Ejercicios Semiconductores Potencia

Tema 2. Dispositivos de Potencia.
Ejercicios 5º II
1.- La concentración intrínseca, ni, de un semiconductor de tipo n es 1,5 x 1010

-3
cm a 27 ºC.
a) Estime las concentraciones de electrones libres y huecos en este material a 27 °C
si Nd = 1014 cm-3.
b) Halle la conductividad a 27 °C si las movilidades de electrones y huecos son
1.500 y 480 cm2/Vs, respectivamente.
2.- La concentración intrínseca de un silicio de tipo p tiene valores de 1,5 x

1010 cm-3 y 1013 cm-3 a 300 K y 405 K, respectivamente y la concentración de
dopado es 2 x 1015 cm-3.
a) Estime las concentraciones de electrones y huecos a ambas temperaturas.
b) Use las ecuaciones exactas para determinar la concentración a ambas temperaturas.
1
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
2
3.- En este problema se muestra un perfil de distribución de carga no

uniforme en un material en un determinado instante con respecto al eje x. La
concentración es uniforme en las direcciones z e y.
a) Dibuje la densidad de corriente de difusión correspondiente si la carga consta de
huecos y Dp = 20 cm2/s.
b) Dibuje la densidad de corriente de difusión correspondiente si la carga consta de
electrones y Dn = 60 cm2/s.
3
4
4.- Para el material de la Figura 3.14, ni = 2,4 x 1013 cm-3, Nd = 1016

átomos/cm3, Dp = 10 cm2/s y Ln =5 x 10-3 cm. Cuando la luz está encendida, la
concentración de huecos en la superficie es 1.000 veces su valor de equilibrio.
Halle la densidad de corriente de huecos en función del tiempo.
5
5.- Una unión pn de silicio se fabrica usando Nd = 1016 y Nd = 10'9

impurezas/cm3.
a) Haga un croquis con la concentración de portadores en equilibrio térmico para esos
dopados. Etiquete el croquis con los 4 valores numéricos apropiados. Suponga
temperatura de 27 °C.
b) Halle el potencial de barrera en voltios a 2.7 °C.
6
c) Halle el potencial de barrera en voltios a 70

ºC.
7
6.- Una unión se construye con Na>> Nd así que la corriente del diodo es
esencialmente una corriente de huecos. La Ecuación (3.36) describe cómo la
corriente de huecos en el material n decrece con x a medida que los huecos se
recombinan. Una corriente de electrones proporcionados por la fuente externa fluye
hacia adentro desde la derecha en la Figura 3.18b para hacer posible esta
recombinación. Esta corriente de electrones es tal que en cualquier punto x, las
componentes de las corrientes de huecos y electrones suman el mismo valor. En x =
0, la corriente de electrones es cero. Escriba una expresión para la corriente de
electrones ID,n(x).
7.- Considerando una unión pn abrupta con 1014 cm-3 donadores en el lado n y
15 -3
10 cm aceptadores en el lado p.
a) Encontrar el ancho de cada región de carga espacial en los dos lados de la unión.
b) Dibujar el campo eléctrico en la región de carga espacial.
c) Estimar el potencial de contacto de equilibrio térmico.
8
d) Usando como definición de capacidad el cociente entre carga y potencial,

calcular la capacidad por unidad de área cuando la tensión externa es de 0 y de -
50 V.
9
8.- Un diodo de potencia tiene sus regiones dopadas del siguiente modo:
Zona p de ánodo: 1019 cm-3 , zona intrínseca n-: 1014 cm-3, substrato n+:1019 cm-3
10
Este diodo se diseña para que la tensión de ruptura sea de 2.500 V. Estimar cuál
tendría que ser la longitud de la región de arrastre “drift”, si se trata de un diodo
“nonpunch-through “(NPT).
9.- Un diodo de potencia p-i-n tiene una estructura tipo Punch-Through con
las siguientes características:
ND = 2 1014 cm-3
NA = 8 1019 cm-3
Longitud de la región n- = 40 µm, εSi = 1.05 10-12 F/cm, e = 1.6 10-19 C.
Si la intensidad de campo crítica para la que se produce la avalancha es E = 2 105 V/cm,

¿Cuál será la tensión máxima que soporta este diodo cuando entra en avalancha?
d 2V eN
Nota: la expresión de partida es la ecuación de Poisson =− D .
dx 2
ε si
11
10.- En un diodo con dopados: zona p de ánodo: 1019 cm-3 ; zona intrínseca n-:
1013 cm-3; substrato n+:1019 cm-3 la longitud de la región intrínseca es de 50 µm.
Suponiendo un campo máximo de avalancha E= 2x105 V/cm. Sabiendo que se
tratará de un diodo tipo “punch-through”, ¿cuál es la tensión de ruptura?
12
11.- Los valores de los parámetros de un diodo p-i-n son los siguientes:
Dopados: zona p de ánodo: 1019 cm-3; zona intrínseca n-: 1013 cm-3; substrato
n+:1019 cm-3.
Longitud de la región intrínseca: 50 µm.
Sección: 2 cm2.
Tiempo de vida medio de huecos y electrones en las condiciones de conducción del
problema en la zona n-: 2 µs.
Concentración frontera para el decrecimiento de la movilidad y tiempo de vida
media como función de la concentración de portadores de carga: nb=1017 cm-3
En estas condiciones, calcular la caída de tensión en conducción, incluyendo la

caída de tensión en la unión cuando conduce una corriente de 3000 A.
13
12.- El diodo cuyos parámetros son:
Dopados: zona p de ánodo: 1019 cm-3; zona intrínseca n-: 1013 cm-3; substrato n+:1019
cm-3.
Longitud de la región intrínseca: 50.

Sección: 2 cm2.
14
Tiempo de vida medio de huecos y electrones en las condiciones de conducción del

problema en la zona n-: 2 µs.
Concentración frontera para el decrecimiento de la movilidad y tiempo de vida media
como función de la concentración de portadores de carga: nb=1017 cm-3
Va a conducir en régimen permanente una corriente en sentido directo de 1000 A con

una pendiente de crecimiento de la corriente de 250 A/µs. Para
• Asumiendo que no tiene lugar la modulación de conductividad hasta después de

alcanzar la corriente de conducción, dibujar la tensión en el intervalo 0<t<4µs.
• Ahora se asume que modulación de conductividad comienza en t=0, y que esto

hace la resistencia de la zona n- decrece linealmente desde su valor íntrinseco
hasta el que alcanza en el régimen de conducción de 1000 A.
Se pide en los dos casos, representar la forma de onda de la tensión en la región de

carga espacial en función del tiempo.
15
16
13.- Las expresiones que se proporcionan es esta pregunta, leídas de izquierda

a derecha y de arriba abajo, son las mismas que se usan en las transparencias para
explicar como se deduce la ecuación de la caída en conducción de una región con
modulación de conductividad. Usando estas ecuaciones se pide dar una explicación
adecuada que explique la expresión de esta caída de tensión y qué tipo de
dependencia tiene con respecto al valor de corriente que conduce.
17
σ = e ( µn + µ p ) δ p
vd 1 d
IF = RON = vd = E d
RON σ A
e ( µ n + µ p ) δ pAvd Qp δ p [ Ad ] e
IF = IF ≈ I p ≈ ≈ I p (0) =
d τp τ
d2 µo τo
vd = µa = µn + µ p = τ=
( µn + µ p ) τ 1+
δn δn
1+  
2
nb
 nb 
14.- Un diodo p-i-n con los dopados de la pregunta anterior tiene una sección
2
de 2 cm y una longitud de la región intrínseca de 1 mm. La vida media de los
portadores de carga es de 2 µs. Usando las ecuaciones que se proporcionan, deducir
la RON equivalente y estimar las pérdidas en esta región suponiendo que conduce
una corriente con una forma de onda cuadrada de 2.500 amperios con un ciclo de
trabajo de D=0,6.
1 d
Ω σ = 900 e δ p σ [ Ωcm ] δ p cm -3 
−1
RON =
σ A
Qp
IF ≈ I p ≈
τp
Todas las dimensiones de longitud en cm.
18
15.- En relación con las pérdidas en conducción de una explicación de la

utilidad de estas dos gráficas que se suelen proporcionar en las hojas de
especificaciones de los diodos de potencia. Suponga que este diodo trabaja con una
forma de onda cuadrada rectangular de 120º de ángulo de conducción valor 200 A.
19
16.- Las 2 ecuaciones diferenciales que sirven para representar el proceso

dQ
básico de la conmutación de un diodo, o en general de una unión p-n son = iD
dt
dQ Q
y = iD − . Respecto a estas ecuaciones y a la conmutación del diodo en
dt τ
general, contestar a las siguientes preguntas:
• Con qué etapa de conmutación está relacionada cada una de estas dos ecuaciones
y por qué.
• Qué modelos o modelo de circuito pueden usarse para representar el
comportamiento del diodo en la conmutación.
• En su opinión, ¿en qué cambian los mecanismos de la conmutación de apagado
en función de si ésta es inductiva o resistiva?
17.- Explicar el principio de funcionamiento y modo de trabajo del transistor bipolar

tipo pnp en la zona activa. Justificar la obtención del factor de ganancia de corriente
β del transistor bipolar. La explicación debe hacer referencia al menos a los
siguientes aspectos:
Estado de las uniones.

Eficiencia de la inyección de emisor.
Factor de transporte.
Reparto de corrientes en la base.
20
18.- Justificar las razones del bajo valor de la β de los transistores bipolares de
potencia comparados con los de pequeña señal, basándose principalmente en los
siguientes aspectos que deben aparecer en la exposición: longitud de la base, tiempo de
vida media y eficiencia de la inyección de portadores de carga.
Como aplicación práctica, basándose en la gráfica de las hojas de especificaciones que

se proporciona, encuentre un valor razonable y justifique su elección, para la resistencia
de base del circuito de gobierno del transistor de la figura para una corriente de colector
del transistor de 20 A.
21
19.- Las curvas de las figuras b y c describen el transistor bipolar del circuito
de este problema. Obtenga los valores numéricos de iB, iC y vCB.
22
20.- a) En el circuito de la figura de este problema, obtenga el mínimo valor de

Vs necesario para saturar el transistor.
b) ¿Qué valor debe tomar Vs para saturar el transistor con beta forzada de 50?
23
21.- Utilice el análisis de beta infinita para obtener el punto de funcionamiento

de cada transistor en la Figura P4.26. Muestre cada punto Q sobre un sistema de
coordenadas con la característica de salida.
24
22.- Usar las características de transferencia y salida del MOSFET de la figura

P5.1 para estimar
a) Vt y k.
b) iD cuando VGS
= 5,5 V y vDS = 8 V.
c) iD cuando VGS = 5,5 V y vDS = 1 V. (Tenga en cuenta que la función de transferencia
supone el funcionamiento activo de VGS ≥Vt).
25
26
23.- El transistor de la figura trabaja con un ciclo de trabajo D=0,3 cuando la

tensión de entrada de 100 V. En estas condiciones la forma de onda de la corriente
en la bobina de filtro se ha representado en la figura 1. Cuando la corriente en esa
bobina alcanza los 8 A, se apaga el transistor MOSFET del circuito. En la
conmutación de apagado este transistor invierte 400 ns para cubrir la etapa de
crecimiento de la tensión y 200 ns para la etapa de decrecimiento de la corriente.
Además, en la figura 2, se ha representado el Área de Trabajo Segura (SOA)

simplificada del transistor usado en este convertidor, en la que aparece una recta de
tiempo de disipación de potencia máxima, cuya ecuación viene dada por la siguiente
expresión:
8
iD = − (vDS − 20) + 9 (A)
130
Se pide representar la trayectoria de apagado del transistor sobre la gráfica del SOA y
también razonar si de acuerdo con los datos puede llegar a destruirse el transistor
durante la conmutación de apagado.
Figura 1
Figura 2
27
Figura 3
28
29
24.- En el circuito de la figura de la bobina y el interruptor se consideran

ideales, excepto en lo que se enunciará al final respecto a este último. La tensión de
entrada es 500 V de continua. Se quiere probar el comportamiento del diodo
SKN60F durante su conmutación de apagado. Para ello se hace la siguiente prueba.
• Se parte de que iL(0) = 0.

• Se cierra el interruptor durante 40 µs.
• Se abre entonces el interruptor, lo que supondría incluir una conmutación de
apagado en la secuencia, pero que se considera ideal.
• Una vez que se ha apagado el interruptor, y durante los aproximadamente 10 µs que
se dejan transcurrir hasta que se vuelve a cerrar el transistor la corriente se considera
que no cambia de valor.
• Se cierra el interruptor nuevamente, con lo que el diodo entrará en fase de apagado.
Con respecto a este intervalo, se pide la forma de onda de la corriente y de la tensión en

el interruptor con indicación de tiempos y valores, suponiendo que las derivadas de
tensión y corriente que este interruptor provoca al encenderse son:
dv / dt = −80 V/µs y di / dt = 120 A/µs .
30
31
25.- Comparar el MOSFET y el transistor bipolar de potencia respecto a los

siguientes aspectos:
− Características que deben cumplir los circuitos de gobierno de uno y otro tipo de
transistor.
− Comportamiento esperado cuando se ponen varios de ellos en paralelo.
− Compromiso entre la tensión de corte y el incremento de las pérdidas en conducción

en uno y otro tipo de transistores.
32
26.- Halle el punto Q del transistor de la figura.
27.- El MOSFET de la Figura P5.2 viene descrito por las curvas características
de la Figura P5.1. Utilice una línea de carga para hallar (VDS, ID) cuando RD =
a) 5 kΩ.
b) 2 kΩ.
c) 1 kΩ.
Sugerencia ¿Cuál es la pendiente de la línea de carga?
33
34
35
28.- Solucionar el siguiente problema. El MOSFET de la figura está en estado

activo. Sus parámetros con k = 2 mA / V2 y Vt =1 V.
a) Halle la tensión en la fuente de corriente.

b) Halle el valor numérico de VDS.
36
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29.- En el circuito de la figura 1 el IGBT es el IKW40N120T2 y el diodo el

60PF12.
1) Los valores de la resistencia y de la inductancia de carga son R= 10 Ω y L = 3

mH. La frecuencia de conmutación es de 5 kHz y el ciclo de trabajo del
transistor es D= 0,3. Además la tensión de alimentación es de 800 V. Para este
circuito calcular el valor medio de la corriente en la carga.
2) Calcular el rizado de corriente en la bobina. Para simplificar este cálculo se
supondrá que la resistencia tiene un valor nulo.
38
39
30.- Usando el valor máximo de la corriente en la bobina, esto es, el que se

calcula teniendo en cuenta el rizado, y con referencia a las gráficas que se
proporcionan del IGBT IKW40N120T2 y del diodo 60PF12:
a. Elegir el valor de la resistencia Rg de modo que la derivada de

decrecimiento de la corriente sea de 80 A/µs.
b. Estimar la corriente media que tiene que proporcionar el circuito de
gobierno. Sobre la gráfica que se proporciona (Vge, Qge) dibujar la
gráfica de carga correspondiente a las condiciones actuales de
conmutación de encendido del IGBT
Para adaptar la corriente a las nuevas condiciones habrá que utilizar de

modo adecuado la ecuación:
K
iD = (vGS − Vt )2
2
Para este IGBT la tensión umbral vale Vt = 5 V y la ganancia K = 4 A/V2
40
Formas de onda y definición de los tiempos de encendido del IGBT para el

uso de las gráficas.
41
Formas de onda y definición de los tiempos de apagado del IGBT para el

uso de las gráficas.
42
43
44
45
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31.- Suponiendo que la tensión que soporta en corte en la aplicación de este

ejercicio el transistor IGBT del módulo SKM300GAL12E4 es de 800 V, y que la
corriente en la bobina tiene un valor de 400 A cuando va a comenzar la
conmutación de encendido del transistor, usando la definición de tiempos que
aparecen en la figura de los oscilogramas de corrientes y tensiones de conmutación
de encendido calcular los tiempos td(on), tr y ti suponiendo un valor de la
resistencia de puerta Rg= 6Ω y usando los datos de la figura 8 de las hojas de
especificaciones del módulo SKM300GAL12E4 :
Para los cálculos se usará un valor de la tensión umbral del IGBT Vth=5,8 V y el valor
del parámetro de ganancia de corriente k (A/V2) de este IGBT se hallará usando los
datos de la gráfica 6 de las hojas de características;
47
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52
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32.- En este ejercicio se analizará la conmutación de apagado del transistor

anterior suponiendo que como antes una conmutación de corriente de 400 A y que
la tensión final de corte va a ser 800 V. La resistencia de puerta continua siendo
Rg= 6Ω. Hay que haller los tiempos td(off), trv (tiempo de subida de la tensión) y tf
(tiempo de caída de la corriente) partiendo como en el caso anterior de la figura 8.
Para completar el ejercicio se usarán los datos de la duración de la conmutación de
apagado obtenidos en el punto anterior para estimar la corriente media que debe
absorber el circuito de gobierno del IGBT en la conmutación de apagado cuando
Rg= 6Ω.
56
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60

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Tema 2. Dispositivos de Potencia.

1.- La concentración intrínseca, ni, de un semiconductor de tipo n es 1,5 x 1010

2.- La concentración intrínseca de un silicio de tipo p tiene valores de 1,5 x

3.- En este problema se muestra un perfil de distribución de carga no

4.- Para el material de la Figura 3.14, ni = 2,4 x 1013 cm-3, Nd = 1016

5.- Una unión pn de silicio se fabrica usando Nd = 1016 y Nd = 10'9

c) Halle el potencial de barrera en voltios a 70

d) Usando como definición de capacidad el cociente entre carga y potencial,

Longitud de la región n- = 40 µm, εSi = 1.05 10-12 F/cm, e = 1.6 10-19 C.

Si la intensidad de campo crítica para la que se produce la avalancha es E = 2 105 V/cm,

En estas condiciones, calcular la caída de tensión en conducción, incluyendo la

12.- El diodo cuyos parámetros son:

Longitud de la región intrínseca: 50.

Tiempo de vida medio de huecos y electrones en las condiciones de conducción del

Va a conducir en régimen permanente una corriente en sentido directo de 1000 A con

• Asumiendo que no tiene lugar la modulación de conductividad hasta después de

• Ahora se asume que modulación de conductividad comienza en t=0, y que esto

Se pide en los dos casos, representar la forma de onda de la tensión en la región de

13.- Las expresiones que se proporcionan es esta pregunta, leídas de izquierda

15.- En relación con las pérdidas en conducción de una explicación de la

16.- Las 2 ecuaciones diferenciales que sirven para representar el proceso

17.- Explicar el principio de funcionamiento y modo de trabajo del transistor bipolar

Estado de las uniones.

Como aplicación práctica, basándose en la gráfica de las hojas de especificaciones que

20.- a) En el circuito de la figura de este problema, obtenga el mínimo valor de

21.- Utilice el análisis de beta infinita para obtener el punto de funcionamiento

22.- Usar las características de transferencia y salida del MOSFET de la figura

23.- El transistor de la figura trabaja con un ciclo de trabajo D=0,3 cuando la

Además, en la figura 2, se ha representado el Área de Trabajo Segura (SOA)

24.- En el circuito de la figura de la bobina y el interruptor se consideran

• Se parte de que iL(0) = 0.

Con respecto a este intervalo, se pide la forma de onda de la corriente y de la tensión en

dv / dt = −80 V/µs y di / dt = 120 A/µs .

25.- Comparar el MOSFET y el transistor bipolar de potencia respecto a los

− Comportamiento esperado cuando se ponen varios de ellos en paralelo.

− Compromiso entre la tensión de corte y el incremento de las pérdidas en conducción

26.- Halle el punto Q del transistor de la figura.

Sugerencia ¿Cuál es la pendiente de la línea de carga?

28.- Solucionar el siguiente problema. El MOSFET de la figura está en estado

a) Halle la tensión en la fuente de corriente.

29.- En el circuito de la figura 1 el IGBT es el IKW40N120T2 y el diodo el

1) Los valores de la resistencia y de la inductancia de carga son R= 10 Ω y L = 3

30.- Usando el valor máximo de la corriente en la bobina, esto es, el que se

a. Elegir el valor de la resistencia Rg de modo que la derivada de

Para adaptar la corriente a las nuevas condiciones habrá que utilizar de

Formas de onda y definición de los tiempos de encendido del IGBT para el

Formas de onda y definición de los tiempos de apagado del IGBT para el

31.- Suponiendo que la tensión que soporta en corte en la aplicación de este

32.- En este ejercicio se analizará la conmutación de apagado del transistor

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