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Diodos Semicondutores

Aula 1

andre.tarallo@aedu.com

1
Diodo
• Função básica de conduzir corrente no sentido
definido pela seta no símbolo, e
• Agir como um circuito aberto para qualquer
tentativa de estabelecer corrente no sentido
oposto.

As características de um diodo ideal são as de uma


chave que teria a capacidade de conduzir corrente
em um único sentido
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Diodo Ideal e Curva Característica

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Resistência na Região de Operação
• Considerando o quadrante superior direito de (b)
O diodo ideal se comporta como um curto-circuito
na região de condução

• Considerando o quadrante inferior esquerdo de


(b)
O diodo ideal se comporta como um circuito aberto
na região de não-condução

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Estados de Condução e Não-Condução

• Observar o sentido da corrente ID estabelecida


pela tensão aplicada para saber se está ou não na
região de condução
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Materiais Semicondutores
Condutor é aplicado a qualquer material que
sustenta um grande fluxo de carga ao se aplicar,
através de seus terminais, uma fonte de tensão de
amplitude limitada

Isolante é o material que oferece um nível muito


baixo de condutividade quando submetido a uma
fonte de tensão.

Semicondutor é o material que tem um nível de


condutividade entre os extremos de um isolante e
de um condutor

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Material Semicondutor
• Quanto > a condutividade, < a resistência.
• Resistividade (ρ – ‘rô’): nível de resistência dos
materiais.
– Medida em Ω-cm ou Ω-m

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Material Semicondutor

• É dada atenção ao Ge e ao Si
– Fabricados com alto nível de pureza
– Dopagem: alteração radical das características do
material
• Dopagem por aplicação de calor ou luz

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Si e Ge
• Os átomos formam um modelo preciso e
periódico por natureza (repetição contínua)
– Modelo completo: cristal
– Arranjo periódico dos átomos: treliça
• O cristal do Si e Ge tem estrutura de diamante
tridimensional

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Estrutura Atômica do Si e Ge

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Ligação Covalente* do Átomo de Si
*ligação de átomos
estabelecida pelo
compartilhamento de
elétrons

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Ligação Covalente
• Os elétrons de valência podem absorver energia
cinética através de fatores naturais para quebrar
a ligação e assumir o estado ‘livre’.
– Livre: revela sensibilidade a ddp ou campo elétrico
• Elétrons livres: portadores intrínsecos (muito
puros)
– Relação através da temperatura
Um aumento de temperatura de um Ge e Si reduzem a resistência
semicondutor pode resultar em um com o aumento de temperatura,
aumento substancial do número de e possuem coeficiente de
elétrons livres no material temperatura negativo 12
Níveis de Energia
Quanto mais longe o elétron estiver do núcleo, maior será o
estado de energia, e qualquer elétron que tiver deixado seu
átomo de origem apresentará um estado de energia maior do
que qualquer outro na estrutura atômica

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Bandas de Condução e Valência

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Materiais Extrínsecos do Tipo ‘n’ e ‘p’
Um material semicondutor submetido ao processo de dopagem
(inserção de impurezas) é chamado de material extrínseco

• Material Tipo n
– Impurezas com 5e de valência. Arsênio, fósforo

As impurezas difundidas com 5e de valência são chamados de


átomos doadores

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Material Tipo n

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Material do Tipo p
• Impurezas com 3e de valência. Boro, gálio
– Espaço vazio: lacuna

As impurezas difundidas com 3e


de valência são chamados de
átomos aceitadores

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Fluxo de Elétrons X Lacunas

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Portadores Majoritários e Minoritários

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Diodo Semicondutor

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Diodo Semicondutor
Essa região descoberta constituída de íons positivos e íons
negativos é chamada de região de depleção, devido a ausência
de portadores nessa região

• A aplicação de tensão permite 3 possibilidades:


– Nenhuma polarização (VD = 0V)
– Polarização direta (VD > 0V)
– Polarização reversa (VD < 0V)

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Sem Polarização
• Tipo n passa direto para o tipo p
– Quanto mais próximo o portador minoritário estiver da
junção, maior será a atração para a camada de íons
negativos e menor será a oposição dos íons positivos
na região de depleção do material n.

– Os portadores majoritários (e) tipo n devem superar as


forças atrativas da camada de íons positivos de n e o
campo repulsivo dos íons negativos de p para migrarem
para a área além da região de depleção de p.

Na ausência de uma tensão de polarização, o fluxo de carga em


qualquer sentido para um diodo semicondutor é zero. 22
Sem polarização

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Polarização Reversa
• O número de íons positivos não combinados na
região de depleção n aumentará devido ao grande
número de elétrons livres arrastados para o
potencial positivo da tensão aplicada.

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Polarização Reversa
• A ampliação da região de depleção estabelece
uma barreira grande para os portadores
majoritários superarem, reduzindo os
majoritários a 0.
• O número de minoritários que penetra na
região de depleção não muda, resultando em
vetores de fluxo de minoritários de mesma
amplitude, sem aplicação de tensão
A corrente existente sob condições de polarização reversa é
chamada de corrente de saturação reversa (Is) e dificilmente
ultrapassa alguns microampères. 25
Polarização Reversa
• Saturação deriva do fato da corrente alcançar seu
valor máximo rapidamente e de não mudar de
maneira significativa com o aumento do potencial
de polarização reversa.

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Curva Característica do diodo de Si

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Polarização Direta (Condução)

A polarização direta é estabelecida quando há associação do


potencial positivo ao material p e do negativo ao material n
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Polarização Direta
• Um elétron de n ‘vê’ uma barreira reduzida na
junção devido a região de depleção reduzida e
a uma forte atração pelo potencial positivo
aplicado ao p.
– A polarização cresce em amplitude, a região de
depleção diminui em largura até que o fluxo de
elétrons possa passar pela junção, resultando em
um aumento exponencial de corrente (gráfico)

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Equação de Polarização

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Região Zener
• Apesar das diferentes escalas do gráfico anterior,
há um ponto em que a aplicação de uma tensão
suficientemente negativa resulta em uma
mudança brusca na curva característica.

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Região Zener
• VZ pode ser aproximado do eixo vertical,
aumentando os níveis de dopagem nos materiais
n e p.
• Quando VZ cai a níveis muito baixo, ocorre a
ruptura Zener (mudança brusca na curva caract.)
– Ocorre devido a existência de campo elétrico na
região de junção que pode perturbar as forças de
ligação e criar portadores

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Região Zener
O potencial máximo de polarização reversa que pode ser aplicado
antes do diodo entrar na região Zener é chamado de tensão de
pico inversa (PIV) ou tensão de pico reversa (PRV)

Threshold (limiar)
• Efeito de temperatura
– Is tem sua amplitude praticamente dobrada para
cada aumento de 10º C
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Valores de Resistência
• A variação do ponto de operação de um diodo
de uma região para outra faz a resistência se
alterar devido a forma não linear da curva
característica.
– Resistência CC ou Estática
– Resistência CA ou Dinâmica
– Resistência CA Média

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Resistência CC ou Estática
• Ponto de operação não se altera com o tempo

Quanto mais baixa a corrente, mais alto é o valor da resistência cc.


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Resistência CA ou Dinâmica
• Aplicar uma senóide moverá o ponto de operação
instantâneo para cima e para baixo em um ponto
da curva e definirá assim uma mudança específica
na corrente e tensão.

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Resistência CA ou Dinâmica
Quanto mais baixo o ponto Q de operação (menor corrente ou
mais baixa voltagem), mais alta a resistência ca.

A derivada de uma função em um ponto é igual a inclinação da reta


tangente traçada neste ponto.

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Resistência CA Média
• Determinada por um linha reta traçada entre as
duas intersecções estabelecidas entre os valores
máximos e mínimos da tensão de entrada.

Quanto menos os valores de corrente


utilizadas para determinar a resistência
média, maior o valor da resistência

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Circuitos Equivalentes de Diodo

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Notação do Diodo

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Diodos Zener
• A corrente na região Zener tem sentido oposto
ao de um diodo polarizado diretamente.
• Aumentando a dopagem
(aumento de impurezas)
diminuirá o potencial Zener.

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Diodo Zener – 10V, 500nW, 20%

Coeficiente de Temperatura

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Diodos Zener

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Diodo Emissor de Luz
LED (Light Emitting Diode)

• A recombinação de lacunas e elétrons exige


que a energia do elétron livre não-ligado seja
transferida para outro estado (calor/fotón).

A emissão de luz pela aplicação de uma fonte elétrica de


energia é chamado de eletroluminescência.

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LED

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Exercício 1

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Exercício 2

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Exercício 3
• Determine a tensão nominal do diodo zener
especificado na tabela 1.4, a uma temperatura
de 100º C.

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