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Tutorial PSIM Software
Method · October 2016

DOI: 10.13140/RG.2.1.3652.8247
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Davi Rabelo Joca
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AC-DC Interleaved Modular Multilevel Converter View project
Modulation Techniques for 3-Level Flying Capacitor Multilevel Converter View project
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UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ
CENTRO DE TECNOLOGIA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
TUTORIAL - PSIM SOFTWARE
Autores: Daniel da Silva Gomes
Davi Rabelo Joca, M.Sc.
Versão 1.0
Outubro de 2015
SUMÁRIO
1. INTRODUÇÃO .............................................................................................................. 3
1.1. Objetivos .................................................................................................................... 3
1.2. Ambiente de Trabalho e Barra de Menu ............................................................... 3
1.3. Barra de Ferramentas................................................................................................ 4
1.4. Barra de Elementos................................................................................................... 5
1.5. Atalhos e Customizações ......................................................................................... 6
1.6. Salvar Imagens ........................................................................................................... 7
1.7. Transformadores ....................................................................................................... 8
2. SIMULAÇÃO ................................................................................................................ 12
2.1. Esquemático e Montagem do circuito ................................................................. 12
2.2. Alterações de parâmetros dos componentes ...................................................... 14
2.3. Simview ....................................................................................................................... 17
2.4. Parâmetros dos transformadores .......................................................................... 22
2.5. Utilização do Parameter Sweep ................................................................................. 23
3. ADIÇÃO DE COMPONENTES AO DATABASE E CÁLCULO DE
PERDAS ............................................................................................................................. 27
3.1. Adicionar um IGBT específico ao database e calcular suas perdas .................. 27
3.2. Adicionar um MOSFET específico ao database e calcular suas perdas ........... 40
4. CONSIDERAÇÕES FINAIS ..................................................................................... 49
5. REFERÊNCIAS ............................................................................................................ 49
2
1. INTRODUÇÃO
1.1. Objetivos
Esse tutorial tem como finalidade mostrar as principais funções do software PSIM (para
versões 9 ou superiores), com enfoque nas barras de ferramentas, menu, elementos e medições,
procedimento para modificar os parâmetros dos componentes, executar simulações e como
alterar os gráficos das formas de onda.
Traz ainda uma seção destinada à adição de componentes eletrônicos específicos (IGBTs
e MOSFETs) ao database do programa, para serem utilizados nas simulações, além dos cálculos de
perdas desses componentes através do recurso Thermal Module do programa.
1.2. Ambiente de Trabalho e Barra de Menu
A figura 1.1 mostra o ambiente de trabalho do software PSIM, com seu menu (figura 1.2),
sua série de barras necessárias na execução das simulações, cujas funções serão apresentadas no
decorrer do material e a área de trabalho, espaço em branco central destinado à montagem dos
circuitos.
Figura 1.1 – Ambiente de trabalho do software PSIM.
Fonte: Próprio autor.
Figura 1.2 – Barra de Menu do PSIM.
3
1.3. Barra de Ferramentas
A figura 1.3 mostra parte da chamada barra de ferramentas ou Toolbar, que traz funções
para a construção e simulação dos circuitos, explicadas logo a seguir:
Figura 1.3 – Toolbar do software PSIM.
• Item A: Utilizado para desenhar as trilhas dos circuitos. Por padrão, as cores das trilhas
são vermelhas para circuitos de potência, verdes para circuitos de controle e marrons
para circuitos mecânicos. Clicando em Options >> Settings >> aba Colors, é possível
modificar as cores das trilhas em Color wires by circuit type.
• Item B: Trata-se da Label, função para realizar conexões entre diversos pontos dos
circuitos (geralmente distantes entre si) sem utilização de trilhas, o que possibilita uma
maior facilidade na verificação das conexões, além de organização. Para garantir as
conexões, as labels devem estar igualmente nomeadas. No simples exemplo mostrado na
figura 1.4, a fonte V1 está conectada ao resistor R1 através da label VA, assim como V2 a
R2 através de VB.
Figura 1.4 – Exemplo simples de utilização de labels.
4
• Item C: São as ferramentas de zoom com fator fixo, valor que pode ser alterado em
Options >> Settings >> Zoom factor na aba General. São utilizados para aproximar ou recuar
o circuito como um todo ou apenas parte dele.
• Item D: Também são ferramentas de zoom, mas com regulação do nível de zoom através
da movimentação do mouse.
• Item E: Utilizado para efetivamente simular o circuito presente na área de trabalho.
1.4. Barra de Elementos
1.4.1. Localização da Barra e Pesquisa por Componentes
Na parte inferior do ambiente de trabalho, encontra-se a chamada barra de elementos, na

qual estão os componentes e ferramentas mais utilizados nas simulações e é mostrada em
destaque na figura 1.5.
Caso seja necessário utilizar algum item que não se encontre na barra de elementos, uma
opção é procurá-lo na seção Elements (mostrada após iniciar um novo projeto, clicando em File na
barra de menu e então em New ou então no ícone ( ) na barra de ferramentas localizada abaixo
do menu), ou então na biblioteca de elementos, clicando em View na barra de menu e
selecionando Library Browser caso ela não esteja aparente no ambiente de trabalho, e assim os
elementos podem ser encontrados atráves da barra de busca da biblioteca. A biblioteca de
elementos é mostrada na figura 1.6.
Figura 1.5 – Barra de Elementos do PSIM.

Figura 1.6 – Biblioteca de elementos do PSIM.
5
Para reutilizar algum componente de forma rápida sem necessidade de uma nova busca,
deve-se procurá-lo na barra de itens recentes mostrada em destaque na figura 1.7. Em algumas
versões do software, essa barra está localizada abaixo da barra de ferramentas.
Figura 1.7 – Barra de itens recentes.
1.4.2. Componentes da Barra de Elementos
Conforme supracitado, na barra de elementos estão localizados os componentes que são

geralmente mais utilizados em simulações de circuitos:
Tabela 1 – Componentes da Barra de Elementos.
Símbolo Função Símbolo Função

Terra (Referência) Fonte de tensão CC
Resistor Fonte de tensão senoidal
Indutor Fonte de tensão triangular
Capacitor Fonte de tensão quadrada
Diodo Fonte de Degrau de tensão
Tiristor Sensor de tensão
Interruptor MOSFET Sensor de corrente
Interruptor IGBT Bloco de ganho proporcional
Ponte monofásica de diodos Controlador proporcional-
integrador
Ponte trifásica de diodos Subtrator
Gerador de clock para Somador
6
interruptores
Controle liga/desliga para Comparador
interruptores
Voltímetro (em relação ao terra) Limitador
Voltímetro diferencial Porta inversora (NOT)
Amperímetro Multiplicador
Osciloscópio de 2 canais Divisor
Osciloscópio de 1 canal
1.5. Atalhos e Customizações
Os atalhos presentes no software são de grande valia nas simulações por agilizarem a
execução de certas funções e também na seleção de componentes. Para acessar a seção de
atalhos, deve-se clicar em Options no menu e então em Customize Keyboard/Toolbar ou Customize
Keyboard dependendo da versão do software, aparecendo assim a janela mostrada na figura 1.8.
Figura 1.8 – Seção de Atalhos do PSIM.
Os atalhos são mostrados em Current shortcut keys, e para criar novos atalhos, deve-se
selecionar o componente na seção Elements em Add Shortcut key ou a função na seção Commands, e
então digitar qual tecla ou combinação de teclas que será seu atalho na barra Press new shortcut key e
clicar em Assign para adicionar à lista de atalhos.
Caso seja necessário salvar as customizações para serem usadas em outro computador,
deve-se utilizar as funções Save Custom Settings e Load Custom Settings em Options da barra de Menu.
7
1.6. Salvar Imagens
Para copiar o esquemático do circuito, deve-se clicar em Edit na barra de menu e então
selecionar Copy to Clipboard , na qual tem três opções :
• Metafile format: Formato de imagem com a melhor qualidade e que pode ser utilizado em
outros softwares específicos.
• Color Bitmap: Formato comum de imagem com qualidade um pouco inferior ao Metafile.
• Black and White: Formato de arquivo parecida com Color Bitmap, mas com o esquemático
em preto e branco.
Outra opção é através do printscreen, podendo ser útil desabilitar os pontos e as bordas de
folhas que aparecem normalmente na área de trabalho, desmarcando as opções Display Grid e
Show Print page borders em Options >> Settings >> General.
1.7. Transformadores
Os transformadores no PSIM podem ser acessados de duas maneiras: através da barra de

menu em Elements >> Power >> Transformers ou então ir View na barra de menu e selecionar
Library Browser para visualizar a biblioteca de elementos (figura 1.6) no caso em que não esteja
aparente na área de trabalho do PSIM, e então pesquisar por Transformers, como descrito no item
1.4.1 desse material.
O modelo do transformador é mostrado na figura 1.9:
Figura 1.9 – Modelo do transformador.
Fonte: [1]
Tabela 2 – Componentes do modelo do transformador.
Componente Representação
Rp Resistência do enrolamento primário
Xp Reatância devido a indutância de dispersão do primário
Xm Reatância associada a indutância de magnetização
8
Rc Resistência associada as perdas no núcleo e por histerese
Rs Resistência do enrolamento secundário
Xs Reatância associada a indutância de dispersão do secundário
Dentre os modelos de transformadores, está o Ideal Transformer, o modelo simplista do

transformador, o qual desconsidera todos os fluxos de dispersão, resistência nos enrolamentos,
perdas por histerese e no núcleo, além da corrente necessária para a magnetização do
transformador. As duas polaridades estão disponíveis, como mostra a figura 1.10.
Figura 1.10 – Transformadores ideais do software PSIM.
Ainda com base na figura 1.10, é possível visualizar o 1-ph Transformer e 1-ph Transformer
(inverted), que se tratam de transformadores monofásicos não ideais cujos parâmetros serão
tratados mais adiante, na seção Simulação.
Na biblioteca de elementos ainda existem transformadores com mais de uma bobina no

primário e/ou secundário, os quais são mostrados na figura 1.11.
Figura 1.11 – Transformadores monofásicos com mais de uma bobina no primário e/ou
secundário.
9
Os transformadores mostrados na figura 1.12 são trifásicos com bobinas do primário e do

secundário não conectadas, dos quais o designado 3 ph - Transformer (saturation) apresenta fluxo
residual e saturação, sendo necessário possuir valores da corrente de magnetização em função da
indutância de magnetização que definem a característica do transformador, além da frequência de
operação e da fase do fluxo residual.
Figura 1.12 – Tipos de transformadores trifásicos com enrolamentos do primário e secundário
não conectados.
10
Os transformadores trifásicos seguintes, mostrados na figura 1.13, apresentam os seus
enrolamentos conectados em triângulo (∆) ou em estrela (Y), podendo ainda possuir o terciário.
Figura 1.13 – Transformadores trifásicos com bobinas do primário, secundário ou terciário

conectadas em estrela ou triângulo.
Os transformadores restantes, mostrados na figura 1.14, são trifásicos com 3, 4 ou 6

enrolamentos (desconectados).
Figura 1.14 – Transformadores trifásicos com 3, 4 ou 6 enrolamentos.
11
2. SIMULAÇÃO
2.1. Esquemático e Montagem do circuito
Para realizar simulações, deve-se inicialmente clicar em File na barra de menu e então em
New ou então no ícone ( ) na barra de ferramentas para iniciar um novo projeto, e então
pesquisar os componentes que serão utilizados e arrastá-los da biblioteca de elementos para a
área de trabalho ou clicando no componente na barra de elementos e clicando em algum local na
área de trabalho.
É importante posicionar os componentes de forma organizada a fim de facilitar as

ligações entre os componentes e consequentemente as verificações dessas ligações. Caso seja
necessário espelhar ou rotacionar um componente, deve-se utilizar as ferramentas mostradas na
figura 2.1.
Figura 2.1 – Ferramentas utilizadas nas simulações.
Tabela 3 – Referente aos símbolos mostrados na figura 2.1.
Símbolos Função
Habilitar na simulação um (ns) componente (s) selecionado (s)
Desabilitar na simulação um (ns) componente (s) selecionado (s)
Rotacionar 90° sentido horário um componente selecionado
Espelhar algum componente selecionado na horizontal
Espelhar algum componente selecionado na vertical
Para conectar os componentes, deve-se utilizar o item A mostrado na figura 1.3 desse
tutorial ou caso se tenha criado um atalho (ver item 1.5), pressionar o botão referente ao item.
Será feito um exemplo de simulação de um circuito, com o seu esquemático com base na figura
2.2.
Deve-se selecionar os elementos necessários para a simulação do circuito na barra de

elementos (resistor, fonte de tensão contínua, controlador liga-desliga das interruptores e no caso
das interruptores, optou-se por utilizar MOSFETs), posicioná-los na área de trabalho e os
conectar, como sugerido na figura 2.3.
Para o controle das interruptores, foi utilizado um gerador de onda quadrada e ainda 2
labels (ver item 1.3) e uma porta NOT para garantir que ocorra o acionamento correto das
interruptores, evitando um curto circuito na fonte de alimentação contínua.
12
Figura 2.2 – Esquemático do circuito.
S11 S12
VDC
100 V
5Ω
S13 S14
É necessário ainda adicionar a referência terra, encontrada na barra de elementos e

adicionada no terminal negativo da fonte. É possível adicionar outras referências para tensão no
circuito, clicando em Elements >> Sources >> Ground, Ground (1) ou Ground (2) na barra de menu.
Figura 2.3 – Montagem do circuito em questão na área de trabalho.
13
2.2. Alterações de parâmetros dos componentes
Antes de executar a simulação, é necessário analisar e/ou modificar os parâmetros dos

componentes utilizados, os quais podem ser vistos com um clique duplo sobre o componente em
questão, como mostrado na figura 2.4 para o resistor.
Figura 2.4 – Parâmetros do resistor (Modelo 1).
Em Name, é possível atribuir um nome ao resistor, e preenchendo a marcação Display o

nome atribuído aparecerá na área de trabalho próximo do componente. Em Resistance deve ser
colocado a resistência em Ohm (Ω).
Na opção Current Flag, caso seja colocado valor “ 1 “, a forma de onda da corrente no
componente fica disponível para visualização ao realizar a simulação. Existem dois modelos para
a resistência, que podem ser escolhidos em Model Level (não é disponível em todas as versões do
software). O Level 1, apresenta o modelo mais simplista do resistor.
Analisando agora os parâmetros da fonte contínua de alimentação, através do clique

duplo no símbolo da fonte, aparecendo a janela mostrada na figura 2.5.
Figura 2.5 – Parâmetros da fonte de tensão CC.
14
Em Name, atribui-se um nome à fonte de tensão, da mesma forma que no parâmetro do
resistor anteriormente descrito. Em Amplitude, é colocado o valor do nível de tensão da fonte em
V. Em Series Resistance, é colocado um valor de resistência série relativo à fonte, caso seja
necessário, em Ω, assim como em Series Inductance, onde deve ser colocado o valor de indutância
série associada à fonte.
Dando clique duplo no interruptor MOSFET, aparecerá a janela conforme mostra a
figura 2.6.
Figura 2.6 – Parâmetros do MOSFET.
Em On Resistance, deve ser colocado o valor de resistência do MOSFET quando este está
em estado de condução. Em Diode Resistance, colocado a resistência do diodo em anti-paralelo.
Initial Position determina o estado inicial do MOSFET: 0 para desligado e 1 para ligado. Caso seja
colocado o valor 1 em Current Flag, a corrente no MOSFET fica disponível para ser facilmente
visualizada na simulação. Diode Forward Voltage trata-se da tensão no diodo enquanto conduz.
Dando clique duplo na fonte de onda quadrada, aparecerá a janela conforme mostra a
figura 2.7.
Figura 2.7 – Parâmetros da tensão de controle.

15
Em Vpeak_peak, deve ser colocado o valor da tensão de pico a pico da tensão quadrada,
ou seja, a sua amplitude em V. Frequency consiste no valor da frequência da onda gerada em Hz e
Duty Cycle é o valor da razão cíclica. Em DC Offset, deve ser colocado um valor de tensão contínua
correspondente ao offset, sendo o valor mínimo da tensão, caso a amplitude seja positiva, ou o
valor máximo caso a amplitude seja negativa. Tstart é utilizado para especificar o tempo, em
segundos, a partir do qual a onda passará a ser gerada, tendo valor igual a zero até atingir o tempo
especificado. Em Phase Delay, deve ser colocado o valor do atraso de fase em graus na onda
gerada.
Com todos os parâmetros ajustados conforme anteriormente mostrados, é necessário

adicionar os voltímetros e/ou amperímetros encontrados na barra de elementos para obter as
formas de onda em pontos desejados, além de adicionar o Simulation Control na área de trabalho,
que pode ser encontrado clicando em Simulate no menu e seguidamente em Simulation Control, o
qual deve ser colocado na área de trabalho, abrindo-se uma janela conforme mostrada na figura
2.8.
Figura 2.8 – Parâmetros do Simulation Control.
Time step representa o passo de cálculo, ou o tempo entre cada cálculo das variáveis
durante a simulação, tendo seu valor padrão em 0,00001s. Total time é o tempo total de simulação
(Caso seja marcado Free Run, a simulação acontecerá em tempo real, podendo ser utilizados
osciloscópios de 1 ou 2 canais para visualização das formas de onda).
Print Time determina o tempo em segundos até qual os dados da simulação serão salvos e
Print Step, caso seu valor seja 1, todos os pontos da simulação serão salvos, e caso seja 10, apenas
1 a cada 10 pontos são salvos. Os parâmetros Load/Save Flag são utilizados para salvar/carregar
os valores da simulação com extensão ssf. Em Hardware Target é especificado um hardware para se
gerar um código usando SimCoder.
16
Alterando-se o tempo total de simulação para 0,05 segundos, e clicando em Run Simulation
na barra de ferramentas ou simplesmente apertando F8, é feita a simulação do circuito.
2.3. Simview
A simulação será gerada, sendo então aberta uma janela do Simview, conforme mostrada na
figura 2.9.
Figura 2.9 – Variáveis disponíveis na simulação.
Em Variables available são mostradas as variáveis que estão disponíveis para serem
visualizadas, e para isso, deve-se selecioná-la e clicar em Add e então OK. Caso mais de uma seja
selecionada, estas irão aparecer no mesmo gráfico. Para melhor visualização das formas de onda,
será inicialmente selecionada apenas “V1” (name do voltímetro utilizado na tensão de controle),
aparecendo a janela mostrada na figura 2.12. Ainda é possível realizar operações entre as
variáveis, devendo-se selecioná-la e clicar na seta para baixo na parte inferior, e selecionar as
operações necessárias clicando no bloco com as operações, clicando OK no final para mostrar
seu gráfico.
Na aba Curves, mostrada na figura 2.10, é possível fazer as seguintes alterações:
Em Label, é possível modificar o nome dado ao gráfico, em Color alterar a cor da curva do
gráfico, em Line Thickness alterar a espessura das linhas da curva e em Marker symbol modificar o
tipo de marcador nas linhas da curva.
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Figura 2.10 – Alterações possíveis na aba Curves.
Na aba Screen, mostrada na figura 2.11, é possível fazer as seguintes alterações:
Em Foreground color, é possível alterar a cor das marcações de tempo e das bordas dos
gráficos, em Background color pode-se alterar a cor de fundo da área de trabalho do Simview. A
opção Grid Color permite modificar a cor das linhas pontilhadas da área de trabalho e Font permite
modificar a fonte, estilo e tamanho das letras mostradas nos gráficos. Marcando-se as opções
Hide grid e Hide axis text, as linhas pontilhadas e os textos nos gráficos sumirão, respectivamente.
Para visualizar a forma de onda “VP1” (name do voltímetro conectado ao resistor), pode-
se clicar em Screen na barra de menu e então em Add Screen, aparecendo assim uma janela igual à
mostrada na figura 2.9. Deve-se agora selecionar VP1, clicar em Add e então OK, obtendo-se as
formas de onda conforme mostrada na figura 2.13.
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Figura 2.11 – Alterações possíveis na aba Screen.
Figura 2.12 – Forma de onda do sinal de controle.
19
Figura 2.13 – Forma de onda de tensão de controle e de saída do circuito em questão.
Para realizar alterações nos gráficos na janela do Simview, deve-se clicar em um dos
gráficos (aparecendo assim um quadrado de cor vermelha na direita superior do gráfico), e então
com o botão direito do mouse, aparecerá um menu conforme mostrado na figura 2.14.
Figura 2.14 – Menu para alterar os gráficos.
Em Add/Delete Curves, é possível adicionar ou remover curvas no gráfico selecionado,

aparecendo a janela mostrada na figura 2.9 (pode-se acessá-la também através do ícone
Add/Delete Curves ( ) na barra de ferramentas do Simview, mostrada na figura 2.16).
Em Y Axis e X Axis é possível modificar os limites dos eixos dos gráficos, Move Up e
Move Down tem função de alterar a posição do gráfico no Simview. Display in Full Screen apresenta o
gráfico selecionado em toda a área de trabalho do Simview.
20
Para analisar as formas de onda, pode ser útil a barra localizada na parte inferior do
Simview, conforme mostrada na figura 2.15.
Figura 2.15 – Barra de medição.
Tabela 4 – Símbolos e funções da Barra de medição.

Alterar entre barras de medição Calcular a média dos valores
apenas verticais ou verticais e absolutos da variável
horizontais.
Mostrar valor máximo global Ir para um ponto sucessivo
Mostrar valor máximo mais Voltar para um ponto anterior
próximo
Mostrar valor mínimo global Calcular o fator de potência
Mostrar valor mínimo mais Calcular potência ativa (W)
próximo
Calcular valor médio da Calcular potência aparente (VA)
variável
Calcular valor eficaz da variável Calcular índice de distorção
harmônica
Na parte superior do Simview, existe a barra de ferramentas, que é mostrada na figura 2.16.
Figura 2.16 – Barra de Ferramentas do Simview.
Tabela 5 – Símbolos e funções da barra de ferramentas do Simview.

Abrir algum arquivo salvo Aproximação por um fator de
10%
Imprimir a forma de onda Afastamento por um fator de
10%
Copiar os gráficos da área de Aproximação ou afastamento
trabalho do Simview modificando os eixos x e y
simultaneamente.
Desfazer alteração de move e Aproximação ou afastamento
zoom modificando um dos eixos e
mantendo o outro constante.
Recarregar um arquivo Realizar movimentação do
21
gráfico
Refazer os gráficos Habilitar o modo medição
Alterar entre modo de zoom e Mostrar os valores das
medição coordenadas (X, Y) de um
ponto selecionado
Alterar limites no eixo x Realizar a transformada rápida
de Fourier da forma de onda
Alterar limites no eixo y Mostrar o gráfico no domínio
do tempo
Adicionar ou remover curvas Inserir um texto no gráfico
Adicionar um novo gráfico Salvar configurações
temporárias
Zoom selecionando uma área Carregar configurações
retangular no gráfico temporárias
2.4. Parâmetros dos transformadores
Além de modificar os parâmetros das fontes, resistências e das interruptores eletrônicas, é

importante também a alteração dos parâmetros dos transformadores, que será feito inicialmente
considerando o modelo ideal do transformador.
Indo então em Elements (na barra de menu) >> Power >> Transformers >> Ideal Transformer,
colocando-o na área de trabalho e dando um clique duplo sobre o componente, aparecerá a janela
como mostrada na figura 2.17.
Figura 2.17 – Parâmetros do transformador ideal.
Como se trata do modelo simplista do transformador, é necessário apenas fornecer o número

de voltas no enrolamento do primário (Np(primary)) e do secundário (Np(secondary)).
22
Adicionando agora o 1-ph Transformer à área de trabalho e dando um clique duplo sobre o
componente, aparecerá a janela conforme mostra a figura 2.18.
Figura 2.18 – Transformador monofásico não ideal.
Tabela 6 – Componentes do modelo do transformador.
Denominação Representação
Rp (primary) Resistência do enrolamento primário
Rs (secondary) Resistência do enrolamento secundário
Lp (pri.leakage) Indutância de dispersão do primário
Ls (sec.leakage) Indutância de dispersão do secundário
Lm (magnetizing) Indutância de magnetização
Np (primary) Número de voltas do enrolamento primário
Ns (secondary) Número de voltas do enrolamento secundário
Caso o transformador apresente o enrolamento terciário, a sua resistência, indutância de

dispersão e número de voltas são representadas por Rt, Lt e Nt, respectivamente. Os valores de
todas as resistências e indutâncias são referidos ao primário do transformador.
2.5. Utilização do Parameter Sweep
O Parameter Sweep trata-se de uma ferramenta importante de simulação por possibilitar a

variação de um parâmetro do circuito dentro de um intervalo de valores definidos, sendo usado,
portanto, para analisar a influência desse parâmetro no circuito.
23
Podem ser utilizados para parametrizar resistências, indutâncias, capacitâncias, ganho de
blocos proporcionais, constante de tempo de blocos integradores, ganho e constante de tempo
de controladores do tipo PI, além de ganho e banda de passagem de filtros de segunda ordem.
Para acessá-lo, pode-se ir na barra de menu do PSIM e ir Elements >> Other >> Parameter
Sweep ou pesquisando na biblioteca de elementos (ver item 1.4.1), colocando-o então na área de
trabalho.
Um simples exemplo será utilizado para mostrar a utilização do Parameter Sweep, mostrado
na figura 2.19.
Figura 2.19 – Montagem do circuito utilizado como exemplo.
Com um clique duplo sobre o resistor R1, aparecerá a janela mostrada na figura 2.20.
Figura 2.20 – Parâmetros do resistor.
Em Resistance, deve ser colocado um nome para identificar o parâmetro, no caso do

exemplo, foi utilizado “Ro” identificar a resistência do resistor R1.
Com um clique duplo sobre o Param Sweep, aparecerá a janela mostrada na figura 2.21.
24
Figura 2.21 – Parâmetros do Parameter Sweep.
Em Start Value, deve ser colocado o valor inicial do parâmetro, e em End Value o seu
valor final. Increment Step determina o passo de incremento de cálculo e em Parameter to be Swept,
deve ser colocado o nome do parâmetro que assumirá os valores dentro do intervalo
determinado, no exemplo, “Ro”.
Simulando então o circuito e adicionando todas as correntes calculadas para visualização,

são obtidos os gráficos das correntes, como mostra a figura 2.22, para os valores das resistências
variando de 1 até 11 Ω.
Figura 2.22 – Gráficos das correntes obtidas.
É obtida também a curva de I1 vs Ro, valor da corrente do circuito em função do valor da

resistência de Ro, como pode ser vista na figura 2.23.
25
Figura 2.23 – Gráfico I1 vs Ro.
26
3. ADIÇÃO DE COMPONENTES AO DATABASE E CÁLCULO DE PERDAS
3.1. Adicionar um IGBT específico ao database e calcular suas perdas
3.1.1. Device Database Editor
Para determinar as perdas de um determinado componente, é necessário inicialmente

adicioná-lo ao database do programa utilizando o Device Database Editor, que pode ser encontrado
em Utilities no menu do PSIM e então em Device Database Editor, aparecendo assim uma janela
conforme a figura 3.1.
Figura 3.1 – Device Database Editor.
3.1.2. Criar um Device File
Inicialmente, deve ser criado um arquivo para salvar o componente, clicando em File >>
New Device File, aparecendo uma janela conforme mostra a figura 3.2.
27
Figura 3.2 – Criando um Device File.
Deve ser colocado um nome para o arquivo e selecionado a pasta Device do programa,
clicando-se assim em Salvar. O nome do arquivo salvo aparecerá na lista de File Name.
Seguidamente, com o nome do arquivo selecionado, clicar em Device no menu, aparecendo as
opções conforme mostra a figura 3.3.
Figura 3.3 – Opções da seção Device.
28
Tabela 7 – Opções da seção Device.
Opção Função
New Diode Adicionar um diodo
New IGBT Adicionar um IGBT
New IGBT- Diode Adicionar um IGBT com diodo antiparalelo
New MOSFET Adicionar um MOSFET
Save Device Salvar o dispositivo
Save Device As Salvar o dispositivo em um arquivo com
outro nome
Delete Device Deletar o dispositivo selecionado
3.1.3. Adicionar informações do dispositivo IGBT
Clicando em New IGBT, devem ser preenchidas informações presentes na figura 3.4.
Figura 3.4 – Informações sobre o dispositivo.
29
Em Manufacturer, especifica-se qual é o fabricante do dispositivo a ser criado. A título de
exemplo, será escolhido o dispositivo SEMiX151GD066HDs da Semikron, constituído de 6
IGBTs. Em Part Number, é colocado o nome do dispositivo e em Package qual o tipo de
encapsulamento, que no exemplo, será 6-pack.
Com base no datasheet do componente, são obtidos os valores máximos de tensão coletor-
emissor (Vce), corrente nominal (Ic) e temperatura de junção. Na figura 3.5 é mostrada a seção
Absolute Maximum Ratings do dispositivo escolhido com as informações requisitadas em destaque.
Figura 3.5 – Valores máximos de tensão e corrente do dispositivo SEMiX151GD066HDs.
Fonte: [2].
Com base na figura 3.5, obtêm-se que Vcemax é 600 V, Icmax é 150 A e Tjmax é 175 °C.
Também serão necessárias as curvas características do dispositivo, obtidas através do datasheet. A
figura 3.6 mostra a curva Vce vs Ic do dispositivo escolhido.
Figura 3.6 – Curva característica Vce vs Ic.
Fonte: [2].
30
Para adicionar essa curva, em Electrical Characteristics – Transistor >> Vce(sat) vs Ic, clica-se
em Edit e aparecerá a imagem mostrada na figura 3.7.
Figura 3.7 – Adicionando uma curva característica do dispositivo.
Inicialmente, deve-se clicar em Add Curve, aparecendo a janela mostrada na figura 3.8.
31
Figura 3.8 – Adicionando a curva Vce vs Ic.
Deve-se então copiar a imagem da curva característica do datasheet e clicar na seta azul
direita na parte superior para colar na área da janela. Após a colagem da curva, deve-se posicioná-
la no centro da área da janela e então clica novamente na seta azul direita.
Em seguida, deve-se clicar primeiro no canto inferior esquerdo do gráfico (utilizar o

botão direito do mouse para zoom) e então no canto superior direito do gráfico, aparecendo assim
um retângulo de cor azul nas extremidades do gráfico, conforme mostra a figura 3.9.
32
Figura 3.9 – Selecionando a curva característica.
Clicando novamente na seta azul direita, deve-se agora colocar os valores mínimos e
máximos das variáveis no eixo x e y. No exemplo, X0 = 0 e Xmax = 4; Y0 = 0 e Ymax = 300.
Deve-se atentar se o X-axis e Y-axis (figura 3.10) estão de acordo com as variáveis presentes na
curva, e caso não esteja, marcar em Invert graph.
Figura 3.10 – Correspondência das variáveis e eixos.
Para adicionar a curva correspondente a temperatura de junção de 25 °C, digita-se “25”

em Junction Temperature, e então clicar na seta azul direita.
Em seguida, é necessário clicar em vários pontos da curva de 25°C (utilizar o botão

direito do mouse para zoom, e esc para sair do zoom), para que estes pontos sejam salvos e a curva
seja construída, a qual vai sendo desenhada em linhas vermelhas, como mostra a figura 3.11.
Caso seja necessário deletar parte da curva, em Enter values in the following format: (x1, y1) (x2, y2)
(x3, y3) ..., deve-se deletar os pontos correspondentes e então clicar em Refresh.
33
Figura 3.11 – Adicionando a curva de 25 °C.
Com a obtenção da curva para Tj = 25°C, clica-se novamente na seta azul, obtêm-se a
curva obtida conforme mostra a figura 3.12.
Figura 3.12 – Curva obtida para T = 25°C.
Fonte: Próprio autor

34
Clicando em Other Test Conditions, aparecerá a janela mostrada na figura 3.13.
Figura 3.13 – Other Test Conditions.
Os valores mostrados na figura 3.13 foram obtidos com base no datasheet, em destaque na
figura 3.14.
Figura 3.14 – Informações presentes no datasheet do dispositivo SEMiX151GD066HDs.
Fonte: [2].
Clicando então em OK para adicionar a curva de 25 °C, deve-se clicar em Add Curve e
realizar o mesmo procedimento para adicionar a curva característica com temperatura de junção
de 150°C.
35
Após a adição da curva de Vce(sat) vs Ic, devem ser adicionadas outras curvas presentes
no datasheet, em procedimento semelhante ao anterior. Ao se clicar em Other Test Conditions para
estas curvas, aparecerão novos parâmetros a serem inseridos, conforme mostra a figura 3.15, os
quais devem ser obtidos do datasheet do componente. Os valores de DC Bus Voltage e Gate
resistance podem ser visto em destaque na figura 3.16.
Figura 3.15 – Other Test Conditions.
Fonte: [2].
As curvas relacionadas com o diodo antiparalelo presentes no datasheet devem ser

adicionadas na seção Electrical Characteristics – Diode, em procedimento semelhante ao
36
anteriormente descrito. Ao clicar em Other Test Conditions, uma janela aparecerá conforme
mostrada na figura 3.17.
Figura 3.17 – Parâmetros do diodo antiparalelo.
Os valores mostrados na figura 3.17 foram obtidos com base no datasheet, em destaque na
figura 3.18.
Fonte: [2].
As informações a respeito do tamanho do dispositivo e das características térmicas

(Thermal Caracteristics) não são utilizadas para cálculo de perdas. Após as curvas serem adicionadas
e o dispositivo salvo em Save Device, este está adicionado ao database.
3.1.4 – Utilizar o IGBT (database) em um projeto e calcular suas perdas
É necessário que o programa seja reiniciado para que seja possível utilizar o novo
dispositivo adicionado. Para utilizar em um novo projeto, deve-se ir na barra de menu do PSIM,
em Elements >> Power >> Thermal Module e escolher IGBT(database) e adicioná-lo à área de
trabalho. Com um clique duplo no dispositivo escolhido, aparecerá a janela mostrada na figura
3.19.
37
Figura 3.19 – Informações do IGBT (database).
Em Frequency, deve ser colocado o valor de frequência que irá determinar o intervalo para
o qual serão calculadas as perdas. Caso esta seja igual à frequência de interruptoramento, as
perdas calculadas serão para cada ciclo de interruptoramento.
Em Number of Parallel Devices, deve ser colocado o número de dispositivos em paralelo no

circuito. Calibration Factors são fatores para corrigir os valores obtidos das perdas na simulação
com valores obtidos mediante experimentação. Pcond_Q se refere a perda de condução do
transistor, Psw_Q a perda por interruptoramento do transistor, Pcond_D a perda por condução
do diodo antiparalelo e Psw_D a perda por interruptoramento no diodo.
Clicando-se então no ícone com reticências em Device, aparecerá a janela conforme

mostrada na figura 3.20.
Deve-se selecionar o dispositivo a ser utilizado e clicar em Ok. O esquemático do

dispositivo, como mostra a figura 3.21, apresenta 4 saídas extras que correspondem as perdas dos
6 IGBTs e na tabela 8, a especificação de cada saída.
38
Figura 3.20 – Selecionar o dispositivo.

Figura 3.21 – Esquemático do IGBT (database).
39
Tabela 8 – Especificações das saídas para cálculo de perdas do IGBT (database).
Saída Especificação
1 Perdas por condução nos transistores
2 Perdas por interruptoramento nos transistores
3 Perdas por condução nos diodos antiparalelos
4 Perdas por interruptoramento nos diodos antiparalelos
Por procedimento do próprio programa, as medidas dessas saídas devem ser feitas
utilizando amperímetros conectados às saídas, obtendo assim as formas de onda e as potências
referente as perdas, como mostrado na figura 3.22.
Figura 3.22 – Cálculo de perdas.
3.2. Adicionar um MOSFET específico ao database e calcular suas perdas
3.2.1. Adicionar informações do dispositivo MOSFET
Para realizar a adição de um MOSFET ao database do programa, deve-se inicialmente criar

um Device File conforme mostrado no item 3.1.2, clicando em New MOSFET nas opções de Device
mostradas na figura 3.3, aparecendo assim uma janela conforme mostrada na figura 3.23.
40
Figura 3.23 – Adicionando um MOSFET.

Figura 3.24 – Informações sobre o dispositivo IRFP 460.

Em Manufacturer, especifica-se qual é o fabricante do dispositivo a ser criado. A título de
exemplo, será escolhido o dispositivo IRFP460 da International Rectifier. Em Part Number é
colocado o nome do dispositivo e em Package qual o tipo de encapsulamento, que no exemplo, é
Discrete (n channel), com base no datasheet do dispositivo.
Com base ainda no datasheet, são obtidos os valores máximos de tensão coletor-emissor
(Vce), corrente nominal (Ic) e temperatura de junção. Na figura 3.25 é mostrada a seção Absolute
Maximum Ratings do dispositivo escolhido com as informações requisitadas em destaque.
41
Figura 3.25 – Informações presentes no datasheet do dispositivo IRFP460.
Fonte: [3].
Na figura 3.26 são mostradas as características elétricas do componente IRF460.
42
Figura 3.26 – Informações presentes no datasheet do dispositivo IRFP460.
Fonte: [3].
Em Electrical Characteristics - Transistor, as informações estão organizadas por condições de

teste, assim como no datasheet:
Figura 3.27 – Condições de teste do componente IRFP460 (1).
Figura 3.28 – Informações presentes no datasheet do dispositivo IRFP460 (1).
Fonte: [3].
43
O valor do coeficiente de temperatura (𝛼) aproximado pode ser calculado com base no
gráfico da resistência dreno-fonte (RDS) e a temperatura de junção (°C), de acordo com a equação
1:
𝑅
𝑅𝑒 −1
𝛼= (1)
𝑇 − 𝑇𝑒
Na qual, Re deve ser um valor de resistência de referência e Te a temperatura da junção

correspondente, e R um valor de resistência superior e próximo a referência e sua respectiva
temperatura T.
Figura 3.29 – Curva da resistência dreno-fonte (Rds) e temperatura de junção.
Fonte: [3].
Figura 3.30 – Condições de teste do dispositivo IRFP460 (2).
44
Fonte: [3].
Fonte: [3].
Fonte: [3].
45
Fonte: [3].
Em Electrical Characteristics – Diode:
Fonte: [3].
Deve ainda ser adicionadas as curvas típicas de corrente de dreno reversa vs tensão de
dreno-fonte (Reserve Drain Current vs Source-to-Drain Voltage), em procedimento semelhante ao
mostrado no item 3.1.3.
46
Figura 3.41 - Informações presentes no datasheet do dispositivo IRFP460 (7).
Fonte: [3].
Após os parâmetros serem adicionados e o dispositivo salvo em Save Device (ver figura
3.3), este estará adicionado ao database.
3.2.2. Utilizar o MOSFET (database) em um projeto e calcular suas perdas
É necessário que o programa seja reiniciado para que seja possível utilizar o novo
dispositivo adicionado. Para utilizar em um novo projeto, deve-se ir na barra de menu do PSIM,
em Elements >> Power >> Thermal Module e escolher MOSFET (database) será utilizado e adicioná-
lo à área de trabalho. Com um clique duplo no dispositivo escolhido, aparecerá a janela mostrada
na figura 3.42.
Figura 3.42 – Parâmetros do MOSFET (database).

Em Device deve ser especificado o MOSFET que foi adicionado. Em Frequency, deve ser
colocado o valor de frequência que irá determinar o intervalo para o qual serão calculadas as
perdas. Caso este seja igual à frequência de interruptoramento, as perdas calculadas serão para
cada ciclo de interruptoramento. VGG+ e VGG- referem-se aos potenciais da tensão Gate-Source.
Rg_on é o valor da resistência da porta (gate) durante a condução e Rg_off o valor dessa resistência
em estado de não condução.
Em Number of Parallel Devices, deve ser colocado o número de dispositivos em paralelo no

circuito. Calibration Factors são fatores para corrigir os valores obtidos das perdas na simulação
47
com valores obtidos mediante experimentação. Pcond_Q se refere a perda de condução do
transistor, Psw_Q a perda por interruptoramento do transistor, Pcond_D a perda por condução
do diodo antiparalelo e Psw_D a perda por interruptoramento no diodo. Por padrão, todos esses
fatores são iguais a 1, sendo modificados caso se obtenha valores experimentais.
Com os parâmetros adicionados, o dispositivo pode ser utilizado em simulação. Para o

cálculo das perdas é feito utilizando as 4 saídas extras.
O esquemático do dispositivo, como mostra a figura 3.43, apresenta 4 saídas extras que
correspondem as perdas do MOSFET, e na tabela 9, a especificação de cada saída.
Figura 3.43 – Esquemático do MOSFET (database).

Tabela 9 – Especificação das saídas para cálculo de perdas do MOSFET (database).
Saída Especificação das perdas

1 Perdas por condução do transistor
2 Perdas do interruptoramento do transistor
3 Perdas por condução do diodo antiparalelo
4 Perdas por interruptoramento do diodo antiparalelo
Por procedimento do próprio programa, as medidas dessas saídas devem ser feitas
utilizando amperímetros conectados às saídas, obtendo assim as formas de onda, e os valores
médios delas serão as potências referente as perdas, da mesma forma mostrada na figura 3.22.
48
4. CONSIDERAÇÕES FINAIS
Esse trabalho se propôs, como objetivo central, apresentar as principais funcionalidades

do software de simulação PSIM, iniciando com uma explanação sobre os menus e as barras de
ferramentas do programa e mostrando o procedimento para realizar simulações e obter de forma
satisfatória as medidas e/ou formas de ondas, visando facilitar o aprendizado aos usuários
iniciantes.
A utilização do recurso Thermal Module se mostrou importante na análise e avaliação de

projetos eletrônicos pelo levantamento das perdas, apesar dos valores obtidos nesse trabalho não
terem sido confrontados com valores experimentais, visto que não foram realizados testes
experimentais a fim de certificar o desempenho do recurso.
5. REFERÊNCIAS
[1] CHAPMAN, Stephen J.; Fundamentos de Máquinas Elétricas, 5ª edição,2013. Editora

McGraw-Hill.
[2] <http://www.semikron.com/dl/service-support/downloads/download/semikron-datasheet-
semix151gd066hds-27891210>. Acesso em 02/10/2015.
[3] < http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/68529/IRF/IRFP460.html>. Acesso

em 02/10/2015.
49
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Tutorial PSIM Software

Method · October 2016

Davi Rabelo Joca

AC-DC Interleaved Modular Multilevel Converter View project

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TUTORIAL - PSIM SOFTWARE

Autores: Daniel da Silva Gomes

Davi Rabelo Joca, M.Sc.

1.2. Ambiente de Trabalho e Barra de Menu

Figura 1.1 – Ambiente de trabalho do software PSIM.

Fonte: Próprio autor.

Figura 1.2 – Barra de Menu do PSIM.

Fonte: Próprio autor.

Figura 1.3 – Toolbar do software PSIM.

Fonte: Próprio autor.

Figura 1.4 – Exemplo simples de utilização de labels.

Fonte: Próprio autor.

• Item E: Utilizado para efetivamente simular o circuito presente na área de trabalho.

1.4. Barra de Elementos

1.4.1. Localização da Barra e Pesquisa por Componentes

Na parte inferior do ambiente de trabalho, encontra-se a chamada barra de elementos, na

Figura 1.5 – Barra de Elementos do PSIM.

Fonte: Próprio autor.

Figura 1.7 – Barra de itens recentes.

Fonte: Próprio autor.

1.4.2. Componentes da Barra de Elementos

Conforme supracitado, na barra de elementos estão localizados os componentes que são

Tabela 1 – Componentes da Barra de Elementos.

Símbolo Função Símbolo Função

1.5. Atalhos e Customizações

Figura 1.8 – Seção de Atalhos do PSIM.

Fonte: Próprio autor.

Os transformadores no PSIM podem ser acessados de duas maneiras: através da barra de

O modelo do transformador é mostrado na figura 1.9:

Figura 1.9 – Modelo do transformador.

Tabela 2 – Componentes do modelo do transformador.

Dentre os modelos de transformadores, está o Ideal Transformer, o modelo simplista do

Figura 1.10 – Transformadores ideais do software PSIM.

Fonte: Próprio autor.

Na biblioteca de elementos ainda existem transformadores com mais de uma bobina no

Os transformadores mostrados na figura 1.12 são trifásicos com bobinas do primário e do

Fonte: Próprio autor.

Figura 1.13 – Transformadores trifásicos com bobinas do primário, secundário ou terciário

Fonte: Próprio autor.

Os transformadores restantes, mostrados na figura 1.14, são trifásicos com 3, 4 ou 6

Figura 1.14 – Transformadores trifásicos com 3, 4 ou 6 enrolamentos.

Fonte: Próprio autor.

2.1. Esquemático e Montagem do circuito

É importante posicionar os componentes de forma organizada a fim de facilitar as

Figura 2.1 – Ferramentas utilizadas nas simulações.

Fonte: Próprio autor.

Tabela 3 – Referente aos símbolos mostrados na figura 2.1.

Deve-se selecionar os elementos necessários para a simulação do circuito na barra de

Fonte: Próprio autor.

É necessário ainda adicionar a referência terra, encontrada na barra de elementos e

Figura 2.3 – Montagem do circuito em questão na área de trabalho.

Fonte: Próprio autor.

Antes de executar a simulação, é necessário analisar e/ou modificar os parâmetros dos

Figura 2.4 – Parâmetros do resistor (Modelo 1).

Fonte: Próprio autor.

Em Name, é possível atribuir um nome ao resistor, e preenchendo a marcação Display o

Analisando agora os parâmetros da fonte contínua de alimentação, através do clique