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TECNOLOGIAS EMERGENTES

TREINAMENTO EXPERT
ONLINE

MATERIAL DIDÁTICO

DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
Semicondutores

ANGELO MÁRCIO DE PAULA


PROFESSOR

BARRA MANSA, RJ – BRASIL.


MARÇO / 2019
i

SUMÁRIO

I- INTRODUÇÃO AOS SEMICONDUTORES 1

II- TIPOS DE MATERIAIS 1

Definições 1

Materiais Elétricos 4

III- SEMICONDUTOR INTRÍNSECO 6

IV- SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO 6

Semicondutor tipo P 7

Semicondutor tipo N 8

V- JUNÇÃO PN 9

Junção PN sem Polarização 9

Polarização Direta 10

Polarização Reversa 11

Curva Característica 12

VI- REGIÃO ZENER 13

VII- SILÍCIO X GERMÂNIO 14

VIII- EXERCÍCIOS - SEMICONDUTORES 14

IX- BIBLIOGRAFIA 16
ii

LISTA DE ILUSTRAÇÕES

FIGURA II.1 - ÁTOMO 2

FIGURA II.2 – NÍVEIS DE ENERGIA 2

FIGURA II.3 – ARGÔNIO E CRIPTÔNIO 3

FIGURA II.4 – LIGAÇÃO ELETROVALENTE 3

FIGURA II.5 – LIGAÇÃO COVALENTE 3

FIGURA II.6 – CONDUTIBILIDADE 4

FIGURA II.7 – GERMÂNIO E SILÍCIO 5

FIGURA III.1 – LIGAÇÕES COVALENTES 6

FIGURA IV.1 – IMPUREZA DO BORO NO MATERIAL TIPO P 7

FIGURA IV.2 – MATERIAL TIPO P 7

FIGURA IV.3 – IMPUREZA DO ANTIMÔNIO (SB) NO MATERIAL TIPO N 8

FIGURA IV.4 – MATERIAL TIPO N 8

FIGURA V.1 – JUNÇÃO P N 9

FIGURA V.2 – JUNÇÃO P N NÃO POLARIZADA 10

FIGURA V.3 – POLARIZAÇÃO DIRETA 10

FIGURA V.4 – POLARIZAÇÃO REVERSA 11

FIGURA V.5 – CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO 12

FIGURA VI.1 – EFEITO ZENER 13

FIGURA VII.1 – DIODOS DE GERMÂNIO E SILÍCIO 14


1

I- INTRODUÇÃO AOS SEMICONDUTORES

Para entender como os diodos, transistores e circuitos integrados funcionam,


é preciso primeiro estudar os semicondutores.
A cada dia que passa, a tecnologia impõe a miniaturização dos
componentes, o que nos leva a questionar seus limites.
Atualmente, sistemas complexos são implementados em chips que são
centenas de vezes menores que um único componente utilizado em circuitos mais
velhos.
Os circuitos integrados atuais possuem mais de dez milhões de transistores
em uma área menor que a de uma unha.
Atingiu-se um ponto em que o propósito básico do encapsulamento é
simplesmente oferecer maneiras de manusear o dispositivo (BOLYLESTAD,
MASHELSKY, 2004).

II- TIPOS DE MATERIAIS

Definições

As definições para descrição dos tipos de materiais são conforme Cipelli,


Markus e Sandrini (2007)

Átomo

Definimos átomo como sendo o menor elemento químico que compõe a


molécula, o mesmo é composto por partículas denominadas elétrons, prótons e
nêutrons.
No núcleo do átomo estão os prótons e os nêutrons, e girando em torno
deste núcleo estão os elétrons. Entre um próton e um elétron existe uma força de
atração. Desta maneira, atribuímos ao próton e ao elétron uma propriedade física
denominada carga elétrica.
Os prótons têm carga elétrica positiva, enquanto os elétrons carga elétrica
negativa. Os nêutrons são desprovidos de carga elétrica, pois não apresentam
efeitos elétricos. Num átomo, normalmente não existe predominância de cargas
elétricas, ou seja, o número de prótons é igual ao número de elétrons. Neste caso
2

dizemos que o átomo é eletricamente neutro. Os elétrons giram ao redor do núcleo


em órbitas concêntricas, como da Figura II.1.

Figura II.1 - Átomo

Quanto aos elétrons, ainda podemos destacar o seguinte:

• Eles se apresentam em níveis de energia predispostos a partir do núcleo conforme a Figura II.2

Figura II.2 – Níveis de energia

• O número máximo de elétrons por camada acha-se descrito na tabela II.1

Tabela II.1 – Número de elétrons por camada

CAMADA NÚMEROS DE ELÉTRONS


K 02
L 08
M 18
N 32
O 32
P 18
Q 08

A última camada, quando complete, possui oito elétrons e as camadas


inferiores não cedem nem recebem elétrons, logo a última camada é a única capaz
de participar de fenômenos químicos ou elétricos.
3

Valência

Um átomo é estável quando apresenta a última camada completa. A última


camada dos elétrons é denominada camada de valência, sendo ilustrada pela
Figura II.3.

Figura II.3 – Argônio e Criptônio

Eletrovalência

Existe eletrovalência quando um dos átomos doa definitivamente um elétron


ao irmão vizinho (que o recebe definitivamente, conforme a Figura II.4.

Figura II.4 – Ligação eletrovalente

Covalência

Existe covalência quando os átomos usam elétrons comuns para atingir a


estabilidade. Conforme a Figura II.5

Figura II.5 – Ligação Covalente


4

Materiais Elétricos

O número de elétrons na camada de valência é a chave para a


condutibilidade e pode ser desvendado pela figura II.6.

• Para um condutor, o número de elétrons livres na última camada dever ser igual a um.
• Para os semicondutores esse número sobe para 4, sendo assim os semicondutores são
elementos de valência quatro (ou tetravalentes).
• E por fim, os isolantes possuem oito elétrons na camada de valência (de 5 a 8)

Figura II.6 – Condutibilidade

Os materiais usados em eletricidade são basicamente classificados sob dois


pontos de vista:
a) O elétrico, em materiais condutores, semicondutores e isolantes.
b) O magnético, em materiais ferromagnéticos, diamagnéticos e paramagnéticos.

Sob o ponto de vista elétrico, a sua classificação é baseada no valor da


resistividade transversal como segue:

• Materiais condutores: 10-2 a 10 Ω.mm2/m


• matérias semicondutores: 10 a 1012 Ω.mm2/m
• materiais isolantes: 1012 a 1024 Ω.mm2/m
5

Condutores

O termo condutor é aplicado a qualquer material que sustenta um grande


fluxo de carga ao se aplicar, através de seus terminais, uma fonte de tensão de
amplitude limitada. (BOLESYTAD E NASHELSKY, 2004).
O cobre é um bom condutor, a razão desse fato fica clara quando olhamos
sua estrutura atômica, ou seja, um condutor é um elemento de valência um.

Isolante

O termo isolante é o material que oferece um nível muito baixo de


condutividade quando submetido a uma fonte de tensão.
Os elétrons nos materiais isolantes acham-se fortemente presos aos
núcleos, e mesmo quando aquecidos, uma quantidade mínima de elétrons torna-se
livre, dificultando o fluxo de corrente sob a ação de uma diferença de potencial.
Ex: borracha, mica, porcelana, etc.

Semicondutor

Um semicondutor é, portanto, o material que tem um nível de condutividade


entre os extremos de um isolante e de um condutor conforme a figura II.7
(BOLESYTAD E NASHELSKY, 2004).
Ex: Germânio (Ge) e Silício (Si)

Figura II.7 – Germânio e Silício

Desta forma, um semicondutor é um elemento de valência quatro.


6

III- SEMICONDUTOR INTRÍNSECO

Segundo Malvino (1997), um semicondutor intrínseco é um semicondutor


puro. Um cristal será um semicondutor intrínseco se todos os átomos do cristal
forem, por exemplo, de silício. Na temperatura ambiente, um cristal de silício
comporta-se como um isolante, aproximadamente, porque ele tem apenas alguns
elétrons e lacunas produzidas pela energia térmica.
Como o número máximo de elétrons na última camada é oito, os átomos
desses materiais formam ligações covalentes com os seus vizinhos, tornando-se
estáveis (oito elétrons na camada de valência) e formando uma estrutura cristalina.
A Figura III.1 apresenta um cristal de silício.

Figura III.1 – Ligações Covalentes

IV- SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO

Um material semicondutor submetido ao processo de dopagem é chamado


de material extrínseco.
As características dos materiais semicondutores podem ser
consideravelmente alteradas pela adição de determinados átomos de impurezas no
material semicondutor relativamente puro.
A razão da dopagem é de uma parte para 10 milhões, essas impurezas
podem alterar suficiente a estrutura de banda para modificar por completo as
propriedades elétricas do material.
Há dois materiais extrínsecos para fabricação de um dispositivo
semicondutor.
• Material tipo n (impureza pentavalente)
• Material tipo p (impureza trivalente)
7

Semicondutor tipo P

Elementos Trivalentes
Por trivalente, entende-se todo elemento que possui em sua última camada
(camada de valência) um total de três elétrons. Ex: alumínio, índio, boro e gálio.

Dopagem
O material do tipo P é obtido dopando-se um cristal de Germânio ou Silício
puro com átomos de impureza que possuam três elétrons de valência, esse efeito é
mostrado na Figura IV.1 com adição do Boro.

Figura IV.1 – Impureza do boro no material tipo P

A dopagem proposta resultou um número insuficiente de elétrons para


completar as ligações covalentes da rede recém-formada. O espaço vazio
resultante é chamado de “lacuna”.
No material tipo P, o número de lacunas excede o número de elétrons, como
mostrado na Figura IV.2

Figura IV.2 – Material tipo P


Onde:

Íons negativo (receptores) da impureza trivalente


+ Lacuna – portadores majoritários
- Elétron - portadores minoritários
8

As lacunas serão em maioria e por isso denominadas de portadores


majoritários. Existirão também elétrons. Como portadores minoritários que
aparecerão pelo rompimento de ligações covalentes, provocados pelo fornecimento
de energia ao material.

Semicondutor tipo N

Elementos Pentavalentes
Entende-se por pentavalente, todo elemento que possui em sua última
camada um total de cinco elétrons. Ex.: antimônio, fósforo, arsênico.

Dopagem
Um material do tipo N é obtido dopando-se um cristal de germânio ou silício
puro com átomos de impureza que possuam 5 elétrons de valência, denominado
pentavalente. O efeito do antimônio é mostrado na Figura IV.3.

Figura IV.3 – Impureza do antimônio (Sb) no material tipo N

A dopagem proposta resultou em elétron excedente da ligação de valência,


o qual, está relativamente livre para se mover dentro do recém-formado material do
tipo N. No material tipo N, o número de elétrons excede o número de lacunas, como
mostrado na Figura IV.4.

Figura IV.4 – Material tipo N


Onde:

Íons positivos (doadores) da impureza pentavalente.


- elétrons – portadores majoritários
+ lacuna - Portadores minoritários
9

Os elétrons serão em maioria e por isso denominados de portadores


majoritários. Existirão também lacunas como portadores minoritários que
aparecerão pelo rompimento de ligações covalentes, provocadas pelo fornecimento
de energia ao material.

V- JUNÇÃO PN

Uma junção é denominada PN quando é unido um material tipo P a um


material tipo N de maneira a constituir um único cristal. Representado na Figura V.1.

Figura V.1 – Junção P N

Junção PN sem Polarização

Ao produzir um cristal com um material do tipo P de um lado e um material


tipo N do outro, conforme a Figura V.2, ocorrerá na junção desses materiais um
efeito denominado depleção, os elétrons livres do lado N tendem a se difundir
(espalhar) em todas as direções. Alguns dos elétrons livres se difundem através da
junção. Quando um elétron livre penetra na região P, ele se torna um portador
minoritário. Com tantas lacunas a sua volta, esse portador minoritário tem pouco
tempo de vida. Logo, ao entrar na região P, o elétron cairá numa lacuna. Quando
isso ocorre, a lacuna desaparece e o elétron livre passa a ser um elétron de valência
(MALVINO, 1997).
Logo, ao formar uma junção PN, como na Figura V.2, haverá difusão de
lacunas do material P para o material N, e de elétrons do material N para o material
P. Com a difusão, a área em torno da junção fica livre de portadores de carga
(elétrons e lacunas), devido à recombinação entre esses portadores e suas
consequentes anulações.
A formação de íons positivos no lado N da junção e de íons negativos do
lado P provoca um decréscimo nas correntes de elétrons e lacunas. Esse fenômeno
ocorre porque os elétrons provenientes do lado N encontram uma barreira negativa
10

do lado P que os repelirá; o mesmo ocorre com as lacunas, ficando claro que o
resultado é um equilíbrio de cargas em torno da junção.
O acúmulo de íons na junção cria uma camada de carga espacial (CCE) ou
barreira de potencial, cuja diferença de potencial (DDP) vale aproximadamente 0,7V
para silício e 0,3V para germânio a temperatura ambiente (CIPELLI, MARKUS E
SANDRINI, 2007).

Figura V.2 – Junção P N não polarizada

: Íon positivo da impureza pentavalente.

: Íon negativo da impureza trivalente


+ : Lacuna
- : Elétrons
CCE: Camada de Carga Espacial

Polarização Direta

A polarização direta ocorre quando se coloca o positivo da bateria no


elemento P, e o negativo da bateria no elemento N. Conforme a Figura V.3.

Figura V.3 – Polarização direta

Desta forma, ocorrem os seguintes passos com o elétron após a polarização


direta Segundo Malvino (1997).
11

1. Após ter deixado o terminal negativo da fonte, ele entra pela extrema direita do
cristal.
2. Ele viaja através da região N como um elétron livre.
3. Na junção, ele se recombine com uma lacuna e se torna um elétron de valência.
4. Ele viaja através da região P como um elétron de valência.
5. Após deixar a extrema esquerda do cristal, ele circula para o terminal positivo da
fonte.

Um elétron do material tipo N “vê” agora uma barreira reduzida na junção,


devido à região de depleção reduzida e uma forte atração pelo potencial positivo
aplicado ao material do tipo P.
Conforme a polarização aplicada cresce em amplitude, a região de depleção
diminui em largura até que o fluxo de elétrons possa passar pela junção, resultando
em um aumento exponencial da corrente, conforme mostrado na Figura V.5 (Curva
Característica do Diodo), assunto discutido no próximo tópico. (BOYLESTAD E
NASHELSKY, 2004).

Polarização Reversa

A polarização reversa ocorre quando se coloca o positivo da bateria no


elemento N e o negativo da bateria no elemento P. Conforme a Figura V.4.

Figura V.4 – Polarização Reversa

O terminal negativo da bateria atrai as lacunas e o terminal positivo da


bateria atrai os elétrons livres. Por isso, lacunas e elétrons livres circulam afastando-
se da junção. Portanto, a camada de depleção fica maior. (MALVINO, 1997).
O número de íons positivos não combinados na região de depleção do
material do tipo N aumentará devido ao grande número de elétrons “livres”
arrastados para o potencial positivo da tensão aplicada. Por razões semelhantes, o
12

número de íons negativos não combinados aumentará no material do tipo P.


(BOYLESTAD E NASHELSKY, 2004).
Quando as lacunas e os elétrons movem-se afastando-se da junção, os
novos íons recentemente gerados aumentam a diferença de potencial. Quanto mais
larga for a camada de depleção, maior será a diferença de potencial.
A camada de depleção para de aumentar quando sua diferença de potencial
se iguala à tensão reversa aplicada. Quando isso ocorre, elétrons e lacunas cessam
seus movimentos, afastando-se da junção. (MALVINO, 1997).
Existe uma pequena corrente com a polarização reversa. Ou seja, a energia
térmica gera pares de elétrons livres e lacunas. Isso significa que existem alguns
poucos portadores minoritários nos dois lados da junção. Essa corrente é
denominada “corrente de saturação”. A corrente de saturação não aumenta em
função da tensão reversa, sendo apenas uma função da temperatura. Exceto se
ocorrer uma ruptura (MALVINO, 1997).

Curva Característica

A Figura V.5 representa a curva característica de uma junção PN (diodo),


com polarização direta e reversa.

Figura V.5 – Curva Característica do Diodo


Onde:
Vd = Tensão direta
Id = Corrente Direta
VR = Tensão reversa
IR = Corrente reversa (vamos considerar IR = IS)
PIV = Peak Inverse Voltage (tensão de pico reversa)
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VI- REGIÃO ZENER

Em se tratando de polarização reversa, há um ponto em que a aplicação de


uma tensão suficientemente negativa resulta em uma mudança brusca na curva
característica, conforme mostrado na Figura VI.1. A corrente aumenta a uma taxa
muito rápida no sentido oposto ao da região de tensão positiva. O potencial de
polarização reversa que resulta dessa mudança brusca na curva característica é
chamado de “potencial zener”, sendo dado pelo símbolo Vz. (Boylestad,
NASHELSHY, 2004).
Conforme a tensão através do diodo aumenta na região de polarização
reversa, aumenta também a velocidade dos portadores minoritários responsáveis
pela corrente de saturação reversa Is. Consequentemente, sua velocidade e energia
cinética associada (W K = ½ mV2) serão suficientes para liberar outros portadores
através das colisões com estruturas atômicas estáveis. Ou seja, o resultado é um
processo de “ionização” pelo qual elétrons de valência absorvem energia suficiente
para deixar o átomo de origem. (BOYLESTAD, NASHELSKY, 2004).
Segundo Malvino (1997), quando um diodo é fortemente dopado, a camada
de depleção é muito estreita. Por isso, o campo elétrico na camada de depleção
(tensão dividida por comprimento) é muito intenso. Quando a intensidade do campo
atingir aproximadamente 300.000 V/cm, o campo elétrico será forte o suficiente para
arrancar os elétrons de suas órbitas de valência. A geração de elétrons livres desse
modo é chamada de “efeito Zener”. Isso é distintamente diferente do efeito de
avalanche, o qual depende da alta velocidade dos portadores minoritários de
deslocarem os elétrons livres. A Figura VI.1 mostra a curva característica.

Onde:
IS = Corrente de saturação reversa.
VZ = Tensão Zener.

Figura VI.1 – Efeito Zener


14

VII- SILÍCIO X GERMÂNIO

Em geral, diodos de silício apresentam especificações de PIV, correntes e


faixa de temperaturas maiores do que os diodos de germânio. As especificações de
PIV para o silício podem situar-se na casa de 1000V, enquanto o valor máximo par
o germânio é de cerca de 400V. O silício pode ser usado para aplicações em que a
temperatura pode chegar a 200 ⁰C (400 ⁰F), enquanto o germânio apresenta um
valor nominal máximo muito mais baixo (100 ⁰C).
A desvantagem do silício, entretanto, se comparado ao germânio é a maior
tensão de polarização direta necessária para se alcançar a região mais alta de
condução. O valor é da ordem de 0,7V para os diodos de silício disponíveis
comercialmente e de 0,3V para diodos de germânio. A figura VII.1 mostra os diodos
de germânio e silício e de quebra apresenta também um diodo Zener para completar
a informação.

Figura VII.1 – Diodos de Germânio e Silício

VIII- EXERCÍCIOS - SEMICONDUTORES

1. Quantos elétrons de valência tem um átomo de silício? (MALVINO, 1997).

Resposta = 4

2. Classifique cada um dos elementos a seguir de acordo com sua condutividade (MALVINO,
1997).
a) Germânio: Semicondutor
b) Prata: Condutor
c) Silício: Semicondutor
d) Ouro: Condutor

3. Classifique cada um dos seguintes semicondutores como tipo N ou tipo P (MALVINO, 1997)

a) Dopado com átomos receptores: P


b) Cristal com impurezas pentavalentes: N
c) Os portadores majoritários são as lacunas: P
d) Átomos doadores foram adicionados ao cristal: N
e) Os portadores majoritários são os elétrons livres: N
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4. Dados os valores de resistividade, faça o que se pede (BOYLESTAD E NASHELSKY, 2004):


Silício → ρ = 50 x 103 Ω.cm
Cobre → ρ = 10-6 Ω.cm
a) Determine a resistência de uma amostra de silício que tenha uma área de 1 cm2 e
comprimento de 3 cm.
b) Repita (a) para comprimento de 1cm e área de 4 cm2.
c) Repita (a) para comprimento de 8cm e áreas de 0,5 cm2.
d) Repita (a) para o cobre e compare os valores.

a) Determine a resistência de uma amostra de silício que tenha uma área de 1 cm2 e
comprimento de 3 cm.

𝑙 3 𝑐𝑚
𝑅= 𝜌 = 50 𝑥 103 Ω 𝑥 𝑐𝑚 𝑥 = 150 𝐾Ω
𝐴 1 𝑐𝑚2

b) Repita (a) para comprimento de 1cm e área de 4 cm2.

𝑙 1 𝑐𝑚
𝑅= 𝜌 = 50 𝑥 103 Ω 𝑥 𝑐𝑚 𝑥 = 12,5 𝐾Ω
𝐴 4 𝑐𝑚2

c) Repita (a) para comprimento de 8cm e áreas de 0,5 cm2.

𝑙 8 𝑐𝑚
𝑅= 𝜌 = 50 𝑥 103 Ω 𝑥 𝑐𝑚 𝑥 = 800 𝐾Ω
𝐴 0,5 𝑐𝑚2

d) Repita (a) para o cobre e compare os valores.

𝑙 3 𝑐𝑚
𝑅= 𝜌 = 10−6 Ω 𝑥 𝑐𝑚 𝑥 = 3 𝜇Ω
𝐴 1 𝑐𝑚2
Rsi : RCu = 50 x 109 : 1

5. Qual é a energia em Joules para mover uma carga de 6C através da diferença de potencial de
3V? (BOYLESTAD E NASHELSKY, 2004).

𝑊 = 𝑄𝑥𝑉 = 6𝐶 𝑥 3𝑉 = 18𝐽

6. Se 48eV de energia são necessários para mover uma carga através de uma diferença de
potencial de 12V, determine a carga envolvida? (BOYLESTAD E NASHELSKY, 2004).

1 𝑒𝑉 = 1,6 𝑥 10−9 𝐽
Logo, 48 𝑥 1,6 𝑥 10−9 𝐽 = 76,8 𝑥 10−9 𝐽
𝑊 76,8 𝑋 10−9 𝑗
Então, 𝑄= = 6,40 𝑋 10−9 𝐶
𝑉 12𝑣
16

IX- BIBLIOGRAFIA

BOYLESTAD, R; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos.


8.ed. São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2009.

MALVINO, Albert Paul. Eletrônica. 4.ed. São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2009.

CAPUANO, F. G.; MARINO, M.A.M; Laboratório de Eletricidade e Eletrônica:


Teoria e Prática, Ed. 24, São Paulo: Editora Érica, 2007.

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