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Conteúdo

Objectivo...............................................................................................................................................2
Introdução.............................................................................................................................................2
Filmes finos........................................................................................................................................2
Princípio de funcionamento de uma célula fotovoltaica...................................................................4
Evaporação térmica em vácuo assistida por canhão de electrões.........................................................5
Princípio de funcionamento..............................................................................................................5
PECVD....................................................................................................................................................6
Sputtering..............................................................................................................................................7
Pulverização catódica por plasmas em reactor díodo d.c..................................................................8
Pulverização catódica por plasmas em reactor díodo com gerador r.f..............................................9
Aplicação de campos magnéticos nos plasmas - Magnetrão...........................................................10
Vácuo...................................................................................................................................................12
Aplicações........................................................................................................................................12
Câmaras de vácuo............................................................................................................................12
Tipo de Materiais Que Compõem Um Sistema de Vácuo................................................................12
Bombas de vácuo.............................................................................................................................13
Bomba Rotatória.............................................................................................................................14
Bomba Turbomolecular...................................................................................................................16
Procedimento Experimental................................................................................................................17
Material...........................................................................................................................................17
Vácuo...............................................................................................................................................17
Vácuo primário................................................................................................................................17
Vácuo secundário............................................................................................................................18
PECVD..............................................................................................................................................18
Sputtering........................................................................................................................................20
Cálculos...............................................................................................................................................21
Bibliografia..........................................................................................................................................23
Figura 1 – Painel solar aplicado a uma tenda – Isto não seria possível se não houvessem filmes finos.
...............................................................................................................................................................4
Figura 2 – Junção PN [2]........................................................................................................................5
Figura 3 – Exemplo de uma câmara de canhão de electrões.................................................................6
Figura 4 – Curva de Paschen para a tensão de ruptura para um gás entre dois eléctrodos separados
por uma distância d a uma pressão P..................................................................................................10
Figura 5 – a) cátodo de um magnetrão plano circular, mostrando a forma de campo magnético, b)
magnetrão plano rectangular..............................................................................................................11
Figura 6 – Região de pressão das bombas de vácuo............................................................................14
Figura 7 – Esquema representativo de uma bomba de um estágio (à esquerda): 1 – entrada, 2 –
filtro, 3 – rotor, 4 – mola, 5 – ventoinha, 6 – válvula de compressão de gás, 7 – filtro, 8 – válvula de
descarga, 9 – exaustão, 10 – superfície vedante. Fotografia de uma bomba rotatória (à direita).......16
Figura 8 – esquema em corte de uma bomba turbomolecular............................................................17
Figura 9 – Esquema do equipamento PECVD.......................................................................................19

Objectivo

Neste trabalho procedeu-se ao fabrico de uma célula solar de silício amorfo hidrogenado do
tipo pin, onde foi possível acompanhar todas as etapas do processo, desde o dimensionamento da
mesma até ao processo de caracterização.

Introdução

Filmes finos

Os filmes finos desempenham uma importante função nos dispositivos e circuitos


integrados. São utilizados nas ligações das regiões activas de um dispositivo, na comunicação entre
dispositivos, no isolamento de camadas condutoras, nas superfícies protectoras das camadas
externas. Os filmes finos podem ser condutores, semicondutores ou isolantes e são normalmente
crescidos termicamente ou depositados a partir de um vapor.
Os filmes finos utilizados na fabricação dos circuitos integrados devem ter a espessura, a
estrutura atómica e a composição química uniformes, com baixa densidade de defeitos e mínima
contaminação por impurezas.

As geometrias à escala do Micrómetro dos dispositivos resultam em circuitos com


superfícies bastante rugosas. Os filmes depositados nessas superfícies devem ter boa aderência,
baixa tensão e promover uma boa cobertura de irregularidades. As propriedades dos filmes estão
muito dependentes dos processos de deposição.

Os processos de formação dos filmes podem ser divididos em dois grupos fundamentais:

a) Crescimento dos filmes pela reacção da superfície do substrato com as substâncias


presentes no ambiente de processo:
- a oxidação e a nitretação térmica do Silício

b) Crescimento dos filmes por deposição sem reacção com o substrato:


1. Deposição química a partir da fase vapor: neste processo, denominado CVD
(Chemical Vapor Deposition), os filmes são formados pela reacção química de
elemento. Quando o processo é utilizado para formar filmes monocristalinos é
denominado de epitaxia.
2. Deposição física a partir da fase vapor: neste processo as espécies do filme
são arrancadas fisicamente de uma fonte, por temperatura (evaporação) ou por
impacto de iões (Sputtering). Como estão no estado de vapor deslocam-s até o
substrato onde se condensam na forma de um filme. A atmosfera do processo é
mantida em vácuo.
3. Deposição a partir de líquidos (spray pyrolyse): neste processo a espécie, em
forma líquida, é gotejado e centrifugado sobre o substrato.

Normalmente os filmes são formados por grãos monocristalinos dispostos em várias


direcções cristalográficas. O tamanho dos grãos depende das condições da deposição e dos
tratamentos térmicos posteriores. Grãos maiores geralmente estão associados a temperaturas
maiores de processamento. A rugosidade de um filme está relacionada com o tamanho dos grãos
pois em deposições a altas temperaturas há tendência a produzir filmes menos rugosos. A densidade
de um filme pode dar informações sobre sua estrutura física como por exemplo a porosidade do
filme fino.
Figura 1 – Painel solar aplicado a uma tenda – Isto não seria possível se não houvessem filmes finos.

Princípio de funcionamento de uma célula fotovoltaica

Uma célula solar é um dispositivo electrónico que tira partido do efeito fotovoltaico,
processo através do qual a radiação electromagnética é convertida em energia eléctrica.

Nos semicondutores, um electrão localizado na banda de valência pode ser excitado para a
banda de condução quando absorve a energia de um fotão, ou seja, quando está a ser irradiado.
Contudo, quando não existem forças exteriores, o electrão volta ao estado fundamental de energia,
emitindo um fotão de menor energia (principio de conservação de energia). No entanto sob a acção
de um campo eléctrico, as cargas geradas são separadas devido à diferença de potencial originando
o aparecimento de uma corrente eléctrica [1].

Numa célula de silício cristalino aplica-se o principio de funcionamento de uma junção


semicondutora PN. Como tal, quando é polarizado positivamente conduz corrente livremente, e
quando polarizado negativamente, comporta-se como uma elevada resistência conduzindo um valor
menor de corrente que está limitado por I SAT .

Podemos assim dizer que o seu comportamento é semelhante ao de uma válvula que deixa
passar corrente num determinado sentido e bloqueia no sentido inverso. Este comportamento deve-
se à natureza electrónica dos materiais envolvidos na junção pn. Como é sabido, o material tipo-p
possui mais buracos (ausência de electrões) que electrões, enquanto que o material tipo-n possui
electrões em maioria. Assim quando juntamos estes dois materiais de tipos electronicamente
diferentes, ocorre uma reorganização do material dentro da junção, devido ao aparecimento de um
campo eléctrico no centro desta. Este campo eléctrico com sentido da camada p para a camada n vai
provocar a migração de electrões de n para p e, de buracos de p para n, favorecendo a
recombinação. Forma-se assim uma zona de deplecção (zona de carga neutra) na junção.

Figura 2 – Junção PN [2]

Se uma junção PN for exposta a fotões com energia maior que o hiato, ocorrerá geração de
pares electrão-buraco. Se isto acontecer na região onde o campo eléctrico é diferente de zero, as
cargas serão aceleradas, gerando assim, uma corrente através da junção. Este deslocamento de
cargas dá origem a uma diferença de potencial ao qual chamamos de Efeito Fotovoltaico. Se as duas
extremidades diferentes do silício forem ligadas por um fio, haverá uma circulação de electrões. Este
é o princípio do funcionamento das células fotovoltaicas. [1]

Evaporação térmica em vácuo assistida por canhão de electrões

Este processo basicamente centra-se no processo de evaporação térmica em vácuo, mas


têm uma particularidade que a distingue pela positiva, neste processo o material que vai ser fundido
não está em contacto directo com o cadinho, isto trará como consequência, uma evaporação de
películas finas com um baixo grau de contaminação, ou seja uma vantagem.
Outra das vantagens deste mesmo processo é que se consegue ter um controlo bastante
preciso nos parâmetros da evaporação. Os filmes mais comuns depositados por este processo, são
os óxidos e os metais.
O feixe de electrões é gerado a partir de um filamento em vácuo, por onde se faz passar uma
corrente, ficando incandescente. Quando o filamento é sujeito a um campo eléctrico elevado, os
electrões vão ser extraídos de acordo com a sua função trabalho (esta qual que é definida como as
diferenças entre a energia de vácuo e energia de Fermi, ou seja corresponde à energia necessária
para se remover um electrão) de modo a formar um feixe. O feixe vai ser conduzido através de
campos magnéticos e eléctricos até ao cadinho, sendo este focado na superfície a evaporar. [7]

Princípio de funcionamento
Um canhão de electrões funciona de forma semelhante ao cátodo de um tubo de raios
catódicos. A pressão da câmara é inferior a 10−4 mbar . Um filamento (mais frequente o tungsténio)
é aquecido até ficar incandescente, fazendo com que sejam emitidos electrões em todas as
direcções da câmara. O filamento está localizado numa ranhura existente no cátodo, este que se
encontra ligado ao terminal de uma fonte de alta tensão.
Os electrões que são emitidos para a parte de trás do cátodo irão ser repelidos devido à
carga negativa, os que forem emitidos para a parte da frente serão acelerados pelo campo eléctrico,
de seguida deflectidos 270° (por acção de bobinas magnéticas) e focados na superfície do material a
ser evaporado. A corrente no filamento pode ser ac e dc. A corrente dc produz um feixe mais estável
e preciso. [7]

Figura 3 – Exemplo de uma câmara de canhão de electrões

PECVD

Nos diversos processos de processamento de filmes finos, a deposição PECVD (Plasma


Chemical Enhanced Vapor Deposition), destaca-se devido a algumas das suas particularidades. O
processo é seco, limpo, rápido, relativamente barato e de fácil execução. Proporcionam materiais
uniformes, homogéneos, livres de defeitos e com propriedades fortemente dependentes dos
parâmetros de deposição.

Os materiais depositados por PECVD podem ser orgânicos ou inorgânicos, dependendo da


composição química do plasma. Entretanto, partindo-se de um mesmo composto, pode-se obter,
por exemplo, filmes poliméricos (amorfos de baixa densidade), silício-amorfo hidrogenados e
carbono grafítico (com estrutura altamente ordenada).

Estes resultados são devidos ao diferente grau de interacção entre o plasma e a superfície, e
pode ser controlado por parâmetros experimentais (como potência, pressão e fluxo de gases,
frequência de excitação e temperatura do substrato durante o processo). Variações nestes
parâmetros afectam directamente as características “intrínsecas” do plasma, isto é, a densidade
electrónica e iónica, a função distribuição de energia dos electrões, o potencial de plasma, etc.

Portanto, a técnica de PECVD permite a obtenção de filmes com uma ampla gama de
propriedades através do controlo dos parâmetros do processo. Exemplos são camadas
isolantes/condutoras com espessuras controladas utilizadas na fabricação de dispositivos
electrónicos, filmes transparentes apropriados para aplicações ópticas, camadas anti-reflectivas,
revestimentos de lentes e filmes biocompatíveis.

O sistema utilizado em PECVD é geralmente compatível com outras técnicas de plasma, como
corrosão química e física. Outra grande vantagem deste processo é que o substrato é
completamente coberto pelo plasma. Assim, todas as faces de peças com geometrias complexas e
mesmo com uma superfície irregular recebem uma camada de filme com elevado grau de
uniformidade.

De modo a garantir alta qualidade e reprodutibilidade, o efeito dos parâmetros experimentais


nas características intrínsecas do plasma devem ser precisamente conhecidos e controlados.

Sputtering

É o mecanismo de ejecção de material de uma superfície (alvo) pelo bombardeamento de


partículas com alta energia. O material ejectado deposita-se sobre o substrato, colocado em
oposição á superfície bombardeada. Esta técnica tem como grande vantagem, a deposição de uma
grande variedade de materiais. Outras das vantagens desta técnica são:

 Permite uma deposição uniforme sobre grandes áreas pela utilização de alvos grandes
 Controle preciso da espessura pelo controle dos parâmetros do processo
 Limpeza da superfície da amostra por sputtering antes da deposição sem exposição ao
ambiente
 Não produz raio-X

Esta técnica também apresenta algumas desvantagens:

 Alto custo do equipamento


 A taxa de deposição de alguns materiais pode ser bastante baixa
 Alguns materiais degradam-se devido ao bombardeamento em altas energias

Basicamente esta técnica consiste na formação de um plasma, este que é criado por um
potencial entre o ânodo e o cátodo, sendo o ânodo o substrato e o cátodo o alvo onde o material se
irá depositar. Devido à criação do plasma, o alvo é sujeito a um intenso bombardeamento iónico, o
que origina o arranque de material que se irá depositar sobre o substrato.

Um dos outros assuntos importantes, é quais são os modos de aplicação de potência para a
formação do plasma. São eles o sistema DC (corrente continua), em que é aplicado uma tensão
directamente entre o cátodo e o ânodo e o sistema de RF (rádio frequência), no qual um gerador de
alta-frequência se encontra ligado aos dois eléctrodos.

Ao sistema de RF pode ser introduzido um magnetrão, que irá aplicar um campo magnético,
como objectivo de confinar e concentrar o plasma junto ao alvo. É muito utilizada quando são
requeridas baixas temperaturas de substrato.

Pulverização catódica por plasmas em reactor díodo d.c

Uma das formas mais usual de pulverização catódica é através de uma descarga num reactor
em configuração díodo d.c.

Este tipo de descarga requer o uso de uma câmara de vácuo. A câmara de vácuo é
bombeada por um conjunto de bombas de vácuo até pressões muito menores à pressão que se
pretende trabalhar, de seguida é inserido um gás, até se atingir a pressão que se pretende trabalhar,
este gás vai ser o proporcionador da realização do plasma.

A descarga de díodo d.c. consiste em dois eléctrodos (cátodo e ânodo) que são colocados
dentro de uma câmara de vácuo e ligados a uma fonte de tensão externa como fim de criar um
campo eléctrico entre os eléctrodos, onde qualquer electrão que se encontre livre localizado
próximo do cátodo será acelerado em direcção ao ânodo.

Temos de ter em conta que existe um compromisso entre a tensão aplicada e a densidade
do gás (consequentemente a pressão da câmara), isto é, se tivermos uma baixa tensão aplicada o
campo eléctrico não será capaz de imprimir no electrão uma velocidade suficiente para que este
possa provocar imunização do gás. Mas por outro lado se a densidade do gás na câmara for muito
baixa, a probabilidade do electrão atingir o ânodo sem colidir ou seja ionizar nenhum átomo do gás é
elevada, mas caso a densidade do gás for muito elevada, o electrão nao será acelerado o suficiente
para poder ionizar um átomo.

O processo de formação de plasma é conhecido como sendo um processo em cascata, pois


um electrão suficientemente energético ao embater num átomo, provocando-lhe uma ionização, vai
fazer com que ocorra o aparecimento de um ião e de um electrão, ou seja vamos estar na presença
de dois electrões que irão ser acelerados pelo campo eléctrico dando origem a mais dois electrões, e
vai acontecer assim sucessivamente, cada vez mais vamos ter um surgimento maior de electrões, dai
ser conhecido por um fenómeno cascata.

Sabemos que o campo eléctrico acelera o ião em direcção ao cátodo e os electrões em


direcção ao ânodo, neste percurso poderão então acontecer colisões dos electrões e iões com os
átomos. Os iões geralmente com elevada massa, são acelerados para o cátodo e podem colidir com
este transferindo elevada energia, deste modo irá haver uma emissão de electrões secundários.
Estes electrões secundários podem causar ionização acrescida e como por avalanche dá-se a
condição de ruptura (breakdown), isto é, irá formar-se um plasma.

A condição de ruptura depende da tensão aplicada aos eléctrodos que por sua vez depende
do gás, da pressão da câmara e da distância entre os eléctrodos. Esta tensão pode ser definida pela
fórmula:

A ( Pd)
V B= ¿¿
V B −Tensão de ruptura

A e C−Constantes dependentes do gás

P−Pressão na câmara

d−distância entre átomos

A interpretação gráfica desta expressão anterior é designada de curva de Paschen e o


mínimo da curva é a tensão de ruptura mínima necessária, conhecido como o mínimo de Paschen.
Devido às diferentes características dos gases, existirão diferentes energias de ionização, logo curvas
ligeiramente diferentes.
Figura 4 – Curva de Paschen para a tensão de ruptura para um gás entre dois eléctrodos separados por uma distância d a
uma pressão P

Os plasmas que resultam de reactores a funcionar em díodo d.c. têm como uma das
aplicações a pulverização catódica, sendo neste caso as amostras colocadas no ânodo ou em outro
local enquanto o cátodo corresponde ao alvo, que ira ser bombeado como fim de promover uma
remoção do material.

Pulverização catódica por plasmas em reactor díodo com gerador r.f.

Para permitir o uso de materiais isolantes utiliza-se um gerador de r.f. aplicado aos
eléctrodos, aumentando-se assim o nível de ionização do plasma. A maioria dos geradores de r.f.
funciona a 13,56Mhz, embora eles possam funcionar a qualquer frequência.

O plasma devido a uma descarga originada por uma fonte de r.f. é semelhante ao resultante
por uma fonte de d.c.. normalmente existem dois eléctrodos um dos quais esta ligado à massa.

Uma descarga r.f. funciona de uma maneira semelhante à de d.c..uma alta tensão é aplicada
entre os eléctrodos provocando a ruptura do gás e como consequência dá-se a formação de um
plasma.

No caso de um sistema de sputtering, o eléctrodo ligado à fonte (alvo) é o menor. Este


eléctrodo ira funcionar como cátodo, mas durante um curto de espaço de tempo funcionara como
ânodo. O eléctrodo oposto e as paredes da câmara funcionam como ânodo, durante o resto do ciclo.
Aplicação de campos magnéticos nos plasmas - Magnetrão

Em plasmas a baixa pressão, uma grande parte dos electrões secundários produzidos no
cátodo são acelerados para o plasma, atravessando-o sem produzirem colisões de ionização. Ao
adicionarmos um campo magnético estático perpendicular ao plano dos eléctrodos irá fazer com
que os electrões se movam em espiral, aumentando desta forma o percurso médio dos electrões,
traduzindo-se numa maior probabilidade de ocorrência de colisões de ionização. Portanto o
aumento do percurso de cada electrão, resulta num aumento da densidade e diminuição da
resistividade do plasma, fazendo com que a tensão de descarga seja menor quando se trabalha com
um campo magnético aplicado.

Se o campo magnético orientado for aplicado na direcção paralela ao cátodo tem como
resultado uma redução significativa da mobilidade dos electrões secundários emitidos pelo cátodo.
Em vez de serem rapidamente perdidos enquanto atravessam o plasma até ao eléctrodo oposto,
estes são forçados a ficar perto do cátodo. Como resultado consegue-se plasmas com elevados
níveis de ionização e densidade, bem como uma baixa impedância e tensões de descarga, quando
comparados com os casos em que não é aplicado nenhum campo magnético.

A aplicação de um campo magnético ira ter como consequências a produção de um plasma


não uniforme, que irá implicar uma deposição não uniforme de películas.

De modo a evitar isso temos de orientar um campo eléctrico correctamente, o


deslocamento devido à resultante de E × B pode ser confinado de modo a formar um movimento
fechado. Assim em vez de se perderem os electroes que andam à deriva por um dos lados do
plasma, estes sao confinados a uma zona próxima do cátodo e aí ficam a circular. Este tipo de
dispositivo é conhecido como magnetrão plano.

a) b)

Figura 5 – a) cátodo de um magnetrão plano circular, mostrando a forma de campo magnético, b) magnetrão plano
rectangular
O magnetrão pode assumir essencialmente duas formas, circular e rectangular. A primeira
consiste num cátodo arrefecido a agua, onde na sua parte posterior existe uma rede de imanes e
electroímanes. Orientando o campo magnético de tal modo que este seja radial, cria-se um percurso
anelar ao longo da superfície onde a resultante de E × B é paralela à superficie do catodo, formando
um percurso fechado. A forma anelar do plasma num magnetrão plano circular resulta numa erosão
não uniforme do alvo, assim como a irregularidade das deposições nas superfícies próximas.

Tipicamente os cátodos ou alvos dos magnetrões sofrem uma erosão que tem a forma de
uma “trincheira” na região anelar. O perfil de deposições evidencia esta “trincheira” quando a
deposição é realizada a curta distância, mas fica ligeiramente esbatida quando a distancia entre o
alvo e substrato aumenta. Para se obter alguma uniformidade é necessário mover as amostras ao
longo do cátodo. Porem esta rotação ou translação é insuficiente para assegurar a uniformidade.

Esta desvantagem tende a ser minimizada no caso do magnetrão plano rectangular que é uma
modificação do magnetrão circular, que consiste em esticar o cátodo lateralmente adicionando-lhe
secções rectas. Assim , o cátodo fica rectangular, onde o percurso fechado parece uma pista de
corridas. Para compensar as perdas devido aos efeitos de gradiente do campo magnético nos
“cantos” do magnetrão o campo é ligeiramente aumentado nos extremos.

Este tipo de magnetrão é utilizado para aplicações em processamento em grande volume.

Vácuo
Um determinado volume diz-se em vácuo quando a densidade de partículas nele
existente é inferior à que se encontra na atmosfera a pressões e temperaturas normais.
Para medir o grau de vácuo usa-se a pressão e não a densidade de partículas. A unidade de
medida mais usual é o milibar, por ser de ordem de grandeza próxima do Torr.
À medida que a pressão diminui, o vácuo atingido é classificado de primário,
secundário, muito alto e ultra-alto.

Aplicações
O vácuo tem inúmeras aplicações, tanto na indústria como na investigação ou seja é
bastante importante na Microelectrónica.

Câmaras de vácuo
Os materiais a escolher para a construção de aparelhos de vácuo devem satisfazer as
seguintes condições:

 Baixa capacidade de desgasificação


o Todos os materiais adsorvem, em maior ou menor grau, gases da atmosfera que
os rodeia, especialmente vapor de água, oxigénio e azoto. Durante a fabricação
de certos materiais de construção pode haver adsorção de gases, o que torna a
desgasificação especialmente importante quando o equipamento é novo. A
baixas pressões estes materiais começam a libertar todos esses gases adsorvidos
e absorvidos.
 Baixa tensão de vapor
o Os materiais usados em vácuo devem ser cuidadosamente seleccionados de
acordo com as respectivas tensões de vapor à pressão de operação do sistema
de que fazem parte e à temperatura a que o conjunto vai funcionar. Deve-se ter
sempre em conta que nenhum material poderá ter uma tensão de vapor superior
à pressão de trabalho pretendida, pois de contrário não se atingirá esse valor da
pressão.
 Elevada resistência à corrosão
o Uma das consequências mais graves da corrosão verifica-se nos metais
facilmente oxidáveis quando expostos à atmosfera, estes não devem ser usados
em sistemas de vácuo em virtude da elevada taxa de desgasificação dos óxidos.
 Elevada resistência mecânica
o Pelo facto do material utilizado na construção de um sistema de vácuo ficar
submetido a uma grande diferença de pressão é necessário cuidar não só do tipo
de material a utilizar como também da espessura das paredes.
 Baixa permeabilidade aos gases e vapores
o Todos os materiais são em maior ou menor grau susceptíveis de ser atravessados
pelos gases.

Tipo de Materiais Que Compõem Um Sistema de Vácuo

 Os metais mais usados na construção de sistemas de vácuo são o aço inoxidável,


cobre e latão. Para soldar este tipo de peças deve recorrer-se de preferência à
soldadura por arco em atmosfera de árgon ou à soldadura por feixe de electrões em
vácuo. As peças devem ter um acabamento cuidado sendo o polimento electrólito o
melhor.
 Os plásticos apresentam um conjunto de propriedades físicas, químicas e mecânicas,
que os tornam úteis em sistemas de vácuo. Os plásticos mais usados são o
polietileno, nylon, perspex e o teflon.

As borrachas devido às suas propriedades elásticas são usadas para vedações, em anéis de
juntas desmontáveis e para diafragmas de válvulas. A escolha da borracha para uma dada
aplicação depende da combinação de qualidades desejadas, as mais usadas são, borracha
natural, Neopreno, borracha butílica e borracha nitrílica.

Bombas de vácuo

- Não existe nenhuma bomba capaz de bombear a câmara em toda a sua extensão, ou seja, da
pressão atmosférica para o alto vácuo ou ultra alto vácuo.

- Há muitas bombas mas cada qual opera efectivamente entre os níveis de pressão específicos.
- A figura abaixo mostra os níveis de pressão operacional de varias bombas de vácuo.

Para bombear da pressão atmosférica para o alto vácuo, usa-se inicialmente uma bomba de
vácuo primário para a evacuação da câmara até a região de médio vácuo e então,
com a bomba de alto vácuo faz-se o bombeamento até a pressão de alto vácuo.

Basicamente, as bombas de vácuo podem ser


classificadas em duas categorias diferentes:

- bombas de transferência

- bombas de captura.

No primeiro caso, a bomba simplesmente


transfere o gás bombeado de
uma região do sistema de
vácuo para outra. Por
exemplo,
de uma
câmara

Figura 6 – Região de pressão das bombas de vácuo

para um tubo de exaustão que canaliza o gás para fora do ambiente do laboratório. Nas bombas de
captura, as moléculas do gás por elas bombeadas, ficam presas nas próprias bombas.

Dois factores de grande importância em bombas de vácuo:

a) a pressão mais baixa que uma bomba pode alcançar, geralmente chamado de pressão
final

b) a qualidade do vácuo produzido.

Com relação a este último aspecto, algumas bombas de vácuo, como as bombas de difusão,
podem emitir vapores de óleo para o interior do sistema de vácuo, o que para algumas aplicações,
não podem ser tolerado.

A selecção ou escolha da bomba de vácuo a ser usada é definida pelos parâmetros como:
pressão desejada, o intervalo de pressão, a velocidade de bombeamento e a pressão de exaustão.

a) Pressão desejada: pressão mínima na boca da bomba;

b) Intervalo de pressão: é aquele no qual a bomba pode bombear;

c) Velocidade de bombeamento: não e constante, no entanto, é função da pressão;


d) Pressão de exaustão: é a pressão através da qual a bomba pode ser operada, que ocorre
de três formas diferentes:

1) bombeamento a partir da pressão atmosférica, como por exemplo, a bomba


rotatória;

2) bombeamento a partir de pressões bem abaixo da pressão atmosférica, como


por exemplo, a bomba difusora, roots e a turbomolecular;

3) imobilização do gás, por exemplo, a bomba de sorção e a de ionização, que só


podem ser ligadas quando a pressão da câmara estiver muito baixa.

Bomba Rotatória

Trata-se da bomba de vácuo mais usada, quer para fazer vácuo primário em sistemas, quer
como bomba de suporte ("backing") em muitos sistemas de vácuo secundário. Neste caso um rotor
com ranhuras excêntrico move-se no interior de um estator cilíndrico, por acção de motor eléctrico
directamente acoplado a este. Nas ranhuras existem duas (ou três) palhetas deslizantes que estão
em contacto contínuo com as paredes do estator. Deste modo, ar (ou gás) é arrastado para o interior
do estator, comprimido e expelido através de uma válvula de exaustão, que abre por aumento de
pressão. As palhetas e o rotor estão selados através de uma fina película de fluído e o estator está
totalmente imerso no fluído de modo a garantir a transferência do calor liberto para o invólucro do
estator.

Neste caso, o fluido a usar deve ser um óleo mineral ou sintético com uma baixa pressão de
vapor e com boas propriedades lubrificantes. No caso de se bombearem gases altamente corrosivos,
devem-se usar fluidos derivados de perfluoretos e poli éteres (exemplo: flombin), uma vez que são
quimicamente estáveis e resistentes à oxidação.

As bombas rotatórias podem ser de um ou dois estágios. No caso de terem dois estágios a
exaustão do primeiro estágio encontra-se internamente ligada à entrada do segundo estágio. Tal
melhora a pressão final da bomba, uma vez que reduz a fuga por retrodifusão associada ao processo
de movimento e selagens contínuas, entre o rotor e o estator.
Figura 7 – Esquema representativo de uma bomba de um estágio (à esquerda): 1 – entrada, 2 – filtro, 3 – rotor, 4 – mola,
5 – ventoinha, 6 – válvula de compressão de gás, 7 – filtro, 8 – válvula de descarga, 9 – exaustão, 10 – superfície vedante.
Fotografia de uma bomba rotatória (à direita)

Bomba Turbomolecular

A bomba turbomolecular funciona em regime de fluxo molecular. Actualmente, é possível


ter-se bombas que atinjam velocidades superiores às 80 000 mm, com recurso a rolamentos
cerâmicos auto lubrificáveis, ou sistemas de levitação magnética, atingindo-se depressões da ordem
dos 10-10mbar.

De notar que estas bombas mantêm a velocidade de bombeamento virtualmente constante


para depressões entre os 10 -2 mbar e os 10-9 mbar. Contudo, a razão de compressão depende dos
gases a bombear, sendo baixa para gases de baixo peso molecular (cerca de 1000 para o H 2) e
elevada para gases elevado peso molecular (cerca de 10 6 para o N2). Isto é, as maiores velocidades
de bombeamento obtêm-se para gases de maior peso molecular. Para aplicações onde não se possa
ter qualquer tipo de contaminação com óleos retrodifundidos, o vácuo primário dever ser obtido por
recurso a bombas secas, de médio e baixo vácuos. Quando as bombas turbomoleculares são
utilizadas para bombear gases corrosivos ou abrasivos, ou misturas de gases contendo uma elevada
percentagem de O2 (acima de 25%), deve-se sempre utilizar uma purga de N 2.
Figura 8 – esquema em corte de uma bomba turbomolecular

Medidores de pressão

Existem vários medidores, designados por manómetros, para várias regiões capazes de
medir grandes diferenças de pressão, como entre a pressão atingida em vácuo e a pressão
atmosférica. Entre os vários manómetros os mais utilizados em tecnologia de vácuo são o Baratron,
o Pirani e Penning.

Baratron, é um manómetro mecânico agregado a um condensador que se posiciona


conforme a variação de pressão. Este tipo de medidor é utilizado para pressões até 10 ‐4 mbar e o seu
tempo de resposta é muito rápido.

Figura 9 – Exemplo de um maómetro Baratron [3]

Pirani, é um manómetro térmico que se baseia na variação da condutividade térmica do gás


com a pressão, devido ao número de partículas disponíveis ao transporte de calor. É um tipo de
medidor que contém um filamento aquecido pela passagem de corrente. O aumento desta e
consequentemente da resistência providência uma diminuição da pressão.

Figura 10 – Exemplo de um manómetro pirani com o respectivo display de leitura de valores [4]

Penning, é um manómetro de ionização, também conhecido por de cátodo frio e utilizado


para medir pressões entre os 10‐3 e os 10‐7. A ionização é produzida por descarga entre o cátodo a
massa e o ânodo a um potencial constante, e melhorada significativamente, a baixas pressões,
devido à aplicação simultânea de um campo eléctrico e de um campo magnético. Para tal, é feita a
ligação eléctrica de dois cátodos circulares, entre os quais se encontra um ânodo em forma de
agulha, promovendo oscilações nas partículas carregadas e desta forma aumentar o seu percurso.

Figura 11 – Manómetro de alto vácuo penning e respectivo display de leitura de valores [5]

Procedimento Experimental

Material
 Substrato de vidro;
 Porta-substrato;
 Câmara de vácuo;
 Bombas de vácuo: Rotatória; Turbomulecular;
 Medidores de pressão: Baratron; Pirani; Penning;
 Canalizações;
 Válvulas;
 Cronómetro;
 Alvo de Oxido de Zinco dopado com Gálio;
 Reactor;
 Matching Box;
 Gerador de radiofrequência (RF);
 Fita-cola;
 Canhão de electrões;
 Filamento de tungsténio;
 Cadinho;
 Água ultra pura;
 Álcool;
 Acetona;
 N2 (azoto);
 O2 (oxigénio);
 Ar (árgon);
 SiH4 (silano);
 C7H16 (2,2,3-trimetilbutano);
 Gás de erosão SF6 (hexafluoreto de enxofre);
 Al (alumínio).

Vácuo

Vácuo primário
1) Antes de se iniciar o processo verificou-se a posição de todas as válvulas, devendo estar
estas todas fechadas. Desta forma consegue-se garantir o isolamento da câmara de vácuo da
atmosfera exterior.
2) Foi necessário confirmar se a bomba rotatória estava em funcionamento e se o medidor de
pressão Pirani estava ligado também.
3) O processo começou quando se iniciou o bombeamento da câmara, com a abertura da
válvula de vácuo primário.
4) Ao longo do processo foram sendo anotados os valores da variação de pressão no interior da
câmara em função do tempo até estes estabilizarem e atingirem pressões da ordem dos 10 -
3
mbar.

Vácuo secundário
1) Para dar inicio com o vácuo secundário, verificou-se se a bomba turbomolecular se
encontrava em funcionamento. Regulou-se para a velocidade máxima de rotações por
minuto.
2) Ligou-se o medidor de pressão Pennig para obter valores directos.
3) Fechou-se a válvula de duas vias que vai provocar a troca da bomba principal para a bomba
secundária para actuar na câmara.
4) Abriu-se a válvula gaveta de forma a dar início ao vácuo secundário.
5) Anotaram-se os valores da variação de pressão no interior da câmara em função do tempo,
até estes estabilizarem perto dos 10-6mbar.

PECVD

Figura 12 – Esquema do equipamento PECVD

a – Válvulas de agulha do painel de gases


b –Controladores de fluxo de gás
c – Válvulas agulha de passagem de gás para a cruzeta
d – Cruzeta
e – Válvula de admissão de gás da cruzeta para o reactor
f – Reactor rectangular grande (RRG)
g – Válvula de admissão de ar para o reactor
h – Eléctro‐válvula de admissão de ar para a bomba turbomolecular
i – Válvula eléctro‐pneumática para fazer o backing da bomba turbomolecular
j – Bomba rotatória para fazer o backing à bomba turbomolecular
k – Válvula gaveta (eléctro‐pneumática) da tubo para o RRG
l – Bomba turbomolecular
m – Válvula para se fazer vácuo primário no RRG
n – Dry Star, bomba de vácuo primário
o – Medidor de pressão penning
p – Medidor de pressão baratron
q – Painel de controlo

Sputtering

Deposição de películas de óxido de zinco por pulverização catódica

1. Colocou-se o substrato no porta-substratos;

2. Abriram-se as garrafas de gases;

3. Depois de nos certificarmos que a válvula gaveta estava fechada a câmara foi fechada;

4. Para iniciar o vácuo secundário foi necessário fechar a válvula de admissão de ar;

5. Esperou-se que a pressão dentro da câmara atingisse 10−6 mbar;

6. Desde o dia anterior que o sistema se encontrava em vácuo a uma pressão de 2,6 x 10−6mbar;
7. Na aula experimental, abriram-se as válvulas de admissão de Árgon e de Oxigénio, controlando
sempre a pressão no interior da câmara;

8. No Mass Flow Controler (MFC) ajustou-se com o potenciómetro o fluxo dos gases que se deseja;

9. Após a introdução dos gases acima referidos, a pressão no interior da câmara aumentou, sendo
necessário aguardar cerca de 15 minutos para que estabilizasse próximo de 1,8 x 10−3 mbar;

10. Ligar a Matching Box e o gerador de potência RF: ON;

11. Elevou-se a pressão dentro da câmara, de forma a garantir a formação de plasma, baixando-se a
pressão após a sua formação;

12. A deposição durou aproximadamente 35 minutos;

13. No fim da deposição, desligou-se a potência RF: OFF, colocando o potenciómetro “zero”;

14. Fechou-se o gás, passando o interruptor do Árgon no MFC para a posição CLOSE;

15. Abriu-se a válvula gaveta completamente para retirar os gases residuais;

16. Fecharam-se as válvulas de admissão de gases à câmara e a válvula gaveta;

17. Abriu-se a válvula de admissão de ar ao sistema;

18. Retirou-se o substrato e fechou-se a câmara.

Cálculos

Razão de fuga

dp
Q f =V
dt

dp
Onde é o declive da recta da regressão linear.
dt
Figura 13 – Pressão (Torr) Vs tempo (s) para a desgasificação

dp
Q f =V ⇔
dt

V =40 ×25 ×10=10 000 cm3=10 dm 3=10 L

dp
Q f =V =10 ×4,79 ×10−7=4,79× 10−6 torr L s−1
dt

Razão de desgasificação:

dp
Q g=V =10× 1× 10−6 =1× 10−5 sccm
dt
Figura 14 - Log Pressão (Torr) Vs tempo (s) para o bombeamento com a bomba rotatória

t=τ ln ( PP )= VS ×2,3 × log ( PP )⟺


i i

V 7,5 × 102
⇔ S=
t
×2,3 × log (P
⇔ )
t=30 s , P=7,50 ×10−1 torr

10 7,5 ×10 2 l
⇔ S=
30
×2,3 × log (
7,50× 10−1 )
⇔ S=2,30 =8 , 280 m3 / h
s

A velocidade de bombeamento da bomba rotatória é dado pelo declive da regressão linear


realizada, ou seja 0,06207 torr / s .
Figura 15 - - Log Pressão (Torr) Vs tempo (s) para o bombeamento com a bomba turbomolecular

Bibliografia

[1] - Angelo Luiz Gobbi, “ESTUDO DO SILICIO AMORFO HIDROGENADO (a-Si:H) APLICADO A
PRODUCAO DE CELULAS SOLARES”, tese de mestrado, UNICAMP, 1988.

[2] - http://eletronicos.hsw.uol.com.br/led1.htm, consultado em 12/06/10

[3] - http://www.mat-vac.com/systems/images/baratron.jpg

[4] - http://suppliers.jimtrade.com/resize_image.aspx?MaxSize=228&filen=86/85062/111140.jpg

[5] - http://www.mac-co.hit.bg/Pen01.jpg

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