Conception d’un amplificateur RF

simple

Département Télécomunications
2ème année option TST
Travaux Pratiques

Jean-Daniel ARNOULD

École Nationale Supérieure d’Électronique et de Radioélectricité de Grenoble

CIME - Plateforme d’Hyperfréquence et d’Optique Guidée (HOG)
Tel : 04.56.52.94.24

Institut de Microélectronique d’Électromagnétisme et de Photonique

Tel : 04.56.52.95.59

Minatec-INPG, 3 parvis Louis Néel, BP 257

F-38016 GRENOBLE

http ://communication.minatec.inpg.fr/arnould/

Mai 2007
 Table des matières

I Présentation de ADS 7
I.1 Présentation générale d’ADS . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
I.1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
I.2 Projets . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
I.2.1 Projets . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
I.2.2 Créer un projet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
I.2.3 Ouvrir un projet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
I.3 Design . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
I.3.1 Design . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
I.3.2 Créer un Design . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
I.3.3 Ouvrir un Design . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
I.4 Simulation dans ADS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
I.4.1 Simulation d’un design . . . . . . . . . . . . . . . . 14
I.4.2 Visualisation des résultats . . . . . . . . . . . . . . . 14
I.4.3 Optimisation d’un design . . . . . . . . . . . . . . . 14

II Partie théorique 17
II.1 Ligne de transmission microruban . . . . . . . . . . . . . . . 18
II.1.1 Ligne de transmission microruban . . . . . . . . . . 18
II.2 Transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
II.2.1 Gain d’un amplificateur . . . . . . . . . . . . . . . 20
II.2.2 Adaptation d’un amplificateur . . . . . . . . . . . 20
II.2.3 Critères de stabilité et d’adaptation . . . . . . . . 21
II.2.4 Étude comparative de différents réseaux d’adap-
tation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

III Partie Pratique 25

III.1 Simulation d’une ligne microruban . . . . . . . . . . . . . . . 26
III.1.1 Création du projet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
4 Table des matières

III.1.2 Réponse fréquentielle . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

III.1.3 Adaptation de la ligne – variation d’un paramètre 26
III.2 Simulation d’un amplificateur microonde . . . . . . . . . . . 28
III.2.1 Simulation d’un amplificateur microonde . . . . . 28
III.2.2 Étude du transistor sans réseau d’adaptation . . . 28
III.2.3 Etude du transistor avec réseau d’adaptation à
lignes et stubs idéaux . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
III.2.4 Étude du transistor avec réseaux d’adaptation
à lignes et stubs réels . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
III.2.5 Étude du transistor avec réseaux d’adaptation
à cellules L-C idéales . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
III.2.6 Étude du transistor avec réseaux d’adaptation
à cellules L-C réelles . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
 5

Ce T.P. propose une prise en main rapide (4 heures) du logiciel Agilent-ADS

et met en œuvre l’adaptation simultanée conjuguée d’un amplificateur microonde
simple. L’étudiant pourra ainsi confronter ses solutions “idéales” calculées à l’aide
de l’abaque de Smith avec les réponses “réelles” calculées à partir d’Agilent ADS
après une optimisation numérique à partir de ces cas idéaux.

Ce texte de T.P. au format PDF naviguable a été écrit en LATEX avec la classe
PolyTEX développée à l’Université Technologique de Compiègne. Il est direcement
consultable en ligne, ainsi que tout autre document lié à l’enseignement ou à la
recherche dans le domaine des Télécommunications RF à l’adresse :
http ://communication.minatec.inpg.fr/arnould/.

Ce document comporte 3 chapitres ; le premier présente le logiciel ADS de ma-

nière générale, le second traite de la partie théorique qui doit être impérative-
ment préparée avant la séance de T.P., le troisième décrit la partie pratique à
effectuer pendant la séance.
Les notions de ce T.P. font référence au cours 1A de Mme Vilcot “Ondes Electro-
magnétiques” et au cours 2A de Mme Cabon “Architectures de systèmes sans fils”.
Les résultats sont directement à mettre en relation avec ceux du T.P. “Analyse
vectorielle de dispositifs passifs et d’un ampli RF simple” et donneront lieu à un
compte rendu à remettre à l’enseignant en fin de séance. Une attention particu-
lière sera portée sur la comparaison des résultats de simulation numérique avec
ceux mesurés en pratique en ce qui concerne l’amplificateur RF dans ces 3 confi-
gurations (non adapté, adapté avec une topologie discrète et avec une topologie
répartie).
 Chapitre I
Présentation de ADS

I.1 Présentation générale d’ADS . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

I.1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
I.2 Projets . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
I.2.1 Projets . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
I.2.2 Créer un projet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
I.2.3 Ouvrir un projet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
I.3 Design . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
I.3.1 Design . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
I.3.2 Créer un Design . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
I.3.3 Ouvrir un Design . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
I.4 Simulation dans ADS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
I.4.1 Simulation d’un design . . . . . . . . . . . . . . . . 14
I.4.2 Visualisation des résultats . . . . . . . . . . . . . . . 14
I.4.3 Optimisation d’un design . . . . . . . . . . . . . . . 14
8 Présentation de ADS

I.1 Présentation générale d’ADS

I.1.1 Introduction
Cours :
Projets
Design
Simulation d’un design

F IG. I.1.1 – Advanced Design System

Advanced Design System, développé par Agilent EEsof EDA, est un logiciel
de conception et modélisation de systèmes électroniques pour les microondes et les
radiofréquences. Les applications visées sont très vastes et comprennent en autre
le domaine de la téléphonie mobile, les pagers, les réseaux sans fil, les systèmes
de communications radar et satellite.
Le logiciel offre des possibilités de conception et de simulation pour les do-
maines des radiofréquences et des microondes et se divise en 2 modules Analog
RF Designer et Digital Signal Processing Designer pouvant interagir entre eux :
• La conception de circuits intégrés monolithiques (MMICs) ou hybrides (avec
des Composants Montés en Surface).
• La conception de nouvelles architectures pour les futures normes de télé-
communications sans fils.
I.2 Projets 9

I.2 Projets

I.2.1 Projets
ADS utilise des projets (extension _prj) pour organiser automatiquement les
données issues de la création, de la simulation ou de l’analyse d’un nouveau de-
sign.
Un projet inclue le circuit, le layout, la simulation et les résultats d’un design
créé à partir de la fenêtre principale (main) qui apparaît lors de l’ouverture de
ADS (figure I.2.2).

F IG. I.2.2 – Fenêtre principale

Un projet se compose des répertoires suivants :

• Data : contient les données de simulation ou dataset (nom.ds)
• Mom_dsn : contient les design et données de simulation issus de momentum
• Networks : contient les fichiers de design ou pages schematic (nom.dsn) et
les fichiers de layout des circuits (nom_layout.dsn)
• Synthesis : contient les données de synthèse DSP
• Verification : contient les données issues du DRC
Les résultats (graphe, abaque de Smith, etc . . .) se visualisent dans une fenêtre
"data display" et sont sauvegardés dans un fichier nom.dds au niveau de la racine
du projet (invisible à partir de la fenêtre principale).
10 Présentation de ADS

I.2.2 Créer un projet

L’opération de création d’un nouveau projet est représentée par la figure I.2.3.
Elle s’effectue à partir de la fenêtre principale.

F IG. I.2.3 – Création d’un nouveau projet

I.2.3 Ouvrir un projet

Pour ouvrir un projet, on peut utiliser les deux procédures suivantes :

• Choisir le menu File/Open Project puis utiliser la boîte de dialogue pour
localiser le projet à ouvrir
• Utiliser l’explorateur de la fenêtre principale pour localiser le projet et
double cliquer pour l’ouvrir (figure I.2.4)
Attention : seulement un projet peut être ouvert à la fois. Il est donc recom-
mandé de sauvegarder les données du projet courant avant d’en ouvrir un autre.
I.2 Projets 11

F IG. I.2.4 – Ouvrir un projet existant

12 Présentation de ADS

I.3 Design

I.3.1 Design
Cours :
Introduction
Projets
Simulation d’un design

ADS utilise des fichiers design (nom.dsn) pour enregistrer les circuits de si-
mulation et les layout. Un fichier de design est une page schematic à partir de
laquelle il est possible de :
• Créer et modifier des circuits et layout
• Ajouter des équations et des variables
• Placer et modifier des composants et leurs contrôles
• Ajouter des commentaires sous forme de texte
• Générer un layout à partir du schematic (et réciproquement)

I.3.2 Créer un Design

F IG. I.3.5 – Fenêtre design - schematic

L’ouverture d’un nouveau projet implique automatiquement l’ouverture d’une

nouvelle page schematic qui sera sauvegardée dans le répertoire networks.
Pour créer un nouveau design (cf. figure I.3.5), il est possible d’utiliser les deux
procédures suivantes :
• Menu Window/New Schematic dans la fenêtre principale
I.3 Design 13

• Menu File/New Design dans la fenêtre principale et donner le nom de fi-

chier à créer
Il est ensuite possible d’insérer les éléments (composants, données, sources,
boîte de simulation et de contrôle, . . .) disponibles dans les bibliothèques du logi-
ciel.
La figure I.3.6 représente l’insertion dans la fenêtre schematic d’un module
complet de simulation des paramètres S en deux ports
(menu Insert\T emplate\S_params). Le logiciel insère directement toutes les boîtes
nécessaires pour mener à bien la simulation à savoir deux ports Term par défaut
d’impédance 50 Ω, une boite de commande des paramètres S et d’un module d’af-
fichage des quatre paramètres (Template).

F IG. I.3.6 – Insertion d’un bloc de simulation des paramètres S

Il est également possible d’insérer séparément chacun des éléments de la figure

I.3.6 en allant les chercher dans la bibliothèque Simulation-S_param.

I.3.3 Ouvrir un Design

Un design existant peut s’ouvrir :
– A partir de la fenêtre principale dans le menu File/Open Design
– En utilisant l’explorateur pour localiser, sélectionner et double cliquer sur le
design pour l’ouvrir
– A partir de la fenêtre schematic dans le menu File/Open Design
14 Présentation de ADS

I.4 Simulation dans ADS

I.4.1 Simulation d’un design

Cours :
Introduction
Projets
Design

ADS fournit tous les éléments de contrôle pouvant être ajoutés et configurés
dans la fenêtre schematic pour simuler les caractéristiques du design.
La figure I.3.6 montre un élément S-PARAMETERS qui permet de simuler
les paramètres S d’un circuit. Cet élément est soit automatiquement inséré dans
le schematic si un module prédéfinit est utilisé soit disponible dans la bibliothèque
"Simulation-S_Param".
La simulation se lance en cliquant sur l’icône appropriée ou en allant dans le
menu Simulate.

F IG. I.4.7 – Simulation sous ADS

I.4.2 Visualisation des résultats

A la fin de la simulation, le logiciel ouvre une page de présentation (data dis-
play) dans laquelle les courbes (graphique linéaire/log, abaque de Smith, etc . . .)
peuvent être tracées (cf. figure I.4.8). Il est également possible de positionner un
marker sur les courbes (Insert Marker) afin de visualiser les coordonnées d’un
point précis.

I.4.3 Optimisation d’un design

L’optimisation d’un design est une procédure permettant de modifier la valeur
de variables pour qu’elles satisfassent un objectif défini auparavant.
L’optimisation dans ADS permet de comparer les résultats simulés à l’objectif
et modifie les valeurs des variables pour qu’elles se rapprochent le plus possible
de l’objectif à atteindre.
I.4 Simulation dans ADS 15

F IG. I.4.8 – Aperçu d’une page de présentation

Pour effectuer une optimisation, il est nécessaire d’insérer les éléments sui-
vants dans la page schematic (cf. figure I.4.9) :

• au moins un paramètre identifié dans le circuit comme étant une variable

nommée "Var eqn" (bibliothèque "Data Items") à optimiser (option “opt”)
dans un intervalle de valeurs.
• une boîte d’objectif nommée "Goal" (bibliothèque "Optim-Stat-Yield-DOE").
• une boîte d’optimisation nommée "Optim" (bibliothèque "Optim-Stat-Yield-
DOE").

Il existe différentes méthodes mathématiques d’optimisation d’un design : Ran-

dom, Gradient, Quasi-Newton, une combinaison de méthode Gauss-Newton et
Quasi-Newton, algorithme direct et génétique...
D’une manière générale, la méthode Random est utilisée dans un premier
temps puis complétée par la méthode Gradient pour affiner l’optimisation.

Nota Bene :

La réussite de l’optimisation dépend essentiellement de l’aptitude de l’utilisa-

teur à exprimer correctement un objectif à atteindre (goal) suivant une méthode
numérique appropriée (optim) et dans un intervalle réaliste de paramètres à ajus-
ter (opt val min to val max).
Autrement dit même le plus puissant des algorithmes ne pourra pas donner
une réponse adéquate à un paramètre à optimiser entre −∞ et +∞. Il ne faut ja-
mais oublier que toute simulation numérique à un objectif de conception pratique
16 Présentation de ADS

F IG. I.4.9 – Outils pour optimiser un design

dans une technologie donnée. Le concepteur doit donc avoir réfléchi préalable-
ment au problème pour aider l’algorithme choisi à converger vers une solution
réalisable (éviter typiquement des lignes microruban de 1km de long répondant
au problème mathématique !) [3, 4].
 Chapitre II
Partie théorique

II.1 Ligne de transmission microruban . . . . . . . . . . . . . . . 18

II.1.1 Ligne de transmission microruban . . . . . . . . . . 18
II.2 Transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
II.2.1 Gain d’un amplificateur . . . . . . . . . . . . . . . . 20
II.2.2 Adaptation d’un amplificateur . . . . . . . . . . . 20
II.2.3 Critères de stabilité et d’adaptation . . . . . . . . 21
II.2.4 Étude comparative de différents réseaux d’adap-
tation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

Cette partie est à préparer impérativement avant la séance de TP et à

rendre avec la partie pratique à la fin des 4 heures !
18 Partie théorique

II.1 Ligne de transmission microruban

II.1.1 Ligne de transmission microruban

Cours :
Transistor

Zin ,Γin Zout ,Γout

L

Z0 Zc à déterminer Z0

F IG. II.1.1 – Schéma (vue de dessus) d’une ligne de transmission en technologie

microruban

On considère le montage de la figure II.1.1 qui représente une ligne de trans-

mission en technologie microruban d’impédance caractéristique Zc et placée entre
2 ports de mesure à Z0 = 50Ω. L’impédance et le coefficient de réflexion ramenés
en entrée s’écrivent respectivement :
 Zin − Z0 2
 
Zout +  Zc tan β` 2 Pr
Zin = Zc |Γin | = =   (II.1.1)
Zc +  Zout tan β` Pi Zin + Z0 

fréquence f Impédance en entrée Zin Coefficient de réflexion Γin

Cas général Zout =Z0 Cas général Zout =Z0
f =0

f telle que :
L = (2n + 1)λg /4

f telle que :
L = nλg /2

T AB. II.1 – Impédance et coefficient de réflexion ramenés en entrée en fonction de

fréquences particulières
II.1 Ligne de transmission microruban 19

• Pour les fréquences particulières suivantes, donner l’expression de Zin et

de Γin (λ est la longueur d’onde guidée). On donnera Zin et Γin dans le cas
général, puis pour Zout = Z0 (tableau II.1 à compléter).
On se place dans le cas où Zout = Z0 .
• Donner l’allure du coefficient de réflexion en fonction de la fréquence.
• A quelle fréquence peut-on mesurer facilement l’impédance caractéristique
Zc de la ligne ? Donner alors la formule permettant de la déterminer.
• A quelle(s) fréquence(s) peut-on mesurer facilement la longueur d’onde gui-
dée λg dans la ligne ?
Donner alors l’expression donnant la permittivité relative effective ref f de la ligne
en fonction de la fréquence f mesurée, de la longueur de la ligne L, etc...
20 Partie théorique

II.2 Transistor

II.2.1 Gain d’un amplificateur

Cours :
ligne microruban

Les amplificateurs microondes sont généralement définis par leur gain en puis-
sance, très souvent exprimé en dB. Le gain en puissance d’un étage amplificateur
à un transistor dépend de plusieurs facteurs :
• le gain intrinsèque du transistor
• l’adaptation en entrée
• l’adaptation en sortie
En effet, il ne suffit pas que le transistor ait un grand gain intrinsèque, il faut
également que la puissance puisse y "entrer" et en "sortir".
On définit le gain transductique d’un étage GT , par le rapport entre la puis-
sance fournie à la charge et la puissance susceptible d’être fournie par le généra-
teur (voir cours "Dispositifs Actifs hyperfréquences") [1, 2].

|S21 |2 1 − |Γg |2 1 − |Γ` |2

GT = (II.2.1)
|(1 − S11 Γg ) (1 − S22 Γ` ) − S12 S21 Γ` Γg |2
Dans cette expression interviennent les quatre paramètres S du transistor ainsi
que les coefficients de réflexion sur la charge Γ` et le générateur Γg .

Amplificateur
Z0 Z0

Zg ,Γg Zl ,Γl
F IG. II.2.2 – Amplificateur non adapté

REMARQUE : Tous les coefficients de réflexion (Sij , Γi ) sont référencés par

rapport à l’impédance caractéristique Z0 des accès.

II.2.2 Adaptation d’un amplificateur

Le concepteur d’un amplificateur microondes doit résoudre le problème sui-
vant :
II.2 Transistor 21

Zin ,Γin Zout ,Γout

Réseau d’ Réseau de
entrée Amplificateur sortie
Z0 Z0

g ,Γg’
Z’ Zg ,Γg Zl ,Γl Z’l ,Γl’
F IG. II.2.3 – Amplificateur avec ses réseaux d’adaptation en entrée/sortie

Compte tenu des caractéristiques de l’amplificateur il faut optimiser le trans-

fert d’énergie de la source vers la zone active de l’amplificateur et de la zone active
vers la charge. Ceci nécessite en général d’insérer des réseaux d’adaptation (non
dissipatifs) en entrée et en sortie de l’amplificateur. Ces réseaux sont souvent
constitués de tronçons de lignes en série ou en parallèle (stubs) ou de cellules L-C
montées en L. Ils fonctionnent donc généralement sur une bande de fréquence li-
mitée. Il est possible qu’un réseau, calculé pour une fréquence f1 , améliore le gain
GT à cette fréquence, mais le dégrade à une autre fréquence f2 .
L’adaptation conjuguée simultanée consiste à transformer les coefficients de
réflexion Γ0g et Γ0l respectivement en Γg = Γ∗in et Γ` = Γ∗out ramenés dans les plans
de l’amplificateur.

Nota Bene :
∗ ∗
Raisonner sur les impédances d’entrées/sorties (Zg = Zin ,Z` = Zout ) revient
exactement au même que raisonner sur les coefficients de réflexion (Γg = Γ∗in ,Γ` =
Γ∗out ) car la transformation les liant est conforme (représentation unique sur l’abaque
de Smith).

II.2.3 Critères de stabilité et d’adaptation

Comme tout système physique présentant du gain, un amplificateur peut être
à l’origine d’une instabilité. La stabilité d’un système peut être définie d’une ma-
nière générale comme sa tendance à s’opposer aux perturbations extérieures [1,
2].
Pour un dispositif microonde, ceci peut s’étudier en observant le rapport des
ondes réfléchies et incidentes en entrée ou en sortie (on définit alors une instabilité
en entrée ou en sortie).
Si le module de bi /ai est supérieur à un, le dispositif est susceptible d’être in-
stable (ceci correspond à une impédance d’entrée à partie réelle négative), parce
que générateur potentiel d’oscillations.
Compte tenu de la désadaptation de l’amplificateur en sortie (Γ` 6= 0) le rapport
22 Partie théorique

b1 /a1 s’écrit :
b1 S21 S12 Γ`
= Γin = S11 + (II.2.2)
a1 1 − S22 Γ`
L’instabilité en sortie s’étudie de la même façon à partir du rapport b2 /a2 qui
s’écrit :
b2 S21 S12 Γg
= Γout = S22 + (II.2.3)
a2 1 − S11 Γg
Les critères d’adaptation et de stabilité n’étant pas forcément compatibles, plu-
sieurs cas sont à distinguer :
• L’amplificateur est conditionnellement stable et inadaptable. Ce cas est le plus
défavorable car il est impossible d’adapter l’amplificateur et de plus sa sta-
bilité n’est pas assurée pour toutes les conditions de charge ou d’excitation.
Cette situation est à rejeter pour la conception d’un amplificateur.
• L’amplificateur est conditionnellement stable et adaptable. On est dans le cas
précédent mais il est toutefois possible d’adapter l’amplificateur. Cette si-
tuation est acceptable mais dangereuse.
• L’amplificateur est inconditionnellement stable et adaptable. Cette situation
est idéale.

On définit un critère permettant d’accéder à la stabilité et à l’adaptabilité

d’un quadripole sous test représenté par sa matrice [S]. Il s’agit du facteur
de Rolett K :
1 + |∆|2 − |S11 |2 − |S22 |2
K= (II.2.4)
2|S21 ||S12 |
∆ est le déterminant de la matrice S : ∆ = S11 S22 − S21 S12 .
La possibilité d’une adaptation simultanée entrée-sortie va se faire selon les
valeurs de K, qui est une caractéristique du quadripôle, qui est un invariant lors
de la mise en cascade du transistor avec des quadripôles purement réactifs.
Si K>1 :
On peut adapter simultanément l’entrée et la sortie
• Si |∆| < 1 : l’amplificateur est inconditionnellement stable, quelles que
soient les valeurs des impédances de source Zg et de charge Z` , car les coef-
ficients de réflexion ramenés à l’entrée et à la sortie ont un module inférieur
à 1.
Le gain en puissance maximum GT max , s’exprime en fonction de K et du dé-
faut de réciprocité par :

|S21 | √
GT max = |K − K 2 − 1| (II.2.5)
|S12 |
• Si |∆| > 1 : la stabilité est conditionnelle, mais l’amplificateur est toujours
adaptable simultanément.
Si K<-1 :
Le transistor n’est pas adaptable simultanément en entrée/sortie, il est de plus
naturellement instable donc inutilisable en tant qu’amplificateur.
Si lKl<1 :
L’adaptation est impossible ; l’amplificateur est conditionnellement stable.
II.2 Transistor 23

II.2.4 Étude comparative de différents réseaux d’adaptation

On souhaite adapter simultanément en entrée et en sortie un amplificateur
microonde.
Pour cela nous allons comparer l’adaptation à l’aide de lignes et de stubs idéaux,
de lignes et de stubs réels (avec pertes), de cellules L-C idéales montées en L et de
cellules L-C réelles (composants discrets CMS)
a) Adaptation à l’aide de lignes et de stubs idéaux :

Zin ,Γin Zout ,Γout

Lin Lout
Amplificateur

dout
din

Z0 CO CO Z0

g ,Γg’
Z’ Zg ,Γg Zl ,Γl Z’l ,Γl’
F IG. II.2.4 – Adaptation à lignes et stubs du transistor

• Calculer les rapports Lin /λg , din /λg , Lout /λg et dout /λg (avec λg la longueur
d’onde guidée dans le milieu) de façon à obtenir Zin =Zg *=(10, 203 − 5, 019) et
Zout =Z` *=(9, 439 − 55, 473) à la fréquence de 1,5 GHz en utilisant le premier
abaque de Smith fourni en annexe (et à rendre avec la préparation théo-
rique !). On choisira la solution qui donne la longueur du stub en circuit
ouvert la plus petite.

b) Adaptation à l’aide de cellules L-C montées en L :

Zin ,Γin Zout ,Γout

Amplificateur
Z0 Z0

g ,Γg’
Z’ Zg ,Γg Zl ,Γl Z’l ,Γl’
F IG. II.2.5 – Adaptation à cellules LC du transistor
24 Partie théorique

• Calculer les valeurs des selfs parallèles et des capacités séries à la fré-
quence de 1,5 GHz de façon à obtenir l’adaptation simultanée conjuguée en
entrée/sortie de l’amplificateur en utilisant le deuxième abaque de Smith
fourni en annexe (et à rendre avec la préparation théorique !).
 Chapitre III
Partie Pratique

III.1 Simulation d’une ligne microruban . . . . . . . . . . . . . . . 26

III.1.1 Création du projet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
III.1.2 Réponse fréquentielle . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
III.1.3 Adaptation de la ligne – variation d’un paramètre 26
III.2 Simulation d’un amplificateur microonde . . . . . . . . . . . 28
III.2.1 Simulation d’un amplificateur microonde . . . . . 28
III.2.2 Étude du transistor sans réseau d’adaptation . . . 28
III.2.3 Etude du transistor avec réseau d’adaptation à
lignes et stubs idéaux . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
III.2.4 Étude du transistor avec réseaux d’adaptation
à lignes et stubs réels . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
III.2.5 Étude du transistor avec réseaux d’adaptation
à cellules L-C idéales . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
III.2.6 Étude du transistor avec réseaux d’adaptation
à cellules L-C réelles . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

Vous prendrez soin dans cette partie d’imprimer les résultats qui vous
semblent pertinents !
Une courbe bien commentée vaut mieux qu’un long discours théorique !
26 Partie Pratique

III.1 Simulation d’une ligne microruban

Afin de prendre en main les différentes fonctions de base du logiciel, nous al-
lons nous intéresser aux caractéristiques fréquentielles d’une ligne microruban.

III.1.1 Création du projet

Cours :
simu ampli

• Cliquer sur l’icône ADS pour ouvrir le logiciel.

• Créer un nouveau projet "votrenom_PRJ" que vous placerez dans le réper-
toire TST2A_votrenom que vous aurez créé préalablement avec le naviga-
teur Windows dans C :\TEMP\.
La création d’un nouveau projet doit ouvrir directement une page "Schematic", si
ce n’est pas le cas, en ouvrir une à partir de la fenêtre principale du logiciel comme
défini en section Cours :
Design
• Prenez soin d’enregistrer de temps en temps vos design.

III.1.2 Réponse fréquentielle

• En utilisant un utilitaire de ADS, LineCalc (disponible dans le menu "tools"),
définir la largeur W de la ligne microruban sur substrat de verre téflon pour
que la ligne ait une impédance de 100Ω. Relever également la valeur de la
permittivité effective εref f (calculée).
• Insérer, de manière identique à la figure III.1.1, les éléments nécessaires
à la simulation des paramètres S d’une ligne microruban sur substrat de
verre téflon. La sortie de ligne est fermée par une charge 50Ω.

• Visualiser le coefficient de réflexion en module (dB) et sur l’abaque de Smith.

Commenter dans chaque cas la courbe obtenue.
• A partir des graphes, déterminer l’impédance caractéristique et la permit-
tivité effective εref f (simulée) de la ligne. Expliquer rapidement la démarche
vue dans la préparation théorique.
On pourra utiliser des curseurs (marker) pour relever la valeur d’un paramètre.

III.1.3 Adaptation de la ligne – variation d’un paramètre

Le logiciel permet de faire varier en temps réel n’importe quel paramètre des
composants constituant le circuit. Il suffit pour cela d’utiliser la fonction Tuning
du menu Simulate.
III.1 Simulation d’une ligne microruban 27

F IG. III.1.1 – Outils de simulation des paramètres S d’une ligne microruban

• Configurer la simulation afin de déterminer la largeur W réalisant l’adap-

tation de la ligne à 50Ω. Expliquer votre démarche, donner la valeur de W
et vérifier avec Tools/LineCalc/Send Selected Component to LineCalc.
28 Partie Pratique

III.2 Simulation d’un amplificateur microonde

III.2.1 Simulation d’un amplificateur microonde

Cours :
simu micro

Un amplificateur microonde, dans sa version la plus simple, comprend un tran-

sistor et deux réseaux d’adaptation, l’un en entrée et l’autre en sortie.
Nous allons étudier deux des étapes principales de la conception d’un amplifi-
cateur microondes sans se soucier d’obtenir la stabilité à toutes les fréquences :
1. Étude du transistor sans réseau d’adaptation

Il s’agit de visualiser les paramètres S du transistor mesurés sur l’analyseur

vectoriel de réseaux dans ses plans d’entrée et de déterminer ses perfor-
mances à 1,5 GHz.
2. Étude du transistor avec réseaux d’adaptation en entrée et en sortie

Le réseau d’adaptation doit adapter l’impédance d’entrée et de sortie du

transistor à l’impédance de référence de la mesure (50Ω). Chaque réseau
sera optimisé à part à partir de l’étude théorique puis inséré en entrée et en
sortie transistor.

III.2.2 Étude du transistor sans réseau d’adaptation

• Créer un nouveau design (transistor.dsn) en reprenant les étapes de la sec-
tion Cours : .
Design
Création du design
Les paramètres S du transistor ont été mesurés et les données sont sauvegar-
dées dans un dataset nommé BFR93A_10mA_7_7V_3GHz_stab.ds qui se trouve
dans le répertoire \\lhogpc2\lhog\tst2a\BF R93A.
• Dans la page schematic, il est possible d’insérer des données provenant d’un
dataset de mesure.
Pour cela utiliser un composant "2 ports S Parameter File" (S2P) qui se trouve
dans la bibliothèque "Data Items" et lui donner ensuite le nom du dataset auquel
il se réfère.
Performances du transistor à 1,5 GHz
• Insérer les éléments de contrôle nécessaires à la simulation des paramètres
S du transistor entre 300 kHz et 3 GHz. Les données de simulation sont
sauvegardées dans le dataset "transistor".
III.2 Simulation d’un amplificateur microonde 29

• Insérer une boîte permettant le calcul direct du facteur de Rollet ("StabFct"

dans la bibliothèque Simulation-S_Param)
• Dans la page présentation, visualiser les quatre paramètres S en utilisant
le format de présentation graphique adéquat.
Commenter les résultats obtenus et relever les valeurs des paramètres à 1, 5 GHz.
• Visualiser simultanément le facteur de Rolett et le déterminant de la ma-
trice S (pour cela une équation sera créée).
Conclure sur l’adaptation et la stabilité du transistor.
• Visualiser les cercles de gain en entrée “gacircle” et en sortie “gpcircle” (de-
∗ ∗
mander à l’enseignant). A t’on Γg = S11 et Γ` = S22 ? Pourquoi ?
∗ ∗
• Vérifier les valeurs de Zin et Zout obtenues avec celles données dans la pré-
paration théorique.

III.2.3 Etude du transistor avec réseau d’adaptation à lignes et

stubs idéaux
Création du réseau d’adaptation d’entrée
• Créer un nouveau design pour effectuer l’optimisation du réseau d’adapta-
tion en entrée constitué des éléments idéaux suivants (à chercher dans la
bibliothèque Tlines-Ideal) :
– une ligne de transmission microruban ("TLIN")
– un stub ouvert mis en parallèle ("TLOC", attention le port2=ref doit être
connecté à la masse)
• Expliquer le principe d’adaptation brièvement.
Optimisation du réseau d’adaptation d’entrée
• Quel objectif doit-on formuler pour optimiser le réseau d’adaptation ?
• Effectuer l’optimisation du réseau d’adaptation.
Vérifier le résultat de l’optimisation sur l’abaque de Smith et confronter les lon-
gueurs de lignes trouvées par la simulation avec celles calculées à l’aide de l’abaque
de Smith dans la préparation théorique.
• Donner la géométrie du réseau d’adaptation trouvé.
Création du réseau d’adaptation de sortie
• Reprendre les questions des paragraphes précédents pour le réseau d’adap-
tation de sortie.
Étude du transistor adapté
• Ajouter les réseaux d’adaptation en entrée et sortie du transistor et sau-
vegarder le design, le dataset et le fichier de présentation sous un autre
nom.
• Visualiser les paramètres S entre 300 kHz et 3 GHz et commenter les résul-
tats. Conclure.
30 Partie Pratique

III.2.4 Étude du transistor avec réseaux d’adaptation à lignes et

stubs réels
• Suivre une démarche identique à la précédente en remplaçant les éléments
idéaux TLIN et TLOC par des lignes microruban d’impédance caractéris-
tique 50 ohms sur le même substrat Verre-Téflon étudié en première partie.
• Comparer le cas réel avec le cas idéal. Conclusion

III.2.5 Étude du transistor avec réseaux d’adaptation à cellules

L-C idéales
• Suivre une démarche identique à la précédente en remplaçant les éléments
microrubans par les cellules L-C en entrée/sortie de l’amplificateur calcu-
lées dans la partie théorique.
• Comparer les résultats précédents. Conclusion

III.2.6 Étude du transistor avec réseaux d’adaptation à cellules

L-C réelles
• Suivre une démarche identique à la précédente en remplaçant les cellules
L-C en entrée/sortie de l’amplificateur par des composants CMS d’une li-
brairie constructeur.
• Comparer les résultats précédents. Conclusion
 Bibliographie

[1] R. Badoual. Les micro-ondes, volume I et II. 1983.

[2] P.-F. Combes. Micro-ondes, volume I et II. 1996.
[3] F. Gardiol. Hyperfréquences. 1987.
[4] F. Gardiol. Microstrip Circuits. 1994.
 Index des concepts

Le gras indique un grain où le concept Ouvrir un Design . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

est défini ; l’italique indique un renvoi à un Ouvrir un projet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
exercice ou un exemple, le gras italique à
un document, et le romain à un grain où le
concept est mentionné.
P
Projets . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8, 9, 12, 14
A
Adaptation d’une ligne . . . . . . . . . . . . . . . 26 R
Adaptation simultanée conjuguée . . . 20 Réseau d’adaptation à lignes et stubs idéaux
29
C Réseau d’adaptation à lignes et stubs réelles
Créer un Design . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 30
Créer un projet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 Réponse fréquentielle . . . . . . . . . . . . . . . . 26
Réseaux d’adaptation . . . . . . . . . . . . . . . . 23
Réseaux d’adaptation avec cellules LC
D idéales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
Design . . . . . . . . . . . . . . . . . 8, 12, 14, 26, 28 Réseaux d’adaptation avec cellules LC
réelles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
F
Facteur de Rollett . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
S
Simulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
I Simulation d’un amplificateur microonde
Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8, 12, 14 28
Simulation d’un design . . . . . . . . 8, 12, 14
L Simulation d’une ligne microruban . . 26
Ligne de transmission microruban . . 18
T
O Transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18, 20
Optimisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 Transistor non adapté . . . . . . . . . . . . . . . 28
 The Complete Smith Chart
Black Magic Design

0.12 0.13
0.11 0.14
0.38 0.37 0.15
0.1 0.39 0.36
90
0.4 100 80 0.35 0.1
9
0.0 6

45
50
1 110 40 70 0.3
0.4 4

1.0
0.9
0.1

1.2
8

55
0.0

0.8
7
35 0.3

1.4
2 60
0.4 120

0.7
3
0.6 60

)
/Yo 0.1

1.6
0.0
7 (+jB 30 8
CE 0.3
3 AN
0.4 PT 0.2 2

1.8
0 CE 50
65

13 SUS
E

2.0
IV
0.5
06

0.
IT 25

19
0.

AC
44

0.
P

31
0.

CA
70

R
,O 0.4
o)
0

40
14

4
5

0.

0.2
0.0

/Z

20
5

0.3
jX
0.4

(+

3.0
T
75

EN

0.6
N
PO
4

0.2
0.0

0.3
OM
0
6

0.2

1
30
15
0.4

9
EC

0.8 15
>

4.0
R—

80

NC
TO

TA

1.0

0.22
AC
ERA

0.47

0.28
5.0
RE

1.0
GEN

0.2
0

IVE

20
85
1 6

10
UCT
ARD

8
0.

0.23
IND
S TOW

0.48

0.27
ANG
90

0.6

ANG
LE OF
NGTH

10

LE OF
0

0.1
17

0.4

TRANSM
0.0 —> WAVELE

0.24
0.49

0.26
REFLECTION COEFFICIENT IN DE
20
0.2

ISSION COEFFICIENT IN
50
0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

3.0

4.0

5.0

10

20

50

0.25

0.25
± 180
0.0

RESISTANCE COMPONENT (R/Zo), OR CONDUCTANCE COMPONENT (G/Yo)

50
AD <—

0.2
20

0.24
O
0.49

0.26
D L

0.4
70

0.1
R

DEGR
OWA
-1

G
10

RE
0.6
T

ES
EES
-90

0.23
S

)
0.48

0.27
TH

/Yo
G

(-jB

8
0.
N

-10
E

CE
L
0
-85

-20
0.2
6
E
1
AV

AN

1.0
-

5.0

0.22
W

T
7

0.28
0.4

1.0
<—

CE
US
-15 -80

4.0
ES

0.8 -15
IV
4

0.2
0

0.3
-30
T
0.0

C
6

0.2
1
0.4

DU

9
IN

0.6
-75

3.0
O
),
5

Zo

-20
0.2
0.0

X/
5

4
0.3

0.
0.4

(-j
40

-4
-1

T 0.4
EN
-70

N
PO
06

0.
19
0.

OM -25
44

0.

EC
0.5

31
0.

2.0

NC -5
TA 30 0
-65

-1
AC 7 0.2 0.1
1.8

RE 0.0 8
VE
0.6

I 0.3
A CIT
0.4
3 -30 2
1.6

CAP
-60

2 0 8 -60 0.1
0.7

- 1 0. 0 7
1.4

2 -35 0.3
0.8

0.4 3
1.2
-55

0.9

0.1
1.0

0 . 0 9 -70 6
-11 0 0
-4
0
-5

0.3
-4

1
0.1 0.4 -100 -80 0.15 4
-90
0.11 0.14 0.35
0.4 0.12 0.13
0.39 0.36
0.38 0.37
O (C dB O ]
F

RADIALLY SCALED PARAMETERS

. C K SS [ SS C [dB
EF
.
N P L L EN

P)

TOWARD LOAD —> <— TOWARD GENERATOR

SW d S [d EFF , E o
RT

A W. L. W. TT

EF O ]
P T.

∞ 100 40 20 10 5 4 3 2.5 2 1.8 1.6 1.4 1.2 1.1 1 15 10 7 5 4 3 2 1

SM EA O O

F, NS
N

TR S. RF S. A
R BS B] , P r I
. L L. OE
RF L. C
O CO FF

∞ 40 30 20 15 10 8 6 5 4 3 2 1 1 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.6 1.8 2 3 4 5 10 20 ∞

RF

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 20 30 ∞ 0 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.5 2 3 4 5 6 10 15 ∞

I
or
E

1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0.05 0.01 0 0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2 2.5 3 4 5 10 ∞
F,
EF

1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 1 0.99 0.95 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0
O
.C
SM

CENTER
N
A

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2
TR

ORIGIN
 NAME TITLE DWG. NO.

DATE
SMITH CHART FORM ZY-01-N Microwave Circuit Design - EE523 - Fall 2000

NORMALIZED IMPEDANCE AND ADMITTANCE COORDINATES

0.12 0.13
0.11 0.14
0.38 0.37 0.15
0.1 0.39 0.36
90
0.4 100 80 0.35 0.1
9
0.0 6

45
50
1 110 40 70 0.3
0.4

1.0
1.0
4

0.9

0.9
1.2

1.2
0.1

55
8

0.8

0.8
0.0 35
7

1.4

1.4
2 0.3

0.7

0.7
0.4 0 60 3
12

0.6 60
Yo)

1.6

1.6
7 jB/ 0.1
0.0 E (+ 30 8

0.6
3 ANC 0.3
0.4

1.8

1.8
T 0.2 0.2 2
EP 50
SC
65

0
13 SU
2.0

2.0
VE
0.5

0.5
06

0.
TI 25

19
CI
0.
44

0.
PA

31
0.

CA
70

R 0.4
O 0.4
0

0.

40
,
14

4
o)
5

0. 4

0.2
0.0

/Z
5

20

0.3
jX
0.4

(+

3.0
3.0
T
75

EN

0.6
0.6
N
PO
4

0.2
0.0

0.3
OM
0
6

0.2

1
30
15
0.4

9
0.8
EC

0.8 15
—>

4.0
4.0
80

NC
TOR

TA

1.0
1.0

0.22
AC
ERA

0.47

0.28
5.0 5.0
RE

1.0

1.0
GEN

0.2 0.2
0

IVE

20
85
1 6

0. 10
UCT
ARD

8 8
0.

0.23
IND
S TOW

0.48

0.27
ANG
0.6
90

0.6

ANG
LE OF
NGTH

10 10

LE OF
170

0.1 0.4 0.1

0.4

TRANSM
0 —> WAVELE

0.24
0.49

0.26
REFLECTION COEFF CIENT IN DEG
20 20
0.2 0.2

ISS ON COEFFICIENT IN
50 50
0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

3.0

4.0

5.0

50
20
10

0.25
0.25
180
0

0.3
50

20

10

5.0

4.0

3.0

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.2

0.1
±

50 50
RESISTANCE COMPONENT (R/Zo), OR CONDUCTANCE COMPONENT (G/Yo)
—
D LOAD <

0.2 0.2
20 20

0.2
0.49

0.2
4
6
0.4 0.4
70
R

0.1

DEGR
A
-1

10
W

R S
TO

E
0.6

E
EES
0.6
-90

0.23
S

o)
0.48

0.27
H

jB Y
NGT

0. 8
8 0. -10
E (-
L E
0
-85

-20
0.2
NC
VE
-16

0.2
1.0

1.0

5.0
A

5.0
TA

0.22
W
7

0.28
1.0
.4

EP

1.0
—
0

C
<

S
SU

4.0
-15 -80

0.8 4.0
0.8 -15
E
IV
4

0.2
0

0.3

-30
CT
0.0

0.3

1
6

0.2
0.4

DU

9
IN

0.6
0.6
-75

3.0
R

3.0
,O
o)
5

-20
0.2
0.0

/Z

0.
5

4 0.3
0.4

0. 4
X
40

(-j
-4
-1

T 0.4 0.4
EN
-70

N
PO
06

0.
19
0.

M
CO -25
44

0.
0.5

0.5

31
0.

CE
2.0

2.0

N 30 -5
A 0
-65

CT -1 0.1
EA 7 0.2 0.2
1.8

1.8

ER 0.0 8
0.6

0.6

IV 0.3
3
0.4 C IT -30 2
1.6

1.6

A
CAP
-60

0 -60 0.1
8 -12
0.7

0.7

0.0 7
1.4

1.4

2 -35 0.3
0.8

0.8

0.4 3
1.2

1.2
-55

0.9

0.9

0.1
1.0
1.0

9 -70
0.0 -110 0 6
-4
0
-5

0.3
-4

1
0.4 0.1 -100 -80 0.15 4
-90
0.11 0.14 0.35
0.4 0.12 0.13
0.39 0.36
0.38 0.37
O (C dB O ]
F
. C K SS [ SS C [dB

RADIALLY SCALED PARAMETERS

EF
.
N P L L EN

P)

TOWARD LOAD —> <— TOWARD GENERATOR

SW d S [d EFF , E o
RT

A W. L. W. TT

EF O ]
P T.

∞ 100 40
SM EA O O

20 10 5 4 3 2.5 2 1.8 1.6 1.4 1.2 1.1 1 15 10 7 5 4 3 2 1

F, NS
N

TR S. RF S. A
R BS B] , P r I
. L L. OE
RF L. C
O CO FF

∞ 40 30 ∞
RF

20 15 10 8 6 5 4 3 2 1 1 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.6 1.8 2 3 4 5 10 20

S

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 20 30 ∞ 0 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.5 2 3 4 5 6 10 15 ∞

I
or
E

1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0.05 0.01 0 0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2 2.5 3 4 5 10 ∞
F,
EF
O

1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 1 0.99 0.95 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0
.C
SM

CENTER
N
A
TR

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2

ORIGIN