1 Diodo • Função básica de conduzir corrente no sentido definido pela seta no símbolo, e • Agir como um circuito aberto para qualquer tentativa de estabelecer corrente no sentido oposto.
As características de um diodo ideal são as de uma
chave que teria a capacidade de conduzir corrente em um único sentido 2 Diodo Ideal e Curva Característica
3 Resistência na Região de Operação • Considerando o quadrante superior direito de (b) O diodo ideal se comporta como um curto-circuito na região de condução
• Considerando o quadrante inferior esquerdo de
(b) O diodo ideal se comporta como um circuito aberto na região de não-condução
4 Estados de Condução e Não-Condução
• Observar o sentido da corrente ID estabelecida
pela tensão aplicada para saber se está ou não na região de condução 5 Materiais Semicondutores Condutor é aplicado a qualquer material que sustenta um grande fluxo de carga ao se aplicar, através de seus terminais, uma fonte de tensão de amplitude limitada
Isolante é o material que oferece um nível muito
baixo de condutividade quando submetido a uma fonte de tensão.
Semicondutor é o material que tem um nível de
condutividade entre os extremos de um isolante e de um condutor
6 Material Semicondutor • Quanto > a condutividade, < a resistência. • Resistividade (ρ – ‘rô’): nível de resistência dos materiais. – Medida em Ω-cm ou Ω-m
7 Material Semicondutor
• É dada atenção ao Ge e ao Si – Fabricados com alto nível de pureza – Dopagem: alteração radical das características do material • Dopagem por aplicação de calor ou luz
8 Si e Ge • Os átomos formam um modelo preciso e periódico por natureza (repetição contínua) – Modelo completo: cristal – Arranjo periódico dos átomos: treliça • O cristal do Si e Ge tem estrutura de diamante tridimensional
9 Estrutura Atômica do Si e Ge
10 Ligação Covalente* do Átomo de Si *ligação de átomos estabelecida pelo compartilhamento de elétrons
11 Ligação Covalente • Os elétrons de valência podem absorver energia cinética através de fatores naturais para quebrar a ligação e assumir o estado ‘livre’. – Livre: revela sensibilidade a ddp ou campo elétrico • Elétrons livres: portadores intrínsecos (muito puros) – Relação através da temperatura Um aumento de temperatura de um Ge e Si reduzem a resistência semicondutor pode resultar em um com o aumento de temperatura, aumento substancial do número de e possuem coeficiente de elétrons livres no material temperatura negativo 12 Níveis de Energia Quanto mais longe o elétron estiver do núcleo, maior será o estado de energia, e qualquer elétron que tiver deixado seu átomo de origem apresentará um estado de energia maior do que qualquer outro na estrutura atômica
13 Bandas de Condução e Valência
14 Materiais Extrínsecos do Tipo ‘n’ e ‘p’ Um material semicondutor submetido ao processo de dopagem (inserção de impurezas) é chamado de material extrínseco
• Material Tipo n – Impurezas com 5e de valência. Arsênio, fósforo
As impurezas difundidas com 5e de valência são chamados de
átomos doadores
15 Material Tipo n
16 Material do Tipo p • Impurezas com 3e de valência. Boro, gálio – Espaço vazio: lacuna
As impurezas difundidas com 3e
de valência são chamados de átomos aceitadores
17 Fluxo de Elétrons X Lacunas
18 Portadores Majoritários e Minoritários
19 Diodo Semicondutor
20 Diodo Semicondutor Essa região descoberta constituída de íons positivos e íons negativos é chamada de região de depleção, devido a ausência de portadores nessa região
21 Sem Polarização • Tipo n passa direto para o tipo p – Quanto mais próximo o portador minoritário estiver da junção, maior será a atração para a camada de íons negativos e menor será a oposição dos íons positivos na região de depleção do material n.
– Os portadores majoritários (e) tipo n devem superar as
forças atrativas da camada de íons positivos de n e o campo repulsivo dos íons negativos de p para migrarem para a área além da região de depleção de p.
Na ausência de uma tensão de polarização, o fluxo de carga em
qualquer sentido para um diodo semicondutor é zero. 22 Sem polarização
23 Polarização Reversa • O número de íons positivos não combinados na região de depleção n aumentará devido ao grande número de elétrons livres arrastados para o potencial positivo da tensão aplicada.
24 Polarização Reversa • A ampliação da região de depleção estabelece uma barreira grande para os portadores majoritários superarem, reduzindo os majoritários a 0. • O número de minoritários que penetra na região de depleção não muda, resultando em vetores de fluxo de minoritários de mesma amplitude, sem aplicação de tensão A corrente existente sob condições de polarização reversa é chamada de corrente de saturação reversa (Is) e dificilmente ultrapassa alguns microampères. 25 Polarização Reversa • Saturação deriva do fato da corrente alcançar seu valor máximo rapidamente e de não mudar de maneira significativa com o aumento do potencial de polarização reversa.
26 Curva Característica do diodo de Si
27 Polarização Direta (Condução)
A polarização direta é estabelecida quando há associação do
potencial positivo ao material p e do negativo ao material n 28 Polarização Direta • Um elétron de n ‘vê’ uma barreira reduzida na junção devido a região de depleção reduzida e a uma forte atração pelo potencial positivo aplicado ao p. – A polarização cresce em amplitude, a região de depleção diminui em largura até que o fluxo de elétrons possa passar pela junção, resultando em um aumento exponencial de corrente (gráfico)
29 Equação de Polarização
30 Região Zener • Apesar das diferentes escalas do gráfico anterior, há um ponto em que a aplicação de uma tensão suficientemente negativa resulta em uma mudança brusca na curva característica.
31 Região Zener • VZ pode ser aproximado do eixo vertical, aumentando os níveis de dopagem nos materiais n e p. • Quando VZ cai a níveis muito baixo, ocorre a ruptura Zener (mudança brusca na curva caract.) – Ocorre devido a existência de campo elétrico na região de junção que pode perturbar as forças de ligação e criar portadores
32 Região Zener O potencial máximo de polarização reversa que pode ser aplicado antes do diodo entrar na região Zener é chamado de tensão de pico inversa (PIV) ou tensão de pico reversa (PRV)
Threshold (limiar) • Efeito de temperatura – Is tem sua amplitude praticamente dobrada para cada aumento de 10º C 33 Valores de Resistência • A variação do ponto de operação de um diodo de uma região para outra faz a resistência se alterar devido a forma não linear da curva característica. – Resistência CC ou Estática – Resistência CA ou Dinâmica – Resistência CA Média
34 Resistência CC ou Estática • Ponto de operação não se altera com o tempo
Quanto mais baixa a corrente, mais alto é o valor da resistência cc.
35 Resistência CA ou Dinâmica • Aplicar uma senóide moverá o ponto de operação instantâneo para cima e para baixo em um ponto da curva e definirá assim uma mudança específica na corrente e tensão.
36 Resistência CA ou Dinâmica Quanto mais baixo o ponto Q de operação (menor corrente ou mais baixa voltagem), mais alta a resistência ca.
A derivada de uma função em um ponto é igual a inclinação da reta
tangente traçada neste ponto.
37 Resistência CA Média • Determinada por um linha reta traçada entre as duas intersecções estabelecidas entre os valores máximos e mínimos da tensão de entrada.
Quanto menos os valores de corrente
utilizadas para determinar a resistência média, maior o valor da resistência
38 Circuitos Equivalentes de Diodo
39 Notação do Diodo
40 Diodos Zener • A corrente na região Zener tem sentido oposto ao de um diodo polarizado diretamente. • Aumentando a dopagem (aumento de impurezas) diminuirá o potencial Zener.
41 Diodo Zener – 10V, 500nW, 20%
Coeficiente de Temperatura
42 Diodos Zener
43 Diodo Emissor de Luz LED (Light Emitting Diode)
• A recombinação de lacunas e elétrons exige
que a energia do elétron livre não-ligado seja transferida para outro estado (calor/fotón).
A emissão de luz pela aplicação de uma fonte elétrica de
energia é chamado de eletroluminescência.
44 LED
45 Exercício 1
46 Exercício 2
47 Exercício 3 • Determine a tensão nominal do diodo zener especificado na tabela 1.4, a uma temperatura de 100º C.
