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Famílias Lógicas e suas

Características

Prof. Vinicius Ruiz Martins


O Circuito Integrado
Um Circuito Integrado (CI) é um cristal ou pastilha, em geral de silício, onde
impurezas (outros elementos químicos) são difundidos para formar elementos
de circuitos (resistores, capacitores, diodos, transistores) interligados entre si
para a criação de um circuito com uma determinada função.
O Circuito Integrado
O Circuito Integrado

Um CI digital pode ter desde algumas portas lógicas até


milhões delas.
Por exemplo, o CI 7404 possui apenas 6 portas NOT. Os CIs
74161 (contador) e 74253 (multiplexador) possuem algumas
dezenas de portas lógicas, enquanto nos processadores mais
modernos este número atinge milhões de portas.

As principais famílias de circuitos integrados são conhecidas


como TTL e CMOS. Estes nomes surgiram da tecnologia
utilizada em sua fabricação.
Famílias Lógicas Digitais
A Família TTL
TTL: Transistor – Transistor Logic.

• Maior velocidade de comutação (alta velocidade de chaveamento )


• Maior ganho de corrente
• Melhor capacidade analógica
• Elevada dissipação de potência
• Menor impedância de entrada
• Baixa densidade de encapsulamento
• Atraso com pouca sensibilidade à carga
A Família TTL
• Tensão de alimentação: +5 V ± 5 %
• Sub-famílias:
• N – Normal
• H – High Speed
• L – Low Power
• S – Schottky
• LS – Low Power Schottky (mais usada)
• ALS – Advanced Low Power Schottky
• AS – Advanced Schottky
A Família TTL

Obs.: O prefixo 54, ao invés de 74, indica que a série é militar.


A Família TTL - Níveis Elétricos
A Família TTL - Exemplos
A porta NOT
A Família TTL - Exemplos
A porta NAND
A Família CMOS
CMOS: Complementary Metal-Oxide-Semiconductor.

• Composto por um MOSFET de canal p e um de canal n no


mesmo substrato.
• Intensamente empregada em circuitos digitais.
• Alta impedância de entrada
• Alta velocidade de chaveamento (menor atraso de propagação)
• Atraso com elevada sensibilidade à carga
• Maior faixa de tensão de alimentação
• Menor queda de tensão interna
• Permite um elevado nível de integração:
· Níveis reduzidos de consumo de potência
· Maior densidade de encapsulamento
· Menor custo por dispositivo
A Família CMOS
• Tensão de alimentação: +5 V, +3,3 V, ou mesmo + 18 V,
dependendo da sub-família.
• Sub-famílias:
• 4000 – primeira sub-família – obsoleta
• HC – High Speed CMOS
• HCT – HC mais compatível com TTL
• AC – Advanced CMOS
• AHC – Advanced High Speed CMOS
• LV – Low Voltage
• LVC - Low Voltage CMOS
• ALVC – Advanced Low Voltage CMOS
A Família CMOS – Níveis Elétricos
A Família CMOS – Níveis Elétricos
A Família CMOS – Exemplos
A porta NOT
A Família CMOS – Exemplos

A porta NAND
Dissipação de potência

Devido à característica dos circuitos


CMOS de dependerem da
freqüência, os processadores
consomem mais potência à medida
que se tornam mais rápidos.
A Tecnologia BiCMOS
A tecnologia BiCMOS combina os circuitos
Bipolar e CMOS na mesma pastilha de CI

CMOS + Bipolar
Baixa potência Alta velocidade de operação
Alta impedância de entrada Alta capacidade de corrente de
Amplas margens de ruído acionamento

& versatilidade
' custo
' processo complexo

Adequado para implementação de “sistema em uma pastilha”


A Tecnologia BiCMOS
• Permite o desenvolvimento de circuitos VLSI (very-large-scale
integration) com uma elevada densidade velocidade-potência,
não conseguida pelas tecnologias individualmente
• Aumento da velocidade relativamente à tecnologia CMOS pura
• Menor dissipação de potência relativamente à tecnologia
bipolar pura
• A tecnologia BICMOS torna o conceito SoC (System on chip)
uma realidade
A Tecnologia BiCMOS
SoC
• Integra vários componentes de um computador ou outro
sistema eletrônico em um único circuito integrado (chip). Pode
conter funções digitais, analógicas, mixed-signal, radio-
frequência, etc.
• Uma aplicação típica é na área de sistemas embarcados.

PSoC: Programmable
System on Chip
A Tecnologia BiCMOS

A porta NOT A porta NAND

CMOS de elevada impedância de entrada podem ser utilizados na


entrada; os bipolares na saída.
Para tirar o máximo proveito das tecnologias disponíveis no
silício, poderá ser necessário utilizar uma combinação de:

• CMOS - para lógica


• BICMOS - para I/O e circuitos de driver
• ECL - para zonas críticas de alta velocidade

Obs.: ECL (Emitter Coupled Logic) envolve tecnologia bipolar (alto


consumo de potência)
FET (Field-Effect Transistor )

Os transistores bipolares e os transistores de efeito de campo (FET)


distinguem-se pela sua estrutura e teoria de funcionamento; há no
entanto uma diferença que determina a sua utilização:

9 O transistor bipolar é comandado por corrente, enquanto o FET é


comandado por tensão.
FET (Field-Effect Transistor )

Tipos de FET

¾ J-FET (Junction - Field Effect Transistor)

¾ MOS-FET (Metal Oxide Semiconductor - Field Effect Transistor)

• MOS-FET de empobrecimento ou depleção

• MOS-FET de enriquecimento
JFET (junction field-effect transistor )

Vantagens
– baixa potência
– alta impedância de gate
– baixa resistência fonte/dreno

Usos
– amplificador
– chave analógica
JFET (junction field-effect transistor )
• 3 regiões de operação:
• Corte
• Saturação
• Ôhmica ou região de Triodo
• Dispositivo com 3 terminais:
• Porta
• Dreno
• Fonte

No FET No BJT
Porta -------------------------- Base
Dreno ------------------------ Coletor
Fonte ------------------------- Emissor
JFET (junction field-effect transistor )
Através da Gate podemos determinar
Zona de deplecção o maior ou menor fluxo de corrente
entre os terminais Fonte e Dreno.

Fixando o valor da tensão dreno-


fonte (VDS), a corrente de dreno (ID)
será função da polarização inversa
VDS
VGS
da Gate que variará a espessura do
canal por variação da zona de
depleção.
NOTA: Para o J-Fet canal P
devemos inverter a polaridade
das tensões aplicadas aos
terminais.
Resumo

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