UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ – CAMPUS SOBRAL

CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA

DISCIPLINA: Eletrônica Digital
PROFESSOR: Romulo Nunes

PRÁTICA 09:
MEMÓRIA
Aluno: João Pedro da Silva Rodrigues
Matrícula: 385518

Sobral - CEARÁ
2019
 SUMÁRIO

1. INTRODUÇÃO...................................................................................................... 3
2. OBJETIVO............................................................................................................. 6
3. MATERIAL UTILIZADO .................................................................................... 6
4. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL ................................................................ 7
5. CONCLUSÃO.......................................................................................................10
6. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS .................................................................11
 1. INTRODUÇÃO
Um circuito muito importante, em especial no que se refere à construção de
circuitos que realizam algum tratamento de informação, fazendo uso de processadores
ou microcontroladores, é a memória. São nas memorias que são guardadas as instruções
com as quais o sistema, seja ele computador ou microcontrolador se orienta. Nas
memorias também são armazenadas informações codificadas digitalmente. Estas
informações nada mais são do que informações relativas ao processamento com
resultados de operações aritméticas, endereços, variáveis de processo, comando de
operações, entre muitas outras informações.
Desde sua origem, duas famílias de memórias coexistem, sendo cada uma
adequada para diferentes aplicações devido a suas características particulares. A
primeira família tem início com as memórias ROM (Read Only Memory – Memória
Apenas de Leitura). Estas memórias podiam apenas ser lidas, pois a partir do momento
em que sua gravação era feita fisicamente durante o processo de fabricação do
semicondutor ela não podia mais ser mais modificada. Esta memória era utilizada
principalmente para armazenar o programa que seria executado pelo processador ou
microcontrolador, conhecido como firmware. No entanto, o seu uso apresentava uma
série de limitações, uma vez que sua fabricação só era financeiramente viável em
grandes volumes e possuía um período muito longo de fabricação, tornando o seu uso
inviável para o desenvolvimento dos programas. Além disso, para a atualização do
software de um dispositivo, assim como a manutenção de uma memória defeituosa, era
necessário trocar dispositivo, tarefa que só poderia ser realizada com algum
conhecimento técnico, tornando esse tipo de memória indesejável para o uso de
dispositivos de uso cotidiano como os celulares da atualidade ou roteadores. Para
contornar esse problema foram desenvolvidos outros dispositivos dessa família como o
PROM (Programmable Read Only Memory), EPROM (Erasable Programmable ROM),
EEPROM ou E2PROM (Electrically Erasable Programmable ROM) e Flash EEPROM
(Random Access Memories).
PROM (Programmable Read Only Memory)
Memória programável apenas de leitura, são memórias adquiridas sem programa
e gravadas pelo cliente ou projetista. No entanto, estas memórias apenas podem ser
gravadas uma única vez, são úteis para produções de média escala. 

EPROM (Erase Programmable Read Only Memory)

Memórias apagáveis e programáveis somente de leitura. Foram o primeiro tipo
de memória não volátil com a capacidade de múltiplas regravações, sua programação é
elétrica e seu apagamento por luz ultravioleta, característica desconfortável pela
necessidade de retirá-la do circuito para nova programação. É uma memória barata e
que possibilitava grandes capacidades, muito utilizada como BIOS de computadores
pessoais.
 EEPROM (Electric Erase Programmable Read Only Memory)
Memória somente de leitura de apagamento e programação elétrica. Essa
memória revolucionou esse tipo de sistema, pois possibilitava a programação e
reprogramação de maneira elétrica sem a necessidade da retirada do componente do
circuito, no entanto, exige grande complexidade de projeto o que reduz sua capacidade e
aumenta seu custo. Este tipo de memória também possui um número limitado de ciclos
de gravação. 

Memória Flash
Uma das memórias mais utilizadas hoje em dia, sua concepção foi um grande
desafio tecnológico pela necessidade de ser uma memória tão barata e com a mesma
capacidade de uma EPROM, porém com a facilidade de programação e reprogramação
de uma EEPROM, e isso foi obtido com a redução das espessuras de óxidos de isolação
dos transistores integrados no CI. A memória flash é de alta densidade, baixo custo, não
volátil e rápida (para leitura e não para escrita). Essas memórias são encontradas em
muitos locais como cartões de memórias (Memory stick), máquinas fotográficas, mp3
players portáteis ou mesmo integradas em componentes como, por exemplo,
microcontroladores. Geralmente as memórias FLASH são utilizadas para gravar a
programação do microcontrolador, por causa da grande velocidade e armazenamento. 
Memória RAM
A outra família de memórias são as RAMs (Random Access Memories –
Memórias de Acesso Randômico). Ao contrário das memórias sequenciais (como fitas
DAT) em que para acessar o fim da memória temos que percorrer todo seu início, elas
permitem que qualquer byte em seu interior seja acessado, daí derivando seu nome. No
entanto, maioria das memórias ROM também permitia acesso randômico sendo assim, a
principal característica das memórias RAM, que as diferenciam das memórias ROM, a
volatilidade. A memória RAM geralmente consegue reter a informação gravada
enquanto ela estiver alimentada, no entanto, após desligada, a informação é perdida.
Também houve abordagens construtivas diferentes na família de memórias RAM, como
a DRAM (Dynamic RAM), a SRAM (Static RAM) e a NVSRAM (Non-Volatile Static
RAM).
NVRAM (Non- Vlatile RAM)
Esta memória é muito similar a SRAM, com a diferença de que ela tem uma
bateria de backup que ao ser desligadas, a bateria de backup a alimenta mantendo os
dados salvos na memória. Geralmente é utilizada no clock do computador, onde existe
uma bateria de Li que alimenta a memória mesmo se o computador estiver desligado. 
RAM Estática (SRAM)
Memórias de acesso aleatório (Random Access Memory) que são construídas
com flip-flops e, portanto, apenas perdem os dados caso haja desligamento da energia
elétrica. São caras e de baixa capacidade. São as utilizadas pelos microcontroladores, é
na SRAM onde ficam armazenados os valores das variáveis de um programa. 

RAM Dinâmica (DRAM)

Memórias de acesso aleatório cujo cada célula é construída com apenas um
transistor FET. São mais baratas e atingem altas capacidades, porém mesmo sem o
desligamento da energia perdem seu conteúdo e, assim, necessitam de um ciclo de
reativação periódico chamado de “Refresh Memory”.
Toda memória randômica apresenta 3 tipos de barramento: endereço, dados, e
controle, mostrado na figura a seguir. O barramento de dados, em memórias que podem
ser gravadas, é bidirecional e os sinais de controle apropriados determinam se a
memória deve fornecer o dado no barramento ou gravar o dado presente neste
barramento em seu interior. Este barramento pode ser de diversos tamanhos, sendo mais
frequente que eles sejam de 1, 8, 16 ou 32 bits. O barramento de endereços, por sua vez,
indica qual área da memória está sendo acessada. O seu tamanho é determinado pela
capacidade da memória, sendo que uma memória de 32K x 8 (32 kilobytes) deverá ter
15 bits de endereços, pois 215=32768, ou 32KB, por exemplo. O barramento de
controle determina que operações devem ser realizadas, sendo encontrado nesses
barramentos os sinais CS’ (Chip Select, que em zero habilita o chip), OE’ (Output
Enable, também pode ser indicado como RD’- Read, em nível lógico baixo este sinal
determina que a memória deve fornecer dados ao barramento de dados) e WR’ (Write,
em nível lógico baixo determina que a memória deve armazenar o dado existente no
barramento).

FIGURA 1
 Fonte: http://www.mecaweb.com.br/eletronica/content/e_memorias.

2. OBJETIVO
 Montar um circuito com uma memória RAM;
 Estudar e discutir as principais características deste tipo de circuito.
3. MATERIAL UTILIZADO
 LEG2000;
 CI Samsung 62256.
 4. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL
Para realizarmos a gravação de um dado na memória, devemos seguir os
seguinteS passos, respectivamente: manter o sinal OE em nível alto, escolher o endereço
a ser gravado, definir o dado que será gravado, colocamos o sinal CS em nível baixo,
colocar o sinal WR em nível baixo, retornar CS e WR para o nível alto.
Inicialmente, foi realizada a seguinte montagem no conjunto didático:
FIGURA 2

Fonte: Roteiro da Prática

Em seguida foi preenchida os endereços 0-F com valores de escolhidos

aleatoriamente. A tabela a seguir, na coluna “Dado Gravado”, tem os valores
gravados em cada endereço para referência nos passos seguintes:
Tabela 1
Endereço Dado Gravado Dado Lido
Binário Decimal Binário Decimal Binário Decimal
0000 0 0010 2 0010 2
0001 1 0011 2 0011 3
0010 2 0000 0 0000 0
0011 3 0101 5 0101 5
 0100 4 0011 3 0011 3
0101 5 0010 2 0010 2
0110 6 0001 1 0001 1
0111 7 1000 8 1000 8
1000 8 0001 1 0001 1
1001 9 1001 9 1001 9
1010 A 0110 6 0110 6
1011 B 0011 3 0011 3
1100 C 0101 5 0101 5
1101 D 0000 0 0000 0
1110 E 0100 4 0100 4
1111 F 1000 8 1000 8

Para a leitura do dado, o seguinte procedimento foi adotado:

• O sinal WR FOI MANTIDO em nível alto;

• O CS e OE em nível baixo;

• O endereço a ser lido foi escolhido.

A leitura foi feita observando os LED’s. O LED de cor vermelha significava nível lógico
alto ou um, e o LED verde nível lógico zero ou baixo.

FIGURA 2

Fonte: Autor
 Importante observar que enquanto CS e OE estiverem em nível alto, o dado estará
disponível no barramento, por isso foi tomado o cuidado de não inserir níveis lógicos quando o
barramento está operando como saída.

Para a leitura dos dados gravados, o barramento de dados foi ligado aos
indicadores de nível lógico da maneira descrita a seguir: as ligações foram feitas com o
painel ligado (evitando que a memória não perca o conteúdo), e o CS e WR foram
colocados em nível alto, para evitar gravações acidentais.
Depois disso, o procedimento de leitura apresentado anteriormente foi realizado
para a leitura de todos os endereços previamente gravados pela equipe da bancada ao
lado.
Tabela 2
Endereço Dado Gravado Dado Lido
Binário Decimal Binário Decimal Binário Decimal
0000 0 0000 0 0000 0
0001 1 0001 1 0001 1
0010 2 0010 2 0010 2
0011 3 0011 3 0011 3
0100 4 0100 4 0100 4
0101 5 0101 5 0101 5
0110 6 0110 6 0110 6
0111 7 0111 7 0111 7
1000 8 1000 8 1000 8
1001 9 1001 9 1001 9
1010 A 1111 F 1111 F
1011 B 1101 D 1101 D
1100 C 0101 5 0101 5
1101 D 1010 A 1010 A
1110 E 1110 B 1110 B
1111 F 1111 E 1111 E

Por fim, o bastidor foi desligado e o mantido desligado por alguns segundos.
Em seguida a leitura de cada um dos endereços foi repetida. Os valores não
continuaram preservados e os valores que aparecem eram aleatórios. Isso aconteceu
porque uma vez desligado o fabricante não garante o que acontece aparecendo nesse
caso valores aleatórios.
Além disso foi pedido que fosse buscado no datasheet do fabricante os
tempos mínimos necessários para cada etapa de leitura e escrita e calculado o tempo
mínimo necessário para a leitura e escrita de um dado nesta memória. O tempo é de
45 ns.
5. CONCLUSÃO
Com a prática podemos foi possível montar um circuito com memória RAM e
aprender as suas principais características.
 6. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS
[1] Roteiro da Prática;
[2] Memórias. MecaWeb. Disponível em:
<http://www.mecaweb.com.br/eletronica/content/e_memorias>. Acesso em: 20 de maio
de 2019.
[3] Datasheet 62256 – Samsung Electronics