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Objectivo...............................................................................................................................................2
Introdução.............................................................................................................................................2
Filmes finos........................................................................................................................................2
Princípio de funcionamento de uma célula fotovoltaica...................................................................4
Evaporação térmica em vácuo assistida por canhão de electrões.........................................................5
Princípio de funcionamento..............................................................................................................5
PECVD....................................................................................................................................................6
Sputtering..............................................................................................................................................7
Pulverização catódica por plasmas em reactor díodo d.c..................................................................8
Pulverização catódica por plasmas em reactor díodo com gerador r.f..............................................9
Aplicação de campos magnéticos nos plasmas - Magnetrão...........................................................10
Vácuo...................................................................................................................................................12
Aplicações........................................................................................................................................12
Câmaras de vácuo............................................................................................................................12
Tipo de Materiais Que Compõem Um Sistema de Vácuo................................................................12
Bombas de vácuo.............................................................................................................................13
Bomba Rotatória.............................................................................................................................14
Bomba Turbomolecular...................................................................................................................16
Procedimento Experimental................................................................................................................17
Material...........................................................................................................................................17
Vácuo...............................................................................................................................................17
Vácuo primário................................................................................................................................17
Vácuo secundário............................................................................................................................18
PECVD..............................................................................................................................................18
Sputtering........................................................................................................................................20
Cálculos...............................................................................................................................................21
Bibliografia..........................................................................................................................................23
Figura 1 – Painel solar aplicado a uma tenda – Isto não seria possível se não houvessem filmes finos.
...............................................................................................................................................................4
Figura 2 – Junção PN [2]........................................................................................................................5
Figura 3 – Exemplo de uma câmara de canhão de electrões.................................................................6
Figura 4 – Curva de Paschen para a tensão de ruptura para um gás entre dois eléctrodos separados
por uma distância d a uma pressão P..................................................................................................10
Figura 5 – a) cátodo de um magnetrão plano circular, mostrando a forma de campo magnético, b)
magnetrão plano rectangular..............................................................................................................11
Figura 6 – Região de pressão das bombas de vácuo............................................................................14
Figura 7 – Esquema representativo de uma bomba de um estágio (à esquerda): 1 – entrada, 2 –
filtro, 3 – rotor, 4 – mola, 5 – ventoinha, 6 – válvula de compressão de gás, 7 – filtro, 8 – válvula de
descarga, 9 – exaustão, 10 – superfície vedante. Fotografia de uma bomba rotatória (à direita).......16
Figura 8 – esquema em corte de uma bomba turbomolecular............................................................17
Figura 9 – Esquema do equipamento PECVD.......................................................................................19
Objectivo
Neste trabalho procedeu-se ao fabrico de uma célula solar de silício amorfo hidrogenado do
tipo pin, onde foi possível acompanhar todas as etapas do processo, desde o dimensionamento da
mesma até ao processo de caracterização.
Introdução
Filmes finos
Os processos de formação dos filmes podem ser divididos em dois grupos fundamentais:
Uma célula solar é um dispositivo electrónico que tira partido do efeito fotovoltaico,
processo através do qual a radiação electromagnética é convertida em energia eléctrica.
Nos semicondutores, um electrão localizado na banda de valência pode ser excitado para a
banda de condução quando absorve a energia de um fotão, ou seja, quando está a ser irradiado.
Contudo, quando não existem forças exteriores, o electrão volta ao estado fundamental de energia,
emitindo um fotão de menor energia (principio de conservação de energia). No entanto sob a acção
de um campo eléctrico, as cargas geradas são separadas devido à diferença de potencial originando
o aparecimento de uma corrente eléctrica [1].
Podemos assim dizer que o seu comportamento é semelhante ao de uma válvula que deixa
passar corrente num determinado sentido e bloqueia no sentido inverso. Este comportamento deve-
se à natureza electrónica dos materiais envolvidos na junção pn. Como é sabido, o material tipo-p
possui mais buracos (ausência de electrões) que electrões, enquanto que o material tipo-n possui
electrões em maioria. Assim quando juntamos estes dois materiais de tipos electronicamente
diferentes, ocorre uma reorganização do material dentro da junção, devido ao aparecimento de um
campo eléctrico no centro desta. Este campo eléctrico com sentido da camada p para a camada n vai
provocar a migração de electrões de n para p e, de buracos de p para n, favorecendo a
recombinação. Forma-se assim uma zona de deplecção (zona de carga neutra) na junção.
Se uma junção PN for exposta a fotões com energia maior que o hiato, ocorrerá geração de
pares electrão-buraco. Se isto acontecer na região onde o campo eléctrico é diferente de zero, as
cargas serão aceleradas, gerando assim, uma corrente através da junção. Este deslocamento de
cargas dá origem a uma diferença de potencial ao qual chamamos de Efeito Fotovoltaico. Se as duas
extremidades diferentes do silício forem ligadas por um fio, haverá uma circulação de electrões. Este
é o princípio do funcionamento das células fotovoltaicas. [1]
Princípio de funcionamento
Um canhão de electrões funciona de forma semelhante ao cátodo de um tubo de raios
catódicos. A pressão da câmara é inferior a 10−4 mbar . Um filamento (mais frequente o tungsténio)
é aquecido até ficar incandescente, fazendo com que sejam emitidos electrões em todas as
direcções da câmara. O filamento está localizado numa ranhura existente no cátodo, este que se
encontra ligado ao terminal de uma fonte de alta tensão.
Os electrões que são emitidos para a parte de trás do cátodo irão ser repelidos devido à
carga negativa, os que forem emitidos para a parte da frente serão acelerados pelo campo eléctrico,
de seguida deflectidos 270° (por acção de bobinas magnéticas) e focados na superfície do material a
ser evaporado. A corrente no filamento pode ser ac e dc. A corrente dc produz um feixe mais estável
e preciso. [7]
PECVD
Estes resultados são devidos ao diferente grau de interacção entre o plasma e a superfície, e
pode ser controlado por parâmetros experimentais (como potência, pressão e fluxo de gases,
frequência de excitação e temperatura do substrato durante o processo). Variações nestes
parâmetros afectam directamente as características “intrínsecas” do plasma, isto é, a densidade
electrónica e iónica, a função distribuição de energia dos electrões, o potencial de plasma, etc.
Portanto, a técnica de PECVD permite a obtenção de filmes com uma ampla gama de
propriedades através do controlo dos parâmetros do processo. Exemplos são camadas
isolantes/condutoras com espessuras controladas utilizadas na fabricação de dispositivos
electrónicos, filmes transparentes apropriados para aplicações ópticas, camadas anti-reflectivas,
revestimentos de lentes e filmes biocompatíveis.
O sistema utilizado em PECVD é geralmente compatível com outras técnicas de plasma, como
corrosão química e física. Outra grande vantagem deste processo é que o substrato é
completamente coberto pelo plasma. Assim, todas as faces de peças com geometrias complexas e
mesmo com uma superfície irregular recebem uma camada de filme com elevado grau de
uniformidade.
Sputtering
Permite uma deposição uniforme sobre grandes áreas pela utilização de alvos grandes
Controle preciso da espessura pelo controle dos parâmetros do processo
Limpeza da superfície da amostra por sputtering antes da deposição sem exposição ao
ambiente
Não produz raio-X
Basicamente esta técnica consiste na formação de um plasma, este que é criado por um
potencial entre o ânodo e o cátodo, sendo o ânodo o substrato e o cátodo o alvo onde o material se
irá depositar. Devido à criação do plasma, o alvo é sujeito a um intenso bombardeamento iónico, o
que origina o arranque de material que se irá depositar sobre o substrato.
Um dos outros assuntos importantes, é quais são os modos de aplicação de potência para a
formação do plasma. São eles o sistema DC (corrente continua), em que é aplicado uma tensão
directamente entre o cátodo e o ânodo e o sistema de RF (rádio frequência), no qual um gerador de
alta-frequência se encontra ligado aos dois eléctrodos.
Ao sistema de RF pode ser introduzido um magnetrão, que irá aplicar um campo magnético,
como objectivo de confinar e concentrar o plasma junto ao alvo. É muito utilizada quando são
requeridas baixas temperaturas de substrato.
Uma das formas mais usual de pulverização catódica é através de uma descarga num reactor
em configuração díodo d.c.
Este tipo de descarga requer o uso de uma câmara de vácuo. A câmara de vácuo é
bombeada por um conjunto de bombas de vácuo até pressões muito menores à pressão que se
pretende trabalhar, de seguida é inserido um gás, até se atingir a pressão que se pretende trabalhar,
este gás vai ser o proporcionador da realização do plasma.
A descarga de díodo d.c. consiste em dois eléctrodos (cátodo e ânodo) que são colocados
dentro de uma câmara de vácuo e ligados a uma fonte de tensão externa como fim de criar um
campo eléctrico entre os eléctrodos, onde qualquer electrão que se encontre livre localizado
próximo do cátodo será acelerado em direcção ao ânodo.
Temos de ter em conta que existe um compromisso entre a tensão aplicada e a densidade
do gás (consequentemente a pressão da câmara), isto é, se tivermos uma baixa tensão aplicada o
campo eléctrico não será capaz de imprimir no electrão uma velocidade suficiente para que este
possa provocar imunização do gás. Mas por outro lado se a densidade do gás na câmara for muito
baixa, a probabilidade do electrão atingir o ânodo sem colidir ou seja ionizar nenhum átomo do gás é
elevada, mas caso a densidade do gás for muito elevada, o electrão nao será acelerado o suficiente
para poder ionizar um átomo.
A condição de ruptura depende da tensão aplicada aos eléctrodos que por sua vez depende
do gás, da pressão da câmara e da distância entre os eléctrodos. Esta tensão pode ser definida pela
fórmula:
A ( Pd)
V B= ¿¿
V B −Tensão de ruptura
P−Pressão na câmara
Os plasmas que resultam de reactores a funcionar em díodo d.c. têm como uma das
aplicações a pulverização catódica, sendo neste caso as amostras colocadas no ânodo ou em outro
local enquanto o cátodo corresponde ao alvo, que ira ser bombeado como fim de promover uma
remoção do material.
Para permitir o uso de materiais isolantes utiliza-se um gerador de r.f. aplicado aos
eléctrodos, aumentando-se assim o nível de ionização do plasma. A maioria dos geradores de r.f.
funciona a 13,56Mhz, embora eles possam funcionar a qualquer frequência.
O plasma devido a uma descarga originada por uma fonte de r.f. é semelhante ao resultante
por uma fonte de d.c.. normalmente existem dois eléctrodos um dos quais esta ligado à massa.
Uma descarga r.f. funciona de uma maneira semelhante à de d.c..uma alta tensão é aplicada
entre os eléctrodos provocando a ruptura do gás e como consequência dá-se a formação de um
plasma.
Em plasmas a baixa pressão, uma grande parte dos electrões secundários produzidos no
cátodo são acelerados para o plasma, atravessando-o sem produzirem colisões de ionização. Ao
adicionarmos um campo magnético estático perpendicular ao plano dos eléctrodos irá fazer com
que os electrões se movam em espiral, aumentando desta forma o percurso médio dos electrões,
traduzindo-se numa maior probabilidade de ocorrência de colisões de ionização. Portanto o
aumento do percurso de cada electrão, resulta num aumento da densidade e diminuição da
resistividade do plasma, fazendo com que a tensão de descarga seja menor quando se trabalha com
um campo magnético aplicado.
Se o campo magnético orientado for aplicado na direcção paralela ao cátodo tem como
resultado uma redução significativa da mobilidade dos electrões secundários emitidos pelo cátodo.
Em vez de serem rapidamente perdidos enquanto atravessam o plasma até ao eléctrodo oposto,
estes são forçados a ficar perto do cátodo. Como resultado consegue-se plasmas com elevados
níveis de ionização e densidade, bem como uma baixa impedância e tensões de descarga, quando
comparados com os casos em que não é aplicado nenhum campo magnético.
a) b)
Figura 5 – a) cátodo de um magnetrão plano circular, mostrando a forma de campo magnético, b) magnetrão plano
rectangular
O magnetrão pode assumir essencialmente duas formas, circular e rectangular. A primeira
consiste num cátodo arrefecido a agua, onde na sua parte posterior existe uma rede de imanes e
electroímanes. Orientando o campo magnético de tal modo que este seja radial, cria-se um percurso
anelar ao longo da superfície onde a resultante de E × B é paralela à superficie do catodo, formando
um percurso fechado. A forma anelar do plasma num magnetrão plano circular resulta numa erosão
não uniforme do alvo, assim como a irregularidade das deposições nas superfícies próximas.
Tipicamente os cátodos ou alvos dos magnetrões sofrem uma erosão que tem a forma de
uma “trincheira” na região anelar. O perfil de deposições evidencia esta “trincheira” quando a
deposição é realizada a curta distância, mas fica ligeiramente esbatida quando a distancia entre o
alvo e substrato aumenta. Para se obter alguma uniformidade é necessário mover as amostras ao
longo do cátodo. Porem esta rotação ou translação é insuficiente para assegurar a uniformidade.
Esta desvantagem tende a ser minimizada no caso do magnetrão plano rectangular que é uma
modificação do magnetrão circular, que consiste em esticar o cátodo lateralmente adicionando-lhe
secções rectas. Assim , o cátodo fica rectangular, onde o percurso fechado parece uma pista de
corridas. Para compensar as perdas devido aos efeitos de gradiente do campo magnético nos
“cantos” do magnetrão o campo é ligeiramente aumentado nos extremos.
Vácuo
Um determinado volume diz-se em vácuo quando a densidade de partículas nele
existente é inferior à que se encontra na atmosfera a pressões e temperaturas normais.
Para medir o grau de vácuo usa-se a pressão e não a densidade de partículas. A unidade de
medida mais usual é o milibar, por ser de ordem de grandeza próxima do Torr.
À medida que a pressão diminui, o vácuo atingido é classificado de primário,
secundário, muito alto e ultra-alto.
Aplicações
O vácuo tem inúmeras aplicações, tanto na indústria como na investigação ou seja é
bastante importante na Microelectrónica.
Câmaras de vácuo
Os materiais a escolher para a construção de aparelhos de vácuo devem satisfazer as
seguintes condições:
As borrachas devido às suas propriedades elásticas são usadas para vedações, em anéis de
juntas desmontáveis e para diafragmas de válvulas. A escolha da borracha para uma dada
aplicação depende da combinação de qualidades desejadas, as mais usadas são, borracha
natural, Neopreno, borracha butílica e borracha nitrílica.
Bombas de vácuo
- Não existe nenhuma bomba capaz de bombear a câmara em toda a sua extensão, ou seja, da
pressão atmosférica para o alto vácuo ou ultra alto vácuo.
- Há muitas bombas mas cada qual opera efectivamente entre os níveis de pressão específicos.
- A figura abaixo mostra os níveis de pressão operacional de varias bombas de vácuo.
Para bombear da pressão atmosférica para o alto vácuo, usa-se inicialmente uma bomba de
vácuo primário para a evacuação da câmara até a região de médio vácuo e então,
com a bomba de alto vácuo faz-se o bombeamento até a pressão de alto vácuo.
- bombas de transferência
- bombas de captura.
para um tubo de exaustão que canaliza o gás para fora do ambiente do laboratório. Nas bombas de
captura, as moléculas do gás por elas bombeadas, ficam presas nas próprias bombas.
a) a pressão mais baixa que uma bomba pode alcançar, geralmente chamado de pressão
final
Com relação a este último aspecto, algumas bombas de vácuo, como as bombas de difusão,
podem emitir vapores de óleo para o interior do sistema de vácuo, o que para algumas aplicações,
não podem ser tolerado.
A selecção ou escolha da bomba de vácuo a ser usada é definida pelos parâmetros como:
pressão desejada, o intervalo de pressão, a velocidade de bombeamento e a pressão de exaustão.
Bomba Rotatória
Trata-se da bomba de vácuo mais usada, quer para fazer vácuo primário em sistemas, quer
como bomba de suporte ("backing") em muitos sistemas de vácuo secundário. Neste caso um rotor
com ranhuras excêntrico move-se no interior de um estator cilíndrico, por acção de motor eléctrico
directamente acoplado a este. Nas ranhuras existem duas (ou três) palhetas deslizantes que estão
em contacto contínuo com as paredes do estator. Deste modo, ar (ou gás) é arrastado para o interior
do estator, comprimido e expelido através de uma válvula de exaustão, que abre por aumento de
pressão. As palhetas e o rotor estão selados através de uma fina película de fluído e o estator está
totalmente imerso no fluído de modo a garantir a transferência do calor liberto para o invólucro do
estator.
Neste caso, o fluido a usar deve ser um óleo mineral ou sintético com uma baixa pressão de
vapor e com boas propriedades lubrificantes. No caso de se bombearem gases altamente corrosivos,
devem-se usar fluidos derivados de perfluoretos e poli éteres (exemplo: flombin), uma vez que são
quimicamente estáveis e resistentes à oxidação.
As bombas rotatórias podem ser de um ou dois estágios. No caso de terem dois estágios a
exaustão do primeiro estágio encontra-se internamente ligada à entrada do segundo estágio. Tal
melhora a pressão final da bomba, uma vez que reduz a fuga por retrodifusão associada ao processo
de movimento e selagens contínuas, entre o rotor e o estator.
Figura 7 – Esquema representativo de uma bomba de um estágio (à esquerda): 1 – entrada, 2 – filtro, 3 – rotor, 4 – mola,
5 – ventoinha, 6 – válvula de compressão de gás, 7 – filtro, 8 – válvula de descarga, 9 – exaustão, 10 – superfície vedante.
Fotografia de uma bomba rotatória (à direita)
Bomba Turbomolecular
Medidores de pressão
Existem vários medidores, designados por manómetros, para várias regiões capazes de
medir grandes diferenças de pressão, como entre a pressão atingida em vácuo e a pressão
atmosférica. Entre os vários manómetros os mais utilizados em tecnologia de vácuo são o Baratron,
o Pirani e Penning.
Figura 10 – Exemplo de um manómetro pirani com o respectivo display de leitura de valores [4]
Figura 11 – Manómetro de alto vácuo penning e respectivo display de leitura de valores [5]
Procedimento Experimental
Material
Substrato de vidro;
Porta-substrato;
Câmara de vácuo;
Bombas de vácuo: Rotatória; Turbomulecular;
Medidores de pressão: Baratron; Pirani; Penning;
Canalizações;
Válvulas;
Cronómetro;
Alvo de Oxido de Zinco dopado com Gálio;
Reactor;
Matching Box;
Gerador de radiofrequência (RF);
Fita-cola;
Canhão de electrões;
Filamento de tungsténio;
Cadinho;
Água ultra pura;
Álcool;
Acetona;
N2 (azoto);
O2 (oxigénio);
Ar (árgon);
SiH4 (silano);
C7H16 (2,2,3-trimetilbutano);
Gás de erosão SF6 (hexafluoreto de enxofre);
Al (alumínio).
Vácuo
Vácuo primário
1) Antes de se iniciar o processo verificou-se a posição de todas as válvulas, devendo estar
estas todas fechadas. Desta forma consegue-se garantir o isolamento da câmara de vácuo da
atmosfera exterior.
2) Foi necessário confirmar se a bomba rotatória estava em funcionamento e se o medidor de
pressão Pirani estava ligado também.
3) O processo começou quando se iniciou o bombeamento da câmara, com a abertura da
válvula de vácuo primário.
4) Ao longo do processo foram sendo anotados os valores da variação de pressão no interior da
câmara em função do tempo até estes estabilizarem e atingirem pressões da ordem dos 10 -
3
mbar.
Vácuo secundário
1) Para dar inicio com o vácuo secundário, verificou-se se a bomba turbomolecular se
encontrava em funcionamento. Regulou-se para a velocidade máxima de rotações por
minuto.
2) Ligou-se o medidor de pressão Pennig para obter valores directos.
3) Fechou-se a válvula de duas vias que vai provocar a troca da bomba principal para a bomba
secundária para actuar na câmara.
4) Abriu-se a válvula gaveta de forma a dar início ao vácuo secundário.
5) Anotaram-se os valores da variação de pressão no interior da câmara em função do tempo,
até estes estabilizarem perto dos 10-6mbar.
PECVD
Sputtering
3. Depois de nos certificarmos que a válvula gaveta estava fechada a câmara foi fechada;
4. Para iniciar o vácuo secundário foi necessário fechar a válvula de admissão de ar;
6. Desde o dia anterior que o sistema se encontrava em vácuo a uma pressão de 2,6 x 10−6mbar;
7. Na aula experimental, abriram-se as válvulas de admissão de Árgon e de Oxigénio, controlando
sempre a pressão no interior da câmara;
8. No Mass Flow Controler (MFC) ajustou-se com o potenciómetro o fluxo dos gases que se deseja;
9. Após a introdução dos gases acima referidos, a pressão no interior da câmara aumentou, sendo
necessário aguardar cerca de 15 minutos para que estabilizasse próximo de 1,8 x 10−3 mbar;
11. Elevou-se a pressão dentro da câmara, de forma a garantir a formação de plasma, baixando-se a
pressão após a sua formação;
13. No fim da deposição, desligou-se a potência RF: OFF, colocando o potenciómetro “zero”;
14. Fechou-se o gás, passando o interruptor do Árgon no MFC para a posição CLOSE;
Cálculos
Razão de fuga
dp
Q f =V
dt
dp
Onde é o declive da recta da regressão linear.
dt
Figura 13 – Pressão (Torr) Vs tempo (s) para a desgasificação
dp
Q f =V ⇔
dt
dp
Q f =V =10 ×4,79 ×10−7=4,79× 10−6 torr L s−1
dt
Razão de desgasificação:
dp
Q g=V =10× 1× 10−6 =1× 10−5 sccm
dt
Figura 14 - Log Pressão (Torr) Vs tempo (s) para o bombeamento com a bomba rotatória
V 7,5 × 102
⇔ S=
t
×2,3 × log (P
⇔ )
t=30 s , P=7,50 ×10−1 torr
10 7,5 ×10 2 l
⇔ S=
30
×2,3 × log (
7,50× 10−1 )
⇔ S=2,30 =8 , 280 m3 / h
s
Bibliografia
[1] - Angelo Luiz Gobbi, “ESTUDO DO SILICIO AMORFO HIDROGENADO (a-Si:H) APLICADO A
PRODUCAO DE CELULAS SOLARES”, tese de mestrado, UNICAMP, 1988.
[3] - http://www.mat-vac.com/systems/images/baratron.jpg
[4] - http://suppliers.jimtrade.com/resize_image.aspx?MaxSize=228&filen=86/85062/111140.jpg
[5] - http://www.mac-co.hit.bg/Pen01.jpg