Acadêmico:

Disciplina: Eletrônica Analógica I (EEA123)

Avaliação: Avaliação I - Individual ( Cod.:670680) ( peso.:1,50)
Prova: 30166681
Nota da Prova: 9,00
Legenda: Resposta Certa Sua Resposta Errada
1. Os diodos Zener tem esse nome em homenagem ao físico americano Clarence
Melvin Zener (1905-1993), que foi o primeiro a descrever o mecanismo de ruptura
de isoladores elétricos. Os diodos Zener são um tipo de diodo que, diferentemente da
maioria das aplicações nas quais os diodos operam na região de condução, o diodo
Zener opera sempre polarizado reversamente. Com base no exposto, assinale a
alternativa CORRETA:
a) A partir do momento que a tensão de ruptura do componente é atingida, a tensão
fica constante, de forma que ele funciona como uma fonte não linear de corrente.
É claro que, se a tensão crescer demais, o diodo zener também vai abrir e se
comportar como um circuito aberto.
b) A partir do momento que a tensão de ruptura do componente é atingida, a tensão
fica constante, de forma que ele funciona como um regulador de tensão. É claro
que, se a tensão crescer demais, o diodo zener também vai queimar e entrar em
curto.
c) A partir do momento que a tensão de ruptura do componente é atingida, a tensão
fica constante, de forma que ele funciona como um regulador de tensão. É claro
que, se a tensão crescer demais, o diodo zener também vai abrir e se comportar
como um circuito aberto.
d) A partir do momento que a tensão de ruptura do componente é atingida, a tensão
fica constante, de forma que ele funciona como um tiristor. É claro que, se a
tensão crescer demais, o diodo zener também vai queimar e entrar em curto.

2. Quando falamos de eletrônica, estamos falando de uma grande área que abrange
sistemas de comunicação, sistemas analógicos e digitais, instrumentação e controle,
cada uma com suas específicas aplicações. No entanto, uma parte do que se tem hoje
na eletrônica é proveniente da descoberta e aplicação dos materiais semicondutores,
onde pode ser notada a inserção contínua de novos componentes ao mercado,
facilitando e simplificando o projeto e a obtenção de novos aparelhos. Com base no
exposto, assinale a alternativa CORRETA:
a) Materiais condutores possuem alta resistividade, e deste modo uma pequena
quantidade de elétrons livres, fazendo com que para que a corrente elétrica o
percorra é necessário aplicar uma grande diferença de potencial.
b) Materiais isolantes possuem alta resistividade, e deste modo uma pequena
quantidade de elétrons livres, fazendo com que para que a corrente elétrica o
percorra é necessário aplicar uma grande diferença de potencial.
c) Materiais supercondutores possuem alta resistividade, e deste modo uma pequena
quantidade de elétrons livres, fazendo com que para que a corrente elétrica o
percorra é necessário aplicar uma grande diferença de potencial.
d) Materiais semicondutores possuem alta resistividade, e deste modo uma pequena
quantidade de elétrons livres, fazendo com que para que a corrente elétrica o
 percorra é necessário aplicar uma grande diferença de potencial.

3. O diodo é formado por uma junção entre um cristal tipo P (lado positivo - também
chamado de ânodo) e outro tipo N (lado negativo - também chamado de cátodo).
Dentro desses cristais, compostos por silício (mais comum) ou germânio serão
inseridas impurezas (prática chamada de dopagem), que nada mais são do que
átomos de boro. A escolha por este elemento decorre do fato de que por ele ser
impuro, um trivalente, no lado P sempre irá haver uma lacuna, ou seja, ficará
faltando 1 elétron para completar 8 e estabilizar o semicondutor. Já no lado N ocorre
o inverso: Preenchido com silício (ou germânio) e com fósforo, esse cristal irá
sempre ter 1 elétron a mais, já que o fósforo possui 5 elétrons na última camada,
restando 1 elétron após a ligação covalente. Com base nesse contexto, classifique V
para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

( ) Um diodo que está conduzindo está inversamente polarizado.

( ) Um diodo com polarização direta possui uma corrente muito maior que se
tivesse com polarização reversa.
( ) A tensão de joelho de um diodo é aproximadamente igual à barreira de
potencial.
( ) O diodo é um dispositivo linear.

Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:

a) V - V - F - F.
b) V - F - V - F.
c) F - V - V - F.
d) F - V - F - V.

4. Na polaridade P, a positiva, chamada anodo, geralmente composta pelo elemento

índio e a polaridade N, negativa, chamada catodo. Com essa diferença em cada polo,
o fenômeno de polarização acontece de acordo com o sentido da corrente. Por isso a
aplicação do diodo é tão comum. Ele pode agir como um retificador de tensão,
transformando a corrente alternada (AC) em corrente contínua (DC) em uma única
direção. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F
para as falsas:

( ) O diodo de silício real em polarização direta possui, no máximo, uma queda de

tensão de 1 V.
( ) É possível notar que sua corrente é medida em miliampères e possui uma subida
rápida após o seu "joelho".
( ) A equação de Chutney pode ser utilizada para definir as características do diodo
semicondutor nas regiões de polarização reversa e direta.
( ) O valor da corrente de saturação reversa que aparece na equação de Chutney
costuma ser mensuravelmente menor que a real de um diodo comercial devido a
diversos fatores dentre os quais é possível destacar a corrente de fuga, a geração de
portadores na região de depleção, sensibilidade à temperatura etc.

Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:

a) V - V - F - F.
 b) F - V - F - V.
c) F - V - V - F.
d) V - F - V - F.

5. O diodo semicondutor é um elemento ou componente eletrônico composto de um

cristal semicondutor de silício ou germânio numa película cristalina cujas faces
opostas são dopadas por diferentes materiais durante sua formação, o que causa a
polarização de cada uma das extremidades. Com base nesse contexto, classifique V
para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:

( ) Podemos estabelecer uma regra para a barreira de potencial de um diodo de

silício, onde a mesma diminui 2 milivolts para cada aumento de 1
°C.
( ) O diodo em polarização reversa apresenta um aumento na barreira potencial
(região de depleção), do ponto de vista de energia, quão maior é a temperatura de
junção, maior será a corrente de saturação reversa, sendo uma aproximação útil é "Is
dobrar a cada aumento de 10 °C", se a variação de temperatura for menor que 10 °C
é deve-se usar que a variação da corrente de saturação é de 7% para cada °C de
aumento.
( ) O silício não é o único material semicondutor de base, também possui grande
relevância o Germânio (Ge) e o Arseneto de Gálio (GaAs).
( ) O silício é o único material semicondutor de base, também possui grande
relevância o Germânio (Ge) e o Arseneto de Gálio (GaAs).

Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:

a) F - V - V - F.
b) F - V - F - V.
c) V - F - V - F.
d) V - V - V - F.

6. Semicondutores são materiais com condutividade elétrica intermediária, ficando

entre os condutores e os isolantes. Eles conseguem mudar sua condução elétrica com
facilidade, mas não são capazes de guiar a corrente elétrica em condições normais.
Para que os materiais semicondutores possam conduzir corrente elétrica, é necessário
que seus átomos se agrupem para ganhar estabilidade. Isso ocorre quando há ligações
químicas covalentes nas quais os átomos passam a ter oito elétrons e se tornam
condutores de eletricidade. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:

I- Materiais com características intermediárias são chamados de semicondutores, um

exemplo típico é o carbono (C) que dependendo da forma que se liga pode ser tornar
um material isolante como um material condutor.
II- Sabemos que o diamante é formado pelo arranjo de átomos de carbono na forma
cristalina, possuindo grande dureza e se trata de um material isolante.
III- Já o grafite, formado pelo arranjo de átomos de carbono no formato triangular é
um isolante.

Assinale a alternativa CORRETA:

a) Somente a sentença III está correta.
 b) As sentenças I e III estão corretas.
c) As sentenças II e III estão corretas.
d) As sentenças I e II estão corretas.

7. O diodo "ligado" ou com polarização direta ocorre quando se aplica uma diferença
de potencial entre os terminais do diodo de modo que o terminal positivo esteja
conectado ao material semicondutor do tipo p e o terminal negativo esteja conectado
ao material semicondutor do tipo n. Com base nesse contexto, classifique V para as
sentenças verdadeiras e F para as falsas:

( ) O fluxo dos portadores minoritários resultante (elétrons do material

semicondutor do tipo p para o material semicondutor do tipo n e de lacunas do
material semicondutor do tipo n para o material semicondutor do tipo p) não foi
alterado em magnitude (uma vez que o controle da condução ocorre, principalmente,
devido ao pequeno número de impurezas adicionadas ao material).
( ) A redução da região de depleção resulta em um grande fluxo de portadores
majoritários através da junção, de modo que, os elétrons do material semicondutor
do tipo n recebe uma enorme atração com o potencial positivo aplicado no material
semicondutor do tipo p cada vez maior à medida que a camada de depleção diminui
com o aumento da diferença de potencial aplicada aos terminais.
( ) Percebemos que aplicando a polarização reversa nos terminais do diodo
semicondutor, as lacunas no material semicondutor do tipo p e os elétrons livres no
material semicondutor do tipo n e se recombinarem com os íons próximos à fronteira
dos dois materiais diminuindo a região de depleção.
( ) O diodo de manganês real em polarização direta possui, no máximo, uma queda
de tensão de 1 V.

Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:

a) F - V - V - F.
b) V - F - V - F.
c) V - V - F - F.
d) F - V - F - V.

8. O diodo é um componente eletrônico que permite a passagem de corrente elétrica

somente em um sentido, de acordo com a sua polarização. A polarização pode ser de
dois tipos: direta ou inversa. A polarização direta consiste em colocar um potencial
maior no ânodo que no cátodo. Uma polarização inversa se consegue conectando o
terminal do ânodo em um potencial negativo e o do cátodo em um potencial positivo.
Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as
falsas:

( ) Algo importante a ser lembrado é que é possível exceder a tensão de ruptura do

diodo sem que obrigatoriamente o danifique, de modo que enquanto o produto da
corrente reversa pela potência reversa não for maior que a faixa de potência do
diodo.
( ) Chamamos de tensão de pico ou tensão de pico reversa o potencial máximo de
polarização reversa que pode ser aplicado ao diodo antes de ingressar na região de
saturação.
 ( ) Sabemos que a temperatura ambiente e a temperatura de junção do diodo
quando o mesmo está conduzindo (polarizado diretamente) são diferentes, sendo a
temperatura interna superior devido ao calor gerado pela recombinação.
( ) Podemos perceber que à medida que a temperatura aumentar, ocorrerá um
aumento no número de elétrons livres e lacunas nas regiões dopadas diminuindo a
barreira de potencial na junção.

Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:

a) V - F - V - V.
b) F - V - V - F.
c) F - V - F - V.
d) V - V - F - F.

9. Ao ocorrer a união dos dois materiais existe uma combinação entre os elétrons livres
e as lacunas da região de junção, ou seja, alguns elétrons livres pertencentes ao
semicondutor do tipo n atravessam a região de junção e preenchem algumas das
lacunas pertencentes ao semicondutor do tipo p. Como resultado desta transição de
cargas há o surgimento de uma região chamada de camada de depleção, onde se pode
notar os círculos cinza que representam os as lacunas que foram preenchidas com os
elétrons livres que deixam de estar disponíveis para serem portadores de corrente.
Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:

I- Se ligarmos terminais às extremidades de cada material, isso resultará em um

dispositivo com dois terminais, onde se torna possível três opções: sem polarização,
polarização direta e polarização reversa.
II- A região em torno da junção dos materiais n e p (camada de depleção) é uma
região escassa de portadores livres.
III- Quando falamos em polarização, nos referimos à aplicação de uma tensão
externa aos terminais com o objetivo de extrair uma resposta.

Assinale a alternativa CORRETA:

a) As sentenças I, II e III estão corretas.
b) Somente a sentença III está correta.
c) Somente a sentença I está correta.
d) Somente a sentença II está correta.

10.O diodo é fabricado com silício ou germânio com uma junção de duas partes
dopadas de formas diferentes. Dessa forma, cada uma dessas duas regiões terá
características um pouco diferentes. Quando o diodo está inversamente polarizado,
ele se comporta como uma oposição à passagem de corrente. Assim, ele pode ser
utilizado para evitar correntes reversas em circuitos eletrônicos. Com base nesse
contexto, analise as sentenças a seguir:

I- Ao dopar o material de modo que contenha as duas características aparecerá uma

região de junção na borda onde os materiais semicondutores do tipo p e n se
encontram.
II- Entende-se por diodo a concentração de dois quadripolos.
III- Um outro nome dado a junção pn é diodo de junção.
Assinale a alternativa CORRETA:
a) As sentenças I e III estão corretas.
b) Somente a sentença II está correta.
c) As sentenças II e III estão corretas.
d) As sentenças I e II estão corretas.