1. Analise as memórias DRAM e SRAM e indique, pelo menos, três de suas diferenças.
R.:
DRAM é a sigla em inglês para Dynamic Random Access Memory, ou Memória de Acesso
Randômico Dinâmica. Isso significa que ela precisa que a informação seja atualizada o tempo
todo para que permaneça armazenada. Com isso, esse tipo de RAM gasta mais energia se
comparado com a SRAM.
Isso porque a Memória de Acesso Randômico Estática (SRAM) consegue manter os bytes
mesmo sem atualização contínua, perdidos somente após a interrupção da fonte de energia. A
memória SRAM é mais econômica (em termos de economia de energia), além de entregar
mais performance.
A memória SRAM é mais cara, mais rápida, e ocupa mais espaço que a memória DRAM, o que
faz com que a SRAM seja usada para criar uma memória mais próxima do processador, a
cache. enquanto a DRAM é usada para fazer os módulos de RAM, fornecendo uma quantidade
muito maior de RAM ao sistema.
PORQUE
Possuem tempo de acesso menor e maior densidade de bits que as memórias SRAM, as
quais são usadas nas memórias cache.
Qual ou quais dessas afirmações está(ão) certa(s)?
Enquanto na segunda afirmação, as DRAM têm maior densidade de bits que as SRAM.
R.: DDR significa "Double data rate", ou seja, a memória consegue lidar com o dobro de dados
do que uma memória SDRAM de mesma frequência (mhz).
As memórias DDR e SDRAM são memórias DRAM síncronas e são usadas como Memória
Principal.
R.: Ela possui uma pequena quantidade de SRAM junto com a DRAM, aumentando
desempenho, pois age como uma cache dentro do chip da DRAM.
5. Qual a diferença entre memórias do tipo SIMM e DIMM? O que significa essas siglas em
termos de tipos de memórias?
R.:
SIMM – Single in-line Memory Module (módulo com pinagem só num lado).
DIMM – Double in-line Memory Module (módulo com pinagem nos dois lados).
As memórias DIMM, ao contrário das memórias SIMM, seus módulos possuem contatos em
ambos os lados do pente, e daí veio o termo DIMM (Double in-line Memory Module). São
módulos de 64 bits, não necessitando mais utilizar o esquema de paridade das antigas
memórias SIMM (Single In-line Memory Module), onde era necessário instalar bancos de
memória em múltiplos de dois módulos.
6. Qual a diferença entre memórias do tipo PROM e EEPROM? E entre as memórias EPROM e
EEPROM? E o que são memórias Flash?
R.:
Memoria PROM é uma memória não reutilizável, ou seja, depois de gravado, só serve como
leitura, enquanto a memória EEPROM é.
EPROM – a letra E vem de erasable (apagável). O apagamento é realizado por meio de
exposição a um feixe de luz ultravioleta, em uma janela existente na parte superior do chip, já
o EEPROM – o primeiro E significa electrically, o apagamento nessas memórias é realizado por
meio de um sinal elétrico em dos seus pinos. O apagamento pode ser feito Byte por Byte.
Memórias Flash são memórias EEPROM, com algumas diferenças, sendo uma delas o
apagamento ser realizado em blocos de bytes e não individualmente.
A) EEPROM
B) ROM
C) RAM
D) EDO
E) CMOS
R.: Letra C.
A) FLASH
B) RAM
C) ROM
D) SRAM
E) STICK
R.: Letra A.
R.: Falso.
II. Memórias do tipo DDR são síncronas, enquanto que as memórias do tipo FPM e EDO
são assíncronas;
R.: Verdadeiro.
III. Memórias que possuem endereços com 36 bits de largura podem endereçar até
64GBytes;
R.: Falso.
IV. A diferença entre uma memória ROM e outra PROM está no método de fabricação e
armazenamento de dados.
R.: Verdadeiro.
R.: Falso.
B) EEPROM é um tipo de memória cujo conteúdo pode ser apagado aplicando-se uma
voltagem específica aos pinos de programação.
R.: Verdadeiro.
C) SIMM são memórias do tipo estático e costumam ser usadas em chips de cache.
R.: Falso.
D) Os pentes de memória DIMM e têm capacidade mais alta que o padrão anterior: de
64MB a 4GB.
R.: Verdadeiro.
R.: Verdadeiro.
R.: Enquanto nas memórias DRAM assíncronas a operação de memória não é sincronizada com
o relógio do sistema, nas memórias DRAM síncronas a operação é sim sincronizada com o
relógio do sistema.
Outra diferença é que as DRAM síncronas são muito mais rápidas que as assíncronas.
13. Considerando que uma memória DRAM e outra SRAM tenham, ambas, um tempo de
acesso igual, por que, ainda assim, a memória SRAM tem um desempenho bem melhor que
a DRAM. Lembre-se que o desempenho está associado a quantidade de acesso por unidade
de tempo que uma determinada memória pode alcançar.
R.: Nas memórias SRAM, cada bit é constituído por 5 a 7 transistores, além de não requerer
recarregamento, sendo, por isso, mais rápidas. Enquanto a DRAM cada bit é constituído por 1
capacitor e 1 transistor. O capacitor das DRAM se descarrega, precisando recarregar.
14. Cite duas diferenças entre as diversas versões de memórias DDR, como, por exemplo,
entre uma DDR 2 e uma DDR 3.
R.: Internamente, memórias DDR e DDR2 trabalham com o mesmo clock em que operam
externamente, enquanto memórias DDR3 e DDR4 trabalham internamente com metade do
clock externo.
As memórias DDR possuem consumo de corrente 2.5V e a velocidade de clock máxima é
266MHz, enquanto nas memórias DDR2 seu consumo de energia é de 1.8V e sua velocidade de
clock máxima é de 650MHz.
As diferenças entre as memórias DDR2 para as memórias DDR3 seu consumo de energia é de
1.5V e sua velocidade de clock máxima é de 800MHz.
Já nas memórias DDR4, seu consumo de energia é entre 1.05V - 1.2V e sua velocidade de clock
máxima é de 1.6GHz.
15. Pode citar uma aplicação de uma memória Flash NOR e uma de uma memória Flash
NAND?
R.:
NAND – SSD.
NOR – BIOS.
16. Analise a afirmação abaixo, indique se é verdadeira ou falsa e o porquê de sua escolha:
R.: Falso. Os programas em execução são armazenados na memória RAM. A memória ROM é
uma memória não volátil, com isso, elas não perdem os dados mesmo sem alimentação.
17. Descreva as características de uma memória EEPROM; indique uma igualdade e uma
desigualdade entre uma EEPROM e uma Flash.
R.: As memórias EEPROM têm como característica ser usada em computadores e outros
dispositivos eletrônicos para armazenar pequenas quantidades de dados que precisam ser
salvos quando a energia for removida, por exemplo, dados de configuração do dispositivo.
Outra característica é que bytes individuais em uma EEPROM tradicional podem ser lidos,
apagados e reescrita de forma independente, byte por byte.
As EEPROM necessitam de maior área que as memórias flash, pois como são organizadas como
matrizes de transistores de porta flutuante, cada célula geralmente necessita de um transistor
de leitura e outro de escrita, ao passo que as, células da memória flash só necessitam de um,
justamente por utilizarem blocos.
A) I, II, III e IV
B) I, II e IV
C) Apenas II e III
D) Apenas III e IV
E) Apenas I e IV
R.: Letra E.
19. Memórias DDR são memórias SDRAM que operam mais rápido do aquelas antigas
porque permitem a transferência demais de um bit por cada pulso de relógio. O avanço da
tecnologia tem acarretado o desenvolvimento de versões cada vez mais rápidas dessas
memórias, sendo conhecidas como DDR-DDR2 –DDR 3 –DDR 4. Módulos de memória DDR3
que trabalha internamente a 200 MHz, funcionam externamente a:
A) 400 MHz.
B) 800 MHz.
C) 1600 MHz.
D) 3200 MHz.
E) 6400 MHz.
R.: Letra C.