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Trabalho 1 – Introdução a Dispositivos Eletrônicos

Aluno: Matheus Mazzarino


Matrícula: 17111115-6

a)

b)
Circuito 1
Supondo que todos diodos estejam conduzindo, calculamos a tensão no nó central por superposição

100Ω||100Ω 50Ω
𝑉1𝑎 = 4𝑉 ∗ = 4𝑉 ∗
(100Ω||100Ω) + 1000Ω 1050Ω

→ 𝑉1𝑎 = 0,19𝑉

1000Ω||100Ω 90,9Ω
𝑉1𝑏 = (−3𝑉 + 0,7𝑉) ∗ = −2,3𝑉 ∗
(1000Ω||100Ω) + 100Ω 190,9Ω

→ 𝑉1𝑏 = −1,09𝑉

1000Ω||100Ω 90,9Ω
𝑉1𝑐 = (1𝑉 + 0,7𝑉) ∗ = 1,7𝑉 ∗
(1000Ω||100Ω) + 100Ω 190,9Ω

→ 𝑉1𝑐 = 0,81𝑉

𝑉1 = 𝑉1𝑎 + 𝑉1𝑏 + 𝑉1𝑐 → 𝑉1 = −0,1𝑉

Percebemos por 𝑉1 que o diodo D1 não está conduzindo, logo a corrente 𝑰𝟑 = 𝟎𝑨 e 𝐼1 = 𝐼2 =


(4𝑉−0,7𝑉−(−3𝑉))
→ 𝑰𝟏 = 𝑰𝟐 = 𝟎, 𝟎𝟎𝟓𝟕𝟑𝑨
100Ω+1000Ω

𝑉1 = 4𝑉 − (1000Ω ∗ 0,00573𝐴) → 𝑽𝟏 = −𝟏, 𝟕𝟑𝑽

Circuito 2
Supondo que os 3 diodos estejam conduzindo, então 𝑽𝟐 = −𝟎, 𝟕𝑽, sendo assim

−0,7𝑉 − 0,7𝑉 − (−4𝑉)


𝐼5 = → 𝑰𝟓 = 𝟎, 𝟎𝟐𝟔𝑨
100Ω
−0,7𝑉 − 0,7𝑉 − (−2𝑉)
𝐼6 = → 𝑰𝟔 = 𝟎, 𝟎𝟎𝟔𝑨
100Ω
Sendo 𝐼4 = 𝐼5 + 𝐼6 , 𝑒𝑛𝑡ã𝑜 𝑰𝟒 = 𝟎, 𝟎𝟑𝟐𝑨
Circuito 1
Pela malha base-emissor temos

4𝑉 − (10𝑘Ω ∗ 𝐼𝐵 ) − 0,7𝑉 − (470Ω ∗ 𝐼𝐸 ) − 2𝑉 = 0


𝐼𝐸
Considerando 𝐼𝐵 ≅ obtemos
1+ℎ𝑓𝑒

10𝑘Ω 4𝑉−0,7𝑉−2𝑉 𝟏,𝟑𝑽


4𝑉 − 𝐼𝐸 ( + 470Ω) − 0,7𝑉 − 2𝑉 = 0 → 𝐼𝐸 = → 𝑰𝑬 = = 𝟎, 𝟎𝟎𝟐𝟔𝟐𝟔𝑨
1+ℎ𝑓𝑒 10𝑘Ω 𝟒𝟗𝟓
( +470Ω)
1+ℎ𝑓𝑒

E 𝑉𝐸 = 2𝑉 + (470Ω ∗ 0,002626𝐴) → 𝑽𝑬 = 𝟑, 𝟐𝟑𝑽

Se o transistor estiver na região linear, então 𝑰𝑩 ≅ 𝑰𝑬 ≅ 𝟎, 𝟎𝟎𝟐𝟔𝟐𝟔𝑨 e, nesse caso,


𝑉𝐶 = 14𝑉 − (2700Ω ∗ 0,002626𝐴) → 𝑽𝑪 = 𝟔, 𝟗𝟏𝑽 e 𝑉𝐶𝐸 = 6,91𝑉 − 3,23𝑉
→ 𝑽𝑪𝑬 = 𝟑, 𝟔𝟖𝑽 > 0,7𝑉 → 𝒓𝒆𝒈𝒊ã𝒐 𝒍𝒊𝒆𝒏𝒂𝒓
𝐼
𝐼𝐵 = 1+ℎ𝐸 → 𝑰𝑩 = 𝟎, 𝟎𝟎𝟎𝟎𝟎𝟔𝟓𝟔𝟓𝑨
𝑓𝑒

Circuito 2
−1,4𝑉−(−5𝑉)
𝑰𝑩 = 𝟎𝑽, logo 𝑽𝑬 = −𝟏, 𝟒𝑽 e 𝐼𝐸 = → 𝑰𝑬 = 𝟎, 𝟎𝟎𝟕𝟔𝟔𝑨
470Ω

Se na região linear, 𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶 ≅ 0,00766𝐴


𝑉𝐶 = 14𝑉 − (2200Ω ∗ 0,00766𝐴) → 𝑉𝐶 = −2,85𝑉 e então
𝑉𝐶𝐸 = −2,85𝑉 − (−1,4𝑉) → 𝑉𝐶𝐸 = −1,45𝑉 → 𝑖𝑚𝑝𝑜𝑠𝑠í𝑣𝑒𝑙 → 𝒔𝒂𝒕𝒖𝒓𝒂𝒅𝒐!
14𝑉−0,9𝑉
Sendo assim, então 𝑽𝑪𝑬 = 𝟎, 𝟗𝑽 e 𝐼𝐶 = → 𝑰𝑪 = 𝟎, 𝟎𝟎𝟓𝟗𝟓𝑨
2200Ω
𝐼
E 𝐼𝐵 = 𝐼𝐸 − 𝐼𝐶 → 𝑰𝑩 = 𝟎, 𝟎𝟎𝟏𝟕𝟏𝑨 e ℎ𝑓𝑒 = 𝐼 𝐶 → 𝒉𝒇𝒆 = 𝟑, 𝟒𝟕𝟗
𝐵