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Semicondutores: Diodo Zener

10-10-13 Por : Luís Timóteo 1


Semicondutores: Diodo Zener

Junções P-N – Diodo semicondutor


Princípio de funcionamento
 O princípio de funcionamento de dispositivos electrónicos, como diodos rectificadores e transistores,
baseiam-se no comportamento de junções entre semicondutores tipo P e tipo N, denominadas de
junção P-N. A junção tem a propriedade de um rectificador electrónico, isto é, faz com que um fluxo de
corrente eléctrica tome somente uma direcção, transformando, por exemplo, tensão alternada em
tensão contínua (DC).
 Na prática, obtemos uma junção PN dopando um mesmo material com impurezas doadoras de um
lado e impurezas aceitadoras do outro. A diferença das concentrações de electrões e lacunas nestes
materiais, gera um processo de deslocamento de cargas na junção dos dois tipos de semicondutores
(corrente de difusão). No equilíbrio, os electrões do material tipo-N preenchem as lacunas do material
tipo-P nas proximidades da junção, formando uma camada dupla de cargas fixas de átomos dadores e
aceitadores chamada de zona de deplexão.
 A formação de cargas fixas nesta região dá origem a uma diferença de potencial de contato (VD) ou
barreira de potencial na zona de deplexão. Desta forma, a região (ou zona) de deplexão age como uma
barreira (resistência alta) impedindo que os electrões e lacunas continuem a atravessar o plano da
junção.
 Este movimento de cargas devido ao campo elétrico criado na junção devido às cargas fixas de
doadores e aceitadores, constitui uma corrente chamada de corrente de deriva (contrária a corrente
de difusão). Assim, para que haja condução de corrente pela junção, electrões livres e lacunas em
maioria nos diferentes semicondutores, estes precisam de vencer esta barreira de potencial, ou seja,
precisam possuir energia maior que VD.
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Junções P-N – Diodo semicondutor


Princípio de funcionamento: Propriedades - Barreira de potencial
Uma tensão positiva adequada (forward bias) aplicada entre as duas extremidades da
junção PN, pode fornecer os electrões livres e lacunas com a energia extra. A tensão
externa necessária para superar esta barreira de potencial que existe agora, é muito
dependente do tipo de material semicondutor utilizado, e a sua temperatura real.
Tipicamente, á temperatura ambiente, a tensão através da camada de deplexão para o
silício é de cerca de 0,6-0,7 volts e para o germânio é de cerca de 0,3-0,35 volts. Esta
barreira de potencial existirá sempre, mesmo que o dispositivo não esteja ligado a
qualquer fonte de energia externa.

O significado desta barreira de potencial “built-in”, através da junção, é que ela se opõe
tanto o fluxo de lacunas ou buracos, como de electrões, através da junção e é por isso que
é chamado de “barreira de potencial”.

Na prática, uma junção PN é formada dentro de um cristal único de material, em vez de
simplesmente aderir ou fundir duas peças separadas. Os contatos elétricos também são
fundidos em ambos os lados do cristal, para permitir a ligação eléctrica a um circuito
externo. O dispositivo resultante, é chamado um diodo de junção PN ou diodo de sinal.

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Diodo Semicondutor
Polarização do diodo: Sem polarização (Zero Biased Junction Diode)
Quando um diodo é ligado numa condição de
Junção PN
polarização zero, nenhuma energia potencial externa é
Região - N Região - P aplicada à junção PN.
No entanto, se os terminais de diodos são curto-
circuitados, algumas lacunas(portadores maioritários) no
material do tipo P têm a energia suficiente para
ultrapassar a barreira de potencial, e irão mover-se
IR Volts através da junção, contra a “barreira de potencial”. Isto
é conhecido como o corrente de deriva e é referida como
I F.
Potencial “Built-in”
Potencial “Built-in”
0,3 – 0,7V

Do mesmo modo, as lacunas geradas no material do tipo N


ID (portadores minoritários), através desta situação favorável, movem-
se através da junção na direcção oposta. Isto é conhecido como o
"corrente inversa" (reverse current) e é referenciada como ID. Esta
transferência de electrões e lacunas através da junção PN é
conhecida como difusão.

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Diodo Semicondutor
Polarização do diodo: Sem polarização (Zero Biased Junction Diode)
Junção PN

Região - N Região - P
A barreira de potencial que existe agora desencoraja a difusão
de mais quaisquer portadores maioritários através da junção.
No entanto, a barreira de potencial ajuda os portadores
minoritários (poucos electrões livres da região - P, e alguns
buracos da região - N, à deriva, através da junção.

Depois, estabelecer-se-á um "equilíbrio" que será estabelecido quando se moverem em


direcções opostas, os portadores maioritários em igual número, de modo que o resultado
líquido é corrente zero a fluir no circuito. Quando isto ocorre, a junção é dita estar num
estado de "equilíbrio dinâmico".
Os portadores minoritários são constantemente gerados devido à energia térmica, pelo
que, este estado de equilíbrio pode ser quebrado por aumento da temperatura da junção
PN, causando um aumento da geração de portadores minoritários, resultando assim num
aumento da corrente de fuga, mas uma corrente eléctrica não pode fluir uma vez que
nenhum circuito está ligado à junção PN.
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Diodo Semicondutor
Polarização do diodo: Polarização directa (Forward Biased Junction Diode)
Junção PN
Quando um diodo é ligado numa condição de polarização
Região - N Região - P
directa, uma tensão negativa é aplicada ao material do tipo N,
e uma tensão positiva é aplicada ao material do tipo P. Se esta
tensão externa se tornar maior do que o valor da barreira de
potencial, aprox. 0,7 volts para o silício e 0,3 V para o
Camada de Deplexão
germânio, o potencial da barreira de oposição, será superada e
(muito pequena)
a corrente eléctrica começará a fluir.

Voltagem de Polarização Directa Isto acontece porque a tensão negativa empurra ou repele os
R ID max. electrões em direcção à junção, dando-lhes energia para a
+
atravessar e combinarem-se com as lacunas, que são também
- empurradas na direcção da junção, na direcção oposta, pela
tensão positiva. Isso resulta numa curva de características de
fluxo de corrente zero, até ao ponto de tensão, o chamado
"joelho" nas curvas estáticas, e em seguida um elevado fluxo
de corrente através do diodo com um pequeno aumento na
tensão externa, a partir de 0,3 – 07 volts.
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Diodo Semicondutor
Polarização do diodo: Polarização directa (Forward Biased Junction Diode)
Junção PN Curva característica de um diodo de junção com polarização directa

Região - N Região - P Corrente Directa


Joelho
(IF mA)

Diodo de
Silício Região de
Camada de Deplexão Polarização
(muito pequena)
Directa

Voltagem de Polarização Directa


Voltagem de Polarização Directa (VF volts)
A aplicação de uma tensão de polarização directa na junção do diodo, resulta na camada de deplexão
se tornar muito fina e estreita, o que representa um trajecto de baixa impedância através da junção,
permitindo assim altos fluxos de corrente. O ponto em que este aumento súbito da corrente tem lugar,
está representada na curva I-V estática característica, acima do ponto de "joelho".
Uma vez que o diodo pode conduzir corrente "infinita" acima deste ponto “joelho” pois torna-se
efectivamente um curto-circuito, são usadas,​ resistências em série com o diodo afim de limitar o seu
fluxo de corrente. Ultrapassar o valor de corrente directa máxima especificada, resulta em
sobreaquecimento e posterior falha do dispositivo.
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Diodo Semicondutor Polarização do diodo: Polarização directa (

P Junção PN em aberto N
- - + +
- - + +
- - + +
- - + +
Região Carga Espacial
P N
- +
- +
- +
- +
Polarização Directa VF
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Diodo Semicondutor
Polarização do diodo: Polarização inversa (Reverse Biased Junction Diode)
Junção PN
Quando um diodo é ligado numa condição de polarização
Região - N Região - P inversa, uma tensão positiva é aplicada ao material do tipo
N, e uma tensão negativa é aplicado ao material de tipo P. A
voltagem positiva aplicada ao material do tipo N atrai
electrões para o eléctrodo positivo e aumenta a distância a
partir da junção, enquanto as lacunas também são atraídas
para eléctrodo negativo da fonte afastando-se assim da
Maior camada de Deplexão
junção.

Voltagem de Polarização Inversa O resultado líquido é que a camada de deplexão cresce mais,
devido a uma falta de electrões e lacunas, e apresenta um
caminho de alta impedância, quase um isolante. O resultado é
criar uma alta barreira de potencial impedindo assim o fluxo
de corrente através do material semicondutor.
Esta circunstância dá um valor elevado de resistência à junção PN e
praticamente zero a corrente fluir através do díodo de junção com um
aumento na tensão de polarização inversa.

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Diodo Semicondutor Polarização do diodo: Polarização Inversa (

P Junção PN em aberto N
- - + +
- - + +
- - + +
- - + +
P Região Carga Espacial
N
- - - + + +
- - - + + +
- - - + + +
- - - + + +

Polarização Inversa
VR
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Diodo Semicondutor
Polarização do diodo: Polarização inversa (Reverse Biased Junction Diode)
Junção PN
No entanto, uma pequena corrente de fuga flui através da
Região - N Região - P
junção, e que pode ser medida, na ordem de microamperes
(µA). Se a tensão de polarização inversa VR aplicada ao diodo
for elevada para um valor suficientemente alto, fará a junção
PN superaquecer e falhar devido ao efeito de avalanche em
torno da junção. Isto pode fazer com que o diodo entre em
curto-circuito e irá resultar na passagem da corrente máxima
Maior camada de Deplexão
no circuito.
-VZ Voltagem Inversa (-VR)
Voltagem de Polarização Inversa
Por vezes, este efeito de avalanche tem
aplicações práticas em circuitos
estabilizadores de tensão em que uma Região de Região de
limitadora em série é utilizada com o diodo Reverse Polarização
a limitar a corrente a um valor máximo pré- Breakdown Inversa
estabelecido, e assim, produzir uma saída de
tensão fixa através do diodo de ruptura
inversa. Estes tipos de diodos são
comumente conhecidos como Diodos Zener.

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Diodo Semicondutor
Funcionamento

http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.html
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Semicondutores: Diodo Zener

Diodo Zener

O diodo Zener é como um diodo de sinal de uso geral, que consiste de uma junção PN de
silício. Quando polarizado directamente, ele se comporta como um diodo de sinal padrão ,
passando a corrente nominal, mas assim que a tensão inversa aplicada sobre o diodo
Zener exceder as da tensão nominal do dispositivo VZ, (breakdown voltage) ou tensão de
ruptura altura, é atingido um processo chamado de “avalanche) na camada de depleção do
semicondutor, e a corrente começa a fluir através do diodo, limitando assim o aumento na
tensão.
A corrente flui através do diodo zener
aumentando drasticamente para o
valor máximo (que é geralmente Knee-10%
Knee-10% I max
Z

limitada por uma resistência em


série) que atingindo a saturação
inversa, permanece constante. --------------------25% I max
Z

Esta tensão do ponto de ruptura VZ, é chamada


∆I Z
de "tensão Zener“, e pode variar de menos do Impedância Zener-D=
Zener-D=∆VZ/ ∆ IZ

que um, a centenas de volts. --------------------100% IZ max


∆VZ

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Diodo Zener
Circuito Equivalente
Curva IV Característica
Circuito equivalente modelo do diodo Zener e curva
característica ilustrando (ZZ) – Resistência dinâmica. IF

ΔVZ

-VR 0I
+VF
Zmin
VF→ 0,3-0,7V
VZ

ΔVZ
ZZ = ΔI Z
ΔI Z

IZmax
Ideal Real IR
 Um ponto importante do zener é a inclinação da curva Volt-ampere na faixa de operação . Seja
ZZ = ∆ VZ / ∆ IZ o inverso da inclinação, onde ZZ é a resistência dinâmica ; se houver uma mudança
∆ IZ na corrente de operação do doido, haverá uma mudança ∆ VZ = ZZ ∆ IZ na tensão de
operação.
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Diodo Zener
Circuito Regulador
 O diodo de Zener é utilizado com "polarização inversa" , isto é o ânodo liga-se ao negativo da alimentação. A partir
curva IV características anterior, podemos ver que o diodo zener tem uma região na sua característica inversa, de
uma tensão negativa constante, independentemente do valor da corrente que flui através do diodo e permanece
quase constante, mesmo com grandes mudanças, desde que a corrente no zener permaneça entre os valores de IZ
(min) e a corrente máxima classificação IZ (max).

R
FONTE
Vout = Vz
SEM Vin Vz Vout RL

REGULAÇÃO
A tensão Vin deve ser sempre
Vp maior que a tensão VZ.
A diferença entre ambas as
Vz tensões é dissipada na
resistência R.
Interessa que Vin não seja
muito maior que Vout.
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Diodo Zener
Circuito Regulador

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Diodo Zener
Circuito Regulador
 Efeito Zener e “Ripple”
+ Carga em curto

+ Sem Carga

Essencialmente, o diodo Zener é um regulador paralelo (com a carga RL). Na ausência de


carga toda a corrente passa através do Zener, e a potência é dissipada em RS.

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Diodo Zener
Circuito Regulador
 Efeito Zener e “Ripple”
Vin Vout
VDC Vr Vr
VZ
VZ
t t

Vout ZZ
Regulador

Regulação de linha = ∆ Vout/∆ Vin


Regulação de Carga = ∆ Vout/∆ IL

( Z Z || RL )
Vout = VZ + Vr
( Z Z || RL ) + RS

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Diodo Zener
S
Circuito Regulador: Exercício
_
Dados: Curva I-V do diodo zener, RS=1kΩ Vin Vout= -VZ
VZ
+
 Calcular: Voltagem de saída Vout, com Vin =15V IZ
e Vin= 20V IZ
-10,5V
KVL dá a recta ou linha de carga:
Vin + RS × I Z + VZ = 0
Em relação ao ponto "Q", temos :
 Vout = 10.0 V para Vin = 15 V
 Vout = 10.5 V para Vin = 20 V
Variação de 5V na entrada ⇒ 0.5V na saída Vout .

Qualquer Zener actual tem uma performance melhor do que isto.


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Diodo Zener
Circuito Regulador: Funcionamento
Aumento da tensão de Entrada

Corrente Aumenta Tensão constante

Diminuição da tensão de Entrada


Vin
Vin > VZ

Corrente diminui Tensão constante

IZmin < IZ < IZmax


Vin
Vin > VZ

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Diodo Zener
Circuito Regulador Paralelo: Com Amplificador Operacional

Elemento
Série
RS
Elemento
de Controlo

R1
R
Q1
Vin Vo Rc

Vz R2

Circuito
Comparador
Tensão de Circuito de
Referência Amostragem
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Diodo Zener
Circuito Regulador Série : Com Amplificador Operacional

Elemento de Controlo
Q1 R1 + R2
Vo = ———— · Vz
R2

R R1

Vin Vo RL

Circuito
Vz Comparador R2

Tensão de Referência Circuito de Amostragem


O Circuito regulador Série, tem a vantagem de só consumir potência na presença de carga…
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Diodo Zener
Circuito Regulador- Valores standard
Além de produzir uma única tensão de saída estabilizada, os diodos zener também podem
ser ligados em em série, como diodos de sinal normais de silício, para produzirem uma
variedade de diferentes valores tensão de referência na saída, como mostrado abaixo.
Os valores dos diodos Zener podem ser
escolhidos individualmente para atender a
um valor pedido, enquanto o diodo de silício
tem sempre uma queda de 0.6 - 0.7V na
condição de polarização direta.
  BZX55 Zener Diode Power Rating 500mW
2.4V 2.7V 3.0V 3.3V 3.6V 3.9V 4.3V 4.7V
5.1V 5.6V 6.2V 6.8V 7.5V 8.2V 9.1V 10V
11V 12V 13V 15V 16V 18V 20V 22V
24V 27V 30V 33V 36V 39V 43V 47V
  BZX85 Zener Diode Power Rating 1.3W
3.3V 3.6V 3.9V 4.3V 4.7V 5.1V 5.6 6.2V A tensão de alimentação, Vin deve,
6.8V 7.5V 8.2V 9.1V 10V 11V 12V 13V evidentemente, ser maior do que a
15V 16V 18V 20V 22V 24V 27V 30V maior potência e tensão de referência,
33V 36V 39V 43V 47V 51V 56V 62V no nosso exemplo é 19v.

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Diodo Zener
Circuitos Limitadores

Os circuitos de fixação e de limitação, e protecção, são usados para moldar ou
modificar uma entrada de onda AC (ou qualquer sinusoide) para uma forma de onda de
saída diferente, dependendo do arranjo do circuito.

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Diodo Zener
Testes
Os testes devem de ser executados com um multímetro digital Normal …

Zener de 5,1V

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Bibliografias
http://www.williamson-labs.com/480_xtor.htm

http://www2.eng.cam.ac.uk/~dmh/ptialcd/

http://www.yteach.co.za/page.php/resources/view_all?
id=potential_resistance_voltage_semiconductor_conductor_insulator_n_type_p_type_p_n_junction_n_p_diode_t_page_3

http://content.tutorvista.com/physics_12/content/media/pn_junct_diode.swf

http://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_3.html

http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/electronic/photdet.html

http://www.thorlabs.com/tutorials.cfm?tabID=31760

http://www.passo-a-passo.com/mec/3.2.3/05_teoria_frame.htm

http://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_3.html

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