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EL8210 – FUNDAMENTOS DE ELETRÔNICA (Prof. Alvaro) 1.

1) DIODOS

1.1) IMPORTÂNCIA: como exemplo, a obtenção de tensão contínua a partir de uma tensão
alternada.

1.2) SIMBOLOGIA: A i K A → Anodo


K → Catodo
v

1.3) DIODO IDEAL:

i i
v<0 ⇒ i=0
A + v – K

polarização polarização
reversa direta
i
i>0 ⇒ v=0
A + v – K
0 v

• UTILIZAÇÃO EM UM CIRCUITO EXTERNO

+10V +10V

1kΩ 1kΩ
EL8210 – FUNDAMENTOS DE ELETRÔNICA (Prof. Alvaro) 1.2
• APLICAÇÃO: CIRCUITO RETIFICADOR DE MEIA ONDA

vI vD
+ –
Vp
+
iD D
vI + R vO

0 t –

SEMICICLO NEGATIVO SEMICICLO POSITIVO


(diodo não conduz) (diodo conduz)
vD vD = 0
+ – + –
+ +
+ iD = 0 vO = 0 + iD
vI R vI R vO = vI
– –
– –
vI ≤ 0 vI ≥ 0

SENÓIDE RETIFICADA EM MEIA ONDA


vO
Vp

0 t

• DEFINIÇÃO DE FATOR DE FORMA

Em relação ao valor de pico (Vp) da senóide retificada em meia onda, demonstra-se que o
valor médio é dado por VDC = VCC = VMÉDIO = Vp π .

Para um sinal senoidal, demonstra-se que o valor eficaz é dado por


VRMS = Vef = Vp 2 , a relação Vef VMÉDIO é conhecida por Fator de Forma que resulta:
Vp 2
Fator de Forma = ≅ 2,22
Vp π

Observe que esta relação somente é válida para sinais com formato puramente senoidal
aplicados em retificadores de meia onda (admitindo que o diodo do circuito é ideal).
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1.4) DIODO DE JUNÇÃO:

• CURVA CARACTERÍSTICA (real) i

VR → tensão de ruptura

direta
escala
– VR comprimida
0,7V v
0,5V

escala expandida
ruptura reversa + v –

• PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO

contato metálico contato metálico

silício silício Estrutura física simplificada


tipo p tipo n do diodo de junção.
Anodo Catodo

A) SILÍCIO INTRÍNSECO (cristal de Si puro)  material semicondutor


elétrons de ligações elétrons de elétron
valência covalentes valência livre

+4 +4 +4 +4 +4 +4

átomos de ligação
silício covalente
quebrada lacuna

+4 +4 +4 +4 +4 +4

ligação átomos de
covalente silício

+4 +4 +4 +4 +4 +4
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B) SILÍCIO EXTRÍNSECO  semicondutor dopado


elétrons de ligações elétrons de ligações
valência covalentes valência covalentes
átomo de
silício

+4 +4 +4 +4 +4 +4
elétron livre doado pelo
átomo da impureza
átomo (doador) da átomo (aceitador) da
impureza pentavalente impureza trivalente
+4 +5 +4 +4 +3 +4

átomos de
silício lacuna

+4 +4 +4 +4 +4 +4

IMPUREZAS DOADORAS (elemento pentavalente)  SILÍCIO TIPO n


elétrons: portadores majoritários lacunas: portadores minoritários
Exemplo: fósforo, antimônio...
IMPUREZAS ACEITADORAS (elemento trivalente)  SILÍCIO TIPO p
elétrons: portadores minoritários lacunas: portadores majoritários
Exemplo: boro, alumínio...

C) JUNÇÃO PN E OS EFEITOS DE SUA POLARIZAÇÃO


cargas fixas
lacunas elétrons Região de Depleção:
ausência de cargas móveis
A K
p n
W → largura da Região de
Depleção

vAK > 0 ⇒ W diminui (menor barreira de pontencial)


vAK < 0 ⇒ W aumenta (maior barreira de pontencial)
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• MODELO DA QUEDA DE TENSÃO CONSTANTE
i (mA) v < VD ⇒ i = 0 i > 0 ⇒ v = VD
12
i i
linha B
(vertical)
8
ideal
0,7V v
4 linha A VD = 0,7V
(horizontal)

0 0,5 VD 1,0 0 VD v
v (V)

• MODELO APRIMORADO

i (mA)
v < VD0 ⇒ i = 0 i > 0 ⇒ v ≥ VD0
12 i
linha reta B i
característica
exponencial (inclin. = 1/rD)
8 ideal
∆i 1 VD0
= v
∆v rD
4
rD
linha reta A

0 0,5 1,0 v (V) 0 VD v


VD0

• DIODO EMISSOR DE LUZ (LED)

A
O comprimento de onda da luz emitida por um LED
i
(polarização direta) depende do material semicondutor
empregado em sua fabricação. Utilizando-se arseneto de
v gálio (GaAs) resulta em emissão na faixa da luz visível.
Na polarização direta, a queda de tensão entre anodo e
catodo resulta usualmente na faixa de 1,6 a 3V.
K