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UNIVERSIDADE FEDERAL DE LAVRAS

ENGENHARIA DE CONTROLE E AUTOMAÇÃO

TRANSISTORES BIPOLARES

Breno Cauê Saturnino Carlos e Casais


Cristian Matheus Soares

Lavras

2020
UNIVERSIDADE FEDERAL DE LAVRAS
ENGENHARIA DE CONTROLE E AUTOMAÇÃO

TRANSISTORES BIPOLARES

Breno Cauê Saturnino Carlos e Casais


Cristian Matheus Soares

Este trabalho tem como finalidade o es-


tudo dos Transistores Bipolares

Lavras

2020
SUMÁRIO

1 INTRODUÇÃO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

2 OBJETIVOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.1 Objtivos Específicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

3 FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
3.1 Transistores de junção bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
3.2 Transistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
3.2.1 Nivel de dopagem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
3.2.2 Equações . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

4 METODOLOGIA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

5 ANÁLISES E RESULTADOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
5.1 Realização do primeiro circuito . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
5.2 Realização do segundo circuito . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
5.3 Realização do terceiro circuito . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
5.4 Questão 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
5.5 Questão 5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

6 CONCLUSÕES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
3

1 INTRODUÇÃO

Os transistores são componentes elétricos muito utilizados, geralmente são


criados com silícios ou germânio. Sua função é intensificar a intensidade da corrente
elétrica em um circuito. Sua utilização tem como base os chips de computadores e
smartphones.
4

2 OBJETIVOS

2.1 Objtivos Específicos


O Objetivo do presente trabalho é realizar um estudo sobre o funcionamento
Transistores Bipolares, e logo em seguida realizar testes com circuitos.
5

3 FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA

3.1 Transistores de junção bipolar


Os trasistores de junção bipolar foi inventado no ano de 191, por William
Schockley, com o objetivo de desenvolver um disposto que conseguisse amplificar o
sinal eletrônico como um sinal de radio oi de televisão.Com a invenção dos transis-
tores, inúmeras invenoes foi criadas, como por exemplo, os circuitos integrados, os
computadores.

O transistor conte em seu interior três regiões dopadas, a parte inferior é


conhecida como emissor, a central é conhecida como base e a parte superior adente-se
pelo nome de coletor. Para que o equipamento tenha um funcionamento real é
necessário que a base seja mais estreita do que as outras duas regiões.

Circuito com transistor NPN


Capítulo 3. Fundamentação Teórica 6

3.2 Transistores
3.2.1 Nivel de dopagem
A criação do transistor é realizada utilizando uma forte dopagem na regia
do emissor, já a região do da base é necessária ser menos dopadas do que a região do
emissor, tanto do coletor, para que os elétrons possam fluir do emissor para o coletor.

Para encontrarmos a corrente com um circuito com diodo utilizaremos a


formula :
U − UD
I= (3.1)
R

e para encontrarmos a Tensão utilizaremos:

U =R·I (3.2)

I = Corrente.

U = Tensão.

UD = T ensãonoDiodo

R = Resistência.

3.2.2 Equações
As equações basicas dos transistores são:

Ie = Ib + Ic [1] β = IIc [2]


b
Capítulo 3. Fundamentação Teórica 7

Sendo:
Ie a corrente do emissor;
Ic é corrente de coletor;
Ib é a corrente de base.
βé fator de amplificação de corrente.

Outras fórmulas utilizadas:

VB E = VB − VE [3] VA = VRB − VB E [4] VB = VRC − VC E [5]

Sendo:
VB E a tensão entre a base e o emissor.
VB a tensão na base.
VE a tensão no emissor.
VA a tensão de entrada na base.
VA a tensão de entrada na base.
VRB a tensão no resistor base.
VB a tensão na malha do coletor.
VRC a tensão no resistor coletor.
VC E a tensão entre o coletor e o emissor.
8

4 METODOLOGIA

A partir dos dados evidenciados acima e encontrados no experimento, foram


utilizados como primórdio para esse traballho, além das fórmulas ja citadas para
os cálculos subsequentes, o software "LTspice XVII", onde a partir deste tornau-se
possível a plotagem da corrente, tensão e a potencia dissipada para cada bico, criado
para atender a demanda deste trabalho.

Link para Download:

"https://www.analog.com/en/design-center/design-tools-and-calculators/ltspice-
simulator.html"

booktabs caption
9

5 ANÁLISES E RESULTADOS

5.1 Realização do primeiro circuito


Foi relizada uma Simulação contendo uma fonte de tensão continua de 5V e
outra de 12V,seis resistores de (6k 5k 10k, 5k, 4k e de 100k)e um diodo NPN.

Para realizar o primeiro circuitos foram utilizadas 5 resistores diferentes para


poder ir variando a corrente de base.

R2
100R V2
R1
Q1
NPN 12
6kR
V1

5
.tran 0.01
--- C:\Users\Breno\Desktop\ufla\eletronica\relatorios\Nova pasta\Draft6.asc ---

Circuito com transistor NPN


Capítulo 5. Análises e Resultados 10

Os valores obtidos estao contidos na tabela 1.

Tabela 1
ib ic ie B Vce VB
2,75E-04 2,75E-02 2,78E-02 100 9,24 4,13
4,12E-04 4,12E-02 4,16E-02 100 7,87 4,12
8,22E-04 8,22E-02 8,30E-02 100 3,77 4,11
1,00E-03 1,02E-01 1,03E-01 102 1,73 4,1

Realizando as operações matematicamente foi possível obter um valor de


100

5.2 Realização do segundo circuito


O segundo circuito foi utilizando a base do primeiro entretando variando
somente a fonte de tensão.O circuito esta representado na figura abaixo.

R2
100R V2
R1
Q1
NPN 12
6kR
V1

5
.tran 0.01
--- C:\Users\Breno\Desktop\ufla\eletronica\relatorios\Nova pasta\Draft6.asc ---

Circuito do esquema 2
Capítulo 5. Análises e Resultados 11

Os valores que foram alterados na fonte de tensão foram(1v, 3V, 5V, 7V).Os
resultados obtidos estão contidos na tabela 2.

Tabela 2
ib ic ie B Vce VB
3,25E-05 3,25E-03 3,28E-03 100 11,67 1,95E-01
3,56E-04 3,56E-02 3,59E-02 100 8,44 2,13
6,86E-05 6,86E-03 6,93E-03 100 5,14 4,11
1,01E-03 1,01E-01 1,02E-01 100 1,82 6,1

5.3 Realização do terceiro circuito


O terceiro circuito, foi realizado utilizando o transistor 2n3904, dois resistores
de 30K e 50 respectivamente,e duas fontes de tensões 5V e 12V. Como mostra na
figura abaixo.

R2

50R

V2
R1
Q1
2N3904 12
30kR
V1

5
.tran 0.01
--- C:\Users\Breno\Desktop\ufla\eletronica\relatorios\Nova pasta\Draft6.asc ---

Circuito com XXXX


Capítulo 5. Análises e Resultados 12

Foi possivel obter os valores das correntes de base e a corrente do emissor,e


com isto calcular o B.
I(R1) I(R2)
44mA

40mA

36mA

32mA

28mA

24mA

20mA

16mA

12mA

8mA

4mA

0mA

-4mA
0ms 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms 6ms 7ms 8ms 9ms 10ms
--- C:\Users\Breno\Desktop\ufla\eletronica\relatorios\Nova pasta\Draft6.raw ---

Corrente de base e corrente do emissor

Com a simulação foi obtido um valor de 141.36 µA na corrente de base e 42


mA na corrente do emissor.Com estes valores conseguimos obter um valor de 298,52
para o beta.

5.4 Questão 4
.

Circuito com transistor de 2N222


Capítulo 5. Análises e Resultados 13

Neste experimento, foi utilizado um transistor de modelo 2N222, um resistor


para a base de 30k ohms do transistor bipolar e um resistor para o coletor de 50ohms,
uma fonte de tensão para a base de 5v e o outra para a malha do coletor de 12v.
Através dos valores encontrados de Ic e Ib, fazendo o uso da Fórmula:

β= Ic
Ib
= 23.63mA
141.70

foi encontrado um valor de:

β = 202.04

Grafico do circuito
Capítulo 5. Análises e Resultados 14

Grafico do circuito

5.5 Questão 5
Para os transistores 2N3904 e 2N2222 os valores obtidos encontraram-se
dentro dos limites estabelecidos no datasheet (100 a 300), a varia¸c ao observada entre
os valores pode ser explicada por conta de caracter´ısticas inerentes aos transistores,
modificando assim os valores de /beta obtidos
15

6 CONCLUSÕES

Foi possível observar no primeiro experimento que a partir da variação da


resistência de base, houve um aumento na corrente do coletor, e por consequência
uma diminuição na tensão entre o coletor e emissor.

No segundo experimento foi possível perceber, que a partir do momento em


que se mantem fixas as resistências, e alterava a voltagem da base, a voltagem entre
o coletor e o emissor diminuíam cada vez mais, e a voltagem da base aumentava.

Com a utilização do transistor 2N3904 conseguimos encontrar o valor do


beta igual a 298,52 bem próximo do valor real que é de 300.

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