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Articulo
Laboratorios de Electrónica
Laboratorio N ◦2
Álvaro Nicolas Guzman Castañeda1 , Jorge Alejandro Lizcano Ramos2 ,
Ángela Sofı́a Neira Rios3
1 20182005026, 2 20182005116, 3 20182005072
15 de octubre de 2020
& %
' $
Abstract
Context: Transistors helped us to take a giant step forward in technology as they have many important
uses, including amplifying signals, as we will see below, a use that occurs in most of the electronic
objects that we use daily.
Method: Using a simulation tool, which in this case is multisim online, an inverse amplifier circuit will
be designed by means of a transistor and its bode diagram and operation can be analyzed.
Results: Through simulation, it was possible to obtain the Bode diagrams corresponding to the analysis
circuit.
Conclusions: Bode diagrams help us understand the operation of circuits in relation to their voltage
and frequency to make the most of what they can offer us, observing the cutoff frequency and being
able to analyze when a filter starts to amplify.
Keywords:
Bode diagrams, Frequencies, Voltage, inverse amplifier filter, transistor.
Video link: https://youtu.be/3KAc0vTHGFM
Language: Spanish.
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' $
Resumen
Contexto: Los transistores nos ayudaron para dar un paso agigantado en la tecnologı́a pues tienen
muchos usos importantes, entre estos amplificar las señales como lo veremos a continuación un uso que
se da en la mayorı́a de los objetos electrónicos que usamos a diario.
Método: Mediante una herramienta de simulación que en este caso es multisim online se diseñará un
circuito amplificador inverso por medio de un transistor y poder analizar su diagrama de bode y su
funcionamiento.
Resultados: Mediante la simulación se pudo obtener los diagramas de Bode correspondientes a el
circuito de análisis.
Conclusiones: Los diagramas de Bode nos ayudan a entender el funcionamiento de los circuitos
con relación a su voltaje y su frecuencia para aprovechar lo máximo posible lo que nos pueden ofre-
cer,observando la frecuencia de corte y poder analizar cuando un filtro empieza a amplificar.
Palabras clave: Diagramas de Bode, Frecuencias, Voltaje, filtro amplificador inverso, transistor.
Link del video: https://youtu.be/3KAc0vTHGFM
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© The authors; licensee: Revista INGENIERÍA. ISSN 0121-750X, E-ISSN 2344-8393. Cite this paper as:
Guzmán, N., Lizcano, J., Neira, S.: Laboratorios de Electrónica. INGENIERÍA, Vol. XX, Num. XX, 2020 pp:pp.
doi:10.14483/udistrital.jour.reving.2020.X.aXX
2 INGENIER ÍA • VOL . 1 • NO . 2 • ISSN 0121-750 X • E - ISSN 2344-8393 • UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOS É DE CALDAS
Álvaro N. Guzman C. • Jorge A. Lizcano R. • Ángela S. Neira R.
1. Introducción
La base de la electrónica esta en los transistores pues para el funcionamiento de los objetos que
utilizamos( celulares, televisores, etc...) se hace el uso de estos, para poder entender su funcio-
namiento necesitamos conocer sus funciones y saber diseñar y analizar los circuitos donde este
hace parecencia, en el siguiente informe podremos visualizar como actúa un circuito amplificador
inverso activo en el cual el transistor juega el papel mas importante.
2. Marco teórico
Vo
20 log( ) (1)
Vi
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Laboratorios de Electrónica
2.5. Fase
Fase es una medida de la diferencia de tiempo entre dos ondas senoidales. Aunque la fase es
una diferencia verdadera de tiempo, siempre se mide en términos de ángulo, en grados o radianes.
Eso es una normalización del tiempo que requiere un ciclo de la onda sin considerar su verdadero
periodo de tiempo.
La diferencia en fase entre dos formas de onda se llama a veces el desplazamiento de fase. Un
desplazamiento de fase de 360 grados es un retraso de un ciclo o de un periodo de la onda, lo que
realmente no es ningún desplazamiento. Un desplazamiento de 90 grados es un desplazamiento
de 1/4 del periodo de la onda etc. El desplazamiento de fase puede ser considerado positivo o
negativo;eso quiere decir que una forma de onda puede ser retrasada relativa a otra o una forma de
onda puede ser avanzada relativa a otra. Esos fenómenos se llaman atraso de fase y avance de fase
respectivamente [1]. Para ello el ángulo de fase lo calcuları́amos con la siguiente expresión:
R
θ = tan−1 ( ) (3)
Xc
donde Xc es la reactancia capacitiva del circuito que se calcula como:
1
Xc = ≈R (4)
2πfc C
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2.6. Transistores
Los transistores son una extensión del diodo semiconductor, los transistores de unión están cons-
truidos con capas P y N, los tres puntos de contacto se denominan emisor, base y colector. Un
transistor formado por tres elementos, se conecta en un circuito de tres formas diferentes: Emi-
sor común (aterrizado), Base común (aterrizada), Colector común (aterrizado), cada uno de estos
circuitos tiene determinadas propiedades. La configuración de Emisor común es el más utilizado,
permite obtener ganancia en voltaje, corriente y potencia.En el caso del circuito de base común,la
corriente del colector se controla con variaciones de la corriente del emisor.En la configuración de
colector común, este se encuentra a una potencial de DC (Vcc), la impedancia del circuito es cero y
en el colector no se desarrolla señal de voltaje.El Colector funciona como referencia común para la
señal de entrada y salida.Los transistores se diseñan con caracterı́sticas especı́ficas para responder
a ciertas necesidades de aplicación. Los fabricantes proporcionan hojas de especificaciones y los
datos se presentan en forma de tablas y de gráficas.
3. Desarrollo Teórico
23V
RC
RB1
C
C
RE1
2kΩ
1Vp RB2
RE2 C
Figura 2: Diseño de amplificador emisor común con polarización por polarización de voltaje
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re RE1
Calculando RE1
RC || RL
|Av | =
re + RE1
RC || RL
RE1 = − re
|Av |
1K || 1,8K
RE1 = − 5,7Ω
|15|
RE1 = 37,15Ω
RE1 = 39Ω
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Calculando IB
IC
IB = = 45µA
β
calculo de I2
I2 IB
I2 = 10IB = 10 ∗ 45µA = 450µA
I : 1 = 11IB = 11 ∗ 45µA = 495µA
calculo de VCE
calculo de R1
VB1 9,3V
R1 = =
I1 495µA
R1 = 18KΩ
calculando R2 obtenemos
R2 = 27KΩ
calculo de VR2
Calculo de Vcc
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calculo de RE2
VE 11,45V
RE = = = 2,54KΩ
IE 4,5mA
RE2 = RE − RE1 = 2,54K − 39
RE2 = 2,5KΩ
RE2 = 2,2KΩ
10
CB ≥
2π · f · Z
10
CB ≥
2π · 50 · 3,18K
CB = 10µF
20
CC ≥
2π · f · RL || RC
20
CC ≥
2π · 50 · 1,8K || 1K
CC = 99µF
1
CE ≥
2π · f · (RE1 + re )
1
CE ≥
2π · 50 · (5,7 + 39)
CE = 71µF
Vo (s)
T (S) = (5)
Vi (s)
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VX
RC1 = = rs + RB llrpi (6)
IX
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VX
RC2 = = RC + RL (7)
IX
Se repite el mismo proceso para la resistencia que ve CE
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‘ Para determinar la influencia de los cero se evalúan los ceros en C1 y C2 en los cuales se
introduce un cero a la frecuencia, es decir los ceros están alejados del polo dominante, también se
determinan los ceros en CE obteniendo
AH gm (Rc //RL )
T (s) = = Rc //RL
(8)
AL 1
gm
+RE
Se conoce que
RC = 1KΩ
RL = 2KΩ
RE = 5, 7Ω
IC 4, 5x10− 3
gm = = = 173mS (9)
VT 0,026
0,00173S
T (S) = (10)
0,00173S + 5,7
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4. Desarrollo Práctico
Figura 3: Circuito utilizado para el filtro amplificador inverso con el voltaje de salida aproximada-
mente 15 veces mayor que el de entrada
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Frecuencia Vsalida
1 0.236
2 0.596
5 1.4502
10 2.2589
20 2.7767
50 2.9958
100 3.0374
200 3.0428
400 3.0453
800 3.0407
1600 3.0403
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5. Análisis de Resultados
Gracias a los efectos del bjt y su polarización podemos ver la señal amplificada pero se observa
un desfase de 180° además de ver como para frecuencias por encima de los 50 Hz tiende a ver
un comportamiento donde tiende a un valor determinado aproximadamente 3dB, además se logró
comprobar que lo brindado por el barrido automático de frecuencias dado por multisim online
concuerda de manera muy aproximada a la obtenida de manera manual.
6. Conclusiones
1. Al realizar las mediciones para determinar la ganancia generada por el transistor cuando se
trabaja una frecuencia de corte baja se logró comprobar que los condensadores de acople
interfieren en esta medida.
3. Los diagramas de Bode son una aplicación que permite representar la magnitud y la fase de
la función de transferencia, en la frecuencia de corte planteada obtenemos 3db lo que nos
indica que la función de transferencia obtenida es acorde al circuito manejado .
Referencias
[1] azimadli. El concepto de fase, 2020.
[2] Wikipedia. Decibelio, 2020.
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