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(EM REVISÃO)

CENTRO FEDERAL DE EDUCAÇÃO


TECNOLÓGICA DE PERNAMBUCO CEFET-PE

APOSTILA MEMÓRIAS SEMICONDUTORAS

PROF. REMY ESKINAZI, MSC


MEMÓRIAS SEMICONDUTORAS
 
Memórias são dispositivos capazes de armazenar informações. A
figura 01 ilustra o diagrama básico de uma memória:
 

Figura 01 – Diagrama básico de uma memória.


 
A memória contém diversas posições, cada uma das quais indicada por
um endereço (ENDEREÇO); se a memória possui n linhas de endereço,
conterá 2n posições. Em cada uma das posições é possível armazenar um
certo número de bits, geralmente 1, 4 ou 8 bits.

Para que o conteúdo de uma determinada posição seja lida, a memória


é habilitada através da ativação da linha HABILITA e o endereço desejado é
colocado nas linhas de endereço. Após um determinado intervalo de tempo, o
conteúdo da posição endereçada aparece nas linhas de saída DATA OUT.

Na operação de escrita, a memória é habilitada, o endereço desejado é


colocado nas linhas de endereço e a informação que se quer armazenar é
colocada nas linhas DATA IN. Em seguida, aplica-se um pulso na linha de
controle ESCRITA, o que faz com que a informação seja armazenada na
memória.
TERMINOLOGIA
 
   Célula de Memória:
Dispositivo ou circuito elétrico usado para armazenar um único bit (0 ou
1). Como exemplos de células de memória, podemos citar os flip-flop,
um capacitor.

   Palavra de Memória:


Um grupo de bits (células) em memória que representa instruções ou
dados. Por exemplo, um registrador constituído de oito flip-flops pode ser
considerado uma memória armazenando uma palavra de oito bits.

   Byte:
Um termo especial, usado para designar palavra de oito bits. Um byte
sempre é constituído de oito bits, sendo este tamanho da palavra da
maioria das máquinas atuais.

   Capacidade:
Uma forma de especificar quantos bits podem ser armazenados em
determinada memória. Para ilustrar considere que tenhamos uma
memória que possa armazenar 4096 palavras de 20 bits,
representando uma capacidade de 81920 bits. Podemos também
expressar esta capacidade como 4096 x 20. Ao expressar desta forma,
o primeiro número (4096) é o número de palavras, e o segundo (20), o
número de bits por palavra.

   Endereço:
Um número que identifica a posição de uma palavra na memória. Cada
palavra armazenada em qualquer dispositivo ou sistema de memória
possui um único endereço. Endereços são expressos com números
binários, apesar de, em alguns casos, os números octal, decimal e
hexadecimal serem usados por conveniência.
 
   Operação de Leitura:
Operação em que uma palavra binária armazenada em posição
específica de memória (endereço) é identificada e transferida para outro
dispositivo qualquer do sistema.
 
   Operação de Escrita:
Operação na qual uma nova palavra é colocada em determinada
posição de memória. Também chamada de armazenamento. Sempre
que uma nova palavra é escrita numa posição de memória, ela substitui
a palavra que estava anteriormente armazenada naquela posição.
 
   Tempo de Acesso:
Uma medida de velocidade do dispositivo de memória. É a
quantidade de tempo necessária à efetivação de uma operação de
leitura. Mais especificamente é o tempo decorrido entre o momento da
recepção pela memória de um novo endereço, e o instante em que a
informação daquele endereço fica disponível.
   Memória Volátil:
Qualquer tipo de memória que necessite de energia elétrica para reter a
informação armazenada. Se a energia for retirada, toda a informação
armazenada na memória será perdida. Muitas memórias e semicondutor
são voláteis, enquanto todas as memórias magnéticas são não-voláteis.
 
   Memória de Acesso Randômico (RAM):
Memória onde a localização física real de uma palavra de memória não
tem efeito sobre o tempo que se leva para ler ou escrever nesta posição.
Em outras palavras, o tempo de acesso é constante para qualquer
endereço da memória.
 
   Memória de Acesso Seqüencial (SAM):
Memória onde o tempo de acesso não é constante, mas depende do
endereço. Para encontrar determinada palavra, devemos passar por
todos os endereços situados entre aquele onde se realizou o último
acesso e o objeto do acesso atual. Isto produz tempos de acesso que
são bem maiores do que os dos dispositivos de acesso randômico.
 
   Memória de Leitura/Escrita (RWM):
Qualquer memória que possa ser lida ou escrita com igual facilidade.
 
   Memória de Leitura (ROM):
Uma classe de memórias a semicondutor projetadas para aplicações
onde a taxa de operações de leitura é infinitamente mais alta do que as
de escrita. Tecnicamente, uma ROM pode ser gravada apenas uma vez,
sendo esta operação quase sempre feita em fábrica. Todas as ROMs
são não-voláteis e continuarão a reter a informação armazenada,
mesmo quando não há fornecimento de energia.
 
   Dispositivos de Memória Estática:
Dispositivos de memória a semicondutor nos quais as informações
armazenadas permanecerão enquanto houver energia elétrica aplicada
à memória, sem que haja necessidade da informação ser
periodicamente reescrita na memória.
 
   Dispositivos de Memória Dinâmica:
Dispositivos de memória a semicondutor nos quais as informações não
permanecerão armazenadas, mesmo em presença da energia elétrica
necessária à alimentação do circuito, a não ser que as informações
sejam reescritas na memória com determinada freqüência. Esta
operação é denominada recarga (REFRESH) da memória.
CONEXÕES DO PROCESSADOR COM A MEMÓRIA
 
A memória principal de um computador é formada de circuitos
integrados de RAMs e ROMs cujas interfaces com o processador são
realizados por três grupos de sinais ou barramentos.
 

Figura 02 – Barramentos que interligam a Memória ao Processador.


 
Note que os grupos são designados por linhas de endereço ou
barramento de endereço, linhas de dados ou barramento de dados e linhas de
controle ou barramento de controle.
 
   Barramento de Endereço: É um barramento unidirecional que leva o
endereço em binário que aparece na saída do processador, para os
circuitos integrados de memória.
 
   Barramento de Dados:É um barramento bidirecional por onde
trafegam dados, tanto no sentido do processador para os circuitos
integrados de memória quanto no sentido inverso.
 
   Barramento de controle:É um barramento bidirecional por onde
trafegam sinais de controle, principalmente no sentido do processador
para os circuitos integrados de memória.
 
MEMÓRIAS DE LEITURA (READ-ONLY MEMORIES – ROM)
 
A memória de leitura é um tipo de memória a semicondutor, projetada
para armazenar que nunca mudam ou que, se mudarem, o farão com
pouquíssima freqüência. Durante a operação normal nenhum dado novo
poderá ser escrito na ROM, sendo permitida a leitura dos dados que estiverem
armazenados.
 
O processo de gravação de dados nestas memórias é chamado
programação, ou queima, da ROM. Conforme mencionado anteriormente,
algumas ROMs não podem mais ter seus dados alterados após os
mesmos terem sido gravados. Outras podem apagar e regravar seus dados
quantas vezes forem necessárias.
 
As ROMs são usadas para guardar instruções e dados que não vão
mudar durante o processo de operação do sistema. Uma das principais
aplicações da ROM é no armazenamento de alguns programas do sistema
operacional dos microcomputadores.
 
As ROMs são não-voláteis, estes programas não se perdem quando o
microcomputador é desligado, permitindo que, quando ele for novamente
ligado, comece imediatamente a executar um programa armazenado em ROM.
 
Diagrama em Blocos da ROM – Um diagrama em blocos típico de uma
ROM é mostrado na figura 03. Ele tem três conjuntos de sinais: entradas de
endereço, entrada(s) de controle e saídas de dados.

Figura 03 – Diagrama em Blocos da ROM

As saídas de dados da maioria das ROMs são de três estados para


permitir a conexão de vários chips de memória ROM ao mesmo barramento de
dados, permitindo a construção de memórias de diversas capacidades.

A entrada CS’, seleção de chip (chip selection) é fundamentalmente


uma entrada de habilitação/desabilitação das saídas da ROM.
 
TEMPORIZAÇÃO DA ROM
 
Quando da realização de operações de leitura em uma ROM, existirá
sempre um retardo de propagação entre o momento da aplicação das entradas
e o aparecimento dos dados de saída. Este retardo de tempo, chamado tempo
de acesso, tACC.

Figura 04 – Temporização típica para uma operação de leitura de uma ROM.

O retardo de tempo entre t1, quando um novo endereço fica válido, e t3,
quando as saídas de dados ficam estáveis, é o chamado tempo de acesso
tACC.
 
ROMs bipolares típicas têm acesso na faixa de 30 a 90 ns; já o tACC
de dispositivos NMOS está na faixa de 35 a 500 ns.
 
Outro parâmetro de tempo muito importante é o tempo de habilitação
da saída, tOE, que representa o retardo entre a aplicação da entrada CS’ e o
instante em que a saída fica estável. Valores típicos para tOE estão na faixa de
10 a 20 ns para ROMs bipolares e de 25 a 100 ns para aquelas fabricadas na
tecnologia MOS.
 
TIPOS DE ROM
 
   ROM Programada por Máscara (MASK-ROM):
A ROM programada por máscara tem suas posições de memória
escritas pelo fabricante de acordo com as especificações do cliente. Um
negativo fotográfico, denominado máscara, é usado para especificar
as conexões elétricas do chip. A maior desvantagem destas ROMs é o
fato de elas não poderem ser apagadas e reprogramadas, quando uma
mudança qualquer no projeto do dispositivo exigir modificações nos
dados armazenados. Neste caso, a ROM com os dados antigos não
podem ser reaproveitada.

Figura 05 – Estrutura interna de uma Mask-ROM bipolar.


 
   ROMs Programáveis (PROMs):
Uma ROM programável por máscara é muito dispendiosa e não deve ser
usada a não ser para aplicações que exijam a produção de uma grande
quantidade de chips, fazendo com que os custos de fabricação seja
divididos por um número bem grande de unidades. A indústria
desenvolveu as PROMs a fusível, programáveis pelo usuário, isto é,
elas não são programadas durante o processo de fabricação, e sim
pelo usuário, de acordo com suas necessidades.
Figura 06 – As PROMs usam fusíveis que podem ser abertos seletivamente pelo
usuário para programar um zero lógico na célula em questão.
 
  ROM Programável Apagável (EPROM):
Uma EPROM pode ser programada pelo usuário, podendo, além disso,
ser apagada e reprogramada quantas vezes forem necessárias. Uma
vez programada, a EPROM comporta-se como memória não-volátil que
reterá os dados nela armazenados indefinidamente.
O processo de programação de uma EPROM envolve a aplicação de
níveis especiais de tensão (na faixa entre 10 e 25 V) às entradas
apropriadas do chip por um intervalo de tempo determinado (em geral 50
ms por posição de memória).

Figura 07 – Típico encapsulamento de um chip EPROM, mostrando a


janela para receber a radiação ultravioleta.

Figura 08 – Símbolo lógico para a EPROM 2732.


 
MODO ENTRADAS SAÍDAS
CE’ OE’/VPP
LEITURA/VERIFICAÇÃO VIL VIL DATAOUT
DESABILITA SAÍDA VIL VIH HIZ
STANDBY VIH X HIZ
PROGRAMAÇÃO VIL VPP DATAIN
 
   HIZ à ALTA IMPEDÂNCIA
   VIL à TTL BAIXO (0 VOLTS)
   VIH à TTL ALTO (5 VOLTS)
   VPP à 21 V (NOMINAIS)
 
O processo de apagamento requer uma exposição de 15 a 30
minutos aos raios ultravioletas. A luz ultravioleta apaga todas as células ao
mesmo tempo, de forma que, após a exposição, a EPROM estará novamente
armazenando 1s.

Figura 09 – Temporização para os modos de programação e verificação.


 
Uma vez que os endereços e dados estão estabilizados, a entrada CE’
pulsa para o nível BAIXO durante um tempo tPW = 50ms, para a maioria das
EPROMs. Neste intervalo de tempo, cada célula individual de memória do
endereço selecionado vai permanecer em 1 ou mudar para 0, dependendo do
bit correspondente na entrada de dados.
O processo de programação, quando feito manualmente, pode levar
várias horas. Existem no mercado inúmeros programadores de EPROM que
podem programar e verificar um 2732 em menos de dois minutos, desde que o
usuário tenha entrado com os dados a ser gravados pelo teclado do
programador de EPROM.
 
   EPROM Apagável Eletricamente (EEPROM):
As EPROM têm duas grandes desvantagens. A primeira é o fato de elas
precisarem ser retiradas de seu soquete para serem apagadas e
reprogramadas. A segunda é o fato de a operação de apagamento
remover o conteúdo da memória inteira, obrigando que a mesma tenha
de ser completamente reprogramada.
A maior vantagem da EEPROM sobre a EPROM é a possibilidade de
apagamento e reprogramação de palavras individuais, em vez da
memória toda. Além disso, uma EEPROM pode ser totalmente apaga
em 10 ms, no próprio circuito, contra mais de 30 minutos para uma
EPROM.
Pelo fato de a EEPROM poder ser apagada e reprogramada sem ser
removida do circuito através da aplicação de tensões específicas, torna-
se necessário o acréscimo de alguns componentes ao circuito da
EEPROM, componentes estes que não existem no caso da EPROM.

Figura 10 – Símbolo para a EEPROM 2864.


 
MODO ENTRADAS SAÍDAS
CE’ OE’ WE’
LEITURA VIL VIL VIH DATAOUT
ESCRITA VIL VIH VIL DATAIN
STANDBY VIH X X HIZ
 
APLICAÇÕES DAS ROMS
 
   FIRMWARE (Microprograma):
Até agora, uma das mais importantes aplicações da memória ROM é no
armazenamento dos microprogramas de um computador. Alguns
microcomputadores também armazenam em ROM seu sistema
operacional e, em alguns casos, até seus interpretadores de linguagem.
Os programas do computador que estão armazenados em ROM são
denominados firmware pelo fato de não estarem sujeitos a mudança, ao
contrário daqueles armazenados em RAM (software).
 
   MEMÓRIA DE PARTIDA FRIA (BOOTSTRAP):
Alguns microcomputadores e a maioria dos computadores de maior
parte não têm seu sistema operacional armazenado em ROM. Tais
equipamentos utilizam memória de armazenamento em massa, discos
rígidos, para armazenarem o sistema operacional. Um programa muito
pequeno de partida fria ou “bootstrap”, que está armazenado em ROM,
deve ser executado tão logo a máquina tenha sido ligada.
   TABELAS DE DADOS:
São muitas vezes usadas para armazenar tabelas de dados que não
mudam nunca. Alguns exemplos de tais tabelas são aquelas utilizadas
para implementar funções trigonométricas e as tabelas de conversão.
 
   CONVERSORES DE DADOS:
Os circuitos de conversão de dados recebem um dado expresso em
determinado tipo de código, e produzem uma saída expressa em outro
tipo de código.
 
   GERADORES DE CARACTERES:
Se você já prestou atenção alguma vez aos caracteres alfanuméricos
impressos na tela de display de cristal líquidos, deve ter notado que eles
são formados por um grupo de pontos.
 
   GERADOR DE FUNÇÕES:
O gerador de funções é um circuito que produz em suas saídas formas
de onda das mais diversas, como senoidais, dentes de serra, ondas
triangulares e ondas quadradas.

MEMÓRIAS DE ACESSO RANDÔMICO A SEMICONDUTOR (RAM)


 
O termo RAM é usado para designar uma memória de acesso
randômico, ou seja, uma memória com igual facilidade de acesso a todos os
endereços. Muitos tipos de memória podem ser classificados como de acesso
randômico, mas quando empregamos o termo RAM na designação de
memórias a semicondutor estamos querendo nos referir a memórias de
leitura/escrita (RWM).
 
ARQUITETURA DA RAM
 
Tal como no caso das ROMs, vamos considerar uma RAM como
constituída de um conjunto de registradores, cada um dos quais
armazenando uma única palavra de dados, e possuindo cada um deles
um único endereço.

Figura 11 – Organização interna de uma RAM 64 x 4.


 
   Operação de Leitura:
O código de endereço escolhe um dos registradores do chip de memória
para ser lido ou escrito. De maneira a ler o conteúdo de um registrador
selecionado.
 
   Operação de Escrita:
Para escrever uma nova palavra de quatro bits em um registrador
selecionado, é necessário que R/W’ esteja em 0 e CS em 1. Esta
combinação habilita os “buffers” de entrada, fazendo com que a
palavra de quatro bits aplicada à entrada seja escrita no registrador
selecionado.
 
   Seleção de Chip:
A grande maioria dos chips de memória tem uma ou mais entradas de
seleção CS, que são usadas para habilitar ou desabilitar o chip. Quando
desabilitado, todas as suas entradas e saídas de dados estarão em alta
impedância, de modo que não será possível realizar nem uma
operação de leitura nem uma operação de escrita.

RAM ESTÁTICA (SRAM)


 
A operação de uma memória RAM discutida até agora se aplica à
classe das RAMs estáticas, aquelas que só podem manter a informação
armazenada enquanto a alimentação estiver aplicada ao chip. As células de
memória das RAMs estáticas são formadas por flip-flops que estarão em
certo estado, por tempo indeterminado, desde que a alimentação esteja
ligada.
 
TEMPORIZAÇÃO DA RAM ESTÁTICA
 
Os circuitos integrados de RAM são utilizados quase sempre
como memória interna (principal) de um computador. O processador realiza
continuamente operações de leitura/escrita nesta memória, as
velocidades normalmente bem altas. Os chips de memória que interfaceiam
com o processador devem ser rápidos o suficiente para responder aos
comandos de leitura e escrita sem retardar a operação do processador. Desta
forma, um projetista de computador deve estar bem familiarizado com as
várias particularidades relativas à temporização das RAMs.

Figura 12 – Ciclo de LEITURA.


 
   Ciclo de Leitura:
o o    tRC à Ciclo completo de leitura, quando o processador muda
as entradas de endereço para os valores envolvidos com a
próxima operação de leitura.
 
o o    tACC à Tempo de acesso da RAM, correspondendo ao
intervalo de tempo entre a aplicação do novo endereço e o
aparecimento dos dados na saída.
 
 o    tOC à É o tempo que a saída a partir do instante em que CS’ for
ativado.
 
o o    tOD à As saídas da RAM retornam ao estado de alta
impedância, depois de decorrido o intervalo de tempo.

Figura 13 – Ciclo de ESCRITA.


 
   Ciclo de Escrita:
o o    tWC à Determina o ciclo completo de escrita, quando o
processador muda as linhas de endereço, colocando nelas o
endereço para a próxima operação de leitura ou escrita.
 
o o    tAS à Tempo de estabelecimento do endereço, que tem por
objetivo dar tempo ao decodificador de endereços da RAM para
responder ao novo endereço que lhe foi apresentado.
 
o o    tAH à Tempo em que as entradas de endereço devem
permanecer estáveis durante o tempo de retenção do dado.
 
o o    tDS e tDH à Os dados devem ser mantidos nas entradas de
dados da RAM por, no mínimo, um tempo equivalente a tDS antes,
e no máximo por um tempo tDH após a desativação dos sinais
R/W’ e CS’.
 
   Chip RAM Real:
Um exemplo de chip SRAM disponível no mercado é o CMOS 6264,
com uma capacidade de 8K x 8 com tempos de ciclo de leitura e escrita
de 100 ns e com consumo em standby de somente 0,1 mW.

Figura 14 – Símbolo lógico e tabela dos modos de operação do chip CMOS


SRAM 6264.
 
MODO ENTRADAS PINOS DE E/S
WE’ CS1’ CS2’ OE’
LEITURA 1 0 1 0 DATAOUT
ESCRITA 0 0 1 X DATAIN
SAÍDA DESABILITADA 1 X X X HIZ
NÃO SELECIONADO X 1 X X HIZ
X X 0 X
 
RAM DINÂMICA (DRAM)
 
As RAMs dinâmicas são fabricadas usando a tecnologia MOS,
possuindo alta capacidade de armazenamento, baixo consumo de energia e
velocidade de operação moderada. As RAMs dinâmicas armazenam 1s e 0s
como cargas de microcapacitores MOS, tipicamente de poucos picofarads. Em
função da tendência destes capacitores se descarregarem depois de decorrido
determinado tempo, as RAMs dinâmicas necessitam de recarga periódica das
células de memória, operação denominada “refresh” da memória RAM
dinâmica.
 
   A necessidade de “refresh” é uma desvantagem que esta memória
tem, se comparada com a RAM estática.
 
   Para memórias relativamente pequenas, com menos de 64 K
palavras, a RAM integrada, iRAM, fornece uma solução.
 
   Uma iRAM é um circuito integrado que inclui os circuitos de “refresh”
no mesmo chip que abriga a matriz de células de memória.
   Para sistemas de memória com capacidade de mais de 64 K
palavras, a solução que, em geral, se adota envolve um custo
relativamente alto. Neste caso, são usados chips denominados
controladores de memórias dinâmicas.
 
   Para aplicações onde velocidade alta e complexidade reduzida do
circuito são pontos mais críticos do que espaço e consumo de potência,
as RAMs estáticas constituem a melhor solução.
 
   O custo por bit da RAM dinâmica varia de um quinto a um quarto do
custo por bit da RAM estática.
 
   O baixo consumo das RAMs dinâmicas é um outro fator que reduz os
custos dos sistemas que as utilizam. As RAMs dinâmicas têm um
consumo em torno de um sexto a um meio menor, o que permite que o
circuito seja alimentado por fontes menores e mais baratas.
 
   Equipamentos que precisam de memória com alta velocidade e
pouca memória, utilizam memórias SRAM.
 
   Microcomputadores utilizam DRAM para comporem sua memória
principal.
Figura 15 – Arquitetura simplificada de um chip DRAM 4116.
 

Figura 16 – Temporização dos sinais.

   Multiplexação de Endereços:
A matriz de memória DRAM mostrada na figura 15 tem 14 entradas de
endereço. Uma DRAM de 64 K x 1 precisa de 16 entradas de endereço.
Os chips de memória de maior capacidade, como os citados acima,
precisam ter muitos pinos para entrada de endereço, se for mantida a
relação de um pino para cada bit correspondente de endereço.
A fim de reduzir o número de pinos de endereço em chips DRAM de alta
capacidade, alterando a relação dos pinos com os bits de endereço, os
fabricantes usam a técnica da multiplexação de endereços, através da
qual cada pino do integrado pode acomodar dois bits diferentes de
endereço.
 
TEMPO DE ACESSO
 
Quando o processador ordena o armazenamento de um dado na
memória, esse armazenamento não é imediato; a memória demora um pouco
para armazená-lo no endereço solicitado. O mesmo ocorre quando o
processador pede que a memória devolva um dado que está nela armazenado.
Essa demora é chamada tempo de acesso e é uma característica inerente a
todas as memórias.

As memórias dinâmicas têm tipicamente tempo de acesso de 70 a


10 ns. Já as memórias estáticas são bem mais rápidas, apresentando
tempo de acesso menor que 20 ns.

Figura 17 – Tempo de acesso à memória gerado pelo microprocessador.


 
O ciclo de acesso à memória demora, pelo menos, dois pulsos de
clock. A memória RAM do micro deverá ser capaz de entregar ou armazenar
um dado nesse tempo – ou seja, o tempo de acesso a memória RAM deverá
ser menor ou igual a dois pulsos de clock.
 
Em micro, em que o clock é de 25 MHz, cada pulso de clock
demorará 40 ns. Isso significa que o tempo de acesso da memória deverá
ser, no máximo, de 80 ns – ou seja, uma memória de 70 ns ou menor
funcionará bem.
“WAIT STATES”
 
Um “wait state” é um pulso de clock extra adicionado ao ciclo de
leitura ou escrita da memória. Como o ciclo de acesso à memória dura dois
pulsos de clock, com a adição de 1 “wait states“ o ciclo passaria a ter três
pulsos de clock. Aumentar a duração do ciclo de acesso à memória faz com
que memórias com tempos de acesso maiores possam ser utilizados.

Figura 18 – Tempo de acesso à memória com “wait states”.


 
A utilização de “wait states” faz com que as lentas memórias dinâmicas
consigam ser utilizadas mesmo em micros mais modernos.
 
 
TECNOLOGIA DE MEMÓRIAS DINÂMICAS
 
   Memória “Fast Page Mode” (FPM):
A memória FPM retém o valor da última linha acessada. Com isso, para
os próximos acessos que forem à mesma linha, o controlador de
memória não precisará enviar à memória o valor da linha. O resultado
disso é que o acesso será mais rápido. Enquanto o acesso ao primeiro
dado de uma linha demorará o tempo normal, o acesso aos demais
dados da mesma linha será mais rápido.
Figura 19 – Funcionamento da memória FPM.

   Memória “Extended Data Out” (EDO):


A memória EDO é uma pequena modificação na estrutura da memória
FPM. Se você reparar na linha de tempo da memória FPM, verá que
esta se torna inativa quando o sinal CAS é desabilitado, o que não
acontece na memória EDO. Os dados permanecem na saída da
memória por mais tempo, mesmo quando o sinal CAS é desabilitado. A
conseqüência disso é que o próximo endereço poderá começar a ser
decodificado enquanto os dados ainda estão na saída da memória, pois
o sinal CAS poderá ser acionado novamente sem alterar o valor dos
dados que ainda estão na saída da memória – ou seja, ganharemos
tempo.

Figura 20 – Funcionamento da memória EDO.

   Memória “Burst Extended Data Out” (BEDO):


A memória BEDO é igual à EDO, com a única diferença de ter integrado
um contador de endereços. Quando o processador (ou controlador
cache) necessita ler um dado, o controlador de memória só precisa
enviar o valor da linha e da coluna iniciais.
A própria memória trata de colocar os próximos três dados
automaticamente no barramento de dados. Essa modificação faz
aumentar muito o desempenho para a leitura de dados consecutivos. Na
leitura de dados não-seqüênciais, a memória BEDO tem o mesmo
desempenho da memória EDO.
 
   Memória “Synchronous Dynamic RAM” (SDRAM):
A última palavra em memória para micros pessoais chama-se SDRAM.
Caso o barramento local trabalhe acima de 66 MHz, há um grande
problema em relação aos outros tipos de memória apresentados: eles
não conseguem trabalhar tão rapidamente sem a utilização de muitos
“wait states”.
Internamente, a memória SDRAM apresenta diversas modificações. Ao
contrário de todas as demais memórias, ela é sincronizada pelo clock da
placa-mãe, e daí o seu nome Memória Síncrona.
Ela permite o acesso a dois endereços diferentes paralelamente.

DETECÇÃO DE ERROS
 
A confiabilidade de um dado armazenado em memória não é muito alta:
basta um “0” ou um “1” trocarem de valor para que o dado perca qualquer
sentido, atrapalhando a execução do programa, seja travando o micro ou
corrompendo dados.
 
Por esse motivo, os micros utilizam algum esquema de detecção de
erros. O mais rudimentar chama-se paridade e acompanha o PC desde o seu
nascimento. O esquema mais moderno e que está cada vez mais sendo
utilizado chama-se ECC (“Error Correction Code” – Código de Correção de
Erros).
 
   Paridade:
A cada 8 bits (ou seja, a cada byte) de dado armazenado, um nono bit
pode adicionado de forma a acrescentar uma informação de verificação
de erros.
Na hora de armazenar um dado de 8 bits em memória, um circuito
chamado gerador de paridade gera um bit extra – chamado bit de
paridade – de modo que o número total de “1s” seja par.
O esquema de paridade é, contudo, extremamente rudimentar e não
detecta erros mais sérios. Caso dois bits (ou qualquer outro número par
de bits) alterem seus valores, o circuito testador de paridade concluirá,
erroneamente, que não houve erros.

   ECC (“Error Correction Code”):


O ECC é um esquema de verificação de erros muito mais confiável e
que pode, inclusive, corrigir erros ocorridos, automaticamente. É claro
que há um custo para isso: o preço.
Ao contrário do esquema de paridade que necessitA DE APENAS UM BIT A
CADA BYTE DE DADO ARMAZENADO, O ESQUEMA ECC NECESSITA DE
ALGUNS BITS A MAIS.
BARRAMENTO PARIDADE ECC
8 BITS 1 BIT 5 BITS
16 BITS 2 BITS 6 BITS
32 BITS 4 BITS 8 BITS
64 BITS 8 BITS 8 BITS
 
É importante lembrar que nem todas as placas-mãe de
microcomputadores trabalham com módulo de detecção ECC.

EXPANSÃO DA CAPACIDADE DE ARMAZENAMENTO E TAMANHO DE


PALAVRA
 

Figura 21 – Módulo de 16 K x 4 a partir de 8 K x 4.


 

 
Figura 22 – Módulo de 8K x 8 a partir de 8 K x 4.
 

Figura 23 – Módulo de 16 K x 8 a partir de 8 K x 4.

 
REGRAS GERAIS
 
   Linhas de CS’ diferentes indicam aumento da capacidade de
armazenamento.
   Linhas de CS’ comuns indicam aumento da palavra de
armazenamento.
 
MÓDULOS DE MEMÓRIA PARA AMBIENTE PC
 
   Módulos SIPP (“Single In Line Pin Package”):
Esse foi o primeiro tipo de módulo de memória a ser criado e sua
aparência lembrava um pente, daí o apelido “pente de memória” para os
módulos de memória. Os seus terminais eram similares aos utilizados
pelos circuitos integrados. O que causava mau contato, permitia que
terminais dobrassem ou partissem e ainda não impediam que o usuário
encaixasse o módulo.

Figura 24 - Módulo SIPP.


 
   Módulo SIMM – 30 (Single In Line Memory Module):
O módulo SIMM-30 é basicamente o módulo SIPP com um novo sistema
de encaixe, parecido com o utilizado por placas de encaixe aos slots de
expansão do micro. Esse sistema não permite que os módulos sejam
encaixados invertidos e, como seus terminais não são pinos como no
módulo SIPP, não há problemas de terminal dobrado ou partido.

Figura 25 - Módulo SIMM-30


 
Esses módulos têm 30 terminais, daí o “30” em seu nome. Assim como
os módulos SIPP, são módulos de 8 bits e encontrados em versões de
256 KB, 1 MB e 4 MB.

   Módulos SIMM – 72 (“Single In Line Memory Module”):

Os módulos SIMM-72 são módulos SIMM de 32 bits, criados para os


processadores 486.
São encontrados em diversas capacidades, sendo as mais usuais 4 MB,
8 MB, 16 MB e 32 MB.
Figura 26 - Módulo SIMM-72.
 
   Módulos DIMM (Doublé In Line Memory Module):
Os módulos DIMM normalmente têm 168 terminais e são de 64 bits.
Atualmente utilizam memórias SDRAM. Os primeiros módulos DIMM
eram alimentados com 5 V (os atuais são alimentados com 3,3 V) e
tinham memórias com outras tecnologias, como FPM e EDO.

Instalação de Memória em Microprocessadores de 16, 32 e 64 bits

Figura 27 – Esquema de um banco de memória de 1 K x 1 (2102) com o 80286.


Figura 28 – Esquema de um banco de memória de 1 K x 4 (2114) com o 80286.
 
 

Figura 29 – Esquema de um banco de memória com módulos SIMM-30 com o


80286.
 

Figura 30 – Esquema de um banco de memória com módulos SIMM-30 com o


80386.

Figura 31 – Esquema de um banco de memória com módulos SIMM-72 com o


80386.
 
 
 

Figura 32 – Esquema de um banco de memória com módulos SIMM-72 com


processador de 64 bits.

MEMÓRIA RAM NÃO-VOLÁTIL


 
Dispositivos RAM a semicondutor têm a grande vantagem da alta
velocidade de operação. No entanto eles são voláteis, o que significa dizer que
perderão as informações armazenadas se a energia for interrompida, mesmo
que momentaneamente. As ROMs, por outro lado, são não-voláteis, mas não
podem ser usadas como memória de leitura/escrita. Em algumas aplicações, a
volatilidade da RAM pode significar a perda de informações importantes, na
eventualidade da falta de energia.
 
Uma solução empregada é o uso de um dispositivo denominado
RAM não-volátil (NVRAM). Uma NVRAM contém uma matriz de RAM estática e
uma matriz de EEPROM no mesmo chip. Tal chip combina a alta velocidade de
operação das RAMs estáticas com a capacidade de armazenamento não-volátil
das EEPROMs. Cada célula da RAM estática tem uma correspondente na
EEPROM, e a informação pode ser transferida entre células correspondentes
em ambas as direções.
 

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