MINISTÉRIO DA EDUCAÇÃO

SECRETARIA DE EDUCAÇÃO PROFISSIONAL E TECNOLÓGICA

INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO, CIÊNCIA E TECNOLOGIA DE SANTA CATARINA
CAMPUS JOINVILLE
DEPARTAMENTO DE DESENVOLVIMENTO DE ENSINO
Curso: Técnico em Eletroeletrônica
Unidade Curricular: Eletrônica Geral - I

1ª Questão – Para o circuito abaixo, determine o valor da resistência de base (RB) e da

resistência de coletor (RC), considerando:
a) Dados:
VLED=1,8V
ILED=20mA
VCEsat=0,1V
VBEsat=0,7V
βmin=HFE=100
VCC=10V
VBB=5V

 Malha Coletor – Emissor
Vcc  VLED  Vcesat
Vcc  VLED  Rc.icsat  Vcesat  0  Rc.icsat  Vcc  VLED  Vcesat  Rc 
icsat
10  1,8  0,1
icsat  I LED  20mA  Rc   405
20  103
 min 100 icsat 20 103
 sat    10  icsat   sat  ibsat  ibsat    2 103  2mA
10 10  sat 10

 Malha Base – Emissor
VBB  Vbesat
VBB  Rb. ibsat  Vbesat  0  VBB  Rb. ibsat  Vbesat  Rb 
ibsat
VBB  Vbesat 5  0, 7
Rb   3
 2,15  103  2,15k 
ibsat 2  10

b) Dados:
VLED=1,5V
ILED=10mA
VCEsat=0,2V
VBEsat=0,7V
βmin=HFE=250
VCC=5V
VBB=15V

 Malha Coletor – Emissor
Vcc  VLED  Vcesat
Vcc  VLED  Rc.icsat  Vcesat  0  Rc.icsat  Vcc  VLED  Vcesat  Rc 
icsat
5  1,5  0, 2
icsat  I LED  10mA  Rc   330
10  103
 min 250 icsat 10  103
 sat    25  icsat   sat  ibsat  ibsat    400  106  400 A
10 10  sat 25

 Malha Base – Emissor
VBB  Vbesat
VBB  Rb. ibsat  Vbesat  0  VBB  Rb. ibsat  Vbesat  Rb 
ibsat
VBB  Vbesat 15  0, 7
Rb   6
 35, 75  103  35, 75k 
ibsat 400  10

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Unidade Curricular: Eletrônica Geral - I

c) Dados:
VLED=1,8V
ILED=20mA
VCEsat=0,3V
VBEsat=0,7V
βmin=HFE=400
VCC=12V
VBB=12V

 Malha Coletor – Emissor
Vcc  VLED  Vcesat
Vcc  VLED  Rc.icsat  Vcesat  0  Rc.icsat  Vcc  VLED  Vcesat  Rc 
icsat
12  1,8  0,3
icsat  I LED  20mA  Rc   495
20  103
 min 400 icsat 20  103
 sat    40  icsat   sat  ibsat  ibsat    500  106  500 A
10 10  sat 40

 Malha Base – Emissor
VBB  Vbesat
VBB  Rb. ibsat  Vbesat  0  VBB  Rb. ibsat  Vbesat  Rb 
ibsat
VBB  Vbesat 12  0, 7
Rb    22, 60  103  22, 60k 
ibsat 500  10 6

d) Dados:
VLED=1,5V
ILED=10mA
VCEsat=0,1V
VBEsat=0,7V
βmin=HFE=50
VCC=5V
VBB=5V

 Malha Coletor – Emissor
Vcc  VLED  Vcesat
Vcc  VLED  Rc.icsat  Vcesat  0  Rc.icsat  Vcc  VLED  Vcesat  Rc 
icsat
5  1,5  0,1
icsat  I LED  10mA  Rc   340
20  103
 min 50 icsat 10  103
 sat   5  icsat   sat  ibsat  ibsat    2  103  2mA
10 10  sat 5

 Malha Base – Emissor
VBB  Vbesat
VBB  Rb. ibsat  Vbesat  0  VBB  Rb. ibsat  Vbesat  Rb 
ibsat
VBB  Vbesat 5  0, 7
Rb    2,15  103  2,15k 
ibsat 2  10 3

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2ª Questão – Para o circuito abaixo, determine o valor da resistência de base (RB),

considerando:

a) Dados:
ZBobina (ZB)=408Ω
VCEsat=0,1V
VBEsat=0,7V
βmin=HFE=100
VCC=12V
VBB=5V
 Malha Coletor – Emissor
Vcc  Vcesat
Vcc  Z B .icsat  Vcesat  0  Z B .icsat  Vcc  Vcesat  icsat 
ZB
12  0,1
icsat   29,17  10 3  29,17mA
408
 min 100 icsat 29,17  103
 sat    10  icsat   sat  ibsat  ibsat    2,92  103  2,92mA
10 10  sat 10

 Malha Base – Emissor
VBB  Vbesat
VBB  Rb. ibsat  Vbesat  0  VBB  Rb. ibsat  Vbesat  Rb 
ibsat
VBB  Vbesat 5  0, 7
Rb   3
 1, 47  103  1, 47k 
ibsat 2, 92  10

b) Dados:
ZBobina(ZB)=80Ω
VCEsat=0,2V
VBEsat=0,7V
βmin=HFE=400
VCC=5V
VBB=12V
 Malha Coletor – Emissor
Vcc  Vcesat
Vcc  Z B .icsat  Vcesat  0  Z B .icsat  Vcc  Vcesat  icsat 
ZB
5  0, 2
icsat   60  103  60mA
80
 min
400 ic 60  103
 sat   40  icsat   sat  ibsat  ibsat  sat   1,50  103  1,50mA
10 10  sat 40
 Malha Base – Emissor
VBB  Vbesat
VBB  Rb. ibsat  Vbesat  0  VBB  Rb. ibsat  Vbesat  Rb 
ibsat
VBB  Vbesat 12  0, 7
Rb    7,53  103  7,53k 
ibsat 1,50  10 3

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Unidade Curricular: Eletrônica Geral - I

c) Dados:
ZBobina(ZB)=408Ω
VCEsat=0,2V
VBEsat=0,7V
βmin=HFE=50
VCC=12V
VBB=12V

 Malha Coletor – Emissor
Vcc  Vcesat
Vcc  Z B .icsat  Vcesat  0  Z B .icsat  Vcc  Vcesat  icsat 
ZB
12  0, 2
icsat   28, 92  103  28, 92mA
408
 min
50 ic 28,92  103
 sat   5  icsat   sat  ibsat  ibsat  sat 
  5,78  103  5,78mA
10 10  sat 5
 Malha Base – Emissor
VBB  Vbesat
VBB  Rb. ibsat  Vbesat  0  VBB  Rb. ibsat  Vbesat  Rb 
ibsat
VBB  Vbesat 12  0, 7
Rb   3
 1, 95  103  1, 95k 
ibsat 5, 78  10

d) Dados:
ZBobina(ZB)=80Ω
VCEsat=0,1V
VBEsat=0,7V
βmin=HFE=250
VCC=5V
VBB=5V

 Malha Coletor – Emissor
Vcc  Vcesat
Vcc  Z B .icsat  Vcesat  0  Z B .icsat  Vcc  Vcesat  icsat 
ZB
5  0,1
icsat   61, 25  10 3  61, 25mA
80
 min 250 ic 61, 25  103
 sat    25  icsat   sat  ibsat  ibsat  sat   2, 45  103  2, 45mA
10 10  sat 25

 Malha Base – Emissor
VBB  Vbesat
VBB  Rb. ibsat  Vbesat  0  VBB  Rb. ibsat  Vbesat  Rb 
ibsat
VBB  Vbesat 5  0, 7
Rb   3
 1, 75  103  1, 75k 
ibsat 2, 45  10

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3ª Questão – Para o circuito abaixo, determine o valor da resistência de base (RB),

considerando:

a) Dados:
IMOTOR=0,8A
VCEsat=0,4V
VBEsat=0,7V
βmin=HFE=400
VCC=12V
VBB=5V


 min 400
icsat  I MOTOR  800mA  sat    40
10 10

icsat 800  103
icsat   sat  ibsat  ibsat   3
 20  10  20mA
 sat 40

 Malha Base – Emissor

VBB  Vbesat
VBB  Rb. ibsat  Vbesat  0  VBB  Rb. ibsat  Vbesat  Rb 
ibsat
VBB  Vbesat 5  0, 7
Rb    215
ibsat 20  10 3


b) Dados:
IMOTOR=400mA
VCEsat=0,4V
VBEsat=0,7V
βmin=HFE=250
VCC=6V
VBB=10V


 min 250
icsat  I MOTOR  400mA  sat    25
10 10

icsat 400  103
icsat   sat  ibsat  ibsat   3
 16  10  16mA
 sat 25

 Malha Base – Emissor

VBB  Vbesat
VBB  Rb. ibsat  Vbesat  0  VBB  Rb. ibsat  Vbesat  Rb 
ibsat
VBB  Vbesat 10  0,7
Rb    581
ibsat 16  10 3

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Curso: Técnico em Eletroeletrônica
Unidade Curricular: Eletrônica Geral - I

c) Dados:
IMOTOR=200mA
VCEsat=0,4V
VBEsat=0,7V
βmin=HFE=100
VCC=12V
VBB=12V


 min 100
icsat  I MOTOR  200mA  sat    10
10 10

icsat 200  103
icsat   sat  ibsat  ibsat   3
 20  10  20mA
 sat 10

 Malha Base – Emissor

VBB  Vbesat
VBB  Rb. ibsat  Vbesat  0  VBB  Rb. ibsat  Vbesat  Rb 
ibsat
VBB  Vbesat 12  0, 7
Rb    565
ibsat 20  10 3

d) Dados:
IMOTOR=3A
VCEsat=0,4V
VBEsat=0,7V
βmin=HFE=1000
VCC=24V
VBB=5V

 min 1000
icsat  I MOTOR  3 A  sat    100
10 10
icsat 3
icsat   sat  ibsat  ibsat   3
 30  10  30mA
 sat 100

 Malha Base – Emissor

VBB  Vbesat
VBB  Rb. ibsat  Vbesat  0  VBB  Rb. ibsat  Vbesat  Rb 
ibsat

VBB  Vbesat 5  0, 7
Rb    143
ibsat 30  103

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Unidade Curricular: Eletrônica Geral - I

4ª Questão – Para o circuito abaixo, calcule o valor da resistência de base (RB) e da resistência do led
(RLED) e explique o funcionamento quando a chave está em aberto e para quando a chave está fechada.
Qual é o nome dado e a utilidade do diodo que está em paralelo com a bobina do relé? Considere que a
impedância da bobina do relé (ZB) tenha 100Ω, VCESat=0,1V, VBESat=0,7V,βmin=1000, VLED=1,8V,
ILED=20mA.

 Malha Coletor – Emissor
Vcc  Vcesat
Vcc  Z B  icsat  Vcesat  0  Z B  icsat  Vcc  Vcesat  icsat 
ZB
5  0,1
icsat   49  10 3  49mA
100
 min 1000 ic 49  103
 sat    100  icsat   sat  ibsat  ibsat  sat   490  106  490 A
10 10  sat 100

 Malha Base – Emissor
VBB  Vbesat
VBB  Rb. ibsat  Vbesat  0  VBB  Rb. ibsat  Vbesat  Rb 
ibsat
VBB  Vbesat 10  0, 7
Rb   6
 18, 98  103  18, 98k 
ibsat 490  10

 Cálculo da resistência RLED
Vcc  VLED 5  1,5
Vcc  VLED  RLED  I LED  0  RLED  I LED  Vcc  VLED  RLED    350
I LED 10  103
*Chave Aberta O transistor estará na região de corte (bloqueado), logo o relé não estará acionado.
Com isso, o led estará aceso e o motor parado.

**Chave Fechada O transistor estará na região de saturação (conduzindo) e o relé irá acionar. Assim
o contato do relé irá mudar do terminal NF para o terminal NA, fazendo o led apagar e acionar o motor.

*** O diodo é chamado de “diodo de roda livre”, e serve para desmagnetizar a bobina do relé.

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Unidade Curricular: Eletrônica Geral - I

5ª Questão – Para o circuito abaixo, calcule o valor da resistência de base (RB) e da resistência do led
(RLED) e explique o funcionamento quando a chave está em aberto e para quando a chave está fechada.
Qual é o nome dado e a utilidade do diodo que está em paralelo com a bobina do relé? Considere que a
impedância da bobina do relé tenha 450Ω, VCESat=0,2V, VBESat=0,7V,βmin=200, VLED=1,5V ILED=10mA.

 Malha Coletor – Emissor

Vcc  Vcesat
Vcc  Z B  icsat  Vcesat  0  Z B  icsat  Vcc  Vcesat  icsat 
ZB
12  0, 2
icsat   26, 22  10 3  26, 22mA
450
 min 200 ic 26,22  103
 sat    20  icsat   sat  ibsat  ibsat  sat   1,31  103  1,31mA
10 10  sat 20

 Malha Base – Emissor
VBB  Vbesat
VBB  Rb. ibsat  Vbesat  0  VBB  Rb. ibsat  Vbesat  Rb 
ibsat
VBB  Vbesat 5  0,7
Rb   3
 3, 23  103  3, 23k 
ibsat 1,33  10

 Cálculo da resistência RLED
Vcc  VLED 5  1,5
Vcc  VLED  RLED  I LED  0  RLED  I LED  Vcc  VLED  RLED    350
I LED 10  103
*Chave Aberta O transistor estará na região de corte (bloqueado), logo o relé não estará acionado.
Com isso, teremos o motor acionado e girando para um sentido, como por exemplo, sentido horário, o
led vermelho estará aceso e o led verde apagado.

**Chave Fechada O transistor estará na região de saturação (conduzindo) e o relé irá acionar. Assim
o contato do relé irá mudar do terminal NF para o terminal NA, fazendo o motor inverter o sentido de
rotação, ou seja, girando para o sentido anti‐horário, o led verde estará aceso e o led vermelho apagado.

*** O diodo é chamado de “diodo de roda livre”, e serve para desmagnetizar a bobina do relé.

Prof. Carlos T. Matsumi Página 8