Aula 3 - Registos, Memórias e DLP

Classificação de Memórias
Acesso
As memorias armazenam informacões em lugares denominados localidade de
memoria.
Cada uma das localidades de memoria possui um conjunto de bits que nos
permite o seu acesso, a esse conjunto de bits damos o nome de endereço.
O conjunto de bits representa o endereço da localidade onde esta armazenada
uma informação.
O tempo de acesso de uma memoria é o tempo necessario desde a entrada de
um endereço até o momento em que a informação apareça na saída, para as
memorias de escrita/leitura . E também o tempo necessário para a informação
ser gravada.
Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 29

Acesso
Podemos ter acesso a uma dada localidade de memória

de duas maneiras diferentes:
Acesso sequencial;
Acesso aleatório.
Memória de acesso aleatório (RAM) – memória onde o

tempo de acesso é o mesmo para qualquer posição.
Memória de acesso sequencial (SAM) – memória onde,
para se localizar uma determinada posição, é preciso
passar por todos os endereços. Por exemplo, fitas
magnéticas.

Volatilidade
Quanto a volatilidade, as memorias podem ser voláteis ou

não voláteis.
As memórias voláteis são aquelas que ao ser cortada a
alimentação perdem as informações armazenadas. São
memorias feitas, geralmente, a partir de semicondutores e
na maioría das vezes, possuem como elemento de memória
o flip-flop.

Volatilidade
As memórias não voláteis são aquelas que mesmo sem

alimentação continuam com as informações armazenadas.
Dentre essas se destacam as memórias magnéticas e
as electrónicas: ROM, PROM e EPROM.

Escrita/Leitura ou apenas leitura
As memórias de escrita/leitura são aquelas que permitem acesso a uma

localidade qualquer para escrevermos a informação desejada, alem
disso, permitem o acesso também para a leitura do dado. As memórias
RAM também se enquadram nessa situação.
As memórias apenas de leitura são aquelas que uma vez inserida e
gravada a informação está fica disponível apenas para leitura e já não
pode ser alterada. As memórias ROM se enquadram nessa situação.

Tipo de Armazenamento
Quanto ao tipo de armazenamento as memórias

classicam-se em estáticas e dinámicas.
As memórias de armazenamento estático são aquelas em
que, uma vez inserido o dado numa dada localidade, este
lá permanece.
As memórias de armazenamento estático apresentam a
vantagem de possuir uma utilização da maneira mais fácil
que as dinámicas.

Tipo de Armazenamento
As memórias de armazenamento dinámico são aquelas

em que necessitamos inserir a informação novamente, de
tempo em tempo, pois de acordo com as características de
seus elementos internos, perdem essas informações após
um determinado tempo.

Termos Básicos
Célula de memória – dispositivo ou circuito capaz de

armazenar um bit.
Por exemplo, um flip-flop, um capacitor, etc.
Palavra de memória – grupo de bits (células) em uma
memória que representa instruções ou dados.
Byte – conjunto de 8 bits.
Capacidade – número de bits que podem ser
armazenados em um dispositivo de memória.
A capacidade de uma memória é medida em MB
64/128/256/512 (Mega bytes) ou (Giga bytes) 1/2/4GB.

Endereço
Endereço é utilizado para endereçar uma célula e é formado por um grupo de bits.
Podemos ter máquinas com mesmo tamanho de célula e quantidade diferente de
células.
Endereço Conteúdo
000 Palavra 0
001 Palavra 1
010 Palavra 2
011 Palavra 3
100 Palavra 4
101 Palavra 5
110 Palavra 6
111 Palavra 7
Cada palavra tem um endereço binário específico.

Endereço
Tamanho do endereço:
Cada endereço da memória é obtido por E bits que representa o
tamanho do endereço.
Então, para armazenar N endereços no REM (registrador de
endereços de memória) gastamos E bits (ou linhas de endereço),
logo N=2E.
Exemplo: Se o número total de células é N=1024, quantas bits usamos

para endereçamento?
1024 = 210, então E=10.
São necessários 10 bits para armazenar (ou linhas de endereço)

Endereço - Exemplos
Exemplo 1:
Memória com 8K células de 8 bits cada uma.
Qual a capacidade da memória?
23K x 8 bits
213 x 23 bits = 216 bits = 64 K bits
(se utilizarmos bytes como medida de capacidade)
26 K / 23 = 23 K bytes

Endereço - Exemplos
Exemplo 2:
Memória com 128K células = 27 células de 8 bits cada uma.
Qual a capacidade da memória?
128K x 1 = 128K bytes

Capacidade da memória -
Exemplos
Capacidade da memória
T=NxM
Onde N é o número de células e M o número de bits de cada célula.
Exemplo: N=1024 e M=4bits

T=1024*4 = 4096 bits = 210 x 4 bits = 4K bits = 512 bytes (4096 / 8)
1K=210=1024, 1M=220=1.048.576, 1G=230=1.073.741.824
Exemplo: Se cada célula da memória pode armazenar 8 bits e um int em C possui

4 bytes (i.e., 4 x 8 bits), então cada acesso à memória traz 4 células para a UCP
(são necessárias 4 células para armazenar um inteiro).
Se M (tamanho da célula) = 4 bits, quantos valores diferentes podemos ter
armazenados?
24 valores
Memórias Semicondutors
Eng.º Adélio F. Tembe, MSc.

42
Principios de Operação
Independente dos tipos de memórias existentes, o princípio básico de

operação é o mesmo:
Selecionar o endereço a ser acessado (leitura ou escrita);
Selecionar o tipo de operação: leitura ou escrita;
Se a operação for escrita, fornecer os dados de entrada;
Se a operação for leitura, os dados estarão disponíveis na saída;
Habilitar a memória para que a operação seja concluída e
desabilitar a memória para que ela não responda às entradas de
endereço e ao comando de leitura/escrita.

Diagrama Básico de Memória

Conexões entre o µP e a Memória
As memórias RAM e ROM são interfaceadas com a CPU através de

três grupos de linhas de sinais ou barramentos: barramentos de
endereço, barramento de dados e barramento de controle.

Memória Somente de Leitura (ROM)
A memória somente de leitura (ROM) é um tipo de memória onde

os dados nela armazenados não são alterados ou não mudam.

Arquitectura de uma Memória

Tipos de Memória ROM
ROM Programada por Máscara – este tipo de ROM tem suas posições
escritas (programadas) pelo fabricante de acordo com as especificações
do cliente. Uma máscara (tipo de negativo fotográfico) é usada para
informar as conexões elétricas do chip. Este tipo de ROM é usado para
armazenar tabelas ou informações pré-programadas como códigos
geradores de caracteres de terminais de vídeo.
ROM Programável (PROM) – tipo de memória ROM onde a

programação é feita apenas uma única vez pelo usuário. Esta
programação consiste na queima ou não de um fusível que corresponde
a um bit de informação por um equipamento chamado programador.
ROM Programável e Apagável (EPROM) – tipo de memória ROM

que pode ser programada e apagada pelo usuário várias vezes.
O processo de programação consiste em aplicar certos níveis de

tensões que provocam a condução permanente ou não
condução de transistores MOS.
O apagamento da memória é feito pela exposição dos circuitos

internos à luz ultravioleta através de uma “janela”.

PROM Apagável Eletricamente (EEPROM) – é uma melhoria em

relação às EPROMs pois pode ser tanto programada como
apagada eletricamente.
Assim, elas podem ser programadas e apagadas no próprio
circuito, sem a necessidade de luz ultravioleta ou um
programador especial.
CD ROM – tipo de armazenamento somente para leitura que

utiliza tecnologia laser. Os bits são definidos pela reflexão ou não
de um feixe laser apontado para um ponto do disco.

DISPOSITIVOS LÓGICOS
PROGRAMÁVEIS

Dispositivos Lógicos Programáveis
Dispositivos Lógicos Programáveis (PLD) são chips (IC) com portas

lógicas internas ligadas por fusíveis electrónicos.
Esses fusíveis podem ser 'queimados' (por programação) para obter
diferentes configurações de circuito.
Alguns tipos de PLDs são:
Lógica de matriz programável (PLA)

Programmable Read Only Memory (PROM)
Matriz de lógica programável (PAL)
CPLD (complexo dispositivo lógico programável) – Uma coleção de PLD
está em um chip com interligações programáveis on-chip
FPGA (field programmable gate array) – Grande número de blocos lógicos
básicos (portas simples) com interligação programável X / Y.

Arranjo Fusíveis Arranjo OR

Entradas AND fixo programável Saídas
por fusível
Programmable Read Only Memory (PROM)
Fusíveis Arranjo AND Arranjo OR

Entradas programável fixo Saídas
por fusível
Programmable Array Logic (PAL)
Fusíveis Arranjo AND Fusíveis Arranjo OR

Entradas programável programável Saídas
por fusíveis por fusíveis
Programmable Logic Array (PLA)

“Programando” um array – queimando os fusíveis.
A A' B B' A A' B B'
x1 x1 = A.B
x2 x2 = A'.B
x3 x3 = A.B'
(a) Desprogramado (b) Programado
Exemplo de um arranjo (array) AND básico

PLDs usam diodos. Um diodo PN é um dispositivo

electrónico formado através da criação de uma junção de
dois tipos de material de semicondutor, tipo N e tipo p.
Polarizado diretamente: Quando o ânodo é mais positivo do

que o cátodo, ele funciona como um interruptor fechado.
Polarizado inversamente: Quando o cátodo é mais positivo

do que ânodo, ele se comporta como um circuito aberto.

Funcionamento do Diode PN
+V A B
(a) (d)
A B
(b) +V (e) A=0 B=0
A=1 B=1
+V A=1 B=1
(c) (f)
A=0 B=0
Operação do diodo PN como função digital .
(a) Com pull-up resistor. (d) Com pull-down resistor.
(b) P inversa: diodo aberto; B pulled up (e) P inversa: diodo aberto; B pulled
para 1. down para 0.
(c) P directa: diodo fechado, obriga B (f) P directa: diodo fechado, obriga B
para 0. para 1.
AND Logic Arrays
+V +V
(a) (c)
f(A,B,C) f(A,B,C) = 0
A = A.B.C A=0
B B=1
C C=1
+V (d) +V
(b)
f(A,B,C) = 1 f(A,B,C) = 0
A=1 A=0
B=1 B=0
C=1 C=1
Função AND realizada com diodos.

(a) Configuração Básica.
(b) Todos os diodos abertos; obriga f pulled up
(c) Um diodo fechado, obriga f para 0.
para 1. (d) Multiples diodos fechados, obriga f para 0.
OR Logic Arrays
(a) A
B
C
f(A,B,C) = A+B+C
(b) A=0 A=1

(c)
B=0 B=0
C=0 C=0
f(A,B,C) = 0 f(A,B,C) = 1
Função OR realizada com diodos (array).

(a) Configuração Básica .
(b) Todos os diodos abertos; f pulled up para 0.
(c) Um diode fechado, obriga f para 1.

Arranjo (Arrays) AND-OR de 2 níveis
Os circuitos AND and OR podem ser interconectados para

realizar qualquer função de comutação.Exemplo:
f(a,b,c)=a.b.c'+b'.c

Programmable Logic Array (PLA)
Combinação de um arranjo (array )programável AND,

seguido por um arranjo programável OR .
Exemplo: Projectar um PLA para realizar as seguintes
funções lógicas e mostrar as conecções internas.
f1(A,B,C,D,E) = A'.B'.D' + B'.C.D' + A'.B.C.D.E'
f2(A,B,C,D,E) = A'.B.E + B'.C.D'.E
f3(A,B,C,D,E) = A'.B'.D' + B'.C'.D'.E + A'.B.C.D

Realizando a função com PLAs
f1(A,B,C,D,E) = A'.B'.D' + B'.C.D' + A'.B.C.D.E'
f2(A,B,C,D,E) = A'.B.E + B'.C.D'.E
f3(A,B,C,D,E) = A'.B'.D' + B'.C'.D'.E + A'.B.C.D
A
X X X X
B X X X
Programável
X X X X
Arranjo
C X X X X
AND
X
D X X
X X X X
E X X X
X
Programável
A'.B'.D' B'.C.D' A'.B.C.D.E'

X X X f1
Arranjo
OR
X X f2
X X X f3
P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7
A'B'D' A'BCDE' B'CD'E A'BCD
B'CD' A'BE B'C'D'E
Read-Only Memory (ROM)
Uma memória semiconductora é um dispositivo onde os dados

podem ser armazenados e recuperados.
Logicamente, este dispositivo de memória pode ser considerado
como uma tabela de células de memória (de dados).
0 1 palavra de
Endereços 1 dados
2
3
:
: : 1-bit
: : dado
:
n
Tamanho da palavra

A memória só de leitura (ROM) é um dispositivo de

memória onde os dados são lidos, mas não escritos.
Escrita é feito no momento da personalização, ou, por
meio de dispositivos especiais de programação.
Qualquer expressão booleana pode ser implementado
usando ROM. Procedimento: Obter uma tabela verdade,
tratar as entradas e saídas como endereços e como
dados.
Vantagem: funções booleanas aplicadas diretamente.
Desvantagens: Não importa as condições não utilizadas,
e variáveis de entrada limitadas (por exemplo, 10
entradas - 1K, 16 entradas - 64K, 20 entradas - 1M).

Diferentes tipos de dispositivos de ROM disponíveis:

ROM: Read-Only Memory
Dados gravados na memória pela programação em máscara
durante o tempo de fabricação. Custo inicial caro, mas econômica
para alto volume. Não pode ser apagada depois que os dados são
programados.
PROM: Programmable ROM
Chip de semi-custom. Fusíveis podem ser queimados por uma
unidade especial de hardware programador. Relação de custo-
benefício para volumes baixos. Não podem ser apagadas após a
programação.

EPROM: PROM apagável

Semelhante a PROM excepto que os dados podem ser
completamente apagados pela exposição à luz ultra-
violeta.
EEPROM: PROM apagável eletricamente
Uma PROM onde os dados podem ser apagados
selectivamente pela unidade de programação de hardware,
em vez de por luz ultra-violeta. Útil para dispositivos
remotos que podem ser re-programadas a partir de uma
distância.

Programmable Read-Only Memory
(PROM)
Dispositivos com array AND fixo (que é um decodificador)
e matriz OU programável.
O array AND (decodificador) gera todos 2^n possíveis
produtos mintermos de suas n entradas (muitas vezes
referida como decodificador n-para-2^n).
n linhas de entrada , m linhas de saída.
Combinação variáveis de Bit de entrada - endereço.
Combinação de Bit de linhas de saída - palavra (cada
palavra contém m bits).

(PROM)
I0 X X X X
Arranjo AND
X X X X
I1 X X X X
fixo
X X X X
I2 X X X X
Programável X X X X
O1
Arranjo OR
O2
.. ..
. .
Ok
m0 m1 m2 m3 m4 m5 m6 m7
Mintermos
Programmable read-only memory (PROM) pode realizar K funções f(I2,I1,I0).

(PROM)
n entradas
2n x m ROM
2n x m
=> 2n palavras, cada palavra m
ROM bits
=> 2n x m bits
m saídas

(PROM)
Entradas Mintermos
de
endereço
0
A0 1
5 x 32 2
A1
A2 decodific .
ador .
A3 .
A4
31
... ... ... ...
128
fusíveis
F1 F2 F3 F4
Construção Lógica de uma 32 x 4 ROM.

Realizando Funções Lógicas
com PROMs
Exemplo (8 x 3 ROM):
f1(A,B,C) = A.B + B'.C
f2(A,B,C) = (A+B'+C).(A'+B)
f3(A,B,C) = A + B.C
Primeiro, convertimos cada função para sua forma canónica.
f1(A,B,C) = A.B + B'.C = A.B.C' + A.B.C + A'.B'.C + A.B'.C
= Σ m(1,5,6,7)
f2(A,B,C) = (A+B'+C).(A'+B)
= (A+B'+B).(A'+B+C').(A'+B+C)
= Π M(2,4,5) = Σ m(0,1,3,6,7)
f3(A,B,C) = A + B.C = A.B'.C' + A.B'.C + A.B.C' + A.B.C + A'.B.C
= Σ m(3,4,5,6,7)

Realizando Funções lógicas com
PROMs
C X X X X
X X X X
AND fixo
Arranjo
B X X X X
X X X X
A X X X X
X X X X
Programável
X X X X f1 = Σ m(1,5,6,7)
Arranjo OR
X X X X X f2 = Σ m(0,1,3,6,7)
X X X X X f3 = Σ m(3,4,5,6,7)
m0 m1 m2 m3 m4 m5 m6 m7
Mintermos

Realizando Funções lógicas com
PROMs
Entradas Mintermos
de
endereço
C 0
3x8 1
B 2
A decoder 3
4
5
6
7
8 x 3 ROM
0: 0 1 0
1: 1 1 0
2: 0 0 0
3: 0 1 1
4: 0 0 1
5: 1 0 1 f1 = Σm(1,5,6,7) f3 = Σm(3,4,5,6,7)
6: 1 1 1
7: 1 1 1 f2 = Σm(0,1,3,6,7)

Introduzido no final dos anos 1970 como substituição de

menor custo de portas lógicas, PROM, e PLAs.
PAL tem, matriz AND programável e matriz OU fixa.
Menos geral que o PLA, mas mais fácil de fabricar e

projectar.
Termos de produto pertencem às diferentes portas OU,

não podem ser compartilhados.

A B C D
P1
P2 O1
P3
P4
P5 O2
P6
Arranjo AND Arranjo

OR fixo
Programável

Realizando funções lógicas com
PALs
Obter as expressões em forma de soma de produtos.
Examplo:
fα(A,B,C,D) = A'.B'.D' + B'.C.D' + A'.B.C.D
fβ(A,B,C,D) = A'.B + B'.C.D'
fχ(A,B,C,D) = A'.B'.D' + B'.C'.D' + A'.B.C.D

Realizando funções lógicas com
PALs
fα(A,B,C,D) = A'.B'.D' + B'.C.D'
+ A'.B.C.D
A B C D
PAL realização
fβ(A,B,C,D) = A'.B + B'.C.D' de fα, fß e fχ
fχ(A,B,C,D) = A'.B'.D' + B'.C'.D'
+ A'.B.C.D
P1 x x x
P2 x x x fα
P3 x x x x
P4 x x
P5 x x x fβ
P6 x x x x x x x x
P4 x x x
P5 x x x fχ
P6 x x x x

PLAs
Arranjo AND Programável e Arranjo OR Programável

PALs
Arranjo AND Programável e Arranjo OR “Fixo”

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Classificação de Memórias

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Podemos ter acesso a uma dada localidade de memória

Memória de acesso aleatório (RAM) – memória onde o

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 30

Quanto a volatilidade, as memorias podem ser voláteis ou

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As memórias não voláteis são aquelas que mesmo sem

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As memórias de escrita/leitura são aquelas que permitem acesso a uma

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Quanto ao tipo de armazenamento as memórias

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As memórias de armazenamento dinámico são aquelas

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 35

Célula de memória – dispositivo ou circuito capaz de

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 36

Cada palavra tem um endereço binário específico.

Exemplo: Se o número total de células é N=1024, quantas bits usamos

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 38

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 39

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 40

Exemplo: N=1024 e M=4bits

Exemplo: Se cada célula da memória pode armazenar 8 bits e um int em C possui

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc.

Independente dos tipos de memórias existentes, o princípio básico de

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 43

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 44

As memórias RAM e ROM são interfaceadas com a CPU através de

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 45

A memória somente de leitura (ROM) é um tipo de memória onde

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 46

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 47

ROM Programável (PROM) – tipo de memória ROM onde a

ROM Programável e Apagável (EPROM) – tipo de memória ROM

O processo de programação consiste em aplicar certos níveis de

O apagamento da memória é feito pela exposição dos circuitos

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 49

PROM Apagável Eletricamente (EEPROM) – é uma melhoria em

CD ROM – tipo de armazenamento somente para leitura que

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 50

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 51

Dispositivos Lógicos Programáveis (PLD) são chips (IC) com portas

Lógica de matriz programável (PLA)

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Arranjo Fusíveis Arranjo OR

Programmable Read Only Memory (PROM)

Fusíveis Arranjo AND Arranjo OR

Programmable Array Logic (PAL)

Fusíveis Arranjo AND Fusíveis Arranjo OR

Programmable Logic Array (PLA)

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“Programando” um array – queimando os fusíveis.

A A' B B' A A' B B'

(a) Desprogramado (b) Programado

Exemplo de um arranjo (array) AND básico

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PLDs usam diodos. Um diodo PN é um dispositivo

Polarizado diretamente: Quando o ânodo é mais positivo do

Polarizado inversamente: Quando o cátodo é mais positivo

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 55

(b) +V (e) A=0 B=0

Função AND realizada com diodos.

(b) A=0 A=1