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PLANO ANALÍTICO DA UNIDADE CURRICULAR

Faculdade/Escola/Centro_Engenharia____________________________________________
Departamento de: _ Engenharia Electrotecnica________________________
Ano lectivo de 2016__ Semestre: _1ero____
Curso (s) : 2do Electrónica___________________________________________________
Unidade Curricular: Electrónica Básica__________________________________________
Nome do (s) docente (s) (Regente):_José_A. Chaljub Duarte
Nome do (s) Docente (s) (Assistente):_José Guambe_______________________________
Nome do técnico: _________________________________________________________
Nome do monitor:_________________________________________________________
Regime:_________________________________________________________________

Horas e créditos:
Práticas Teóricas Teórico- Seminários Avaliação Outras Total
Prática
Horas de contacto 64 26 0 0 6 0 96
directo por semestre
Horas de contacto 4 2 0 0 0 0 6
directo por semana
Horas de estudo 96 48 0 0 0 0 144
independente por
semestre
Créditos1 2 1 0 0 0 0 3

I. INTRODUÇÃO
Características gerais da UC
Nesta disciplina se descrevem os dispositivos semicondutores como elementos de circuitos
eléctricos, utilizando a informaçã o que oferecem os fabricantes em suas folhas de dados.
Além disso, o aluno aprende a analisar e em menor medida a projetar, circuitos eletrô nicos
bá sicos construídos com diodos e/ou transístores, destinados a: a conformaçã o, e a
amplificaçã o de sinais e à rectificaçã o.

Objectivos:
O estudante deverá desenvolver as seguintes competências:
 Identificar os diferentes dispositivos semicondutores e descrever seu

1
Na UEM, o crédito académico corresponde a um total de 30 horas de trabalho.
funcionamento;
 Analisar circuitos bá sicos construídos com dispositivos semicondutores tais como:
rectificadores, amplificadores, circuitos para conformar sinais, circuitos de
comutaçã o, etc.
 Interpretar a informaçã o que oferecem as folhas de dados dos dispositivos
semicondutores.

II. ESTRATÉGIAS DE DE ENSINO E DE APRENDIZAGEM


Realizam – se as aulas teó ricas apresentando os conceitos gerais e demonstraçõ es dos
princípios de funcionamento dos esquemas bá sicos. Nas aulas prá ticas serã o realizados
os exercícios para a consolidaçã o das matérias teó ricas. Durante o estudo individual o
aluno desenvolverá as habilidades por meio de leitura e resoluçã o de exercícios
prá ticos, fazendo as pesquisas individualmente e (ou) trabalhando em grupo.

III. ESTRATÉGIAS DE AVALIAÇÃO


A avaliaçã o será realizada pelos três testes escritos. A nota de frequência será calculada
como amedia aritmética dos três testes.

IV. TEMÁTICAS

No Temas Horas
Teóricas Práticas S EI Total
01 1. Dispositivos semicondutores 12 24 0 48 84
2. Aplicações Básicas dos dispositivos
02
semicondutores
16 38 0 96 150

V. CALENDÁRIO DAS AULAS E DAS AVALIAÇÕES

No. da aula Material de apoio para aula


Tipo de aula ou avaliação
ou Data Tema da aula
(prática e outros)
avaliação
1----------16/2/16 Resumem sobre a T1
teoria dos circuitos
eléctricos. Exercícios
2----------17/2/16 MultiSim: T2
características
fundamentais
3----------19/2/16 Estudo mediante P1
simulação de circuitos
eléctricos básicos
4----------23/2/16 A união pn. T3
Comportamento
eléctrico (C1c primeira
parte)
5----------24/2/16 Comportamento T4
eléctrico da uniã o PN e
exercícios (C1c, parte
final)
6----------26/2/16 Exercícios União PN 1 P2
(CP1a, primeira parte)
7----------1/3/16 Exercícios União PN 2 P3
(CP1b, parte final)
8----------2/3/16 Exercícios União PN 3. P4
Utilizar informação das
folhas de dados (cp1c)
9----------4/3/16 BJT T5
10----------8/3/16 Exercícios BJT 1 (2 a) P5
11----------9/3/16 Exercícios BJT 2 (2 b) P6
12----------11/3/16 Exercícios BJT 3 (2 c) P7
13----------15/3/16 Exercícios BJT 4 (2 d) P8
(EbclaseP2abcd)
14----------16/3/16 FET (conferencia 3) T6
15----------18/3/16 Teste 1 (dispositivos: TESTE 1
diodos e BJT)
16----------22/3/16 Exercícios FET 1 P9
(EBclaseP3a)
17----------23/3/16 Exercícios FET 2 P10
(EBClaseP3b)
18----------25/3/16 Exercícios FET 3 P11
(EBClaseP3c)
19----------29/3/16 Exercícios FET 4 P12
(EBClaseP3d)
20----------30/4/16 Aplicações dos diodos 1 T7
(conferência 4a)
21-----------1/4/16 Aplicações dos diodos 2 T8
(conferencia 4b)
22----------5/4/16 Exercícios aplicações P13
dos diodos 1 (cp4a)
23----------6/4/16 Exercícios aplicações P14
dos diodos 2(cp4b
rectificadores con
filtro)
24----------8/4/16 Exercicios aplicações P15
dos diodos 3 (cp4c,
multiplicadores y
recortadores)
25---------12/4/16- Aplicações dos BJT em T9
comutação
(conferencia 10)
26----------13/4/16 Exercícios de P16
aplicações dos BJT em
comutação 1 (cp5a)
27----------15/4/16 Exercícios de P17
aplicações dos BJT em
comutação 2 (cp5b)
28----------19/4/16 Aplicações dos FET em T10
comutação
(conferencia 11)
29----------20/4/16 Exercicios do P18
aplicações dos FET em
comutação (cp6)
30----------22/4/16 Teste 2(dispositivo FET+ TESTE 2
aplicaciones diodos
31----------26/4/16 Aplicações dos BJT em T11
amplificadores
(conferencia 12)
32----------27/4/16 Exercicios aplicações P19
dos BJT em
amplificadores 1
(cp7a)
33----------29/4/16 Exercícios aplicações P20
dos BJT em
amplificadores 2
(CP7b)
34----------3/5/16 Aplicações de lós FET T12
em Amplificadores e
cascatas (conferencia
13)
35----------4/5/16 Exercícios aplicações P21
dos FET em
amplificadores (CP8a)
36----------6/5/16 Exercícios aplicações P22
dos FET em
amplificadores (CP8b)
37----------10/5/16 Exercícios cascatas a P23
lãs frequências medias
(CP9a)
38----------11/5/16 Exercicios cascatas a P24
las frecuencias medias
(CP9b)
39----------13/5/16 Respuesta de T13
frecuencia de
Amplificadores
(Conferencia 14)
40----------17/5/16 Exercicios dos P25
amplificadores en alta
frecuencia CP10a)
41----------18/5/16 Exercicios de P26
amplificadores en alta
frecuencia CP10b)
42----------20/5/16 Amplificadores en P27
baixa frecuencia
(CP11a)
43----------24/5/16 Amplificadores en P28
baixa frecuencia
(CP11b)
44----------25/5/16 Respuesta de P29
frecuencia de
Amplificadores,
resumen e consulta
teste 3
45----------27/5/16 Teste 3 TESTE 3
(amplificadores a las
frecuencias medias y
respuesta en alta
frecuencia)
46----------31/5/16 Resultados teste 3 e P30
resumem do curso (1)
47---------1/6/16 Resumen del curso (2) P31
48----------3/6/16 Testes para alunos P32
pendentes. Consulta
exame final.

VI. BIBLIOGRAFIA E RECURSOS


a) Texto básico
1. Malvino Albert Paul, Electrónica,

a) Textos complementarios:
1. Boylestad
2. Horowitz
3. Microelectronics Millman.
4. Rashid