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AULA Nº 7

ELETRÔNICA APLICADA

O Transistor FET operando como Chave

Prof. Seabra
PSI/EPUSP
7ª Aula:
O Transistor FET operando como chave

Nas aulas anteriores vimos:


- O Diodo e o Transistor Bipolar de Junção (TBJ)
- Os princípios de operação do Transistor de Efeito de
Campo (FET) e sua polarização

Agora veremos como polarizar o FET para ele funcionar


como uma chave eletrônica
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Leis do Transistor MOSFET canal n

MOSFET canal n

ID

VGS4
VGS3
VDS = VGS − Vt
VGS2
VGS1
0 VDS
VGS< Vt → ID = 0
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O Transistor FET operando como chave

Portanto, quando o MOSFET opera como chave temos


duas condições: ou ID = 0 (chave aberta) ou VDS=0 (chave
fechada)
- ID = 0 quando o MOSFET está no corte
- VDS  0V quando o MOSFET está na região triodo linear
corte chave aberta triodo linear chave fechada
D D D 1
G G rDS =
G W
kn (VGS − Vt )
VGS  Vt VGS  Vt L
S S VDS  100mV S
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O MOSFET como chave fechada

Aula Passada: Ex. 2: MOSFET com Vt = 1V


I D = 1mA
11,95k •IG sempre = 0!!! •VG = VGS = 6V!
•VGS > Vt conduz! Triodo ou saturação? •VDS VGS–Vt?
IG = 0
VDS = 12 – 11,95k.1mA = 0,05V VGS – Vt = 6 – 1 = 5V
•VDS <VGS–Vt !! •MOSFET operando na triodo!
VGS •Se VDS < 100mV linear; se VDS > 100mV parabólica
•Como VDS = 50mV MOSFET operando na região linear
•E podemos calcular a resistência entre Dreno e Fonte como:
VDS/ID = RDS= 50m/1m = 50W
D
G

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S
PSI/EPUSP
O MOSFET como chave aberta
Se curto-circuitarmos a entrada:
I D = 1mA
11,95k •VGS = 0V! •IG sempre = 0!!!
IG = 0 •VGS < Vt não conduz! Corte! •ID = 0
VD = VDS = 12 – 11,95k.0mA = 12V

0v VGS

Note que nesse circuito, tanto com Vin = 6V quanto com Vin = 0V,
não precisamos do resistor RG
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O MOSFET como chave aberta

Mesmo circuito sem RG: Simplificado:

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O MOSFET empregado em Portas Lógicas
Qual a Função Lógica executada pelo circuito abaixo?
Vi1 = “0” Vi1 = “1” Vi1 = “0” Vi1 = “1”
5V = “1” lógico Vi2 = “0” 1 Vi2 = “0”
1 Vi2 = “1”
1 Vi2 = “1”
0
0V = “0” lógico

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O MOSFET empregado em Portas Lógicas
Qual a Função Lógica executada pelo circuito abaixo?

5V = “1” lógico
0V = “0” lógico

p
VO VO
0 1 1 0
n

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O Efeito da Capacitância Interna do Transistor FET
corte chave aberta triodo linear chave fechada
D D D 1
G G rDS =
G W
kn (VGS − Vt )
VGS  Vt CGS VGS  Vt CGS L
S S VDS  100mV S
Inversor Lógico Inversor Lógico

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O Efeito da Capacitância Interna do Transistor FET
Inversor Lógico Inversor Lógico Circuito Equivalente

1
Vi Vo
0
0
t t

=0,69RDSPCGS
ts=0,69.50.1nF
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PSI/EPUSP =50ns
7ª Aula:
O Transistor FET operando como chave

Nesta aula você se tornou apto a:

- Analisar circuitos lógicos digitais empregando transistores FET


- Explicar a origem de atrasos de resposta em circuitos lógicos
digitais
- Estimar os tempos de atraso uma vez conhecidas as
características dos transistores FET

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Até a próxima aula !!!

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