência CA é alta suficiente para aproximar para um
circuito aberto (antes da região Zener).
(BOYLESTED, 2013) 41
Níveis de Resistência

Resistência CA média

∆𝑉𝐷
𝑟𝑎𝑣 = 𝑝𝑡 𝑎 𝑝𝑡
∆𝐼𝐷

Resistência
determinada por
uma linha reta
traçada entre as
duas interseções
estabelecidas pelos
valores máximo e
mínimo da tensão
de entrada
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Níveis de Resistência

(BOYLESTED, 2013) 43
Circuito equivalente do diodo

Um circuito equivalente é uma combinação de


elementos adequadamente escolhidos para melhor
representar as características reais de um
dispositivo ou sistema em determinada região de
operação

Circuito equivalente por partes

• Aproxima a curva característica do dispositivo por segmentos


de reta

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Circuito equivalente linear por partes

• 𝑉𝑘 - é a tensão necessária para o diodo atingir o


estado de condução (0,7 V para o silício).Não é
tensão independente.
∆𝑉𝐷
• 𝑟𝑎𝑣 = 𝑝𝑡 𝑎 𝑝𝑡
∆𝐼𝐷
0,8 𝑉 −0,7 𝑉 0,1
𝑟𝑎𝑣 = = = 10
10 𝑚𝐴−0 𝑚𝐴 10 𝑚
• Se a curva característica ou a folha de dados de
um diodo não estiver disponível, a resistência
𝑟𝑎𝑣 poderá ser aproximada pela resistência CA 𝑟𝑑
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Circuito equivalente linear por partes

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Circuito equivalente simplificado

• 𝑉𝑘 - é a tensão necessária para o diodo


atingir o estado de condução (0,7 V para o
silício).Não é tensão independente.
• 𝑟𝑎𝑣 é pequena o suficiente para ser
desprezada

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Circuito equivalente ideal

• 𝑉𝑘 é desprezada em comparação com o nível


de tensão aplicada.

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Circuitos equivalentes - Resumo

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Capacitância de Transição e Difusão

Todos os dispositivos eletrônicos ou elétricos são


sensíveis à frequência

Capacitância de Transição (𝐶𝑇 )

• 𝐶(0) - capacitância sob condições de 𝑉𝐷 = 0 𝑉.


• 𝑉𝑅 - potencial de polarização reversa aplicada.
1 1
•𝑛= 𝑜𝑢 - fator que é influenciado pelo processo
3 2
de fabricação.
• 𝑉𝑘 - é a tensão de joelho. 50
(BOYLESTED, 2013)
Capacitância de Transição e Difusão

Capacitância de Difusão (𝐶𝐷 )

• 𝜏 𝑇 - tempo de vida do portador minoritário.


• 𝜏 = 𝑅𝐶 – constante de tempo resultante.

(BOYLESTED, 2013) 51
Capacitância de Transição e Difusão

A capacitância de transição é o efeito capacitivo predominante


na região de polarização reversa, enquanto a capacitância de
difusão é o efeito capacitivo na região de polarização direta.
(BOYLESTED, 2013) 52
Capacitância de Transição e Difusão

A capacitância fica em paralelo com o diodo e são aplicados para


baixa ou média frequência, exceto na área de potência. No entanto,
o capacitor geralmente não é incluído no símbolo do diodo.

(BOYLESTED, 2013) 53
Referências

• BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis.


Dispositivos Eletrônicos e Teoria de
Circuitos. São Paulo: Prentice-Hall, 2013.

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